JP3322556B2 - Flat panel display - Google Patents
Flat panel displayInfo
- Publication number
- JP3322556B2 JP3322556B2 JP06354096A JP6354096A JP3322556B2 JP 3322556 B2 JP3322556 B2 JP 3322556B2 JP 06354096 A JP06354096 A JP 06354096A JP 6354096 A JP6354096 A JP 6354096A JP 3322556 B2 JP3322556 B2 JP 3322556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- wiring
- display device
- driver
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置やプ
ラズマディスプレイなどの平面表示装置及びその製造方
法に関し、特に、薄膜トランジスタ(TFT)等のスイ
ッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表
示装置とその製造方法に適している。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat display device such as a liquid crystal display device and a plasma display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an active matrix type liquid crystal display device having a switching element such as a thin film transistor (TFT) and the like. Suitable for manufacturing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7から図8を参照しながら、従来の平
面表示装置として、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置を説明する。2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device will be described as a conventional flat display device with reference to FIGS.
【0003】まず、図7を参照する。図示されている液
晶表示装置70は、アクティブマトリクス基板59と、
それに対向配置された対向基板60とを備えている。両
基板59及び60の間には液晶層(不図示)が封入さ
れ、表示領域51が構成されている。アクティブマトリ
クス基板59の上には、表示領域51の周囲に駆動領域
71が設けられている。First, reference is made to FIG. The illustrated liquid crystal display device 70 includes an active matrix substrate 59,
And an opposing substrate 60 disposed opposing thereto. A liquid crystal layer (not shown) is sealed between the two substrates 59 and 60 to form a display area 51. On the active matrix substrate 59, a drive area 71 is provided around the display area 51.
【0004】駆動領域71には、COG(Chip o
n G1ass)方式で複数の駆動用ドライバ55が実
装されている。駆動領域71の駆動用ドライバ55から
所定の信号を走査配線53および信号配線54に送り、
表示領域51に設けられたスイッチング素子(不図示)
を駆動している。駆動用ドライバ55どうしは駆動領域
71に設けられた共通配線52で接続されている。共通
配線52は、駆動用ドライバ55への電源の接続や信号
伝送などのために共通に用いられる配線である。[0004] In the driving area 71, COG (Chip o
n G1ass) method, a plurality of driving drivers 55 are mounted. A predetermined signal is sent from the driving driver 55 of the driving area 71 to the scanning wiring 53 and the signal wiring 54,
Switching element (not shown) provided in display area 51
Is driving. The driving drivers 55 are connected by a common wiring 52 provided in the driving area 71. The common wiring 52 is a wiring commonly used for connection of a power supply to the driving driver 55, signal transmission, and the like.
【0005】駆動用ドライバ55へは、図示しないFP
C(F1exib1e Printed Circui
t)等を用いて入力端子58から共通配線52を介して
駆動電流や信号が入力される。An FP (not shown) is connected to the driving driver 55.
C (F1exib1e Printed Circuit)
A drive current or a signal is input from the input terminal 58 via the common wiring 52 using t) or the like.
【0006】図8は、アクティブマトリクス基板59の
ドライバ領域71のB−B’線断面図である。図8から
わかるように、アクティブマトリクス基板59上のドラ
イバ領域71には、共通配線52が設けられている。駆
動用ドライバ55と共通配線52、走査配線53または
信号配線54とが、駆動用ドライバ55のバンプ56お
よび異方性導電膜(以下、ACFと呼ぶ)57を介して
接続されている。FIG. 8 is a sectional view taken along the line BB ′ of the driver region 71 of the active matrix substrate 59. As can be seen from FIG. 8, the common wiring 52 is provided in the driver area 71 on the active matrix substrate 59. The driving driver 55 is connected to the common wiring 52, the scanning wiring 53, or the signal wiring 54 via a bump 56 of the driving driver 55 and an anisotropic conductive film (hereinafter, referred to as ACF) 57.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】近年、EMI(不要輻
射)に対する規制が厳しくなり、表示装置のEMIを低
減することが必要不可欠である。表示装置のEMIを低
減する方法として、例えば、図9に示す特開平6−37
478号公報に開示されている液晶駆動装置のように、
金属箔テープを電源系配線に貼付けることでEMIを低
減する方法が提案されている。In recent years, regulations on EMI (unwanted radiation) have become stricter, and it is essential to reduce EMI of a display device. As a method for reducing the EMI of the display device, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-37 shown in FIG.
As in the liquid crystal driving device disclosed in Japanese Patent Publication No. 478,
A method for reducing EMI by attaching a metal foil tape to a power supply wiring has been proposed.
【0008】しかし、上記の方法を効果的に用いるため
には、駆動領域のほぼ全面に金属箔テープを貼付けなけ
ればならないため、表示装置のコストアップの要因にな
る。また、上記の方法では、配線に金属箔テープを貼る
際に、配線を傷つけたり、断線させる可能性が大きいた
め、表示装置の良品率が低下してしまう。そのうえ、表
示装置の製造工程間で、製造中の表示装置を移動する際
に配線がむき出しの状態で移動することになるので、表
示装置の移動中に配線の断線が起こりやすく、表示装置
の良品率が低下していた。However, in order to effectively use the above method, a metal foil tape must be attached to almost the entire driving area, which causes an increase in the cost of the display device. In addition, in the above-described method, when a metal foil tape is applied to the wiring, there is a high possibility that the wiring is damaged or disconnected, so that the non-defective rate of the display device is reduced. In addition, during the manufacturing process of the display device, when the display device being manufactured is moved, the wiring is moved in an exposed state, so that the wiring is likely to be disconnected during the movement of the display device, and a good display device is manufactured. The rate was falling.
【0009】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであって、その目的とするところ
は、表示装置を形成する際に用いる各種絶縁膜(層間絶
縁膜、カラーフィルタ一など)を共通配線の上に設け、
その共通配線上に導電膜を形成することにより、配線の
保護を達成するとともに製造工程の増加をほとんど生じ
ない安価なEMI対策を施した表示装置とその製造方法
を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide various kinds of insulating films (interlayer insulating films, color filters, etc.) used for forming a display device. On the common wiring,
An object of the present invention is to provide an inexpensive EMI countermeasure display device and a method of manufacturing the same, in which a conductive film is formed on the common wiring to achieve protection of the wiring and hardly increase the number of manufacturing steps.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による平面表示装置は、少なくとも複数の走査
線と複数の信号線とが形成された表示領域と、該走査線
および該信号線に信号を送る駆動用ドライバが設けられ
た駆動領域とを備えた平面表示装置であって、該駆動用
ドライバどうしを接続する共通配線または駆動用ドライ
バと外部入力端子とを結ぶ共通配線の少なくとも一方が
絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には導電膜が形成さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。In order to solve the above-mentioned problems, a flat display device according to the present invention comprises a display area in which at least a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines are formed, the scanning lines and the signal lines. And a driving area provided with a driving driver for transmitting a signal to at least one of a common wiring connecting the driving drivers or a common wiring connecting the driving driver and an external input terminal. Is covered with an insulating film, and a conductive film is formed on the insulating film, thereby achieving the above object.
