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JP2003066481A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2003066481A
JP2003066481A JP2001259066A JP2001259066A JP2003066481A JP 2003066481 A JP2003066481 A JP 2003066481A JP 2001259066 A JP2001259066 A JP 2001259066A JP 2001259066 A JP2001259066 A JP 2001259066A JP 2003066481 A JP2003066481 A JP 2003066481A
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Japan
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liquid crystal
crystal display
drive circuit
electrode
signal line
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JP2001259066A
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Yoshio Owaki
義雄 大脇
Masaaki Kitajima
雅明 北島
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Hitachi Ltd
Japan Display Inc
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Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 駆動回路の誤動作を防止できるようになる。
また、いわゆる額縁を小さくできるようになる。さら
に、ＥＭＩ対策が充分になされるようになる。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形
成された信号線と接続されて搭載される駆動回路を備
え、前記一方の基板の該駆動回路の搭載領域内にコンデ
ンサが形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえばアクティブ・マトリクス型と称される液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装
置は、液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方
の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並
設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設さ
れるドレイン信号線とが形成され、これら信号線によっ
て囲まれた矩形状の領域を画素領域としている。
【０００３】各画素領域には、片側のゲート信号線から
の走査信号によって作動されるスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介して片側のドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極とが形成されている。
【０００４】この画素電極は前記透明基板のいずれか一
方に形成された対向電極との間に電界を発生せしめ、こ
の電界によって液晶の光透過率を制御するように構成さ
れている。
【０００５】また、前記一方の透明基板には、ゲート信
号線に接続される走査線駆動回路、ドレイン信号線に接
続される映像信号駆動回路が搭載され、これら各駆動回
路は、たとえばそれぞれ該透明基板にフェースダウンボ
ンデングされた半導体装置によって構成されているもの
が知られている。
【０００６】そして、前記各半導体装置に入力される信
号は前記一方の透明基板の周辺に配置される配線基板
（たとえばプリント基板）から入力されるようになって
いる。この配線基板には、たとえば、それに形成される
電源供給線および接地パターンとの間に搭載されたバイ
パスコンデンサを備え、このバイパスコンデンサによっ
て前記各駆動回路を動作させる際に必要な過度的な電流
を供給するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる液晶表示装置は、前記バイパスコンデンサと
駆動回路との距離が離れるため、それらの配線のＬ（イ
ンダクタンス）分等によって瞬時に電流を供給できなく
なり、往々にして該駆動回路の誤動作を起こす不都合が
生じていた。
【０００８】また、配線基板にコンデンサを搭載させる
ことは該配線基板を小さくすることにおいて制限が付さ
れ、いわゆる液晶表示装置の額縁（液晶表示部の輪郭と
液晶表示装置の輪郭との間の領域をいう）を小さくする
妨げともなっていた。
【０００９】さらに、近年、各駆動回路においてデータ
転送するために隣接する駆動回路どうしを配線で接続さ
せた構成のものが知られているが、この配線によるＥＭ
Ｉ対策が充分でないということが指摘されるに到ってい
る。
【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、駆動回路の誤動作を防止でき
る液晶表示装置を提供することにある。また、本発明の
他の目的は、いわゆる額縁を小さくできる液晶表示装置
を提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、
ＥＭＩ対策が充分なされた液晶表示装置を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方
の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形成さ
れた信号線と接続されて搭載される駆動回路を備え、前
記一方の基板の該駆動回路の搭載領域内にコンデンサが
形成され、該コンデンサの一方の電極および他方の電極
はそれぞれ前記駆動回路の電源端子および接地端子に接
続される各端子に接続されていることを特徴とするもの
である。
【００１３】このように構成された液晶表示装置は、そ
の駆動回路を動作させる際に過度的な電流を供給するバ
イパスコンデンサが該駆動回路の搭載領域内に形成され
たものとなっている。
【００１４】このことから、バイパスコンデンサは駆動
回路と極めて近接した位置に形成され、配線によるＬ成
分の影響を大幅に低減できるようになる。したがって、
駆動回路に瞬時に電流を供給でき、該駆動回路の誤動作
