CN101251977A - 显示装置、显示装置驱动方法、以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置及其驱动方法以及使用该显示装置的电子设备。在包括校正单元和开关晶体管的显示装置中，所述校正单元在不发光期间工作，使用于消除驱动晶体管特性变化的影响的校正电压存储在存储电容中。所述开关晶体管位于所述驱动晶体管的一个电流端和发光元件之间。所述开关晶体管在不发光期间截止，从而将所述发光元件从所述驱动晶体管的一个电流端上电断开，以避免漏电流在所述校正单元工作时流过所述发光元件，因此避免了校正电压由于所述漏电流而出现误差。

Description

显示装置、显示装置驱动方法、以及电子设备

相关申请的交叉参考

本发明包含于2007年2月21日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-041196的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种包括像素阵列的显示装置，其中的每个像素都包括发光元件，具体来说，本发明涉及一种通过使用位于各个像素中的绝缘栅极场效应晶体管来控制流过例如有机电致发光型的发光元件的电流的有源矩阵显示装置。本发明还涉及一种驱动这种显示装置的方法以及一种使用该显示装置的电子设备。

背景技术

在诸如液晶显示器的图像显示装置中，大量的液晶像素以矩阵形式排列，并且通过各个像素发射或从各个像素反射的光的强度依照图像信息来控制。有机电致发光元件可用作设置于各个像素中的发光元件。与不是自发光型的液晶像素相比，有机电致发光显示器为自发光型，并具有以下优点。即，与液晶显示器相比，有机电致发光显示器可提供高能见性，不需要背光，并能以高速度响应。各个发光元件的强度水平(灰阶水平)可通过控制流过发光元件的电流来控制。也就是说，有机电致发光显示装置是电流控制型的。在这方面，有机电致发光装置与电压控制型的液晶显示器截然不同。

与液晶显示器一样，有机电致发光显示器能通过无源矩阵寻址方式或有源矩阵寻址方式驱动。虽然无源矩阵寻址方式结构简单，但这种方式的缺点是难以实现大尺寸高分辨率的显示。因为上述原因，有源矩阵寻址方式近来受到更多的关注。在这种方式中，流过位于每个像素中的发光元件的电流通过位于各个像素中的有源元件(例如，薄膜晶体管(TFT))来控制。可在如在下面列出的专利文件中找到这种方式以及相关技术的进一步详细描述。

日本未审查专利申请公开第2003-255856

日本未审查专利申请公开第2003-271095

日本未审查专利申请公开第2004-133240

日本未审查专利申请公开第2004-029791

日本未审查专利申请公开第2004-093682

日本未审查专利申请公开第2006-215213

发明内容

例如，将像素电路布置在用来提供控制信号的行形式的扫描线和用来提供图像信号的列形式的扫描线的各个交点上，每个像素电路至少包括采样晶体管、存储电容、驱动晶体管、以及发光元件。采样晶体管响应通过扫描线提供的控制信号而导通，并采样通过信号线提供的图像信号。存储电容存储对应于所采样的图像信号的输入电压(信号电压)。驱动晶体管在预定发光期依照存储在存储电容中的输入电压提供输出电流。一般来说，输出电流取决于驱动晶体管的通道区域的载流子迁移率，也取决于阈值电压。发光元件通过驱动晶体管的输出电流驱动，从而发射具有对应于图像信号的强度的光。

从存储电容施加到栅极的输入电压引起一个在驱动晶体管的源极和漏极之间流动的电流，并且该输出电流被提供给发光元件。一般而言，发光元件发射的光的强度与流过其中的电流成比例地变化。驱动晶体管的输出电流通过由写在存储电容中的输入电压给出的栅极电压来控制。在根据相关技术的像素电路中，通过依照输入图像信号来改变施加至驱动晶体管的栅极的输入电压，来控制提供给发光元件的电流。

驱动晶体管的操作特性可通过下面的特征方程来表达。

Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²

在如上所示的晶体管特征方程中，Ids是在源极和漏极之间流动的漏极电流，并作为输出电流被提供给像素电路中的发光元件。Vgs是相对于源极施加给栅极的栅极电压。在像素电路中，Vgs被作为上述的输入电压给出。Vth是晶体管的阈值电压，μ是构成晶体管通道的半导体薄膜的迁移率。W、L、以及Cox表示通道宽度、通道长度、以及栅极电容。由该晶体管特征方程可知，当薄膜晶体管在饱和区域操作时，如果栅极电压Vgs增加超过阈值电压Vth，则晶体管导通，并流过漏极电流Ids。理论上，由该晶体管特征方程可知，如果栅极电压Vgs是恒定的，则提供给发光元件的漏极电压也是恒定的。因此，理想地，如果将具有相等信号电平的图像信号提供给屏幕的所有像素，那么所有像素将发射具有相等强度的光，因此在整个屏幕区域就将获得完全一致的亮度。

然而，实际上，利用如多晶硅薄膜的半导体薄膜形成的薄膜晶体管(TFT)在装置特性上各不相同。特别地，各个像素的阈值电压Vth各不相同。由上述晶体管特征方程可以看出，即使栅极电压Vgs相等，驱动晶体管的阈值电压Vth的不同也导致漏极电流Ids的不同，因此各个像素的亮度也不同。这就很难使整个屏幕都达到完全一致的亮度。考虑到上述情况，已配置有一种具有消除驱动晶体管的阈值电压不同的影响的功能的像素电路(例如，见日本未审查专利申请公开第2004-133240号)。

通过设置像素电路以具有消除阈值电压不同的影响的功能，能够改进整个屏幕的亮度的一致性。然而，在多晶硅薄膜晶体管的各种特征参数中，不止是阈值电压，各个晶体管的迁移率μ也各不相同。由上述晶体管特征方程中可知，即使栅极电压Vgs相等，迁移率μ的不同也能导致驱动电压Ids的不同。结果，各个像素发出的光的强度各不相同，因此，会在整个屏幕上产生亮度一致性变差。除了针对驱动晶体管的阈值电压之外，还有一项技术来设置像素电路以具有消除迁移率不同的影响的功能(例如，见日本未审查专利公开第2006-215213号)。

各个像素电路中实现的阈值电压校正功能或迁移率校正功能通常在发光元件不发光过程中(不发光期间)运行，以执行预定的校正处理。即使在不发光期间，发光元件中也会产生漏电流。像素中各个发光元件的漏电流各不相同。因为漏电流产生在不发光期间，所以漏电流对校正操作的准确性会有不利影响。特别地，各个像素的发光元件漏电流的不同导致校正操作精确度不同，因此导致各个像素发出的光的强度不同。结果，发生整个屏幕的亮度一致性变差。

发明内容

鉴于此，期望提供一种不管发光元件的漏电流如何，都能精确校正光强度的显示装置。因此，根据本发明的实施例，提供了一种包括像素阵列以及用于驱动该像素阵列的驱动单元的显示装置，该像素阵列包括行形式布置的扫描线、列形式布置的信号线、以及阵列形式布置在扫描线和信号线的各个交点上的像素，每个像素至少包括采样晶体管、驱动晶体管、发光元件、以及存储电容，采样晶体管的控制端连接到相应的扫描线上，采样晶体管的两个电流端之一的连接到相应的信号线和驱动晶体管的控制端上，驱动晶体管的两个电流端之一连接到发光元件上，另一个连接到电源线上，存储电容连接在驱动晶体管的控制端与两个电流端中的一个之间，驱动单元被配置为通过选定扫描线输出控制信号，以导通连接在选定扫描线上的采样晶体管，并通过选定信号线输出图像信号，以将图像信号通过导通的采样晶体管写入存储电容中，从而，驱动晶体管在预定的发光期将与所写入的图像信号的信号电压相对应的驱动电流提供给发光元件，而在不发光期，驱动晶体管不提供驱动电流，每个像素都包括校正装置以及开关晶体管，校正装置适于在不发光期中操作，以将校正电压写入存储电容中，从而消除驱动晶体管特性变化的影响，开关晶体管位于驱动晶体管的两个电流端之一与发光元件之间，开关晶体管适于在不发光期截止，从而将发光元件从驱动晶体管的两个电流端的之一上电断开，以防止漏电流在校正装置操作时流过发光元件，并因此避免校正电压由于漏电流而出现误差。

校正装置可附加地将对应于驱动晶体管的阈值电压的校正电压写入存储电容中，以消除驱动晶体管的阈值电压不同的影响。校正装置能从写入存储电容中的图像信号的信号电压中减去取决于驱动晶体管的迁移率的校正电压，以消除驱动晶体管的迁移率不同的影响。

本发明提供了以下优点。即，在根据本发明的实施例的显示装置中，开关晶体管位于作为驱动晶体管的电流输出端的源极与发光元件的阳极之间。在不发光期间，开关晶体管被截止，以将发光元件的阳极从驱动晶体管的源极上电断开。在该期间，校正装置运行，使得将校正电压从驱动晶体管的电流输出端(源极)写入存储电容中，以消除驱动晶体管的特性不同的影响。因为在不发光期间发光元件的阳极从驱动晶体管的源极电断开，因此没有漏电流流过发光元件，因而驱动晶体管的电流输出端的电位不会由于漏电流而出现误差。这使显示装置能够在不受发光元件的漏电流影响的情况下精确地执行校正，因此能够改善整个屏幕的亮度一致性。

在校正过程中，即使在不发光期间，也需要从信号线施加信号电位到驱动晶体管的控制端(栅极)。发光元件的阴极维持在预定的固定阴极电位。在相关技术中，在校正过程中发光元件的阳极被连接到驱动晶体管的源极的情况下，需要调整以阴极电位为基准的相对信号电位，以在校正过程中达到高精确度。与此对照，在本发明的实施例中，因为在校正过程中发光元件的阳极被从驱动晶体管的源极上电断开，所以允许独立地设置施加于驱动晶体管的栅极的信号电位和发光元件的阴极的阴极电位。因此，能适当设置信号电位和阴极电位，以实现面板的低电耗和/或低成本。

