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CN1207610C - 图像显示装置 - Google Patents

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CN1207610C
CN1207610C CNB021422974A CN02142297A CN1207610C CN 1207610 C CN1207610 C CN 1207610C CN B021422974 A CNB021422974 A CN B021422974A CN 02142297 A CN02142297 A CN 02142297A CN 1207610 C CN1207610 C CN 1207610C
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Abstract

提供一种图像显示装置，可防止驱动电路的错误动作。该图像显示装置的特征在于包括：构成图像显示装置的至少一片基板；以及在该基板上构成、与在该图像显示装置的图像显示区域内形成的信号线连接、且以芯片在玻璃上的方式搭载的驱动电路；在上述基板上的以上述芯片在玻璃上的方式搭载了驱动电路的搭载区域内形成有电容器；上述电容器的一个电极与上述驱动电路的电源端子相连接，上述电容器的另一个电极与上述驱动电路的接地端子相连接。

Description

图像显示装置
技术领域
本发明涉及图像显示装置，例如涉及被称为有源矩阵型的液晶显示装置。
背景技术
图像显示装置，例如有源矩阵型的液晶显示装置，在隔着液晶相对配置的透明基板中的一个透明基板的液晶侧的面上，形成在x方向上延伸而在y方向上并列设置的栅极信号线，以及在y方向上延伸而在x方向上并列设置的漏极信号线，由这些信号线所围住的矩形状的区域作为像素区域。
在各像素区域中形成：根据来自单侧的栅极信号线的扫描信号而工作的开关元件，以及经由此开关元件被供给来自单侧的漏极信号线的视频信号的像素电极。
此像素电极与形成在前述透明基板中的任一个上的对置电极之间产生电场，由此电场控制液晶的光透过率。
此外，前述一个透明基板上搭载了与栅极信号线连接的扫描线驱动电路，以及与漏极信号线连接的视频信号驱动电路，这些各驱动电路例如是由各面朝下键合在该透明基板上的半导体装置构成。
此外，输入至前述各半导体装置的信号从在前述一个透明基板的周边配置的配线基板(例如印刷基板)输入。
此配线基板具备例如在形成在其上的电源供给线及接地图案之间搭载的旁通电容器，由该旁通电容器对前述各驱动电路供给动作时所必要的过度的电流。
但是，这种构造的图像显示装置，例如液晶显示装置中，由于前述旁通电容器与驱动电路的距离较大，通过这些配线的L(电感)分配无法在瞬时供给电流，往往造成该驱动电路的错误动作发生。
此外，在配线基板上搭载电容器，会限制该配线基板的缩小，即会妨碍显示装置的框缘(显示部的轮廓与显示装置的轮廓之间的区域)的缩小。
此外，近年来，各驱动电路中为了传送数据，相邻接的驱动电路彼此用配线连接。在使用超高精细显示器时需要此配线的EMI的对策。
发明内容
本发明正是基于这种情况研发的，其目的在于提供一种可防止驱动电路的误动作的液晶显示装置。
此外，本发明的其他目的在于提供一可缩小框缘的图像显示装置。
此外，本发明的其他目的在于提供一可充分防止EMI方案的图像显示装置。
以下简单说明本发明中所公开的发明中的代表性的方案。
即，本发明提供一种图像显示装置，其特征在于包括：构成图像显示装置的至少一片基板；以及在该基板上构成、与在该图像显示装置的图像显示区域内形成的信号线连接、且以芯片在玻璃上的方式搭载的驱动电路；在上述基板上的以上述芯片在玻璃上的方式搭载了驱动电路的搭载区域内形成有电容器；上述电容器的一个电极与上述驱动电路的电源端子相连接，上述电容器的另一个电极与上述驱动电路的接地端子相连接。
