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CN109643508A - 显示装置和电子设备 - Google Patents

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CN109643508A
CN109643508A CN201780051383.7A CN201780051383A CN109643508A CN 109643508 A CN109643508 A CN 109643508A CN 201780051383 A CN201780051383 A CN 201780051383A CN 109643508 A CN109643508 A CN 109643508A
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transistor
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pixel
luminescence unit
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Abstract

提供了一种显示装置以及包括该显示装置的电子设备，该显示装置包括：以二维方式布置成矩阵的多个像素，这些像素包含发光单元和多个晶体管；以及沿着像素布置的行方向形成的多个晶体管的栅极布线，其中，在多个晶体管中，连接至该发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线形成在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中。

Description

显示装置和电子设备
技术领域
本公开涉及一种显示装置以及包括该显示装置的电子设备。
背景技术
作为显示装置之一，存在使用有机EL元件作为发光单元的有机电致发光(以下称为“EL”)显示装置，该有机EL元件使用作为有机材料的EL。因为形成发光单元的有机EL元件是自发光元件，因此有机EL显示装置具有低功耗特性，。有机EL元件具有在第一电极和第二电极之间设置有机层的结构，其中，通过层叠有机空穴传输层和有机发光层形成有机层。然后，在有机EL显示装置中，通过控制流过有机EL元件的电流值来获得着色的渐变。
在使用有机EL元件作为发光单元的有机EL显示装置中，在有源矩阵型有机EL显示装置中，为每个像素提供包括多个晶体管和电容器元件的驱动电路(像素电路)，并且通过该驱动电路执行对有机EL元件的驱动。
在有机EL显示装置中，由于工艺不稳定等，驱动有机EL元件的驱动晶体管的诸如阈值电压和迁移率等特性针对每个像素而变化。然后，如果驱动晶体管的晶体管特性对于每个像素是不同的，则驱动晶体管中流动的电流值对于每个像素是变化的，这样，即使相同的电压施加到驱动晶体管的栅电极的多个像素，有机EL元件的发光亮度对于每个像素也是变化的。结果，降低了显示画面的均匀性。因此，在有机EL显示装置中，执行用于校正驱动晶体管的特性变化的处理(操作)(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文件
专利文献1：日本专利申请公开No.2008-33193
发明内容
本发明解决的问题
另一方面，在其中像素之间的间隔由于较高清晰度而减小的超紧凑显示装置中，或称为微显示器的超紧凑显示装置中，在相邻布线之间产生的寄生电容是不能忽视的。换言之，存在的问题在于，相邻布线之间产生的寄生电容导致显示质量的劣化，更具体地，由于寄生电容而引起耦合噪声等发生显示不均匀。
因此，本公开的目的在于，提供能够通过减小相邻布线之间的寄生电容抑制由于寄生电容引起的耦合而引发的显示不均匀的显示装置以及包括该显示装置的电子设备。
问题的解决方法
用于实现上述目的的本公开的显示装置包括：
包含发光单元和多个晶体管的多个像素，该像素以二维方式排列成矩阵；以及
沿像素阵列的行方向形成的多个晶体管的栅极布线，
其中，在多个晶体管中，在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中形成连接至该发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线。此外，用于实现上述目的的本公开的电子设备的特征在于包括具有上述配置的显示装置。
在具有上述配置的显示装置或包括该显示装置的电子设备中，开关晶体管连接到发光单元的正极，使得栅极布线的电位的波动对发光单元的发光操作产生不利影响。在此，开关晶体管的栅极布线形成在与另一晶体管的栅极布线不同的布线层中，使得两个晶体管的栅极布线之间的布线间隔大于在两个布线形成相同的布线层中的情况下的布线间隔。因此，与两条布线形成在同一布线层中的情况相比，可以减小在相邻布线之间产生的寄生电容，从而可以抑制由于开关晶体管的栅极布线相对于另一晶体管的栅极布线的寄生电容引发的耦合的影响。
发明效果