附图说明

图1是示出显示装置的第一比较例的整个结构的框图；

图2是示出显示装置的第一比较例的具体结构的电路图；

图3是用于说明显示装置的第一比较例的操作的时序图；

图4是示出发光元件的电流-电压特性的示图；

图5是示出根据本发明第一实施例的显示装置的电路图；

图6是用于说明根据本发明第一实施例的显示装置的操作的时序图；

图7是显示装置的第二比较例的电路图；

图8是用于说明显示装置的第二比较例的操作的时序图；

图9是示出根据本发明第二实施例的显示装置的电路图；

图10是用于说明根据本发明第二实施例的显示装置的操作的时序图；

图11是显示装置的第三比较例的电路图；

图12是用于说明显示装置的第三比较例的操作的时序图；

图13是示出根据本发明第三实施例的显示装置的电路图；

图14是用于说明根据本发明第三实施例的显示装置的操作的时序图；

图15是显示装置的第四比较例的电路图；

图16是用于说明显示装置的第四比较例的操作的时序图；

图17是示出根据本发明第四实施例的显示装置的电路图；

图18是用于说明根据本发明第四实施例的显示装置的操作的时序图；

图19是示出根据本发明实施例的显示装置的装置结构的横截面图；

图20是示出根据本发明实施例的显示装置的模块结构的平面图；

图21是使用根据本发明实施例的显示装置的电视机的透视图；

图22是使用根据本发明实施例的显示装置的数码照相机的透视图；

图23是使用根据本发明实施例的显示装置的个人笔记本电脑的透视图；

图24是使用根据本发明实施例的显示装置的便携终端的示意图；以及

图25是使用根据本发明实施例的显示装置的摄像机的透视图。

具体实施方式

本发明将在下面结合附图参照实施例进一步详细描述。首先，为了描述本发明的背景，下面参考图1描述具有阈值电压校正功能和迁移率校正功能的有源矩阵显示装置的第一比较例。在该第一比较例中，每个像素都主要由五个晶体管、一个电容、以及一个发光元件组成。如图1所示，在第一比较例中，有源矩阵显示装置主要由像素阵列1以及位于外围区域的驱动单元组成。驱动单元包括水平选择器3、写入扫描器4、驱动扫描器5、第一校正扫描器71，以及第二校正扫描器72。像素阵列1包括行方向延伸的扫描线WS、列方向延伸的信号线SL、以及以阵列形式位于扫描线WS和信号线SL的各个交点上的像素2。为了实现显示彩色图像的能力，可利用三种像素以使三种像素之一代表三种主要颜色(例如，红(R)、绿(G)、蓝(B))之一，但不是必须以这样的形式设置像素。信号线SL由水平选择器3驱动。水平选择器3通过信号线SL提供图像信号。扫描线WS通过写入扫描器4扫描。另外的扫描线DS、扫描线AZ1以及扫描线AZ2布置为与扫描线WS平行延伸。扫描线DS由驱动扫描器5扫描。扫描线AZ1由校正扫描器71扫描。扫描线AZ2由第二校正扫描器72扫描。当各个像素2被扫描线WS选择时，像素2对经由信号线SL提供的图像信号采样。然后当各个像素2被扫描线DS选择时，依照所采样的图像信号来驱动像素2中的发光元件。当各个像素2通过扫描线AZ1和扫描线AZ2扫描时，执行预定的校正操作。

图2是示出在图1中所示的第一比较例的显示装置的结构的具体例子的电路图。在图2中，为了容易理解，只以放大形式示出了一个像素电路2。每个像素电路2包括5个薄膜晶体管Tr1～Tr4和Trd、一个电容(存储电容)Cs、以及一个发光元件EL。晶体管Tr1～Tr3和Trd是N通道型多晶硅TFT。另一方面，晶体管Tr4是P通道型多晶硅TFT。电容Cs作为像素电路2中的存储电容。注意，发光元件不是仅局限于二极管类型的有机电致发光元件，发光元件可以是任何类型，只要它能根据流过它的驱动电流发光。

驱动晶体管Trd是像素电路2中的关键装置。驱动晶体管Trd的栅极G连接到存储电容Cs的一端，它的源极S连接到存储电容Cs的另一端上。此外，驱动晶体管Trd的栅极G通过开关晶体管Tr2连接到基准电位Vss1上。驱动晶体管Trd的漏极通过开关晶体管Tr4连接到电源Vcc上。开关晶体管Tr2的栅极连接到扫描线AZ1中的一个上。开关晶体管Tr4的栅极连接到扫描线DS中的一个上。发光元件的阳极连接到驱动晶体管Trd的源极S上，发光元件的阴极接地为接地电位Vcath。开关晶体管Tr3连接到驱动晶体管Trd的源极S与基准电位Vss2之间。晶体管Tr3的栅极连接到扫描线AZ2之一。采样晶体管Tr1连接到信号线SL与驱动晶体管Trd的栅极G之间。采样晶体管Tr1的栅极连接到扫描线WS中的一个上。

在以上述方式设置的像素电路2中，采样晶体管Tr1在采样时响应通过扫描线WS提供的控制信号WS而导通，从而将通过信号线SL提供的图像信号Vsig采样到存储电容Cs中。将采样到存储电容Cs中的图像信号Vsig用作在驱动晶体管的栅极G与源极S之间的输入电压Vgs。驱动晶体管Trd在发光期间将对应于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光元件EL。注意输出电流(漏极电流)Ids取决于驱动晶体管Trd的通道区域的载流子迁移率μ，以及还取决于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。发光元件EL通过从驱动晶体管Trd提供的输出电流Ids进行驱动，并发出具有对应于所提供的图像信号Vsig的强度的光。

像素电路2具有通过开关晶体管Tr2～Tr4执行的校正功能以通过在发光期间之前调整存储在存储电容Cs中的输入电压Vgs来消除输出电流Ids对载流子迁移率μ的依赖的影响。具体来说，校正功能(Tr2～Tr4)在采样期间的一部分依照通过扫描线WS和扫描线DS提供的控制信号WS和控制信号DS运行，使得当采样图像信号Vsig时，驱动晶体管Trd的输出电流Ids负反馈给存储电容Cs以调整输入电压Vgs。此外，为了消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖的影响，在采样期间开始之前，校正功能(Tr2～Tr4)检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth，并将所检测的阈值电压Vth加到输入电压Vgs上。

在本比较例中，驱动晶体管Trd是N通道型，并被连接使得它的漏极连接到电源Vcc上，源极S连接到发光元件EL上。在该结构中，在采样期间末端的局部期间，校正机构按照下述方式操作。驱动晶体管Trd的输出电流Ids负反馈回存储电容Cs，使得在发光期间之前，从驱动晶体管Trd的源极S中提取的输出电流Ids反馈到发光元件EL的电容。具体来说，发光元件EL是具有阳极和阴极的二极管型，其中阳极连接到驱动晶体管Trd的源极S，阴极接地。在该结构中，校正机构(Tr2～Tr4)操作使得发光元件EL在它的阳极和阴极之间预先产生反向偏压，使得当从驱动晶体管Trd的源极S中提取的输出电流Ids反馈到发光元件EL时，二极管型发光元件EL用作电容。设置该校正机构使得将从驱动晶体管Trd中提取输出电流的期间的长度调整在采样期间以内，以优化输出电流Ids对存储电容Cs的反馈量。

图3是与图2中所示的第一比较例的显示装置的操作相联系的时序图。参考图3，下面描述图2中所示的显示装置的操作。图3示出了施加至扫描线WS、AZ1、AZ2和DS的控制信号的沿着时间T的波形。简单地说，控制信号用与表示扫描线的符号相同的符号来表示。因为晶体管Tr1、Tr2和Tr3是N通道型，当扫描线WS、AZ1或AZ2处于高电平时，晶体管Tr1、Tr2以及Tr3导通，而当扫描线WS、AZ1或AZ2处于低电平时都截止。另一方面，晶体管Tr4是P通道类型，因此当扫描线DS处于高电平时晶体管Tr4截止，而当扫描线DS处于低电平时晶体管Tr4导通。在该时序图中，除了控制信号WS、AZ1、AZ2以及DS的波形之外，也示出了驱动晶体管Trd的栅极G和源极S的电压变化。

在图3所示的时序图中，从时间T1到时间T8的期间对应于将像素阵列的行依次扫描一遍的一场(1f)。注意，在该时序图中，仅示出了一行用于像素的控制信号WS、AZ1以及DS的波形。

在该场开始之前的时间T0，控制线WS、AZ1、AZ2以及DS处于低电平。因此，N通道晶体管Tr1、Tr2以及Tr3处于截止状态，而P通道晶体管Tr4处于导通状态。因此，驱动晶体管Trd通过处于导通状态的晶体管Tr4电连接到电源Vcc上，并将取决于输入电压Vgs的输出电流Ids提供到发光元件EL。因此，在时间T0，发光元件EL发光。在该状态下，通过栅极电位(G)与源极电位(S)之间的差得到施加至驱动晶体管Trd的输入电压Vgs。

在该场开始时的时间T1，控制信号DS从低电平升高到高电平。结果，晶体管Tr4截止，驱动晶体管Trd从电源Vcc电断开。因此，发光停止，操作进入到不发光期间。因此，在时间T1，所有的晶体管Tr1～Tr4截止。

此后，在时间T2，控制信号AZ1以及AZ2上升到高电平，因此开关晶体管Tr2和Tr3导通。结果，驱动晶体管Trd的栅极G连接到基准电位Vss1，源极S连接到基准电位Vss2。在该状态下，参数设置为Vss1-Vss2＞Vth，满足Vss1-Vss2＝Vgs＞Vth，以使在从时间T3开始以后的期间能够适当地进行Vth校正处理。换句话说，时间T2～T3的期间作为重新设置驱动晶体管Trd的重置期间。此外，当以VthEL代表发光元件EL的阈值电压时，设置参数使得满足VthEL＞Vss2，因此发光元件EL是负偏压。该负偏压是在后面的处理步骤中，适当地执行Vth以及载流子迁移率的校正所必须的。

在时间T3，控制信号AZ2切换到低电平，紧接着，控制信号DS也切换到低电平。结果，晶体管Tr3截止，晶体管Tr4导通。因此，漏极电流Ids流入存储电容Cs中，Vth校正操作开始。在该校正操作中，驱动晶体管Trd的栅极G维持在Vss1，电流Ids流通直到驱动晶体管Trd截止。当驱动晶体管Trd截止时，驱动晶体管Trd的源极电位(S)等于Vss1-Vth。在漏极电流截止后的时间T4，控制信号DS变回到高电平以截止开关晶体管Tr4。控制信号AZ1也变回低电平以截止开关晶体管Tr2。结果，存储Vth并保留在存储电容Cs中。如上所述，在时间T3～T4的期间检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。因此，此后，时间T3～T4的期间将被称为Vth校正期间。