这样构成的图像显示装置，在其驱动电路动作时供给过度的电流的旁通电容器在该驱动电路的搭载区域内形成。
由此，旁通电容器形成在非常接近驱动电路的位置，可大幅减低配线的L成分的影响。
所以，可对驱动电路瞬时供给电流，可防止该驱动电路的错误动作。
附图说明
图1A，1B为本发明的图像显示装置的一实施例的要部构成图。
图2为本发明的图像显示装置的一实施例的全体构成图。
图3为本发明的图像显示装置的像素的一实施例的平面图。
图4为图3的IV-IV线的剖面图。
图5为图2的V-V线的剖面图。
图6为本发明的图像显示装置的其他实施例的要部构成图。
图7为本发明的图像显示装置的其他实施例的要部构成图。
图8为本发明的图像显示装置的其他实施例的要部构成图。
[符号说明]
SUB…透明基板，GL…栅极信号线，DL…漏极信号线，TFT…薄膜晶体管，PIX…像素电极，DDRC…半导体集成电路(视频信号驱动电路)，GDRC…半导体集成电路(扫描信号驱动电路)，BC…旁通电容器。
具体实施方式
以下，以液晶显示装置为一例说明根据本发明的图像显示装置的较佳实施形态。
(实施例1)
<等效电路>
图2为展示本发明的液晶显示装置的一实施例的等效电路图。图2虽为电路图，但是对应于实际的几何学的配置而描绘。
图2中，具有透明基板SUB1，此透明基板SUB1隔着液晶与另一个透明基板SUB2相对配置。
前述透明基板SUB1的液晶侧的面上形成：栅极信号线GL，其在图中的x方向上延伸而在y方向上并列设置；以及漏极信号线DL，其与此栅极信号线GL绝缘，在y方向上延伸而在x方向上并列设置；这些各信号线所围成的矩形状区域为像素区域，这些各像素区域的集合构成显示部AR。
各像素区域上形成：薄膜晶体管TFT，其根据来自一个栅极信号线GL的扫描信号(电压)的供给而被驱动；像素电极PIX，其经由此薄膜晶体管TFT被供给来自一个漏极信号线DL的视频信号(电压)。
此外，像素电极PIX与前述一个栅极信号线GL与相邻接的另一个栅极信号线GL之间形成电容元件Cadd，在前述薄膜晶体管TFT为关(OFF)时，由此电容元件Cadd长时间蓄积供给至像素电极PIX的视频信号。
各像素区域中的像素电极PIX，在隔着液晶相对配置的另一个透明基板SUB2的液晶侧的面，与共同形成在各像素区域的对置电极CT(未图示)之间产生电场，由此控制各电极之间的液晶的光透过率。
各栅极信号线GL的一端延伸到透明基板的一侧(图中左侧)，其延伸部形成端子部GTM，该端子部与在该透明基板SUB1上所搭载的垂直扫描电路构成的半导体集成电路GDRC的凸块连接。而各漏极信号线DL的一端也延伸到透明基板SUB1的一侧(图中上侧)，其延伸部形成端子部DTM，该端子部与在该透明基板SUB1上所搭载的视频信号驱动电路构成的半导体集成电路DDRC的凸块连接。
半导体集成电路GDRC、DDRC本身分别完全搭载在透明基板SUB1上，称为COG(芯片在玻璃上，chip on glass)方式。
半导体集成电路GDRC、DDRC的输入侧的各凸块也分别连接在形成在透明基板SUB1上的端子部GTM2、DTM2，这些各端子部GTM2、GTM2经由各配线层与在透明基板SUB1周边中的配置在最近端面部分的各端子部GTM3、DTM3连接。
此外，图2的例如V-V线的剖面图示于图5。图5中，半导体集成电路DDRC的各凸块与端子部DTM及DTM2经由各向异性导电膜ACF连接。
这种COG方式的特征是：形成为在各半导体集成电路GDRC、DDRC的各输出侧的各凸块中，与相邻接的其他凸块间的距离为极小所以，栅极信号线GL的各端子部GTM、漏极信号线DL的各端子部DTM中，与相邻接的其他端子部间的距离也为极小。