を防止できるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施例１． 《等価回路》図２は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実
際の幾何学的配置に対応して描かれている。同図におい
て、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は
液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置され
ている。
【００１６】前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、
図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線Ｇ
Ｌと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在
しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成さ
れ、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域
となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを
構成するようになっている。
【００１７】各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００１８】また、画素電極ＰＩＸと前記一方のゲート
信号線ＧＬと隣接する他方のゲート信号線ＧＬとの間に
は容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄ
によって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際
に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長く蓄積さ
せるようになっている。
【００１９】各画素領域における画素電極ＰＩＸは、液
晶を介して対向配置される他方の透明基板ＳＵＢ２の液
晶側の面にて各画素領域に共通に形成された対向電極Ｃ
Ｔ（図示せず）との間に電界を発生せしめるようになっ
ており、これにより各電極の間の液晶の光透過率を制御
するようになっている。
【００２０】各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一
辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板
ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積
回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成
され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板Ｓ
ＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は
該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路から
なる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子
部ＤＴＭが形成されている。
【００２１】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれ
ぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載され
たもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と
称されている。
【００２２】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力
側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部Ｇ
ＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになってお
り、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介
して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分
にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続
されるようになっている。
【００２３】なお、図２のたとえばＶ−Ｖ線における断
面図を図５に示している。図５において、半導体集積回
路ＤＤＲＣの各バンプと端子部ＤＴＭおよびＤＴＭ２と
の接続は異方性導電膜ＡＣＦを介してなされるようにな
っている。
【００２４】このようなＣＯＧ方式における特徴は、各
半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの各出力側の各バン
プにおいて、隣接する他のバンプとの間の距離が極めて
小さく形成され、したがって、ゲート信号線ＧＬの各端
子部ＧＴＭ、ドレイン信号線ＤＬの各端子部ＤＴＭにお
いても、隣接する他の端子部との間の距離も極めて小さ
く形成されている。
【００２５】このため、各半導体集積回路ＧＤＲＣ、Ｄ
ＤＲＣの各出力側の各バンプはもちろんのこと、ゲート
信号線ＧＬの各端子部ＧＴＭ、ドレイン信号線ＤＬの各
端子部ＤＴＭにおいてその占有面積が極めて小さく、前
記バンプと端子部ＧＴＭ、ＤＴＭとの接続抵抗の増大が
無視できない状態となっている。
【００２６】前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積
回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板Ｓ
ＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さ
な面積となっている。
【００２７】そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基
板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成
されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬ
は透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶ＬＣを封止す
る機能も兼ねている。
【００２８】《画素の構成》図３は透明基板ＳＵＢ１の
一画素領域の構成を示す平面図であり、図２の点線枠Ａ
に示す部分に相当する図面である。また、図４は図３の
IV−IV線における断面図を示し、透明基板ＳＵＢ２の断
