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BR112016009806B1 - Transistor de efeito de campo, elemento de exibição, dispositivo de exibição de imagem, e sistema - Google Patents

Transistor de efeito de campo, elemento de exibição, dispositivo de exibição de imagem, e sistema Download PDF

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BR112016009806B1
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passivation
field effect
coating liquid
passivation layer
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Ryoichi Saotome
Naoyuki Ueda
Yuki Nakamura
Yukiko Abe
Shinji Matsumoto
Yuji Sone
Sadanori Arae
Original Assignee
Ricoh Company, Ltd
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Publication date
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Abstract

TRANSISTOR DE EFEITO DECAMPO, ELEMENTO DE EXIBIÇÃO, DISPOSITIVO DE EXIBIÇÃO DE IMAGEM, E SISTEMA. Um transistor de efeito de campo, incluindo: uma base, uma camada de passivação; uma camada de isolamento de porta formada entre as mesmas; um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno, que são formados para estar em contato com a camada de isolamento de porta; uma camada de semicondutor, que é formada entre pelo menos o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, e está em contato com a camada de isolamento de porta, o eletrodo de fonte e eletrodo de dreno; e um eletrodo de porta, que está em contato com a camada de isolamento de porta, e está voltado para a camada de semicondutor através da camada de isolamento de porta, em que a camada de passivação contém uma primeira camada de passivação, que contém um primeiro óxido de metal compósito contendo Si, e um metal alcalino terroso, e uma segunda camada de passivação, que é formada para estar em contato com a primeira camada de passivação, e contém um segundo óxido de metal compósito contendo um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras.

Description

Campo técnico
[0001] A presente invenção refere-se a um transistor de efeito de campo, um elemento de exibição, um dispositivo de exibição de imagem e um sistema.
Antecedentes da técnica
[0002] Um transistor de efeito de campo (FET) é um transistor, que controla corrente elétrica entre um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno por fornecer uma porta para um fluxo de elétrons ou furos com um canal de um campo elétrico.
[0003] O FET foi usado como um elemento de comutação, ou um elemento de amplificação, devido às propriedades do mesmo. Como o FET tem uma estrutura plana bem como usa corrente elétrica de porta baixa, o FET pode ser facilmente produzido e integrado em comparação com um transistor bipolar. Por esses motivos, o FET é uma parte essencial usada em um circuito integrado de dispositivos elétricos atuais. O FET é aplicado em um exibidor de matriz ativa como um transistor de filme delgado (TFT).
[0004] Como um exibidor de painel plano (FPD), um exibidor de cristal líquido (LCD), um exibidor eletroluminescente orgânico (EL), e papel eletrônico foram usados recentemente.
[0005] Esses FPDs são acionados por um circuito de acionamento contendo TFT que usa silício amorfo ou silício policristalino em uma camada ativa. Há demandas para aumentar o tamanho, melhorar a definição e qualidade de imagem, e aumentar a velocidade de acionamento do FPD. Para essa finalidade, há necessidade de um TFT, que tem elevada mobilidade de portadora, uma razão de ligar/desligar delegada, pequenas variações nas propriedades do mesmo ao longo do tempo, e pequenas variações entre os elementos.
[0006] Entretanto, TFTs usando silício amorfo ou silício policristalino para uma camada ativa têm vantagens e desvantagens. Portanto, é difícil obter todas as exigências ao mesmo tempo. Para responder a todas as exigências, desenvolvimentos de TFTs usando um semicondutor de óxido em uma camada ativa, cuja mobilidade é esperada ser mais elevada do que silício amorfo, tem sido ativamente conduzidos. Por exemplo, é revelado um TFT usando InGaZnO4 em uma camada de semicondutor (vide, por exemplo, NPL 1).
[0007] É necessário que o TFT tenha pequenas variações em voltagem limiar.
[0008] Um dos fatores para variar a voltagem limiar do TFT é absorção e dessorção de umidade, hidrogênio, ou oxigênio contido na atmosfera para ou a partir de uma camada de semicondutor. Portanto, uma camada de passivação é fornecida para proteger o semicondutor contra umidade, hidrogênio, ou oxigênio contido na atmosfera.
[0009] Além disso, a voltagem limiar também é alterada por repetir ligar e desligar o TFT para inúmeras vezes durante um longo período. Com relação a um método para avaliar variações de voltagem limiar como resultado de acionar por longo período e tempo, um teste de tensão de temperatura de polarização (BTS) foi amplamente realizado. Esse teste é um método, no qual voltagem é aplicada entre um eletrodo de porta e eletrodo de fonte de um transistor de efeito de campo por um certo período, e variações na voltagem limiar durante esse período são avaliadas, ou um método, no qual voltagem é aplicada entre um eletrodo de porta e eletrodo de fonte, e entre um eletrodo de dreno e eletrodo de fonte por um certo período, e variações na voltagem limiar durante esse período é avaliada.
[0010] Várias camadas de passivação são reveladas para evitar variações na voltagem limiar do TFT. Por exemplo, é revelado um transistor de efeito de campo usando SiO2, Si3N4 ou SiON como uma camada de passivação (vide, por exemplo, PTL 1) . É relatado que o transistor de efeito de campo, no qual essa camada de passivação é estavelmente operada, sem característica de transistor a qual é influenciada por uma atmosfera, como vácuo, e o ar atmosférico. Entretanto, os dados associados ao teste BTS não são revelados no mesmo.
[0011] Além disso, é revelado um transistor de efeito de campo usando Al2O3, AlN ou AlON como uma camada de passivação (vide, por exemplo, PTL 2) . É relatado que o transistor de efeito de campo pode suprimir variações em características de transistor do mesmo por evitar incorporação de uma camada de semicondutor com impurezas, como umidade e oxigênio. Entretanto, os dados associados ao teste de BTS não são revelados no mesmo.
[0012] Além disso, é revelado um transistor de efeito de campo usando um filme laminado contendo Al2O3 e SiO2 como uma camada de passivação (vide, por exemplo, PTL 3). É relatado que o transistor de efeito de campo usando esse filme laminado como uma camada de passivação pode evitar incorporação e absorção de umidade na camada de semicondutor, e as características de transistor do mesmo não mudam após um teste de armazenagem em um ambiente de temperatura elevada - umidade elevada. Entretanto, os dados associados ao teste BTS não são revelados no mesmo.
[0013] Além disso, é revelado um transistor de efeito de campo usando um filme de camada única de Si02, Ta205, Ti02, HfÜ2, Zr02, Y2O3, ou AI2O3 ou um filme laminado do mesmo como uma camada de passivação (vide, por exemplo, PTL 4). É relatado que o transistor de efeito de campo, no qual a camada de passivação acima mencionada é formada, pode evitar dessorção de oxigênio a partir de um semicondutor de óxido, e pode melhorar a confiabilidade. Entretanto, os dados associados ao teste de BTS não são revelados no mesmo.
[0014] Além disso, é revelado um transistor de efeito de campo usando Al2O3 como uma camada de passivação (vide, por exemplo, NPL 2). O resultado da avaliação de confiabilidade do transistor de efeito de campo, no qual a camada de passivação acima mencionada é formada, realizado pelo teste BTS é reportado, porém o valor de variação da voltagem limiar (ΔVth) é grande em relação ao tempo de tensão decorrido. Portanto, não pode ser dito que a confiabilidade do transistor de efeito de campo é suficientemente assegurada.
[0015] Em qualquer uma das técnicas acima mencionadas, a avaliação de confiabilidade pelo teste BTS não é suficiente.
[0016] Por conseguinte, há necessidade por um transistor de efeito de campo, que tenha uma pequena variação em uma voltagem limiar no teste BTS, e apresente elevada confiabilidade.
Lista de citações Literatura de patente
[0017] PTL 1: pedido de patente japonesa em aberto (JP-A) no. 2007-073705
[0018] PTL 2: JP-A no. 2010-135770
[0019] PTL 3: JP-A no. 2010-182819
[0020] PTL 4: JP-A no. 2010-135462
[0021] Literatura não de patente
[0022] NPL 1: K. Nomura, e 5 outros, "Roomtemperature
[0023] Fabrication of transparent flexible thin film transistors using amorphous oxide semiconductors," NATURE, VOL. 432, 25, novembro de 2004, pág. 488-492
[0024] NPL 2: T. Arai, e 1 outro, "Manufacturing Issues for Oxide TFT Technologies for Large-Sized AMOLED DISPLAYS," SID. 2012 Digest, 2012, pág. 756-759.
SUMÁRIO DA INVENÇÃO PROBLEMA TÉCNICO
[0025] A presente invenção tem como objetivo resolver os vários problemas acima mencionados na técnica, e obter o seguinte objetivo. Especificamente, um objetivo da presente invenção é fornecer um transistor de efeito de campo, que tenha uma pequena variação em voltagem limiar em um teste de temperatura de tensão de polarização (BTS) e apresenta elevada confiabilidade.
SOLUÇÃO PARA O PROBLEMA
[0026] Os meios para resolver os problemas acima mencionados são como a seguir:
[0027] O transistor de efeito de campo da presente invenção contém:
[0028] Uma base;
[0029] Uma camada de passivação;
[0030] Uma camada isolante de porta formada entre a base e a camada de passivação;
[0031] Um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno, que são formados para estarem em contato com a camada isolante de porta;
[0032] Uma camada de semicondutor, que é formada entre pelo menos o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, e está em contato com a camada isolante de porta, o eletrodo de fonte, e o eletrodo de dreno; e
[0033] Um eletrodo de porta, que está em contato com a camada isolante de porta, e está voltado para a camada de semicondutor através da camada isolante de porta,
[0034] Em que a camada de passivação contém uma primeira camada de passivação, que contém um primeiro óxido de metal compósito contendo Si, e um metal alcalino terroso, e uma segunda camada de passivação, que é formada para estar em contato com a primeira camada de passivação, e contém um Segundo óxido de metal compósito contendo um metal alcalino terroso, e um elemento de terras raras.
[0035] Efeitos vantajosos da invenção
[0036] A presente invenção pode resolver os vários problemas acima mencionados na técnica, e pode fornecer um transistor de efeito de campo, que tem uma pequena variação em voltagem limiar em um teste de temperatura de tensão de polarização (BTS), e apresenta elevada confiabilidade.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
[0037] A figura 1 é um diagrama para explicar um dispositivo de exibição de imagem.
[0038] A figura 2 é um diagrama para explicar um exemplo do elemento de exibição da presente invenção.
[0039] A figura 3A é um diagrama ilustrando um exemplo porta inferior/contato inferior) do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0040] A figura 3B é um diagrama ilustrando um exemplo (contato superior/porta inferior) do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0041] A figura 3C é um diagrama ilustrando um exemplo (contato inferior/porta superior) do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0042] A figura 3D é um diagrama ilustrando um exemplo (contato superior/porta superior) do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0043] A figura 4 é um diagrama esquemático ilustrando um exemplo de um elemento EL orgânico.
[0044] A figura 5 é um diagrama esquemático ilustrando um exemplo do elemento de exibição da presente invenção.
[0045] A figura 6 é um diagrama esquemático ilustrando outro exemplo do elemento de exibição da presente invenção.
[0046] A figura 7 é um diagrama para explicar um dispositivo de controle de exibição.
[0047] A figura 8 é um diagrama para explicar um exibidor de cristal líquido.
[0048] A figura 9 é um diagrama para explicar o elemento de exibição na figura 8.
[0049] A figura 10 é um gráfico avaliando características de transistor (Vgs-Ids) do transistor de efeito de campo obtido no exemplo 12 no teste de BTS com Vgs = +20 V, e Vds = 0 V.
[0050] A figura 11 é um gráfico avaliando características de transistor (Vgs-Ids) do transistor de efeito de campo obtido no exemplo 12 no teste de BTS com Vgs = +20 V, e Vds = +20 V.
[0051] A figura 12 é um gráfico avaliando características de transistor (Vgs-Ids) do transistor de efeito de campo obtido no Exemplo 12 no teste de BTS com Vgs = -20 V, e Vds = 0 V.
[0052] A figura 13 é um gráfico avaliando características de transistor (Vgs-Ids) do transistor de efeito de campo obtido no exemplo 12 no teste de BTS com Vgs = -20 V, e Vds = +20V.
[0053] A figura 14 é um gráfico avaliando alteração de tensão cronológica dos transistors de efeito de campo obtidos no exemplo 12 e Exemplo comparativo 8 no teste de BTS com Vgs + +20 V, e Vds = 0 V.
[0054] A figura 15 é um diagrama esquemático ilustrando o transistor de efeito de campo produzido em cada dos exemplos 1 a 16, e Exemplos comparativos 4 e 7.
DESCRIÇÃO DE MODALIDADES TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
[0055] O transistor de efeito de campo da presente invenção contém pelo menos uma base, uma camada de passivação, uma camada isolante de porta, um eletrodo de fonte, um eletrodo de dreno, uma camada de semicondutor, e um eletrodo de porta, e pode conter ainda outros elementos de acordo com a necessidade.
Base
[0056] Um formato, estrutura e tamanho da base são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0057] Um material da base é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem uma base de vidro e uma base de plástico.
[0058] A base de vidro é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação e exemplos da mesma incluem vidro não alcalino e vidro de sílica.
[0059] A base de plástico é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos da mesma incluem policarbonato (PC), poliimida (PI), tereftalato de polietileno (PET) e naftalato de polietileno (PEN).
[0060] Observe que, um pré-tratamento, como um pré- tratamento, como plasma de oxigênio, ozônio UV, e lavagem de radiação de UV, é preferivelmente realizado na base para limpar a superfície da mesma e melhorar a adesão com outra camada.
Camada de passivação
[0061] A camada de passivação é tipicamente formada acima da base.
[0062] A camada de passivação contém uma primeira camada de passivação e uma segunda camada de passivação formada em contato com a primeira camada de passivação.
[0063] Uma disposição da primeira camada de passivação e segunda camada de passivação na camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação. A primeira camada de passivação pode ser disposta no lado da base em relação à segunda camada de passivação. Alternativamente, a segunda camada de passivação pode ser disposta no lado da base em relação à primeira camada de passivação. Além disso, a segunda camada de passivação pode ser disposta para cobrir uma superfície superior e superfície lateral da primeira camada de passivação. A primeira camada de passivação pode ser disposta para cobrir uma superfície superior e superfície lateral da segunda camada de passivação.