因此，各半导体集成电路GDRC、DDRC的各输出侧的各凸块，当然，在栅极信号线GL的各端子部GTM、漏极信号线DL的各端子部DTM中，占有面积极小，前述凸块与端子部GTM、DTM的连接电阻的增大为不可忽视的状态。
前述透明基板SUB2为了回避搭载前述半导体集成电路的区域，而与透明基板SUB1相对配置，其面积比该透明基板SUB1小。
此外，透明基板SUB2对透明基板SUB1的固定，是通过形成在该透明基板SUB2周边的密封材料SL，此密封材料SL兼具密封透明基板SUB1、SUB2之间的液晶LC的功能。
<像素的构造>
图3为透明基板SUB1的一像素区域的构造平面图，是相当于图2的虚线框A所示部分的图。
此外，图4表示图3的IV-IV线的剖面图，也为透明基板SUB2的剖面图。
图3中，首先，在透明基板SUB1的液晶侧的面上形成在图中x方向上延伸而在y方向上并列设置的栅极信号线GL。
此栅极信号线GL，例如此实施例的情况，为2层构造，其下层为A1与Nd的合金层(以下的说明中这种合金层记为A1-Nd)构成，上层为Mo与Zr的合金层(以下的说明中这种合金层记为Mo-Zr)构成。
做成这种2层构造是为了实现大幅降低电阻值，且在选择蚀刻加工时其剖面可成为顺锥形等的效果。
此外，覆盖这些栅极信号线GL，在透明基板SUB1的面上形成例如SiN构成的绝缘膜GI。
此绝缘膜GI，对于后述的漏极信号线DL具有作为与栅极信号线GL之间的层间绝缘膜的功能，对后述的薄膜晶体管TFT具有作为其栅绝缘膜的功能，对后述的电容元件Cadd具有作为其介电膜的功能。
在像素区域的左下的与栅极信号线GL相重叠的部分中，形成例如a-Si构成的i型(本征：未掺杂决定导电型的杂质)的半导体层AS。
在此半导体层AS的上面形成源极及漏极，由此成为以前述栅极信号线GL的一部分作为栅极的MIS型薄膜晶体管TFT的半导体层。
此薄膜晶体管TFT的源极SD1及漏极SD2与在前述绝缘膜GI上形成的漏极信号线DL同时形成。
即，形成在图中y方向上延伸而在x方向上并列设置的漏极信号线DL，此漏极信号线DL的一部分在前述半导体层AS的上面延伸，其延伸部形成为薄膜晶体管TFT的漏极SD2。
此时，与前述漏极SD2分离形成的电极成为源极SD1。此源极SD1与后述像素电极PIX连接，为确保其连接部，成为具有在像素区域的中央侧稍许延伸的延伸部的图案。
此外，漏极SD2、源极SD1与半导体层AS的界面形成掺杂杂质的半导体层，此半导体层具有作为接触层的功能。
形成前述半导体层AS后，在其表面上形成掺杂杂质的膜厚较薄的半导体层，形成漏极SD2及源极SD1后，以前述各电极为掩模，对从其露出的掺杂了杂质的半导体层进行蚀刻，由此可完成上述构造。
此外，在这样形成有漏极信号线DL(漏极SD2、源极SD1)的透明基板SUB1的表面上，形成覆盖该漏极信号线DL等的由例如SiN构成的保护膜PSV。
此保护膜PSV是为了避免与薄膜晶体管TFT的液晶LC直接接触等而设置的，形成有接触孔CH以使前述薄膜晶体管TFT的源极SD1的延伸部的一部分露出。
此外，在此保护膜PSV的上面形成覆盖像素区域的大部分的由例如ITO铟锡氧化物膜构成的透明像素电极PIX。
此像素电极PIX被形成为覆盖保护膜PSV的前述接触孔CH，由此与薄膜晶体管TFT的源极SD1连接。
此外，在这样地形成有像素电极PIX的透明基板SUB1的表面上，形成覆盖该像素电极PIX的取向膜ORI1。此取向膜ORI1例如由树脂构成，其表面在一定方向进行刷擦(rubbing)处理。此取向膜ORI1与液晶LC接触，由此取向膜ORI1决定该液晶LC的液晶分子的初始取向方向。
此外，在透明基板SUB1的与液晶LC相反侧的面上，覆盖着偏振片POL1。
