JPH08286210A

JPH08286210A - 液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08286210A
Application number: JP8894495A
Authority: JP
Inventors: Kozo Miyoshi; 三好　　幸三
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1994-04-14
Filing date: 1995-04-14
Publication date: 1996-11-01

Abstract

(57)【要約】【構成】下層配線２と絶縁性膜３と上層配線４を備
え、下層配線あるいは下層配線と絶縁性膜との断面形状
は段差を有する液晶表示装置およびその製造方法。【効果】上層配線が段差部で断線しにくく、断線によ
るアクティブ素子の欠陥が減少する。さらに、下層配線
のパターニングのときにアッシング行程によってレジス
トのパターン寸法を小さくさせる行程を含む下層配線の
製造方法では、フォトリソリソグラフィー法で形成した
パターンよりもアクティブ素子のパターン寸法を小さく
させることができるため、フォトリソグラフィー処理の
限界を越えたアクティブ素子の微細化が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の構造とそ
の製造方法とに関し、さらに詳しくは液晶を駆動させる
ためのアクティブ素子を構成する下層配線もしくは下層
配線と絶縁性膜との断面形状構造と、その構造を形成す
るための製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術の液晶を駆動して所定の画像
表示を行うアクティブ素子を、図面を用いて説明する。
図２に示すように、ガラス基板１上に形成するアクティ
ブ素子を構成する下層配線２の断面形状は、垂直形状を
しているか、あるいは図３に示すように下層配線２の断
面形状はテーパー形状をしている。

【０００３】これは、通常、下層配線２パターンのパタ
ーニングは、一度のエッチング行程のみによって行われ
ることによる。

【０００４】液晶表示装置のアクティブ素子の形成方法
としては、まずスパッタリング法もしくは化学気相成長
法によって下層配線２材料を形成する。その後、この下
層配線２材料上にフォトリソグラフィー法によってレジ
スト（図示せず）のパターンを形成する。

【０００５】その後、図２あるいは図３に示すように、
このパターン形成したレジストをエッチングマスクとし
て、ウェットエッチング法もしくはドライエッチング法
によって下層配線２のパターンを形成する。

【０００６】このとき、ウェットエッチング法ではエッ
チング形状のコントロールは困難である。しかし、ドラ
イエッチング法ではレジストと下層配線２材料のエッチ
ング速度の比をコントロールして下層配線２材料のエッ
チング断面をテーパー形状にすることができる。

【０００７】つぎに、図８あるいは図９に示すように、
この下層配線２パターン上に、陽極酸化処理を行うこと
によって絶縁性膜３を形成する。

【０００８】さらに、この絶縁性膜３上にスパッタリン
グ法もしくは化学気相成長法によって上層配線４材料を
形成する。その後、この上層配線４材料上にフォトリソ
グラフィー法によってレジスト（図示せず）のパターン
を形成する。

【０００９】その後、このパターン形成したレジストを
エッチングマスクとして使用して、ウェットエッチング
法もしくはドライエッチング法によってパターニングを
行い上層配線４パターンを形成し、アクティブ素子を形
成する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】アクティブ素子を形成
していくときには、必ず下層配線２に対して上層配線４
はオーバーラップする領域が必要である。このオーバー
ラップ領域では、オーバーラップする上層配線４が段差
部で断線が発生する。この状態を図８と図９とに示す。

【００１１】これは、図８に示すようにガラス基板１と
絶縁性膜３では、上層配線４となる被膜の成長する下地
が異なるために、成長する被膜の膜質に境界が生じる。
さらに、ガラス基板１と下層配線２のエッチングした側
面領域とでは、上層配線４となる被膜の成長方向が異な
るため、境界部では被膜の成長方向がぶつかりあうこと
となり結晶性が乱れた領域となる。

【００１２】したがって、ガラス基板１と絶縁性膜３と
の境界領域では上層配線４となる被膜は膜質が異なるう
えに結晶性が乱れた状態となり、他の領域より弱くなっ
て断線しやすくなる。このような断線が発生すると、こ
の画素は欠陥となり液晶表示装置の表示品質が低下す
る。

【００１３】とくに、陽極酸化法により下層配線２上に
絶縁性膜３を形成し、この絶縁性膜３上に上層配線４を
パターニングする場合には大きな問題となる。

【００１４】これは、陽極酸化法による絶縁性膜３の形
成においては、この絶縁性膜３は当方的に成長する。こ
のために、ガラス基板１上に形成する下層配線２の断面
形状をエッチング時にテーパー形状にしても、その絶縁
性膜３形状は図９に示すように保存せず、ガラス基板１
との境界ではテーパー形状は保存せず、テーパー形状に
よる効果は減少してしまう。このため、やはり断線が発
生する。

【００１５】本発明の目的は上記の課題を解決して、上
層配線の断線の発生を抑えることが可能な液晶表示装置
の構造と、この構造を形成するための製造方法とを提供
することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに、本発明の液晶表示装置の構造とのその製造方法
は、下記記載の手段を採用する。

【００１７】本発明の液晶表示装置は、下層配線と絶縁
性膜と上層配線とを備え、下層配線あるいは下層配線と
絶縁性膜との断面形状は段差を有することを特徴とす
る。

【００１８】本発明における液晶表示装置の製造方法
は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成し、この下層
配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレジストパ
ターンを形成し、このレジストをエッチングマスクとし
てドライエッチング法もしくはウェットエッチング法に
よって下層配線材料をエッチングした後、レジストをア
ッシング処理することによってレジストのパターン寸法
を小さくし、さらにこのパターン寸法を小さくしたレジ
ストをエッチングマスクとしてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで
下層配線材料のエッチングを行い、下層配線を形成し、
この下層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成すること
を特徴とする。

【００１９】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとしてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチ
ングした後、第１のレジストを剥離し、この下層配線材
料パターン上に第１のレジストよりもパターン寸法の小
さい第２のレジストのパターンを形成し、さらにこの第
２のレジストをエッチングマスクとしてドライエッチン
グ法もしくはウェットエッチング法により厚さ方向の途
中まで下層配線材料のエッチングを行い、下層配線を形
成し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成す
ることを特徴とする。

【００２０】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストのパターンを形成し、このレジストをエッチ
ングマスクとしてドライエッチング法もしくはウェット
エッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線材料
をエッチングした後、レジストをアッシング処理するこ
とによってレジストのパターン寸法を小さくし、さらに
このパターン寸法を小さくしたレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって下層配線材料のエッチングを行い下層配
線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線とを
形成することを特徴とする。

【００２１】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして、ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで
下層配線材料をエッチングした後、第１のレジストを剥
離し、さらにフォトリソグラフィー法により、この下層
配線材料パターン上に第１のレジストよりもパターン寸
法の小さい第２のレジストのパターンを形成し、さらに
この第２のレジストをエッチングマスクとしてドライエ
ッチング法もしくはウェットエッチング法によって下層
配線材料のエッチングを行い下層配線を形成し、この下
層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成することを特徴
とする。

【００２２】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして、ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで
下層配線材料をエッチングした後、第１のレジストを剥
離し、さらにフォトリソグラフィー法により、この下層
配線材料パターン上に第１のレジストよりもパターン寸
法の大きい第２のレジストのパターンを形成し、さらに
この第２のレジストをエッチングマスクとしてドライエ
ッチング法もしくはウェットエッチング法によって下層
配線材料のエッチングを行い下層配線を形成し、この下
層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成することを特徴
とする。

【００２３】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下層
配線材料パターン上に下層配線材料と同じ材料である絶
縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第１のレ
ジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジストのパ
ターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチングを
行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上
層配線とを形成することを特徴とする。

【００２４】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下層
配線材料パターン上に下層配線材料と同じ材料である絶
縁性膜材料を膜形成し、同じ絶縁性膜材料上に第１のレ
ジストよりもパターン寸法の小さい第２のレジストのパ
ターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチングを
行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上
層配線とを形成することを特徴とする。

【００２５】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下層
配線材料パターン上に下層配線材料とは異なる材料であ
る絶縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第１
のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジスト
のパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッ
チングマスクとして使用してドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチ
ングを行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性
膜と上層配線とを形成することを特徴とする。

【００２６】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして、ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングした後、第１のレジストを剥離し、この下層配線
材料パターン上に下層配線材料とは異なる材料である絶
縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第１のレ
ジストよりもパターン寸法の小さい第２のレジストのパ
ターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチン
グマスクとしてドライエッチング法もしくはウェットエ
ッチング法によって絶縁性膜材料のエッチングを行い下
層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線
とを形成することを特徴とする。

【００２７】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして、ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングした後、この下層配線材料パターン上に下層配線
材料と同じ材料である絶縁性膜材料を膜形成した後、第
１のレジストとともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離
し、この下層配線材料および絶縁性膜材料上に第１のレ
ジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジストのパ
ターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチン
グマスクとしてドライエッチング法もしくはウェットエ
ッチング法によって絶縁性膜材料のエッチングを行い下
層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線
とを形成することを特徴とする。