Primeira camada de passivação
[0064] A primeira camada de passivação contém um primeiro óxido de metal compósito.
[0065] A primeira camada de passivação é preferivelmente formada do primeiro óxido de metal compósito por si. Primeiro óxido de metal compósito
[0066] O primeiro óxido de metal compósito contém Si (silício) e um metal alcalino terroso, preferivelmente contém ainda Al (alumínio), ou B (boro) ou ambos, e pode conter ainda outros componentes de acordo com a necessidade.
[0067] No primeiro óxido de metal compósito, SiO2 formado com o Si acima mencionado assume uma estrutura amorfa. Além disso, o metal alcalino terroso tem uma função de cortar uma ligação de Si-O. Portanto, a constante dielétrica e coeficiente de expansão linear do primeiro óxido de metal compósito a ser formado podem ser controladas com uma razão de composição do Si e metal alcalino terroso.
[0068] O primeiro óxido de metal compósito contém, de preferência, Al ou B ou ambos. Al2O3 formado com Al, e B2O3 formado com B formam, cada, uma estrutura amorfa, similarmente a SiO2. Portanto, uma estrutura amorfa é mais estavelmente formada no primeiro óxido de metal compósito, e é possível formar um filme isolante mais uniforme. Uma vez que o metal alcalino terroso muda a estrutura coordenada de Al e B dependendo da razão de composição, portanto, uma constante dielétrica e coeficiente de expansão linear do primeiro óxido de metal compósito podem ser controladas.
[0069] Os exemplos do metal alcalino terroso no primeiro óxido de metal compósito incluem Be (berílio), Mg (magnésio), Ca (cálcio), Sr (estrôncio) e Ba (bário). Os mesmos podem ser usados individualmente ou em combinação.
[0070] Uma razão de composição de Si e metal alcalino terroso no primeiro óxido de metal compósito é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0071] No primeiro óxido de metal compósito, a razão de composição de Si e o metal alcalino terroso (o Si : o metal alcalino terroso) é preferivelmente 50,0% mol para 90,0% mol: 10,0% mol para 50,0 % mol, com base na conversão de óxido (SiO2, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO).
[0072] Uma razão de composição de Si, metal alcalino terroso e Al e/ou B no primeiro óxido de metal compósito é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0073] No primeiro óxido de metal compósito, a razão de composição do Si, metal alcalino terroso, e Al e/ou B (o Si: metal alcalino terroso: Al e/ou B) é preferivelmente 50,0% mol a 90,0% mol: 5,0% mol a 20,0% mol: 5,0% mol a 30,0% mol com base na conversão de óxido (SiO2, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Al2O3, BrOs) .
[0074] A proporção do óxido (SiO2, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Al2Os, BrOs) no primeiro óxido de metal compósito pode ser calculada, por exemplo, por analisar um elemento catiônico do óxido através de espectrometria de fluorescência de raios-X, microanálise de sonda de elétrons (EPMA) ou espectroscopia de emissão atômica de plasma acoplada indutivamente (ICP-AES).
[0075] A constante dielétrica da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0076] A constante dielétrica pode ser medida, por exemplo, por produzir um capacitor, no qual um eletrodo inferior, uma camada dielétrica (a camada de passivação) e um eletrodo superior são laminadas, e medidas usando um medidor LCR.
[0077] O coeficiente de expansão linear da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0078] O coeficiente de expansão linear pode ser medido, por exemplo, por um dispositivo de análise termomecânica. Nessa medição, o coeficiente de expansão linear pode ser medido por separadamente produzir uma amostra de medição tendo a mesma composição que aquela da camada de passivação, sem produzir o transistor de efeito de campo.
Segunda camada de passivação
[0079] A segunda camada de passivação contém um segundo óxido de metal compósito.
[0080] A segunda camada de passivação é preferivelmente formada do segundo óxido de metal compósito por si.
Segundo óxido de metal compósito
[0081] O segundo óxido de metal compósito contém pelo menos um metal alcalino terroso, e um elemento de terras raras, preferivelmente contém Zr (zircônio), ou Hf (háfnio), ou ambos e pode conter ainda outros componentes de acordo com a necessidade.
[0082] O segundo óxido de metal compósito é estável na atmosfera, e pode estavelmente formar uma estrutura amorfa com uma ampla faixa da composição. Isso é porque os presentes inventores verificaram que um óxido de metal compósito contendo um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras é estável na atmosfera, e pode estavelmente formar uma estrutura amorfa com uma ampla faixa da composição.
[0083] Tipicamente, um óxido simples de um metal alcalino terroso tende a reagir com umidade ou dióxido de carbono na atmosfera para formar hidróxido ou carbonato, e, portanto, o óxido simples não é adequado para uso em um dispositivo eletrônico. Além disso, um óxido simples de um elemento de terra rara tende a ser cristalizado, e causa vazamento de corrente elétrica quando é usado em um dispositivo eletrônico. Entretanto, os presentes inventores verificaram que o segundo óxido de metal compósito contendo um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras formam estavelmente um filme amorfo com uma ampla faixa da composição. Uma vez que o segundo óxido de metal compósito está estavelmente presente com uma ampla faixa da composição da mesma, uma constante dielétrica e coeficiente de expansão linear do segundo óxido de metal compósito a ser formado podem ser controladas extensamente dependendo da razão de composição do mesmo.
[0084] O segundo óxido de metal compósito contém, de preferência Zr (zircônio), ou Hf (háfnio) ou ambos. Como o segundo óxido de metal compósito contém o Zr, ou Hf, ou ambos, estabilidade térmica, resistência a calor, e compacidade podem ser melhoradas ainda mais.
[0085] Os exemplos do metal alcalino terroso no segundo óxido de metal compósito incluem Be (Berílio), Mg (magnésio) , Ca (cálcio) , Sr (estrôncio) , e Ba (bário) . Os mesmos podem ser usados individualmente ou em combinação.
[0086] Os exemplos do elemento de terras raras no segundo óxido de metal compósito incluem Sc (escândio), Y (ítrio), La (lantânio), Ce (cério), Pr (praseodímio), Nd (neodímio), Pm (promécio), Sm (samário), Eu (európio), Gd (gadolínio), Tb (térbio, (Dy (disprósio), Ho (hólmio), Er (érbio), Tm (túlio), Yb (itérbio) e Lu (lutécio).
[0087] Uma razão de composição do metal alcalino terroso e o elemento de terras raras no segundo óxido de metal compósito é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0088] No segundo óxido de metal compósito, a razão de composição do metal alcalino terroso e elemento de terras raras (o metal alcalino terroso: elemento de terras raras) é preferivelmente 10,0% mol a 67,0% mol: 33,0% mol a 90,0% mol, com base na conversão de óxido (BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, La2O3, Ce2O3, Pr2O3, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, EU2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Hg2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, LU2O3) .
[0089] Uma razão de composição do metal alcalino terroso, o elemento de terras raras e o Zr e/ou Hf no segundo óxido de metal compósito é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0090] No segundo óxido de metal compósito, a razão de composição do metal alcalino terroso, elemento de terras raras e o Zr e/ou o Hf (o metal alcalino terroso: elemento de terras raras: o Zr e/ou Hf)) é preferivelmente 5,0% mol a 22,0% mol: 33,0% mol a 90,0% mol: 5,0% mol a 45,0% mol, com base na conversão de óxido (BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, La2O3, Ce2O3, Pr2O3, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Hg2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, LWO3, ZrO2, HfO2) .
[0091] A proporção do óxido (BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, La2O3, Ce2O3, Pr2O3, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Hg2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, LWO3, ZrO2, HfÜ2) no Segundo óxido de metal compósito pode ser calculada, por exemplo, por analisar um elemento catiônico do óxido através de espectrometria de fluorescência de raios-X, microanálise de sonda de elétrons (EPMA), ou espectroscopia de emissão atômica acoplada indutivamente (ICP-AES).
[0092] A constante dielétrica da segunda camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0093] A constante dielétrica da segunda camada de passivação pode ser medida, por exemplo, pelo mesmo método do método de medição da constante dielétrica da primeira camada de passivação.
[0094] O coeficiente de expansão linear da segunda camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0095] O coeficiente de expansão linear da segunda camada de passivação pode ser medido, por exemplo, pelo mesmo método do método de medição do coeficiente de expansão linear da primeira camada de passivação.
[0096] Na presente invenção, os presentes inventores verificaram que a camada de passivação formada por laminar a primeira camada de passivação contendo o primeiro óxido de metal compósito e a segunda camada de passivação contendo o Segundo óxido de metal compósito apresenta excelentes propriedades de barreira contra umidade, oxigênio e hidrogênio na atmosfera.
[0097] Portanto, um transistor de efeito de campo que apresente elevada confiabilidade pode ser fornecido usando a camada de passivação acima mencionada.
[0098] Métodos de formação da primeira camada de passivação e segunda camada de passivação
[0099] Os métodos de formação da primeira camada de passivação, e segunda camada de passivação são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos dos mesmos incluem um método, no qual um filme é formado por um processo a vácuo, como sublimação catódica, deposição a laser pulsado (PLD), deposição de vapor químico (CVD), e deposição de camada atômica (ALD), seguido por padronização do filme através de fotolitografia.
[0100] Além disso, a primeira camada de passivação pode ser formada por preparar um líquido de revestimento contendo um precursor do primeiro óxido de metal compósito (um líquido de revestimento da primeira camada de passivação), aplicar ou imprimir o líquido de revestimento para sobre uma base a ser revestida, e cozinhar o resultado sob condições apropriadas. Similarmente, a segunda camada de passivação pode ser formada por preparar um líquido de revestimento contendo um precursor do segundo óxido de metal compósito (líquido de revestimento da segunda camada de passivação), aplicar ou imprimir o líquido de revestimento para sobre uma base a ser revestida, e cozinhar o resultado em condições apropriadas.
[0101] A espessura média de filme da primeira camada de passivação é preferivelmente 10 nm a 1.000 nm, mais preferivelmente 20 nm a 500 nm.
[0102] A espessura média de filme da segunda camada de passivação é preferivelmente 10 nm a 1.000 nm, mais preferivelmente 20 nm a 500 nm.
[0103] Líquido de revestimento da primeira camada de passivação (líquido de revestimento do primeiro filme isolante)
[0104] O líquido de revestimento da primeira camada de passivação (líquido de revestimento do primeiro filme isolante) contém pelo menos um composto contendo silício, um composto de metal alcalino terroso, e um solvente, preferivelmente contém ainda um composto contendo alumínio, ou um composto contendo boro, ou ambos, e pode conter ainda outros componentes de acordo com a necessidade.
[0105] Recentemente, desenvolvimentos de eletrônica impressa utilizando um processo de revestimento, que pode reduzir um custo, foram ativamente conduzidos, em relação a um processo a vácuo, que requer equipamentos caros, como sublimação catódica, CVD e gravação a seco. Em relação a uma camada de passivação de um semicondutor, é reportado um estudo para formar uma camada de passivação por revestimento polisilazano (vide, por exemplo, JP-A no. 2010-103203) e fiação em vidro.
[0106] Entretanto, para obter um filme isolante fino através da decomposição de materiais orgânicos, um líquido de revestimento contendo SiO2, como polisilazano, e fiação em vidro, é necessário executar cozimento a 450°C ou mais elevada. Para decompor um material orgânico na temperatura igual a ou mais baixa que 450°C, uso combinado de outro processo de aceleração de reação do que aquecimento, como tratamento de micro-ondas (vide, por exemplo, JP-A no. 2010103203), o uso de um catalisador, e cozimento em uma atmosfera de vapor de água (por exemplo, vide, a patente japonesa (JP-B) no. 3666915) é necessário. Portanto, a complicação de um processo de cozimento, custo elevado e redução em propriedades de isolamento devido a resíduos de impureza são problemas. Por outro lado, como o líquido de revestimento da primeira camada de passivação contém um precursor de um óxido de metal alcalino terroso, cuja temperatura de decomposição é mais baixa que aquela do precursor de SiO2, é possível decompor o precursor em temperatura mais baixa que aquela para um líquido de revestimento composto apenas do precursor de SiO2, isto é, a temperatura mais baixa que 450°C, e formar um filme isolante fino. Como um precursor Al2O3, ou um precursor B203, ou ambos, cuja temperatura de decomposição é mais baixa que aquela do precursor de SÍO2, similarmente ao precursor de óxido de metal alcalino terroso, são adicionalmente contidos, além disso, um efeito de formar um filme isolante fino em baixa temperatura pode ser intensificado.
Composto contendo silício
[0107] Os exemplos do composto contendo silício incluem um composto de silício inorgânico, e um composto de silício orgânico.
[0108] Os exemplos do composto de silício inorgânico incluem tetraclorosilano, tetrabromosilano e tetraiodosilano.
[0109] O composto de silício orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que é um composto contendo silício e um grupo orgânico. O silício e o grupo orgânico são ligados juntos, por exemplo, por uma ligação iônica, uma ligação covalente, ou uma ligação coordenada.
[0110] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo de alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, e um grupo fenila que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem um grupo aciloxi CICIO.
[0111] Os exemplos do composto de silício orgânico incluem tetrametoxisilano, tetraetoxisilano, tetraisopropoxisilano, tetrabutoxisilano, 1,1,1,3,3,3- hexametildisilaxano (HMDS), bis(trimetilsilil)acetileno, trifenilsilano, 2-etilhexanoato de silício, e tetraacetoxisilano.
[0112] Uma quantidade do composto contendo silício no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo metal alcalino terroso
[0113] Os exemplos do composto contendo metal alcalino terroso incluem um composto de metal alcalino terroso inorgânico, e um composto de metal alcalino terroso orgânico. Os exemplos de um metal alcalino terroso no composto contendo metal alcalino terroso incluem Be (berílio), Mg (magnésio), Ca (cálcio), Sr (estrôncio) e Ba (bário).
[0114] Os exemplos do composto de metal alcalino terroso inorgânico incluem sal de ácido nítrico de metal alcalino terroso, sal de ácido sulfúrico de metal alcalino terroso, cloreto de metal alcalino terroso, fluoreto de metal alcalino terroso, brometo de metal alcalino terroso e iodeto de metal alcalino terroso.
[0115] Os exemplos do sal de ácido nítrico de metal alcalino terroso incluem nitrato de magnésio, nitrato de cálcio, nitrato de estrôncio, e nitrato de bário.
