JP3322556B2

JP3322556B2 - 平面表示装置

Info

Publication number: JP3322556B2
Application number: JP06354096A
Authority: JP
Inventors: 洋一平石; 裕司山本; 康伸田草
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-03-19
Filing date: 1996-03-19
Publication date: 2002-09-09
Anticipated expiration: 2016-03-19
Also published as: JPH09258251A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置やプ
ラズマディスプレイなどの平面表示装置及びその製造方
法に関し、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイ
ッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表
示装置とその製造方法に適している。

【０００２】

【従来の技術】図７から図８を参照しながら、従来の平
面表示装置として、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置を説明する。

【０００３】まず、図７を参照する。図示されている液
晶表示装置７０は、アクティブマトリクス基板５９と、
それに対向配置された対向基板６０とを備えている。両
基板５９及び６０の間には液晶層（不図示）が封入さ
れ、表示領域５１が構成されている。アクティブマトリ
クス基板５９の上には、表示領域５１の周囲に駆動領域
７１が設けられている。

【０００４】駆動領域７１には、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏ
ｎＧ１ａｓｓ）方式で複数の駆動用ドライバ５５が実
装されている。駆動領域７１の駆動用ドライバ５５から
所定の信号を走査配線５３および信号配線５４に送り、
表示領域５１に設けられたスイッチング素子（不図示）
を駆動している。駆動用ドライバ５５どうしは駆動領域
７１に設けられた共通配線５２で接続されている。共通
配線５２は、駆動用ドライバ５５への電源の接続や信号
伝送などのために共通に用いられる配線である。

【０００５】駆動用ドライバ５５へは、図示しないＦＰ
Ｃ（Ｆ１ｅｘｉｂ１ｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉ
ｔ）等を用いて入力端子５８から共通配線５２を介して
駆動電流や信号が入力される。

【０００６】図８は、アクティブマトリクス基板５９の
ドライバ領域７１のＢ−Ｂ’線断面図である。図８から
わかるように、アクティブマトリクス基板５９上のドラ
イバ領域７１には、共通配線５２が設けられている。駆
動用ドライバ５５と共通配線５２、走査配線５３または
信号配線５４とが、駆動用ドライバ５５のバンプ５６お
よび異方性導電膜（以下、ＡＣＦと呼ぶ）５７を介して
接続されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年、ＥＭＩ（不要輻
射）に対する規制が厳しくなり、表示装置のＥＭＩを低
減することが必要不可欠である。表示装置のＥＭＩを低
減する方法として、例えば、図９に示す特開平６−３７
４７８号公報に開示されている液晶駆動装置のように、
金属箔テープを電源系配線に貼付けることでＥＭＩを低
減する方法が提案されている。

【０００８】しかし、上記の方法を効果的に用いるため
には、駆動領域のほぼ全面に金属箔テープを貼付けなけ
ればならないため、表示装置のコストアップの要因にな
る。また、上記の方法では、配線に金属箔テープを貼る
際に、配線を傷つけたり、断線させる可能性が大きいた
め、表示装置の良品率が低下してしまう。そのうえ、表
示装置の製造工程間で、製造中の表示装置を移動する際
に配線がむき出しの状態で移動することになるので、表
示装置の移動中に配線の断線が起こりやすく、表示装置
の良品率が低下していた。

【０００９】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであって、その目的とするところ
は、表示装置を形成する際に用いる各種絶縁膜（層間絶
縁膜、カラーフィルタ一など）を共通配線の上に設け、
その共通配線上に導電膜を形成することにより、配線の
保護を達成するとともに製造工程の増加をほとんど生じ
ない安価なＥＭＩ対策を施した表示装置とその製造方法
を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による平面表示装置は、少なくとも複数の走査
線と複数の信号線とが形成された表示領域と、該走査線
および該信号線に信号を送る駆動用ドライバが設けられ
た駆動領域とを備えた平面表示装置であって、該駆動用
ドライバどうしを接続する共通配線または駆動用ドライ
バと外部入力端子とを結ぶ共通配線の少なくとも一方が
絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には導電膜が形成さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１１】本発明による平面表示装置は、上記の構造
により、ＥＭＩの発生を簡単な構造で抑えることができ
る。また、絶縁膜はＥＭＩの発生を抑制するだけでな
く、共通配線を保護する役目も同時に果すので、表示装
置の信頼性が向上する。