【００２８】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして、ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングした後、この下層配線材料パターン上に下層配線
材料とは異なる材料である絶縁性膜材料を膜形成した
後、第１のレジストとともにレジスト上の絶縁性膜材料
を剥離し、この下層配線材料および絶縁性膜材料上に第
１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジス
トのパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエ
ッチングマスクとしてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチングを
行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上
層配線とを形成することを特徴とする。

【００２９】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとして用いてドライエッチング法もしくはウェット
エッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線材料
をエッチングした後、レジストを剥離し、陽極酸化法に
より絶縁性膜を形成すると同時に下層配線のパターニン
グを行い、この上に上層配線を形成することを特徴とす
る。

【００３０】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって下層配線材料をエッチングした後、レジ
ストを剥離し、この下層配線材料パターン上に、下層配
線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成し、さらに、
陽極酸化法により絶縁性膜を形成した後、この上に上層
配線を形成することを特徴とする。

【００３１】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって下層配線材料をエッチングした後、レジ
ストを剥離し、この下層配線材料パターン上に、下層配
線材料と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成し、さら
に、陽極酸化法により絶縁性膜を形成した後、この上に
上層配線を形成することを特徴とする。

【００３２】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとして使用してドライエッチング法もしくはウェッ
トエッチング法により下層配線材料をエッチングし、こ
の下層配線材料パターン上に、下層配線材料と同じ材料
の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストとともにレジ
スト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに陽極酸化法によ
って絶縁性膜を形成した後、この上に上層配線を形成す
ることを特徴とする。

【００３３】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって下層配線材料をエッチングし、この下層
配線材料パターン上に、下層配線材料と異なる材料の絶
縁性膜材料を膜形成した後、レジストとともに絶縁性膜
材料を剥離し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜を形
成した後、この上に上層配線を形成することを特徴とす
る。

【００３４】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとして使用してドライエッチング法もしくはウェッ
トエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線材
料をエッチングした後、レジストを剥離し、陽極酸化法
により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に上
層配線を形成し、この上層配線パターンをエッチングマ
スクとして使用して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチ
ングすることを特徴とする。

【００３５】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって厚さ方向の途中まで下層配線材料をエッ
チングした後、レジストを剥離し、陽極酸化法により絶
縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に上層配線パ
ターンを形成し、さらに、この上層配線パターン上に上
層配線パターンよりも大きなレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをエッチングマスクとして絶
縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすることを特徴と
する。

【００３６】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストをエッチングマ
スクとしてドライエッチング法もしくはウェットエッチ
ング法によって厚さ方向の途中まで下層配線材料をエッ
チングした後、レジストを剥離し、陽極酸化法により絶
縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に上層配線を
形成し、この上層配線パターン上にさらに保護膜をパタ
ーン形成し、この保護膜パターンをエッチングマスクと
して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすることを
特徴とする。

【００３７】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法により第
１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストを
エッチングマスクとしてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配
線材料をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、
陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、
さらにこの下層配線材料パターン上に第１のレジストよ
りもパターン寸法の大きい第２のレジストパターンを形
成し、さらにこの第２のレジストをエッチングマスクと
してドライエッチング法もしくはウェットエッチング法
によって絶縁性膜と未陽極酸化部のエッチングを行っ
て、この上に上層配線を形成することを特徴とする。

【００３８】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法により第
１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストを
エッチングマスクとしてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
し、第１のレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を
膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極
酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パター
ン上に第１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２
のレジストパターンを形成し、さらにこの第２のレジス
トをエッチングマスクとしてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜と未陽極酸化
部のエッチングを行って、この上に上層配線を形成する
ことを特徴とする。

【００３９】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法により第
１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストを
エッチングマスクとしてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
し、第１のレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料とは異なる材料の絶縁性膜材
料を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜を形
成した後、さらにこの下層配線材料パターン上に第１の
レジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジストパ
ターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチン
グマスクとしてドライエッチング法もしくはウェットエ
ッチング法によって絶縁性膜のエッチングを行って、こ
の上に上層配線を形成することを特徴とする。

【００４０】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法により第
１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、第１のレジ
ストとともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さら
に、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成
した後、さらにこの下層配線材料パターン上に第１のレ
ジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジストパタ
ーンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチング
マスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェッ
トエッチング法によって絶縁性膜と未陽極酸化部のエッ
チングを行って、この上に上層配線を形成することを特
徴とする。

【００４１】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法により第
１のレジストパターンを形成し、この第１のレジストを
エッチングマスクとしてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
し、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料とは
異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽
極酸化法により絶縁性膜を形成した後、さらにこの下層
配線材料パターン上に第１のレジストよりもパターン寸
法の大きい第２のレジストパターンを形成し、さらにこ
の第２のレジストをエッチングマスクとしてドライエッ
チング法もしくはウェットエッチング法によって絶縁性
膜のエッチングを行って、この上に上層配線を形成する
ことを特徴とする。

【００４２】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を
膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極
酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パター
ン上に、上層配線パターンを形成し、この上層配線パタ
ーンをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部
とをエッチングすることを特徴とする。

【００４３】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を
膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極
酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パター
ン上に、上層配線パターンを形成し、さらに、この上層
配線パターン上に上層配線パターンよりも大きなレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをエッチン
グマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
マスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングす
ることを特徴とする。

【００４４】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を
膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極
酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パター
ン上に上層配線パターンを形成し、この上層配線パター
ン上にさらに保護膜をパターン形成し、この保護膜パタ
ーンをエッチングマスクとして使用して絶縁性膜と未陽
極酸化部とをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極
酸化部とをエッチングすることを特徴とする。

【００４５】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材料
を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に、上層配線パターンを形成し、この上層配線パ
ターンをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化
部とをエッチングすることを特徴とする。

【００４６】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材料
を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に、上層配線パターンを形成し、さらに、この上
層配線パターン上に上層配線パターンよりも大きなレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチ
ングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
することを特徴とする。

【００４７】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、このレジストを剥離した後、この下層配線材料パ
ターン上に、下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材料
を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に、上層配線パターンを形成し、この上層配線パ
ターン上にさらに保護膜をパターン形成し、この保護膜
パターンをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸
化部とをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化
部とをエッチングすることを特徴とする。

【００４８】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と
同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストとと
もにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、陽極酸化法に
より絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した後、さらにこ
の下層配線材料パターン上に、上層配線パターンを形成
し、この上層配線パターンをエッチングマスクとして使
用して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすること
を特徴とする。

【００４９】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と
同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストとと
もにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、陽極酸化法に
より絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した後、さらにこ
の下層配線材料パターン上に、上層配線パターンを形成
し、さらに、この上層配線パターン上に上層配線パター
ンよりも大きなレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極
酸化部とをエッチングマスクとして使用して絶縁性膜と
未陽極酸化部とをエッチングすることを特徴とする。

【００５０】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と
同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストとと
もにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽極
酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した後、
さらにこの下層配線材料パターン上に、上層配線パター
ンを形成し、この上層配線パターン上にさらに保護膜を
パターン形成し、この保護膜パターンをエッチングマス
クとして使用して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
することを特徴とする。

【００５１】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と
異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に、上層配線パ
ターンを形成し、この上層配線パターンをエッチングマ
スクとして使用して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチ
ングすることを特徴とする。

【００５２】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして用いてドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチン
グし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と
異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に、上層配線パ
ターンを形成し、さらに、この上層配線パターン上に上
層配線パターンよりも大きなレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをエッチングマスクとして使
用して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングマスクと
して絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすることを
特徴とする。

【００５３】さらに、もう１つの本発明の液晶表示装置
の製造方法は、ガラス基板上に下層配線材料を形成し、
この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によりレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして使用してドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって下層配線材料をエッチ
ングし、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料
と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジスト
とともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、
陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に、上層配線パ
ターンを形成し、この上層配線パターン上にさらに保護
膜をパターン形成し、この保護膜パターンをエッチング
マスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングマ
スクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グすることを特徴とする。

【００５４】

【作用】本発明の液晶表示装置の構造とその製造方法と
においては、上層配線を形成するための下地は、アクテ
ィブ素子領域近傍においては、すべてが陽極酸化法によ
り形成された絶縁性膜である。

【００５５】このことによって、上層配線が一度にオー
バーラップする段差寸法を減らすことができる。このた
め従来技術に比らべて、オーバーラップする領域での上
層配線材料の結晶性の乱れを減少させることができる。

【００５６】さらに、上層配線を形成する被膜は、アク
ティブ素子部でも素子周辺部でも下地が同じであるので
アクティブ素子近傍では膜質に差が生じない。またさら
に、陽極酸化法で形成された絶縁性膜は、スパッタリン
グ法や化学気相成長法で形成された絶縁性膜に比らべて
緻密でピンホールが発生せず、上層配線と下層配線が接
続してしまうショート欠陥が生じないという利点があ
る。