[0116] Os exemplos do sal de ácido sulfúrico de metal alcalino terroso incluem sulfato de magnésio, sulfato de cálcio, sulfato de estrôncio, e sulfato de bário.
[0117] Os exemplos do cloreto de metal alcalino terroso incluem cloreto de magnésio, cloreto de cálcio, cloreto de estrôncio e cloreto de bário.
[0118] Os exemplos do fluoreto de metal alcalino terroso incluem fluoreto de magnésio, fluoreto de cálcio, fluoreto de estrôncio e fluoreto de bário.
[0119] Os exemplos do brometo de metal alcalino terroso incluem brometo de magnésio, brometo de cálcio, brometo de estrôncio e brometo de bário.
[0120] Os exemplos do cloreto de metal alcalino terroso incluem iodeto de magnésio, iodeto de cálcio, iodeto de estrôncio e iodeto de bário.
[0121] O composto de metal alcalino terroso orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo um metal alcalino terroso e um grupo orgânico. O metal alcalino terroso e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0122] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo fenila que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo de ácido sulfônico que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo de alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem: um grupo aciloxi C1-C10, uma parte do grupo aciloxi do qual é substituída com um anel benzeno, como ácido benzoico; uma parte de grupo aciloxi do qual é substituída com um grupo hidroxila, como ácido láctico; e um grupo aciloxi contendo dois ou mais grupos de carbonila, como ácido oxálico, e ácido cítrico.
[0123] Os exemplos do composto de metal alcalino terroso orgânico incluem metóxido de magnésio, etóxido de magnésio, magnésio de dietila, acetato de magnésio, formato de magnésio, acetil acetonato de magnésio, 2-etil hexanoato de magnésio, lactato de magnésio, naftenato de magnésio, citrato de magnésio, salicilato de magnésio, benzoato de magnésio, oxalato de magnésio, trifluorometano-sulfonato de magnésio, metóxido de cálcio, etóxido de cálcio, acetato de cálcio, formato de cálcio, acetil acetonato de cálcio, dipivaolíl metanato de cálcio, 2-etil hexanoato de cálcio, lactato de cálcio, naftenato de cálcio, citrato de cálcio, salicilato de cálcio, neodecanoato de cálcio, benzoato de cálcio, oxalato de cálcio, isopropóxido de estrôncio, acetato de estrôncio, formato de estrôncio, acetil acetonato de estrôncio, 2-etil hexanoato de estrôncio, lactato de estrôncio, naftenato de estrôncio, salicilato de estrôncio, oxalato de estrôncio, etóxido de bário, isopropóxido de bário, acetato de bário, formato de bário, acetil acetonato de bário, 2-etil hexanoato de bário, lactato de bário, naftenato de bário, neodecanoato de bário, oxalato de bário, benzoato de bário, e trifluorometano-sulfonato de bário.
[0124] Uma quantidade do composto contendo metal alcalino terroso no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo alumínio
[0125] Os exemplos do composto contendo alumínio incluem um composto de alumínio inorgânico, e um composto de alumínio orgânico.
[0126] Os exemplos do composto de alumínio inorgânico incluem cloreto de alumínio, nitrato de alumínio, brometo de alumínio, hidróxido de alumínio, borato de alumínio, trifluoreto de alumínio, iodeto de alumínio, sulfato de alumínio, fosfato de alumínio e sulfato de alumínio amônio.
[0127] O composto de alumínio orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo alumínio e um grupo orgânico. O alumínio e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0128] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo fenila que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo de ácido sulfônico que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo de alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem: um grupo aciloxi C1-C10, uma parte do grupo aciloxi do qual é substituída com um anel benzeno, como ácido benzoico; uma parte de grupo aciloxi do qual é substituída com um grupo hidroxila, como ácido láctico; e um grupo aciloxi contendo dois ou mais grupos de carbonila, como ácido oxálico, e ácido cítrico.
[0129] Os exemplos do composto de alumínio orgânico incluem isopropóxido de alumínio, alumínio-sec-butóxido, alumínio de trietila, etopóxido de alumínio de dietila, acetato de alumínio, acetil acetonato de alumínio, hexafluoroacetil acetonato de alumínio, 2-etil hexanoato de alumínio, lactato de alumínio, benzoato de alumínio, quelato de di(s-butóxido)acetoacetato de alumínio e trifluorometano- sulfonato de alumínio.
[0130] Uma quantidade do composto contendo alumínio no líquido de revestimento de primeira camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo boro
[0131] Os exemplos do composto contendo boro incluem um composto contendo boro inorgânico, e um composto de boro orgânico.
[0132] Os exemplos do composto de boro inorgânico incluem ácido ortobórico, óxido de boro, tribrometo de boro, ácido tetrafluorobórico, borato de amônio e borato de magnésio. Os exemplos do óxido de boro incluem dióxido de diboro, trióxido de diboro, trióxido de tetraboro e pentaóxido de tetraboro.
[0133] O composto de boro orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo boro e um grupo orgânico. O boro e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0134] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo de alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo fenila que pode ter um substituinte, um grupo de ácido sulfônico que pode ter um substituinte, e um grupo tiofeno que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. O termo “grupo alcoxi” inclui um grupo orgânico, que contém dois ou mais átomos de oxigênio, e dois átomos de oxigênio a partir de todos os átomos de oxigênio são ligados a boro para formar uma estrutura cíclica juntamente com o boro. Além disso, o grupo alcoxi inclui um grupo alcoxi, em que um grupo alquila contido no mesmo é substituído com um grupo de silila orgânico. Os exemplos do grupo aciloxi incluem um grupo aciloxi C1-C10.
[0135] Os exemplos do composto de boro orgânico incluem (R)-5,5-difenil-2-metil-3,4-propano-l, 3,2- oxaborolidina, triisopropil borato, 2-isopropoxi-4,4,5>5- tetrametil-l,3,2-dioxaborolano, bis(hexilenoglicolato)diboro, 4-(4,4,5,5-tetrametil-l,3,2- dioxaborolan-2-il)-lH-pirazol, (4,4,5,5-tetrametil-l,3,2- dioxaborolan-2-il)benzeno, terc-butil-N-[4-(4,4,5,5- tetrametil--"l,2,3-dioxaborolan-2-il)fenilcarbamato, ácido fenilborônico, ácido 3-acetilfenilborônico, um complexo de ácido acético trifluoreto de boro, um complexo de sulfolano trifluoreto de boro, ácido 2-tiofeneborônico, e tris(trimetilsilil)botato.
[0136] Uma quantidade do composto contendo boro no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Solvente
[0137] O solvente é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um solvente capaz de estavelmente dissolver ou dispersar os vários compostos acima mencionados. Os exemplos do solvente incluem tolueno, xileno, mesitileno, cimeno, pentilbenzeno, dodecilbenzeno, biciclohexila, ciclohexilbenzeno, decano, undecano, dodecano, tridecano, tetradecano, pentadecano, tetralina, decalina, isopropanol, benzoato de etila, N,N- dimetilformamida, carbonato de propileno, 2-etil hexanoato, essência mineral, dimetilpropileno ureia, 4-butirolactona, 2-metoxi etanol e água.
[0138] Uma quantidade do solvente no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0139] Uma razão de composição do composto contendo silício e composto contendo metal alcalino terroso (o composto contendo silício: o composto contendo metal alcalino terroso) no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0140] No líquido de revestimento de primeira camada de passivação, a razão de composição de Si e metal alcalino terroso (o Si: metal alcalino terroso) é preferivelmente 50,0% mol a 90,0% mol: 10,0% mol a 50,0% mol com base na conversão de óxido (Si02, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO).
[0141] Uma razão de composição do composto contendo silício, composto contendo metal alcalino terroso, e o composto contendo alumínio e/ou o composto contendo boro (o composto contendo silício: o composto contendo metal alcalino terroso: o composto contendo alumínio e/ou o composto contendo boro) no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição do mesmo está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0142] No líquido de revestimento da primeira camada de passivação, a razão de composição de Si, metal alcalino terroso, e Al e/ou B (Si: metal alcalino terroso: Al e/ou B) é preferivelmente 50,0% mol a 90,0% mol: 5,0% mol a 20,0% mol: 5,0% mol a 30,0% mol com base na conversão de óxido (Si02, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, AI2O3, B2O3) .
[0143] Líquido de revestimento da segunda camada de passivação (líquido de revestimento do Segundo filme isolante)
[0144] O líquido de revestimento da segunda camada de passivação (líquido de revestimento do Segundo filme isolante) contém pelo menos um composto contendo metal alcalino terroso, um composto contendo elementos de terras raras, e um solvente, preferivelmente contém ainda composto contendo zircônio, ou um composto contendo háfnio, ou ambos, e pode conter ainda outros componentes de acordo com a necessidade.
Composto contendo metal alcalino terroso
[0145] Os exemplos do composto contendo metal alcalino terroso incluem um composto de metal alcalino terroso inorgânico e um composto de metal alcalino terroso orgânico. Os exemplos de um metal alcalino terroso no composto contendo metal alcalino terroso incluem Be (berílio), Mg (magnésio), Ca (cálcio), Sr (estrôncio) e Ba (bário).
[0146] Os exemplos do composto de metal alcalino terroso inorgânico incluem sal de ácido nítrico de metal alcalino terroso, sal de ácido sulfúrico de metal alcalino terroso, cloreto de metal alcalino terroso, fluoreto de metal alcalino terroso, brometo de metal alcalino terroso e iodeto de metal alcalino terroso.
[0147] Os exemplos do sal de ácido nítrico de metal alcalino terroso incluem nitrato de magnésio, nitrato de cálcio, nitrato de estrôncio, e nitrato de bário.
[0148] Os exemplos do sal de ácido sulfúrico de metal alcalino terroso incluem sulfato de magnésio, sulfato de cálcio, sulfato de estrôncio, e sulfato de bário.
[0149] Os exemplos do cloreto de metal alcalino terroso incluem cloreto de magnésio, cloreto de cálcio, cloreto de estrôncio e cloreto de bário.
[0150] Os exemplos do fluoreto de metal alcalino terroso incluem fluoreto de magnésio, fluoreto de cálcio, fluoreto de estrôncio e fluoreto de bário.
[0151] Os exemplos do brometo de metal alcalino terroso incluem brometo de magnésio, brometo de cálcio, brometo de estrôncio e brometo de bário.
[0152] Os exemplos do cloreto de metal alcalino terroso incluem iodeto de magnésio, iodeto de cálcio, iodeto de estrôncio e iodeto de bário.
[0153] O composto de metal alcalino terroso orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo um metal alcalino terroso e um grupo orgânico. O metal alcalino terroso e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0154] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo fenila que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo de ácido sulfônico que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo de alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem: um grupo aciloxi C1-C10, uma parte do grupo aciloxi do qual é substituída com um anel benzeno, como ácido benzoico; uma parte de grupo aciloxi do qual é substituída com um grupo hidroxila, como ácido láctico; e um grupo aciloxi contendo dois ou mais grupos de carbonila, como ácido oxálico, e ácido cítrico.
[0155] Os exemplos do composto de metal alcalino terroso orgânico incluem metóxido de magnésio, etóxido de magnésio, magnésio de dietila, acetato de magnésio, formato de magnésio, acetil acetonato de magnésio, 2-etil hexanoato de magnésio, lactato de magnésio, naftenato de magnésio, citrato de magnésio, salicilato de magnésio, benzoato de magnésio, oxalato de magnésio, trifluorometnao-sulfonato de magnésio, metóxido de cálcio, etóxido de cálcio, acetato de cálcio, formato de cálcio, acetil acetonato de cálcio, dipivaolíl metanato de cálcio, 2-etil hexanoato de cálcio, lactato de cálcio, naftenato de cálcio, citrato de cálcio, salicilato de cálcio, neodecanoato de cálcio, benzoato de cálcio, oxalato de cálcio, isopropóxido de estrôncio, acetato de estrôncio, formato de estrôncio, acetil acetonato de estrôncio, 2-etil hexanoato de estrôncio, lactato de estrôncio, naftenato de estrôncio, salicilato de estrôncio, oxalato de estrôncio, etóxido de bário, isopropóxido de bário, acetato de bário, formato de bário, acetil acetonato de bário, 2-etil hexanoato de bário, lactato de bário, naftenato de bário, neodecanoato de bário, oxalato de bário, benzoato de bário, e trifluorometano-sulfonato de bário.
[0156] Uma quantidade do composto contendo metal alcalino terroso no líquido de revestimento da primeira camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo elemento de terras raras
[0157] Exemplos de um elemento de terras raras no composto contendo elemento de terras raras incluem Sc (escândio), Y (ítrio), La (lantânio), Ce (cério), Pr (praseodímio), Nd (neodímio), Pm (promécio), Sm (samário), Eu (európio), Gd (gadolínio), Tb (térbio, (Dy (disprósio), Ho (hólmio), Er (érbio), Tm (túlio), Yb (itérbio) e Lu (lutécio).
[0158] Os exemplos do composto contendo elemento de terras raras incluem um composto de elemento de terras raras inorgânico, e um composto de elemento de terras raras orgânico.
[0159] Os exemplos do composto de elemento de terras raras inorgânico incluem sal de ácido nítrico de elemento de terras raras, sal de ácido sulfúrico de elementos de terras raras, fluoreto de elemento de terras raras, cloreto de elemento de terras raras, brometo de elemento de terras raras e iodeto de elemento de terras raras.
[0160] Os exemplos do sal de ácido nítrico de elemento de terras raras incluem nitrato de escândio, nitrato de ítrio, nitrato de lantânio, nitrato de cério, nitrato de praseodímio, nitrato de neodímio, nitrato de samário, nitrato de európio, nitrato de gadolínio, nitrato de térbio, nitrato de disprósio, nitrato de hólmio, nitrato de érbio, nitrato de túlio, nitrato de itérbio e nitrato de lutécio.
[0161] Os exemplos do sal de ácido sulfúrico de elemento de terras raras incluem sulfato de escândio, sulfato de ítrio, sulfato de lantânio, sulfato de cério, sulfato de praseodímio, sulfato de neodímio, sulfato de samário, sulfato de európio, sulfato de gadolínio, sulfato de térbio, sulfato de disprósio, sulfato de hólmio, sulfato de érbio, sulfato de túlio, sulfato de itérbio e sulfato de lutécio.