【００１２】上記導電膜が画素電極と同一の膜をパター
ニングすることによって形成されていてもよい。

【００１３】上記絶縁膜は、上記表示領域において上記
走査線または上記信号線を覆う層間絶縁膜と同一の膜か
ら形成されていてもよい。

【００１４】上記導電膜がＧＮＤ配線に接続されていて
もよい。

【００１５】このことにより、さらにＥＭＩの発生を抑
制することができる。

【００１６】本発明による平面表示装置の製造方法は、
基板上に、走査配線を形成し、該走査配線上に絶縁膜を
設け、該走査配線と交差するように信号配線を形成し、
該走査配線と該信号配線とのそれぞれの交差部近傍にス
イッチング素子を形成する工程と、該基板上に駆動ドラ
イバ用共通配線を設ける工程と、該走査配線、該信号配
線および該スイッチング素子の上部および該共通配線上
に層間絶縁膜を形成した後、該層間絶縁膜をパターニン
グすることによって該共通配線を覆う絶縁膜を形成する
工程と、該層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫くコンタクト
ホールを形成する工程と、該コンタクトホールを介して
該スイッチング素子と接続される画素電極を該層間絶縁
膜上に設けるとともに、該絶縁膜上に導電膜を形成する
工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成
される。

【００１７】本発明による平面表示装置の製造方法は、
工程の増加を必要とせずＥＭＩ対策ができコストアップ
を生じない。また、共通配線を製造工程中でも保護する
ことができ、断線がおこらないため、良品率が向上す
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１９】（実施形態１）図１に、本発明によるアク
ティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置１５の構成
を示す。また、図２に液晶表示装置１５のＡ−Ａ’線断
面を示す。

【００２０】まず、液晶表示装置１５の構造を説明す
る。アクティブマトリクス基板９の上には、ＴＦＴ、Ｍ
ＩＭなどのスイッチング素子（図示せず）がマトリクス
状に配列された表示領域１が設けられている。表示領域
１の上には、ガラス基板などの透明な対向基板１０が所
定間隔をあけて配置され、その対向基板１０とアクティ
ブマトリクス基板９との間は液晶層が設けられている。

【００２１】アクティブマトリクス基板９の表示領域１
以外の領域に、駆動領域１６が設けられている。駆動領
域１６は、アクティブマトリクス基板９の表示領域１の
全周囲に形成されていてもよい。駆動領域１６には、Ｃ
ＯＧ方式で実装された複数の駆動用ドライバ５が設けら
れている。駆動用ドライバ５は、所定の信号を走査配線
としてのゲート配線３および信号配線としてのソース配
線４に送り、スイッチング素子を駆動する。駆動用ドラ
イバ５どうしは駆動領域１６に設けられた共通配線２に
よって接続されている。

【００２２】駆動用ドライバ５へは、共通配線２ａを介
して、入力端子８から電源電圧や信号が供給される。入
力端子８は図示しないＦＰＣ等を介して、電源に接続さ
れている。駆動用ドライバ５と共通配線２、２ａ、ゲー
ト配線３またはソース配線４とが、駆動用ドライバ５の
バンプ６およびＡＣＦ７を介して接続されている。ＡＣ
Ｆのかわりにペースト材や半田を用いてもよい。

【００２３】駆動領域１６のうち、駆動ドライバ５が設
けられておらず、かつ共通配線２が設けられている領域
１７上には、絶縁膜１１および絶縁膜１１上に形成され
た導電膜１２が設けられている。本実施形態では、表示
領域１内に形成される層間絶縁膜（図示せず）の材料と
して用いられるアクリル樹脂によって絶縁膜１１が形成
されている。また、表示領域１内に形成される画素電極
の材料として用いられるＩＴＯによって導電膜１２が形
成されている。