【００５７】これによって、上層配線がオーバーラップ
しやすくなり、さらにアクティブ素子近傍での膜質の違
いも生じないので、段差部での断線による画素欠陥を減
少させることができる。

【００５８】

【実施例】以下、本発明による実施例における液晶表示
装置のスイッチング素子の構造とその製造方法とを図面
を基に説明する。まずはじめに本発明の実施例における
液晶表示装置に用いるスイッチング素子の構造を、図１
と図７の断面図を使用して説明する。

【００５９】図７に示すように、断面構造に段差を有す
る下層配線２上に陽極酸化法によって絶縁性膜３をもう
け、その絶縁性膜３上に上層配線４を形成した薄膜ダイ
オード（ＴＦＤ）素子とする。

【００６０】図１と図７に示すように、段差部でのオー
バーラップが容易になるように、下層配線２や、下層配
線２と絶縁性膜３との断面形状は、段差をもつ構成とな
っている。

【００６１】この段差を設けることによって、上層配線
４のオーバーラップが２回に分割されて、１回のオーバ
ーラップによる負荷が減り、段差部での断線を減少させ
ることができる。

【００６２】なお図１では下層配線２の断面形状の段差
を２段にする例を示したが、図４に示すように、下層配
線２の断面を３段異常の段差を設ける形状にしてもよ
い。

【００６３】なお図４に示す下層配線２を用いてＴＦＤ
素子を形成すると、図１０に示すような構造になる。

【００６４】またさらに、図５に示すように、下層配線
２の断面形状としてテーパー形状にしてもよい。

【００６５】図５に示す下層配線２を用いてＴＦＤを形
成すると、図１１の断面図に示すような構造になる。

【００６６】さらに、図６に示すように下層配線２の断
面形状として、ガラス基板１に近い領域を非常に小さい
テーパー角度になるようにし、そのガラス基板１近傍の
テーパー領域の上面の領域を、このテーパー角度よりも
大きなテーパー角をもつ形状にしてもよい。

【００６７】この図６に示すような下層配線２の断面形
状を採用することによって、下層配線２を形成し、さら
に絶縁性膜３と上層配線４とを形成し、図１２に示すよ
うなＴＦＤ素子を形成すれば、パターン精度が悪くする
ことなく、上層配線４は下層配線２のテーパー角をほぼ
保存することができる。

【００６８】つぎに、以上説明した液晶表示装置のスイ
ッチング素子の構造を形成するための製造方法を説明す
る。なお以下の実施例に説明では、下層配線２にタンタ
ルを用い、上層配線４に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）
を、それぞれ使用する場合を例にして説明する。

【００６９】まずはじめに図１３に示すように、ガラス
基板１上に、下層配線２材料としてスパッタリング法に
よって、５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形
成する。つぎに、この下層配線２材料であるタンタル上
にフォトリソグラフィー法により、下層配線２パターン
と同じレジスト６のパターンを形成する。

【００７０】タンタル膜の膜形成は、スパッタリング装
置内に１００ｓｃｃｍの流量のアルゴンガスを導入し、
全体の圧力を５ｍＴｏｒｒとして、これに１ＫＷ〜３Ｋ
Ｗの高周波（ＲＦ）電力（発信周波数として１３．５６
ＭＨｚ）を印加して生成したプラズマでターゲット材で
あるタンタルにスパッタをおこし、このはじき出された
タンタルをガラス基板１上に堆積させることにより行
う。

【００７１】つぎに図１４に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行う。

【００７２】タンタルのドライエッチングは、ドライエ
ッチング装置内に１００ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流
量で六フッ化イオウ（ＳＦ６）を導入し、これに０ｓｃ
ｃｍ〜１００ｓｃｃｍの流量の酸素を加えて、全体の圧
力を５０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｏｒとして、これに
１００Ｗ〜１０００Ｗで発振周波数として１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波（ＲＦ）電力を印加して生成したプラズマ
によって行う。

【００７３】また、タンタルのエッチング処理をウェッ
トエッチングで行う場合には、硝酸とフッ化アンモニウ
ムとフッ酸と水の比が、それぞれ５：２：１：３となる
ように混合した溶液を用いて行う。

【００７４】つぎに図１５に示すように、下層配線２上
のレジスト６のアッシング処理を行い、レジスト６のパ
ターン寸法を小さくする。

【００７５】このアッシング処理は、ドライエッチング
装置内に１００ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの流量の酸
素を導入し、さらにこれに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ
の六フッ化イオウを加え、全体圧力を１００ｍＴｏｒｒ
〜３００ｍＴｏｒｒとして、これに１００Ｗ〜５００Ｗ
で発振周波数として１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加して生成したプラズマによって行う。

【００７６】このとき、六フッ化イオウの導入量によっ
て下層配線２材料のエッチングも若干進めて、アッシン
グ処理によってレジスト６の被覆していない領域である
下層配線２材料が露出した領域をテーパー形状にするこ
ともできる。

【００７７】つぎに、図１６に示すようにパターン寸法
を小さくしたレジスト６をエッチングマスクとして使用
して、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチン
グ処理もしくはウェットエッチング処理を行い、厚さ方
向の途中までエッチングを進める。

【００７８】その後、下層配線２上のレジスト６を剥離
することによって、図１に示すような２段階の段差を有
する形状の下層配線２を形成することができる。

【００７９】つぎに図７に示すように、陽極酸化法によ
り下層配線２パターン上に絶縁性膜３を形成し、その上
に上層配線４パターンを形成することにより、図７に示
す構造のＴＦＤ素子を得ることができる。

【００８０】この陽極酸化処理は、０．０１〜１％のク
エン酸溶液を用い、陰極に白金電極を用いて下層配線２
材料であるタンタルとの間に１０Ｖ〜１００Ｖの電圧を
印加して行う。

【００８１】さらに別の製造方法として、アッシング工
程とエッチング工程をもう一度行うことによって図４に
しめす、３つの段差を有するエッチング断面形状をもつ
下層配線２が形成できる。

【００８２】さらにまた、エッチング処理時およびアッ
シング処理時に、レジスト６と下層配線２のタンタルと
のエッチング速度の比をコントロールすることにより、
図５と図６とに示すテーパー形状を有するエッチング断
面形状をもつ下層配線２を形成することができる。

【００８３】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【００８４】まず図１３に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
つぎに、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【００８５】つぎに図１４に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行う。

【００８６】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【００８７】つぎに図１５に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、下層配線２上に下層配線２より
もパターン寸法の小さいレジスト６を再度フォトリソグ
ラフィー法により形成する。

【００８８】つぎに、図１６に示すようにパターン寸法
を小さくしたレジスト６をエッチングマスクとして用い
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行い、タンタル
の厚さ方向の途中までエッチングを進める。

【００８９】この後、下層配線２上のレジスト６を剥離
することによって、図１に示すような形状の下層配線２
を形成することができる。

【００９０】さらに、陽極酸化法により下層配線２パタ
ーン上に絶縁性膜３を形成し、その上に上層配線４パタ
ーンを形成することにより、図７に示すような構造のＴ
ＦＤ素子を得ることができる。

【００９１】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【００９２】まず図１３に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
つぎに、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【００９３】つぎに図１７に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして使用し
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行い、下層配線
２材料であるタンタルの厚さ方向の途中までエッチング
を進める。

【００９４】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【００９５】つぎに図１８に示すように、下層配線２上
のレジスト６のアッシング処理を行い、レジスト６のパ
ターン寸法を小さくする。

【００９６】このレジスト６のパターン寸法を小さくす
るための、アッシング処理は前述の処理条件と同じ処理
方法で行う。

【００９７】つぎに、図１６に示すようにパターン寸法
を小さくしたレジスト６をエッチングマスクとして、下
層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理も
しくはウェットエッチング処理を行い、タンタルの厚さ
方向の途中までエッチングを進める。

【００９８】この後、下層配線２上のレジスト６を剥離
することによって、図１に示すような２段階の段差を有
する形状の下層配線２を形成することができる。

【００９９】さらに、陽極酸化法により下層配線２パタ
ーン上に絶縁性膜３を形成し、その上に上層配線４パタ
ーンを形成することにより、図７に示す構造のＴＦＤ素
子を得ることができる。

【０１００】さらに別の製造方法として、アッシング工
程とエッチング工程をもう一度行うことによって図４に
しめす、３つの段差を有するエッチング断面形状をもつ
下層配線２が形成できる。

【０１０１】さらにまた、エッチング処理時およびアッ
シング処理時に、レジスト６と下層配線２のタンタルと
のエッチング速度の比をコントロールすることにより、
図５と図６に示すテーパー形状を有するエッチング断面
形状をもつ下層配線２を形成することができる。

【０１０２】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１０３】まず図１３に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって５
０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成し、つぎ
に、この下層配線２材料であるタンタル上にフォトリソ
グラフィー法により下層配線２パターンと同じレジスト
６のパターンを形成する。

【０１０４】つぎに図１７に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行い、下層配線２材
料であるタンタルのド厚さ方向の途中までエッチングを
進める。