面図をも示している。
【００２９】図３において、まず、透明基板ＳＵＢ１の
液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲ
ート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線Ｇ
Ｌは、たとえばこの実施例の場合、２層構造となってお
り、その下層はＡｌとＮｄとの合金層（以下の説明では
このような合金層をＡｌ−Ｎｄと記す場合がある）から
なり、上層はＭｏとＺｒとの合金層（以下の説明ではこ
のような合金層をＮｏ−Ｚｒと記す場合がある）からな
っている。このような２層構造としたのは、抵抗値を大
幅に下げることができ、選択エッチングで加工する際に
その断面が順テーパ形状となる等の効果を奏するからで
ある。
【００３０】そして、これらゲート信号線ＧＬをも被っ
て透明基板ＳＵＢ１の面にたとえばＳｉＮからなる絶縁
膜ＧＩが形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述のド
イレン信号線ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬとの層間
絶縁膜としての機能、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに
対してはそのゲート絶縁膜としての機能、後述の容量素
子Ｃａｄｄに対してはその誘電体膜としての機能を有す
るようになっている。
【００３１】画素領域の左下においてゲート信号線ＧＬ
と重畳する部分において、たとえばａ−Ｓｉからなるｉ
型（真性：導電型決定不純物がドープされていない）の
半導体層ＡＳが形成されている。
【００３２】この半導体層ＡＳは、その上面にソース電
極およびドレイン電極を形成することによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの一部をゲート電極とするＭＩＳ型の薄
膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００３３】この薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２は、前記絶縁膜ＧＩ上
に形成されるドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるよ
うになっている。
【００３４】すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に
並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイ
ン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの上面にまで延
在させて形成することにより、その延在部は薄膜トラン
ジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２として形成される。
【００３５】また、この時、前記ドレイン電極ＳＤ２と
離間させて形成された電極がソース電極ＳＤ１となる。
このソース電極ＳＤ１は後述の画素電極ＰＩＸと接続さ
れるもので、その接続部を確保するために、画素領域の
中央側に若干延在させた延在部を有するパターンとなっ
ている。
【００３６】なお、ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極Ｓ
Ｄ１の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた
半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層とし
て機能するようになっている。
【００３７】前記半導体層ＡＳを形成した後、その表面
に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、
ドレイン電極ＳＤ２およびソース電極ＳＤ１を形成した
後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された
不純物がドープされた半導体層をエッチングすることに
より、上述した構成とすることができる。
【００３８】そして、このようにドレイン信号線ＤＬ
（ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極ＳＤ１）が形成され
た透明基板ＳＵＢ１の表面には、該ドレイン信号線ＤＬ
等をも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形
成されている。
【００３９】この保護膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの液晶ＬＣとの直接の接触を回避するため等に設けら
れるもので、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ１の延在部の一部を露出させるためのコンタクトホ
ールＣＨが形成されている。また、この保護膜ＰＳＶの
上面には画素領域の大部分を被ってたとえばＩＴＯ（In
dium-Tin-Oxide）膜からなる透明の画素電極ＰＩＸが形
成されている。
【００４０】この画素電極ＰＩＸは、保護膜ＰＳＶの前
記コンタクトホールＣＨをも被うようにして形成され、
これにより薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１
と接続されるようになっている。
【００４１】さらに、このように画素電極ＰＩＸが形成
された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該画素電極ＰＩＸ
をも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向
膜ＯＲＩ１はたとえば樹脂からなり、その表面には一定
方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ
１は液晶ＬＣと接触するようになっており、この配向膜
ＯＲＩ１によって該液晶ＬＣの液晶分子の初期配向方向
を決定するようになっている。そして、透明基板ＳＵＢ
１の液晶ＬＣと反対側の面には、偏光板ＰＯＬ１が被着
されている。
【００４２】一方、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、各画素領域を画するようにしてブラックマトリック
スＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢ
Ｍは、外来の光が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するの
を回避させるためと、表示のコントラストを良好にする