【００２４】液晶表示装置１５では、ＥＭＩの発生が抑
制され、かつ製造工程での断線が発生しにくい。また、
絶縁膜１１にアクリル樹脂のような低誘電率の絶縁膜を
用いることにより、共通配線２を通る信号の波形の変形
を抑えることができる。さらに、絶縁膜１１が共通配線
２を保護するため、表示装置を高温、多湿など非常に厳
しい環境下、例えば車の中で用いる場合でも、性能が低
下しない。

【００２５】次に、液晶表示装置１５の製造方法を説明
する。

【００２６】まず、ガラス基板からなる透明な絶縁性基
板上に、タンタルをＣＶＤ法により４０００オングスト
ロームの厚さに成膜した後、パターニングしてゲート配
線３を形成する。その後、前記ゲート配線３の表面に２
０００オングストロームの厚さだけ陽極酸化を行った。
このように陽極酸化を行うことにより、走査配線１と後
に形成する半導体層との絶縁性が向上し、付加容量（Ｃ
ｓ）が大きくなる。

【００２７】その後、前記ゲート配線３上に、図示しな
いチッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜をＣＶＤ法に
より５０００オングストロームの膜厚に成膜し、前記ゲ
ート絶縁膜上に図示しないＳｉ半導体層を連続して１０
００オングストロームの厚さだけ堆積した後、パターニ
ングしてチャネル部を形成する。その後、図示しないｎ
⁺Ｓｉ等によりコンタクト部を形成する。

【００２８】次に、ＣＶＤ法によりＡｌを１０００〜３
０００オングストロームの膜厚に成膜した後、パターニ
ングすることによりソース配線４を形成する。このとき
同時に共通配線２およびゲート配線３の実装端子部も形
成する。

【００２９】次に、スピンコート法により、ソース配線
４上に感光性のアクリル系樹脂を用いて３μｍの膜厚の
層間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜は絶縁膜１１も
兼ねている。アクリル系樹脂の比誘電率は３．４程度で
あり、無機膜の比誘電率（一般的に絶縁膜としてよく用
いられているチッ化シリコンの比誘電率は８）に比べて
低い。また、アクリル系樹脂は透明度が高く、かつスピ
ンコート法、ロールコート法、またはスロットコート法
により容易に３μｍという厚い膜厚に形成することがで
きる。したがって、上記のように層間絶縁膜にアクリル
系樹脂を用いることにより、ソース配線と画素電極との
間の寄生容量を低くすることができ、各ソース配線４と
画素電極との間の寄生容量が表示に与えるクロストーク
等の影響をより低減することが可能となり、良好で明る
い表示を得ることができる。

【００３０】このとき、層間絶縁膜が絶縁膜１１を兼ね
ることにより、製造プロセスを増やすことなく絶縁膜１
１が形成される。さらに、絶縁膜１１は比誘電率が低
く、かつ容易にその膜厚を厚くすることができるので、
共通配線２上の容量が抑えられ、信号遅延や信号波形の
変形が抑制される。また、アクリルのような有機樹脂を
用いることによりピンホールができないためリークを防
止することができる。さらに、アルミのようにヒロック
のできやすい金属を共通配線２に使用した場合でも、絶
縁膜１１が共通配線２を保護するので、共通配線２のヒ
ロックを防止できる。

【００３１】また、上記のように、感光性のアクリル樹
脂を用いれば、パターニングにフォトレジスト塗布工程
が不要となるので、生産性の点で有利である。

【００３２】本実施形態では、層間絶縁膜の材料として
用いるアクリル系樹脂に、塗布前に着色しているものを
使用する。その理由は、塗布前に着色しているアクリル
系樹脂はパターニングが行い易く、またパターニング後
に全面露光処理を施すことにより、透明化することがで
きるからである。このような樹脂の透明化処理は、光学
的に行うことができるだけでなく、化学的に行うことも
可能である。