在Vth完成后的时间T5，控制信号WS切换到高电平以导通采样晶体管Tr1，因此将图像信号Vsig写入存储电容Cs中。存储电容Cs的电容远远小于发光元件EL的等效电容Coled的电容。结果，大部分图像信号Vsig被写入存储电容Cs中。具体来说，图像信号Vsig相对于Vss1的电压，也就是说，Vsig-Vss1被写入存储电容Cs中。因此，驱动晶体管Trd的栅极G与源极S之间的电压Vgs通过将在前面的步骤中检测所得的Vth加上所采样的电压Vsig-Vss1来给出，即Vsig-Vss1+Vth。在下面的讨论中，为了简便起见，Vss1＝0V。这样，如图3的时序图中所示，栅极-源极电压Vgs通过Vsig+Vth来给出。继续图像信号Vsig的采样直到控制信号WS在时间T7变回到低电平。因此时间T5～T7的期间作为采样期间。

在采样期间的结束时间T7之前的时间T6，控制信号DS下降到低电平。结果，开关晶体管Tr4导通。因此，驱动晶体管Tr4电连接到电源Vcc上，像素电路从不发光期间进入到发光期间。在从时间T6到时间T7的采样晶体管Tr1仍然是导通状态以及开关晶体管Tr4导通的期间中，对驱动晶体管Trd的载流子迁移率作出校正。也就是说，在本比较例中，在从时间T6到时间T7的采样期间的末期执行载流子迁移率校正。在执行载流子迁移率校正的初期，发光元件EL实际上处于反向偏压状态，因此没有光发射。在该从时间T6到时间T7的迁移率校正期间，在驱动晶体管Trd的栅极G维持在图像信号Vsig的电压的状态下，漏极电流Ids流过驱动晶体管Trd。这样，满足Vss1-Vth＜VthEL，即发光元件反向偏压，因此发光元件EL不是作为二极管而是作为电容。因此，将流过驱动晶体管Trd的电流Ids写入存储电容Cs以及等效电容Coled的总电容中。结果，驱动晶体管Trd的源极电位(S)升高。在图3中所示的时序图中，以ΔV代表源极电位的增加。存储在存储电容Cs中的栅极-源极电压Vgs减少了源极电位的增量ΔV，因此发生负反馈。作为驱动晶体管Trd的输出电流Ids对驱动晶体管Trd的输入电压Vgs的负反馈的结果，执行与迁移率μ相关的校正。能通过调整从时间T6到时间T7的迁移率校正期间的长度来优化负反馈ΔV的量。

在时间T7，控制信号WS下降到低电平，因此采样晶体管Tr1截止。结果，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL上电断开。因此，图像信号Vsig不再施加至驱动晶体管Trd的栅极G，驱动晶体管Trd的栅极电位(G)与源极电位(S)一起升高。在该转变过程中，栅极-源极电压Vgs维持在存储于存储电容器Cs中的电压，即(Vsig-ΔV+Vth)。作为源极电位(S)增加的结果，发光元件EL的偏压从反向偏压切换到正向偏压，输出电压Ids流过发光元件EL。因此，发光元件EL开始发光。这样，漏极电流Ids对栅极电压Vgs的依赖能通过以Vsig-ΔV+Vth取代在上述晶体管特征方程中的Vgs来得到，即输出电流Ids通过下式给出

Ids＝kμ(Vgs-Vth)²＝kμ(Vsig-ΔV)²

其中

k＝(1/2)(W/L)Cox

从上述方程可以看出，所得的输出电流Ids不再包括Vth项，即提供给发光元件EL的输出电流Ids不取决于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。因此，漏极电流Ids主要由图像信号的信号电压Vsig来决定。换句话说，发光元件EL发射具有对应于通过反馈ΔV校正的图像信号Vsig的强度的光。校正值ΔV的量被确定以消除在特征方程的系数中的迁移率μ的影响。结果，漏极电流Ids只取决于图像信号Vsig。

在时间T8，控制信号DS升高到高电平，并且开关晶体管Tr4截止。结果，停止光发射，本场结束。此后，下一个场执行包括Vth校正过程、迁移率校正过程、以及发光过程的相似操作。

图4示出了发光元件EL的电流-电压特性的例子。在该图中，纵轴表示电流Ioled，横轴表示电压Voled。在发光元件包括在像素电路中的情况下，Ioled通过从驱动晶体管Trd提供的漏极电流Ids来给出，Voled通过驱动晶体管的源极电位(即发光元件的阳极电位)来给出。如从图4所示的示图中可见，当Voled是负、因而发光元件是负偏压时，就像通常的二极管一样，发光元件截止，除了漏电流之外没有电流流通。每个发光元件的漏电流各不相同，即，如图4中的虚线所示，一些发光元件具有大电流，而如实线所示，一些发光元件具有小的漏电流。

在第一比较例的显示装置中，在发光元件是反偏压的状态下执行阈值校正过程以及迁移率校正过程。当发光元件处于反偏压状态时，漏电流以如上所述的反方向流动。漏电流能引起驱动晶体管的源极电位在阈值电压校正过程或迁移率校正过程中改变，因此在校正中可能发生误差。如图4中所示，发光元件EL的偏压特性各不相同。这意味着可能存在具有相对于其他发光元件的相对较大的漏电流的发光元件。在包括这种具有大的漏电流的发光元件的像素中，流过像素电路的大的漏电流在迁移率校正过程或阈值电压校正过程中引起大的电流流进驱动晶体管Trd的源极，因此发生存储在存储电容Cs中的Vgs的减少。这导致由该像素发射的光的强度的减小。如果该发光元件EL继续工作，漏电流可能随时间改变，这会引起强度随时间的改变。

在第一比较例子的显示装置中，驱动晶体管Trd的源极电位在迁移率校正过程中增加。为了实现精确校正，驱动晶体管的源极电压需要具有在完成迁移率校正过程之后不导通发光元件的值。为此，阴极电位需要设置到相对于信号电位比较高的值。然而，将阴极电位设置到相对于信号电位来说比较高的值需要施加给面板的大的电源电压，这将导致电耗的增加。如果将信号电位设置为相对于阴极电压来说比较低的值，驱动晶体管的源极电位能维持在不引起发光元件在迁移率校正过程结束的时刻导通的范围以内。然而，在这种情况下，将负的输入电压施加给驱动晶体管的栅极，这导致输出图像信号的驱动器的成本的增加。从上面的讨论中可知，为了在不增加电耗或成本的情况下实现高图像质量的面板，期望避免发光元件漏电流对发光强度的影响。

图5是根据本发明第一实施例的显示装置的电路图。根据该实施例的显示装置的电路被配置为解决上述第一比较例中的问题。在图5中，为了方便理解，以相似的参考符号来表示与图2中相似的部件。该电路与第一比较例的电路不同在于将开关晶体管Tr6布置在驱动晶体管Trd的源极S与发光元件EL的阳极之间。为了控制开关晶体管Tr6的栅极，与扫描线WS平行延伸的附加的扫描线DS2设置于像素阵列1中。相应地，为了连续地向扫描线DS2提供控制信号，位于外围区域的驱动单元额外包括第二驱动扫描器8。开关晶体管Tr6在阈值电压校正期间以及迁移率校正期间维持在截止状态，从而消除发光元件EL的漏电流的影响，因此避免了整个屏幕亮度一致性的变差。此外，因为驱动晶体管Trd从发光元件EL上电断开，所以能够彼此独立地设置发光元件EL的阴极电位和施加至驱动晶体管Trd的信号电压，这可使面板的电耗降低并降低成本。

如在图5中所示，在本发明的第一实施例中，显示装置主要包括像素阵列1以及用于驱动像素阵列1的驱动单元。像素阵列1包括行方向延伸的扫描线WS、列方向延伸的信号线SL、以及阵列形式位于扫描线WS与信号线SL的各个交点上的像素2。每个像素2至少包括采样晶体管Tr1、驱动晶体管Trd、发光元件EL、以及存储电容Cs。采样晶体管Tr1的控制端(栅极)连接到扫描线WS中的一个上。采样晶体管Tr1的电流端(源极和漏极)分别连接在信号线SL中的一个和驱动晶体管Trd的控制端(栅极G)上。驱动晶体管Trd的电流端(源极和漏极)中的一端连接到发光元件EL上，另一端连接到电源线Vcc上。具体来说，在本实施例中，驱动晶体管Trd是N通道型，因此源极S连接到发光元件EL的阳极。存储电容Cs连接到驱动晶体管Trd的控制端(栅极G)与输出电流端(源极S)之间。辅助电容Csub连接到驱动晶体管Trd的源极S与地线之间。

驱动单元包括用于通过扫描线WS输出控制信号从而导通采样晶体管Tr1的写入扫描器4。驱动单元还包括用于通过图像线SL输出图像信号从而将图像信号通过导通的采样晶体管Tr1写入存储电容Cs中的水平选择器3。因此，使得在发光期间，运行驱动晶体管Trd，将对应于作为信号电压写入的图像信号的驱动电流Ids提供给发光元件EL，而在不发光期间，没有驱动电流提供给发光元件EL。

本实施例的特征为每个像素电路2都具有校正机构以及开关晶体管Tr6。校正机构由校正晶体管Tr2、Tr3、Tr4、以及其他元件组成，在不发光期间运行使得将校正电压写入存储电容Cs中，从而消除驱动晶体管Trd的特性的改变。开关晶体管Tr6位于驱动晶体管Trd的源极与发光元件EL的阳极之间，在不发光期间开关晶体管Tr6截止，从而将发光元件EL从驱动晶体管Trd的源极S上电断开，使得在校正机构运行期间没有漏电流流进发光元件EL，从而避免了由于漏电流而产生的误差。