【0011】本発明による平面表示装置は、上記の構造
により、EMIの発生を簡単な構造で抑えることができ
る。また、絶縁膜はEMIの発生を抑制するだけでな
く、共通配線を保護する役目も同時に果すので、表示装
置の信頼性が向上する。The flat display device according to the present invention can suppress the generation of EMI with a simple structure due to the above structure. In addition, since the insulating film not only suppresses the generation of EMI but also serves to protect the common wiring, the reliability of the display device is improved.
【0012】上記導電膜が画素電極と同一の膜をパター
ニングすることによって形成されていてもよい。The conductive film may be formed by patterning the same film as the pixel electrode.
【0013】上記絶縁膜は、上記表示領域において上記
走査線または上記信号線を覆う層間絶縁膜と同一の膜か
ら形成されていてもよい。The insulating film may be formed of the same film as an interlayer insulating film covering the scanning lines or the signal lines in the display area.
【0014】上記導電膜がGND配線に接続されていて
もよい。The conductive film may be connected to a GND wiring.
【0015】このことにより、さらにEMIの発生を抑
制することができる。[0015] This makes it possible to further suppress the occurrence of EMI.
【0016】本発明による平面表示装置の製造方法は、
基板上に、走査配線を形成し、該走査配線上に絶縁膜を
設け、該走査配線と交差するように信号配線を形成し、
該走査配線と該信号配線とのそれぞれの交差部近傍にス
イッチング素子を形成する工程と、該基板上に駆動ドラ
イバ用共通配線を設ける工程と、該走査配線、該信号配
線および該スイッチング素子の上部および該共通配線上
に層間絶縁膜を形成した後、該層間絶縁膜をパターニン
グすることによって該共通配線を覆う絶縁膜を形成する
工程と、該層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫くコンタクト
ホールを形成する工程と、該コンタクトホールを介して
該スイッチング素子と接続される画素電極を該層間絶縁
膜上に設けるとともに、該絶縁膜上に導電膜を形成する
工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成
される。The method for manufacturing a flat panel display according to the present invention comprises:
On a substrate, a scan wiring is formed, an insulating film is provided over the scan wiring, and a signal wiring is formed so as to intersect with the scan wiring.
Forming a switching element in the vicinity of each intersection of the scanning wiring and the signal wiring; providing a common wiring for a driver on the substrate; and forming upper parts of the scanning wiring, the signal wiring and the switching element. Forming an interlayer insulating film on the common wiring, forming an insulating film covering the common wiring by patterning the interlayer insulating film, and forming a contact hole penetrating the interlayer insulating film in the interlayer insulating film. Forming a pixel electrode connected to the switching element through the contact hole on the interlayer insulating film, and forming a conductive film on the insulating film. This achieves the above object.
【0017】本発明による平面表示装置の製造方法は、
工程の増加を必要とせずEMI対策ができコストアップ
を生じない。また、共通配線を製造工程中でも保護する
ことができ、断線がおこらないため、良品率が向上す
る。The method for manufacturing a flat panel display according to the present invention comprises:
EMI countermeasures can be taken without requiring an increase in the number of steps, and no cost increase occurs. In addition, the common wiring can be protected even during the manufacturing process, and the disconnection does not occur, so that the yield rate is improved.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0019】(実施形態1)図1に、本発明によるアク
ティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置15の構成
を示す。また、図2に液晶表示装置15のA−A’線断
面を示す。(Embodiment 1) FIG. 1 shows a configuration of a liquid crystal display device 15 provided with an active matrix substrate according to the present invention. FIG. 2 shows a cross section taken along line AA ′ of the liquid crystal display device 15.
【0020】まず、液晶表示装置15の構造を説明す
る。アクティブマトリクス基板9の上には、TFT、M
IMなどのスイッチング素子(図示せず)がマトリクス
状に配列された表示領域1が設けられている。表示領域
1の上には、ガラス基板などの透明な対向基板10が所
定間隔をあけて配置され、その対向基板10とアクティ
ブマトリクス基板9との間は液晶層が設けられている。First, the structure of the liquid crystal display device 15 will be described. On the active matrix substrate 9, TFT, M
A display area 1 in which switching elements (not shown) such as IMs are arranged in a matrix is provided. On the display area 1, a transparent counter substrate 10 such as a glass substrate is arranged at a predetermined interval, and a liquid crystal layer is provided between the counter substrate 10 and the active matrix substrate 9.
【0021】アクティブマトリクス基板9の表示領域1
以外の領域に、駆動領域16が設けられている。駆動領
域16は、アクティブマトリクス基板9の表示領域1の
全周囲に形成されていてもよい。駆動領域16には、C
OG方式で実装された複数の駆動用ドライバ5が設けら
れている。駆動用ドライバ5は、所定の信号を走査配線
としてのゲート配線3および信号配線としてのソース配
線4に送り、スイッチング素子を駆動する。駆動用ドラ
イバ5どうしは駆動領域16に設けられた共通配線2に
よって接続されている。Display area 1 of active matrix substrate 9
A drive region 16 is provided in a region other than the above. The drive area 16 may be formed around the entire display area 1 of the active matrix substrate 9. The drive area 16 includes C
A plurality of driving drivers 5 mounted in the OG system are provided. The driving driver 5 sends a predetermined signal to the gate wiring 3 as a scanning wiring and the source wiring 4 as a signal wiring to drive a switching element. The driving drivers 5 are connected by a common wiring 2 provided in the driving area 16.
【0022】駆動用ドライバ5へは、共通配線2aを介
して、入力端子8から電源電圧や信号が供給される。入
力端子8は図示しないFPC等を介して、電源に接続さ
れている。駆動用ドライバ5と共通配線2、2a、ゲー
ト配線3またはソース配線4とが、駆動用ドライバ5の
バンプ6およびACF7を介して接続されている。AC
Fのかわりにペースト材や半田を用いてもよい。The driver 5 is supplied with a power supply voltage and a signal from the input terminal 8 via the common wiring 2a. The input terminal 8 is connected to a power supply via an unillustrated FPC or the like. The driving driver 5 is connected to the common wiring 2, 2 a, the gate wiring 3 or the source wiring 4 via the bump 6 and the ACF 7 of the driving driver 5. AC
A paste material or solder may be used instead of F.