【００３３】次に、前記層間絶縁膜上に、ＩＴＯを１５
００オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニン
グして、画素電極（図示せず）を形成した。このとき同
時に、ＥＭＩ対策用導電膜１２および実装端子（駆動用
ドライバ５の接続部および入力端子８の接続部）を形成
した。このことにより、全く工程を増加させずにＥＭＩ
対策や共通配線２の保護を行うことができる。また、実
装端子の接続抵抗の安定化を図ることができる。その際
に、アッシング等によって層間絶縁膜の樹脂の表面を荒
すことにより、層間絶縁膜と画素電極との密着性および
絶縁膜１１と導電膜１２との密着性を改善するとなお良
い。

【００３４】その後、ポリイミド等からなる配向膜を形
成してラビング処理を行う（図示せず）。このとき、層
間絶縁膜の膜厚は３μｍであり、層間絶縁膜は十分厚く
形成されているため、層間絶縁膜の表面は平坦化され、
配向乱れ等の問題は発生しない。その後、アクティブマ
トリクス基板９と、図示しないブラックマトリクス、対
向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板１０と
の問に液晶を挟んで液晶表示パネルを完成させる。

【００３５】その後に、駆動用ドライバ５をＡＣＦ７を
用いてゲート配線３およびソース配線４に接続し、本発
明の実施形態１の液晶表示装置が完成する。

【００３６】以上のようにして作製された本実施形態１
の液晶表示装置では、その製造工程においてＥＭＩ対策
のための新たな工程を全く必要としないため、液晶表示
装置のコストアップが生じない。

【００３７】また、従来の製造工程に比べて、共通配線
２が基板表面に露出されている時間が少なくなるので、
ゴミ等の原因による断線の確率が大幅に減少するため、
良品率が大幅に向上する。

【００３８】なお、層間絶縁膜を染色するなどしてカラ
ーフィルタの機能を兼ねるようにすることもできる。ま
た、層間絶縁膜および絶縁膜１１の材料としてアクリル
樹脂以外のものを使用することも可能である。層間絶縁
膜および絶縁膜１１の材料には、比誘電率が低く透明度
の高いもの、具体的には過射光領域の透過率９０％以上
のものを用いることが好ましい。例えば、ポリアミドイ
ミド（比誘電率３．５〜４．０）、ポリアリレート
（３．０）、ポリエーテルイミド（３．２）、エポキシ
（３．５〜４．０）、透明度の高いポリイミド（３．０
〜３．４：例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二
無水物とジアミンとの組合わせ）等を用いることができ
る。

【００３９】（実施形態２）図３および図４を参照し
て、実施形態２の液晶表示装置２５を説明する。図３は
図４のＡ−Ａ’線の断面図である。なお、実施形態１の
液晶表示装置１５と同様なものには同じ番号を付し説明
を省く。

【００４０】本実施形態２の液晶表示装置２５では、Ｅ
ＭＩ対策用導電膜２２が絶縁膜１１を覆っている。液晶
表示装置２５では、ＥＭＩ対策用導電膜２２がアクティ
ブマトリクス基板９上に形成された電気的にグランドな
配線２３（以下、ＧＮＤ配線と呼ぶ）に接続されている
ので、さらに効果的なＥＭＩ対策が行われている。もち
ろん本実施形態でもコストアップは生じない。駆動ドラ
イバ５、できることならＥＭＩ対策用導電膜１１と金属
ベゼル２４（図４では図示せず）を接地するとさらに効
果的である。

【００４１】（実施形態３）図５に、実施形態３の液晶
表示装置３５を示す。図５は図１のＡ−Ａ’線の断面図
に相当する。本実施形態の説明においても、実施形態１
の液晶表示装置１５と同様のものには同じ番号を付し説
明を省く。

【００４２】図５に示すように、液晶表示装置３５で
は、ＥＭＩ対策用導電膜３２がアクティブマトリクス基
板９上に形成されたＧＮＤ配線２３および駆動用ドライ
バ５と接続されていることにより、接地面積が大きくな
るため、さらに電気的に安定したＧＮＤ電位を得ること
ができ、効果的なＥＭＩ対策が施されている。