[0162] Os exemplos do fluoreto de elemento de terras raras incluem fluoreto de escândio, fluoreto de ítrio, fluoreto de lantânio, fluoreto de cério, fluoreto de praseodímio, fluoreto de neodímio, fluoreto de samário, fluoreto de európio, fluoreto de gadolínio, fluoreto de térbio, fluoreto de disprósio, fluoreto de hólmio, fluoreto de érbio, fluoreto de túlio, fluoreto de itérbio e fluoreto de lutécio.
[0163] Os exemplos do cloreto de elemento de terras raras incluem cloreto de escândio, cloreto de ítrio, cloreto de lantânio, cloreto de cério, cloreto de praseodímio, cloreto de neodímio, cloreto de samário, cloreto de európio, cloreto de gadolínio, cloreto de térbio, cloreto de disprósio, cloreto de hólmio, cloreto de érbio, cloreto de túlio, cloreto de itérbio e cloreto de lutécio.
[0164] Os exemplos do brometo de elemento de terras raras incluem brometo de escândio, brometo de ítrio, brometo de lantânio, brometo de cério, brometo de praseodímio, brometo de neodímio, brometo de samário, brometo de európio, brometo de gadolínio, brometo de térbio, brometo de disprósio, brometo de hólmio, brometo de érbio, brometo de túlio, brometo de itérbio e brometo de lutécio.
[0165] Os exemplos do iodeto de elemento de terras raras incluem iodeto de escândio, iodeto de ítrio, iodeto de lantânio, iodeto de cério, iodeto de praseodímio, iodeto de neodímio, iodeto de samário, iodeto de európio, iodeto de gadolínio, iodeto de térbio, iodeto de disprósio, iodeto de hólmio, iodeto de érbio, iodeto de túlio, iodeto de itérbio e iodeto de lutécio.
[0166] O composto de elemento de terras raras orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo um elemento de terras raras e um grupo orgânico. O elemento de terras raras e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0167] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo ciclopentadienil que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo alquila incluem um grupo alquila C1-C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1-C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem um grupo aciloxi C1-C10.
[0168] Os exemplos do composto de elemento de terras raras orgânico incluem isopropóxido de escândio, acetato de escândio, tris(ciclopentadienil)escândio, isopropóxido de ítrio, 2-etilhexanoato de ítrio, tris(acetilacetonato)ítrio, tris(ciclopentadienil)ítrio, isopropoxido de lantânio, 2- etilhexanoato de lantânio, tris(acetilacetonato) lantânio, tris(ciclopentadienil)lantânio, 2-etilhexanoato de cério, tris(acetilacetonato)cério, tris(ciclopentadienil)cério, isopropoxido de praseodímio, ácido oxálico praseodímio, tris(acetilacetonato)praseodímio, tris(ciclopentadienil) praseodímio, isopropoxido de neodímio, 2-etilhexanoato de neodímio, acetonato de trifluoroacetil neodímio, tris(isopropilciclopentadienil) neodímio, tris(etilciclopentadienil)promécio, isopropoxido de samário, 2-etilhexanoato de samário, tris(acetilacetonato)samário, tris(ciclopentadienil)samário, 2-etilhexanoato de európio, tris(acetilacetonato)európio, tris(etil ciclopentadienil)európio, isopropóxido de gadolínio, 2- etilhexanoato gadolínio, tris(acetilacetonato)gadolínio, tris(ciclopentadienil)gadolínio, acetato de térbio, tris (acetilacetonato)térbio, tris(ciclopentadienil)térbio, isopropóxido de disprósio, acetato de disprósio, tris(acetilacetonato) disprósio, tris(etilciclopentadienil)disprósio, isopropóxido de hólmio, acetato de hólmio, tris(ciclopentadienil)hólmio, isopropóxido de érbio, acetato de érbio, tris(acetilacetonato)érbio, tris(ciclopentadienil)érbio, acetato de túlio, tris(acetilacetonato)túlio, tris(ciclopentadienil)túlio, isopropóxido de itérbio, acetato de itérbio, tris(acetilacetonato)itérbio, tris (ciclopentadienil)itérbio, oxalato de lutécio, e tris(etilciclopentadienil)lutécio.
[0169] Uma quantidade do composto contendo elemento de terras raras no líquido de revestimento de segunda camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo zircônio
[0170] Os exemplos do composto contendo zircônio incluem um composto de zircônio inorgânico, e um composto de zircônio orgânico.
[0171] Os exemplos do composto de zircônio orgânico incluem fluoreto de zircônio, cloreto de zircônio, brometo de zircônio, iodeto de zircônio, carbonato de zircônio e sulfato de zircônio.
[0172] O composto de zircônio orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo zircônio e um grupo orgânico. O zircônio e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0173] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo ciclopentadienila que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo de alquila incluem um grupo de alquila C1C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem um grupo aciloxi C1-C10.
[0174] Os exemplos do composto de zircônio orgânico incluem butóxido de zircônio, isopropóxido de zircônio, óxido (2-etil hexanoato) de zircônio, bisacetil acetonato de di(n-butóxido) de zircônio, tetraquis(acetil acetonato) zircônio, e tetraquis(ciclopentadienil) zircônio.
[0175] Uma quantidade do composto contendo zircônio no líquido de revestimento de segunda camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Composto contendo háfnio
[0176] Os exemplos do composto contendo háfnio incluem um composto de háfnio inorgânico, e um composto de háfnio orgânico.
[0177] Os exemplos do composto de háfnio orgânico incluem fluoreto de háfnio, cloreto de háfnio, brometo de háfnio, iodeto de háfnio, carbonato de háfnio e sulfato de háfnio.
[0178] O composto de háfnio orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um composto contendo háfnio e um grupo orgânico. O háfnio e o grupo orgânico são ligados, por exemplo, com uma ligação iônica, uma ligação covalente ou uma ligação coordenada.
[0179] O grupo orgânico é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um grupo alquila que pode ter um substituinte, um grupo alcoxi que pode ter um substituinte, um grupo aciloxi que pode ter um substituinte, um grupo acetil acetonato que pode ter um substituinte, e um grupo ciclopentadienila que pode ter um substituinte. Os exemplos do grupo de alquila incluem um grupo de alquila C1C6. Os exemplos do grupo alcoxi incluem um grupo alcoxi C1C6. Os exemplos do grupo aciloxi incluem um grupo aciloxi C1-C10.
[0180] Os exemplos do composto de háfnio orgânico incluem butóxido de háfnio, isopropóxido de háfnio, 2-etil hexanoato de háfnio, di(n-butóxido) bisacetil acetonato de háfnio, tetraquis(acetil acetonato) háfnio e bis(ciclopentadienil) dimetil háfnio.
[0181] Uma quantidade do composto contendo háfnio no líquido de revestimento de segunda camada de passivação é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
Solvente
[0182] O solvente é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um solvente capaz de estavelmente dissolver ou dispersar os vários compostos acima mencionados. Os exemplos do solvente incluem tolueno, xileno, mesitileno, cimeno, pentilbenzeno, dodecilbenzeno, biciclohexila, ciclohexilbenzeno, decano, undecano, dodecano, tridecano, tetradecano, pentadecano, tetralina, decalina, isopropanol, benzoato de etila, N,N- dimetilformamida, carbonato de propileno, 2-etil hexanoato, essência mineral, dimetilpropileno ureia, 4-butirolactona, 2-metoxi etanol, e água.
[0183] Uma quantidade do solvente no líquido de revestimento de segunda camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0184] Uma razão de composição do composto contendo metal alcalino terroso e o composto contendo elemento de terras raras (o composto contendo metal alcalino terroso: o composto contendo elemento de terras raras) no líquido de revestimento de segunda camada de passivação é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0185] No líquido de revestimento de segunda camada de passivação, a razão de composição do metal alcalino terroso e elemento de terras raras (o metal alcalino terroso : o elemento de terras raras) é preferivelmente 10,0% mol a 67,0% mol: 33,0% mol a 90,0% mol com base na conversão de óxido (BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2Oa, Y2O3, La2Os, Ce2Os, Pr2Os, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, EWO3, Gd2O3, W2O3, Dy2O3, Hg2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, LWO3) .
[0186] Uma razão de composição do composto contendo metal alcalino terroso, o composto contendo elemento de terras raras, e o composto contendo zircônio e/ou o composto contendo háfnio (o composto contendo metal alcalino terroso: o composto contendo elemento de terras raras: o composto contendo zircônio e/ou o composto contendo háfnio) no líquido de revestimento da segunda camada de passivação é apropriadamente selecionando dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a razão de composição da mesma está preferivelmente compreendida na seguinte faixa.
[0187] No líquido de revestimento da segunda camada de passivação, a razão de composição do metal alcalino terroso, elemento de terras raras, e Zr e/ou Hf (o metal alcalino terroso: o elemento de terras raras: o Zr e/ou o Hf é preferivelmente 5,0% mol a 22,0% mol: 33% mol a 90,0% mol: 5,0% mol a 45,0% mol com base na conversão de óxido (BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2Oa, Y2O3, La2Os, Ce2Os, Pr2Os, Nd2Os, Pm2Os, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, W2O3, Dy2O3, Hg2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, ZrO2, HfO2.
[0188] Método de formação de primeira camada de passivação usando líquido de revestimento de primeira camada de passivação, e método de formação da segunda camada de passivação usando líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0189] Um exemplo de um método de formação da primeira camada de passivação utilizando o líquido de revestimento da primeira camada de passivação, ou um método de formação da segunda camada de passivação usando o líquido de revestimento de segunda camada de passivação é explicado. O método de formação da primeira camada de passivação, ou a segunda camada de passivação contém uma etapa de revestimento, e uma etapa de tratamento de calor, e pode conter ainda outra etapa de acordo com a necessidade.
[0190] A etapa de revestimento é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que contenha aplicar o líquido de revestimento de primeira camada de passivação ou o líquido de revestimento de segunda camada de passivação sobre uma base a ser revestida. Um método do revestimento é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um método contendo formar um filme através de um processo de solução, seguido por padronização através de fotolitografia: e um método contendo diretamente formar um filme tendo um formato desejado por impressão, como impressão de jato de tinta, nanoimpressão e impressão de gravura. Os exemplos do processo de solução incluem revestimento por imersão, revestimento por fiação, revestimento de matriz e impressão de bocal.
[0191] A etapa de tratamento de calor é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que contenha tratamento a calor do líquido de revestimento de primeira camada de passivação ou líquido de revestimento da segunda camada de passivação aplicado na base a ser revestida.
[0192] Observe que, quando o tratamento a calor é realizado, o líquido de revestimento de primeira camada de passivação ou liquido de revestimento de segunda camada de passivação aplicado sobre a base a ser revestida pode ser seco através de secagem a ar. Como resultado do tratamento a calor, o solvente é seco, e um óxido de metal compósito (o primeiro óxido de metal compósito ou o segundo óxido de metal compósito) é gerado.
[0193] Na etapa de tratamento a calor, a secagem do solvente (mencionado como um “tratamento de secagem” a seguir), e geração do primeiro óxido de metal compósito, ou o segundo óxido de metal compósito (mencionado como um “tratamento de geração” a seguir) são preferivelmente realizados em temperatura diferente. Especificamente, prefere-se que após secagem do solvente, a temperatura seja elevada para gerar o primeiro óxido de metal compósito, ou o segundo óxido de metal compósito. No momento de geração do primeiro óxido de metal compósito, por exemplo, pelo menos um selecionado do grupo que consiste no composto contendo silício, o composto contendo metal alcalino terroso, o composto contendo alumínio, e o composto contendo boro é decomposto. No momento de geração do segundo óxido de metal compósito, por exemplo, pelo menos um selecionado do grupo que consiste em composto contendo metal alcalino terroso, o composto contendo elemento de terras raras, o composto contendo zircônio, e o composto contendo háfnio é decomposto.
[0194] A temperatura do tratamento de secagem é apropriadamente selecionada dependendo do solvente contido no mesmo sem nenhuma limitação. Por exemplo, a temperatura do mesmo é 80°C a 180°C. Com relação à secagem, é eficaz usar um forno a vácuo para reduzir a temperatura. A duração do tratamento de secagem é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação. Por exemplo, a duração do mesmo é de 10 minutos a 1 hora.
[0195] A temperatura do tratamento de geração é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a temperatura do mesmo é preferivelmente 100°C ou mais elevada, porém mais baixa que 450°C, mais preferivelmente 200°C a 400°C. A duração do tratamento de geração é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação. Por exemplo, a duração do mesmo é 1 hora a 5 horas.
[0196] Observe que na etapa de tratamento a calor, o tratamento de secagem e o tratamento de geração podem ser continuamente realizados, ou podem ser realizados de modo dividido com uma pluralidade de etapas.
[0197] Um método do tratamento a calor é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um método contendo aquecimento da base a ser revestida. A atmosfera usada para o tratamento a calor é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém é preferivelmente uma atmosfera de oxigênio. Como o tratamento a calor é realizado na atmosfera de oxigênio, produtos de decomposição podem ser imediatamente descarregados a partir do sistema, e geração do primeiro óxido de metal compósito, ou o segundo óxido de metal compósito pode ser acelerado.
[0198] É eficaz aplicar raios ultravioletas tendo o comprimento de onda de 400 nm ou mais curto ao material, que foi submetido ao tratamento de secagem, no tratamento a calor em vista de aceleração de uma reação do tratamento de geração. Ligações químicas do material orgânico contido no material, que foi submetido ao tratamento de secagem, são cortadas e o material orgânico pode ser decomposto por aplicar raios ultravioletas tendo o comprimento de onda de 400 nm ou mais curto. Portanto, o primeiro óxido de metal compósito ou o segundo óxido de metal compósito pode ser eficazmente formado. Os raios ultravioletas tendo o comprimento de onda de 400 nm ou mais curto são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos dos mesmos incluem raios ultravioletas tendo o comprimento de onda de 222 nm, que são emitidos a partir de uma lâmpada de excímero. Também é preferível aplicar ozônio ao invés de, ou em combinação com aplicação dos raios ultravioletas. Por aplicar o ozônio ao material, que foi submetido ao tratamento de secagem, geração de um óxido é acelerada.
Camada de isolamento de porta
[0199] A camada de isolamento de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja uma camada isolante formada entre a base e a camada de passivação.
[0200] Um material da camada de isolamento de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um material que foi amplamente usado para fabricação, como SiO2, SiNx, e Al2O3; um material de constante dielétrica elevada, como La2O3 e HfO2; e um material orgânico, como poliimida (PI) e uma fluoresina.