另一方面，在透明基板SUB2的液晶侧的面上，以划分各像素区域的方式形成黑色矩阵BM。
此黑色矩阵BM是为了避免外来光照射在薄膜晶体管TFT，和为了使显示的对比度良好而设置的。
此外，在黑色矩阵BM的开口部(成为光透过的区域，成为实质的像素区域)上形成具有与各像素区域对应的颜色的彩色滤光层FIL。
此彩色滤光层FIL在例如在y方向并列设置的各像素区域中使用同色的滤色层，在x方向的各像素区域中依次重复排列例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色层。
在这样地形成有黑色矩阵BM及彩色滤光层FIL的透明基板SUB2的表面上，形成平坦化膜OC，其覆盖该黑色矩阵BM等，由例如涂布等形成的树脂构成，在其表面上使该黑色矩阵BM及彩色滤光层FIL形成的阶差不明显。
此外，在此平坦化膜OC的表面上在各像素区域共同形成由例如ITO膜构成的对置电极CT。
此对置电极CT在与各像素区域的像素电极PIX之间产生与视频信号(电压)对应的电场，控制这些各电极间的液晶LC的取向方向，通过适当组合前述偏振片POL1与后述偏振片POL2而控制光透过率。
此外，在这样地形成有对置电极CT的透明基板SUB2表面上，形成覆盖该对置电极CT的取向膜ORI2。此取向膜ORI2由例如树脂构成，其表面在一定方向进行刷擦处理。此取向膜ORI2与液晶LC接触，由此取向膜ORI2决定该液晶LC的液晶分子的初始取向方向。
此外，在透明基板SUB2的与液晶LC相反侧的面上，覆盖着偏振片POL2。
上述的象素的构成是作为图像显示装置的一例的液晶显示装置的一实施例，各图像显示装置具有不同的构造，该情况也含在本发明的
实施例的范畴内。
<半导体集成电路DDRC的搭载区域的构造>
图1为由视频信号驱动电路构成的半导体集成电路DDRC的搭载区域的详细构造图，其(a)为平面图，(b)为(a)的b-b线的剖面图。
首先，如图1(a)所示，在半导体集成电路DDRC的搭载区域内，其一侧形成与该半导体集成电路DDRC的输入凸块相连接的端子DTM2，其另一侧形成与该半导体集成电路DDRC的输出凸块相连接的端子DTM。
图中，端子DTM2的数量比端子DTM的数量少，与之对应地，面积也变大。
此处，端子DTM是由与漏极信号线DL相同的材料构成的延伸端。
此外，在半导体集成电路DDRC的搭载区域内，更正确地说，在前述端子DTM2、DTM围住的区域内，形成旁通电容器BC。
此旁通电容器BC的一个电极CTM1由与漏极信号线DL相同的材料形成(此实施例中在漏极信号线DL形成时形成)，液晶显示部AR中的绝缘膜GI及保护膜PSV分别隔着延伸的保护膜PSV(介质膜)，另一个电极CTM2由与液晶显示部的像素电极PIX相同的材料形成(此实施例中，是在形成像素电极PIX时形成)。
此处，旁通电容器的一个电极CTM1从在前述端子DTM2中选定的作为接地端子的端子延伸而形成，另一个电极CTM2的一部分与在前述端子DTM2中选定的作为电源供给端子的端子相重叠而形成。
此外，由与漏极信号线DL相同的材料形成的各端子DTM2，通过把覆盖它的保护膜PSV开孔而从该保护膜PSV露出，各露出面由与像素PIX相同的材料(ITO)覆盖。
将各端子DTM2、DTM用ITO覆盖是为防止该各端子DTM2、DTM产生电蚀。
这样构成的图像显示装置中，由于前述旁通电容器BC与半导体集成电路DDRC构成的视频信号驱动电路的距离接近(存在于视频信号驱动电路的正下方)，该旁通电容器B的配线的L(电感)变小可瞬时供给电流。因此可避免该视频驱动电路发生错误动作。
此外，通过这样构成，无须在配线基板上搭载旁通电容器BC，所以可将该配线基板形成为较小，换言之，可缩小液晶显示装置的框缘。
此外，上述实施例虽是表示多个视频信号驱动电路中的一个视频信号驱动电路的搭载区域的构造，但其他视频信号驱动电路的搭载区域中也是相同的构造。
此外，并不限定于视频信号驱动电路，毋庸赘言，在扫描信号驱动电路侧中也是相同的构造。
此外，这种旁通电容器BC形成在视频信号驱动电路的形成区域或/及扫描信号驱动电路的形成区域中，在以下说明的各实施例的情况中也同样适用。
实施例2
图6为本发明的图像显示装置的其他实施例的构造图，表示图1所示的旁通电容器BC的电极的图案。
下层的电极CTM1与上层的电极CTM2，在例如其间的介电膜上所形成的销孔等发生短路时，希望能将该发生短路的部分如图6所示用例如激光分割切开丢弃而修复。
由此，旁通电容器BC的图案最好是以端子部(与视频信号驱动电路构成的半导体集成电路的凸块相连接的端子部)的部分为基干，形成从该基干部形成多个枝部的图案(图6的情况也以该方式形成)。
实施例3
图7为本发明的图像显示装置的其他实施例的构造图。
图7表示由视频信号驱动电路构成的多个半导体集成电路DDRC中的1个的搭载区域。
此外，这些各半导体集成电路DDRC是在透明基板SUB1上与相邻接的其他半导体集成电路DDRC通过多个配线层WIL互相连接。这些各配线层WIL是用于将数据从一个半导体集成装置DDRC传送至另一个半导体集成电路DDRC的配线层。
此外，与各半导体集成电路DDRC的输入凸块连接的各端子部DTM2中的来自接地(GND)端子的延伸部，延伸至前述各配线层WIL的端子及该各配线层WIL的形成区域为止。
在这种情况下，来自该接地(GND)端子的延伸部用与前述各配线层WIL不同的层形成，只要在它们之间存在有绝缘膜GI、或保护膜PSV、或这些的积层体作为介电膜，则也可以在前述各配线层WIL的下层或上层形成。
通过这样形成，对从各配线层WIL发出的电磁波的EMI的防止对策，特别是即使在不确保空间的情况下也可实现。
实施例4
图8为图像显示装置的其他实施例的构造图，是与图7的对应图。
与图7比较，所不同的构造为在半导体集成电路DDRC的搭载区域中，与半导体集成电路DDRC的输入凸块连接的来自接地(GND)端子的延伸部并未形成在比较广的范围上，对在各配线层WIL的形成区域上延伸形成的延伸部仅发挥作为引出线的效果。
但是，这种情况下，也是针对从各配线层WIL发出的电磁波的良好的EMI对策。
在上述各实施例中说明了，在一个透明基板上设置像素电极，而在另一个透明基板设置对置电极，在这些各电极之间，在与透明基板大致垂直方向上产生的电场驱动液晶的方式。
但是，也可适用于在一个透明基板侧设置像素电极与对置电极，通过这些各电极间的电场中的与透明基板大致平行的成分驱动液晶的方式。
这是因为视频信号驱动电路及扫描信号驱动电路的部分的构成并无任何不同，产生同样的课题。
本发明的构造可适用于图像显示装置，不限于液晶显示装置，也可适用于有机EL元件、等离子体显示装置、电子纸(paper)等其他图像显示装置。
从以上说明可知，根据本发明的图像显示装置，可防止驱动电路的错误动作。此外，可缩小框缘。还可使EMI对策更充分。

Claims (1)

1.一种图像显示装置，其特征在于：
包括：构成图像显示装置的至少一片基板；以及在该基板上构成、与在该图像显示装置的图像显示区域内形成的信号线连接、且以芯片在玻璃上的方式搭载的驱动电路；
在上述基板上的以上述芯片在玻璃上的方式搭载了驱动电路的搭载区域内形成有电容器；
上述电容器的一个电极与上述驱动电路的电源端子相连接，上述电容器的另一个电极与上述驱动电路的接地端子相连接。
CNB021422974A 2001-08-29 2002-08-28 图像显示装置 Expired - Lifetime CN1207610C (zh)

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