【0023】駆動領域16のうち、駆動ドライバ5が設
けられておらず、かつ共通配線2が設けられている領域
17上には、絶縁膜11および絶縁膜11上に形成され
た導電膜12が設けられている。本実施形態では、表示
領域1内に形成される層間絶縁膜(図示せず)の材料と
して用いられるアクリル樹脂によって絶縁膜11が形成
されている。また、表示領域1内に形成される画素電極
の材料として用いられるITOによって導電膜12が形
成されている。The insulating film 11 and the conductive film 12 formed on the insulating film 11 are formed on an area 17 of the driving area 16 where the driving driver 5 is not provided and the common wiring 2 is provided. Is provided. In the present embodiment, the insulating film 11 is formed of an acrylic resin used as a material of an interlayer insulating film (not shown) formed in the display region 1. Further, the conductive film 12 is formed of ITO used as a material of a pixel electrode formed in the display region 1.
【0024】液晶表示装置15では、EMIの発生が抑
制され、かつ製造工程での断線が発生しにくい。また、
絶縁膜11にアクリル樹脂のような低誘電率の絶縁膜を
用いることにより、共通配線2を通る信号の波形の変形
を抑えることができる。さらに、絶縁膜11が共通配線
2を保護するため、表示装置を高温、多湿など非常に厳
しい環境下、例えば車の中で用いる場合でも、性能が低
下しない。In the liquid crystal display device 15, the generation of EMI is suppressed, and the disconnection hardly occurs in the manufacturing process. Also,
By using a low-dielectric-constant insulating film such as an acrylic resin for the insulating film 11, deformation of the waveform of a signal passing through the common wiring 2 can be suppressed. Further, since the insulating film 11 protects the common wiring 2, even if the display device is used in a very severe environment such as high temperature and high humidity, for example, in a car, the performance does not deteriorate.
【0025】次に、液晶表示装置15の製造方法を説明
する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device 15 will be described.
【0026】まず、ガラス基板からなる透明な絶縁性基
板上に、タンタルをCVD法により4000オングスト
ロームの厚さに成膜した後、パターニングしてゲート配
線3を形成する。その後、前記ゲート配線3の表面に2
000オングストロームの厚さだけ陽極酸化を行った。
このように陽極酸化を行うことにより、走査配線1と後
に形成する半導体層との絶縁性が向上し、付加容量(C
s)が大きくなる。First, a tantalum film is formed to a thickness of 4000 Å by a CVD method on a transparent insulating substrate made of a glass substrate, and then patterned to form a gate wiring 3. Then, 2
Anodization was performed for a thickness of 2,000 angstroms.
By performing the anodic oxidation in this manner, the insulating property between the scanning wiring 1 and a semiconductor layer to be formed later is improved, and the additional capacitance (C
s) increases.
【0027】その後、前記ゲート配線3上に、図示しな
いチッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜をCVD法に
より5000オングストロームの膜厚に成膜し、前記ゲ
ート絶縁膜上に図示しないSi半導体層を連続して10
00オングストロームの厚さだけ堆積した後、パターニ
ングしてチャネル部を形成する。その後、図示しないn
+Si等によりコンタクト部を形成する。Thereafter, a gate insulating film (not shown) made of silicon nitride or the like (not shown) is formed to a thickness of 5000 angstroms by the CVD method on the gate wiring 3, and a Si semiconductor layer (not shown) is continuously formed on the gate insulating film. Then 10
After depositing a thickness of 00 Å, patterning is performed to form a channel portion. Then, n not shown
A contact portion is formed by + Si or the like.
【0028】次に、CVD法によりAlを1000〜3
000オングストロームの膜厚に成膜した後、パターニ
ングすることによりソース配線4を形成する。このとき
同時に共通配線2およびゲート配線3の実装端子部も形
成する。Next, Al is deposited at 1000 to 3 by the CVD method.
After the film is formed to a thickness of 000 angstroms, the source wiring 4 is formed by patterning. At this time, the mounting terminals of the common wiring 2 and the gate wiring 3 are also formed at the same time.
【0029】次に、スピンコート法により、ソース配線
4上に感光性のアクリル系樹脂を用いて3μmの膜厚の
層間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜は絶縁膜11も
兼ねている。アクリル系樹脂の比誘電率は3.4程度で
あり、無機膜の比誘電率(一般的に絶縁膜としてよく用
いられているチッ化シリコンの比誘電率は8)に比べて
低い。また、アクリル系樹脂は透明度が高く、かつスピ
ンコート法、ロールコート法、またはスロットコート法
により容易に3μmという厚い膜厚に形成することがで
きる。したがって、上記のように層間絶縁膜にアクリル
系樹脂を用いることにより、ソース配線と画素電極との
間の寄生容量を低くすることができ、各ソース配線4と
画素電極との間の寄生容量が表示に与えるクロストーク
等の影響をより低減することが可能となり、良好で明る
い表示を得ることができる。Next, an interlayer insulating film having a thickness of 3 μm is formed on the source wiring 4 using a photosensitive acrylic resin by spin coating. This interlayer insulating film also serves as the insulating film 11. The relative permittivity of the acrylic resin is about 3.4, which is lower than the relative permittivity of the inorganic film (the relative permittivity of silicon nitride commonly used as an insulating film is 8). Further, the acrylic resin has high transparency and can be easily formed into a thick film having a thickness of 3 μm by a spin coating method, a roll coating method, or a slot coating method. Therefore, by using an acrylic resin for the interlayer insulating film as described above, the parasitic capacitance between the source wiring and the pixel electrode can be reduced, and the parasitic capacitance between each source wiring 4 and the pixel electrode can be reduced. It is possible to further reduce the influence of crosstalk and the like on the display, and it is possible to obtain a good and bright display.
【0030】このとき、層間絶縁膜が絶縁膜11を兼ね
ることにより、製造プロセスを増やすことなく絶縁膜1
1が形成される。さらに、絶縁膜11は比誘電率が低
く、かつ容易にその膜厚を厚くすることができるので、
共通配線2上の容量が抑えられ、信号遅延や信号波形の
変形が抑制される。また、アクリルのような有機樹脂を
用いることによりピンホールができないためリークを防
止することができる。さらに、アルミのようにヒロック
のできやすい金属を共通配線2に使用した場合でも、絶
縁膜11が共通配線2を保護するので、共通配線2のヒ
ロックを防止できる。At this time, since the interlayer insulating film also serves as the insulating film 11, the insulating film 1 can be formed without increasing the manufacturing process.