【０１０５】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１０６】つぎに図１８に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、下層配線２上に下層配線２より
もパターン寸法の小さいレジスト６を再度フォトリソグ
ラフィー法により形成する。

【０１０７】つぎに、図１６に示すようにパターン寸法
を小さくしたレジスト６をエッチングマスクとして用い
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行い、下層配線
２材料の厚さ方向の途中までエッチングを進める。

【０１０８】この後、下層配線２上のレジスト６を剥離
することによって、図１に示すような断面形状が２段階
の段差を備える形状の下層配線２を形成することができ
る。

【０１０９】さらに、陽極酸化法により下層配線２パタ
ーン上に絶縁性膜３を形成し、その上に上層配線４パタ
ーンを形成することにより、図７に示す構造のＴＦＤ素
子を得ることができる。

【０１１０】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１１１】まず図１９に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０１１２】つぎに図２０に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行い、下層配線２材料であ
るタンタルの厚さ方向の途中までエッチングを進める。

【０１１３】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１１４】つぎに図２１に示すように、エッチングマ
スクとして使用した下層配線２上のレジスト６を剥離す
る。

【０１１５】さらに、図２２に示すように、下層配線２
上に下層配線２よりもパターン寸法の大きいレジスト６
を再度フォトリソグラフィー法により形成する。

【０１１６】つぎに、図２３に示すように、このパター
ン寸法の大きいレジスト６をエッチングマスクとして用
いて、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチン
グ処理もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０１１７】さらに、この下層配線２上のレジスト６を
剥離することによって、図１に示すように、その断面形
状が２段階の段差を有する形状の下層配線２を形成する
ことができる。

【０１１８】さらに、陽極酸化法により下層配線２パタ
ーン上に絶縁性膜３を形成し、その上に上層配線４パタ
ーンを形成することにより、図７に示す構造のＴＦＤ素
子を得ることができる。

【０１１９】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１２０】まず図２４に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０１２１】つぎに図２５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行う。

【０１２２】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１２３】つぎに図２６に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、スパッタリング法により下層配
線２材料と同じ材料であるタンタルを絶縁性膜材料７と
して形成する。

【０１２４】つぎに、図２７に示すように絶縁性膜材料
７上に下層配線２パターンよりもパターン寸法の大きい
レジスト６を再度フォトリソグラフィー法により形成す
る。

【０１２５】つぎに、図２８に示すように、再度形成し
たレジスト６をエッチングマスクとして用いて、絶縁性
膜材料７であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行う。

【０１２６】この後、レジスト６を剥離し、さらに、陽
極酸化法により下層配線２パターン上に絶縁性膜３を形
成し、その上に上層配線４パターンを形成することによ
り、図７に示す構造のＴＦＤ素子を得ることができる。

【０１２７】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１２８】まず図２９に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０１２９】つぎに図３０に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０１３０】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１３１】つぎに図３１に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、スパッタリング法により下層配
線２材料と同じ材料であるタンタルを絶縁性膜３材料と
して形成する。

【０１３２】つぎに、図３２に示すように絶縁性膜３材
料上に下層配線２パターンよりもパターン寸法の大きい
レジスト６を再度フォトリソグラフィー法により形成す
る。

【０１３３】つぎに、図３３に示すようにパターン寸法
を小さくしたレジスト６をエッチングマスクとして使用
して、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチン
グ処理もしくはウェットエッチング処理を行い、タンタ
ルの厚さ方向の途中までエッチングを進める。

【０１３４】その後、レジスト６を剥離し、さらに、陽
極酸化法により下層配線２パターン上に絶縁性膜３を形
成し、その上に上層配線４パターンを形成することによ
り、図７に示す構造のＴＦＤ素子を得ることができる。

【０１３５】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１３６】まず図１９に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０１３７】つぎに図３４に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして使用し
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０１３８】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１３９】つぎに図３５に示すように、スパッタリン
グ法により下層配線２材料と同じ材料であるタンタルを
絶縁性膜材料７として形成する。

【０１４０】つぎに、図３６に示すように、レジスト６
とともに、レジスト６パターン上の絶縁性膜材料７を剥
離する。

【０１４１】つぎに、図３７に示すように絶縁性膜材料
７上に下層配線２パターンよりもパターン寸法の大きい
レジスト６を再度フォトリソグラフィー法により形成す
る。

【０１４２】つぎに、図３８に示すように、再度形成し
たレジスト６をエッチングマスクとして使用して、下層
配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もし
くはウェットエッチング処理を行う。

【０１４３】この後、レジスト６を剥離し、さらに、陽
極酸化法により下層配線２パターン上に絶縁性膜３を形
成し、その上に上層配線４パターンを形成することによ
り、図７に示す構造のＴＦＤ素子を得ることができる。

【０１４４】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１４５】まず、図１９に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によっ
て、５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。

【０１４６】つぎに、この下層配線２材料であるタンタ
ル上にフォトリソグラフィー法により、下層配線２パタ
ーンと同じレジスト６のパターンを形成する。

【０１４７】つぎに図２０に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行い、下層配線２材
料であるタンタルの厚さ方向の途中までエッチングを進
める。

【０１４８】このとき、エッチングするタンタルの厚さ
は、ガラス基板１上に残る下層配線２材料の膜厚が陽極
酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。たとえば、
陽極酸化膜厚を２００ｎｍにしたい場合には、ガラス基
板１上に残る下層配線２材料の膜厚が１００ｎｍ以下に
なるようにエッチングをおこなう。

【０１４９】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１５０】つぎに図２１に示すように、エッチングマ
スクとして用いた下層配線２上のレジスト６を剥離す
る。

【０１５１】つぎに図３９に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成し、このとき同
時に下層配線２のパターニングをおこなう。

【０１５２】さらに図４０に示すように、この絶縁性膜
３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）をスッパッタリング法により膜形成する。

【０１５３】ＩＴＯ膜の膜形成は、スパッタリング装置
内に流量が１００ｓｃｃｍのアルゴンガスと２ｓｃｃｍ
の酸素とを導入し、全体の圧力を１０ｍＴｏｒｒとし、
これに１ＫＷ〜３ＫＷの高周波（ＲＦ）電力（発信周波
数として１３．５６ＭＨｚ）を印加して生成したプラズ
マでターゲット材であるＩＴＯにスパッタをおこし、こ
のはじき出されたＩＴＯを絶縁性膜３上に堆積させるこ
とにより行う。

【０１５４】つぎに図４０に示すように、この上層配線
４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグラフィー法により
上層配線４と同じレジスト６パターンを形成し、このレ
ジスト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ド
ライエッチング法もしくはウェットエッチング法によっ
てエッチング処理を行う。

【０１５５】ＩＴＯのエッチング処理をドライエッチン
グ法で行う場合には、ドライエッチング装置内に１００
ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量でメタン（ＣＨ４）を
導入し、これに０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの水素と、
０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍのメタノール（ＣＨ３Ｏ
Ｈ）とを加えて、全体の圧力を３０ｍＴｏｒｒ〜２００
ｍＴｏｏｒとして、これに１ＫＷ〜３ＫＷで１３．５６
ＭＨｚも高周波電力を印加して生成したプラズマによっ
て行う。

【０１５６】さらにまた、ＩＴＯのエッチング処理をウ
ェットエッチングで行う場合には、塩化鉄と塩酸と水の
比が、それぞれ３：５：２となるように混合した溶液を
用いて行う。

【０１５７】この後エッチングマスクとして用いたレジ
ストを剥離し、図４２に示す構造のＴＦＤ素子を得るこ
とができる。

【０１５８】また、図４３に示すように、下層配線２材
料であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量を
コントロールすることにより、レジスト６と下層配線２
材料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロ
ールして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。
この方法で形成したＴＦＤ素子は図４４に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０１５９】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１６０】まず、図２４に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によっ
て、５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。

【０１６１】つぎに、この下層配線２材料であるタンタ
ル上にフォトリソグラフィー法により、下層配線２パタ
ーンと同じレジスト６のパターンを形成する。

【０１６２】つぎに図２５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０１６３】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１６４】つぎに図２６に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、下層配線２パターン上に、スパ
ッタリング法によって下層配線２材料と同じ材料の絶縁
性膜材料７であるタンタルを再度膜形成する。

【０１６５】このとき、膜形成するタンタルの厚さは、
陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。

【０１６６】つぎに図３９に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０１６７】さらに、図４０に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。

【０１６８】つぎに、図４１に示すように、この上層配
線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグラフィー法によ
り上層配線４と同じレジスト６パターンを形成し、この
レジスト６パターンをエッチングマスクとしてウェット
エッチング法により上層配線４パターンを形成すること
により、図４２に示す構造のＴＦＤ素子を得ることがで
きる。

【０１６９】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したアクティブ素子は図４４に示すように
なり、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造と
なる。