Método de formação de camada de isolamento de porta
[0201] Um método de formação da camada de isolamento de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um método de formação de filme a vácuo, como sublimação catódica, deposição de vapor químico (CVD), e deposição de camada atômica (ALD); e um método de impressão, como revestimento de fiação, revestimento de imersão e impressão de jato de tinta.
[0202] A espessura de filme média da camada de isolamento de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a espessura média de filme da mesma é preferivelmente 50 nm a 3 μm, mais preferivelmente 100 nm a 1 μm. Eletrodo de fonte e eletrodo de dreno
[0203] O eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que sejam eletrodos para retirar corrente elétrica a partir do transistor de efeito de campo.
[0204] O eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno são formados para estarem em contato com a camada de isolamento de porta.
[0205] Um material do eletrodo de fonte, e o eletrodo de dreno é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um metal (por exemplo, Mo, Al, Au, Ag, e Cu) e uma liga dos mesmos; um óxido eletricamente condutivo transparente, como óxido de estanho de índio (ITO) e óxido de estanho dopado com antimônio (ATO); e um condutor elétrico orgânico, como polietileno dioxitiofeno (PEDOT) e polianilina (PANI).
Método de formação de eletrodo de fonte e eletrodo de dreno
[0206] O método de formação do eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: (i) um método contendo formar um filme através de sublimação catódica, ou revestimento por imersão, seguido por padronização do filme através de fotolitografia; e (ii) um método contendo formar diretamente um filme de um formato desejado através de um processo de impressão, como impressão de jato de tinta, nanoimpressão e impressão de gravura.
[0207] A espessura média do filme do eletrodo de fonte e eletrodo de dreno é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a espessura média de filme do mesmo é preferivelmente 20 nm a 1 μm, mais preferivelmente 50 nm a 300 μm.
Camada de semicondutor
[0208] A camada de semicondutor é formada pelo menos entre o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno.
[0209] Aqui, “entre” significa uma posição na qual a camada de semicondutor funciona o transistor de efeito de campo juntamente com o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, e a posição do mesmo é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, é a posição acima mencionada.
[0210] A camada de semicondutor está em contato com a camada de isolamento de porta, o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno.
[0211] Um material da camada de semicondutor é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um semicondutor de silício e um semicondutor de óxido.
[0212] Os exemplos do condutor de silício incluem silício amorfo e silício policristalino.
[0213] Os exemplos do semicondutor de óxido incluem InGa-Zn-O, In-Zn-O e In-Mg-O.
[0214] Entre os mesmos, um semicondutor de óxido é preferível.
Método de formação de camada de semicondutor.
[0215] O método de formação da camada de semicondutor é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação. Os exemplos do mesmo incluem: um método contendo formar um filme através de um processo a vácuo, como sublimação catódica, deposição a laser pulsado (PLD), deposição de vapor químico (CVD), e deposição de camada atômica (ALD), ou um processo de solução, como revestimento por imersão, revestimento de fiação, e revestimento de matriz, seguido por padronização através de fotolitografia; e um método contendo formar diretamente um filme de um formato desejado através de um método de impressão, como impressão de jato de tinta, nanoimpressão e impressão de gravura.
[0216] A espessura média de filme da camada de semicondutor é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a espessura média de filme da mesma é preferivelmente 5 nm a 1 μm, mais preferivelmente 10 nm a 0,5 μm.
Eletrodo de porta
[0217] Um material do eletrodo de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um metal (por exemplo, Mo, Al, Au, Ag, e Cu) e uma liga dos mesmos; um óxido eletricamente condutivo transparente, como óxido de estanho de índio (ITO) e óxido de estanho dopado de antimônio (ATO); e um condutor elétrico orgânico, como polietileno dioxitiofeno (PEDOT) e polianilina (PANI).
Método de formação de eletrodo de porta
[0218] O método de formação do eletrodo de porta é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, (i) um método contendo formar um filme através de sublimação catódica ou revestimento de imersão, seguido por padronizado por fotolitografia; e (ii) um método contendo diretamente formar um filme de um formato desejado através de um processo de impressão, como impressão de jato de tinta, nanoimpressão e impressão de gravura.
[0219] A espessura média de filme do eletrodo de porta é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, porém a espessura média de filme é preferivelmente 20 nm a 1 μm, mais preferivelmente 50 nm a 300 nm.
[0220] Uma estrutura do transistor de efeito de campo é apropriadamente selecionada dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem transistores de efeito de campo das seguintes estruturas.
[0221] Um transistor de efeito de campo contendo a base, o eletrodo de porta formado na base, a camada de isolamento de porta formada no eletrodo de porta, o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno ambos formados na camada de isolamento de porta, a camada de semicondutor formada entre o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, a primeira camada de passivação formada na camada de semicondutor, e a segunda camada de passivação formada na primeira camada de passivação.
[0222] Um transistor de efeito de campo contendo a base, o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno ambos formados na base, a camada de semicondutor formada entre o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, a camada de isolamento de porta formada no eletrodo de fonte, eletrodo de dreno, e camada de semicondutor, o eletrodo de porta formado na camada de isolamento de porta, a primeira camada de passivação formada no eletrodo de porta, e a segunda camada de passivação formada na primeira camada de passivação.
[0223] Um transistor de efeito de campo contendo a base, o eletrodo de porta formado na base, a camada de isolamento de porta formada no eletrodo de porta, o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno ambos formados na camada de isolamento de porta; a camada de semicondutor formada entre o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, a segunda camada de passivação formada na camada de semicondutor, e a primeira camada de passivação formada na segunda camada de passivação.
[0224] Um transistor de efeito de campo contendo a base, o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno ambos formados na base, a camada de semicondutor formada entre o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, a camada de isolamento de porta formada no eletrodo de fonte, o eletrodo de dreno, e a camada de semicondutor, o eletrodo de porta formado na camada de isolamento de porta, a segunda camada de passivação formada no eletrodo de porta, e a primeira camada de passivação formada na segunda camada de passivação.
[0225] Os exemplos do transistor de efeito de campo tendo a estrutura de (1) incluem um transistor de efeito de campo de contato inferior/porta inferior (figura 3A) e um transistor de efeito de campo de contato superior/porta inferior (figura 3B).
[0226] Os exemplos do transistor de efeito de campo tendo a estrutura de (2) incluem um transistor de efeito de campo de contato inferior/porta superior (figura 3C) e um transistor de efeito de campo de contato superior/porta superior (figura 3D).
[0227] Nas figuras 3A a 3D, o número de referência 21 indica a base, 22 indica o eletrodo de porta, 23 indica a camada de isolamento de porta, 24 indica o eletrodo de fonte, 25 indica o eletrodo de dreno, 26 indica a camada de semicondutor de óxido, 27a indica a primeira camada de passivação e 27b indica a segunda camada de passivação.
[0228] O transistor de efeito de campo é adequadamente usado no elemento de exibição descrito abaixo, porém uso do mesmo não é limitado a um elemento de exibição. Por exemplo, o transistor de efeito de campo pode ser usado para um cartão IC e uma etiqueta ID.
Elemento de exibição
[0229] O elemento de exibição da presente invenção contém pelo menos um elemento de controle de luz, e um circuito de acionamento configurado para acionar o elemento de controle de luz, e pode conter ainda outros elementos de acordo com a necessidade. Elemento de controle de luz
[0230] O elemento de controle de luz é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um elemento configurado para controlar saída de luz de acordo com um sinal de acionamento, e exemplos do mesmo incluem um elemento eletroluminescente (EL), um elemento eletrocrômico (EC), um elemento de cristal líquido, um elemento eletroforético, e um elemento de eletroumedecimento. Circuito de acionamento
[0231] O circuito de acionamento é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um circuito contendo o transistor de efeito de campo da presente invenção, e configurado para acionar o elemento de controle de luz. Outros elementos
[0232] Os outros elementos acima mencionados são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0233] Uma vez que o elemento de exibição contém o transistor de efeito de campo da presente invenção, vida em serviço longa e operação em alta velocidade podem ser realizadas. Dispositivo de exibição de imagem
[0234] O dispositivo de exibição de imagem da presente invenção contém pelo menos uma pluralidade de elementos de exibição, uma pluralidade de linhas, e um dispositivo de controle de exibição, e pode conter ainda outros elementos de acordo com a necessidade.
[0235] O dispositivo de exibição de imagem é um dispositivo configurado para exibir uma imagem correspondendo aos dados de imagem.
Elementos de exibição
[0236] Os elementos de exibição são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que sejam elementos de exibição da presente invenção dispostos em uma matriz. Linhas
[0237] As linhas são apropriadamente selecionadas dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que sejam linhas configuradas para separadamente aplicar voltagem de porta aos transistores de efeito de campo em cada dos elementos de exibição. Dispositivo de controle de exibição
[0238] O dispositivo de controle de exibição é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, com a condição de que seja um dispositivo configurado para individualmente controlar a voltagem de porta de cada dos transistores de efeito de campo através das linhas correspondendo aos dados de imagem. Outros elementos
[0239] Os outros elementos acima mencionados são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação.
[0240] Uma vez que o dispositivo de exibição de imagem contém os elementos de exibição da presente invenção, vida em serviço longa e operação em alta velocidade podem ser realizadas.
[0241] O dispositivo de exibição de imagem pode ser usado como uma unidade de exibição em um dispositivo de informação móvel (por exemplo, um telefone móvel, um tocador de música portátil, um tocador de vídeo portátil, um livro eletrônico, e um assistente pessoal digital (PDA) ou um dispositivo de câmera (por exemplo, uma câmera fotográfica e uma câmera de vídeo)). Além disso, o dispositivo de exibição de imagem pode ser usado também como uma unidade de exibição para vários tipos de informações em um sistema de transporte (por exemplo, um carro, uma aeronave, um trem e um navio).
[0242] Além disso, o dispositivo de exibição de imagem pode ser usado como uma unidade de exibição para vários tipos de informação em um dispositivo de medição, um dispositivo de análise, equipamento médico ou mídia de anúncio.
Sistema
[0243] O sistema da presente invenção contém pelo menos o dispositivo de exibição de imagem da presente invenção, e um dispositivo de geração de dados de imagem.
[0244] O dispositivo de geração de dados de imagem é um dispositivo configurado para gerar dados de imagem com base em informações de imagem a serem exibidas, e transmitir os dados de imagem para o dispositivo de exibição de imagem.
[0245] O elemento de exibição, dispositivo de exibição de imagem e sistema da presente invenção são explicados com referência aos desenhos a seguir.
[0246] Primeiramente, um dispositivo de televisão é explicado como um exemplo do sistema da presente invenção.
[0247] Por exemplo, o dispositivo de televisão como um exemplo do sistema da presente invenção pode ter a estrutura revelada nos parágrafos [0038] a [0058] e a figura 1 de JP-A no. 2010-074148.
[0248] A seguir, o dispositivo de exibição de imagem da presente invenção é explicado.
[0249] Por exemplo, o dispositivo de exibição de imagem da presente invenção pode ter a estrutura revelada nos parágrafos [0059] a [0060] e figuras 2 e 3 em JP-A no. 2010-074148.
[0250] A seguir, o elemento de exibição da presente invenção é explicado com referência aos desenhos.
[0251] A figura 1 é um desenho ilustrando um exibidor 310, no qual elementos de exibição são dispostos em uma matriz.
[0252] Como ilustrado na figura 1, o exibidor 310 contém “n” número de linhas de varredura (X0, X1, X2, X3, ... Xn-2, Xn-1) dispostas ao longo da direção de eixo X com um intervalo constante, “m” número de linhas de dados (Y0, Y1, Y2, Y3, ... Ym-1) dispostas ao longo da direção de eixo Y com um intervalo constante, e “m” número de linhas de fornecimento de corrente (Y0i, Y1i, Y2i, Y3i, ... Ym-1i) dispostas ao longo da direção de eixo Y com um intervalo constante.
[0253] Como descrito acima, o elemento de exibição pode ser especificado com a linha de varredura e a linha de dados.
[0254] A figura 2 é um diagrama esquemático ilustrando um exemplo do elemento de exibição da presente invenção.
[0255] Como ilustrado como um exemplo na figura 2, o elemento de exibição contém um elemento eletroluminescente orgânico (EL) 350, e um circuito de acionamento 320 configurado para emitir luz a partir do elemento EL orgânico 350. Especificamente, o exibidor 310 é um exibidor EL orgânico de um denominado sistema de matriz ativa. Além disso, o exibidor 310 é um exibidor colorido de 32 polegadas. Observe que um tamanho do exibidor não é limitado ao tamanho acima mencionado.
[0256] O circuito de acionamento 320 da figura 2 é explicado.
[0257] O circuito de acionamento 320 contém dois transistores de efeito de campo 11, 12, e um capacitor 30.
[0258] O transistor de efeito de campo 11 funciona como um elemento de comutação. O eletrodo de porta G é conectado à linha de varredura predeterminada, e o eletrodo de fonte S é conectado à linha de dados predeterminada. Além disso, o eletrodo de dreno D é conectado a um terminal do capacitor 30.
[0259] O capacitor 13 é configurado para salvar o estado do transistor de efeito de campo, 11, isto é, dados. O outro terminal do capacitor 13 é conectado à linha de fornecimento de corrente predeterminada.
[0260] O transistor de efeito de campo 12 é configurado para fornecer corrente elétrica ao elemento EL orgânico 350. O eletrodo de porta G é conectado ao eletrodo de dreno D do transistor de efeito de campo 10. O eletrodo de dreno D do transistor de efeito de campo 11. O eletrodo de dreno D é conectado ao anodo do elemento EL orgânico 350, e o eletrodo de fonte S é conectado à linha de fornecimento de corrente elétrica predeterminada.
[0261] Quando o transistor de efeito de campo 11 é girado no estado de “LIGAR”, o elemento EL orgânico 350 é acionado pelo transistor de efeito de campo 12.
[0262] Como ilustrado como um exemplo na figura 3A, os transistores de efeito de campo 11, 12 contêm, cada, uma base 21, um eletrodo de porta 22, uma camada de isolamento de porta 23, um eletrodo de fonte 24, um eletrodo de dreno 25, uma camada de semicondutor de óxido 26, uma primeira camada de passivação 27a, e uma segunda camada de passivação 27b.