1 is formed. Further, since the insulating film 11 has a low relative dielectric constant and can easily increase its thickness,
The capacitance on the common wiring 2 is suppressed, and signal delay and deformation of the signal waveform are suppressed. In addition, since an organic resin such as acryl is used to form a pinhole, leakage can be prevented. Further, even when a metal such as aluminum that easily forms a hillock is used for the common wiring 2, the insulating film 11 protects the common wiring 2, so that hillocks of the common wiring 2 can be prevented.
【0031】また、上記のように、感光性のアクリル樹
脂を用いれば、パターニングにフォトレジスト塗布工程
が不要となるので、生産性の点で有利である。As described above, when a photosensitive acrylic resin is used, a photoresist coating step is not required for patterning, which is advantageous in terms of productivity.
【0032】本実施形態では、層間絶縁膜の材料として
用いるアクリル系樹脂に、塗布前に着色しているものを
使用する。その理由は、塗布前に着色しているアクリル
系樹脂はパターニングが行い易く、またパターニング後
に全面露光処理を施すことにより、透明化することがで
きるからである。このような樹脂の透明化処理は、光学
的に行うことができるだけでなく、化学的に行うことも
可能である。In this embodiment, the acrylic resin used as the material of the interlayer insulating film is colored before application. The reason is that the acrylic resin colored before application is easily patterned, and can be made transparent by performing an overall exposure process after patterning. Such a transparent treatment of the resin can be performed not only optically but also chemically.
【0033】次に、前記層間絶縁膜上に、ITOを15
00オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニン
グして、画素電極(図示せず)を形成した。このとき同
時に、EMI対策用導電膜12および実装端子(駆動用
ドライバ5の接続部および入力端子8の接続部)を形成
した。このことにより、全く工程を増加させずにEMI
対策や共通配線2の保護を行うことができる。また、実
装端子の接続抵抗の安定化を図ることができる。その際
に、アッシング等によって層間絶縁膜の樹脂の表面を荒
すことにより、層間絶縁膜と画素電極との密着性および
絶縁膜11と導電膜12との密着性を改善するとなお良
い。Next, on the interlayer insulating film, 15
After depositing to a thickness of 00 Å, patterning was performed to form a pixel electrode (not shown). At this time, the conductive film 12 for EMI countermeasure and the mounting terminal (the connection part of the driving driver 5 and the connection part of the input terminal 8) were formed at the same time. This allows EMI without any additional steps.
Countermeasures and protection of the common wiring 2 can be performed. Further, the connection resistance of the mounting terminal can be stabilized. At this time, it is more preferable to improve the adhesion between the interlayer insulating film and the pixel electrode and the adhesion between the insulating film 11 and the conductive film 12 by roughening the surface of the resin of the interlayer insulating film by ashing or the like.
【0034】その後、ポリイミド等からなる配向膜を形
成してラビング処理を行う(図示せず)。このとき、層
間絶縁膜の膜厚は3μmであり、層間絶縁膜は十分厚く
形成されているため、層間絶縁膜の表面は平坦化され、
配向乱れ等の問題は発生しない。その後、アクティブマ
トリクス基板9と、図示しないブラックマトリクス、対
向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板10と
の問に液晶を挟んで液晶表示パネルを完成させる。Thereafter, an alignment film made of polyimide or the like is formed and a rubbing process is performed (not shown). At this time, the thickness of the interlayer insulating film is 3 μm, and since the interlayer insulating film is formed sufficiently thick, the surface of the interlayer insulating film is flattened,
No problem such as alignment disorder occurs. Thereafter, a liquid crystal display panel is completed by interposing a liquid crystal between the active matrix substrate 9 and a counter substrate 10 having a black matrix, a counter electrode, and a color filter (not shown).
【0035】その後に、駆動用ドライバ5をACF7を
用いてゲート配線3およびソース配線4に接続し、本発
明の実施形態1の液晶表示装置が完成する。Thereafter, the driving driver 5 is connected to the gate wiring 3 and the source wiring 4 by using the ACF 7, and the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention is completed.
【0036】以上のようにして作製された本実施形態1
の液晶表示装置では、その製造工程においてEMI対策
のための新たな工程を全く必要としないため、液晶表示
装置のコストアップが生じない。The first embodiment manufactured as described above
In the liquid crystal display device described above, a new process for EMI countermeasures is not required at all in the manufacturing process, so that the cost of the liquid crystal display device does not increase.
【0037】また、従来の製造工程に比べて、共通配線
2が基板表面に露出されている時間が少なくなるので、
ゴミ等の原因による断線の確率が大幅に減少するため、
良品率が大幅に向上する。Further, the time during which the common wiring 2 is exposed on the substrate surface is reduced as compared with the conventional manufacturing process.
Because the probability of disconnection due to garbage etc. is greatly reduced,
The non-defective rate is greatly improved.
【0038】なお、層間絶縁膜を染色するなどしてカラ
ーフィルタの機能を兼ねるようにすることもできる。ま
た、層間絶縁膜および絶縁膜11の材料としてアクリル
樹脂以外のものを使用することも可能である。層間絶縁
膜および絶縁膜11の材料には、比誘電率が低く透明度
の高いもの、具体的には過射光領域の透過率90%以上
のものを用いることが好ましい。例えば、ポリアミドイ
ミド(比誘電率3.5〜4.0)、ポリアリレート
(3.0)、ポリエーテルイミド(3.2)、エポキシ
(3.5〜4.0)、透明度の高いポリイミド(3.0
〜3.4:例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二
無水物とジアミンとの組合わせ)等を用いることができ
る。It is to be noted that the function of a color filter may be performed by dyeing the interlayer insulating film. Further, it is also possible to use a material other than acrylic resin as the material of the interlayer insulating film and the insulating film 11. As the material of the interlayer insulating film and the insulating film 11, it is preferable to use a material having a low relative dielectric constant and a high degree of transparency, specifically, a material having a transmittance of 90% or more in the incident light region. For example, polyamideimide (relative dielectric constant 3.5 to 4.0), polyarylate (3.0), polyetherimide (3.2), epoxy (3.5 to 4.0), polyimide with high transparency ( 3.0
To 3.4: for example, a combination of an acid dianhydride containing hexafluoropropylene and a diamine).