根据本公开，可以减小相邻布线之间的寄生电容，从而可以抑制另一栅极布线相对于开关晶体管的栅极布线的寄生电容引发的耦合而导致的显示不均匀。
要注意的是，效果不必限于本文所描述的效果，并且可以使用本说明书中描述的任何效果。此外，本说明书中所描述的效果仅是示例，并且本发明不限于此，并且可以具有附加效果。
附图说明
图1是示意性地示出本公开的有源矩阵型有机EL显示装置的配置的系统配置图。
图2是示出本公开的有源矩阵型有机EL显示装置中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。
图3是用于说明有源矩阵型有机EL显示装置的基本操作的时序波形图。
图4A是示出根据常规示例的栅极布线结构的平面图，图4B是沿图4A的线A-A截取的剖视图。
图5A是示出根据第一实施例的栅极布线结构的平面图，图5B是沿图5A的线B-B截取的剖面图。
图6A是示出根据第二实施例的栅极布线结构的平面图，图6B是沿图6A的C-C线截取的剖面图。
图7A是示出根据第三实施例的栅极布线结构的平面图，图7B是沿图7A的线D-D截取的剖面图。
图8A和图8B是镜头可更换的单镜头反射型数码相机的前视图和后视图。
图9是头戴式显示器的外视图。
具体实施方式
在下文中，将结合附图详细描述用于实施本公开的技术的模式(下文称之为“实施例”)。本公开的技术并不限于这些实施例。在以下描述中，相同的参考标号被用在相同元件或具有相同功能的元件中，并且将省略重复的描述。注意，将按照下面的顺序给出描述。
1.对本公开的显示装置和电子设备的总体描述
2.有源矩阵型有机EL显示装置
2-1.系统配置
2-2.像素电路
2-3.基本电路行为2-4.布线之间的寄生电容
2-4-1.相邻的栅极布线形成在相同的布线层中的示例
2-4-2.第一实施例(开关晶体管的栅极布线形成在与另一晶体管的栅极布线不同的布线层中的示例)
2-4-3.第二实施例(第一实施例的修改：在开关晶体管的栅极布线上方形成电源布线的示例)
2-4-4.第三实施例(第二实施例的修改：在开关晶体管的栅极布线的下方形成电源布线的示例)
3.修改
4.本公开的电子设备
4-1.具体示例1(数码相机的示例)
4-2.具体示例2(头戴式显示器的示例)
5.本公开可以具有的配置
<对本公开的显示装置和电子设备的总体描述>
在根据本公开的显示装置和电子设备中，开关晶体管可被配置为控制发光单元的正极的电位，以将发光单元设置为非发光状态。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置和电子设备中，可以在开关晶体管的栅极布线上方或下方形成固定电位的电源布线。
此外，在具有上述优选配置的本公开的显示装置和电子设备中，另一晶体管可以是用于将视频信号写入用于驱动发光单元的驱动晶体管的栅电极的写入晶体管。此外，在像素中，在开关晶体管处于导通状态的发光单元的非发光时段期间，可以执行用于校正驱动晶体管的特性变化的处理。
此外，在具有上述优选配置的本公开的显示装置和电子设备中，像素以二维方式布置所在的基板可以是半导体基板。此外，发光单元可包括有机电致发光元件。
<有源矩阵型显示装置>
本公开的显示装置是有源矩阵型显示装置，在有源矩阵型显示装置中，流过光电元件的电流由与例如绝缘栅场效应晶体管的电光元件设置在相同的像素电路中的有源元件进行控制。作为绝缘栅型场效应晶体管，通常可以例示金属氧化物半导体(MOS)晶体管和薄膜晶体管(TFT)。
此处，将使用有机EL元件作为像素电路的发光单元(光发光元件)的有源矩阵型有机EL显示装置作为示例进行描述，该有机EL元件为发光亮度根据装置中流动的电流值而变化的电流驱动型电光元件。在下文中，“像素电路”可以简单地描述为“像素”。
【系统配置】
图1是示意性地示出本公开的有源矩阵型有机EL显示装置的配置的系统配置图。如图1所示，本公开的有机EL显示装置10包括像素阵列单元30、以及设置在像素阵列单元30的外围的外围电路单元，在像素阵列单元30中，包括有机EL元件的多个像素20以二维方式布置在矩阵中。例如，外围电路单元包括配置在显示面板70上的写入扫描单元40，该写入扫描单元40与像素阵列单元30、第一驱动扫描单元50A、第二驱动扫描单元50B、信号输出单元60等在相同的地方，并且，外围电路单元驱动像素阵列单元30的每个像素20。应注意，写入扫描单元40、第一驱动扫描单元50A、第二驱动扫描单元50B、以及信号输出单元60中的任何一个或全部可以设置在显示面板70的外部。
有机EL显示装置10可以配置为与单色(黑色和白色)显示器兼容，或者可以配置为与彩色显示器兼容。在有机EL显示装置10与彩色显示器兼容的情况下，作为用于形成彩色图像的单元的一个像素(单位像素/像素)包括多个子像素。此时，每个子像素对应图1中的像素20。更具体地，在与彩色显示器兼容的显示装置中，一个像素包括例如三个子像素，即，发射红色(R)光的子像素、发射绿色(G)光的子像素、以及发射蓝色(B)光的子像素。