ために設けられている。
【００４３】さらに、ブラックマトリックスＢＭの開口
部（光が透過する領域となり、実質的な画素領域とな
る）には各画素領域に対応した色を有するカラーフィル
タＦＩＬが形成されている。
【００４４】このカラーフィルタＦＩＬは、たとえばｙ
方向に並設される各画素領域において同色のフィルタが
用いられ、ｘ方向の各画素領域毎にたとえば赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に繰り返されて配
列されている。
【００４５】このようにブラックマトリックスＢＭおよ
びカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２
の表面には該ブラックマトリックスＢＭ等をも被ってた
とえば塗布等により形成された樹脂からなる平坦化膜Ｏ
Ｃが形成され、その表面に該ブラックマトリックスＢＭ
およびカラーフィルタＦＩＬによる段差が顕在されない
ようになっている。
【００４６】そして、この平坦化膜ＯＣの表面には各画
素領域に共通にたとえばＩＴＯ膜からなる対向電極ＣＴ
が形成されている。この対向電極ＣＴは各画素領域にお
ける画素電極ＰＩＸとの間に映像信号（電圧）に対応し
た電界を発生せしめ、これら各電極との間の液晶ＬＣの
配向方向を制御し、前述した偏光板ＰＯＬ１と後述する
偏光板ＰＯＬ２との適切な組合せによって光透過率を制
御するようになっている。
【００４７】さらに、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ２の表面には、該対向電極ＣＴをも
被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ２はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向
にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ２は
液晶と接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ２
によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようにな
っている。そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対
側の面には、偏光板ＰＯＬ２が被着されている。
【００４８】《半導体集積回路ＤＤＲＣの搭載領域の構
成》図１は映像信号駆動回路からなる半導体集積回路Ｄ
ＤＲＣの搭載領域における詳細を示す構成図で、その
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における断
面図である。
【００４９】まず、図１（ａ）に示すように、半導体集
積回路ＤＤＲＣの搭載領域内において、その一辺側に該
半導体集積回路ＤＤＲＣの入力バンプと接続されるべく
端子ＤＴＭ２が、他の辺側に該半導体集積回路ＤＤＲＣ
の出力バンプと接続されるべく端子ＤＴＭが形成されて
いる。図において、端子ＤＴＭ２は、その数が端子ＤＴ
Ｍのそれよりも少なく、それに応じて面積も大きくなっ
ている。
【００５０】ここで、端子ＤＴＭはドレイン信号線ＤＬ
と同一の材料からなる延在端として形成されている。ま
た、半導体集積回路ＤＤＲＣの搭載領域内には、より正
確には、前記端子ＤＴＭ２、ＤＴＭに囲まれた領域内に
は、バイパスコンデンサＢＣが形成されている。
【００５１】このバイパスコンデンサＢＣの一方の電極
ＣＴＭ１はドレイン信号線ＤＬと同一の材料で形成され
（この実施例ではドレイン信号線ＤＬの形成の際に形成
される）、液晶表示部ＡＲにおける絶縁膜ＧＩおよび保
護膜ＰＳＶをそれぞれ延在された保護膜ＰＳＶ（誘電体
膜）を介在させ、他方の電極ＣＴＭ２は液晶表示部にお
ける画素電極ＰＩＸと同一の材料で形成されている（こ
の実施例では画素電極ＰＩＸの形成の際に形成され
る）。
【００５２】ここで、バイパスコンデンサの一方の電極
ＣＴＭ１は前記端子ＤＴＭ２のうち接地端子として選定
された端子から延在されて形成され、他方の電極ＣＴＭ
２はその一部が前記端子ＤＴＭ２のうち電源供給端子と
して選定された端子に重畳されて形成されている。
【００５３】なお、ドレイン信号線ＤＬと同一の材料で
形成される各端子ＤＴＭ２はそれを被う保護膜ＰＳＶを
孔開けして該保護膜ＰＳＶから露出され、それぞれの露
出面が画素ＰＩＸと同一の材料（ＩＴＯ）で被われた構
成となっている。各端子ＤＴＭ２、ＤＴＭをＩＴＯで被
うのは該各端子ＤＴＭ２、ＤＴＭに電食が発生するのを
防止するためである。
【００５４】このように構成された液晶表示装置は、前
記バイパスコンデンサＢＣと半導体集積回路ＤＤＲＣか
らなる映像信号駆動回路との距離が近接するため（映像
信号駆動回路の直下に存在するため）、該バイパスコン
デンサＢの配線のＬ（インダクタンス）が小さくなり瞬
時に電流を供給できるようになる。このため該映像駆動
回路に誤動作を生じさせるのを回避させることができ
る。
【００５５】また、このように構成することによって、
配線基板にバイパスコンデンサＢＣを搭載させる必要が
なくなることから該配線基板を小さく形成でき、いわゆ
る液晶表示装置の額縁を小さくすることができる。
【００５６】なお、上述した実施例では、複数の映像信
号駆動回路のうち１つの映像信号駆動回路の搭載領域の
構成について示したものであるが、他の映像信号駆動回
路の搭載領域においても同様な構成となっている。ま
た、映像信号駆動回路に限定されることはなく、走査信
号駆動回路側においても同様の構成となっていてもよい
ことはいうまでもない。
【００５７】なお、このようにバイパスコンデンサＢＣ
の形成が映像信号駆動回路の形成領域あるいは／および
走査信号駆動回路の形成領域にてなされることは、以下
に説明する各実施例の場合においても同様に適用される
ものである。
【００５８】実施例２．図６は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に示したバイパ
スコンデンサＢＣの電極のパターンを示している。下層
の電極ＣＴＭ１と上層の電極ＣＴＭ２とがたとえばその
間の誘電体膜に形成されたピンホール等によってショー
トが生じた場合に、該ショートが生じた部分を図６に示
すようにたとえばレーザ光によって分割切り捨てること
によって修復を図らんとするものである。
【００５９】この趣旨からバイパスコンデンサのＢＣの
パターンは端子部（映像信号駆動回路からなる半導体集
積回路のバンプと接続される端子部）の部分を基幹と
し、この基幹部から複数の枝部が形成されたパターンと
して形成されることが望ましい（図６の場合もそのよう
に形成されている）。
【００６０】実施例３．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図である。同図は、映像信