【０１７０】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１７１】まず、図２４に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によっ
て、５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。その後、この下層配線２材料であるタンタル上に、
フォトリソグラフィー法により下層配線２パターンと同
じレジスト６のパターンを形成する。

【０１７２】つぎに図３４に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理を行
う。

【０１７３】この下層配線２材料であるタンタルのドラ
イエッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述
と同じ処理方法で行う。

【０１７４】つぎに図３５に示すように、下層配線２パ
ターン上に、スパッタリング法によって下層配線２と同
じ材料の絶縁性膜３材料であるタンタルを再度膜形成す
る。

【０１７５】このとき、膜形成するタンタルの厚さは、
陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。

【０１７６】つぎに図３６に示すように、下層配線２パ
ターン上のレジスト６をレジスト６パターン上の絶縁性
膜材料７であるタンタルとともに剥離する。

【０１７７】つぎに図３９に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０１７８】さらに、図４０に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。

【０１７９】つぎに、図４１に示すように、この上層配
線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグラフィー法によ
り上層配線４と同じレジスト６パターンを形成し、この
レジスト６パターンをエッチングマスクとして用いて、
ウェットエッチング法により上層配線４パターンを形成
することにより、図４２に示す構造のＴＦＤ素子を得る
ことができる。

【０１８０】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したＴＦＤ素子は、図４４に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０１８１】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１８２】まず、図１９に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によっ
て、５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフ
ォトリソグラフィー法により下層配線２パターンと同じ
レジスト６のパターンを形成する。

【０１８３】つぎに図４５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして使用し
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行い、下層配線
２材料であるタンタルの厚さ方向の途中までエッチング
を進める。

【０１８４】このとき、エッチングするタンタルの厚さ
は、ガラス基板１上に残る下層配線２材料の膜厚が陽極
酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。

【０１８５】ここで、ドライエッチング処理によってタ
ンタルをエッチングする場合には、エッチング条件の内
の六フッ化イオウの流量を増やすことで、レジスト６パ
ターン近傍ではフッ素ラジカルが停滞しやすくし、部分
的に濃度が増加させてエッチング速度を増加させる。

【０１８６】このことによって、エッチングした断面形
状は図４５に示すように、レジスト６のパターンエッジ
部の下層配線２がエッチングされたような形状になる。

【０１８７】また、タンタルのエッチング処理をウェッ
トエッチングで行う場合には、硝酸とフッ化アンモニウ
ムとフッ酸と水の比が、それぞれ７：２：１：３となる
ように混合した溶液を用い、溶液にガラス基板１を浸漬
して行う。

【０１８８】ガラス基板１を溶液から引き上げて、水洗
槽に移す際に、待ち時間をつくるとレジスト６パターン
近傍ではエッチング液が溜まりやすくなり、この部分の
エッチングが他よりも進んでエッチング形状は、図４５
に示すように、レジスト６のパターンエッジ部の下層配
線２がエッチングされたような形状になる。

【０１８９】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、下層配線２上に陽極酸化法によ
って絶縁性膜３を形成し、このとき同時に下層配線２の
パターニングをおこなう。

【０１９０】このとき、ＴＦＤ素子近傍ではタンタルの
膜厚が薄くなっているため、素子間の中央部よりも酸化
膜の成長が止まるのが早く、このことによってＴＦＤ素
子間の中央部には未陽極酸化部１０を生じる。

【０１９１】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４と同じレジスト６パターン
を形成する。

【０１９２】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０１９３】さらに、図４９に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターンをエッチングマスクとし
て用いて、ドライエッチング法により、絶縁性膜３のエ
ッチングを行うことにより、ＴＦＤ素子を形成する。

【０１９４】絶縁性膜３のエッチングを行う際には、上
層配線４パターンを形成するために用いたレジスト６は
剥離してから行ってもよいし、剥離せずにそのまま絶縁
性膜３をエッチングし、その後レジスト６の剥離を行っ
てもよい。

【０１９５】絶縁性膜３のドライエッチングは、タンタ
ルのドライエッチングと同様の条件で行う。このタンタ
ルのドライエッチング条件は先に記載している。

【０１９６】また、図４３に示すように、下層配線２材
料であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量を
コントロールすることにより、レジスト６と下層配線２
材料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロ
ールして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。
この方法で形成したＴＦＤ素子は図５０に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０１９７】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０１９８】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を得る。

【０１９９】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４と同じレジスト６パターン
を形成する。

【０２００】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０２０１】上層配線４材料であるＩＴＯのドライエッ
チング処理とウェットエッチング処理とは、前述と同じ
条件の処理方法で行う。

【０２０２】さらに、図５１に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きいレジスト６パター
ンを形成する。

【０２０３】つぎに、図５２に示すように、この大きい
レジスト６をエッチングマスクとして使用して、ドライ
エッチング法により、絶縁性膜３のエッチングを行うこ
とにより、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０２０４】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング条件とと同様の処理条件で
行う。

【０２０５】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２０６】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を形成する。

【０２０７】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。この上
層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグラフィー法
により上層配線４と同じレジスト６パターンを形成す
る。

【０２０８】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０２０９】上層配線４材料であるＩＴＯのドライエッ
チング処理とウェットエッチング処理とは、前述の条件
と同じ処理方法で行う。

【０２１０】さらに、図５３に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きい保護膜５パターン
を形成する。

【０２１１】つぎに、図５４に示すように、この保護膜
５パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライエ
ッチング法によって、絶縁性膜３のエッチングを行うこ
とにより、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０２１２】絶縁性膜３のドライエッチング処理は、前
述のタンタルのドライエッチング処理条件と同様の処理
条件で行う。

【０２１３】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２１４】まず図１９に示すように、ガラス基板１上
に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって、
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０２１５】つぎに図２０すように、このパターン形成
したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、下層
配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理を行
い、下層配線２材料であるタンタルの厚さ方向の途中ま
でエッチングを進める。

【０２１６】このとき、エッチングするタンタルの厚さ
は、ガラス基板１上に残る下層配線２材料の膜厚が陽極
酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。

【０２１７】下層配線２材料であるタンタルのドライエ
ッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述と同
じ方法で行い、図４５に示すような、レジスト６のパタ
ーンエッジ部の下層配線２がエッチングされたようなエ
ッチング形状を得る。

【０２１８】ここで、ドライエッチング処理によってタ
ンタルをエッチングする場合には、エッチング条件の内
の六フッ化イオウの流量を増やすことで、レジスト６パ
ターン近傍ではフッ素ラジカルが停滞しやすくし、部分
的に濃度が増加させてエッチング速度を増加させる。

【０２１９】このことによって、エッチング形状は図４
５に示すような、レジスト６のパターンエッジ部の下層
配線２がエッチングされたようなエッチング形状にな
る。

【０２２０】また、タンタルのエッチング処理をウェッ
トエッチングで行う場合には、ガラス基板１をエッチン
グ液から引き上げて、水洗槽に移す際に、待ち時間をつ
くるとレジスト６パターン近傍ではエッチング液が溜ま
りやすくなりる。このため、この部分のエッチングが他
よりも進んでエッチング断面形状は、図４５に示すよう
に、レジスト６のパターンエッジ部の下層配線２がエッ
チングされたようなエッチング形状になる。

【０２２１】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離し、下層配線２上に陽極酸化法によ
って絶縁性膜３を形成し、このとき同時に下層配線２の
パターニングをおこなう。

【０２２２】このとき、ＴＦＤ素子近傍ではタンタルの
膜厚が薄くなっているため、ＴＦＤ素子間の中央部より
も酸化膜の成長が止まるのが早く、このことによってＴ
ＦＤ素子間の中央部には未陽極酸化部１０を生じる。

【０２２３】つぎに、図５５に示すように、フォトリソ
グラフィー法によって、このパターニングした下層配線
２パターンよりもパターン寸法の大きいレジスト６パタ
ーンを形成する。

【０２２４】つぎに図５６に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
ドライエッチング法により絶縁性膜３のエッチングを行
い、つぎに絶縁性膜３上のレジスト６を剥離する。

【０２２５】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング処理と同様な条件の処理方
法により行う。

【０２２６】さらに、図５７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４と同じレジスト６パターン
を形成し、このレジスト６パターンをエッチングマスク
として用いて、ドライエッチング法もしくはウェットエ
ッチング法により上層配線４パターンを形成することに
より、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０２２７】また、下層配線２材料であるタンタルをエ
ッチングする際に、酸素の流量をコントロールすること
により、レジスト６と下層配線２材料であるタンタルの
エッチングレイトの比をコントロールして、エッチング
断面をテーパ形状にしてもよい。この方法で形成したＴ
ＦＤ素子は図５８に示すようになり、上層配線４がより
オーバーラップしやすい構造となる。

【０２２８】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２２９】まず、図２４に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって
１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。つぎに、この下層配線２材料であるタンタル上にフ
ォトリソグラフィー法により下層配線２パターンと同じ
レジスト６のパターンを形成する。