具体来说，运行校正机构(Tr2、Tr3、以及Tr4)使得将对应于阈值电压Vth的校正电压加在存储于存储电容Cs中的电压之上，从而消除驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的变化的影响。此外，校正机构从作为信号电压写入存储电容Cs中的图像信号中减去对应于迁移率μ的校正电压，从而消除驱动晶体管Trd的迁移率μ变化的影响。

从上述讨论中可知，在迁移率校正期间，将驱动晶体管Trd的源极S从发光元件EL上断开。因此，即使驱动晶体管Trd的源极电位增加到一定值，也不会在迁移率校正期间导通发光元件EL，在该操作中没有问题发生。因此，在本实施例中，不同于上述的第一比较例，它允许独立设置发光元件EL的阴极电压以及施加至驱动晶体管Trd的栅极G的信号电压。因此，允许将图像信号设置到一个正的范围，该范围可使水平选择器3的驱动器的成本减少。此外，允许将阴极电压设置为接地电压，该电压可使面板的电耗达到最小化。

参考图6，将在下面进一步描述根据图5中所示的第一实施例的显示装置的操作。在图6中，为了便于理解，采用与和第一比较例相联系的时序图图3中所示符号相似的参考符号。在每个场开始之前的时间T0，控制线WS、AZ1、AZ2以及DS都处于低电平。因此，N通道晶体管Tr1、Tr2、以及Tr3处于截止状态，而P通道的晶体管Tr4处于导通状态。因此，驱动晶体管Trd通过处于导通状态的晶体管Tr4电连接到电源Vcc上，并将取决于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光元件EL。因此，在时间T0，发光元件EL发光。这样，通过栅极电位(G)与源极电位(S)之间的差给出施加至驱动晶体管Trd的输入电压Vgs。

在该场开始的时间T1，控制信号DS从低电平升高到高电平。结果，晶体管Tr4截止，驱动晶体管Trd从电源Vcc上电断开。因此，停止光的发射，操作进行到不发光期间。因此，在时间T1，所有晶体管Tr1～Tr4截止。

此后，在时间T1a，控制信号DS2切换到低电平以截止开关晶体管Tr6。结果，在不发光期间将发光元件EL从驱动晶体管Trd上电断开。虽然在本实施例中，开关晶体管Tr4在时间T1截止，然后开关晶体管Tr6截止，但也可以开关晶体管Tr6先截止，然后开关晶体管Tr4截止。注意发光元件EL应该在校正开关晶体管Tr2和Tr3导通之前断开。

此后，在时间T2，控制信号AZ1和AZ2升高到高电平，因此开关晶体管Tr2和Tr3导通。结果，驱动晶体管Trd的栅极G连接到基准电位Vss1上，源极S连接到基准电位Vss2上。这样，参数设置为Vss1-Vss2＞Vth，满足Vss1-Vss2＝Vgs＞Vth，以使能够在下面从时间T3开始的期间，适当地执行Vth校正过程。此刻，发光元件EL已经从驱动晶体管Trd的源极S上断开。因此，发光元件EL不需要反偏压。

在时间T3，控制信号AZ2切换到低电平，紧接着，控制信号DS也切换到低电平。结果，晶体管Tr3截止以及晶体管Tr4导通。结果，漏极电流Ids流进存储电容Cs中，开始Vth校正操作。这样，将驱动晶体管Trd的栅极G维持在Vss1，电流Ids流通直到驱动晶体管Trd截止。当驱动晶体管Trd截止，驱动晶体管Trd的源极电位(S)等于Vss1-Vth。在漏极电流断开之后的时间T4，控制信号DS回到高电平以截止开关晶体管Tr4。控制信号AZ1然后也回到低电平以截止开关晶体管Tr2。结果，存储Vth并保存在存储电容Cs中。如上所述，在从时间T3到时间T4的期间，检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。因此，此后，将T3～T4的期间称作Vth校正期间。

在完成Vth校正之后的时间T5，将控制信号WS切换到高电平以导通采样晶体管Tr1，从而将图像信号Vsig写入存储电容Cs中。存储电容Cs的容量远远小于辅助电容Csub的容量。结果，将图像信号Vsig的绝大部分写入存储电容Cs中。具体来说，将图像信号Vsig相对于Vss1的电压，即Vsig-Vss1写入存储电容Cs中。因此，通过在前一步骤检测得到的Vth上加上采样电压Vsig-Vss1，即Vsig-Vss1+Vth来给出在驱动晶体管Trd的栅极G与源极S之间的电压Vgs。在下面的讨论中，简便起见，假设Vss1＝0V。这样，如在图6的时序图中所示，通过Vsig+Vth来给出栅极-源极电压Vgs。继续采样图像信号Vsig直到在时间T7图像信号WS变回低电平。因此，将时间T5～T7的期间称作采样期间。

在采样期间的末端T7之前的时间T6，控制信号DS下降到低电平。结果，开关晶体管Tr4导通。因此，开关晶体管Trd电连接到电源Vcc上。在时间T6～T7的期间采样晶体管Tr1仍处于导通状态以及开关晶体管Tr4导通的期间，对驱动晶体管Trd的载流子迁移率作出校正。注意，在该期间，发光元件EL仍然从驱动晶体管Trd的源极S上断开。在该从时间T6到时间T7的迁移率校正期间，在驱动晶体管Trd的栅极G维持在图像信号Vsig的电压的状态下，漏极电流Ids流过驱动晶体管Trd。因此，将流过驱动晶体管Trd的电流Ids写入存储电容Cs和辅助电容的总电容中，即C＝Cs+Csub。结果，驱动晶体管Trd的源极电位(S)升高。存储在存储电容Cs中的栅极-源极电压Vgs减少了源极电位的增量ΔV，因此发生负反馈。作为驱动晶体管Trd的输出电流Ids对驱动晶体管Trd的输入电压的负反馈的结果，消除了迁移率μ变化的影响。

在时间T7，控制信号WS降低到低电平，因此采样晶体管Tr1截止。结果，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL上断开。因此，图像信号Vsig不再施加至驱动晶体管Trd的栅极G，驱动晶体管Trd的栅极电位(G)与源极电压(S)一起上升。具体来说，在本发明的实施例中，因为驱动晶体管Trd的源极S从发光元件EL上断开，源极电位增加直到它基本等于电源电压Vcc。因此，响应源极电位的增加，驱动晶体管Trd的栅极电位也增加。在该转变过程，将栅极-源极电压Vgs维持在存储于存储电容Cs中的电压，即(Vsig-ΔV+Vth)。

此后，在时间T7a，控制信号DS2升高到高电平。结果，开关晶体管Tr6导通，发光元件EL电连接到驱动晶体管Trd上。结果，从驱动晶体管Trd提供的驱动电流Ids流进发光元件EL中，并通过发光元件EL发光。在该过程，驱动晶体管Trd的源极电位(因此也是发光元件EL的阳极电位)降低到由驱动晶体管Trd以及发光元件EL的工作点确定的值，并在接下来的发光期间维持在稳定水平。

最后，在时间T8，控制信号DS升高到高电平，开关晶体管Tr4截止。结果，停止发光，本场结束。此后，下一场进行包括Vth校正过程、迁移率校正过程、以及发光过程的类似操作。

图7是显示装置第二比较例的电路图。在第二比较例中，每一个像素主要由四个晶体管、一个存储电容、一个发光元件组成。注意，与图2中所示的采用五个晶体管的第一比较例相比，在第二比较例中只用四个晶体管。驱动晶体管Trd是像素电路2中的关键设备。驱动晶体管Trd的栅极G连接到存储电容Cs的一端，它的源极S连接到存储电容Cs的另一端。驱动晶体管Trd的漏极通过开关晶体管Tr4连接到电源Vcc上。开关晶体管Tr4的栅极连接到扫描线DS中的一个上。发光元件EL的阳极连接到驱动晶体管Trd的源极S上，发光元件EL的阴极接地到接地电位Vcath。第二开关晶体管Tr3连接到在驱动晶体管Trd的源极S与基准电压Vss之间。晶体管Tr3的栅极连接到扫描线AZ中的一个上。采样晶体管Tr1连接到驱动晶体管Trd的栅极G与信号线SL之间。采样晶体管Tr1的栅极连接到扫描线WS中的一个上。

在该结构中，在分配给扫描线WS的水平扫描期间(1H)，采样晶体管Tr1响应通过扫描线WS提供的控制信号WS而导通，从而将通过信号线SL提供的图像信号Vsig采样到存储电容Cs中。将采样到存储电容Cs中的图像信号Vsig作为输入电压Vgs用于驱动晶体管Trd的栅极G。驱动晶体管Trd在发光期间，将对应于输入电压Vgs输出电流Ids提供给发光元件。注意输出电流Ids取决于驱动晶体管Trd的阈值电压。通过从驱动晶体管Trd提供的输出电流Ids来驱动发光元件EL，发出具有对应于所提供的图像信号Vsig的强度的光。

像素电路2具有由第一开关晶体管Tr3以及驱动晶体管Tr4组成的校正机构。在水平扫描期间(1H)的局部期间中校正机构运行以消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖的影响。具体来说，检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth，并将其写入存储电容Cs中。在水平扫描期间，在采样晶体管Tr1导通的状态下校正机构运行，并且存储电容的一端通过信号线SL维持在固定电压Vss0。在这种状态下，存储电容CS通过施加至存储电容Cs另一端的电压充电，直到存储电容Cs的另一端相对于固定电压Vss0的电压等于阈值电压Vth为止。在前半个水平扫描期间(1H)检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth并将其写在存储电容Cs中之后，然后在后半个水平扫描期间内，采样晶体管采样通过信号线SL提供的图像信号Vsig，并将所采样的信号电压写入存储电容Cs中。结果，将等于所采样的图像信号Vsig与前面写入的阈值电压的总和的输入电压Vgs存储在存储电容Cs中，将存储于此的总电压施加至驱动晶体管Trd的栅极G与源极S之间，从而消除了输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖。校正机构包括第一开关晶体管Tr3，该晶体管在水平扫描期间(1H)开始之前导通，从而将存储电容的电压重置到大于阈值电压Vth的值。校正机构也包括第二开关晶体管Tr4，该晶体管在每一个水平扫描期间(1H)都导通，从而充电存储电容Cs直到存储电容的电压等于阈值电压Vth时为止。在信号提供期间，在水平扫描期间(1H)，在该期间信号线SL处于图像信号Vsig的电位，采样晶体管Tr1将通过信号线SL提供的图像信号Vsig采样到存储电容Cs中，而在固定信号期间，在水平扫描期间(1H)，在该期间信号线SL处于固定电位Vss0，检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth，并将其写在存储电容中。