号駆動回路からなる複数の半導体集積回路ＤＤＲＣのう
ちの１つの搭載領域を示したものである。
【００６１】そして、これら各半導体集積回路ＤＤＲＣ
は透明基板ＳＵＢ１上にて隣接する他の半導体集積回路
ＤＤＲＣと複数の配線層ＷＩＬによって互いに接続され
ている。これら各配線層ＷＩＬは一方の半導体集積装置
ＤＤＲＣから他方の半導体集積回路ＤＤＲＣへデータ転
送するための配線層である。
【００６２】そして、各半導体集積回路ＤＤＲＣの入力
バンプに接続されるべく各端子部ＤＴＭ２のうちアース
（ＧＮＤ）端子からの延在部が、前記各配線層ＷＩＬの
端子および該各配線層ＷＩＬの形成領域にまで及んで形
成されている。
【００６３】この場合、該アース（ＧＮＤ）端子からの
延在部は前記各配線層ＷＩＬと異なる層で形成され、そ
れらの間に絶縁膜ＧＩ、あるいは保護膜ＰＳＶ、あるい
はそれらの積層体が誘電体膜として存在しておれば、前
記各配線層ＷＩＬに対して下層あるいは上層に形成され
ていてもよい。
【００６４】このように形成することによって、各配線
層ＷＩＬから発せられる電磁波に対するＥＭＩ対策が特
にスペースを確保しなくても実現させることができるよ
うになる。
【００６５】実施例４．図８は、液晶表示装置の他の実
施例を示す構成図で、図７と対応した図となっている。
図７と比較して異なる構成は、半導体集積回路ＤＤＲＣ
の搭載領域において、半導体集積回路ＤＤＲＣの入力バ
ンプに接続されるべくアース（ＧＮＤ）端子からの延在
部は比較的広い範囲で形成されておらず、各配線層ＷＩ
Ｌの形成領域に及ぼして形成される延在部への単なる引
出し線的な役割りを果たしているに過ぎない。しかし、
このような場合でも、各配線層ＷＩＬから発せられる電
磁波に対するＥＭＩ対策を良好になしえる。
【００６６】上述した各実施例では、一方の透明基板に
画素電極が他方の透明基板に対向電極が設けられ、これ
ら各電極の間に透明基板とほぼ垂直方向に生じる電界に
よって液晶を駆動する方式のものについて説明したもの
である。
【００６７】しかし、一方の透明基板側に画素電極と対
向電極とが設けられ、これら各電極の間の電界のうち透
明基板とほぼ平行な成分によって液晶を駆動する方式の
ものについても適用することができる。映像信号駆動回
路および走査信号駆動回路の部分における構成は何ら変
わることがなく、同様の課題が発生していたからであ
る。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、駆動回路の誤動作
を防止できるようになる。また、いわゆる額縁を小さく
できるようになる。さらに、ＥＭＩ対策が充分になされ
るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
要部構成図である。
【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
全体構成図である。
【図３】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
【図４】 図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】 図２のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す要部構成図である。
【図７】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す要部構成図である。
【図８】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す要部構成図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＩＸ…画素電
極、ＤＤＲＣ…半導体集積回路（映像信号駆動回路）、
ＧＤＲＣ…半導体集積回路（走査信号駆動回路）、ＢＣ
…バイパスコンデンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 (72)発明者 北島 雅明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JB67 JB68 NA01 NA25 PA06 PA09 5C094 AA02 AA15 AA21 AA48 AA53 AA60 BA03 BA43 CA19 CA25 DA09 DA13 DB03 DB10 EA10 FA01 FB12 FB15 5G435 AA01 AA16 AA18 BB12 CC09 EE32 EE37 EE42 GG33 GG34

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形
    成された信号線と接続されて搭載される駆動回路を備
    え、 前記一方の基板の該駆動回路の搭載領域内にコンデンサ
    が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形
    成された信号線と接続されて搭載される駆動回路を備
    え、 前記一方の基板の該駆動回路の搭載領域内にコンデンサ
    が形成され、 該コンデンサの一方の電極および他方の電極はそれぞれ
    前記駆動回路の電源端子および接地端子に接続される各
    端子に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形
    成された信号線と接続されて搭載される駆動回路を備
    え、 前記一方の基板の該駆動回路の搭載領域内にコンデンサ
    が形成され、 該コンデンサの一方の電極および他方の電極はそれぞれ
    前記駆動回路の電源端子および接地端子に接続される各
    端子に接続され、 かつ、該コンデンサの各電極は前記電源端子および接地
    端子に接続される部分を基幹部としこの基幹部から複数
    の枝部が形成されたパターンをなしていることを特徴と
    する液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶表示部外の領域に該液晶表示部内に形
    成された信号線と接続されて搭載される複数の駆動回路
    を備え、 前記信号線は一方向に延在され該一方向と交差する方向
    に並設され、前記駆動回路は互いに隣接される複数の前
    記信号線に対して一個あてがわれ、 隣接する各駆動回路は前記一方の基板上に形成された配
    線層で接続されているとともに、 前記配線層は絶縁膜を介して導電層の形成領域に形成さ
    れ、この導電層は前記駆動回路のアース端子に接続され
    る端子に接続されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
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