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KR0145280B1 - 액티브매트릭스 액정표시장치 - Google Patents

액티브매트릭스 액정표시장치

Info

Publication number
KR0145280B1
KR0145280B1 KR1019930001675A KR930001675A KR0145280B1 KR 0145280 B1 KR0145280 B1 KR 0145280B1 KR 1019930001675 A KR1019930001675 A KR 1019930001675A KR 930001675 A KR930001675 A KR 930001675A KR 0145280 B1 KR0145280 B1 KR 0145280B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
active matrix
light blocking
crystal display
film
Prior art date
Application number
KR1019930001675A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930018301A (ko
Inventor
겐이찌 이시구로
히로히사 다나까
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2291192A external-priority patent/JP2869238B2/ja
Priority claimed from JP10319192A external-priority patent/JPH05297346A/ja
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR930018301A publication Critical patent/KR930018301A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0145280B1 publication Critical patent/KR0145280B1/ko

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Abstract

본 발명의 액정 표시 장치에 있어서는 차폐막으로서 차광막과 화소전극이 주사선인 게이트선과 중첩되지 않기 때문에 차광막과 게이트선 사이 및 화소 전극과 게이트선사이에 기생 커패시턴스가 발생되지 않으며, 그 결과 표시 특성이 향상된다. 특히, 차광막과 게이트선 사이의 갭 및 화소 전극과 게이트선 사이의 갭 중 작은 것을 덮도록 대향 차광막이 형성되기 때문에, 갭을 통한 광의 누출이 차단될 수 있다. 상기 차광막은 갭만을 덮기 때문에 작게 될 수 있어, 개구율의 저하를 방지한다. 더욱이, 제조 단계가 복잡하지 않기 때문에, 공정수의 증가로 야기되는 수율의 저하가 방지된다. 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 다른 측면에 의하면, 게이트선이 대향 전극에 전기적으로 접속되기 때문에, 화소 전극과 차광막 사이 및 화소 전극와 게이트선 사이에서 발생되는 기생 커패시턴스의 일부가 액정의 커패시턴스에 병렬로 접속되어 축적 커패시턴스로 사용된다. 그 결과, 표시 특성에 대한 기생 커패시턴스의 영향이 감소되어 표시 특성을 더욱 향상시킨다. 또한, 축적 커패시턴스선이 불필요하기 때문에 개구율이 저하되지 않고, 공정수를 증가시킴으로써 야기되는 수율의 저하를 방지할 수 있다.

Description

액티브 매트릭스 액정 표시 장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 평면도
제2도는 제1도에 도시한 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도
제3a도 내지 제3f도는 제1도에 도시한 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 편면도
제4도는 본 발명이 제2실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 편면도
제5도는 본 발명의 제3실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 평면도
제6도는 제5도에 도시된 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도
제7a도 내지 제7d도는 제5도에 도시된 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 평면도
제8도는 본 발명의제4실시예에 따릉 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 평면도
제9도는 제8도에 도시한 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도
제10도는 본 발명의 제5실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시장치의 파단 평면도
제11도는 제10도에 도시한 액정 표시 장치의 B-B'단면도
제12a도 내지 제12c도는 본 발명의 제5실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 다른 응용을 도시한 평면도
제13도는 본 발명의 제6실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 평면도
제14도는 제13도에 도시된 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도
제15도는 제 13도에 도시된 액정 표시 장치의 대향 기판상에 형성된 차광막의 패턴을 도시한 다이아그램
제16도는 종래 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 파단 평면도
제17도는 제16도에 도시된 종래 액정 표시 장치의 A-A'선 단면도
제18도는 제16도에 도시한 종래 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
201:절연 유리 기판 202:게이트선
202a:게이트 전극 203:제1절연막
205:제2절연막 207:소스선
207a:소스 전극 208:드레인 전극/차광막
210:차광막 212:제3절연막
213:접촉공 214:화소 전극
215, 217:배향막 218:대향 전극
219:대향 차광막 220:컬러 필터
222: 액티브 매트릭스 기판 223:대향기판
224:박막 트랜지스터
본 발명은 스위칭 소자가 매트릭스 상태로 그 위에 형성된 액티브 매트릭스 기판, 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향한 대향 기판 및 그 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 공간의 절감 및 저전력으로 인해 CTR(음극선관)대신 사용되는 표시 장치로 주목받고 있다. 이러한 액정 표시 장치중에는, 그 안에 개재된 액정이 고속으로 응답하고 화상이 고품위로 표시되기 때문에, 박막 트랜지스터(이하, TFT라 함)로 구동되는 액정 표시 장치가 특히 우수하다. 특히, TFT의 그 막들은 저온에서 형성될 수 있기 때문에, 비정질 실리콘(이하, a-Si라 함)으로 형성된 TFT(124)의 개발이 최근에 급속히 진척되고 잇으며, 이에 따라 대형 화면에서 더욱 정밀하고 저렴한 표시 장치가 제공될 수 있게 된다.
제16도는 a-Si을 사용한 TFT를 구비한 종래의 액정 표시 장치의 한 실시예를 나타내는 평면도이다. 제17도와 제18도는 제16도의 A-A'선 및 B-B'선에 따라 취한 단면도를 각각 나타낸다. 액정 표시 장치는 TFT가 매트릭스 상태로 그 위에 형성된 액티브 매트릭스 기판(122), 상기 액티브 매트릭스 기판(122)에 대향한 대향 기판(123) 및 그 사이에 개재되어 있는 액정층(116)을 포함한다. 이 액정 표시 장치의 구조를 그 제조 단계에 따라 이하에 상세히 설명한다.
우선, 투명 절연 유리 기판(101) 상에 금속 박막을 형성시켜 게이트선으로서 게이트선(102)과 이 게이트선(102)에서 분기되는 게이트 전극(102a)을 형성한다. 제1절연막(103)으로서의 SiNX막, TFT(124)의 반도체층(104)으로서의 a-Si층 및 제2 절연막(105)으로서의 또 다른 SiNX막을 유리 기판(101)의 전체 상면에 연속적으로 형성한다. 다음, 제2절연막(105)을 제16도에 도시된 바와 같이 패터닝시킨다.