然而，一个像素不限于RGB三原色的子像素的组合，并且还可以通过进一步将一种或多种颜色的子像素添加到三原色的子像素来形成一个像素。更具体地，例如，为了提高亮度，可以添加发射白(W)光的子像素来形成一个像素，或可以添加发射互补色光的至少一个子像素来形成一个像素，以扩大颜色再现范围。
在像素阵列单元30中，对于m行n列的像素20的阵列，沿行方向(像素阵列的像素行方向)为每个像素行布线扫描线31(311至31m)、第一驱动线32(321至32m)、以及第二驱动线33(331至33m)。此外，对于m行n列的像素20的阵列，沿列方向(像素阵列的像素列方向)为每个像素列布线信号线34(341至34n)
扫描线311到31m分别连接至写入扫描单元40的对应行的输出端。第一驱动线321至32m分别连接到第一驱动扫描单元50A的对应行的输出端。第二驱动线331至33m分别连接到第二驱动扫描单元50B的对应行的输出端。信号线341至34n分别连接到信号输出单元60的对应列的输出端。
写入扫描单元40包括移位寄存器电路等。当向像素阵列单元30的每个像素20写入视频信号的信号电压时，写入扫描单元40按顺序向扫描线31(311到31m)提供写入扫描信号WS(WS1到WSm)，从而以行为单位按顺序扫描像素阵列单元30的每个像素20，即，执行所谓的行顺序扫描。
与写入扫描单元40类似，第一驱动扫描单元50A包括移位寄存器电路等。与写入扫描单元40执行的行顺序扫描同步，第一驱动扫描单元50A将提供光发射控制信号DS(DS1到DSm)至第一驱动线32(321至32m)，以控制像素20的发光射/非发光(消光)。
与写入扫描单元40类似，第二驱动扫描单元50B包括移位寄存器电路等。与写入扫描单元40执行的行顺序扫描同步，第二驱动扫描单元50B将提供驱动信号AZ(AZ1至AZm)至第二驱动线33(331至33m)，以控制像素20在非发光期间不发光。
信号输出单元60选择性地输出与从信号供应源(未示出)提供的亮度信息相对应的视频信号的信号电压Vsig(下文中，有时简称为“信号电压”)和基准电压Vofs。此处，基准电压Vofs是作为视频信号的信号电压Vsig的基准的电压(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)，或是其基准电压附近的电压。当执行下文描述的校正操作时，使用基准电压Vofs作为初始化电压。
从信号输出单元60交替输出的信号电压Vsig/基准电压Vofs以通过写入扫描单元40的行顺序扫描而选择的像素行为单位，经由信号线34(341到34n)写入到像素阵列单元30的每个像素20。换言之，信号输出单元60使用行顺序写入驱动模式，在该模式中，以像素行(行)为单位，写入信号电压Vsig。
【像素线路】
图2是示出本公开的有源矩阵型有机EL显示装置10中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。像素20的发光单元包括有机EL元件21。有机EL元件21是电流驱动型电光元件的示例，其中，发光亮度根据在装置中流动的电流值改变。
如图2所示，像素20包括有机EL元件21和通过向有机EL元件21施加电流来驱动有机EL元件21的驱动电路。在有机EL元件21中，负极连接到公共电源线35，该公共电源线35布线为对所有的像素20共用。
用于驱动有机EL元件21的驱动电路具有4Tr(晶体管)/2C(电容器元件)的配置，包括驱动晶体管22、写入晶体管(采样晶体管)23、发光控制晶体管24、开关晶体管25、保持电容器26和辅助电容器27。应注意，在该示例中，该像素(像素电路)20不是形成在诸如玻璃基板的绝缘体上，而是形成在诸如硅的半导体上。换句话说，其上以二维方式布置了像素20的基板是半导体基板。于是，驱动晶体管22包括p沟道型晶体管。
此外，在该实施例中，写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25也采用与驱动晶体管22类似的使用p沟道型晶体管的配置。因此，驱动晶体管22、写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25不具有三个端子的配置，即，源极/栅极/漏极，而是具有四个端子的配置，即，源极/栅极/漏极/背栅极。高电位侧的电源电压Vccp施加到每个晶体管的背栅极。
写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的每个栅电极连接到沿像素阵列的行方向以像素行为单位形成的扫描线31、第一驱动线32和第二驱动线33。因此，扫描线31、第一驱动线32和第二驱动线33可以被称为发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线。
在具有上述配置的像素20中，写入晶体管23对通过信号线34从信号输出单元60提供的信号电压Vsig进行采样，从而将信号电压Vsig写入驱动晶体管22的栅电极。发光控制晶体管24连接在电源电压Vccp的节点和驱动晶体管22的源极之间，并且在发光控制信号DS的驱动下控制有机EL元件21的发光/不发光。