【0039】(実施形態2)図3および図4を参照し
て、実施形態2の液晶表示装置25を説明する。図3は
図4のA−A’線の断面図である。なお、実施形態1の
液晶表示装置15と同様なものには同じ番号を付し説明
を省く。(Embodiment 2) A liquid crystal display device 25 of Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. Note that the same components as those of the liquid crystal display device 15 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0040】本実施形態2の液晶表示装置25では、E
MI対策用導電膜22が絶縁膜11を覆っている。液晶
表示装置25では、EMI対策用導電膜22がアクティ
ブマトリクス基板9上に形成された電気的にグランドな
配線23(以下、GND配線と呼ぶ)に接続されている
ので、さらに効果的なEMI対策が行われている。もち
ろん本実施形態でもコストアップは生じない。駆動ドラ
イバ5、できることならEMI対策用導電膜11と金属
ベゼル24(図4では図示せず)を接地するとさらに効
果的である。In the liquid crystal display device 25 of the second embodiment, E
The anti-MI conductive film 22 covers the insulating film 11. In the liquid crystal display device 25, the EMI countermeasure conductive film 22 is connected to the electrically grounded wiring 23 (hereinafter referred to as GND wiring) formed on the active matrix substrate 9, so that a more effective EMI countermeasure is provided. Has been done. Of course, no cost increase occurs in the present embodiment. It is more effective to ground the drive driver 5, preferably the EMI countermeasure conductive film 11, and the metal bezel 24 (not shown in FIG. 4).
【0041】(実施形態3)図5に、実施形態3の液晶
表示装置35を示す。図5は図1のA−A’線の断面図
に相当する。本実施形態の説明においても、実施形態1
の液晶表示装置15と同様のものには同じ番号を付し説
明を省く。Third Embodiment FIG. 5 shows a liquid crystal display device 35 of a third embodiment. FIG. 5 corresponds to a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In the description of the present embodiment, the first embodiment
The same components as those of the liquid crystal display device 15 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【0042】図5に示すように、液晶表示装置35で
は、EMI対策用導電膜32がアクティブマトリクス基
板9上に形成されたGND配線23および駆動用ドライ
バ5と接続されていることにより、接地面積が大きくな
るため、さらに電気的に安定したGND電位を得ること
ができ、効果的なEMI対策が施されている。As shown in FIG. 5, in the liquid crystal display device 35, since the conductive film 32 for EMI countermeasures is connected to the GND wiring 23 formed on the active matrix substrate 9 and the driving driver 5, the ground area is reduced. Therefore, an electrically stable GND potential can be obtained, and effective EMI countermeasures are taken.
【0043】もちろん本実施形態による液晶表示装置3
5でも、コストアップは生じない。実施形態2と同様
に、駆動ドライバ5、できることならEMI対策用導電
膜12と金属ベゼル(図示せず)を接地するとさらに効
果的である。Of course, the liquid crystal display device 3 according to the present embodiment
Even with 5, no cost increase occurs. As in the second embodiment, it is more effective to ground the drive driver 5, preferably the EMI countermeasure conductive film 12, and a metal bezel (not shown).
【0044】(実施形態4) 本実施形態は、ドライバモノリシック型液晶表示装置に
本発明を適用したものである。(Embodiment 4) In this embodiment, the present invention is applied to a driver monolithic liquid crystal display device.
【0045】ドライバモノリシック型液晶表示装置と
は、TFT型液晶表示装置で表示電極スイッチ用TFT
を作成するときに表示部周辺部、つまり駆動領域に駆動
用ドライバを一体的に形成したものである。ここで、ド
ライバモノリシック型液晶表示装置の駆動ドライバをモ
ノリシックドライバと呼ぶ。The driver monolithic liquid crystal display device is a TFT type liquid crystal display device and a TFT for a display electrode switch.
Is formed by integrally forming a driving driver in a peripheral portion of the display unit, that is, in a driving area. Here, de
Motor drive driver driver monolithic type liquid crystal display device
It is called a nolithic driver .
【0046】以下、図6を参照して、実施形態4の液晶
表示装置を説明する。Hereinafter, the liquid crystal display device of the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
【0047】透明な対向基板とスイッチング素子として
のTFTを備えたアクティブマトリクス基板43との間
に液晶が封入されたアクティブマトリクス基板43上の
表示領域の周囲に、駆動領域が形成されている。その駆
動領域に駆動用ドライバとして形成されたモノリシック
ドライバ40が、アクティブマトリクス基板43上に形
成されたゲート配線、ソース配線に所定の信号を送り、
TFTを駆動している。モノリシックドライバ40はア
クティブマトリクス基板43上にTFTと同時に形成さ
れ、モノリシックドライバ40そのものがEMI等を発
生する部分になる。そのため、EMI等の発生を抑制す
るためには、モノリシックドライバ40を形成する素子
の1つ1つを結ぶ配線だけでなく、素子も覆う必要があ
る。A drive region is formed around a display region on the active matrix substrate 43 in which liquid crystal is sealed between a transparent counter substrate and an active matrix substrate 43 having TFTs as switching elements. Monolithic formed as drive driver in its drive area
The driver 40 sends a predetermined signal to a gate wiring and a source wiring formed on the active matrix substrate 43,
Driving TFT. The monolithic driver 40 is formed on the active matrix substrate 43 at the same time as the TFT, and the monolithic driver 40 itself is a portion that generates EMI and the like. Therefore, in order to suppress the occurrence of EMI and the like, it is necessary to cover not only the wires connecting the elements forming the monolithic driver 40 but also the elements.
【0048】モノリシックドライバ40ヘは、図示しな
いFPC等を用いて入力端子より電源電圧や信号を供給
する。そして、駆動領域のほぼ全面に絶縁膜41を形成
し、さらにその絶縁膜41上に導電膜42を形成する。
本実施形態でも、層間絶縁膜の材料として用いるアクリ
ル樹脂で絶縁膜41を、画素電極に用いるITOで導電
膜42を、それぞれ形成した。The monolithic driver 40 supplies a power supply voltage and a signal from an input terminal using an FPC or the like (not shown). Then, an insulating film 41 is formed over substantially the entire driving region, and a conductive film 42 is formed on the insulating film 41.
Also in the present embodiment, the insulating film 41 is formed of an acrylic resin used as a material of an interlayer insulating film, and the conductive film 42 is formed of ITO used for a pixel electrode.
【0049】上記の構成により、EMIの発生が抑制さ
れ、かつ製造工程途中でのドライバの不良がおこりにく
くなる。また、絶縁膜41にアクリル樹脂のような低誘
電率の絶縁膜を用いることにより、ドライバモノリシッ
ク部の信号のなまり(信号波形の変形)を抑えることが
できる。さらに、表示装置を車の中などの非常に厳しい
環境下で用いる場合でも、絶縁膜41がドライバモノリ
シックを保護する。According to the above configuration, the generation of EMI is suppressed, and the failure of the driver during the manufacturing process hardly occurs. In addition, by using a low dielectric constant insulating film such as an acrylic resin for the insulating film 41, the driver monolithic can be used.