금속 박막을 그 위에 형성한 후, 인(P)으로 도핑한 n+층(106)을 a-Si(104)층과 음 접촉되도록 형성시킨다. 그리고 나서, 제16도에 도시된 바와 같은 패턴을 갖는 신호선으로 소스선(107), 소스선(107)에서 분기된 소스 전국(107a), 드레인 전극/차광막(108) 및 차폐막으로 차광막(110)을 각각 형성시킨다. 제17도에 도시된 단면 구조를 갖는 TFT(124)들을 게이트 전극(102a)과 소스 전극(107a)의 각 교차점 근방에 형성시킨다.
다음, 상기와 같이 형 성된 유기 기판(101)의 전체 상면에 제3절연막(112)을 형성시키고, 상기 제3절연막(112)에 접촉공(113)을 형성시킨다. 상기 접촉공(113)을 채우도록 투명 도전막을 형성하고, 게이트선(102)을 부분적으로 피복하여 화소 전극(114)을 형성한다. 베향막(115)은 상기 화소 전극(114)상에 배치하고, 러빙법으로 처리한다. 따라서, 액티브 매트릭스 기판(122)을 형성한다.
대향 기판(123)은 다음과 같이 제조된다. 필요한 경우, 투명 절연 유리 기판(121) 위에 컬러 필터(120)를 패터닝시킨다. 상기 패터닝된 기판의 전체 상면 위에 투명 도전막을 형성하여 대향 전극(118)을 형성시킨다. 다음, 상기 대향 전극(118)위에 배향막(117)을 형성하고, 러빙법으로 처리한다.
그 후, 상기 액티브 매트릭스 기판(122)과 대향 기판(123)을 서로 접착시키고, 그 사이에 액정을 주입하여 액정층(116)을 형성시킨다. 액정 표시 장치는 이와 같이 제조된다.
이러한 액정 표시 장치에 있어서, 제18도에 도시한 바와 같이 차광막(110) 및 드레인 전극과 차광막 기능을 공유하는 드레인 전극/차광막(108)을 다음과 같은 이유로 게이트선(102)위에 제공한다 단위 면적당 화소의 수를 증가시켜 고정도의 장치를 얻으려면, 게이트선(102)에 의해 화소 전극(114)에 인가되는 신호의 극성을 반전시키는 1-수평 반전 구동법을 채용하는데, 화소들의 수가 많을수록 인접한 화소들의 간격이 감소되기 때문이다. 이 경우에, 인접한 화소 전극들(114) 사이에 상호 작용이 야기되어 게이트선(102)상의 전계를 교란시킨다. 그 결과, 액정 입자들이 교란되어, 예컨대 액정의 노말 화이트 모드에서 흑색상을 표시하는 동안 광이 누출되어, 콘트라스트를 저하시킨다. 상기 차광막(108, 109)은 광의 누출을 차단시키도록 게이트선(102) 위에 형성되고, 그로 인해 콘트라스트의 저하가 방지된다.
액티브 매트릭스 기판의 소스선 위에 차광막들을 형성시킨 시스템도 공지되어 있다(엠. 츠무라등에 의한 고해상도 10.3 인치 멀티 칼라TFT-LCD의 SID 91 DIGEST, 215-218 페이지 참조). 이 시스넴에서는 상술한 바와 같이 1-수평 반전 구동시 게이트선상의 교란된 전계로 인한 광 누출로 콘트라스트가 저하된다. 소스선에 의해 화소 전극에 인가되는 신호들의 극성을 반전시키기 위한 1-수평 반전 구동법에서는, 전계가 소스선 상에서 교란되기 때문에 콘트라스트의 저하는 방지될 수 있다. 그러나, 이시스템에 있어서, 화소들에 대한 신호의 인가를 돕기 위해 대향 기판상이ㅡ 대향 전극을 구동시키는 것이 불가능하기 때문에 구동용 IC의 부하가 커지는 단점이 있다.
상술한 이유로, 종래의 액정 표시 장치에 있어서 상기 차광막(108, 109)을 게이트선 위에 형성시킨다.
이러한 종래의 액정 표시 장치에 있어서, 제17도와 제18도로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, 드레인 전극/차광막(108)과 게이트선(102), 차광막(110)과 게이트선(102), 또는 화소전극(114)과 게이트선(102) 사이의 중첩부에 기생 커패시턴스가 발생되어 표시 특성을 저하시킨다. 표시 특성에 대한 기생 커패시턴스의 효과는 다음 식(I)로 표시된다.
(기생 커패시턴스)/(액정의 커패시턴스 + 축적 커패시턴스 + 기생 커패시턴스) ........................ 식(I)
종래의 액정에는 축적 커패시턴스가 없기 때문에, 기생 커패시턴스는 표시 특성을 크게 영향을 끼치지 않는다. 그러나, 이 문제를 해소하기 위해 각 셀에 축적 커패시턴스를 제공하기 위한 축적 커패시턴스용 선 등이 형성되어야 하며, 그 결과 개구율을 감소시킨다. 더욱이, 개구율이 감소되지 않도록 하기 위해 투명 도전 재료로부터 축척 커패시턴스용 선 등이 형성되면, 부가적 제조 단계로 인해 수율이 저하된다.
본 발명의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는, 액티브 매트릭스 기판으로, 복수으 평행 주사선; 상기 주사선과 교차하는 복수의 평행 신호선; 두 인접 주사선과 두 인접 신호선에 의해 한정되는 기판부에 각각 형성된 화소 전극; 각각이 대응 화소 전극, 대응 주사선 및 대응 신호선에 접속된 스위칭 소자; 각 쌍이 상기 주사선을 따라 누출되는 광을 차단하기 위해 각 주사선의 양측을 따라 제공되는 제1차광막쌍;을 갖는 액티브 매트릭스 기판;대향 전극; 및 상기 제1차광막에 의해 차단되지 않은 누출광을 차단하기 위한 제2차광막;을 갖고 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향한 대향 기판; 및 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이의 액정층;을 포함한다.