开关晶体管25连接到有机EL元件21的正极和低电位侧的电源电压Vss(例如，地电位)之间，并且由驱动信号AZ驱动，从而对有机EL元件21的正极的电位进行控制，以将有机EL元件21设置为不发光状态。更具体地，开关晶体管25响应于驱动信号AZ进入导通状态，从而将低电位侧的电源电压Vss施加到有机EL元件21的正极，以控制有机EL元件21在有机EL元件21的非发光期间不发光。
保持电容器26连接在驱动晶体管22的栅电极与源电极之间，并且保持通过写入晶体管23的采样写入的信号电压Vsig。驱动晶体管22将与保持电容器26的保持电压对应的驱动电流施加到有机EL元件21，以驱动有机EL元件21。辅助电容器27连接在驱动晶体管22的源电极与固定电位的节点(例如，高电位侧的电源电压Vccp的节点)之间。当写入信号电压Vsig时，辅助电容器27起到抑制驱动晶体管22的源极电压的波动的作用，并且起到将驱动晶体管22的栅源电压Vgs设置为驱动晶体管22的阈值电压Vth的作用。
【基本电路行为】
这里，将参考图3的时序波形图来描述具有上述配置的有源矩阵型有机EL显示装置10的基本电路行为。
图3的时序波形图示出发光控制信号DS、写入扫描信号WS、驱动信号AZ、信号线34的电位Vofs/Vsig以及驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg的变化。
应注意，由于写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25是P沟道型晶体管，因此写入扫描信号WS、发光控制信号DS和驱动信号AZ的低电平状态对应于激活状态，并且其高电平状态对应于非激活状态。于是，写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25在写入扫描信号WS、发光控制信号DS和驱动信号AZ的激活状态下进入导通状态，并且在其非激活状态下进入非导通状态。
在时间t1处，写入扫描信号WS从高电平转变为低电平，使得写入晶体管23进入导通状态。此时，基准电压Vofs处于从信号输出单元60输出到信号线34的状态。因此，由于基准电压Vofs通过写入晶体管23的采样写入到驱动晶体管22的栅电极中，驱动晶体管22的栅极电压Vg变成基准电压Vofs。
此外，在时间t1处，由于发光控制信号DS处于低电平状态，所以发光控制晶体管24处于导通状态。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs是高电位侧的电源电压Vccp。此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs是Vgs＝Vofs-Vccp。
此处，为了执行阈值校正操作(阈值校正处理)，需要使得驱动晶体管22的栅源电压Vgs高于驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，将每个电压值设置成满足|Vgs|＝|Vofs-Vccp|>|Vth|。
以此方式，将驱动晶体管22的栅极电压Vg设置为基准电压Vofs并且将驱动晶体管22的源极电压Vs设置为电源电压Vccp的初始化操作是执行下一阈值校正操作之前的准备操作(阈值校正准备)。因此，基准电压Vofs和电源电压Vccp是驱动晶体管22的栅极电压Vg和源极电压Vs的初始电压。
接下来，在时间t2处，当发光控制信号DS从低电平转变为高电平，并且发光控制晶体管24进入非导通状态时，驱动晶体管22的源电极进入浮动状态，并且在驱动晶体管22的栅极电压Vg保持在基准电压Vofs的状态下开始阈值校正操作。换言之，驱动晶体管22的源极电压Vs开始向通过从驱动晶体管22的栅极电压Vg减去阈值电压Vth获得的电压(Vg-Vth)降低(减少)。
在基本操作中，将驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始化电压Vofs作为基准，将驱动晶体管22的源极电压Vs向通过从初始化电压Vofs中减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电压Vofs(Vg-Vth)的改变操作是阈值校正操作。随着阈值校正操作的进行，驱动晶体管22的栅源电压Vgs最终收敛于驱动晶体管22的阈值电压Vth。在保持电容26中保持与该阈值电压Vth相对应的电压。
然后，在时间t3处，写入扫描信号WS从低电平转变为高电平，并且当写入晶体管23进入非导通状态时，阈值校正时段结束。此后，在时间t4处，视频信号的信号电压Vsig从信号输出单元60输出到信号线34，以及信号线34的电位从基准电压Vofs切换到信号电压Vsig。
接下来，在时间t5处，写入扫描信号WS从高电平转变到低电平，从而使得写入晶体管23进入导通状态，并且采样信号电压Vsig和并将信号电压Vsig写入像素20中。通过写入晶体管23对信号电压Vsig的写入操作，驱动晶体管22的栅极电压Vg进入信号电压Vsig。