It is possible to suppress distortion of click portions of the signal (deformation of the signal waveform). Further, even when the display device is used in a very harsh environment such as in a car, the insulating film 41 can be used as a driver monolith.
Protect your chic .
【0050】以上のようにして、本実施形態の表示装置
のアクティブマトリクス基板が構成される。As described above, the active matrix substrate of the display device of the present embodiment is configured.
【0051】本実施形態のアクティブマトリクス基板の
製造工程においては、実施形態1〜3のアクティブマト
リクス基板の製造工程と同様に、層間絶縁膜の形成と同
時に絶縁膜41が形成される。したがって、その製造工
程においてEMI対策のための新たな工程を全く必要と
しないため、本実施形態の液晶表示装置もコストアップ
が生じない。In the manufacturing process of the active matrix substrate of the present embodiment, the insulating film 41 is formed simultaneously with the formation of the interlayer insulating film, as in the manufacturing process of the active matrix substrates of the first to third embodiments. Therefore, a new process for EMI countermeasures is not required at all in the manufacturing process, so that the liquid crystal display device of the present embodiment does not increase the cost.
【0052】本実施形態の液晶表示装置は、下記のよう
にして製造される。The liquid crystal display of this embodiment is manufactured as follows.
【0053】まず、ガラス等からなる透明なアクティブ
マトリクス基板43上に、スイッチング素子となるTF
Tおよびドライバモノリシック用のチャネル領域とソー
スおよびドレイン領域となる半導体層44および45を
平面的に形成する。そして、半導体層44、45のソー
ス領域およびドレイン領域となる部分にイオンビームで
不純物を打込み、それぞれn+部分、p+部分を形成す
る。なお、ここでドライバ用キャパシタやCsを形成す
る片側の導電膜を同時に形成する。First, a TF as a switching element is placed on a transparent active matrix substrate 43 made of glass or the like.
Semiconductor layers 44 and 45 serving as T and driver monolithic channel regions and source and drain regions are formed in a plane. Then, impurities are implanted into the portions of the semiconductor layers 44 and 45 that will be the source region and the drain region with an ion beam to form n + portions and p + portions, respectively. Here, the conductive film on one side for forming the driver capacitor and Cs is simultaneously formed.
【0054】その後、半導体層44および45上に、チ
ッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜46をCVD法に
より3000オングストロームの膜厚に成膜した。その
際に、前記ソース、ドレイン領域の上には当然コンタク
トホールを形成しておく。Thereafter, a gate insulating film 46 made of silicon nitride or the like was formed on the semiconductor layers 44 and 45 to a thickness of 3000 angstroms by the CVD method. At this time, contact holes are naturally formed on the source and drain regions.
【0055】その後、アルミからなるゲート配線47を
CVD法により4000オングストロームの厚さに成膜
した後パターニングする。そのとき、同時に前記キャパ
シタやCs部のもう片側の導電膜を形成する。Thereafter, a gate wiring 47 made of aluminum is formed to a thickness of 4000 angstroms by a CVD method and then patterned. At this time, the capacitor and the conductive film on the other side of the Cs portion are simultaneously formed.
【0056】その後、ゲート配線47上に、チッ化シリ
コン等からなる絶縁膜46をCVD法により3000オ
ングストロームの膜厚に成膜する。その際も、前記ソー
ス、ドレイン領域の上には当然コンタクトホールを形成
しておく。Thereafter, an insulating film 46 made of silicon nitride or the like is formed on the gate wiring 47 to a thickness of 3000 angstroms by the CVD method. At this time, contact holes are naturally formed on the source and drain regions.
【0057】次に、ソース配線48、ドレイン配線49
としてアルミをCVD法により3000オングストロー
ムの膜厚に成膜してパターニングする。そのとき同時に
外部入力端子も形成する。Next, the source wiring 48 and the drain wiring 49
Is formed to a thickness of 3000 angstroms by CVD and patterned. At the same time, an external input terminal is also formed.
【0058】次に、ソース配線48およびドレイン配線
49上に層間絶縁膜として感光性のアクリル系樹脂をス
ピンコート法により3μmの膜厚で形成する。この層間
絶縁膜はドライバ領域の絶縁膜41も兼ねている。Next, a photosensitive acrylic resin having a thickness of 3 μm is formed as an interlayer insulating film on the source wiring 48 and the drain wiring 49 by a spin coating method. This interlayer insulating film also serves as the insulating film 41 in the driver region.
【0059】層間絶縁膜が絶縁膜41を兼ねるので、絶
縁膜41を形成するための製造プロセスを新たに増やす
ことなくアクティブマトリクス基板を形成できる。ま
た、絶縁膜41は比誘電率が低く、かつ容易に膜厚を厚
くできるので、ドライバモノリシック部の寄生容量が抑
えられ、信号遅延・なまりが抑制される。また、絶縁膜
41の材料にアクリルのような有機樹脂を用いることに
より、絶縁膜41にピンホールができにくくなるため、
リークが防止される。さらに、アルミのようにヒロック
のできやすい金属を配線に用いた場合でも、絶縁膜41
が配線をカバーしてヒロックが防止される。Since the interlayer insulating film also serves as the insulating film 41, an active matrix substrate can be formed without newly increasing a manufacturing process for forming the insulating film 41. Further, since the insulating film 41 has a low relative dielectric constant and can be easily thickened, the parasitic capacitance of the driver monolithic portion is suppressed, and signal delay and rounding are suppressed. In addition, when an organic resin such as acrylic is used as the material of the insulating film 41, pinholes are less likely to be formed in the insulating film 41.
Leaks are prevented. Further, even when a metal such as aluminum which easily forms a hillock is used for the wiring, the insulating film 41 can be used.
Cover the wiring to prevent hillocks.
【0060】また、感光性のアクリル樹脂を用いると、
パターニングに際してフォトレジスト塗布工程が不要と
なり、生産性の点で有利である。本実施形態では、層間
絶縁膜の材料として用いたアクリル系樹脂に、塗布前に
着色されているアクリル系樹脂を使用した。塗布前に着
色したアクリル系樹脂はパターニングが行い易く、パ夕
ーニング後に全面露光処理を施してより透明化すること
ができるからである。このような樹脂の透明化処理は、
光学的に行うことができるだけでなく、化学的に行うこ
とも可能である。When a photosensitive acrylic resin is used,
A photoresist coating step is not required for patterning, which is advantageous in terms of productivity. In the present embodiment, the acrylic resin used as the material of the interlayer insulating film is an acrylic resin colored before application. This is because the acrylic resin colored before application can be easily patterned, and can be made more transparent by subjecting the entire surface to an exposure treatment after panning. Such a transparent treatment of the resin,
Not only can it be done optically, but it can also be done chemically.