【００４３】もちろん本実施形態による液晶表示装置３
５でも、コストアップは生じない。実施形態２と同様
に、駆動ドライバ５、できることならＥＭＩ対策用導電
膜１２と金属ベゼル（図示せず）を接地するとさらに効
果的である。

【００４４】（実施形態４）本実施形態は、ドライバモノリシック型液晶表示装置に
本発明を適用したものである。

【００４５】ドライバモノリシック型液晶表示装置と
は、ＴＦＴ型液晶表示装置で表示電極スイッチ用ＴＦＴ
を作成するときに表示部周辺部、つまり駆動領域に駆動
用ドライバを一体的に形成したものである。ここで、ド
ライバモノリシック型液晶表示装置の駆動ドライバをモ
ノリシックドライバと呼ぶ。

【００４６】以下、図６を参照して、実施形態４の液晶
表示装置を説明する。

【００４７】透明な対向基板とスイッチング素子として
のＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板４３との間
に液晶が封入されたアクティブマトリクス基板４３上の
表示領域の周囲に、駆動領域が形成されている。その駆
動領域に駆動用ドライバとして形成されたモノリシック
ドライバ４０が、アクティブマトリクス基板４３上に形
成されたゲート配線、ソース配線に所定の信号を送り、
ＴＦＴを駆動している。モノリシックドライバ４０はア
クティブマトリクス基板４３上にＴＦＴと同時に形成さ
れ、モノリシックドライバ４０そのものがＥＭＩ等を発
生する部分になる。そのため、ＥＭＩ等の発生を抑制す
るためには、モノリシックドライバ４０を形成する素子
の１つ１つを結ぶ配線だけでなく、素子も覆う必要があ
る。

【００４８】モノリシックドライバ４０ヘは、図示しな
いＦＰＣ等を用いて入力端子より電源電圧や信号を供給
する。そして、駆動領域のほぼ全面に絶縁膜４１を形成
し、さらにその絶縁膜４１上に導電膜４２を形成する。
本実施形態でも、層間絶縁膜の材料として用いるアクリ
ル樹脂で絶縁膜４１を、画素電極に用いるＩＴＯで導電
膜４２を、それぞれ形成した。

【００４９】上記の構成により、ＥＭＩの発生が抑制さ
れ、かつ製造工程途中でのドライバの不良がおこりにく
くなる。また、絶縁膜４１にアクリル樹脂のような低誘
電率の絶縁膜を用いることにより、ドライバモノリシッ
ク部の信号のなまり（信号波形の変形）を抑えることが
できる。さらに、表示装置を車の中などの非常に厳しい
環境下で用いる場合でも、絶縁膜４１がドライバモノリ
シックを保護する。

【００５０】以上のようにして、本実施形態の表示装置
のアクティブマトリクス基板が構成される。

【００５１】本実施形態のアクティブマトリクス基板の
製造工程においては、実施形態１〜３のアクティブマト
リクス基板の製造工程と同様に、層間絶縁膜の形成と同
時に絶縁膜４１が形成される。したがって、その製造工
程においてＥＭＩ対策のための新たな工程を全く必要と
しないため、本実施形態の液晶表示装置もコストアップ
が生じない。

【００５２】本実施形態の液晶表示装置は、下記のよう
にして製造される。

【００５３】まず、ガラス等からなる透明なアクティブ
マトリクス基板４３上に、スイッチング素子となるＴＦ
Ｔおよびドライバモノリシック用のチャネル領域とソー
スおよびドレイン領域となる半導体層４４および４５を
平面的に形成する。そして、半導体層４４、４５のソー
ス領域およびドレイン領域となる部分にイオンビームで
不純物を打込み、それぞれｎ⁺部分、ｐ⁺部分を形成す
る。なお、ここでドライバ用キャパシタやＣｓを形成す
る片側の導電膜を同時に形成する。