본 발명의 제1실시예에 있어서, 제1차광막 중 어느 것도 상기 주사선과 중첩되지 않는다.
또 다른 실시예에 있어서, 제2차광막은 (1)상기 제1차광막쌍과 그 사이에 개재된 상기 주사선 사이의 갭, 및(2) 화소 전극와 상기 주사선 사이의 갭 중 더 작은 것을 피복한다.
또 다른 실시예에 있어서, 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고, 각 박막 트랜지스터에서 드레인은 상기 제1차광막쌍 중 하나로도 기능한다.
또 다른 실시예에 있어서, 신호선들은 상기 제1차광막 용으로 사용되는 형태의 재료로 형성된다.
또한, 본 발명의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는, 액티브 매트릭스 기판으로, 복수의 평행 주사선; 상기 주사선과 교차하는 복수의 평행 신호선;두 인접 주사선과 두 인접 신호선에 의해 한정되는 기판부에 각각 형성된 화소 전극; 각각이 대응 화소 전극, 대응 주사선 및 대응 신호선에 접속된 스위칭 소자; 각각이 상기 주사선을 따라 누출되는 광을 차단하기 위해 인접한 화소 전극과 중첩하도록 형성된 제1차광막;을 갖는 액티브 매트릭스 기판;상기 주사선에 전기적으로 접속된 대향 전극을 갖고 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향한 대향 기판; 및 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이의 액정층;을 포함한다.
본 발명의 제2실시예에 있어서, 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 상기 주사 선을 가로질러 상기 차광막에 각각 대향한 제2차광막을 더 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고, 각 박막 트랜지스터에 있는 드레인은 상기 제2차광막으로도 기능한다.
또 다른 실시예에 있어서, 동일한 화소 전극과 종첨하는 제1차광막과 제2차광막은 서로 전기적으로 접속된다.
또 다른 실시예에 있어서, 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 제1차광막과 제2차광막을 접속하기 위한 접속 수단을 더 포함한다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 접속 수단은 투명 도전막으로 형성된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제1차광막과 상기 제2차광막은 일체로 된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 신호선들은 제1차광막 용으로 사용되는 형태의 재료로 형성된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 신호선, 상기 제1차광막 및 상기 제2차광막은 동일한 형태의 재료로 형성된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제2차광막 중의 어느 것도 게이트 선들과 중첩되지 않으며, 상기 대향 기판은 (1) 상기 제2차광막과 상기 주사선 사이의 갭, 및 (2) 화소 전극과 상기 주사선 사이의 갭;중 더 작은 것을 피복하는 제3차광막을 더 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고 각 박막 트랜지스터에 있는 드레인은 상기 제2차광막으로도 기능한다.
또 다른 실시예에 있어서, 동일한 화소 전극과 중첩하는 상기 제1차광막과 상기 제2차광막은 서로 전기적으로 접속된다.
따라서, 본 발명은(1) 기생 커패시턴스를 방지함으로써 향상된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제공하고, (2) 개구율을 저하시키지 않고 기생 커패시턴스를 방지함으로써 향상된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정표시 장치를 제공하고, (3) 제조 단계의 수를 증가시킴으로써 야기되는 수율의 저하를 방지하면서 개구율을 저하시키지 않으며, 기생 커패시턴스를 이용함으로써 향상된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제공하고, (4) 축적 커패시턴스로 기생 커패시턴스를 이용함으로써 향상된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제공하고, (5) 제조 단계의 수를 증가시킴으로써 야기되는 수율의 저하를 방지하면서, 기생 커패시턴스를 축적 커패시턴스로 이용하여 향성된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제공하며; (6) 기생 커패시턴스의 양을 감소시키면서 기생 커패시턴스를 축적 커패시턴스로 이용하여 향성된 표시 특성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제공하는 이점을 제공한다.
첨부 도면을 참조하면서, 본 발명을 이하에서 상세히 설명한다.
[실시예1]
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 평면도이며, 제2도는 제1도에 도시한 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도이다. 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 TFT(224)가 매트릭스 상태로 그 위에 형성된 액티브 매트릭스 기판(222), 상기 액티브 매트릭스 기판(222)에 대향한 대향 기판(223) 및 그 사이에 개재되어 있는 액정층(216)을 포함한다. 상기 액티브 매트릭스 기판(222)은 최저층으로서 절연 유리 기판(201) 수평으로 연장된 게이트선으로 그 위에 형성된 게이트선(202) 및 상기 게이트선(202)에서 분기된 TFT(124)의 게이트 전극(202a)을 포함한다.
게이트선(202)와 게이트 전극(202a)을 포함하는 유리 기판(201)에는 SiNX로 형성된 제1절연막(203)이 형성되고, 게이트 전극(202a)이 형성된 위치에서 제1절연막(203)을 피복하도록 a-Si층(도시 안됨)을 추가로 형성시킨다. 상기 a-Si막 위에 SiNX로 형성된 제2절연막(205)을 형성 시킨다. 금속으로 된 신호선으로 소스선(207)과 상기 소스선(207)에서 분기되는 TFT(224)의 소스 전극(207a)을 상기와 같이 형성된 유리 기판(201)상에 배치한다. 소스 전극(207a) 각각은 그 사이에 제1절연막(203)과 같은 유전체층을 가지며, 각 게이트 전극(202a)의 좌측부와 부분적으로 중첩한다. 각 TFT(224)의 드레인 전극으로도 기능하는 차광막(이하, 드레인 전극/차광막이라 함)을 각 게이트 전극(202a)의 우측부에 형성시켜, 상기 우측부보다 큰 면적을 점유하도록 한다. 이 때, 차광은 액정 표시 장치의 콘트라스트를 저하시키는 광의 누출을 방지하는 것을 의미한다.