连接在驱动晶体管22的源电极和电源电压Vccp的节点之间的辅助电容器27起到抑制写入视频信号的信号电压Vsig时驱动晶体管22的源极电压Vs发生的波动的作用。然后，当驱动晶体管22被视频信号的信号电压Vsig驱动时，通过对应于保持在保持电容器26中的阈值电压Vth的电压，抵消驱动晶体管22的阈值电压Vth。
此时，根据信号电压Vsig，驱动晶体管22的栅源电压Vgs扩大(增加)，但是，驱动晶体管22的源极电压Vs仍处于浮动状态。因此，根据驱动晶体管22的特性，对保持电容器26的充电电荷进行放电。然后，此时，流过驱动晶体管22的电流开始对有机EL元件21的等效电容器Cel进行充电。
随着有机EL元件21的等效电容Cel被充电，驱动晶体管22的源极电压Vs随着时间流逝逐渐减小。此时，已经抵消针对每个像素的驱动晶体管22的阈值电压Vth变化，并且驱动晶体管22的漏源电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率μ。应注意，驱动晶体管22的迁移率μ是形成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率。
此处，驱动晶体管22的源极电压Vs的减少部分作用为使保持电容器26的充电电荷放电。换言之，针对驱动晶体管22的源极电压Vs的减少部分的量(变化量)，将负反馈施加到保持电容器26。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs的减少部分是负反馈的反馈量。
以此方式，通过对应于流过驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈量，向保持电容器26施加负反馈，从而可以消除对驱动晶体管22的漏源电流Ids的迁移率μ的依赖。该消除操作(消除处理)是迁移率校正操作(迁移率校正处理)，用于校正针对每个像素的驱动晶体管22的迁移率μ的变化。
更具体地，由于漏源电流Ids随着写入到驱动晶体管22的栅电极的视频信号的信号幅度Vin(＝Vsig-Vofs)的增加而增加，所以负反馈的反馈量的绝对值也增加。因此，根据视频信号的信号幅度Vin(换言之，发光亮度水平)来执行迁移率校正处理。此外，在视频信号的信号幅度Vin是恒定的情况下，驱动晶体管22的迁移率μ越大，负反馈的反馈量的绝对值也越大，因此，能够消除每个像素的迁移率μ的变化。
在时间t6处，写入扫描信号WS从低电平转变为高电平，并且写入晶体管23进入非导通状态，使得信号写入和迁移率校正时段结束。在执行迁移率校正之后，在时间t7处，发光控制信号DS从高电平转变为低电平，使得发光控制晶体管24进入导通状态。因此，电流从电源电压Vccp节点通过发光控制晶体管24供应至驱动晶体管22。
此时，因为写入晶体管23处于非导通状态，所以驱动晶体管22的栅电极与信号线34电断开，并处于浮动状态。此处，当驱动晶体管22的栅电极处于浮动状态时，因为保持电容器26连接在驱动晶体管22的栅极与源极之间，所以栅极电压Vg也随着驱动晶体管22的源极电压Vs的浮动而浮动。
换句话说，保持在保持电容器26中保持的栅源电压Vgs的同时，使驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg升高。然后，驱动晶体管22的源极电压Vs根据晶体管的饱和电流上升至有机EL元件21的发光电压Voled。
同样，驱动晶体管22的栅极电压Vg随着源极电压Vs的波动一起波动的操作是自举操作。换句话说，自举操作是保持电容器26中保持的栅源电压Vgs(即，保持电容器26两端的电压被保持)的同时，驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg发生波动的操作。
然后，驱动晶体管22的漏源电流Ids开始流向有机EL元件21，使得有机EL元件21的正极电压Vano根据电流Ids而上升。最终，当有机EL元件21的正极电压Vano超过有机EL元件21的阈值电压Vthel时，驱动电流开始流到有机EL元件21，使得有机EL元件21开始发光。
另一方面，在从时间t1前的时间t0到时间t7后的时间t8的时段中，第二驱动扫描单元50B将驱动信号AZ设置为激活状态(低电平状态)。从时间段t0到时间t8的时段是有机EL元件21的不发光时段。在该非发光时段中，驱动信号AZ变为激活，使得开关晶体管25响应于此而进入导通状态。
当开关晶体管25进入导通状态时，低电位侧的电源极电压Vs经由开关晶体管25施加到有机EL元件21的正极(驱动晶体管22的漏电极)。因此，在有机EL元件21的非发光时段中，开关晶体管25可以控制有机EL元件21不发光。附带地，在执行阈值校正和信号写入的一个水平周期(1H)中，驱动信号AZ变为激活的，但是在随后的发光时段中，驱动信号AZ变为非激活的。
此处，在不具有开关晶体管25的像素配置中，将注意力集中于从阈值校正准备时段至阈值校正时段(时间t1至时间t3)的操作点。从上述操作的说明可以清楚地看出，为了执行阈值校正操作，需要使得驱动晶体管22的栅源电压Vgs高于驱动晶体管22的阈值电压Vth。