【０２３０】つぎに図２５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０２３１】下層配線２材料であるタンタルのドライエ
ッチング処理とウェットエッチング処理とは、前述の条
件と同じ処理方法で行う。

【０２３２】つぎに図５９に示すように、下層配線２上
のレジスト６を剥離したのち、下層配線２パターン上
に、スパッタリング法によって下層配線２と同じ材料の
絶縁性膜材料７であるタンタルを再度膜形成する。

【０２３３】このとき、スパッタリング装置内の圧力を
低くすると、タンタル原子の平均自由行程が長くなっ
て、パターンの影響を受けて素子近傍では膜厚が薄くな
り、図５９に示すような形状になる。

【０２３４】このとき、膜形成するタンタルの厚さは、
陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。

【０２３５】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０２３６】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４と同じレジスト６パターン
を形成する。

【０２３７】つぎに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法により上層
配線４パターンを形成する。

【０２３８】上層配線４材料であるＩＴＯのドライエッ
チング処理とウェットエッチング処理とは。前述の条件
と同じ処理方法で行う。

【０２３９】さらに、図４９に示すように、このパター
ン形成した上層配線４を４パターンをエッチングマスク
として用いてドライエッチング法により、絶縁性膜３の
エッチングを行うことにより、ＴＦＤ素子を得ることが
できる。

【０２４０】絶縁性膜３と未陽極酸化部１０のドライエ
ッチングは、前述のタンタルのドライエッチング処理条
件と同様の処理方法で行う。

【０２４１】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したＴＦＤ素子は図５８に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０２４２】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２４３】まず、図１９に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって
１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成す
る。つぎに、この下層配線２材料であるタンタル上にフ
ォトリソグラフィー法により下層配線２パターンと同じ
レジスト６のパターンを形成する。

【０２４４】つぎに図３４に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして、下層配
線２材料であるタンタルのドライエッチング処理もしく
はウェットエッチング処理を行う。

【０２４５】下層配線２材料であるタンタルのドライエ
ッチング処理とウェットエッチング処理は、前述の条件
と同じ処理方法で行う。

【０２４６】つぎに図６０に示すように、下層配線２パ
ターン上に、スパッタリング法によって下層配線２と同
じ材料の絶縁性膜材料７であるタンタルを再度膜形成す
る。

【０２４７】このとき、スパッタリング装置内の圧力を
低くすると、タンタル原子の平均自由行程が長くなっ
て、パターンの影響を受けて素子近傍では膜厚が薄くな
り、図６０に示すような形状になる。

【０２４８】このとき、被膜形成するタンタルの厚さ
は、陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。こ
こでたとえば、陽極酸化膜厚を２００ｎｍにしたい場合
には、１００ｎｍ以下になるようにする。

【０２４９】つぎに図６１に示すように、レジスト６と
ともにレジスト６パターン上の絶縁性膜材料７を剥離す
る。

【０２５０】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０２５１】このとき、素子近傍ではタンタルの膜厚が
薄くなっているため、ＴＤＦ素子間の中央部よりも酸化
膜の成長が止まるのが早く、このことによってＴＦＤ素
子間の中央部には未陽極酸化部１０を生じる。

【０２５２】つぎに、図５５に示すように、フォトリソ
グラフィー法によって、このパターニングした下層配線
２パターンよりもパターン寸法の大きいレジスト６パタ
ーンを形成する。

【０２５３】つぎに図５６に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
ドライエッチング法によって、絶縁性膜３のエッチング
を行い、絶縁性膜３上のレジスト６を剥離する。

【０２５４】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４パターンと同じレジスト６
パターンを形成する。

【０２５５】つぎに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法により上層
配線４パターンを形成する。

【０２５６】上層配線４材料であるＩＴＯのドライエッ
チング処理とウェットエッチング処理は、前述の条件と
と同じ処理方法で行う。

【０２５７】さらに、図４９に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターンをエッチングマスクとし
て用いて、ドライエッチング法により、絶縁性膜３のエ
ッチングを行うことにより、ＴＦＤ素子を得ることがで
きる。

【０２５８】絶縁性膜３と未陽極酸化部１０のドライエ
ッチングは、前述のタンタルのドライエッチング処理条
件と同様の処理条件で行う。

【０２５９】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したＴＦＤ素子は図５８に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０２６０】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２６１】まず、図２４に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０２６２】つぎに図２５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして使用し
て、下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング
処理もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０２６３】下層配線２材料であるタンタルのドライエ
ッチング処理とウェットエッチング処理は、前述の条件
と同じ処理方法で行う。

【０２６４】つぎに図５９に示すように、下層配線２パ
ターン上に、スパッタリング法によって下層配線２と同
じ材料の絶縁性膜材料７であるタンタルを再度膜形成す
る。

【０２６５】このとき、スパッタリング装置内の圧力を
低くすると、タンタル原子の平均自由行程が長くなっ
て、パターンの影響を受けて素子近傍では膜厚が薄くな
り、図５９に示すような形状になる。

【０２６６】このとき、膜形成するタンタルの厚さは、
陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。ここで
たとえば、陽極酸化の膜厚を２００ｎｍにしたい場合に
は、１００ｎｍ以下になるようにする。

【０２６７】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０２６８】このとき、素子近傍ではタンタルの膜厚が
薄くなっているため、素子間の中央部よりも酸化膜の成
長が止まるのが早く、このことによって素子間の中央部
には未陽極酸化部１０を生じる。

【０２６９】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料であるＩＴＯ上にフォトリソグ
ラフィー法により上層配線４と同じレジスト６パターン
を形成する。

【０２７０】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０２７１】上層配線４材料であるＩＴＯのドライエッ
チング処理とウェットエッチング処理は、前述の条件と
同じ処理方法で行う。

【０２７２】さらに、図４９に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターンをエッチングマスクとし
て用いて、ドライエッチング法により、絶縁性膜３のエ
ッチングを行うことにより、ＴＦＤ素子を得ることがで
きる。

【０２７３】絶縁性膜３のエッチングを行う際には、上
層配線４パターンを形成するために用いたレジスト６は
剥離してから行ってもよいし、剥離せずにそのまま絶縁
性膜３をエッチングし、その後レジスト６の剥離を行っ
てもよい。

【０２７４】絶縁性膜３のドライエッチング処理は、前
述のタンタルのドライエッチング条件と同様の処理条件
で行う。

【０２７５】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したＴＦＤ素子は、図５０に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０２７６】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２７７】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を形成する。

【０２７８】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成し、この上層
配線４材料である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上にフ
ォトリソグラフィー法により上層配線４と同じレジスト
６パターンを形成する。

【０２７９】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０２８０】上層配線４材料である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）のドライエッチング処理とウェットエッチン
グ処理は、前述の条件とと同じ処理方法で行う。

【０２８１】さらに、図５１に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きいレジスト６パター
ンを形成する。

【０２８２】つぎに、図５２に示すように、この大きい
レジスト６をエッチングマスクとして用いてドライエッ
チング法により、絶縁性膜３のエッチングを行うことに
よって、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０２８３】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチングと同様の条件で行う。

【０２８４】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２８５】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を得る。

【０２８６】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）上にフォトリソグラフィー法により上層配線４と
同じレジスト６パターンを形成する。

【０２８７】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０２８８】上層配線４材料である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）のドライエッチング処理とウェットエッチン
グ処理は、前述の条件と同じ処理方法で行う。

【０２８９】さらに、図５３に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きい保護膜５パターン
を形成する。

【０２９０】つぎに、図５４に示すように、この保護膜
５パターンをエッチングマスクとして用いてドライエッ
チング法により、絶縁性膜３のエッチングを行うことに
よって、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０２９１】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング処理条件と同様の処理条件
で行う。

【０２９２】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０２９３】まず、図１９に示すように、ガラス基板１
上に、下層配線２材料としてスパッタリング法によって
５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚のタンタルを膜形成する。
その後、この下層配線２材料であるタンタル上にフォト
リソグラフィー法により下層配線２パターンと同じレジ
スト６のパターンを形成する。

【０２９４】つぎに図２５に示すように、このパターン
形成したレジスト６をエッチングマスクとして用いて、
下層配線２材料であるタンタルのドライエッチング処理
もしくはウェットエッチング処理を行う。

【０２９５】つぎに図６０に示すように、下層配線２パ
ターン上に、スパッタリング法によって下層配線２と同
じ材料の絶縁性膜材料７であるタンタルを再度膜形成す
る。

【０２９６】このとき、スパッタリング装置内の圧力を
低くすると、タンタル原子の平均自由行程が長くなっ
て、パターンの影響を受けて素子近傍では膜厚が薄くな
り、図５９に示すような形状になる。

【０２９７】このとき、膜形成するタンタルの厚さは、
陽極酸化膜厚の２分の１以下となる厚さとする。ここで
たとえば、陽極酸化の膜厚を２００ｎｍにしたい場合に
は、１００ｎｍ以下になるようにする。

【０２９８】つぎに図４６に示すように、下層配線２上
に陽極酸化法によって絶縁性膜３を形成する。

【０２９９】このとき、ＴＦＤ素子近傍ではタンタルの
膜厚が薄くなっているため、素子間の中央部よりも酸化
膜の成長が止まるのが早く、このことによって素子間の
中央部には未陽極酸化部１０を生じる。

【０３００】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）上にフォトリソグラフィー法により上層配線４と
同じレジスト６パターンを形成する。

【０３０１】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０３０２】上層配線４材料である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）のドライエッチング処理とウェットエッチン
グ処理は、前述の条件と同じ処理方法で行う。

【０３０３】さらに、図４９に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターンをエッチングマスクとし
て用いて、ドライエッチング法により、絶縁性膜３のエ
ッチングを行うことにより、ＴＦＤ素子を得ることがで
きる。

【０３０４】絶縁性膜３のエッチングを行う際には、上
層配線４パターンを形成するために用いたレジスト６は
剥離してから行ってもよいし、剥離せずにそのまま絶縁
性膜３をエッチングし、その後レジスト６の剥離を行っ
てもよい。

【０３０５】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング処理と同様の処理条件で行
う。

【０３０６】また、図３に示すように、下層配線２材料
であるタンタルをエッチングする際に、酸素の流量をコ
ントロールすることにより、レジスト６と下層配線２材
料であるタンタルのエッチングレイトの比をコントロー
ルして、エッチング断面をテーパ形状にしてもよい。こ
の方法で形成したＴＦＤ素子は図５０に示すようにな
り、上層配線４がよりオーバーラップしやすい構造とな
る。

【０３０７】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０３０８】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を形成する。

【０３０９】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）上にフォトリソグラフィー法により上層配線４と
同じレジスト６パターンを形成する。

【０３１０】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０３１１】上層配線４材料である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）のドライエッチング処理とウェットエッチン
グ処理は、前述の条件と同じ処理方法で行う。

【０３１２】さらに、図５１に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きいレジスト６パター
ンを形成する。

【０３１３】つぎに、図５２に示すように、この大きい
レジスト６をエッチングマスクとして用いてドライエッ
チング法によって、絶縁性膜３のエッチングを行うこと
により、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０３１４】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング処理条件と同様の処理条件
で行う。

【０３１５】つぎに、以上説明した薄膜ダイオードの製
造方法と異なる実施例の製造方法を説明する。

【０３１６】まず、前述の製造方法と同じ方法を用い
て、図４６に示すような下層配線２パターンと絶縁性膜
との構造を形成する。

【０３１７】さらに、図４７に示すように、この絶縁性
膜３上に上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）をスッパッタリング法により膜形成する。その
後、この上層配線４材料である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）上にフォトリソグラフィー法により上層配線４と
同じレジスト６パターンを形成する。

【０３１８】さらに、図４８に示すように、このレジス
ト６パターンをエッチングマスクとして用いて、ドライ
エッチング法もしくはウェットエッチング法によって上
層配線４パターンを形成する。

【０３１９】上層配線４材料である酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）のドライエッチング処理とウェットエッチン
グ処理は、前述の条件と同じ処理方法で行う。

【０３２０】さらに、図５３に示すように、このパター
ン形成した上層配線４パターン上のレジスト６を剥離
し、上層配線４パターンよりも大きい保護膜５パターン
を形成する。

【０３２１】つぎに、図５４に示すように、この保護膜
５パターンをエッチングマスクとして用いてドライエッ
チング法によって、絶縁性膜３のエッチングを行うこと
により、ＴＦＤ素子を得ることができる。

【０３２２】絶縁性膜３のドライエッチングは、前述の
タンタルのドライエッチング処理条件と同様の処理条件
で行う。

【０３２３】以上説明した本発明の実施例の製造方法の
中で、下層配線２パターン上に絶縁性膜材料７を膜形成
する行程を含む製造方法では、絶縁性膜材料７としてタ
ンタルのかわりにアルミニウム（Ａｌ）を用いてもよ
い。

【０３２４】この場合、アルミニウムのエッチング処理
には、リン酸と硝酸と酢酸と水の比が５：１：２：３と
なるように混合した溶液によって行う。

【０３２５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よるアクティブ素子は、下層配線に対して上層配線がオ
ーバーラップしやすくなり、かつ素子部とその近傍で絶
縁性膜に膜質の違いを生じない。このため、段差部での
断線による素子欠陥が減少し、液晶表示装置の表示品質
を向上することができる。またさらに、下層配線のパタ
ーニングのときにアッシングによってレジストのパター
ン寸法を小さくさせる行程を含む製造方法においては、
フォトリソグラフィー法で形成したパターンよりもアク
ティブ素子のパターン寸法を小さくすることができるた
め、フォトリソグラフィー法の限界を越えたアクティブ
素子の微細化が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
製造方法を示す断面図である。

【図２】従来の技術による液晶表示装置の構造と製造方
法を示す断面図である。

【図３】従来の技術による液晶表示装置の構造と製造方
法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
製造方法を示す断面図である。

【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
製造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
製造方法を示す断面図である。

【図７】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
製造方法を示す断面図である。

【図８】従来の技術による液晶表示装置の構造と製造方
法を示す断面図である。

【図９】従来の技術による液晶表示装置の構造と製造方
法を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施例における液晶表示装置の構造
と製造方法を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施例における液晶表示装置の構造
と製造方法を示す断面図である。