【００５４】その後、半導体層４４および４５上に、チ
ッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜４６をＣＶＤ法に
より３０００オングストロームの膜厚に成膜した。その
際に、前記ソース、ドレイン領域の上には当然コンタク
トホールを形成しておく。

【００５５】その後、アルミからなるゲート配線４７を
ＣＶＤ法により４０００オングストロームの厚さに成膜
した後パターニングする。そのとき、同時に前記キャパ
シタやＣｓ部のもう片側の導電膜を形成する。

【００５６】その後、ゲート配線４７上に、チッ化シリ
コン等からなる絶縁膜４６をＣＶＤ法により３０００オ
ングストロームの膜厚に成膜する。その際も、前記ソー
ス、ドレイン領域の上には当然コンタクトホールを形成
しておく。

【００５７】次に、ソース配線４８、ドレイン配線４９
としてアルミをＣＶＤ法により３０００オングストロー
ムの膜厚に成膜してパターニングする。そのとき同時に
外部入力端子も形成する。

【００５８】次に、ソース配線４８およびドレイン配線
４９上に層間絶縁膜として感光性のアクリル系樹脂をス
ピンコート法により３μｍの膜厚で形成する。この層間
絶縁膜はドライバ領域の絶縁膜４１も兼ねている。

【００５９】層間絶縁膜が絶縁膜４１を兼ねるので、絶
縁膜４１を形成するための製造プロセスを新たに増やす
ことなくアクティブマトリクス基板を形成できる。ま
た、絶縁膜４１は比誘電率が低く、かつ容易に膜厚を厚
くできるので、ドライバモノリシック部の寄生容量が抑
えられ、信号遅延・なまりが抑制される。また、絶縁膜
４１の材料にアクリルのような有機樹脂を用いることに
より、絶縁膜４１にピンホールができにくくなるため、
リークが防止される。さらに、アルミのようにヒロック
のできやすい金属を配線に用いた場合でも、絶縁膜４１
が配線をカバーしてヒロックが防止される。

【００６０】また、感光性のアクリル樹脂を用いると、
パターニングに際してフォトレジスト塗布工程が不要と
なり、生産性の点で有利である。本実施形態では、層間
絶縁膜の材料として用いたアクリル系樹脂に、塗布前に
着色されているアクリル系樹脂を使用した。塗布前に着
色したアクリル系樹脂はパターニングが行い易く、パ夕
ーニング後に全面露光処理を施してより透明化すること
ができるからである。このような樹脂の透明化処理は、
光学的に行うことができるだけでなく、化学的に行うこ
とも可能である。

【００６１】次に、前記層間絶縁膜上に、ＩＴＯを１５
００オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニン
グして画素電極を形成する。このとき同時にＥＭＩ対策
用導電膜４２を形成する。ＥＭＩ対策用導電膜４２は外
部入力端子上にも形成する。このことにより、全く工程
を増やさずに、ＥＭＩを抑制し、モノリシックドライバ
を保護する絶縁膜４１を形成することができる。その際
に、アッシング等により層間絶縁膜の樹脂の表面を荒
し、層間絶縁膜と画素電極および導電膜４２との密着性
を改善するとなお良い。

【００６２】その後、ポリイミド等からなる配向膜を形
成してラビング処理を行う。このとき、前記層間絶縁膜
を十分厚く（例えば３μｍ）形成することにより、表面
が平坦化され、配向乱れ等の問題は発生しなかった。そ
の後、アクティブマトリクス基板とブラックマトリク
ス、対向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板
との間に液晶を挟んで、本実施形態４の液晶表示装置を
完成させる。

【００６３】上記の製造工程は従来の製造工程に比べ
て、製造工程中にモノリシックドライバが基板表面に露
出されている時間が少なくなるので、ゴミ等の原因によ
る断線の確率が大幅に減少するため、良品率が大幅に向
上する。