또한, 복수의 접속공(213)을 갖는 제3절연막(212)을 상술한 막 등을 포함하는 유리 기판(201)의 거의 전 표면에 걸쳐 형성한다. 각각의 접촉공(213)을 통해 각 드레인 전극/차광막(208)의 드레인 전극 대응부와 접촉하도록, 상기 제3절연막(212)에 ITO(인듐 주석 산화물)를 피복하여 화소 전극(214)을 형성시킨다. 상기와 같이 형성된 유리 기판(201)의 상면에는 배향막(215)을 추가로 형성시킨다.
상술한 액티브 매트릭스 기판(222)과 그 대향 기판(223)은 다음과 같은 구조를 갖는다. 컬러 필터(220)와 대향 차광막(219)이 절연 유리 기판(221)상에 소정 패턴으로 형성된다. 상기 패터닝된 유리 기판(221)의 상면 전체를 ITO로 피복하여 대향 전극(218)을 그 위에 형성한다. 배향막(217)이 그 위에 형성된다. 상기 각각의 컬러 필터(220)는 각 화소 전극(214)과 대향한다.
이러한 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 제조 방법을 제3A도 내지 제3F도를 참조하여 이하에 설명한다.
(1)제3a도에 도시한 바와 같이, 예컨대 3000Å의 두께를 갖는 Ta막을 유리 기판(201)위에 형성하고 패터닝하여, 게이트선(202)과 게이트 전극(202a)을 형성한다. 상기 유리 기판(201)은 다른 광 투과 재료로 형성된 절연 기판 또는 투명 절연막으로 피복된 투명 기판으로 대체될 수 있다.
(2) 예컨대, 3000Å의 두께를 갖는 제1절연막(203)으로 SiNX 막을 상기 단계(1)에서 얻어진 유리 기판(201)의 전면에 스퍼터링이나 플라즈마 CVD법으로 형성한다. 이어서, 예컨대 300Å의 두께를 갖는 TFT(224)들의 반도체층으로서 a-Si층(도시 안됨)과, 예컨대 2000Å의 두께를 갖는 제2절연막(205)으로서의 SiNX 막을 유리 기판(201)의 상면 전체에 연속적으로 형성하고, 제3b도에 도시한 바와 같이 제2절연막(205)을 패터닝하도록 에칭한다.
제1절연막(203) 이전에 게이트선(202)은 양극 산화에 의해 부가 절연막을 형성한다. 상기 제1절연막(203)은 SiNX와 별도로, 다른 통상의 절연재로부터 형성될 수 있다.
(3) 그리고 나서, 예컨대 500Å의 두께를 갖는 인(P)으로 도핑된 a-Si 플라즈마 CVD법에 의해 전체 상면에 코팅하고, TFT(224)가 형성되는 부분에 a-Si층(도시 안됨)을 제공하도록 패터닝된다. 예컨대, 3000Å의 두께를 갖는 Mo층을 스퍼터링에 의해 형성하고, 제3c도에 도시된 바와 같은 패턴으로 소스선(207), 소스 전극(207a), 드레인 전극/차광막(208) 및 차광막(210)을 형성한다. 이 때, 상기 드레인 전극/차광막(208) 및 차광막(210)이 게이트선(202)과 충첩되지 않도록 해야 하며, 정렬 편향(alignment deviation)에 주의해야 한다.
(4) 다음, 예컨대 1㎛의 두꼐를 갖는 유기 보호막으로 상기에 따라 형성된 유리 기판(201)의 전체 상면을 피복하여 제3절연막(212)을 형성한다. 상기 제3절연막(212) 상에 에칭에 의해 접촉공(213)을 형성한다. 유기 보호막용 재료의 예로는, JSS-7215와 같은 아크릴 수지(니혼 고세이 고무사 제조), PIX-8803과 같은 폴피이미드(히타치 가세히사 제조)및 S414와 같은 감광성 폴리이미드(도레사 제조)가 있다. 상기 제3절연막(212)은 유기 재료와는 별도로 SiNX, SiO2등과 같은 무기 재료로 제조될 수 있다.
(5) 제3d도에 도시한 바와 같이, 상기 제3절연막(212)을 피복하고, 스퍼터링에 의해 접촉공(213)을 채우기 위해 ITO가 코팅되고, 예컨대, 각각 1000Å의 두께를 갖는 화소 전극(214)을 형성하도록 포토 애칭된다. 이 때, 상기 화소 전극(214)이 게이트선(202)과중첩되지 않도록 해야 하며, 정렬 편향에 특히 유의해야 한다. 이렇게 형성된 구조의 상면 전체를 폴리이미드로 코팅하여 배향막(215)을 형성하고, 러빙법으로 처리한다.
(6) 대향 기판(223)은 다음과 같이 제조된다. 제3E도에 도시된 패턴에서 대향 차광막(219)과 컬러 필터(220)를 유기 기판(221) 위에 형성한다. 화소 전극(214)들의 단부가 제2도에 도시된 바와 같이 드레인 전극/차광막(208)과 차광막(210)의 단부 바로 위에 위치할 때, 게이트선(202)과 드레인 전극/차광막(208) 사이의 갭 및 게이트선(202)과 차광막(210) 사이에 갭을 피복하도록 대향 차광막(219)을 제공한다. 화소 전극(214)들의 단부가 드레인 전극/차광막(208)의 단부 바로 위에 위치하지 않을 때, 대향 차광막(219)은 (1) 상기 게이트선(202)과 드레인 전극/차광막(208)사이의 갭; 및 (2) 상기 게이트선(202)과 화소 전극(214) 사이의 갭 중 작은 것을 피복한다. 화소 전극(214)의 단부가 차광막(210)의 단부 바로 위에 위치하지 않을 때, 상기 대향 차광막(219)은 (1) 상기 게이트선(202)과 차광막(210) 사이의 갭; 및 (2) 게이트선(202)과 화소 전극(214)사이에 갭 중 작은 것을 피복한다.