当栅源电压Vgs大于阈值电压Vth时，电流流过驱动晶体管22。然后，从阀值校正准备时段到阀值校正时段的一部分，有机EL元件21的正极电压Vano暂时超过有机EL元件21的阈值电压Vth。因此，由于电流从驱动晶体管22流到有机EL元件21，与非发光时段无关，有机EL元件21对于各个帧发射恒定亮度的光，与信号电压Vsig的等级无关。因此，显示面板70的对比度降低。
另一方面，在具有开关晶体管25的像素配置中，开关晶体管25的上述动作可以防止流过驱动晶体管22的电流在有机EL元件21的非发光时段流入有机EL元件21。这使得能够在非发光时段抑制有机EL元件21的发光，从而与不具有开关晶体管25的像素配置相比，能够实现显示面板70的更高对比度。
在上述一系列基本电路行为中，例如，在一水平周期(1H)内执行阈值校正、视频信号的信号电压Vsig的写入(信号写入)以及迁移率校正中的每个操作(处理)。更具体地，在一个水平周期中，在驱动信号AZ进入激活状态(低电平状态)并且开关晶体管25进入导通状态的t0-t8时段中，换言之，在有机EL元件21的非发光时段中，执行每个操作。
【布线之间的寄生电容】
在上述有源矩阵型有机EL显示装置10中，沿如上所述的像素阵列的行方向，形成写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线，换言之，形成扫描线31、第一驱动线32和第二驱动线33。
此处，由于像素的数量随着清晰度的提高而增加，像素20之间的间隔变得更小。此外，在微显示器(超紧凑显示装置)中，当然，像素20之间的间隔小于用作监视器的一般显示器中的间隔。如上所述，当像素20之间的间隔变小时，沿像素阵列的行方向上形成并且发生在相邻栅极布线之间的寄生电容不能忽视。
(相邻栅极布线形成在同一布线层中的示例)
此处，将在同一布线层中形成写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线的情况视为常规示例。图4A是根据常规示例的写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线结构的平面图，图4B是沿图4A的线A-A截取的剖视图。
关于驱动晶体管22，在驱动晶体管22的一侧形成作为发光控制晶体管24的栅极布线的第一驱动线32，并且在驱动晶体管22的另一侧沿着行方向形成作为写入晶体管23的栅极布线的扫描线31和作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33。第一驱动线32、扫描线31和第二驱动线33都形成在第一布线层中，换言之，形成在相同的布线层中。
发光控制晶体管24的栅电极24G通过触点24C连接到第一驱动线32。写入晶体管23的栅电极23G通过触点23C连接到扫描线31。开关晶体管25的栅电极25G通过触点25C连接到第二驱动线33。
在上述栅极布线结构中，扫描线31和第二驱动线33形成为彼此相邻并且沿行方向平行。因此，当像素20之间的间隔变小时，栅极布线之间的寄生电容C1的电容值增大。此处，将具有作为栅极布线的第二驱动线33的开关晶体管25连接到有机EL元件21的正极(参见图2)。因此，由于寄生电容C1引发的耦合，当第二驱动线33的电位由于相邻栅极布线的扫描线31的电位波动而波动时，第二驱动线33的电位波动对有机EL元件21的发光操作产生不利影响，这可能导致显示不均匀。
(第一实施例)
第一实施例是在与另一晶体管的栅极布线不同的布线层中形成开关晶体管25的栅极布线的示例。图5A是根据第一实施例的写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线结构的平面图，图5B是沿图5A的线B-B截取的剖面图。
在根据第一实施例的栅极布线结构中，在第一布线层中形成作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33，在第二布线层中分别形成作为写入晶体管23和发光控制晶体管24的栅极布线的扫描线31和第一驱动线32。
然后，发光控制晶体管24的栅电极24G通过触点24C经由在第一布线层中形成的岛状中继电极41连接到在第二布线层中形成的第一驱动线32。类似地，写入晶体管23的栅电极23G通过触点23C经由在第一布线层中形成的岛状中继电极42连接到在第二布线层中形成的扫描线31。
应注意，尽管这里示出了在第二布线层中形成扫描线31和第一驱动线32的栅极布线结构，但是可以使用任何的栅极布线结构，只要在第二布线层中形成与至少第二驱动线33相邻的扫描线31。此外，栅极布线结构可以是在第二布线层中形成第二驱动线33，并且在第一布线层中形成扫描线31或扫描线31和第一驱动线32的结构。
这样，在与相邻扫描线31不同的布线层中形成作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33，使得第二驱动线33和扫描线31之间的布线间隔比在同一布线层中形成两个栅极布线的情况下的布线间隔大。因此，与在相同布线层中形成两个栅极布线的情况下的寄生电容C1相比，可以减小在第二驱动线33和扫描线31之间产生的寄生电容C2。因此，当扫描线31的电位波动时，可以抑制由于寄生电容C2引发的耦合产生的扫描线31对第二驱动线33的影响，从而可以抑制噪声等的耦合产生的第二驱动线33的电位波动导致的显示不均匀性。