在本比较例中，驱动晶体管Trd的输出电流Ids不仅取决于阈值电压Vth，也取决于驱动晶体管的通道区域的载流子迁移率μ。为了解决上述依赖性，校正机构在在水平扫描期间(1H)的局部期间运行，使得当采样图像信号Vsig，并将输出电流Ids负反馈回存储电容Cs，从而校正输入电压Vgs时，通过提取驱动晶体管Trd的输出电流Ids来消除输出电流Ids对迁移率μ的依赖。

图8是用于说明在图7中所示电路的第二比较例的操作的时序图。图8示出了施加至扫描线WS、AZ、以及DS的控制信号沿着时间T的波形。为了简便起见，以和扫描线相同的符号来表示控制信号。在图8中，也示出了施加至信号线的图像信号Vsig沿着时间轴T的波形。如在图8中所示，图像信号Vsig在每个水平扫描期间H的前半期间具有固定电位值Vss0，在后半期间具有信号电位。因为晶体管T1以及T3是N通道型，当扫描线WS或AZ处于高电平时，这些晶体管导通，而当扫描线WS或AZ处于低水电时，它们截止。另一方面，当扫描线DS处于高电平时P通道型晶体管Tr4截止，而当扫描线DS处于低电平时P通道型晶体管导通。在图8的时序图中，除了控制信号WS、AZ、以及DS的波形图、以及图像信号Vsig的波形图之外，也示出了驱动晶体管Trd的栅极G和源极S的电压变化的波形图。

在图8所示的时序图中，从时间T1到时间T8的期间对应于像素阵列的行依次扫描一次的一个场(1f)。注意，在该时序图中，只针对一行示出了施加至像素的控制信号WS、AZ、以及DS的波形图。

在场开始的时间T0，控制线WS、AZ、以及DS都处于低电平。因此，N通道晶体管Tr1以及Tr3处于截止状态，P通道晶体管Tr4处于导通状态。因此，驱动晶体管Trd通过处于导通状态的晶体管Tr4电连接到电源Vcc上，将取决于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光元件EL。因此，在时间T0，发光元件EL发光。这样，施加至驱动晶体管Trd的输入电压Vgs通过源极电位(S)与栅极电位(G)之间的差值来给出。

在场开始的时间T1，控制信号DS从低电平升高到高电平。结果，晶体管Tr4截止，驱动晶体管Trd从电源Vcc上电断开。因此，停止发射光，操作进入到不发光期间。在时间T1，所有的晶体管Tr1、Tr3、以及Tr4都截止。

此后，在时间T2，控制信号AZ从低电平升高到高电平。结果，开关晶体管Tr3导通。因此，基准电压Vss被施加到存储电容Cs的另一端和驱动晶体管Trd的源极S。在该过程，因为驱动晶体管Trd的栅极具有高电阻，栅极电位(G)也与正在下降的源极电位(S)一起下降。

此后，控制信号AZ变回低电平，开关晶体管Tr3截止。在时间Ta，控制信号WS升高到高电平，因此采样晶体管Tr1导通。此刻，信号线处于固定电位Vss0。注意，Vss0以及Vss设置为满足Vss0-Vss＞Vth。还要注意的是，Vss0-Vss作为输入电压Vgs施加至驱动晶体管Trd。参数设置为满足Vgs＞Vth，这样能在下面的期间适当地执行Vth校正过程。换句话说，在时间Ta，在Vth校正开始之前，将存储电容Cs的电压重置到大于Vgs的值。此外，当以VthEL表示发光元件EL的阈值电压时，设置Vss使得满足VthEL＞Vss，即发光元件EL是反偏压。上面的设置是适当地执行下面的Vth校正过程所必须的。

此后，在时间T3，控制信号DS切换到低电平。结果，开关晶体管Tr4导通，开始Vth校正操作。为了在Vth校正过程中实现高精确度，信号线的电位仍然维持在固定电位Vss0。开关晶体管Trd的导通使驱动晶体管Trd电连接到电源Vcc上，因此输出电流Ids流通。结果，存储电容Cs充电，连接到存储电容Cs的一端的源极电位(S)升高。另一方面，存储电容Cs另一端的电位(即栅极电位(G))固定在Vss0。因此，由于存储电容Cs被充电，源极电位(S)升高，当输入电压Vgs达到Vth时驱动晶体管Trd截止。如果驱动晶体管Trd截止，它的源极电位(S)等于Vss0-Vth，如在时序图中所示。

此后，在时间T4，控制信号DS变回高电平以截止驱动晶体管Tr4。因此，完成Vth校正过程。作为校正过程的结果，将对应于阈值电压Vth的电压存储在存储电容Cs中。

在从时间T3到时间T4的期间完成Vth校正过程之后，当已经完成前半水平扫描期间(1H)时，信号线的电位从Vss0切换到Vsig。结果，将图像信号写入存储电容Cs中。存储电容Cs的容量远远小于发光元件EL的等效电容Coled的容量。从而大部分图像信号Vsig被写入存储电容Cs中。因此，通过在前一步骤检测所得的Vth上加上采样电压Vsig，即Vsig+Vth来给出在驱动晶体管Trd的栅极G与源极S之间的电压Vgs。因此，如在图8的时序图中所示，栅极-源极电压Vgs由Vsig+Vth给出。继续图像信号Vsig的采样直到控制信号WS在时间T7变回低电平。因此，将从T5到T7的期间视作采样期间。

在本比较例中，如上所述，每个水平扫描期间(1H)都包括从时间T3到时间T4的Vth校正期间以及从时间T5到时间T7的采样期间。在每个水平扫描期间(1H)，采样控制信号WS维持在高电平。在本比较例中，在采样晶体管Tr1是导通状态的状态下执行Vth校正过程以及Vsig的写入。这可简化像素电路2。

在本比较例中，除了Vth校正过程，也执行与迁移率μ相关的校正。然而，该结构不仅局限于上述。例如，只进行Vth的校正，而不进行迁移率μ的校正。此外，在本像素电路2的比较例中，使用N通道以及P通道混合的晶体管。可选地，除了驱动晶体管Trd，晶体管可以都是N通道型或都是P通道型。

下面将详细描述从时间T6到时间T7的期间执行的迁移率μ的校正。在采样期间结束的时间T7之前的时间T6，控制信号DS下降到低电平。结果，开关晶体管Tr4导通。因此，驱动晶体管Trd电连接到电源Vcc上，像素电路从不发光期间进入到发光期间。在从T6到T7的期间采样晶体管Tr1仍是导通的状态以及开关晶体管Tr4导通的期间，进行驱动晶体管Trd的载流子迁移率的校正。也就是说，在本发明的比较例中，在从时间T6到时间T7这个采样期间的末端与发光期间的开端重叠的期间进行载流子迁移率校正。在执行迁移率校正的发光期间的开端，发光元件EL是反偏压，因此没有光发射。在从T6到T7的迁移率校正期间，漏极电流Ids在驱动晶体管Trd的栅极G固定在对应于图像信号Vsig的电平的状态下流过驱动晶体管Trd。这种状态下，参数设置为满足Vss0-Vth＜VthEL，使得发光元件EL为反偏压，因此发光元件EL不作为二极管而是作为电容。因此，将流过驱动晶体管Trd的电流Ids写入存储电容Cs和等效电容Coled的总电容之中。结果，驱动晶体管Trd的源极电位(S)升高。在图8所示的时序图中，以ΔV来表示源极电位S的增加。存储在存储电容Cs中的栅极-源极电压Vgs减少了源极电位的增量ΔV，因此发生负反馈。作为驱动晶体管Trd的输出电流Ids对驱动晶体管Trd的输入电压Vgs的负反馈的结果，执行迁移率μ的校正。负反馈ΔV的量能通过调整从T6到T7迁移率校正期间的长度t来进行优化。

在时间T7，控制信号WS下降到低电平，因此采样晶体管Tr1截止。结果，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL上断开。因此，图像信号Vsig不再施加至驱动晶体管Trd的栅极G，驱动晶体管Trd的栅极电位G与源极电位(S)一起升高。在该转变过程，栅极-源极电压Vgs维持在存储于存储电容Cs中的电压，即(Visg-ΔV+Vth)。作为源极电位(S)增加的结果，发光元件EL的偏压从反偏压切换到正偏压，输出电流Ids流过发光元件EL。因此，发光元件EL开始发射光。这样，漏极电流Ids对栅极电压Vgs的依赖能通过以Vsig-ΔV+Vth取代在上述晶体管特征方程中的Vgs来获得，即输出电流Ids通过下式给出

Ids＝kμ(Vgs-Vth)²＝kμ(Vsig-ΔV)²

其中

k＝(1/2)(W/L)Cox

如在上述方程中可见，所得的输出电流Ids不再包括Vth项，即提供给发光元件EL的输出电流Ids不取决于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。因此，漏极电流Ids主要由图像信号的信号电压Vsig来决定。换句话说，发光元件EL发射具有对应于通过反馈ΔV校正过的图像信号Vsig的强度的光。确定了校正值ΔV的量以消除特征方程的系数中迁移率μ的影响。结果，漏极电流Ids仅取决于图像信号Vsig。

最后，在时间T8，控制信号DS升高到高电平，开关晶体管Tr4截止。结果，停止光发射，该场结束。此后，下一个场执行包括Vth校正过程、迁移率校正过程、以及发光过程的相似操作。

图9是根据本发明第二实施例的显示装置的电路图。该显示装置以与在图7所示的第二比较例相似的方式设置。在图9中，以相同的参考符号来表示与图7中相似的部件。根据本发明第二实施例的显示装置与在图7中所示的第二比较例子的不同点在于开关晶体管Tr6位于驱动晶体管Trd的源极S与发光元件EL的阳极之间。此外，去掉了发光元件EL的等效电容Coled，将辅助电容Csub连接到驱动晶体管Trd的源极S与地线之间。为了驱动开关晶体管Tr6的栅极，在像素阵列1中布置了附加扫描线DS2。该扫描线DS2通过布置在驱动单元的第二扫描器8按线顺序地扫描。