[0263] Os transistores de efeito de campo 11, 12 podem ser formados com o material pelo processo mencionado nas descrições do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0264] A figura 4 é um diagrama esquemático ilustrando um exemplo de um elemento EL orgânico.
[0265] Na figura 4, o elemento EL orgânico 350 contém um catodo 312, um anodo 314, e uma camada de filme fino EL orgânico 340.
[0266] Um material do catodo 312 é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem alumínio (Al), liga de magnésio (Mg) prata (Ag), liga de alumínio (Al)-lítio (Li), e óxido de estanho índio (ITO). Observe que, a liga de magnésio (Mg)-prata (Ag) forma um eletrodo de refletância elevada com um espessura suficiente do mesmo, e um filme extremamente fino (menos de aproximadamente 20 nm) do mesmo forma um eletrodo semitransparente. Na figura 4, luz é retirada do lado do anodo, porém luz pode ser retirada do lado do catodo por fazer o catodo um eletrodo transparente ou semitransparente.
[0267] Um material do anodo 314 é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem óxido de estanho índio (ITO), óxido de zinco índio (IZO), e liga de prata (Ag)- neodímio (Nd). Observe que, no caso onde a liga de prata é usada, um eletrodo resultante se torna um eletrodo de refletância elevada, que é adequado para retirar luz do lado do catodo.
[0268] A camada de filme delgado EL orgânico 340 contém uma camada de transporte de elétron 342, uma camada de emissão de luz 344 e uma camada de transporte de furo 346. A camada de transporte de elétron 342 é conectada ao catodo 312, e a camada de transporte de furo 346 é conectada ao anodo 314. A camada de emissão de luz 344 emite luz quando a voltagem predeterminada é aplicada entre o anodo 314 e o catodo 312.
[0269] Aqui, a camada de transporte de elétron 342 e a camada de emissão de luz 344 podem formar uma camada. Além disso, uma camada de injeção de elétron pode ser fornecida entre a camada de transporte de elétron 342 e o catodo 312. Além disso, uma camada de injeção de furo pode ser fornecida entre a camada de transporte de furo 346 e o anodo 314.
[0270] Na figura 4, com relação ao elemento de controle de luz, o denominado elemento EL orgânico de “emissão inferior”, no qual luz é retirada do lado do substrato é explicado acima. Entretanto, o elemento de controle de luz pode ser um elemento EL orgânico de “emissão superior”, no qual luz é retirada do lado oposto ao lado de substrato.
[0271] A figura 5 ilustra um elemento de exibição combinando um elemento EL orgânico 350 e um circuito de acionamento 320.
[0272] O elemento de exibição contém uma base 31, eletrodos de porta (I, II) 32, 33 uma camada de isolamento de porta 34, eletrodos de fonte (I, II) 35, 36, eletrodos de dreno (I, II), 37, 38, camadas de semicondutor de óxido (I, II), 39, 40, camadas de passivação (I-1, I-2, II-1, II-2) 41a, 41b, 42a, 42b, uma camada de isolamento intercamadas 43, uma camada EL orgânica 44, e um catodo 45. O eletrodo de dreno (I) 37 e o eletrodo de porta (II) 33 são conectados entre si através de um furo direto formado na camada de isolamento de porta 34.
[0273] Como uma questão de conveniência prática, o capacitor aparecer ser formado entre o eletrodo de porta (II) 33 e o eletrodo de dreno (II) 38 na figura 5. Na realidade, a posição para formar o capacitor não é limitada, e um capacitor de um capacitor apropriado pode ser projetado em uma posição apropriada.
[0274] No elemento de exibição da figura 5, além disso, o eletrodo de dreno (II) 38 funciona como um anodo do elemento EL orgânico 350.
[0275] A base 31, os eletrodos de porta (I, II) 32, 33, a camada de isolamento de porta 34, os eletrodos de fonte (I, II) 35, 36, os eletrodos de dreno (I, II) 37, 38, as camadas de semicondutor de óxido (I, II) 39, 40, e as camadas de passivação (I-1, I-2, II-1, II-2) 41a, 41b, 42a, 42b podem ser formadas com os materiais, pelos processos mencionados nas descrições do transistor de efeito de campo da presente invenção .
[0276] Observe que a camada de passivação (I-1) 41a corresponde à primeira camada de passivação do transistor de efeito de campo da presente invenção. A camada de passivação (I-2) 41b corresponde à segunda camada de passivação do transistor de efeito de campo da presente invenção. A camada de passivação (II-1) 41c corresponde à primeira camada de passivação do transistor de efeito de campo da presente invenção. A camada de passivação (II-2) 41d corresponde à segunda camada de passivação do transistor de efeito de campo da presente invenção.
[0277] Um material da camada de isolamento intercamadas 43 (filme de nivelamento) é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem um material orgânico, um material inorgânico, e um material compósito orgânico- inorgânico .
[0278] Os exemplos do material orgânico incluem: uma resina, como poliimida, uma resina acrílica, uma fluororesina, uma não fluororesina, uma resina de olefina, e uma resina de silicone; e uma resina fotossensível usando quaisquer das resinas acima mencionadas.
[0279] Os exemplos do material inorgânico incluem um material de fiação em vidro (SOG), como AQUAMICA, fabricado por AZ Electronic Materials.
[0280] Os exemplos do material compósito orgânico- inorgânico incluem o composto compósito orgânico-inorgânico contendo um composto de silano, que é revelado em JP-A no. 2007-158146.
[0281] A camada de isolamento intercamada tem preferivelmente propriedades de barreira contra umidade, oxigênio e hidrogênio contidos na atmosfera.
[0282] O processo de formação da camada de isolamento intercamadas é apropriadamente selecionado dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um método contendo formar diretamente um filme de um formato desejado através de revestimento por fiação, impressão de jato de tinta, revestimento de fenda, impressão de bocal, impressão de gravura, ou revestimento por imersão; e um método contendo padronização de um material fotossensível através de fotolitografia.
[0283] É eficaz para estabilizar características do transistor de efeito de campo constituindo o elemento de exibição por executar um tratamento a calor como um tratamento posterior, após formar a camada de isolamento intercamadas.
[0284] Os métodos de produção da camada EL orgânica 44 e o catodo 45 são apropriadamente selecionados dependendo da finalidade pretendida sem nenhuma limitação, e exemplos do mesmo incluem: um método de formação de filme a vácuo (por exemplo, deposição a vácuo e sublimação catódica) e um processo de solução (por exemplo, impressão de jato de tinta, e revestimento de bocal).
[0285] Como descrito acima, um denominado elemento EL orgânico de “emissão inferior” onde luz emitida é retirada do lado da base pode ser produzido como um elemento de exibição. Nesse caso, a base 31, a camada de isolamento de porta 34 e o segundo eletrodo de dreno (anodo) 38 necessitam ser transparentes.
[0286] Na figura 5, a estrutura onde o elemento EL orgânico 350 é disposto ao lado do circuito de acionamento 320 é explicada. Entretanto, uma estrutura do elemento de exibição pode ser também uma estrutura onde o elemento EL orgânico 350 é fornecido no lado superior do circuito de acionamento 320 como ilustrado na figura 6. Nesse caso, o elemento EL orgânico também é um elemento EL orgânico chamado de “emissão inferior” onde luz emitida é retirada do lado da base, e portanto, o circuito de acionamento 320 necessita ser transparente. Com relação ao eletrodo de fonte e eletrodo de dreno, ou o anodo, preferivelmente usado é um óxido transparente condutivo elétrico, como ITO, In2O3, SnO2, ZnO, ZnO adicionado com Ga, ZnO adicionado com Al e SnO2 adicionado com Sb.
[0287] Como ilustrado como exemplo na figura 7, o dispositivo de controle de exibição 400 contém um circuito de processamento de dados de imagem 402, um circuito de acionamento de linha de varredura 404 e um circuito de acionamento de linha de dados 406.
[0288] O circuito de processamento de dados de imagem 402 julga a luminância de uma pluralidade dos elementos de exibição 302 no exibidor 310 com base em um sinal de saída do circuito de saída de imagem.
[0289] O circuito de acionamento de linha de varredura 404 aplica individualmente voltagem ao número “n” de linhas de varredura de acordo com as instruções do circuito de processamento de dados de imagem 402.
[0290] O circuito de acionamento de linha de dados 406 individualmente aplica voltagem ao número “m” de linhas de dados de acordo com a instrução do circuito de processamento de dados de imagem 402.
[0291] Observe que, na modalidade acima, o caso onde a camada de filme delgado EL orgânica é composta de uma camada de transporte de elétrons, uma camada de emissão de luz, e uma camada de transporte de furo é explicado, porém a estrutura da camada de filme delgado EL orgânica não é limitado a tal estrutura. Por exemplo, uma camada de transporte de elétron e uma camada de emissão de luz podem ser combinadas como uma camada. Além disso, uma camada de injeção de elétrons pode ser fornecida entre a camada de transporte de elétrons e o catodo. Adicionalmente, uma camada de injeção de furo pode ser fornecida entre a camada de transporte de furo e o anodo.
[0292] Na modalidade acima, além disso, um denominado elemento EL orgânico de “emissão inferior” onde luz emitida é retirada do lado da base é explicado, porém o tipo do mesmo não é limitado à emissão inferior. Por exemplo, luz pode ser retirada do lado oposto da base usando um eletrodo refletivo elevado, como uma liga de prata (Ag)- neodímio (Nd), como o anodo 314, e usando um eletrodo semitransparente, como uma liga de magnésio (mg)-prata (Ag), ou um eletrodo transparente, como ITO, como o catodo 312.
[0293] Além disso, a modalidade acima explica o caso onde o elemento de controle de luz é um elemento EL orgânico é explicado, porém o elemento de controle de luz não é limitado ao elemento EL orgânico. Por exemplo, o elemento de controle de luz pode ser um elemento eletrocrômico. Nesse caso, o exibidor 310 é um exibidor eletrocrômico.
[0294] Além disso, o elemento de controle de luz pode ser um elemento de cristal líquido. Nesse caso, o exibidor 310 é um exibidor de cristal líquido. Como ilustrado como exemplo na figura 8, não é necessário fornecer uma linha de fornecimento de corrente para o elemento de exibição 302’.
[0295] Nesse caso, além disso, o circuito de acionamento 320’ pode ser composto de um transistor de efeito de campo 14, que é similar ao transistor de efeito de campo (11, 12) e um capacitor 15, como ilustrado como exemplo na figura 9. No transistor de efeito de campo 14, o eletrodo de porta G é conectado à linha de varredura predeterminada, e o eletrodo de fonte S é conectado à linha de dados predeterminada. Além disso, o eletrodo de dreno D é conectado a um eletrodo de pixel do elemento de cristal líquido 370 e capacitor 15. Observe que, na figura 9, os números de referência 16 e 372 indicam, cada, um contra eletrodo (eletrodo comum) do elemento de cristal líquido 370.
[0296] Na modalidade, o elemento de controle de luz pode ser um elemento eletroforético. Além disso, o elemento de controle de luz pode ser um elemento de eletroumedecimento.
[0297] Na modalidade acima, além disso, um caso onde o exibidor é um exibidor de cor é explicado, porém a modalidade do mesmo não é limitada ao mesmo.
[0298] Observe que o transistor de efeito de campo de acordo com a presente modalidade pode ser também usado para uns (por exemplo, um cartão IC, e etiqueta ID) diferentes do elemento de exibição.
[0299] O elemento de exibição, dispositivo de exibição de imagem, e sistema usando o transistor de efeito de campo da presente invenção permitem a operação em alta velocidade e obtêm uma vida em serviço longa.
Exemplos
[0300] Os exemplos da presente invenção são explicados a seguir, porém os exemplos não serão interpretados de modo algum para limitar um escopo da presente invenção. Nos exemplos abaixo, “%” indica “% em massa” a menos que mencionado de outro modo.
Exemplo 1 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0301] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 0.11 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de cálcio (teor de Ca: 4.9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), e 0.52 mL de uma solução de tolueno de estrôncio 2-etilhexanoato (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha uma composição como mostrado na Tabela 1-1. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0302] Em 1 mL de tolueno, 0.99 mL de uma solução de tolueno de 2-etilhexanoato de lantânio (teor de La: 7%, Wako 122-033371, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), e 0.27 mL de uma solução de tolueno de estrôncio 2-etilhexanoato (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha uma composição como mostrado na Tabela 1-1.
[0303] A seguir, um transistor de efeito de campo contato inferior/porta inferior como ilustrado na figura 15 foi produzido. Formação de eletrodo de porta
[0304] Um eletrodo de porta 92 foi formado em um substrato de vidro (base 91). Especificamente, um filme de molibdênio (Mo) foi formado no substrato de vidro (base 91) por sublimação catódica DC para fornecer a espessura média de filme de aproximadamente 100 nm. Posteriormente, um fotorresistor foi aplicado ao mesmo, e o resultado foi submetido a pré-cozimento, exposição por um dispositivo de exposição, e revelação, para desse modo formar um padrão de resist tendo o mesmo padrão que aquela de um eletrodo de porta 92 a ser formado. Além disso, a região do filme Mo, no qual o padrão de resist não tinha sido formado, foi removido por gravação de íon reativo (RIE). Posteriormente, o padrão de resist foi também removido, para desse modo formar um eletrodo de porta 92 composto do filme MO. Formação da camada de isolamento de porta
[0305] A seguir, uma camada de isolamento de porta 93 foi formada no eletrodo de porta 92. Especificamente um filme Al2Os foi formado no eletrodo de porta 92 e o substrato de vidro (base 91) por sublimação catódica RF para fornecer a espessura média de filme de aproximadamente 300 nm, para desse modo formar uma camada de isolamento de porta 93.
[0306] Formação de eletrodo de fonte e eletrodo de dreno
[0307] A seguir, um eletrodo de fonte 94 e um eletrodo de dreno 95 foram formados na camada de isolamento de porta 93. Especificamente, um filme de molibdênio (Mo) foi formado na camada de isolamento de porta 93 por sublimação catódica DC para fornecer a espessura média de filme de aproximadamente 100 nm. Posteriormente, um fotorresistor foi aplicado sobre o filme Mo, e o resultado foi submetido a pré-cozimento, exposição por um dispositivo de exposição, e revelação para desse modo formar um padrão de resist tendo o mesmo padrão que aquele de um eletrodo de fonte 94 e eletrodo de dreno 95 a ser formado. Além disso, a região do filme Mo, no qual o padrão de resist não tinha sido formado, foi removido por RIE. Posteriormente, o padrão de resist for também removido, para desse modo formar um eletrodo de fonte 94 e um eletrodo de dreno 95, cada um dos quais foi composto do filme Mo. Formação de camada de semicondutor de óxido
[0308] A seguir, uma camada de semicondutor de óxido 96 foi formada. Especificamente, um filme de óxido baseado em Mg-In (In2MgO4) foi formado para fornecer a espessura de filme média de aproximadamente 100 nm. Posteriormente, um fotorresist foi aplicado sobre o filme de óxido baseado em Mg-In, e o resultado foi submetido à pré-cozimento, exposição por um dispositivo de exposição e revelação, para desse modo formar um padrão de resist tendo o mesmo padrão que aquele de uma camada de semicondutor de óxido 96 a ser formado. Além disso, a região do filme de óxido baseado em Mg-In, na qual o padrão de resist não tinha sido formada, foi removida por gravação úmida. Posteriormente, o padrão de resist foi também removido, para desse modo formar uma camada de semicondutor de óxido 96. Como resultado, a camada de semicondutor de óxido 96 foi formada em um modo que um canal foi formado entre o eletrodo de fonte 94 e o eletrodo de dreno 95. Formação da camada de passivação
[0309] A seguir, 0,4 mL de líquido de revestimento de primeira camada de passivação foram deixados cair sobre o substrato, e aplicado sobre o mesmo por revestimento por fiação sob as condições predeterminadas (3,000 rpm por 20 segundos, seguido por parar as rotações em 0 rpm em 5 segundos). Subsequentemente, um tratamento de secagem foi realizado no ar atmosférico a 120°C por 1 hora e então cozimento foi realizado na atmosfera O2 a 400°C por 3 horas, para desse modo formar um primeiro filme de metal compósito (primeira camada de passivação) como uma primeira camada de passivação 971.
[0310] Subsequentemente, 0,4 mL do líquido de revestimento da segunda camada de passivação foi deixado cair sobre a primeira camada de passivação 97a, e aplicado na mesma por revestimento por fiação sob as condições predeterminadas (500 rpm por 5 segundos, então 3.000 rpm por 20 segundos, seguido por parar as rotações a 0 rpm em 5 segundos). Subsequentemente, um tratamento de secagem foi realizado no ar atmosférico a 120°C por 1 hora, e então cozimento foi realizado na atmosfera O2 a 400°C por 3 horas, para desse modo formar um Segundo filme de óxido de metal compósito (segunda camada de passivação) como uma segunda camada de passivação 97b na primeira camada de passivação 97a. Observe que, a espessura média de filme da primeira camada de passivação 97a e a espessura média de filme da segunda camada de passivação 97b eram aproximadamente 25 nm, e aproximadamente 150 nm, respectivamente. Formação de camada de isolamento intercamadas
[0311] A seguir, uma camada de isolamento intercamadas 98 foi formada. Especificamente, um material compósito orgânico-inorgânico fotossensível positive (série ADEKA Nonahybrid Silicone FX, fabricado por ADEKA CORPORATION) foi aplicado sobre a segunda camada de passivação 97b por revestimento por fiação, e o resultado foi submetido a pré-cozimento, exposição por um dispositivo de exposição, e revelação, para desse modo formar um padrão desejado. Posteriormente, o padrão obtido foi cozido posteriormente a 150°C por 1 hora, seguido por 200°C por 1 hora.
[0312] Finalmente, um tratamento a calor foi realizado a 230°C por 1 hora como um tratamento a calor do processo posterior, para desse modo concluir um transistor de efeito de campo. A espessura média de filme da camada isolante intercamadas foi aproximadamente 1.500 nm.
Exemplo 2 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0313] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.36 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.), foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-1. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0314] Em 1 mL de tolueno, 0.26 mL de uma solução de 2-etilhexanoato de ítrio (Strem 39-2400, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,05 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de cálcio(teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,22 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), e 0,09 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8%, Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-1.
[0315] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados.
Exemplo 3 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0316] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.13 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,44 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) e 0,11 mL de uma solução de tolueno de 2-etilexanoato de bário (teor de Ba: 8%, Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-1. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0317] Em 1 mL de tolueno, 0.29 mL de uma solução de 2-etilhexanoato de európio (Strem 93-6311, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,23 mL de uma solução de tolueno de 2-etilhexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.), foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-1.
[0318] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 4 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0319] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.15 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-1. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0320] Em 1 mL de tolueno, 0.22 mL de um triidrato de acetil acetonato de samário (Strem 93-6226, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,05 mL de uma solução de tolueno de 2-etilhexanoato de gadolínio (teor de Gd: 25%, Strem 643500, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,06 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9% Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals, Inc.) e 0,09 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8%, Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-1.
[0321] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 5 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0322] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.10 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,38 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-1. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0323] Em 1 mL de tolueno, 0.18 mL de tris (2,2,6,6- tetrametil-3,5-heptanodionato) hidrato de escândio (III) (Signa-Aldrich Co., LLC. 517607, fabricado por Sigma-Aldrich Co., LLC.), 0,26 g de ítrio-2-etil hexanoato (Strem 39-2400, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,07 g de 2-etil hexanoato de európio (Strem 93-6311, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,06 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), e 0,13 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-1.
[0324] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 6 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0325] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.16 mL de um quelato de aceteoacetato de di(s-butóxido) de alumínio (teor de Al: 8,4%, Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar) 0,05 mL de solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,12 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Bar: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-2. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0326] Em 1 mL de tolueno, 0.60 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanóico de 2-etil hexanoato de neodímio (teor de Nd: 12%, Strem 60-2400, fabricado por Strem Chemicals Inc.), e 0,31 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, (Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-2.
[0327] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 7 Produção de transistor de efeito de campo
[0328] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0329] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.11 mL de 2-isopropoxi-4,4,5,5- tetrametil-1,3,2-dioxaborolano (Wako 325-41462, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), 0,09 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 121260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,25 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-2. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0330] Em 1 mL de tolueno, 0.29 mL de 2-etil hexanoato de európio (Strem 93-6311, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,07 g de 2-etil hexanoato de európio (Strem 93-6311, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,13 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) e 0,08 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-2.
[0331] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 8 Produto do transistor de efeito de campo
[0332] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0333] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.11 mL de uma quelato de di(s-butóxido) acetoacetato de alumínio (teor de Al: 8,4%, Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar), 0,07 g de 2-isopropoxi-4,4,5,5- tetrametil-1,3,2-dioxaborolano (Wako 325-41462, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), e 0,27 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9% Strem 932014, fabricado por Strem Chemicals, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-2. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0334] Em 1 mL de tolueno, 0.99 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de lantânio (teor de La: 7% Wako 122-033371, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), 0,03 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,14 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) e 0,11 ml de uma solução de tolueno de 2-etil hexano ato de bário (teor de Ba: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-2.
[0335] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 9 Produto do transistor de efeito de campo
[0336] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0337] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.42 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-2. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0338] Em 1 mL de tolueno, 0.22 g de triidrato de acetil acetonato de samário (Strem 93-6226, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,01 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,18 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) e 0,03 mL de uma solução de essência mineral de 2-etil hexanoato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12% Wako 269-01116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-2.
[0339] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 10 Produção de transistor de efeito de campo
[0340] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0341] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.06 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,10 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,11 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-2. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0342] Em 1 mL de tolueno, 0.31 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de gadolínio (teor de Gd: 25%, Strem 64-3500, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,06 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9% Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,10 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de háfnio (Gelest AKH332, fabricado por Gelest, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-2.
[0343] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 11 Produção de transistor de efeito de campo
[0344] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0345] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.04 mL de uma solução de tolueno de 2- etilhexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,16 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0346] Em 1 mL de tolueno, 0.26 mL de 2-etil hexanoato de ítrio (Strem 39-2400 fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,04 g de triidrato de acetil acetonato de disprósio (Strem 66-2002, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,01 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,01 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,08 mL de uma solução de essência mineral de 2-etil hexano ato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12%, Wako 269-01116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), e 0,05 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de háfnio (Gelest AKH332, fabricado por Gelest, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0347] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 12 Produção do transistor de efeito de campo
[0348] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0349] Em 1 mL de tolueno, 0,11 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 0.10 mL de um quelato de acetoacetato de di(s-butóxido) de alumínio (teor de Al: 8,4%, Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar), 0,08 g de 2-isopropoxi-4,4,5,5- tetrametil-1,3,2-dioxaborolano (Wako 325-41462, fabricado por Wako Chemical Ltd.), 0,09 mL de uma solução de tolueno de 2-etilhexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 932014, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,17 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3.
[0350] Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0351] Em 1 mL de tolueno, 0,99 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de lantânio (teor de La: 7% Wako 122-033371, fabricado por Wako Chemical Ltd.), 0,27 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), e 0,05 mL de uma solução de essência mineral de 2- etil hexanoato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12% Wako 296-01116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0352] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 13 Produção de transistor de efeito de campo
[0353] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0354] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 0.08 mL de quelato de aceto acetato de di(s-butóxido) de alumínio (teor de Al: 8,4%, Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar) e 0,35 mL de uma solução de tolueno de 2-etilhexanoato de bário (teor de Ba: 8%, Wako 021-09471 fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3.
[0355] Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0356] Em 1 mL de tolueno, 0.22 g de triidrato de acetil acetonato de samário (Strem 93-6226, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,02 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,01 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de háfnio (Gelest AKH332, fabricado por Gelest, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0357] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 14 Produção de transistor de efeito de campo Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0358] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 0,05 g de 2-isopropoxi-4,4,5,5-tetrametil- 1,3,2-dioxaborolano (Wako 325-41462, fabricado por Wako Chemical Ltd.), 0,05 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,23 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3.
[0359] Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0360] Em 1 mL de tolueno, 0.30 g de tris (2,2,6,6- tetrametil-3,5-heptanodionato) hidrato de escândio (III) (Signa-Aldrich Co., LLC. 517607, fabricado por Sigma-Aldrich Co., LLC.), 0,05 g de triidrato de acetil acetonato de itérbio (Strem 39-70-2202, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,04 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.), 0,03 mL de uma solução de essência mineral de 2-etil hexanoato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12% Wako 269-01116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) e 0,07 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de háfnio (Gelest AKH332 fabricado por Gelest, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0361] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 15 Produção de transistor de efeito de campo
[0362] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0363] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 0,11 mL de quelato de acetoacetato di(s- butóxido) de alumínio (teor de Al: 8,4% Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar), 0,08 g de 2-isopropoxi-4,4,5,5-tetrametil- 1,3,2-dioxaborolano (Wako 325-41462, fabricado por Wako Chemical Ltd.)e 0,07 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 4,9%, Strem 93-2014, fabricado por Strem Chemicals Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0364] Em 1 mL de tolueno, 0.99 g de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de lantânio (teor de La: 7%, Wako 122-033371, fabricado por Wako Chemical Ltd.), 0,08 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), 0,03 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8%, Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), 0,03 mL de uma solução de essência mineral de 2-etil hexanoato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12% Wako 269-01116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) e 0,02 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de hafnio (Gelest AKH332 fabricado por Gelest, Inc.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0365] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo 16 Produção de transistor de efeito de campo
[0366] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0367] Em 1 mL de tolueno, 0,11 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 0,10 ml de quelato de acetoacetato de di(s- butóxido) de alumínio (teor Al: 8,4%, Alfa89349, fabricado por Alfa Aesar), 0,11 g de (4,4,5,5-tetrametil-1,3,2- dioxaborolan-2-il) benzeno (Wako 325-59912, fabricado por Wako Chemical Ltd.), 0,09 mL de uma solução de ácido 2-etil hexanoico de 2-etil hexanoato de cálcio (teor de Ca: 3% a 8%, Alfa36657, fabricado por Alfa Aesar) e 0,17 ml de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 1-3. Produção de Líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0368] Em 1 mL de tolueno, 0.99 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de lantânio (teor de La: 7%, Wako 122-03371, fabricado por Wako Chemical, Ltd.), 0,27 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2%, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) e 0,05 mL de uma solução de essência mineral de 2-etil hexanoato de óxido de zircônio (teor de Zr: 12% Wako 26901116, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 1-3.
[0369] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e líquido de revestimento de segunda camada de passivação produzidos acima foram usados. Exemplo comparativo 1 Produção de transistor de efeito de campo
[0370] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0371] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), foi misturado para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-1.
[0372] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação produzido acima foi usado, e o líquido de revestimento de segunda camada de passivação não foi usado. Exemplo comparativo 2 Produção de transistor de efeito de campo
[0373] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0374] Em 1 mL de tolueno, 0,99 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de lantânio (teor de La: 7% Wako 122-033371, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foi misturado, para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um segundo óxido de metal formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-1.
[0375] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de segunda acamada de passivação produzido acima foi usado, e o líquido de revestimento de primeira camada de passivação não foi usado. Exemplo comparativo 3 Produção de transistor de efeito de campo
[0376] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0377] Em 1 mL de tolueno, 0,43 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de magnésio (teor de Mg: 3%, Strem 12-1260, fabricado por Strem Chemicals Inc.) foi misturado para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um segundo óxido de metal formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-1.
[0378] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de segunda acamada de passivação produzido acima foi usado, e o líquido de revestimento de primeira camada de passivação não foi usado. Exemplo comparativo 4 Produção de transistor de efeito de campo
[0379] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0380] Em 1 mL de tolueno, 0,10 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), foi misturado para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-1.
[0381] Produção de líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0382] Em 1 mL de tolueno, 0,59 g de tris(2,2,6,6- tetrametil-3,5-heptano dionato) hidrato de escândio (III) (Sigma Aldrich 517607, fabricado por Sigma-Aldrich Co. LLC) foi misturado, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 2-1.
[0383] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e o líquido de revestimento de segunda camada de passivação foram usados. Exemplo comparativo 5 Produção de transistor de efeito de campo
[0384] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0385] Em 1 mL de tolueno, 0,11 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), e 2,57 mL de uma solução de tolueno de 2- etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% em peso, Wako 02109471, fabricado por Wako Chemical Ltd.) foram misturados juntos para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-1.
[0386] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação produzido acima foi usado, e o líquido de revestimento de segunda camada de passivação não foi usado. Exemplo comparativo 6 Produção de transistor de efeito de campo
[0387] Produção de líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0388] Em 1 mL de tolueno, 0,31 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de gadolínio (teor de Gd: 25% em peso, Strem 64-3500, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,23 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de bário (teor de Ba: 8% em peso, Wako 021-09471, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um segundo óxido de metal formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-2.
[0389] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de segunda acamada de passivação produzido acima foi usado, e o líquido de revestimento de primeira camada de passivação não foi usado. Exemplo comparativo 7 Produção de transistor de efeito de campo
[0390] Produção de líquido de revestimento de primeira camada de passivação
[0391] Em 1 mL de tolueno, 0,11 mL de HMDS (1,1,1,3,3,3-hexametildisilazano, fabricado por TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), foi misturado para desse modo obter um líquido de revestimento de primeira camada de passivação. Um primeiro óxido de metal formado com o líquido de revestimento de primeira camada de passivação tinha a composição como mostrado na Tabela 2-2.
[0392] Produção de líquido de revestimento de segunda camada de passivação
[0393] Em 1 mL de tolueno, 0,22 g de triidrato de acetil acetonato de samário (Strem 93-6226, fabricado por Strem Chemicals Inc.) e 0,36 mL de uma solução de tolueno de 2-etil hexanoato de estrôncio (teor de Sr: 2% em peso, Wako 195-09561, fabricado por Wako Chemical, Ltd.) foram misturados, para desse modo obter um líquido de revestimento de segunda camada de passivação. Um Segundo óxido de metal compósito formado com o líquido de revestimento de segunda camada de passivação tinha a composição como mostrado na tabela 2-2.
[0394] Um transistor de efeito de campo foi produzido do mesmo modo que no Exemplo 1, com a condição de que o líquido de revestimento de primeira camada de passivação e o líquido de revestimento de segunda camada de passivação foram usados. Exemplo comparativo 8 Produção de transistor de efeito de campo
[0395] Primeiramente, um eletrodo de porta, uma camada de isolamento de porta, um eletrodo de fonte e eletrodo de dreno, e uma camada de semicondutor de óxido foram formados em um substrato de vidro do mesmo modo que no Exemplo 1. Formação de camada de passivação
[0396] Como uma camada de passivação, uma camada de SiO2 foi formada usando SiCl4 como uma matéria prima por deposição de vapor químico intensificada por plasma (PECVD). A espessura média de filme da camada de passivação formada no modo acima mencionado era aproximadamente 200 nm. Formação de camada de isolamento intercamadas
[0397] Finalmente, uma camada de isolamento intercamadas foi formada na camada de passivação do mesmo modo que no exemplo 1, para desse modo concluir um transistor de efeito de campo. Tabela 1-1
Figure img0001
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[0398] Avaliação de confiabilidade de transistor de efeito de campo
[0399] Um teste de tensão de temperatura de polarização (BTS) foi realizado em cada dos transistores de efeito de campo produzidos nos Exemplos 1 a 16 e Exemplos comparativos 1 a 8 no ar atmosférico (temperatura: 50°C, umidade relativa: 50%) por 400 horas.
[0400] As condições de tensão foram as seguintes 4 condições. (1) A voltagem (Vgs) entre o eletrodo de porta 92 e o eletrodo de fonte 94 era +20 V (Vgs = +20V), e a voltagem (Vds) entre o eletrodo de dreno 95 e o eletrodo de fonte 94 era 0 V (Vds = 0 V).
[0401] (2) Vgs = +20V, e Vds = +20V
[0402] (3) Vgs = -20 V, e Vds = 0 V
[0403] (4) Vgs = -20 V, e Vds = +20 V
[0404] À medida que o teste BTS passa um certo período de tempo, a relação (Vgs -Ids) entre Vgs e a corrente elétrica (Ids) entre o eletrodo de fonte 94 e o eletrodo de dreno 95 foi medida com Vds = +20 V.
[0405] O resultado de Vgs-Ids no teste realizado no transistor de efeito de campo produzido no exemplo 12, onde as condições de tensão eram Vgs = +20 V, e Vds = 0 V, foi mostrado na figura 10. O resultado de Vgs-Ids no teste realizado no mesmo, onde as condições de tensão eram Vgs = +20 V, e Vds = +20 V, foi mostrado na figura 11. O resultado de Vgs-Ids no teste realizado no mesmo, onde as condições de tensão eram Vgs = -20V, e Vds = 0 V, foi mostrado na figura 12. O resultado de Vgs-Ids no teste realizado no mesmo, onde as condições de teste eram Vgs = -20V, e Vds = +20 V, foi mostrado na figura 13.
[0406] Aqui, “e” no eixo vertical nos gráficos das figuras 10 a 13, e o eixo horizontal e o eixo vertical no gráfico da figura 14 indica “o exponente de 10”. Por exemplo, “1e-03” indica “1x10-3” e “0,001”, e “1e-05” indica “1x10-5” e “0,00001.”
[0407] O valor de variação da voltagem limiar (ΔVth) contra o tempo de tensão no teste de BTS realizado em cada dos transistores de efeito de campo produzidos no Exemplo 12 e Exemplo comparativo 8 sob as condições de tensão de Vgs = + 20 V e Vds = 0 V foi mostrada na figura 14. Aqui, ΔVth indica o valor variado de Vth de 0 horas do tempo de tensão até o certo período do tempo de tensão. Pode ser confirmado na figura 14 que o transistor de efeito de campo produzido no exemplo 12 teve um pequeno deslocamento em ΔVth, e apresentou excelente confiabilidade. Por outro lado, o transistor de efeito de campo produzido no Exemplo comparativo 8 tinha um grande deslocamento em ΔVth e a confiabilidade do mesmo foi insuficiente.
[0408] O valor de ΔVth com o tempo de tensão de 400 horas no teste de BTS realizado em cada dos transistores de efeito de campo dos Exemplos 1 a 16, e Exemplos comparativos 1 a 8 foi mostrado nas Tabelas 3 e 4. Pode ser confirmado nas Tablas 3 e 4 que os transistores de efeito de campo produzidos nos exemplos 1 a 16 tinham cada um pequeno deslocamento em ΔVth, e apresentaram excelente confiabilidade contra o teste BTS. Por outro lado, os transistores de efeito de campo produzidos nos Exemplos comparativos 1, 4, 5, 7 e 8 cada tinham um grande deslocamento em ΔVth, e confiabilidade dos mesmos foi insuficiente. Além disso, os transistores de efeito de campo produzidos nos Exemplos comparativos 2 e 3 não puderam manter suas características de transistor na atmosfera, e portanto o teste BTS não pode ser realizado nos mesmos. Tabela 3
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[0409] As modalidades da presente invenção são, por exemplo, como a seguir: Transistor de efeito de campo, contendo: Uma base; Uma camada de passivação; Uma camada de isolamento de porta formada entre a base e a camada de passivação; Um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno, que são formados para estarem em contato com a camada de isolamento de porta; Uma camada de semicondutor, que é formada entre pelo menos o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, e está em contato com a camada de isolamento de porta, o eletrodo de fonte, e o eletrodo de dreno; e Um eletrodo de porta, que está em contato com a camada de isolamento de porta, e está voltado para a camada de semicondutor através da camada de isolamento de porta, Em que a camada de passivação contém uma primeira camada de passivação, que contém Si, e um metal alcalino terroso, e uma segunda camada de passivação, que é formada para estar em contato com a primeira camada de passivação, e contém um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras.
[0410] Transistor de efeito de campo de acordo com 1, em que o primeiro óxido de metal compósito contém ainda Al ou B, ou ambos.
[0411] Transistor de efeito de campo de acordo com 1 ou 2, em que o segundo óxido de metal compósito contém ainda Zr ou Hf, ou ambos.
[0412] Transistor de efeito de campo de acordo com qualquer um de 1 a 3, em que a camada de semicondutor é um semicondutor de óxido. Elemento de exibição, contendo:
[0413] Um elemento de controle de luz configurado para controlar a saída de luz de acordo com um sinal de acionamento; e
[0414] Um circuito de acionamento contendo o transistor de efeito de campo de acordo com qualquer um de 1 a 4, que é configurado para acionar o elemento de controle de luz.
[0415] Elemento de exibição, de acordo com 5, em que o elemento de controle de luz contém um elemento eletroluminescente, um elemento eletrocrômico, um elemento de cristal líquido, um elemento eletroforético ou um elemento de eletroumedecimento.
[0416] Dispositivo de exibição de imagem, que exibe uma imagem correspondendo a dados de imagem, o dispositivo contendo:
[0417] Uma pluralidade dos elementos de exibição de acordo com 5 ou 6, disposta em uma matriz;
[0418] Uma pluralidade de linhas configuradas para separadamente aplicar voltagem de porta a transistores de efeito de campo em cada dos elementos de exibição; e
[0419] Um dispositivo de controle de exibição configurado para individualmente controlar a voltagem de porta de cada dos transistores de efeito de campo através das linhas correspondendo aos dados de imagem. Sistema, contendo:
[0420] O dispositivo de exibição de imagem, de acordo com 7; e
[0421] Um dispositivo de geração de dados de imagem configurado para gerar dados de imagem com base em uma informação de imagem a ser exibida, e transmitir os dados de imagem gerados para o dispositivo de exibição de imagem. Lista de sinais de referência 11 transistor de efeito de campo 12 transistor de efeito de campo 13 capacitor 14 transistor de efeito de campo 15 capacitor 16 contra eletrodo 21 base 22 eletrodo de porta 23 camada de isolamento de porta 24 eletrodo de fonte 25 eletrodo de dreno 26 camada de semicondutor de óxido 27a camada de passivação (I) 27b camada de passivação (II) 31 base 32 eletrodo de porta (I) 33 eletrodo de porta (II) 34 camada de isolamento de porta 35 eletrodo de fonte (I) 36 eletrodo de fonte (II) 37 eletrodo de dreno (I) 38 eletrodo de dreno (II) 39 camada de semicondutor (I) 40 camada de semicondutor (II) 41a camada de passivação (I-1) 41b camada de passivação (I-2) 42a camada de passivação (II-1) 42b camada de passivação (II-2) 43 camada de isolamento intercamadas 44 camada EL orgânico 45 catodo 91 base 92 eletrodo de porta 93 camada de isolamento de porta 94 eletrodo de fonte 95 eletrodo de dreno 96 camada de semicondutor de óxido 97a primeira camada de passivação 97b segunda camada de passivação 98 camada de isolamento intercamadas 302, 302’ elemento de exibição 310 exibidor 312 catodo 314 anodo 320, 320’ circuito de acionamento (circuito acionamento) 340 camada de filme delgado EL orgânico 342 camada de transporte de elétron 344 camada de emissão de luz 346 camada de transporte de furo 350 elemento EL orgânico 370 elemento de cristal líquido 372 contra eletrodo 400 dispositivo de controle de exibição 402 circuito de processamento de dados de imagem 404 circuito de acionamento de linha de varredura 406 circuito de acionamento de linha de dados

Claims (8)

1. Transistor de efeito de campo (11, 12, 14) caracterizado pelo fato de que compreende: uma base (21, 31, 91); uma camada de passivação; uma camada de isolamento de porta (23, 34, 93) formada entre a base (21, 31, 91) e a camada de passivação; um eletrodo de fonte (24, 35, 36, 94) e um eletrodo de dreno (25, 37, 38, 95), que são formados para estar em contato com a camada de isolamento de porta (23, 34, 93); uma camada de semicondutor (26, 39, 40, 96), que é formada entre pelo menos o eletrodo de fonte (24, 35, 36, 94) e o eletrodo de dreno (25, 37, 38, 95), e está em contato com a camada de isolamento de porta (23, 34, 93), o eletrodo de fonte (24, 35, 36, 94), e o eletrodo de dreno (25, 37, 38, 95); e um eletrodo de porta (22, 32, 33, 92), que está em contato com a camada de isolamento de porta (23, 34, 93), e está voltado para a camada de semicondutor (26, 39, 40, 96) através da camada de isolamento de porta (23, 34, 93), em que a camada de passivação contém uma primeira camada de passivação (27a, 41a, 42a, 97a), que contém Si, e um metal alcalino terroso, e uma segunda camada de passivação (27b, 41b, 42b, 97b), que é formada para estar em contato com a primeira camada de passivação (27a, 41a, 42a, 97a), e contém um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras.
2. Transistor de efeito de campo (11, 12, 14), de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o primeiro óxido de metal compósito contém ainda Al ou B, ou ambos.
3. Transistor de efeito de campo (11, 12, 14), de acordo com reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que o segundo óxido de metal compósito contém ainda Zr ou Hf, ou ambos.
4. Transistor de efeito de campo (11, 12, 14), de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que a camada de semicondutor (26, 39, 40, 96) é um semicondutor de óxido.
5. Elemento de exibição (302, 302’) caracterizado pelo fato de compreender: um elemento de controle de luz (340, 350, 370) configurado para controlar a saída de luz de acordo com um sinal de acionamento; e um circuito de acionamento (320, 320’) contendo o transistor de efeito de campo (11, 12, 14), como definido nas reivindicações 1 a 4, que é configurado para acionar o elemento de controle de luz (340, 350, 370).
6. Elemento de exibição (302, 302’), de acordo com a reivindicação 5, caracterizado pelo fato de que o elemento de controle de luz (340, 350, 370) contém um elemento eletroluminescente, um elemento eletrocrômico, um elemento de cristal líquido, um elemento eletroforético ou um elemento de eletroumedecimento.
7. Dispositivo de exibição de imagem (310), que exibe uma imagem correspondendo a dados de imagem, o dispositivo (310) sendo caracterizado pelo fato de que compreende:uma pluralidade do elemento de exibição (302, 302’), como definido na reivindicação 5 ou 6, dispostos em uma matriz; uma pluralidade de linhas configuradas para separadamente aplicar voltagem de porta a transistores de efeito de campo (11, 12, 14) em cada dos elementos de exibição (302, 302’); e um dispositivo de controle de exibição (400) configurado para individualmente controlar a voltagem de porta de cada dos transistores de efeito de campo (11, 12, 14) através das linhas correspondendo aos dados de imagem.
8. Sistema de exibição de imagem, caracterizado pelo fato de compreender: o dispositivo de exibição de imagem (310), como definido na reivindicação 7; e um dispositivo de geração de dados de imagem configurado para gerar dados de imagem com base em uma informação de imagem a ser exibida, e para transmitir os dados de imagem gerados para o dispositivo de exibição de imagem (310).
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