(第二实施例)
第二实施例是对第一实施例的修改，并且是在作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33上方形成固定电位的电源布线的示例。图6A是根据第二实施例的写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线结构的平面图，图6B是沿图6A的线C-C截取的剖面图。
在根据第二实施例的栅极布线结构中，在与相邻扫描线31不同的布线层中形成作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33，然后在第二驱动线33(在该示例中，第二布线层)上方形成电源电压Vccp的电源布线36。因此，在第二驱动线33和第二驱动线33上方的电源布线36之间形成寄生电容C3。
根据第二实施例的栅极布线结构，与第一实施例的情况类似，除了能够抑制由于来自扫描线31相对于第二驱动线33的寄生电容C2的耦合的影响之外，通过寄生电容C3的作用可以进一步稳定第二驱动线33的电位。因此，可以使第二驱动线33的电位不易受到来自其他栅极布线的影响，从而可以抑制由第二驱动线33的电位波动引起的显示不均匀性。
(第三实施例)
第三实施例是对第二实施例的修改，并且是在作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33下方形成固定电位的电源布线的示例。图7A是根据第三实施例的写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25的栅极布线结构的平面图，图7B是沿图7A的线D-D截取的剖面图。
在根据第三实施例的栅极布线结构中，在与相邻扫描线31不同的布线层中形成作为开关晶体管25的栅极布线的第二驱动线33，然后在第二驱动线33(在该示例中，第一布线层)下方形成电源电压Vccp的电源布线36。因此，在第二驱动线33和第二驱动线33下方的电源布线36之间形成寄生电容C3。
利用根据第三实施例的栅极布线结构，可以获得与第二实施例的情况类似的操作和效果。换言之，与第二实施例的情况类似，除了能够抑制由于来自扫描线31相对于第二驱动线33的寄生电容C2的耦合的影响之外，通过寄生电容C3的作用可以进一步稳定第二驱动线33的电位。因此，可以使第二驱动线33的电位不易受到来自其他栅极布线的影响，从而可以抑制由于第二驱动线33的电位波动引起的显示不均匀性。
<修改>
尽管以上基于优选实施例描述了本公开的技术，但是本公开的技术不限于这些实施例。在每个上述实施例中描述的显示装置的配置和结构是说明性的，并且可以适当地改变。例如，在上述每个实施例中，写入晶体管23的栅极布线(扫描线31)例示为另一晶体管的栅极布线，但是另一晶体管的栅极布线不限于此。例如，在图2示出的像素电路中，发光控制晶体管24的栅极布线(第一驱动线32)可以用作另一晶体管的栅极布线。
<本公开的电子设备>
根据上述本公开的显示装置可以用作任何领域中电子设备的显示单元(显示装置)，该显示单元将输入到电子设备的视频信号或者在电子设备中产生的视频信号显示为图像或视频。电子设备的示例可以包括电视机、笔记本个人计算机、数码相机、如移动电话的移动终端设备、头戴式显示器等。然而，电子设备不限于这些。
如上所述，通过使用本公开的显示装置作为任何领域的电子设备中的显示单元，可以获得以下效果。换言之，根据本公开的显示装置，可以抑制由开关晶体管25的栅极布线的电位波动引起的显示不均匀。因此，本公开的显示装置用作电子设备的显示单元(显示装置)，从而可以提高显示图像的显示质量。
本公开的显示装置还包括密封配置的模块形状。这种显示装置的示例包括将例如透明玻璃的相对单元连接至像素阵列单元而形成的显示模块。应注意，显示模块可以设有用于从外部向像素阵列单元输入和输出信号等的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。在下文中，将数码照相机和头戴式显示器例示为使用根据本公开的显示装置的电子设备的具体示例。然而，在此处示出的特定示例仅仅是示例，并且本发明不限于此。
【具体示例1】
图8为镜头可更换的单镜头反射型数码照相机的外部视图，图8A为其前视图，图8B为其后视图。镜头可更换的单镜头反射型数码照相机具有例如在照相机主体单元(照相机主体)111的右前侧的可更换的拍摄镜头单元(可更换镜头)112、以及左前方的由拍摄者握持的握持单元113。
然后，监视器114大致设在照相机主体单元111的后表面的中心。在监视器114的上部设有电子取景器(目镜窗)115。通过查看电子取景器115，拍摄者可以在视觉上识别从拍摄镜头单元112引入的拍摄物的光学图像，并确定构图。
在具有上述配置的镜头可更换的单镜头反射型数码照相机中，本公开的显示装置可以用作电子取景器115。换言之，通过使用本公开的显示装置作为电子取景器115，来制造根据本示例的镜头可更换镜头的单镜头反射型数码相机。
【具体示例2】
图9是头戴式显示器的外部视图。头戴式显示器例如具有佩戴在用户头部的位于眼镜形显示单元211两侧的耳挂212。在此头戴式显示器中，本公开的显示装置可用作显示单元211。换言之，通过使用本公开的显示装置作为显示单元211来制造根据本示例的头戴式显示器。
<本公开可以具有的配置>
应注意，本公开还可以具有下列配置。
[1]一种显示装置，包括：
包含发光单元和多个晶体管的多个像素，该像素以二维方式排列在矩阵中；以及
沿像素阵列的行方向形成的该多个晶体管的栅极布线，
其中，在该多个晶体管中，连接至该发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线形成在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中。
[2]如上述[1]描述的显示装置，其中,
开关晶体管控制发光单元的正极的电位，以将发光单元设置为非发光状态。
[3]如上述[1]或[2]描述的显示装置，其中,
在开关晶体管的栅极布线上方或下方形成固定电位的电源布线。
[4]如上述[1]至[3]中任一项描述的显示装置，其中,
另一个晶体管是用于对驱动发光单元的驱动晶体管的栅极写入视频信号的写入晶体管。
[5]如上述[4]描述的显示装置，其中,
在多个像素中，在开关晶体管处于导通状态的发光单元的非发光时段期间，执行用于校正驱动晶体管的特性变化的处理。
[6]如上述[1]至[5]中任一项描述的显示装置，其中，
像素二维排列所在的基板是半导体基板。
[7]如上述[1]至[6]中任一项描述的显示装置，其中，
发光单元包括有机电致发光元件。
[8]一种电子设备，包括显示装置，该显示装置包括：
多个像素，包括发光单元和多个晶体管，并且多个像素二维排列在矩阵中；以及沿着像素阵列的行方向形成的多个晶体管的栅极布线，
其中，在该多个晶体管中，连接至该发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线形成在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中。
参考符号列表
10 有机EL显示装置
20 像素(像素电路)
21 有机EL元件
22 驱动晶体管
23 写入晶体管
24 发光控制晶体管
25 开关晶体管
26 保持电容器
27 辅助电容器
30 像素阵列单元
31 (311至31m)扫描线
32 (321至32m)第一驱动线
33 (331至33m)第二驱动线
34 (341至34n)信号线
35 公共电源线
36 电源布线
40 写入扫描单元
50A 第一驱动扫描单元
50B 第二驱动扫描单元
60 信号输出单元
70 显示面板

Claims (8)

1.一种显示装置，包括：
包含发光单元和多个晶体管的多个像素，所述多个像素以二维方式布置为矩阵；以及
沿像素阵列的行方向形成的所述多个晶体管的栅极布线，
其中，在所述多个晶体管中，连接至所述发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线形成在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述开关晶体管控制所述发光单元的所述正极的电位，以将所述发光单元设置为非发光状态。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述开关晶体管的所述栅极布线上方或下方形成固定电位的电源布线。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述另一个晶体管是用于向驱动晶体管的栅电极写入视频信号的写入晶体管，所述驱动晶体管驱动所述发光单元。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
在所述多个像素中，在所述开关晶体管处于导通状态的所述发光单元的非发光时段期间，执行用于校正所述驱动晶体管的特性变化的处理。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
以二维方式布置了所述多个像素的基板是半导体基板。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光单元包括有机电致发光元件。
8.一种电子设备，包括显示装置，所述显示装置包括：
包含发光单元和多个晶体管的多个像素，所述多个像素以二维方式布置为矩阵；以及
沿像素阵列的行方向形成的所述多个晶体管的栅极布线，
其中，在所述多个晶体管中，连接至所述发光单元的正极的开关晶体管的栅极布线形成在与另一个晶体管的栅极布线不同的布线层中。
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