【００６４】ここで、ＥＭＩ対策用導電膜をＧＮＤ配線
に接地するとさらに効果的であることはいうまでもな
い。

【００６５】（実施形態５）実施形態５の液晶表示装置
では、実施形態１〜４の液晶表示装置において、ＥＭＩ
対策用導電膜を電源配線として用いる。駆動領域に形成
されている電源配線は＋３Ｖ、＋５Ｖ、＋１２Ｖ、−８
Ｖ等の直流電圧が印加される共通配線と、ＧＮＤ配線と
を有している。共通配線およびＧＮＤ配線には交流電圧
が印加されないので、これらの配線がＥＭＩの原因にな
ることはない。そのため、ＥＭＩ対策用導電膜にこれら
の配線を形成することができる。

【００６６】本実施形態では、アクティブマトリクス基
板上の配線とＥＭＩ対策用導電膜とが２層の電源配線を
形成するので、低抵抗化が達成される。ＥＭＩ対策用導
電膜の幅を広く形成すれば、さらに低抵抗化をはかるこ
とができる。

【００６７】以上、本発明の実施形態を説明してきた
が、実施形態１〜５以外にも、例えば絶縁膜としてカラ
ーフィルターやゲート絶縁膜を用いることも可能であ
る。

【００６８】また、実施形態１〜５の表示装置は透過型
のアクティブマトリクス型液晶表示装置であるが、本発
明による表示装置は透過型アクティブマトリクス型液晶
表示装置に限られず、反射型、ＤＵＴＹ液晶、ＥＬ、プ
ラズマ表示装置でもよい。

【００６９】

【発明の効果】以上のように、本発明による平面表示装
置では、簡単な構造によってＥＭＩの発生を抑えること
ができる。また、絶縁膜が共通配線を保護するため、本
発明による平面表示装置は信頼性が高い。

【００７０】また、導電膜をＧＮＤ配線に接続すること
で、さらにＥＭＩの抑制を抑えることができる。

【００７１】本発明による平面表示装置の製造方法で
は、工程の増加を必要とせずにＥＭＩ対策ができ、コス
トアップが生じない。また、製造工程中においても共通
配線が保護されるので断線などがおこらず、良品率が向
上することにより、製造コストが安価となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。

【図２】図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線断面図であ
る。

【図３】実施形態２の液晶表示装置を説明するための図
であり、図４のＡ−Ａ’線の断面図である。

【図４】実施形態２の液晶表示装置を説明するための図
である。

【図５】実施形態３の液晶表示装置を説明するための図
であり、図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線の断面図に相
当する図である。

【図６】実施形態４の液晶表示装置における駆動ドライ
バを説明するための図である。

【図７】従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板の構成を示す平面図である。

【図８】図７の液晶表示装置のＢ−Ｂ’線断面図であ
る。

【図９】特開平６−３７４７８号公報に開示されている
液晶駆動装置を示す図である。

【符号の説明】

１表示領域２共通配線３走査配線（ゲート配線）４信号配線（ソース配線）５駆動用ドライバ６バンプ７ＡＣＦ８外部入力端子９アクティブマトリクス基板１０対向基板１１絶縁膜１２導電膜５１表示領域５２共通配線５３走査配線（ゲート配線）５４信号配線（ソース配線）５５駆動用ドライバ５６バンプ５７ＡＣＦ５８外部入力端子５９アクティブマトリクス基板６０対向基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−258660（ＪＰ，Ａ) 特開平４−56924（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−55535（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1345

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも複数の走査線と複数の信号線
とが形成された表示領域と、該走査線および該信号線に
信号を送る駆動用ドライバが設けられた駆動領域とを備
えた平面表示装置であって、前記駆動用ドライバどうしを接続する共通配線または前
記駆動用ドライバと外部入力端子とを結ぶ共通配線の少
なくとも一方が絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には
導電膜が形成されており、該導電膜に直流電圧が与えられていることを特徴とする
平面表示装置。
【請求項２】前記直流電圧は、前記共通配線および電
気的にグランドなＧＮＤ配線により与えられる請求項１
に記載の平面表示装置。