상술한 방식으로 얻어딘 유기 기판(221)의 상면 전체에 ITO를 피복하여 대향 전극(218)을 형성한다. 폴리이미드 등을 사용하여 배향막(217)을 그 위에 더 형성하고, 러빙법으로 처리한다. 상기 유리 기판(221)은 다른 투광성 재료로 제조된 절연 기판 또는 투명 절연막으로 코팅된 투명 기판으로 대체될 수 있다. 필요할 경우, 컬러 필터(220)는 생략될 수 있다. 이 단계(6)는 상기 단계 (1) 내지 (5), 즉 액티브 매트릭스 기판의 제조 전에 수행될 수 있다.
(7) 최종적으로, 재3f도에 도시된 바와 같이 액티브 매트릭스 기판(222)과 애향 기판(223)을 서로 접착시킨다. 액정셀을 얻기 위한 액정층(216)으로, 액정이 두 기판 사이에 주입된다.
상술한 방식으로 제조된 매트릭스형 액정 표시 장치가 있어서, 게이트선(202)은 제2도에 도시한 바와 같이 드레인 전극/차광막(208) 및 차광막(210)과 중첩되지 않는다. 따라서, 게이트선(202)과 드레인 전극/차광막(208) 및 게이트선(202)과 차광막(210) 사이에 기생 커패시턴스가 발생되지 않는다. 또한, 게이트선(202)은 드레인 전극/차광막(208) 및 차광막(210)과 화소 전극(214) 어느 것과도 중첩되지 않는다. 따라서, 게이트선(202)과 화소 전극(214) 사이에서도 기생 커패시턴스가 발생되지 않는다. 그 결과, 기생 커패시턴스로 인한 표시 특성의 저하가 방지된다.
두 기판들의 접착시의 정확도는 정렬정도(alignment accuracy)보다 낮다. 따라서, 종래 대향 기판상에 형성된 데향 차광막은 일반적으로 충분한 크기를 가져야 하며, 그 결과 개구율을 떨어뜨린다. 그러나, 본 발명에 따르면, 대향 차광막(219)은 게이트선(202)과 드레인 전극/차광막(208) 사이의 갭 및 게이트선(202)과 차광막(210) 사이의 갭만 차광하기 때문에 작게 될 수 있다. 그 결과, 개구율이 감소되지 않는다.
[실시예2]
제4도는 본 실시예의 액티브 매트리스 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 제1도에 도시된 부분가 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호로 표시했다.
본 실시예의 액정 표시 장치에 있어서, 드레인 전극/차광막(208)은 드레인 전극(209)과 차광막(210b)으로 분리되며, 이들은 별도로 형성되어 서로 간에 전기적 접속들 갖지 않는다. 또한, 본 실시예에 있어서, 차광막(210a, 210b)은 게이트선(202)과 중첩하지 않도록 형성되며, 상기 게이트선(202)들과 상기 화소 전극(214)들도 서로 중첩하지 않는다. 또한, 차광막(210a)과 게이트선(202) 사이의 갭 및 차광막(210b)가 게이트선(202) 사이의 갭을 피복하기 위하여 대향 차광막(219)을 대향 기판(223)상에 형성한다. 그러나, 화소 전극(214)들의 단부가 차광막(210b)의 단부 바로 위에 위치되지 않을 때, 대향 차광막(219)은 (1) 상기 게이트선(202)과 차광막(210b)사이의 갭; 및 (2) 게이트선(202)과 화소 전극(214) 사이의 갭 중 작은 것을 피복한다. 화소 전극(214)의 단부가 차광막(210a)의 단부 바로 위에 위치되지 않을때, 상기 대향 차광막(219)은 (1) 상기 게이트선(202)과 차광막(210a) 사이의 갭; 및 (2) 상기 게이트선(202)과 화소 전극(214)사이의 갭 중 작은 것을 피복하도록 제공된다.
상기 제2실시예에 있어서, 차광막 중 어느 것도 게이트선과 중첩되지 않는다. 따라서, 차광막과 게이트선(202) 사이에 기생 커패시턴스가 발생되지 않는다. 또한, 게이트선(202)이 화소 전극(214)과 중첩되지 않기 때문에, 게이트선(202)화 화소 전극(214)들 사이에도 기생 커패시턴스가 발생되지 않는다. 이러한 방식으로, 종래 구조와 비교하여 표시 특성이 향상된다. 특히, 대향 차광막(219)은 (1) 차광막(210a 또는 210b)[또는 드레인 전극/차광막(208)]과 게이트선(202)사이의 갭들; 및 (2) 화소 전극(214)과 게이트선(202) 사이의 갭 중 작은 것을 피복한다. 따라서, 갭을 통한 광의 누축이 차단될 수 있다. 또한 ,대향 차광막은 상기 갭만 차단하기 때문에 작게 될 수 있어, 개구율이 떨어지지 않게 된다. 더욱이, 부가적인 제조 단계를 요하지 않기 때무에 수율이 감소되지 않는다.
[실시예3]
제5도는 본 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 평면도이고, 제6도는 제5도에 도시된 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도이다. 상기 액정 표시 장치틀 TFT(324)들이 매트릭스 상태로 형성되어 있는 액티브 매트릭스 기판, 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향하는 대향 기판 및 그 사이에 개재되어 있는 액정을 포함한다.
액티브 매트릭스 기판은 최저층으로서의 절연 유리 기판(301), 슈평으로 연장된 게이트선으로서 그 위에 형성되는 게이트선(302) 및 상기 게이트선(302)에서 분기되는 TFT(324)들의 게이트 전극(302a)들을 포함한다.
게이트선(302)과 게이트 전극(302a)을 포함하는 유리 기판(301)에는 SiNX로 제조된 제1절연막(303)이 형성되고, 게이트 전극(302a)이 형성된 위치에서 제1절연막(303)을 피복하도록 a-Si층(도시 안됨)을 추가로 형성한다. SiNX로 제조된 제2절연막(305)을 상기 a-Si 막 위에 형성시킨다. 금속으로 된 수직 신호선으로 소스선(307)과 상기 소스선(307)에서 분기되는 TFT(324)들의 소스 전극(307a)을 상기와 같이 형성된 유리 기판(301)상에 배치한다. 소스 전극(307a) 각각은 그 사이에 제1절연막(303) 등이 개재된 상태로 각 게이트 전극(302a)의 좌측부와 부분적으로 중첩한다. TFT(324)의 드레인 전극 (309)을 게이트 전극(302a)의 우측부에 형성시킨다. 그 사이에 제1절연막(303) 등을 갖는 게이트선(302)과 부분적으로 중첩시키기 위해 드레인 전극(309)의 우측부에 아광막(310b)을 형성시킨다. 또한 또 다른 차광막(310)은 그 사이에 제1절연막(303)등을 갖는 게이트선(302)과 부분적으로 중첩되도록 게이트선(302)위로 상기 차광막(310b)과 접하여 형성된다.
또한, 복수의 접촉공(313)을 갖는 제3절연막(312)을 상술한 막 등을 수반하는 유리 기판(301)의 거의 전면에 걸쳐 형성한다. 상게 제3절연막(312)에 각각의 접촉공(313)을 통해 드레인 전극(309)과 접촉하도록 ITO를 코팅하여, 화소 전극(314)를 형성시킨다. 상기와 같이 형성된 유리 기판(301)의 상면에는 배향막(도시 안됨)을 더 형성시킨다.
상기 액티브 매트릭스 기판에 대향하는 대향 기판은 종래의 구조를 갖는다.
이와 같은 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 제조 방법을 제7a도 내지 제7d도를 참조하면서 설명한다.
(1) 제7a도에 도시된 바와 같이, 예컨대 3000Å의 두께를 갖는 Ta막을 유리 기판(301)위에 형성하고 패터닝하여, 게이트선(302)과 게이트 전극(302a)을 형성했다.
(2) 예컨대, 3000Å의 두께를 갖는 제1절연막(303)으로서 SiNX 막을 상기 단계(1)에서 얻어진 유리 기판(301)의 전면에 스퍼터링이나 플라즈마 CVD로 형성한다. 이어서, 예컨대 300Å의 두께를 갖는 TFT(324)들의 반도체층으로서의 a-Si층(도시 암됨)과, 예컨대 2000Å의 두꼐를 갖는 제2절연막(305)으로서의 SiNX 막을 유리 기판(301)의 상면 전체에 연속적으로 형성하고 에칭하여 제7B도에 도시한 바와 같이 제2절연막(305)을 패터닝한다.
다음, 제1절연막 이전에 게이트선(302)과 게이트 전극(302a)의 양그 산화에 의해 부가 절연막을 형성한다. 상기 제2절연막(305)은 SiNX와 별도의 다른 절연재로 형성될 수 있다.
(3) 그 후, 예컨대 500Å의 두께를 갖는 인(P)으로 도핑된 a-Si을 플라즈마 CVD법에 의해 전체 상면에 코팅하고 TFT(324)들이 형성되는 부분에 a-Si층(도시 안됨)을 제공하도록 패터닝한다. 예컨대, 2000Å의 두께를 갖는 Mo 층을 스퍼터링에 의해 혀성하고, 제7c도에 도시된 바와 같은 패턴으로 소스선(307), 소스 전극(307a), 드레인 전극(309)을 형성하도록 에칭한다.
예컨대, 1000Å의 두꼐를 갖는 Cr층을 스퍼터링에 의해 형성하고, 제7c도에 도시된 바와 같은 패턴으로 차광막(310, 310b)을 형성하도록 에칭한다.
다음, 예컨대 1㎛의 두께를 갖는 유기 보호막으로 상기에 따라 형성된 유리 기판(301)의 전체 상면을 피복하여 제3절연막(312)을 형성하고, 상기 제3절연막(312)상에 에칭에 의해 접촉공(313)을 형성한다. 유기 보호막용 재료의 예로는 JSS-7215와 같은 아크릴 수지(니혼 고세이 고무사 제조), PIX-8803과 같은 폴리미이드(히타치 가세히사 제조) 및 S414와 같은 감광성 폴리이미드(도레사 제조)가 있다. 상기 제3절연막(312)은 유기 재료와는 별도로 SiNX, SiO2 등과 같은 무기 재료로 제조될 수 있다.
(4) 결과적으로, 접촉공(313)과 차광막(310,310b)을 중첩시키기 위해, 예컨대 1000Å의 두께를 갖는 ITO막을 스퍼터링에 의해 제3절연막(312)상에 피복하고, 화소 전극(314)을 형성하도록 에칭한다. 그 결과, 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판이 얻어진다.
상술한 제조 단계는 제1실시예와 같이 소스선(307)과 소스 전극(307a)을 형성함과 동시에 소스선으로 사용되는 것과 동일한 금속을 사용하여 차광막(310,310b)을 형성함으로써 더욱 단순화 될 수 있다.
상기 액티브 매트릭스 기판에는 종래 방식으로 제조되는 대향 기판이 부착되며, 액정이 액정층으로 그 사이에 주입된다. 본 실시예의 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 이러한 방식으로 제조된다.
제조시, 각 게이느(302)는 대향 기판상의 대향 전극에 전기적으로 접속된다. 예컨대, 이들은 게이트선(302)에 입력되는 신호가 대향 전극으로 입력되는 신호와 동기될 수 있도록 액정 표시 장치를 구동하기 위한 회로에서 서로 접속된다. 즉, 대향 전극이 AC 전류에 의해 구동될 때, 게이트선(302)도 AC전류에 의해 구동된다. 상기 게이트선은 다른 방식으로 전극에 접속될 수 있다.
액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 기능을 이하에 설명한다. 다음 설명에 있어서, 제5도의 중앙 부분에 있는 화소는 (N-1)번째 화소이고, 그 상측에 있는 것은 N번째 화소로 된다.
N번째 화소에 속하는 화소 전극(314)과 그에 인접한 (N-1)번째 화소에 속하는 게이트선(302)을 피복하도록 형성되는 차광막(310)은 상기 게이트선(302)을 통해 대향 기판상의 대향 전극에 전기적으로 접속되다. 따라서, 제5도에서 사선으로 표시된 부분, 즉 화소 전극(314)과 차광막(310) 사이 및 화소 전극(314)과 게이트선(302) 사이에서 발생되는 기생 커패시턴스의 일부는 액정의 커패시턴스에 병렬로 접속되어, 축적 커패시턴스로 사용된다. 그 결과, 표시 특성에 대한 기생 커패시턴스의 효과, 즉 식 (1)에서 분모가 커지게 되어, 그 얻어진 비가 최소화되는 것으로 인해 표시 특성이 향상될 수 있다. 특히, 축적 커패시턴스를 제공하거나 제조 공정수를 증대시킬 필요가 없기 때문에, 개구율과 수율이 감소되지 않는다.
[실시예4]
제8도는 본 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 평면도이고, 제9도는 제8도에 도시된 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도이다. 제8도의 중앙 부분에 있는 화소는 (N-1)번째 화소이고, 그 상측에 있는 화소를 N번째 화소는 나타낸다. 제5도에 도시한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호로 표시했다.
본 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 실시예 1에서와 같은 드레인 전극/차광막(308)을 제외하고, 실시예 3과 동일한 구조를 갖는다. 그 제조 방법 역시 다음을 제외하고 싶시예 3과 동일하다. 실시예 3에서 Mo층을 에칭함으로써 드레인 전극(309)을 형성하는 대신에, 제8도에 도시한 바와 같은 패턴으로 드레인 전극/차광막(308)을 형성하고, 표시된 패턴의 차광막(310)을 Cr층을 사용하여 형성한다.
액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 동작을 이하에 설명한다.
N번째 화소에 속하는 화소 전극(314)과 인접한 (N-1)번째 화소에 속하는 게이트선(302)을 피복하기 위해 형성되는 차광막(310)은 상기 게이트선(302)을 통해 대향 기판상의 대향 전극에 전기적으로 접속된다. 따라서, 제5도에서 사선으로 표시된 부분, 즉 화소 전극(314)과 차광막(310) 사이 및 화소 전극(314)과 게이트선(302) 사이에서 발생되는 기생 커패시턴스의 일부가 액정의 커패시턴스에 병렬로 접속되어 축적 커패시턴스로 사용되며, 그 결과, 실시예 3과 동일한 효과를 얻는다. 특히, 이 액정 표시 장치는 드레인 전극과 차광막으로 일체로 기능하는 드레인 전극/차광막(308)을 채용하기 때문에, 실시예 3과 같이 드레인전극과 차광막 사이에 갭이 없게 된다. 그 결과, 이러한 갭을 통한 광의 누출로 인해 콘트라스트의 저하가 방지될 수 있다.
[실시예5]
제10도는 본 발명의 제5실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 평면도이고, 제11도는 제10도에 도시한 액정 표시 장치의 B-B'선 단면도이다. 제10도의 중앙 부분에 있는 화소는 (N-1)번째 화소이고, 그 상측에 있는 화소는 N번째 화소를 나타낸다. 제8도와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호로 표시했다.
본 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 차광막(310)에 드레인 전극/차광막(308)을 전기적으로 접속하기 위한 투명하고 도전성의 접속편(311)을 제외하고 실시예 4와 동일한 구조를 갖는다. 상기 접속편(311)은 드레인 전극석으로 기능한다. 그 제조 방법 역시 다음과 같은 상기 접속편(311)의 제조 단계가 부가되는 것을 제외하고 실시예 4와 동일하다. 실시예 4에서와 같이 차광막(310)을 형성한 후, 1000Å의 두께를 갖는 ITO층을 스퍼터링에 의해 피복하고, 접속편 (311)을 형성하도록 제10도에 도시한 바와 같은 패턴으로 에칭한다. 상기 접속편(312)위에 제3절연막(312)을 형성한다.
따라서, 제10도에서 사선으로 표시된 부분, 즉 화소 전극(314)과 게이트선(302) 사이의 부분에서 발생하는기생 커패시턴스의 일부가 액정의 커패시턴스에 병렬로 접속되어, 축적 커패시턴스로 사용된다. 상기 기생 커패시턴스는 차광막(310)이 드레인 전극/차광막(308)을 통해 화소 전극 (314)에 접속되기 때문에, 실시예 3 및 4 보다 작게 된다. 이에 따라, 실시예 3과 4에서보다 소량의 기생 커패시턴스가 축적 커패시턴스로 사용되더라고, 기생 커패시턴스의 양이 더 작아지기 때문에 화상이 고화질로 표시될 수 있다.
본 실시예는 제12a도 내지 제12c도에 도시된 바와 같이, 여러 가지 형태의 액티브 매트릭스 기판에 적용될 수 있다.
제12a도에 도시된 액티브 매트릭스 기판은 드레인 전극/선/차광막(308b)을 포함하며, 이는 본 실시예의 드레인 전극/차광막(308) 뿐만 아니라 드레인 전극선으로도 기능한다. 이 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 상기 드레인 전극/선/차광막(308b)은 차광막(310)에 전기적으로 접속된다.
제12b도에 도시된 액티브 매트릭스 기판은 드레인선/차광막(310a)을 포함하며, 이는 본 실시예의 차광막(310a)은 물론 드레인 전극선으로도 기능한다. 이 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 상기 드레인선/차광막(310a)은 드레인 전극/차광막(308)에 전기적으로 접속된다.
제12c도에 도시된 액티브 매트릭스 기판은 게이트선(302)에 인접하지 않은 일측을 제외하고 화소 전극(314)의 세 측면을 따라 뻗어 있는 드레인 전극/차광막(308c)을 포함한다. 상기 드레인 전극/차광막(308c)은 본 실시예의 드레인 전극/차광막(308)은 물론 차광막(310)으로도 기능한다.
상기 3가지 응용예에 있어서는 접속편(311)은 형성할 필요가 없기 때문에, 제조 단계가 단순화될 수 있다.
[실시예6]
제13도는 본 발명의 제6 실시예에 따른 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 평면도이고, 제14도는 제13도에 도시된 액정표시 장치의 B-B'에 따른 선 단면도이다. 제8도와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호로 표시했다.
액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 TFT(324)들이 매트릭스 상태로 그 위에 형성된 액티브 매트릭스 기판(322), 상기 액티브 매트릭스 기판(322)에 대향한 대향 기판(323) 및 그 사이에 개재되어 있는 액정층(316)을 포함한다.
상기 액티브 매트릭스 기판(322)은 실시예 4와 거의 동일한다. 그러나, 드레인 전극/차광막(308)은 게이트선(302)의 단부 바로 위에 위치되지 않고, 두 단부들 사이에 갭이 존재하게 된다.
상기 대향 기판(323)은 상기 갭을 피복하기 위해 유리 기판(321)위에 형성되 차광막(319)을 포함한다. 컬러 필터(320)은 액티브 매트릭스 기판(322) 상의화소 전극(314)에 대향하며, 배향막(317)이 다시 그 위에 형성된다. 필요할 경우, 상기 컬러 필터(320)는 생략될 수 있다.
상기 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 제조 방법을 이하에 설명한다.
액티브 매트릭스 기판(322)은 실시예 4와 동일하게 제조된다.
제8도에 도시한 바와 같은 패턴으로 유리 기판(321)위에 차광막(319)을 형성한다. 상기 차광막(319)은 포함하는 유리 기판(321)의 전체 표면에 걸쳐 대향 전극(318)으로서 ITO막을 코팅한다. 폴리이미드를 상기 대향 전극(318) 상에 코팅하여 배향막(317)을 형성한 다음, 러빙법으로 처리한다. 필요할 경우, 화소 전극(314)의 대향 부분에 컬러 필터(320)를 형성한다.
끝으로, 액티브 매트릭스 기판(322)과 대향 기판(323)을 서로 접착하고, 그 사이에 액정층(316)을 형성하도록 액정을 주입한다.
이와 같은 액티브 매트릭스 액정 표시 장치는 축적 커패시턴스로 기생 커패시턴스를 이용함으로써 얻어지는 효과와는 별도로 게이트선으로서 게이트선(302)을 통한 광의 누출이 완전히 차단되기 때문에 표시 특성을 향상시키는 효과를 갖는다.
본 실시예에 있어서, 드레인 전극/차광막(308)과 게이트선(302) 사이의 갭을 통한 광의 누출을 차단하기 위한 차광막(319)이 제공된다. 그런, 차광막(319)의 위치는 액티브 매트릭스 기판상에 형성된 차광막을 통한 광의 누출을 완전히 차단할수 있는 한, 이에 제한되지 않는다.
당업자들은 본 발명의 관점 및 정신을 벗어남이 없이 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 첨부된특허 청구의 범위는 명시된 사항에 한정되는 것은 아니며, 이 특허 청구 범위에 명시된 모든 특징적 사항은 그 애웅 균등물을 포괄하여 넓게 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 액티브 매트릭스 기판으로, 복수의 평생 주사선; 상기 주사선과 교차하는 복수의 평행 신호선; 두 인접 주사선과 두 인접 신호선에 의해 한정되는 기판부에 각각 형성된 화소 전극; 각각이 대응 화소 전극, 대응 주사선 및 대응 신호선에 접속된 스위칭 소자; 및 각 쌍이 상기 주사선을 따라 누출되는 광을 차단하기 위해 각 주사선의 양측을 따라 제공되는 제1차광막쌍;을 갖는 액티브 매트릭스 기판; 대향 기판으로, 대향 전극; 및 상기 제1 차광막에 의해 차단되지 않은 누축광을 차단하기 위한 제2 차광막;을 갖고 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향한 대향 기판; 및 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이의 액정층; 을 포함하고, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고, 각 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 차광막쌍 중 하나로도 기능하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 차광막 중 어느 것도 상기 주사선과 중첨되지 않는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 차광막은 (1) 상게 제1 차광막쌍과 그 상기에 개재된 상기 주사선 사이의 갭; 및 (2) 상기 화소 전극과 상기 주사선 사이의 갭;중 더 작은 것을 덮는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 신호선은 상기 제1 차광막용으로 사용되는 형태의 재료로 형성되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  5. 액티브 매트릭스 기판으로, 복수의 평생 주사선; 상기 주사선과 교차하는 복수의 평행 신호선; 두인접 주사선과 두 인접 신호선에 의해 한정되는 기판부에 각각 형성된 화소 전극; 각각이 대응 화소 전극, 대응 주사선 및 대응 신호선에 접속된 스위칭 소자; 및 각각이 상기 주사선을 따라 누출되는 광을 차단하기 위해 인접한 화소 전극과 중첩하도록 형성된 제1 차광막;을 갖는 액티브 매트릭스 기판; 상기 주사선에 전기적으로 접속된 대향 전극을 갖고 상기 액티브 매트릭스 기판에 대향한 대향 기판; 및 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이의 액정층;을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 주사선을 가로질러 상기 차광막에 각각 대향한 제2 차광막을 더 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고, 각 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제2 차광막으로도 기능하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 동일한 화소 전극과 중첩하는 제2 차광막과 제1 차광막은 서로 전기적으로 접속되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 차광막과 상기 제2 차광막을 접속하기 위한 접속 수단을 더 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 접속 수단은 투명 도전막으로 형성되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 차광막과 상기 제2 차광막은 일체로 되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 신호선은 상기 제1 차광막용으로사용되는 형태의 재료로 형성되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  13. 제6항에 있어서, 상기 신호선, 상기 제1 차광막 및 상기 제2 차광막은 동일한 형태의 재료로 형성되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  14. 제6항에 있어서, 상기 제2 차광막 중의 어느 것도 상기 주사선과 중첩되지 않으며, 상기 대향 기판은 (1) 상기 제2 차광막과 상기 주사선 사이의 갭; 및(2) 상기 화소 전극과 상기 주사선 사이의 갭;중 더 작은 것을 덮는 제3차광막을 더 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이고, 각 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제2 차광막으로도 기능하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서, 동일한 화소 전극과 중첩하는 상기 제2 차광막과 상기 제1 차광막은 서로 전기적으로 접속되는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치.
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