图10是用于说明书根据在图9中所示的第二实施例的电路的操作的时序图。在图10中，为了便于理解，以相似的参考符号来表示与图8的时序图中所示的部分。如图10所示，在时间T1，开关晶体管Tr4截止，从而将像素2从发光装置切换到不发光状态。此后，在时间T1a，扫描线DS2切换到低电平以截止开关晶体管Tr6。结果，发光元件EL从驱动晶体管Trd上电断开。此后，在从时间T2到时间T3的期间，执行预备过程。此外，在从时间T3到时间T4的期间，执行阈值电压校正过程。在从时间T5到时间T7的期间，将图像信号写入存储电容Cs中。在该过程中，在从时间T6到时间T7的期间执行迁移率校正。在这些过程中，将发光元件EL从驱动晶体管Trd上电断开，从而消除发光元件EL的漏电流的影响。

如果在时间T7完成所有的校正过程，然后在时间T7a，控制信号DS2变回到高电平以导通开关晶体管Tr6。结果，发光元件EL电连接到驱动晶体管Trd上。因此将输出电流Ids提供到发光元件EL上，发光元件EL开始发光。结果，决定驱动晶体管Trd以及发光元件EL的工作点的源极S的电位从电源电位Vcc降低到低电平并保持在此。响应源极电位的降低，驱动晶体管Trd的栅极G的电位也降低到低电平，并保持于此。

图11是显示装置的第三比较例的电路图。在该第三比较例中，像素电路2由三个晶体管、一个发光元件、以及一个存储电容组成。注意，在第三比较例中，晶体管的数量经一步比第二比较例中所用的少一个。像素电路2包括采样晶体管Tr1、连接到采样晶体管Tr1的存储电容Cs、连接到驱动晶体管Trd的发光元件EL，以及用于将驱动晶体管Trd连接到电源Vcc上或从电源Vcc上断开的开关晶体管Tr4。

采样晶体管Tr1响应通过第一扫描线WS提供的控制信号WS而导通，并将通过信号线SL提供的的图像信号Vsig采样到存储电容Cs。将采样到存储电容Cs中的图像信号Vsig作为输入电压Vgs提供给驱动晶体管Trd的栅极G。驱动晶体管Trd将一个对应于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光元件EL。注意，输出电流Ids取决于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。通过从驱动晶体管Trd提供的输出电流Ids来驱动发光元件EL，并发射具有对应于所提供的图像信号Vsig的强度的光。开关晶体管Tr4响应通过第二扫描线DS提供的控制信号DS而导通，以在发光期间将驱动晶体管Trd连接在电源Vcc上。在不发光期间，开关晶体管Tr4截止以将驱动晶体管Trd从电源Vcc上电断开。

包括写入扫描器4以及驱动扫描器5的扫描部在每个水平扫描期间(1H)通过第一扫描线WS以及第二扫描线DS输出控制信号WS以及控制信号DS，以适当地导通或截止采样晶体管Tr1以及开关晶体管Tr4，以执行预备过程、校正过程、以及采样过程。在预备过程中，为了准备下面的校正过程以消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖，而重设存储电容Cs。在校正过程，将用于消除阈值电压Vth的影响的电压写入处于重设状态的存储电容中。在校正过程之后的采样过程中，将图像信号Vsig的信号电位采样到存储电容Cs中，以进行校正过程。另一方面，包括水平选择器(装置IC)3的信号部在每个水平期间(1H)中，在固定的第一电位VssH、第二电位VssL、以及信号电位Vsig之间切换图像信号的电位，从而通过信号线SL提供用于预备过程中、校正过程中、以及采样过程中的各种电位。

具体来说，水平选择器3首先提供具有高电平的第一固定电位VssH，然后将电位切换到具有低电平的第二固定电位VssL，从而允许执行预备过程。在维持第二固定低电位VssL的状态下，执行预备处理。此后，将电位切换到信号电位Vsig上，执行采样过程。如上所述，水平扫描器3利用包括用于生成信号电位Vsig的信号生成器的驱动IC、以及用于在从信号生成器中输出的信号电位Vsig中插入第一固定电位VssH和第二固定电位VssL的输出电路组成，从而将图像信号转变成第一固定电位VssH、第二固定电位VssL、以及信号电位Vsig轮流出现的形式，并将所转换的图像信号输出到各个信号线SL。

驱动晶体管Trd的输出电流Ids不只取决于阈值电压Vth，也取决于驱动晶体管的通道区域的载流子迁移率μ。因此，包括写入扫描器4以及驱动扫描器5的扫描部在水平扫描期间(1H)通过第二扫描线DS输出控制信号，以控制开关晶体管Tr4来允许执行校正过程，使得当采样图像信号Vsig时，提取驱动晶体管Trd的输出电流Ids，并负反馈到存储电容Cs上，从而校正输入电压Vgs以消除输出电流Ids对载流子迁移率μ的依赖的影响。

图12是用于说明在图11中所示像素电路的第三比较例的操作的时序图。参考图12，下面将描述图11中的像素电路的操作。图12示出了施加至扫描线WS和扫DS的控制信号沿时间轴T的波形图。简便起见，以与扫描线相同的符号来表示控制信号。在图12中，也示出了施加至信号线的图像信号Vsig沿着时间轴T的波形图。如图12所示，在第一固定电位VssH、第二固定电位VssL、以及信号电位Vsig之间顺序切换图像信号的电位。因为晶体管Tr1是N通道型，当扫描线WS是高电平时导通，而当扫描线WS是低电平时截止。另一方面，当扫描线DS处于高电平时P通道型晶体管Tr4截止，当扫描线DS处于低电平时导通。在图12的时序图中，除了控制信号WS以及DS的波形图以及图像信号的波形图，也示出了驱动晶体管Trd的栅极G与源极S的电位的改变。

在图12中所示的时序图中，从时间T1到时间T8的期间对应依次扫描一遍像素阵列的行的一个场(1F)。注意在时序图中，仅针对一行示出了施加至像素的控制信号WS以及DS的波形图。

首先，在时间T1，开关晶体管Tr4截止，使得没有光发射。这样，没有电源从Vcc提供，因此驱动晶体管Trd的源极电位降低到发光元件EL的断开电压VthEL。

此后，在时间T2，采样晶体管Tr1导通。期望在采样晶体管Tr1导通之前，将信号线上升到VssH，因为这将减少写入的时间。采样晶体管Tr1的导通使得将VssH写在驱动晶体管Trd的栅极上。在该过程中，施加至栅极的电压通过存储电容Cs连接到源极上，因此源极电位升高。然而，源极S的电位的升高是暂时的。也就是说，存储电容Cs通过发光元件EL放电，源极电位降低到VthEL。在该转变中，栅极电位维持在VssH上。

此后，在时间Ta，当将采样晶体管Tr1维持在导通状态时，将信号电压切换到VssL。该电压的改变通过存储电容C耦合至源极电位。通过Cs/(Cs+Coled)×(VssH-VssL)来给出耦合量，其中通过VssL来给出栅极电位，以及通过VthEL-Cs/(Cs+Coled)×(VssH-VssL)来给出源极电位。因为负偏压，源极电位低于VthEL，因此发光元件EL截止。这里，即使在下面的Vth校正过程以及迁移率校正过程中，期望将源极电位设置到使发光元件EL维持在截止状态的值。通过执行耦合，使得Vgs＞Vth，能够在接下来的期间适当地执行Vth校正过程。因此，在包括更少数量的如晶体管、电源线、以及栅极线的元件的本电路结构中，能够适当地执行为Vth校正过程作准备的预备过程。也就是说，从时间T2到时间Ta的期间包括在用于为校正过程作准备的预备过程之中。

此后，在时间T3，当栅极G维持在VssL时，开关晶体管Tr4导通。结果，电流流过驱动晶体管Trd，以与比较例相似的方式执行Vth校正过程。电流流通直到驱动晶体管Trd截止。如果驱动晶体管Trd截止，驱动晶体管Trd的源极电位等于VssL-Vth。这里，需要满足VssL-Vth＜VthEL。

此后，在时间T4，开关晶体管Trd截止。因此，完成Vth校正过程。如上所述，将从时间T3到时间T4的期间视作Vth校正期间。

在完成从时间T3到时间T4的期间的Vth校正过程之后，在时间T5，将信号线的电位从VssL切换到Vsig。结果，将图像信号Vsig的信号电位写入存储电容Cs中。存储电容Cs的容量远远小于发光元件EL的等效电容Coled的容量。因此，绝大部分信号电位被写入存储电容Cs中。因此，通过在前面的步骤检测所得的Vth上加上采样的电压Vsig，即Vsig+Vth来给出驱动晶体管Trd的栅极G以及源极S之间的电压Vgs。也就是说，等于Vsig+Vth的输入电压Vgs被施加至驱动晶体管Trd。继续信号电压的采样直到在时间T7控制信号WS降低到低电平。因此，从时间T5到时间T7的期间视作采样期间。

在本像素电路的比较例子中，除了Vth校正过程，也执行迁移率μ的校正过程。在从时间T6到时间T7的期间执行迁移率μ的校正过程。如在时序图中所示，从输入电压Vgs中减去一个校正电压ΔV。

在时间T7，控制信号WS下降到低电平，因此采样晶体管T1截止。结果，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL上断开。因此图像信号Vsig不再施加至驱动晶体管Trd的栅极G，驱动晶体管Trd的栅极电位(G)与源极电位(S)一起升高。在该转变过程中，将栅极-源极电压Vgs维持在存储于存储电容Cs中的电压，即(Vsig-V+Vth)。作为源极电位(S)增加的结果，发光元件EL的偏压从反偏压切换到正偏压，输出电流Ids流进发光元件EL内。因此，发光元件EL开始发光。

最后，在时间T8，控制信号DS升高到高电平，开关晶体管Tr4截止。结果，停止光发射，本场结束。此后，在下一个场执行包括预备过程、Vth校正过程、迁移率校正过程、以及发光过程的相似操作。