【0061】次に、前記層間絶縁膜上に、ITOを15
00オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニン
グして画素電極を形成する。このとき同時にEMI対策
用導電膜42を形成する。EMI対策用導電膜42は外
部入力端子上にも形成する。このことにより、全く工程
を増やさずに、EMIを抑制し、モノリシックドライバ
を保護する絶縁膜41を形成することができる。その際
に、アッシング等により層間絶縁膜の樹脂の表面を荒
し、層間絶縁膜と画素電極および導電膜42との密着性
を改善するとなお良い。Next, on the interlayer insulating film, ITO is applied
After being deposited to a thickness of 00 Å, patterning is performed to form a pixel electrode. At this time, the EMI countermeasure conductive film 42 is formed at the same time. The EMI countermeasure conductive film 42 is also formed on the external input terminal. This makes it possible to form the insulating film 41 that suppresses EMI and protects the monolithic driver without increasing the number of steps. At this time, it is more preferable that the surface of the resin of the interlayer insulating film is roughened by ashing or the like, so that the adhesion between the interlayer insulating film and the pixel electrode and the conductive film 42 is improved.
【0062】その後、ポリイミド等からなる配向膜を形
成してラビング処理を行う。このとき、前記層間絶縁膜
を十分厚く(例えば3μm)形成することにより、表面
が平坦化され、配向乱れ等の問題は発生しなかった。そ
の後、アクティブマトリクス基板とブラックマトリク
ス、対向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板
との間に液晶を挟んで、本実施形態4の液晶表示装置を
完成させる。Thereafter, an alignment film made of polyimide or the like is formed and rubbing is performed. At this time, by forming the interlayer insulating film sufficiently thick (for example, 3 μm), the surface was flattened, and no problem such as disorder in alignment occurred. Thereafter, a liquid crystal is sandwiched between the active matrix substrate and a counter substrate provided with a black matrix, a counter electrode, and a color filter to complete the liquid crystal display device of the fourth embodiment.
【0063】上記の製造工程は従来の製造工程に比べ
て、製造工程中にモノリシックドライバが基板表面に露
出されている時間が少なくなるので、ゴミ等の原因によ
る断線の確率が大幅に減少するため、良品率が大幅に向
上する。In the above manufacturing process, the time during which the monolithic driver is exposed to the substrate surface during the manufacturing process is reduced as compared with the conventional manufacturing process, so that the probability of disconnection due to dust or the like is greatly reduced. And the non-defective rate is greatly improved.
【0064】ここで、EMI対策用導電膜をGND配線
に接地するとさらに効果的であることはいうまでもな
い。Here, it is needless to say that it is more effective to ground the EMI countermeasure conductive film to the GND wiring.
【0065】(実施形態5)実施形態5の液晶表示装置
では、実施形態1〜4の液晶表示装置において、EMI
対策用導電膜を電源配線として用いる。駆動領域に形成
されている電源配線は+3V、+5V、+12V、−8
V等の直流電圧が印加される共通配線と、GND配線と
を有している。共通配線およびGND配線には交流電圧
が印加されないので、これらの配線がEMIの原因にな
ることはない。そのため、EMI対策用導電膜にこれら
の配線を形成することができる。(Embodiment 5) In the liquid crystal display device of Embodiment 5, the EMI
The countermeasure conductive film is used as a power supply wiring. The power supply wiring formed in the drive region has + 3V, + 5V, + 12V, -8
It has a common wiring to which a DC voltage such as V is applied, and a GND wiring. Since no AC voltage is applied to the common wiring and the GND wiring, these wirings do not cause EMI. Therefore, these wirings can be formed in the EMI countermeasure conductive film.
【0066】本実施形態では、アクティブマトリクス基
板上の配線とEMI対策用導電膜とが2層の電源配線を
形成するので、低抵抗化が達成される。EMI対策用導
電膜の幅を広く形成すれば、さらに低抵抗化をはかるこ
とができる。In the present embodiment, the wiring on the active matrix substrate and the conductive film for EMI countermeasures form a two-layer power supply wiring, so that a reduction in resistance is achieved. If the width of the EMI countermeasure conductive film is made wider, the resistance can be further reduced.
【0067】以上、本発明の実施形態を説明してきた
が、実施形態1〜5以外にも、例えば絶縁膜としてカラ
ーフィルターやゲート絶縁膜を用いることも可能であ
る。Although the embodiments of the present invention have been described above, it is also possible to use, for example, a color filter or a gate insulating film as an insulating film in addition to the first to fifth embodiments.
【0068】また、実施形態1〜5の表示装置は透過型
のアクティブマトリクス型液晶表示装置であるが、本発
明による表示装置は透過型アクティブマトリクス型液晶
表示装置に限られず、反射型、DUTY液晶、EL、プ
ラズマ表示装置でもよい。The display devices according to the first to fifth embodiments are transmission type active matrix type liquid crystal display devices. However, the display device according to the present invention is not limited to the transmission type active matrix type liquid crystal display device, but may be a reflection type or DUTY type liquid crystal display device. , EL, and plasma display devices.
【0069】[0069]
【発明の効果】以上のように、本発明による平面表示装
置では、簡単な構造によってEMIの発生を抑えること
ができる。また、絶縁膜が共通配線を保護するため、本
発明による平面表示装置は信頼性が高い。As described above, in the flat display device according to the present invention, EMI can be suppressed with a simple structure. Further, since the insulating film protects the common wiring, the flat display device according to the present invention has high reliability.
【0070】また、導電膜をGND配線に接続すること
で、さらにEMIの抑制を抑えることができる。Further, by connecting the conductive film to the GND wiring, the suppression of EMI can be further suppressed.
【0071】本発明による平面表示装置の製造方法で
は、工程の増加を必要とせずにEMI対策ができ、コス
トアップが生じない。また、製造工程中においても共通
配線が保護されるので断線などがおこらず、良品率が向
上することにより、製造コストが安価となる。In the method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention, EMI can be prevented without increasing the number of steps, and the cost does not increase. In addition, since the common wiring is protected during the manufacturing process, disconnection or the like does not occur, and the non-defective product rate is improved, so that the manufacturing cost is reduced.