【図１２】本発明の実施例における液晶表示装置の構造
と製造方法を示す断面図である。

【図１３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図１９】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２０】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２９】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３０】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３９】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４０】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図４９】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５０】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図５９】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図６０】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【図６１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造
方法を示す断面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２下層配線３絶縁性膜４上層配線５保護膜６レジスト７絶縁性膜材料１０未陽極酸化領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層配線と下層配線の表面に設ける絶縁
性膜と絶縁性膜上に設ける上層配線とを備え、下層配線
の断面形状、あるいは下層配線と絶縁性膜との断面形状
は段差を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって下層配線材料をエッチングし
た後、レジストをアッシング処理することによってレジ
ストのパターン寸法を小さくし、さらにこのパターン寸
法を小さくしたレジストをエッチングマスクとして用い
てドライエッチング法もしくはウェットエッチング法に
よって厚さ方向の途中まで下層配線材料のエッチングを
行い、下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と
上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【請求項３】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下
層配線材料パターン上に第１のレジストよりもパターン
寸法の小さい第２のレジストのパターンを形成し、さら
にこの第２のレジストをエッチングマスクとして用いて
ドライエッチング法もしくはウェットエッチング法によ
って厚さ方向の途中まで下層配線材料のエッチングを行
い、下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と上
層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
【請求項４】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストのパターンを形成し、このレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配
線材料をエッチングした後、レジストをアッシング処理
することによってレジストのパターン寸法を小さくし、
さらにこのパターン寸法を小さくしたレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって下層配線材料のエッチング
を行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と
上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【請求項５】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして使用してドライエッチン
グ法もしくはウェットエッチング法によって厚さ方向の
途中まで下層配線材料をエッチングした後、第１のレジ
ストを剥離し、さらにフォトリソグラフィー法によりこ
の下層配線材料パターン上に第１のレジストよりもパタ
ーン寸法の小さい第２のレジストのパターンを形成し、
さらにこの第２のレジストをエッチングマスクとして用
いてドライエッチング法もしくはウェットエッチング法
によって下層配線材料のエッチングを行い下層配線を形
成し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって厚さ方向の途中
まで下層配線材料をエッチングした後、第１のレジスト
を剥離し、さらにフォトリソグラフィー法により、この
下層配線材料パターン上に第１のレジストよりもパター
ン寸法の大きい第２のレジストのパターンを形成し、さ
らにこの第２のレジストをエッチングマスクとして用い
てドライエッチング法もしくはウェットエッチング法に
よって下層配線材料のエッチングを行い下層配線を形成
し、この下層配線上に絶縁性膜と上層配線とを形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下
層配線材料パターン上に下層配線材料と同じ材料である
絶縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第１の
レジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジストの
パターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチング
を行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と
上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【請求項８】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下
層配線材料パターン上に下層配線材料と同じ材料である
絶縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第１の
レジストよりもパターン寸法の小さい第２のレジストの
パターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチング
を行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性膜と
上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【請求項９】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下
層配線材料パターン上に下層配線材料とは異なる材料で
ある絶縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第
１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジス
トのパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエ
ッチングマスクとして用いてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチ
ングを行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性
膜と上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１０】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、第１のレジストを剥離し、この下
層配線材料パターン上に下層配線材料とは異なる材料で
ある絶縁性膜材料を膜形成し、この絶縁性膜材料上に第
１のレジストよりもパターン寸法の小さい第２のレジス
トのパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエ
ッチングマスクとして用いてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチ
ングを行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性
膜と上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１１】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料
をエッチングした後、この下層配線材料パターン上に下
層配線材料と同じ材料である絶縁性膜材料を膜形成した
後、第１のレジストとともにレジスト上の絶縁性膜材料
を剥離し、この下層配線材料と絶縁性膜材料との上に第
１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジス
トのパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエ
ッチングマスクとして用いてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッチ
ングを行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁性
膜と上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１２】ガラス基板上に下層配線材料を膜形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストのパターンを形成し、この第１のレジ
ストをエッチングマスクとして用いてドライエッチング
法もしくはウェットエッチング法により下層配線材料を
エッチングした後、この下層配線材料パターン上に下層
配線材料とは異なる材料である絶縁性膜材料を膜形成し
た後、第１のレジストとともにレジスト上の絶縁性膜材
料を剥離し、この下層配線材料と絶縁性膜材料との上に
第１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジ
ストのパターンを形成し、さらにこの第２のレジストを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって絶縁性膜材料のエッ
チングを行い下層配線を形成し、この下層配線上に絶縁
性膜と上層配線とを形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【請求項１３】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
ってレジストのパターンを形成し、このレジストをエッ
チングマスクとして使用してドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下
層配線材料をエッチングした後、レジストを剥離し、陽
極酸化法により絶縁性膜を形成すると同時に下層配線の
パターニングを行い、この上に上層配線を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストのパターンを形成し、このレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
した後、レジストを剥離し、この下層配線材料パターン
上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成
し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜を形成した後、
この上に上層配線を形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【請求項１５】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって下層配線材料をエッチングし
た後、レジストを剥離し、この下層配線材料パターン上
に下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成
し、さらに陽極酸化法により絶縁性膜を形成した後、こ
の上に上層配線を形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１６】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
し、この下層配線材料パターン上に、下層配線材料と同
じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストととも
にレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに陽極酸化
法により絶縁性膜を形成した後、この上に上層配線を形
成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって下層配線材料をエッチング
し、この下層配線材料パターン上に下層配線材料と異な
る材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストととも
に絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽極酸化法により絶
縁性膜を形成した後、この上に上層配線を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線
材料をエッチングした後、レジストを剥離し、陽極酸化
法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に
上層配線を形成し、この上層配線パターンをエッチング
マスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングす
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線
材料をエッチングした後、レジストを剥離し、陽極酸化
法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に
上層配線パターンを形成し、さらにこの上層配線パター
ン上に上層配線パターンよりも大きなレジストパターン
を形成し、このレジストパターンをエッチングマスクと
して用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングする
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストをエッチン
グマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウェ
ットエッチング法によって厚さ方向の途中まで下層配線
材料をエッチングした後、レジストを剥離し、陽極酸化
法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成し、この上に
上層配線を形成し、この上層配線パターン上にさらに保
護膜をパターン形成し、この保護膜パターンをエッチン
グマスクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッ
チングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって厚さ方向の途中
まで下層配線材料をエッチングした後、第１のレジスト
を剥離し、陽極酸化法によって絶縁性膜と未陽極酸化部
とを形成し、さらにこの下層配線材料パターン上に第１
のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジスト
パターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチ
ングマスクとして用いてドライエッチング法もしくはウ
ェットエッチング法によって絶縁性膜と未陽極酸化部の
エッチングを行って、この上に上層配線を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングし、第１のレジストを剥離した後、この下層
配線材料パターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁
性膜材料を膜形成し、さらに陽極酸化法により絶縁性膜
と未陽極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材
料パターン上に第１のレジストよりもパターン寸法の大
きい第２のレジストパターンを形成し、さらにこの第２
のレジストをエッチングマスクとして用いてドライエッ
チング法もしくはウェットエッチング法によって絶縁性
膜と未陽極酸化部のエッチングを行って、この上に上層
配線を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【請求項２３】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングし、第１のレジストを剥離した後、この下層
配線材料パターン上に下層配線材料とは異なる材料の絶
縁性膜材料を膜形成し、さらに陽極酸化法により絶縁性
膜を形成した後、さらにこの下層配線材料パターン上に
第１のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジ
ストパターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエ
ッチングマスクとして用いてドライエッチング法もしく
はウェットエッチング法によって絶縁性膜のエッチング
を行って、この上に上層配線を形成することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングし、この下層配線材料パターン上に下層配線
材料と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、第１の
レジストとともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、
さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを
形成した後、さらにこの下層配線材料パターン上に第１
のレジストよりもパターン寸法の大きい第２のレジスト
パターンを形成し、さらにこの第２のレジストをエッチ
ングマスクとして使用してドライエッチング法もしくは
ウェットエッチング法によって絶縁性膜と未陽極酸化部
のエッチングを行って、この上に上層配線を形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
り第１のレジストパターンを形成し、この第１のレジス
トをエッチングマスクとして用いてドライエッチング法
もしくはウェットエッチング法によって下層配線材料を
エッチングし、この下層配線材料パターン上に、下層配
線材料とは異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、
レジストとともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、
さらに陽極酸化法により絶縁性膜を形成した後、さらに
この下層配線材料パターン上に第１のレジストよりもパ
ターン寸法の大きい第２のレジストパターンを形成し、
さらにこの第２のレジストをエッチングマスクとして用
いてドライエッチング法もしくはウェットエッチング法
によって絶縁性膜のエッチングを行って、この上に上層
配線を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【請求項２６】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に、下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材
料を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未
陽極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パ
ターン上に上層配線パターンを形成し、この上層配線パ
ターンをエッチングマスクとして用いて絶縁性膜と未陽
極酸化部とをエッチングすることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【請求項２７】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料
を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に、上層配線パターンを形成し、さらにこの上層
配線パターン上に上層配線パターンよりも大きなレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをエッチン
グマスクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッ
チングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチ
ングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に下層配線材料と同じ材料の絶縁性膜材料
を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に上層配線パターンを形成し、この上層配線パタ
ーン上にさらに保護膜をパターン形成し、この保護膜パ
ターンをエッチングマスクとして用いて絶縁性膜と未陽
極酸化部とをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極
酸化部とをエッチングすることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項２９】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材
料を膜形成し、さらに、陽極酸化法により絶縁性膜と未
陽極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パ
ターン上に上層配線パターンを形成し、この上層配線パ
ターンをエッチングマスクとして用いて絶縁性膜と未陽
極酸化部とをエッチングすることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【請求項３０】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材
料を膜形成し、さらに陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に上層配線パターンを形成し、さらにこの上層配
線パターン上に上層配線パターンよりも大きなレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンをエッチング
マスクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチ
ングマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、このレジストを剥離した後、この下層配線材
料パターン上に下層配線材料と異なる材料の絶縁性膜材
料を膜形成し、さらに陽極酸化法により絶縁性膜と未陽
極酸化部とを形成した後、さらにこの下層配線材料パタ
ーン上に上層配線パターンを形成し、この上層配線パタ
ーン上にさらに保護膜をパターン形成し、この保護膜パ
ターンをエッチングマスクとして用いて絶縁性膜と未陽
極酸化部とをエッチングマスクとして絶縁性膜と未陽極
酸化部とをエッチングすることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【請求項３２】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、陽極酸化法
によって絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した後、さら
にこの下層配線材料パターン上に上層配線パターンを形
成し、この上層配線パターンをエッチングマスクとして
用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３３】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、陽極酸化法
によって絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した後、さら
にこの下層配線材料パターン上に上層配線パターンを形
成し、さらにこの上層配線パターン上に上層配線パター
ンよりも大きなレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをエッチングマスクとして用いて絶縁性膜と
未陽極酸化部とをエッチングマスクとして絶縁性膜と未
陽極酸化部とをエッチングすることを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
【請求項３４】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と同じ材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジストと
ともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに、陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に上層配線パタ
ーンを形成し、この上層配線パターン上にさらに保護膜
をパターン形成し、この保護膜パターンをエッチングマ
スクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３５】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジスト
とともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に上層配線パタ
ーンを形成し、この上層配線パターンをエッチングマス
クとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３６】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジスト
とともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に、上層配線パ
ターンを形成し、さらにこの上層配線パターン上に上層
配線パターンよりも大きなレジストパターンを形成し、
このレジストパターンをエッチングマスクとして用いて
絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングマスクとして絶
縁性膜と未陽極酸化部とをエッチングすることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
【請求項３７】ガラス基板上に下層配線材料を形成
し、この下層配線材料上にフォトリソグラフィー法によ
りレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いてドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法によって下層配線材料をエッ
チングし、この下層配線材料パターン上に下層配線材料
と異なる材料の絶縁性膜材料を膜形成した後、レジスト
とともにレジスト上の絶縁性膜材料を剥離し、さらに陽
極酸化法により絶縁性膜と未陽極酸化部とを形成した
後、さらにこの下層配線材料パターン上に上層配線パタ
ーンを形成し、この上層配線パターン上にさらに保護膜
をパターン形成し、この保護膜パターンをエッチングマ
スクとして用いて絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチン
グマスクとして絶縁性膜と未陽極酸化部とをエッチング
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。