图13是根据本发明第三实施例的显示装置的电路图。该显示装置以和在图11中所示的第三比较例相似的方式来构成。在图13中，以相同的参考符号与图11中相似的部件。根据本发明第三实施例的显示装置和第三比较例子不同在于将附加开关晶体管Tr6布置在驱动晶体管Trd与发光元件EL之间。此外，去掉了发光元件EL的等效电容Coled，并将辅助电容Csub连接到驱动晶体管的源极S与地线之间。为了控制开关晶体管Tr6的栅极的导通/截止，布置了附加扫描线DS2。通过附加布置在驱动单元中的第二驱动扫描器8对扫描线DS2按线顺序扫描。

图14是用于说明根据在图13中所示的第三实施例的像素电路的操作的时序图。该时序图与图12中所示的时序图基本相似，并以相似的参考符号来表示与图12中相似的部件。如图14中所示，在时间T1，开关晶体管Tr4截止，从而开始不发光期间。在时间T1a，开关晶体管Tr6截止，从而将发光元件EL从驱动晶体管Trd上电断开。注意也可以相反的顺序来执行开关晶体管Tr4以及Tr6的截止。此后，按顺序执行阈值电压校正过程、图像信号采样过程、以及迁移率校正过程。然后，在时间T7，采样晶体管Tr1截止以将驱动晶体管Trd的栅极从信号线SL上断开。因此，预备过程、校正过程、以及采样过程全部都完成，现在准备执行光发射过程。注意，在上述操作中，开关晶体管Tr6维持在截止状态，发光元件EL从驱动晶体管Trd的源极S上断开使得发光元件的漏电流不对操作有不利影响。

此后，在时间T7a，开关晶体管Tr6再次导通，因此发光元件EL电连接到驱动晶体管Trd上。结果，驱动电流Ids从电源Vcc通过发光元件EL流进阴极，因此光发射开始。在上述过程中，驱动晶体管Trd的源极S的电位从电源电位Vcc下降到发光元件EL的工作点，并保持在此。

图15是显示装置第四比较例的电路图。在该第四比较例中，每个像素电路包括两个晶体管、一个发光元件、以及一个存储电容。与上述的第三比较例相比较，达到了晶体管数量的进一步减少。如在图15中所示，像素2包括如有机电致发光元件的发光元件EL、采样晶体管Tr1、以及存储电容Cs。采样晶体管Tr1的控制端(栅极)连接到对应的扫描线WS上。采样晶体管Tr1的电流端(源极以及漏极)之一连接到对应的信号线SL上，另一个连接到驱动晶体管Trd的控制端(栅极)。驱动晶体管Trd的电流端(源极以及漏极)之一连接到发光元件EL，另一端连接到对应的电源线VL上。具体来说，在本例中，驱动晶体管Trd是N通道型，因此将它的漏极连接到电源线VL上，作为输出节点的源极S连接到发光元件EL的阳极。发光元件EL的阴极连接到阴极电位Vcath。存储电容Cs连接到驱动晶体管Trd的源极S与栅极G之间。

在该结构中，采样晶体管Tr1响应通过扫描线WS提供的控制信号而导通。结果，采样通过信号线SL提供的信号电位，并将其写入存储电容Cs中。将从处于第一电位(高电位Vcc)的电源线流出的电流提供给驱动晶体管Trd，并将取决于在存储电容Cs中的电位的驱动电流提供给发光元件EL。写入扫描器4通过控制线WS输出具有预定脉冲宽度的控制信号，从而在信号线SL处于信号电位的期间导通采样晶体管Tr1，因此将信号电位存储在存储电容Cs中，并将用于消除驱动晶体管Trd的迁移率μ的影响的校正电压加在信号电位上。此后，驱动晶体管Trd将对应于存储在存储电容Cs中的信号电位Vsig的驱动电流提供给发光元件EL，因此开始发光。

除了迁移率校正功能，像素2也具有阈值电压校正功能。具体来说，在采样晶体管Tr1执行信号电位Vsig的采样之前的第一个时间点，电源扫描器6将电源线VL的电位从第一电位(高电位Vcc)切换到第二电位(低电位Vss)。在采样晶体管Tr1执行信号电位Vsig的采样之前的第二个时间点，写入扫描器4导通扫描晶体管Tr1，从而将基准电位Vref从信号线SL施加到驱动晶体管Trd的栅极G，以及将驱动晶体管Trd的源极S设置在第二电位(Vss)上。在第二时间点之后的第三时间点，电源扫描器6将电源线的电位从第二电位Vss切换到第一电位Vcc上，从而将对应于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的电压写入存储电容Cs中。作为上述阈值电压校正过程的结果，消除了像素之间的驱动晶体管Trd的阈值电压不同的影响。

像素电路2也具有自引导功能(bootstrap function)。具体来说，在信号电位Vsig已经存储在存储电容Cs中时，写入扫描器4停止对扫描线WS施加控制信号，从而截止扫描晶体管Tr1，并将驱动晶体管的栅极G从信号线SL上电断开，从而驱动晶体管Trd的栅极G随源极S的电位的变化而变化，因此栅极G与源极S之间的电压维持定值。

图16是用于说明图15中所示的像素电路的第四比较例的操作的时序图。在图16中，示出了扫描线WS、电源线VL、以及信号线SL的电位沿时间轴的变化。除了这些电位改变，也示出了驱动晶体管的栅极G与源极S的电位的改变。如上所述，用于导通采样晶体管Tr1的控制脉冲信号被施加至扫描线WS。该控制脉冲信号以对应于一场(1f)的重复间隔，与像素阵列的逐行扫描同步施加至扫描线WS。电源线VL的电位周期性地以对应于一场的间隔在高电压Vcc以及低电压Vss之间进行切换。将图像信号提供给信号线SL，使得图像信号的电位在每个水平期间(1H)在信号电位Vsig与基准电位Vref之间切换。

如在图16中的时序图所示，在前一个场的发光期间结束后，本扫描场的不发光期间开始。在不发光期间结束后，本场的发光期间开始。在不发光期间中，执行预备过程，阈值电压校正过程、信号写入过程和迁移率校正过程。

在发光期间中，电源线VL处于高电压Vcc，驱动电流Ids从驱动晶体管Trd提供给发光元件EL，使得驱动电流Ids从处于高电位Vcc的电源线VL，通过驱动晶体管Trd流入发光元件EL，并进一步流入阴极线。

当本场的不发光期间开始时，首先，在时间T1，电源线VL的电位从高电位Vcc切换到低电位Vss，使得电源线VL的电位降至Vss，因此驱动晶体管Trd的源极S的电位降至Vss。结果，使发光元件EL的阳极(即，驱动晶体管Trd的源极)达到使发光元件EL为反偏压的电位，因此没有电流流过发光元件EL，停止发光。此外，由于驱动晶体管的源极S电位降低，栅极G的电位降低。

此后，在时间T2，扫描线WS由低电平切换为高电平，从而导通采样晶体管Tr1。此时，信号线SL处于基准电位Vref。结果，驱动晶体管Trd的栅极G通过导通的采样晶体管Tr1，达到了信号线SL的基准电位Vreg。在该状态下，驱动晶体管Trd的源极S处在远低于Vref的电位Vss。因此，处于驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的电压Vgs被重置为大于驱动晶体管Trd阈值电压Vth的值。因此，从T1到T3的期间视为将驱动晶体管Trd的栅极-源极电压Vgs重置为远大于Vth的值的预备期间。

此后，在时间T3，电源线VL从低电平Vss切换成至高电平Vcc，因此驱动晶体管Trd的源极S的电位开始升高。当驱动晶体管Trd的栅极-源极电压Vgs达到与阈值电压Vth相同的值时，驱动晶体管Trd截止。因此，对应于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的电压被写入存储电容Cs中，从而执行与阈值电压相关的校正。这样，为了使所有的电流都流入存储电容Cs中，且没有电流通过发光元件EL，将阴极电位Vcath设置为使发光元件EL处于截止状态的值。在信号线SL从Vref切换到Vsig的时间T4，完成上述阈值电压校正过程。因此，从T3到T4的期间为阈值电压校正期间。

在时间T4，信号线SL从基准电位Vref切换为信号电位Vsig。此刻，采样晶体管Tr1仍然保持导通状态。因此，驱动晶体管Trd的栅极G达到信号电位Vsig。这时，由于发光元件EL处于截止状态，其中发光元件EL具有高阻抗，因此处于驱动晶体管Trd的漏极和源极间的电流全部被提供给存储电容Cs和发光元件EL的等效电容，因此充电过程开始。在采样晶体管Tr1截止的时间T5，驱动晶体管Trd的源极S的电位升高了KV。结果，图像信号的信号电位Vsig被加到Vth上，将所得的总值存储在存储电容Cs中，此外，从存储在存储电容Cs中的电压中减去迁移校正的电压ΔV。因此，从时间T4到时间T5的期间为信号写入/迁移率校正期间。在从T4到T5的信号写入期间，如上所述，同时执行信号电位Vsig的写入和校正量ΔV的调整。信号电位Vsig越高，驱动晶体管Trd提供的电流Ids越大，ΔV的绝对值也越大。因此，根据发光强度恰当地执行迁移率校正。对于相同的信号电位Vsig，驱动晶体管Trd的迁移率μ越大，ΔV的绝对值也越大。换句话说，迁移率μ越大，对存储电容Cs的负反馈量ΔV越大，因此消除了迁移率μ在像素之间变化所产生的影响。

最后，在时间T5，扫描线WS切换到低电平，采样晶体管Tr1截止。结果，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL断开，漏极电流Ids开始流入发光元件EL。因此，发光元件EL的阳极电位取决于驱动电流Ids而升高。发光元件EL的阳极电位的升高意味着驱动晶体管Trd的源极S的电位也升高。与驱动晶体管Trd的源极S的电位一样，驱动晶体管Trd的栅极G的电位通过存储电容Cs的自引导操作，增加了与源极电位增加量相同的量。因此，驱动晶体管Trd的栅极-源极电压Vgs在发光期间保持不变。通过信号电位Vsig、栅极限电压Vth、以及与迁移率μ相关的校正值的总和来给出Vgs的值。

图17是根据本发明第四实施例的显示装置的电路图。该显示装置的配置方式与图15中所示的第四比较例基本类似。在图17中，与图15类似的部分用相类似的参考符号表示。本发明中第四实施例的显示装置与图15所示的第四比较例的区别在于，开关晶体管Tr6位于驱动晶体管Trd的源极S和发光元件EL的阳极之间，辅助电容Csub连接在驱动晶体管Trd的源极S和地线之间。为了驱动开关晶体管Tr6的栅极，布置了与扫描线WS平行延伸的附加扫描线DS。这些附加的扫描线DS由位于在驱动单元中的驱动扫描器8按顺序逐行扫描。

图18是用于说明根据图17中所示的第四实施例的像素电路的操作的时序图。该时序图与图16基本类似，与图16类似的部分采用相似的参考符号表示。首先，在发光期间的时间T1a，开关晶体管Tr6截止。结果，驱动晶体管Trd与发光元件EL断开，不发光期间开始。此时，驱动晶体管Trd仍处于导通状态，因此源极S的电位通过电源线上升到Vcc。结果，驱动晶体管Trd的栅极G的电位也上升。

此后，在发光元件EL与驱动晶体管Trd断开的状态下，开始执行为校正做准备的预备过程、阈值电压校正过程、信号写入过程、以及迁移率校正过程。更具体地，在时间T1，电源线VL从Vcc切换为Vss，以将驱动晶体管Trd的源极电位设置为Vss。然后，在时间T2，采样晶体管Tr1导通，同时将信号线SL保持在基准电压Vref，使得将驱动晶体管Trd的栅极电位设置为Vref。因此完成了为校正阈值电压做准备的预备过程。此后，在时间T3，电源线VL从Vss转换为Vcc，存储电容Cs充电直到驱动晶体管Trd截止。结果，阈值电压Vth被写入存储电容Cs中。此后，在时间T4，将信号线SL转换至信号电位Vsig，并将信号电位Vsig写入存储电容Cs中。写入过程一直持续到时间T5。在时间T5，采样晶体管Tr1截止。从时间T4到时间T5的期间中，除了信号电位Vsig的写入外，执行校正过程以消除迁移率μ变化的影响。在时间T5，采样晶体管Tr1截止，驱动晶体管Trd的栅极G与信号线SL断开。因此，像素电路处于可发射光的状态。在该状态下，由于驱动晶体管Trd与发光元件EL断开，驱动晶体管Trd的源极电位上升至通过电源线VL提供的高电位Vcc。

若采样晶体管Tr1截止，则在时间T5a，开关晶体管Tr6导通，以电连接发光元件EL至驱动晶体管Trd。结果，驱动电流Ids通过驱动晶体管Trd，从电源线VL流入发光元件EL，因此发光期间开始。

图19示出了用在根据本发明实施例的显示装置中的薄膜装置的结构的例子。在该图中，示意地示出了在绝缘基板上形成的像素的横截面结构。如图所示，像素包括多个薄膜晶体管(在图19中只示出了一个薄膜晶体管)、存储电容、以及如有机电致发光元件的发光元件。晶体管和电容通过TFT处理而位于基板上的较低层，发光元件(有机电致发光元件)位于高层。一透明相对基板通过胶粘剂粘合至其之上，从而形成了一个平板。

根据本发明的显示装置能在如图20所示的平板模块上实现。具体来说，例如，在绝缘基板上形成包括每一个都具有有机电致发光元件、薄膜晶体管、薄膜电容的多个像素的像素阵列，然后通过设于像素阵列周围的胶粘剂将由玻璃等制成的相对基板与其粘合，从而形成显示模块。根据需要，可在透明相对基板上设置例如滤色片、保护膜、遮光膜等的附加部件。可在显示模块上设置用于连接像素阵列和外部电路的FPC(柔性印刷电路)。

根据本发明的平板式的显示装置可在各种电子设备中用作显示静止或运动图像的显示器，例如数码相机、笔记本个人电脑、移动电话、或摄像机。下面示出了这些电子设备的一些具体例子。

图21示出了采用包括前面板12和滤色玻璃13的显示器11的电视机。根据本发明的显示装置可用作图像显示屏幕11。

图22示出了一数码相机。其前视图示于该附图的上部，后视图示于底部。该数码相机包括成像透镜、闪光单元15、显示器16、控制开关、菜单开关、以及快门按钮19。根据本发明的显示装置可用作显示器16。

图23示出了一笔记本个人电脑。其主体20包括用户操作用来输入数据或命令的键盘21。盖体包括用于显示图像的显示器22。根据本发明的显示装置可用作显示器22。

图24示出了一便携终端。处于打开状态的该便携终端示于该附图的左侧，而闭合状态的便携终端示于右侧。该便携终端包括：上盖23、下盖24、连接部(合叶)25、显示屏26、子显示屏27、镜前灯(picture light)28、以及相机29。根据本发明的显示装置能被用作显示屏26或子显示屏27。

图25示出了一台包括主体30、布置在前面的成像透镜34、启动/停止开关35、监视器36的摄像机。根据本发明的显示装置能被用作监视器36。

应该了解，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种显示装置，包括：

像素阵列；以及

驱动单元，用于驱动所述像素阵列，

所述像素阵列包括行形式布置的扫描线、列形式布置的信号线、以及阵列形式布置在所述扫描线和所述信号线的各个交点上的像素，

各个像素至少包括采样晶体管、驱动晶体管、发光元件、和存储电容，

所述采样晶体管的控制端被连接至相应的扫描线，所述采样晶体管的两个电流端之一被连接至相应的信号线和所述驱动晶体管的控制端，

所述驱动晶体管的两个电流端之一被连接至所述发光元件，另一个被连接至电源线，

所述存储电容被连接在所述驱动晶体管的所述控制端与所述两个电流端中的一个之间，

所述驱动单元被配置为通过选定扫描线输出控制信号，以导通连接至所述选定扫描线的采样晶体管，并通过选定信号线输出图像信号，以将所述图像信号通过所述导通的采样晶体管写入所述存储电容中，

从而，所述驱动晶体管在预定的发光期将与所述写入的图像信号的信号电压相对应的驱动电流提供给所述发光元件，而在不发光期，所述驱动晶体管不提供驱动电流，

各个像素包括校正装置和开关晶体管，

所述校正装置适于在不发光期中操作，以将校正电压写入所述存储电容中，从而消除所述驱动晶体管特性变化的影响，

所述开关晶体管布置在所述驱动晶体管的所述两个电流端之一与所述发光元件之间，所述开关晶体管适于在不发光期截止，从而将所述发光元件从所述驱动晶体管的所述两个电流端之一电断开，从而避免漏电流在所述校正装置操作时流过所述发光元件，并因此避免所述校正电压由于所述漏电流而出现误差。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述校正装置附加地将对应于所述驱动晶体管的阈值电压的校正电压写入所述存储电容中，从而消除所述驱动晶体管的阈值电压的变化的影响。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述校正装置从写入所述存储电容中的所述图像信号的信号电压中减去与所述驱动晶体管的迁移率相对应的校正电压，以消除所述驱动晶体管的迁移率变化影响。

4.一种显示装置驱动方法，

所述显示装置包括像素阵列以及用于驱动所述像素阵列的驱动单元，

所述像素阵列包括行形式布置的扫描线、列形式布置的信号线、以及阵列形式布置在所述扫描线和所述信号线的各个交点上的像素，

各个像素至少包括采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管、发光元件、和存储电容，

所述采样晶体管的控制端被连接至相应的扫描线，所述采样晶体管的两个电流端之一被连接至相应的信号线和所述驱动晶体管的控制端，

所述驱动晶体管的两个电流端之一被连接至所述发光元件，另一个被连接至电源线，

所述开关晶体管布置在所述驱动晶体管的两个电流端之一与所述发光元件之间，

所述存储电容连接在所述驱动晶体管的所述控制端与两个电流端之一之间，

所述驱动单元被配置为通过选定扫描线输出控制信号，以导通连接至所述选定扫描线的采样晶体管，并通过选定信号线输出图像信号，以将所述图像信号通过所述导通的采样晶体管写入到所述存储电容中，

从而，所述驱动晶体管在预定的发光期将与所述写入的图像信号的信号电压相对应的驱动电流提供给所述发光元件，而在不发光期，所述驱动晶体管不提供驱动电流，

所述方法包括以下步骤：

执行校正处理，以在不发光期中消除所述驱动晶体管特性变化的影响，所述校正处理包括将校正电压从所述驱动晶体管的两个电流端之一写入所述存储电容中；以及

在不发光期截止所述开关晶体管，以将所述发光元件从所述驱动晶体管的所述两个电流端之一电断开，从而避免漏电流流过发光元件，并因此避免所述校正电压由于所述漏电流而出现误差。

5.一种包括根据权利要求1所述的显示装置的电子设备。

6.一种显示装置，包括：

像素阵列；以及

驱动单元，用于驱动所述像素阵列，

所述像素阵列包括行形式布置的扫描线、列形式布置的信号线、以及阵列形式布置在所述扫描线和所述信号线的各个交点上的像素，

各个像素至少包括采样晶体管、驱动晶体管、发光元件、和存储电容，

所述采样晶体管的控制端被连接至相应的扫描线，所述采样晶体管的两个电流端之一被连接至相应的信号线和所述驱动晶体管的控制端，

所述驱动晶体管的两个电流端之一被连接至所述发光元件，另一个被连接至电源线，

所述存储电容被连接在所述驱动晶体管的所述控制端与所述两个电流端中的一个之间，

所述驱动单元被配置为通过选定扫描线输出控制信号，以导通连接至所述选定扫描线的采样晶体管，并通过选定信号线输出图像信号，以将所述图像信号通过所述导通的采样晶体管写入所述存储电容中，

从而，所述驱动晶体管在预定的发光期将与所述写入的图像信号的信号电压相对应的驱动电流提供给所述发光元件，而在不发光期，所述驱动晶体管不提供驱动电流，

各个像素包括校正单元和开关晶体管，

所述校正单元适于在不发光期中操作，以将校正电压写入所述存储电容中，从而消除所述驱动晶体管特性变化的影响，

所述开关晶体管布置在所述驱动晶体管的所述两个电流端之一与所述发光元件之间，所述开关晶体管适于在不发光期截止，从而将所述发光元件从所述驱动晶体管的所述两个电流端之一电断开，从而避免漏电流在所述校正单元操作时流过所述发光元件，并因此避免所述校正电压由于所述漏电流而出现误差。

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