【図1】本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of an active matrix substrate in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の液晶表示装置のA−A’線断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the liquid crystal display device of FIG.
【図3】実施形態2の液晶表示装置を説明するための図
であり、図4のA−A’線の断面図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the liquid crystal display device according to the second embodiment, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【図4】実施形態2の液晶表示装置を説明するための図
である。FIG. 4 is a diagram illustrating a liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図5】実施形態3の液晶表示装置を説明するための図
であり、図1の液晶表示装置のA−A’線の断面図に相
当する図である。5 is a diagram for explaining the liquid crystal display device of Embodiment 3, and is a diagram corresponding to a cross-sectional view taken along line AA ′ of the liquid crystal display device of FIG.
【図6】実施形態4の液晶表示装置における駆動ドライ
バを説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a drive driver in a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図7】従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板の構成を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a configuration of an active matrix substrate in a conventional liquid crystal display device.
【図8】図7の液晶表示装置のB−B’線断面図であ
る。8 is a sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 7 taken along line BB '.
【図9】特開平6−37478号公報に開示されている
液晶駆動装置を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a liquid crystal driving device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-37478.
1 表示領域 2 共通配線 3 走査配線(ゲート配線) 4 信号配線(ソース配線) 5 駆動用ドライバ 6 バンプ 7 ACF 8 外部入力端子 9 アクティブマトリクス基板 10 対向基板 11 絶縁膜 12 導電膜 51 表示領域 52 共通配線 53 走査配線(ゲート配線) 54 信号配線(ソース配線) 55 駆動用ドライバ 56 バンプ 57 ACF 58 外部入力端子 59 アクティブマトリクス基板 60 対向基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 display area 2 common wiring 3 scanning wiring (gate wiring) 4 signal wiring (source wiring) 5 driver 6 bump 7 ACF 8 external input terminal 9 active matrix substrate 10 opposing substrate 11 insulating film 12 conductive film 51 display region 52 common Wiring 53 Scanning wiring (gate wiring) 54 Signal wiring (source wiring) 55 Driving driver 56 Bump 57 ACF 58 External input terminal 59 Active matrix substrate 60 Counter substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−258660(JP,A) 特開 平4−56924(JP,A) 特開 昭64−55535(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1345 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-6-258660 (JP, A) JP-A-4-56924 (JP, A) JP-A-64-55535 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1345
Claims (2)
とが形成された表示領域と、該走査線および該信号線に
信号を送る駆動用ドライバが設けられた駆動領域とを備
えた平面表示装置であって、前記 駆動用ドライバどうしを接続する共通配線または前
記駆動用ドライバと外部入力端子とを結ぶ共通配線の少
なくとも一方が絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には
導電膜が形成されており、 該導電膜に直流電圧が与えられていることを特徴とする
平面表示装置。1. A flat display comprising: a display area in which at least a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines are formed; and a driving area in which a driving driver for sending a signal to the scanning line and the signal line is provided. an apparatus, common wiring or before connecting the driver for driving each other
Serial least one common line connecting the driver for driving an external input terminal is covered with the insulating film, is on the insulating film and the conductive film is formed, that the DC voltage is applied to the conductive film Characteristic flat display device.
気的にグランドなGND配線により与えられる請求項1
に記載の平面表示装置。2. The method according to claim 1, wherein the DC voltage is applied to the common wiring and the power supply.
2. The power supply circuit according to claim 1, which is provided by a GND wiring which is grounded.
4. The flat panel display according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06354096A JP3322556B2 (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Flat panel display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06354096A JP3322556B2 (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Flat panel display |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002111409A Division JP3558621B2 (en) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | Liquid crystal display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09258251A JPH09258251A (en) | 1997-10-03 |
JP3322556B2 true JP3322556B2 (en) | 2002-09-09 |
Family
ID=13232163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06354096A Expired - Fee Related JP3322556B2 (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Flat panel display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3322556B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019113294A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | L3 Technologies, Inc. | Chip on glass protection |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0950917B1 (en) | 1997-10-31 | 2003-12-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP3642239B2 (en) * | 1999-10-06 | 2005-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
JP4007779B2 (en) * | 2001-08-29 | 2007-11-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Liquid crystal display |
JP2006017981A (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid crystal display device |
JP4892822B2 (en) * | 2004-10-21 | 2012-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of electro-optical device |
JP4713659B2 (en) * | 2009-09-15 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display device |
JP5150714B2 (en) * | 2010-12-24 | 2013-02-27 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP06354096A patent/JP3322556B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019113294A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | L3 Technologies, Inc. | Chip on glass protection |
US10527896B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-01-07 | L3 Technologies, Inc. | Chip on glass protection |
IL275039B1 (en) * | 2017-12-08 | 2023-11-01 | L3 Tech Inc | Chip protection on glass |
IL275039B2 (en) * | 2017-12-08 | 2024-03-01 | L3 Tech Inc | Chip protection on glass |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09258251A (en) | 1997-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6028652A (en) | Array substrate for display device and manufacturing method thereof | |
US5781253A (en) | Liquid crystal display having electrostatic discharge protection and method for manufacturing the same | |
KR0145280B1 (en) | Active Matrix Liquid Crystal Display | |
KR100283733B1 (en) | Active matrix liquid crystal display and its disconnection correction method | |
JP4305811B2 (en) | Liquid crystal display device, image display device and manufacturing method thereof | |
KR100763408B1 (en) | Liquid crystal display | |
JP3317387B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof | |
US6268895B1 (en) | Liquid crystal display device having light shield in periphery of display | |
JP3269787B2 (en) | Liquid crystal display | |
US6741312B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device | |
US7084948B2 (en) | Liquid crystal display device having counter electrode covering the plurality of drain signal lines | |
JP3433779B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof | |
JP2760462B2 (en) | Active matrix substrate | |
JP2000227611A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
KR100549158B1 (en) | Image display | |
US7936424B2 (en) | Liquid crystal display panel with light leakage prevention film and method for manufacturing the same | |
JP3322556B2 (en) | Flat panel display | |
JP3558621B2 (en) | Liquid crystal display | |
US6122030A (en) | Insulating-film layer and sealant arrangement for protective circuit devices in a liquid crystal display device | |
JPH09113922A (en) | Liquid-crystal display device and its manufacture | |
JP3307174B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP3196378B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP3367821B2 (en) | Active matrix substrate | |
JP4253181B2 (en) | Image display panel, photomask, image display device, and method for manufacturing image display panel | |
JP3357822B2 (en) | Liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020614 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090628 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100628 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100628 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110628 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120628 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120628 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130628 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |