RU2706296C1 - Способ изготовления полевого транзистора - Google Patents
Способ изготовления полевого транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2706296C1 RU2706296C1 RU2018136356A RU2018136356A RU2706296C1 RU 2706296 C1 RU2706296 C1 RU 2706296C1 RU 2018136356 A RU2018136356 A RU 2018136356A RU 2018136356 A RU2018136356 A RU 2018136356A RU 2706296 C1 RU2706296 C1 RU 2706296C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- precursor
- oxide
- effect transistor
- field effect
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 331
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 111
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 166
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 69
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 28
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 35
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- -1 In-Zn-based oxides Chemical class 0.000 description 21
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 21
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 21
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical group CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 7
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 6
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 5
- PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 5
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YAUYVAMZCWQECM-UHFFFAOYSA-M C(C)C(C(=O)[O-])CCCC.[O-2].[Zr+3] Chemical compound C(C)C(C(=O)[O-])CCCC.[O-2].[Zr+3] YAUYVAMZCWQECM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001616 alkaline earth metal bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001617 alkaline earth metal chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001619 alkaline earth metal iodide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001964 alkaline earth metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910021331 inorganic silicon compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- KRISPYQCCVEVFA-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylpentane Chemical compound CCC(C)(CC)OC KRISPYQCCVEVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- MJOQJPYNENPSSS-XQHKEYJVSA-N [(3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxyoxan-3-yl] acetate Chemical compound CC(=O)O[C@@H]1CO[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O MJOQJPYNENPSSS-XQHKEYJVSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)acetylene Chemical group C[Si](C)(C)C#C[Si](C)(C)C ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HYPABJGVBDSCIT-UPHRSURJSA-N cyclododecene Chemical compound C1CCCCC\C=C/CCCC1 HYPABJGVBDSCIT-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZZFBYAKINKKFM-UHFFFAOYSA-N dinitrooxyindiganyl nitrate;hydrate Chemical class O.[In+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YZZFBYAKINKKFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- HVDZMISZAKTZFP-UHFFFAOYSA-N indium(3+) trinitrate trihydrate Chemical compound O.O.O.[In+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HVDZMISZAKTZFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AMNSWIGOPDBSIE-UHFFFAOYSA-H indium(3+);tricarbonate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O AMNSWIGOPDBSIE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- PXXMJOFKFXKJES-UHFFFAOYSA-N indium(3+);tricyanide Chemical compound [In+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-] PXXMJOFKFXKJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTLHORLYDROOSU-UHFFFAOYSA-N indium(3+);trinitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[In+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FTLHORLYDROOSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N triphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[SiH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNKOLEUDCQIVBV-UHFFFAOYSA-N tris(2-ethylhexanoyloxy)silyl 2-ethylhexanoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)O[Si](OC(=O)C(CC)CCCC)(OC(=O)C(CC)CCCC)OC(=O)C(CC)CCCC UNKOLEUDCQIVBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
- H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/40—Crystalline structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0241—Manufacture or treatment of multiple TFTs using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H10D86/425—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer having different crystal properties in different TFTs or within an individual TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Способ изготовления полевого транзистора, включающего в себя слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом способ включает в себя формирование слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, при этом формирование включает в себя как обработку (I), так и обработку (II), приведенные ниже, а именно, (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором второго слоя оксида, а также одновременное выполнение термообработки для преобразования слоев первого и второго прекурсоров в слои первого и второго оксидов. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик транзистора. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к способу изготовления полевого транзистора.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В качестве одного примера полевого транзистора известен полевой транзистор с использованием оксидного полупроводника в активном слое (см., например, патентную литературу 1).
Для улучшения характеристик и повышения стабильности транзистора в процессе работы необходимо формировать однородную границу раздела переднего канала и однородную границу раздела заднего канала, чтобы тем самым уменьшить плотность дефектов. Например, способ с использованием ограничивающего травление слоя широко используют в качестве способа уменьшения плотности дефектов в заднем канале и исключения повреждения оксидного полупроводника в результате травления во время формирования рисунка электрода истока и электрода стока.
В последнее время был предложен способ изготовления полевого транзистора с использованием способа нанесения покрытия (см., например, патентную литературу 2).
В случаях, когда способ нанесения покрытия используют для формирования переднего канала или заднего канала, способом с использованием ограничивающего травление слоя в некоторых случаях нельзя образовать однородную границу раздела переднего канала и однородную границу раздела заднего канала.
Перечень упомянутой литературы
Патентная литература
Патентная литература 1: патент №5118811 Японии.
Патентная литература 2: публикация №2009-177149 нерассмотренной заявки на патент Японии.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Техническая проблема
Задачей настоящего изобретения является создание способа изготовления полевого транзистора, в соответствии с которым при использовании способа нанесения покрытия для формирования переднего канала или заднего канала можно образовать однородную границу раздела переднего канала и однородную границу раздела заднего канала, чтобы уменьшить плотность дефектов, что делает возможным улучшение характеристик транзистора.
Решение проблемы
Средствами для решения упомянутых выше проблем являются следующие. А именно, согласно настоящему изобретению способ изготовления полевого транзистора представляет собой способ изготовления полевого транзистора, включающего в себя слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом способ включает в себя этап формирования слоев оксидов в результате формирования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно.
Этап формирования слоев оксидов включает в себя по меньшей мере одну из обработок (I) и (II), приводимых ниже; (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида; и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида.
ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Согласно настоящему изобретению предложен способ изготовления полевого транзистора, в соответствии с которым способ нанесения покрытия используют для образования переднего канала или заднего канала, при этом способом можно формировать однородную границу раздела переднего канала и однородную границу раздела заднего канала, чтобы уменьшать плотность дефектов, что делает возможным улучшение характеристик транзистора.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
На чертежах:
фиг. 1А - схематичный вид, иллюстрирующий один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 1В - схематичный вид, иллюстрирующий один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 1С - схематичный вид, иллюстрирующий один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 1D - схематичный вид, иллюстрирующий один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 1Е - схематичный вид, иллюстрирующий один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 2А - схематичный вид, иллюстрирующий другой пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 2В - схематичный вид, иллюстрирующий другой пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 2С - схематичный вид, иллюстрирующий другой пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 2D - схематичный вид, иллюстрирующий другой пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 2Е - схематичный вид, иллюстрирующий другой пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 3А - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 3В - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 3С - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 3D - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 3Е - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 3F - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 6);
фиг. 4А - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 4В - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 4С - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 4D - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 4Е - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 4F - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 6);
фиг. 4G - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 7);
фиг. 4Н - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 8);
фиг. 5А - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 5В - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 5С - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 5D - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 5Е - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 5F - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 6);
фиг. 5G - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 7);
фиг. 5Н - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 8);
фиг. 6А - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 1);
фиг. 6В - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 2);
фиг. 6С - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 3);
фиг. 6D - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 4);
фиг. 6Е - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 5);
фиг. 6F - схематичный вид, иллюстрирующий еще один пример способа изготовления полевого транзистора (часть 6); и
фиг. 7 - график, на котором представлены характеристики ток-напряжение полевого транзистора из примера 1 и сравнительного примера 1.
ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
(Способ изготовления полевого транзистора)
Полевой транзистор, изготавливаемый согласно настоящему изобретению, включает в себя первый первого оксида и слой второго оксида и образует передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу.
Способ изготовления полевого транзистора включает в себя этап формирования слоев оксидов и при необходимости также включает в себя другие этапы.
Этап формирования слоев оксидов является этапом формирования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно.
Этап формирования слоев оксидов включает в себя по меньшей мере одну из обработок (I) и (II), приводимых ниже; (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида; и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида.
Изобретатели обнаружили, что при изготовлении полевого транзистора использование способа нанесения покрытия при формировании переднего канала или заднего канала является причиной неоднородности и дефектов границы раздела переднего канала и границы раздела заднего канала, а повреждение, вызванное травителем, не является единственной причиной такой неоднородности и дефектов.
Например, когда оксидный полупроводник или оксидную изолирующую пленку затвора образуют с помощью высокотемпературного процесса, диффузия и агрегация частиц и атомов происходят на поверхности пленки, так что поверхностная энергия на границе раздела между пленкой оксида и воздухом становится наименьшей. В результате шероховатость поверхности и плотность дефектов могут возрастать, что неблагоприятно. Использование такой поверхности оксидного полупроводника или оксидной изолирующей пленки затвора в качестве поверхности переднего канала или поверхности заднего канала влечет за собой ухудшение характеристик транзистора и нестабильность работы.
Основываясь на приведенных выше данных, изобретатели провели широкие исследования и установили, что в случае использования способа нанесения покрытия при образовании переднего канала или заднего канала и образовании оксида из прекурсора оксида можно снизить плотность дефектов путем недопущения прихода в контакт с воздухом границы раздела переднего канала и границы раздела заднего канала (чтобы они не становились свободной поверхностью) и обеспечить однородность формирования границы раздела переднего канала и границы раздела заднего канала. На основе этих полученных данных изобретатели создали настоящее изобретение.
Следует отметить, что вследствие возможности снижения плотности дефектов путем однородного формирования границы раздела переднего канала и границы раздела заднего канала можно ожидать следующие положительные эффекты относительно характеристик транзистора.
Снижение плотности дефектов переднего канала приводит к повышенной подвижности носителей.
Снижение плотности дефектов переднего канала приводит к улучшению характеристик подпорогового изменения (SS) (которые называют, например, подпороговыми характеристиками, значением S, значением SS или S-параметром). SS-характеристики определяются как приращение напряжения затвора, необходимое для повышения напряжения стока на одну единицу при максимальном градиенте по логарифмической шкале в подпороговой области, в которой передаточные характеристики переходят из области отсечки тока в область прохождения тока. При меньшем значении SS происходит более быстрое возрастание тока и обеспечиваются хорошие характеристики переключения.
Снижение плотности дефектов переднего канала приводит к подавлению захвата зарядов и повышенной надежности под нагрузкой.
В данном случае передний канал означает основной путь тока исток-сток во включенном состоянии транзистора в области полупроводникового слоя, в которой наведенные заряды образуются через посредство изолирующей пленки затвора напряжением, приложенным к электроду затвора. Задний канал означает область полупроводникового слоя за исключением переднего канала. Передний канал также называют просто каналом.
<Этап формирования слоев оксидов>
Этап формирования слоев оксидов является этапом формирования слоя второго прекурсора таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, и затем преобразования слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно.
<<Слой первого прекурсора>>
Слой первого прекурсора является прекурсором слоя первого оксида.
Прекурсор слоя первого оксида означает вещество, которое может быть преобразовано в слой первого оксида путем окисления при приложении внешней энергии. В данном случае прекурсор слоя первого оксида может содержать некоторую часть оксида.
Способ формирования слоя первого прекурсора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры способа включают в себя следующую обработку (I).
(I) Обработка заключается в нанесении жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида.
Жидкости для покрытия, формирующие прекурсор первого оксида, не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что они могут образовывать прекурсор первого оксида и содержат растворитель. Подробности относительно жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, будут описаны ниже.
Способ нанесения жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры способа включают в себя способ нанесения покрытия с использованием центрифугирования, способ нанесения покрытия под давлением, струйный способ, способ наноимпринтинга и способ глубокой печати.
Способ удаления растворителя не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Предпочтительно использовать способ удаления растворителя нагревом.
Предпочтительно, чтобы температура нагрева была от 30°С до 300°С, более предпочтительно от 50°С до 250°С.
Время нагрева не особенно связано ограничениями и может быть надлежащим образом выбрано в зависимости от предполагаемого назначения.
При удалении растворителя необходимо удалять растворитель только до такой степени, чтобы исключалось протекание его по получающейся в результате покрытой пленке. В этом смысле слой первого прекурсора может содержать растворитель.
<<Слой первого оксида>>
Слой первого оксида не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он является слоем оксида, который прилегает к слою второго оксида и включает в себя передний канал или задний канал, образованный в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу. Примеры слоя первого оксида включают в себя слой оксидного полупроводника и оксидный изолирующий слой. Подробности относительно слоя первого оксида будут описаны ниже.
<<Слой второго прекурсора>>
Слой второго прекурсора является прекурсором слоя второго оксида.
Прекурсор слоя второго оксида означает вещество, которое может быть преобразовано в слой второго оксида окислением при приложении внешней энергии. В данном случае прекурсор слоя второго оксида может содержать некоторую часть оксида.
Способ формирования слоя второго прекурсора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры способа включают в себя следующую обработку (II).
(II) Обработка заключается в нанесении жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель; и затем удалении растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида.
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор второго оксида, не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что она может образовывать прекурсор второго оксида и содержит раствор. Подробности относительно жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, будут описаны ниже.
Способ нанесения жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры способа включают в себя способ нанесения покрытия с использованием центрифугирования, способ нанесения покрытия под давлением, струйный способ, способ наноимпринтинга и способ глубокой печати.
Способ удаления растворителя не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Предпочтительно использовать способ удаления растворителя нагревом.
Предпочтительно, чтобы температура нагрева была от 30°С до 300°С, более предпочтительно от 50°С до 250°С.
Время нагрева не особенно связано ограничениями и может быть надлежащим образом выбрано в зависимости от предполагаемого назначения.
Атмосфера при нагреве не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения.
При удалении растворителя необходимо удалять растворитель только до такой степени, чтобы исключалось протекание его по получающейся в результате покрытой пленке. В этом смысле слой первого прекурсора может содержать растворитель.
<<Слой второго оксида>>
Слой второго оксида не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он является слоем оксида, который прилегает к слою первого оксида и включает в себя передний канал или задний канал, образованный в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу. Примеры слоя второго оксида включают в себя слой оксидного полупроводника и оксидный изолирующий слой. Примеры оксидного изолирующего слоя включают в себя изолирующий слой затвора и пассивирующий слой. Подробности относительно слоя второго оксида будут описаны ниже.
<<Преобразование>>
Способ преобразования слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Нагрев является предпочтительным.
Температура нагрева не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы она была от 200°С до 600°С, более предпочтительно от 250°С до 500°С.
Время нагрева не особенно связано ограничениями и может быть надлежащим образом выбрано в зависимости от предполагаемого назначения.
Атмосфера при нагреве не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения.
Преобразование слоя первого прекурсора в слой первого оксида необходимо выполнять только в такой мере, чтобы слой первого оксида мог функционировать. Например, слой первого оксида может содержать остатки прекурсора в качестве примесей.
Преобразование слоя второго прекурсора в слой второго оксида необходимо выполнять только в такой мере, чтобы слой второго оксида мог функционировать. Например, слой второго оксида может содержать остатки прекурсора в качестве примесей.
В описанном выше способе, в котором ламинирование границ раздела прекурсоров выполняется заранее с последующим этапом преобразования прекурсоров в оксиды, можно формировать однородные границы раздела области для получения переднего канала или заднего канала транзистора и можно формировать границы раздела, имеющие низкую плотность дефектов. Формирование границ раздела, имеющих низкую плотность дефектов, приводит к лучшим характеристикам транзистора.
Кроме того, можно сократить количество этапов по сравнению со случаем, когда множество слоев индивидуально преобразуют в оксиды из прекурсоров.
Теперь будут описаны подробности относительно слоя первого оксида и слоя второго оксида. Следует отметить, что в нижеследующем описании «слой оксида» означает слой первого оксида и слой второго оксида.
<<<Случай, когда слой оксида является слоем оксидного полупроводника>>>
- Слой оксидного полупроводника (слой оксида)
Материал слоя оксидного полупроводника не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материала включают в себя оксидные полупроводники n-типа и оксидные полупроводники p-типа.
Примеры оксидных полупроводников n-типа включают в себя ZnO, SnO2, In2O3, TiO2 и Ga2O3. Кроме того, оксидными полупроводниками n-типа могут быть оксиды, содержащие множество металлов, таких как оксиды на основе In-Zn, оксиды на основе In-Sn, оксиды на основе In-Ga, оксиды на основе Sn-Zn, оксиды на основе Sn-Ga, оксиды на основе In-Zn-Sn, оксиды на основе In-Ga-Zn, оксиды на основе In-Sn-Ga, оксиды на основе Sn-Ga-Zn, оксиды на основе In-Al-Zn, оксиды на основе Al-Ga-Zn, оксиды на основе Sn-Al-Zn, оксиды на основе In-Hf-Zn и оксиды на основе In-Al-Ga-Zn.
Предпочтительно, чтобы оксидные полупроводники n-типа содержали по меньшей мере один элемент, выбираемый из группы, состоящей из индия, цинка, олова, галлия и титана, и по меньшей мере один щелочноземельный металл, более предпочтительно индий, и по меньшей мере один щелочноземельный металл, имея в виду, что при этом можно получать высокую дрейфовую подвижность носителей и легко регулировать надлежащим образом плотность электронных носителей заряда.
- Прекурсор слоя оксидного полупроводника (слой прекурсора)
Материал прекурсора слоя оксидного полупроводника не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материала включают в себя неорганические металлосодержащие соединения и органические металлосодержащие соединения.
Неорганические металлосодержащие соединения не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры неорганических металлосодержащих соединений включают в себя неорганические соединения индия и неорганические соединения, содержащие щелочноземельный металл.
Неорганические соединения индия не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры неорганических соединений индия включают в себя соли, такие как нитрат индия, сульфат индия, гидроокись индия, карбонат индия, фосфат индия и цианид индия, и галогениды, такие как хлорид индия, бромид индия и иодид индия.
Среди неорганических соединений индия особенно предпочтительными являются нитрат индия, сульфат индия и хлорид индия, поскольку они имеют высокую растворимость в различных растворах.
Нитрат индия не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры нитрата индия включают в себя гидраты нитрата индия. Примеры гидратов нитрата индия включают в себя тригидрат нитрата индия и пентагидрат нитрата индия.
Примеры неорганических соединений, содержащих щелочноземельный металл, включают в себя нитраты щелочноземельных металлов, сульфаты щелочноземельных металлов, хлориды щелочноземельных металлов, фториды щелочноземельных металлов, бромиды щелочноземельных металлов и иодиды щелочноземельных металлов. Конкретные примеры неорганических соединений, содержащих щелочноземельные металлы, включают в себя нитрат кальция, сульфат кальция, хлорид кальция, нитрат стронция, сульфат стронция и хлорид стронция.
Органические металлосодержащие соединения не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из органических металлосодержащих соединений содержит металл и органическую группу. Металл и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
- Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксидного полупроводника (жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксида)
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксидного полупроводника, в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, может образовывать прекурсор оксидного полупроводника.
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксидного полупроводника, содержит растворитель.
Растворитель не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы он был органическим растворителем.
Примеры органического растворителя включают в себя углеводороды, такие как тетрадекан, циклические углеводороды, такие как циклогексан и циклододецен, ароматические углеводороды, такие толуол, ксилол и мезитилен, гликолевые эфиры, такие как моноэтиловый эфир диэтиленгликоля, моноспиртовые эфиры, такие как монометиловый эфир диэтиленгликоля, поливалентные спирты, такие как этиленгликоль и пропиленгликоль, и моноспирты, такие как бутанол. Растворители можно использовать отдельно или в сочетании.
<<<Случай, когда слой оксида является изолирующим слоем затвора>>>
- Изолирующий слой затвора (слой оксида)
Изолирующий слой затвора является слоем, который расположен между электродом затвора и слоем оксидного полупроводника, служащим в качестве активного слоя, и выполнен с возможностью обеспечения изоляции между электродом затвора и активным слоем.
Средняя толщина пленки изолирующего слоя затвора не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы она составляла от 50 нм до 3 мкм, более предпочтительно от 100 нм до 1 мкм.
Изолирующий слой затвора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материала включают в себя пленки оксидов металлов.
Например, пленки оксидов металлов содержат элемент группы А, который представляет собой щелочноземельный металл, и элемент группы В, который представляет собой по меньшей мере один, выбираемый из группы, состоящей из галлия (Ga), скандия (Sc), иттрия (Y) и лантаноида, предпочтительно, чтобы они содержали элемент группы С, который представляет собой по меньшей мере один, выбираемый из группы, состоящей из циркония (Zr) и гафния (Hf), и также содержали другие ингредиенты в соответствии с потребностью.
В пленке оксида металла может содержаться щелочноземельный металл одного вида или щелочноземельные металлы двух или большего количества видов. Примеры щелочноземельного металла включают в себя бериллий (Be), магний (Mg), кальций (Ca), стронций (Sr), барий (Ba) и радий (Ra).
Примеры лантаноида включают в себя лантан (La), церий (Ce), празеодимий (Pr), неодимий (Nd), прометий (Pm), самарий (Sm), европий (Eu), гадолиний (Gd), тербий (Tb), диспрозий (Dy), гольмий (Ho), эрбий (Er), тулий (Tm), иттербий (Yb) и лютеций (Lu).
- Прекурсор изолирующего слоя затвора (слой прекурсора)
Материалом прекурсора изолирующего слоя затвора является, например, соединение, содержащее щелочноземельный металл, соединение, содержащее элемент группы В, или соединение, содержащее элемент группы С.
В данном случае элемент группы B в соединении, содержащем элемент группы В, представляет собой по меньшей мере один, выбираемый из группы, состоящей из Ga, Sc, Y и лантаноида.
В данном случае элемент группы С в соединении, содержащем элемент группы С, представляет собой по меньшей мере один, выбираемый из группы, состоящей из Al, Ti, Zr, Hf, Nb и Ta.
Примеры соединений, содержащих щелочноземельный металл, включают в себя неорганические соединения щелочноземельных металлов и органические соединения с щелочноземельным металлом.
Примеры неорганических соединений щелочноземельных металлов включают в себя нитраты щелочноземельных металлов, сульфаты щелочноземельных металлов, хлориды щелочноземельных металлов, фториды щелочноземельных металлов, бромиды щелочноземельных металлов и иодиды щелочноземельных металлов.
Органические соединения с щелочноземельным металлом не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из органических соединений с щелочноземельным металлом содержит щелочноземельный металл и органическую группу. Щелочноземельный металл и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
Примеры соединений, содержащих элементы группы В, включают в себя неорганические соединения элементов группы В и органические соединения с элементом группы В.
Примеры неорганических соединений элементов группы В включают в себя нитраты элементов группы В, сульфаты элементов группы В, фториды элементов группы В, хлориды элементов группы В, бромиды элементов группы В и иодиды элементов группы В.
Органические соединения с элементами группы В не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из органических соединений с элементами группы В содержит элемент группы В и органическую группу. Элемент группы В и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
Примеры соединений, содержащих элементы группы С, включают в себя неорганические соединения элементов группы С и органические соединения с элементом группы С.
Примеры неорганических соединений элементов группы С включают в себя нитраты элементов группы С, сульфаты элементов группы С, фториды элементов группы С, хлориды элементов группы С, бромиды элементов группы С и иодиды элементов группы С.
Органические соединения с элементами группы С не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из органических соединений с элементами группы С содержит элемент группы С и органическую группу. Элемент группы С и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
- Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор изолирующего слоя затвора (жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксида)
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор изолирующего слоя затвора, служащая в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, может образовывать прекурсор изолирующего слоя затвора.
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор изолирующего слоя затвора, содержит растворитель.
Растворитель не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он представляет собой растворитель, в котором могут стабильно растворяться или диспергироваться упомянутые выше различные соединения. Примеры растворителей включают в себя толуол, ксилол, мезитилен, цимен, пентилбензол, додецилбензол, циклогексилбензол, декан, ундекан, додекан, тридекан, тетрадекан, пентадекан, тетралин, декалин, изопропанол, этилбензоат, N,N-диметилформамид, пропиленкарбонат, 2-этилгексаноат, уайт-спирит, диметилпропиленкарбамид, 4-бутиролактон, 2-метоксиэтанол и воду.
<<<Случай, когда слой оксида является пассивирующим слоем>>>
- Пассивирующий слой (слой оксида)
Пассивирующий слой представляет собой слой, выполненный с возможностью защиты слоя оксидного полупроводника от влаги, водорода и кислорода, содержащихся в атмосфере. Кроме того, пассивирующий слой представляет собой слой, выполненный с возможностью защиты слоя оксидного полупроводника на этапах изготовления после образования слоя оксидного полупроводника. Примеры этапов изготовления включают в себя этап травления.
Средняя толщина пассивирующего слоя не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы она составляла от 10 нм до 3 мкм, более предпочтительно от 30 нм до 1 мкм.
Материал пассивирующего слоя не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материала включают в себя оксиды металлов.
Примеры оксидов металлов включают в себя оксиды металлов, содержащие щелочноземельные металлы и Si, и оксиды металлов, содержащие щелочноземельные металлы и редкоземельные элементы. Кроме того, при необходимости оксиды металлов содержат другие ингредиенты.
В оксиде металла может содержаться щелочноземельный металл одного вида или щелочноземельные металлы двух или большего количества вида. Примеры щелочноземельных металлов включают в себя бериллий (Be), магний (Mg), кальций (Ca), стронций (Sr), барий (Ba) и радий (Ra).
Примеры редкоземельных элементов, содержащихся в оксидах металлов, включают в себя скандий (Sc), иттрий (Y), лантан (La), церий (Ce), празеодим (Pr), неодим (Nd), прометий (Pm), самарий (Sm), европий (Eu), гадолиний (Gd), тербий (Tb), диспрозий (Dy), гольмий (Ho), эрбий (Er), тулий (Tm), иттербий (Yb) и лютеций (Lu).
-Прекурсор пассивирующего слоя (слой прекурсора)
Материалом прекурсора пассивирующего слоя является, например, соединение, содержащее кремний, соединение, содержащее щелочноземельный металл, или соединение, содержащее редкоземельный элемент.
Примеры соединений, содержащих кремний, включают в себя неорганические соединения кремния и кремнийорганические соединения.
Примеры неорганических соединений кремния включают в себя тетрахлорсилан, тетрабромсилан и тетраиодосилан.
Кремнийорганические соединения не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из кремнийорганических соединений содержит кремний и органическую группу. Кремний и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
Примеры кремнийорганических соединений включают в себя тетраметоксисилан, тетраэтоксисилан, тетраизопропоксисилан, тетрабутоксисилан, 1,1,1,3,3,3-гексаметилдисилазан (ГМДС), бис(триметилсилил)ацетилен, трифенилсилан, 2-этилгексаноат кремния и тетраацетоксисилан.
Примеры соединений щелочноземельных металлов включают в себя неорганические соединения щелочноземельных металлов и органические соединения щелочноземельных металлов.
Примеры неорганических соединений щелочноземельных металлов включают в себя нитраты щелочноземельных металлов, сульфаты щелочноземельных металлов, хлориды щелочноземельных металлов, фториды щелочноземельных металлов, бромиды щелочноземельных металлов и иодиды щелочноземельных металлов.
Органические соединения щелочноземельных металлов не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из соединений щелочноземельных металлов содержит щелочноземельный металл и органическую группу. Щелочноземельный металл и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
Примеры соединений, содержащих редкоземельные элементы, включают в себя неорганические соединения с редкоземельными элементами (неорганические соединения редкоземельных элементов) и органические соединения с редкоземельными элементами (органические соединения редкоземельных элементов).
Примеры неорганических соединений редкоземельных элементов включают в себя нитраты редкоземельных элементов, сульфаты редкоземельных элементов, фториды редкоземельных элементов, хлориды редкоземельных элементов, бромиды редкоземельных элементов и иодиды редкоземельных элементов.
Органические соединения редкоземельных элементов не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что каждое соединение из органических соединений редкоземельных элементов содержит редкоземельный элемент и органическую группу. Редкоземельный элемент и органическая группа связаны, например, посредством ионной связи, ковалентной связи или координационной связи.
Органическая группа не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры органических групп включают в себя алкильные группы, которые могут иметь заместителей, алкоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацилоксильные группы, которые могут иметь заместителей, ацетилацетоновые группы, которые могут иметь заместителей, и циклопентадиенильные группы, которые могут иметь заместителей. Примеры алкильных групп включают в себя алкильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры алкоксильных групп включают в себя алкоксильные группы, содержащие от 1 до 6 атомов углерода. Примеры ацилоксильных групп включают в себя ацилоксильные группы, содержащие от 1 до 10 атомов углерода.
- Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор пассивирующего слоя (жидкость для покрытия, формирующая прекурсор оксида)
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор пассивирующего слоя, служащая в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, может образовывать прекурсор пассивирующего слоя.
Жидкость для покрытия, формирующая прекурсор пассивирующего слоя, содержит растворитель.
Растворитель не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначение при условии, что он представляет собой растворитель, в котором могут стабильно растворяться или диспергироваться упомянутые выше соединения. Примеры растворителей включают в себя толуол, ксилол, мезитилен, цимен, пентилбензол, додецилбензол, бициклогексил, циклогексилбензол, декан, ундекан, додекан, тридекан, тетрадекан, пентадекан, тетралин, декалин, изопропанол, этилбензоат, N,N-диметилформамид, пропиленкарбонат, 2-этилгексаноат, уайт-спирит, диметилпропиленкарбамид, 4-бутиролактон, 2-метоксиэтанол и воду.
Сочетания слоя первого оксида и слоя второго оксида включают в себя следующие сочетания.
(i) Сочетание, в котором слой первого оксида является изолирующим слоем затвора и слой второго оксида является слоем оксидного полупроводника. При таком сочетании передний канал образуется в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу.
(ii) Сочетание, в котором слой первого оксида является слоем оксидного полупроводника и слой второго оксида является изолирующим слоем затвора. При таком сочетании передний канал образуется в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу.
(iii) Сочетание, в котором слой первого оксида является слоем оксидного полупроводника и слой второго оксида является пассивирующим слоем. При таком сочетании обратный канал образуется в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу.
В приведенных выше случаях (i) и (ii), когда получающийся в результате полевой транзистор включает в себя пассивирующий слой, а пассивирующий слой является оксидом, пассивирующий слой можно получать с помощью процесса нанесения покрытия или вакуумного процесса.
В приведенном выше случае (iii), когда изолирующий слой затвора получающегося в результате полевого транзистора является оксидом, изолирующий слой затвора можно получать с помощью процесса нанесения покрытия или вакуумного процесса.
<Другие этапы>
Примеры других этапов включают в себя этап формирования электрода затвора и этап формирования электрода истока/стока.
<<Этап формирования электрода затвора>>
Этап формирования электрода затвора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он является этапом формирования электрода затвора. Примеры этапа формирования электрода затвора включают в себя (i) этап образования пленки способом распыления или способом нанесения покрытия погружением и формирования рисунка в пленке фотолитографией и (ii) этап непосредственного образования пленки, имеющей заданную форму, с помощью процесса печатания, такого как струйная печать, наноимпринтинг или глубокая печать.
Электрод затвора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он является электродом, выполненным с возможностью приложения к нему напряжения затвора.
Материал электрода затвора не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материалов включают в себя металлы (например, платину, палладий, золото, серебро, медь, цинк, алюминий, никель, хром, тантал, молибден и титан), сплавы этих металлов и смеси этих металлов. Дальнейшие примеры материалов включают в себя электропроводные оксиды, такие как оксид индия, оксид цинка, оксид олова, оксид галлия, оксид ниобия, In2O3 с добавлением олова (Sn) (оксид индия и олова), ZnO с добавлением галлия (Ga), ZnO с добавлением алюминия (Al) и SnO2 с добавлением сурьмы (Sb), комплексные соединения их и смеси их.
Средняя толщина электродов затвора не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы она составляла от 10 нм до 200 нм, более предпочтительно от 50 нм до 100 нм.
Электрод затвора формируют, например, на подложке.
Форма, структура и размер подложки не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения.
Материал подложки не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры включают в себя стеклянные подложки и пластиковые подложки.
Стеклянные подложки не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры стеклянных подложек включают в себя подложки из бесщелочного стекла и кварцевого стекла.
Пластиковые подложки не особенно связаны ограничениями и могут быть надлежащим образом выбраны в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры пластиковых подложек включают в себя подложки из поликарбоната (ПК), полиимида (ПИ), полиэтилентерефталата (ПЭТ) и полиэтиленнафталата (ПЭН).
Предпочтительно подвергать подложку предварительной обработке (например, промывке с помощью кислородной плазмы, очистке озоном в сочетании с ультрафиолетовым излучением и очистке облучением ультрафиолетом), чтобы очищать поверхность подложки и повышать адгезионную способность.
<<Этап формирования электрода истока/стока>>
Этап формирования электрода истока/стока не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения при условии, что он является этапом формирования электрода истока и электрода стока. Примеры этапа формирования электрода истока/стока включают в себя (i) этап образования пленки способом распыления или способом нанесения покрытия погружением и формирования рисунка в пленке фотолитографией и (ii) этап непосредственного образования пленки, имеющей заданную форму, с помощью процесса печатания, такого как струйная печать, наноимпринтинг или глубокая печать.
Материал электрода истока и электрода стока не особенно связан ограничениями и может быть надлежащим образом выбран в зависимости от предполагаемого назначения. Примеры материала включают в себя материалы, приведенные для примера при описании электрода затвора.
Средняя толщина электрода истока и электрода стока не особенно связана ограничениями и может быть надлежащим образом выбрана в зависимости от предполагаемого назначения, но предпочтительно, чтобы она составляла от 10 нм до 200 нм, более предпочтительно от 50 нм до 100 нм.
Теперь с обращением к чертежам будет описан один пример способа согласно настоящему изобретению, предназначенного для изготовления полевого транзистора.
На фиг. 1А-1Е представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего на подложке 1 (фиг. 1А) формируют электрод 2 истока и электрод 3 стока.
Затем жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на подложку 1, электрод 2 истока и электрод 3 стока, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве слоя первого прекурсора (фиг. 1В).
После этого жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника, чтобы образовать прекурсор 5' изолирующего слоя затвора в качестве слоя второго прекурсора (фиг. 1С).
Затем прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 5' изолирующего слоя затвора нагревают и преобразуют в слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и изолирующий слой 5 затвора (слой оксида), соответственно (фиг. 1D).
После этого на изолирующем слое 5 затвора формируют электрод 6 затвора (фиг. 1Е).
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с верхним затвором/нижним контактом.
На фиг. 2А-2Е представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего на подложке 1 формируют электрод 6 затвора (фиг. 2А).
Затем жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на подложку 1 и затвор 6 электрода, чтобы образовать прекурсор 5' изолирующего слоя затвора в качестве слоя первого прекурсора (фиг. 2В).
После этого жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 5' изолирующего слоя затвора, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве слоя второго прекурсора (фиг. 2С).
Затем прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 5' изолирующего слоя затвора нагревают и преобразуют в слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и изолирующий слой 5 затвора), соответственно (фиг. 2D).
После этого электрод 2 истока и электрод 3 стока формируют на слое 4 оксидного полупроводника (фиг. 2Е).
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с нижним затвором/верхним контактом.
На фиг. 3А-3F представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего на подложке 1 формируют электрод 6 затвора (фиг. 3А).
Затем изолирующий слой 5 затвора формируют на подложке 1 и электроде 6 затвора (фиг. 3В).
После этого электрод 2 истока и электрод 3 стока формируют на изолирующем слое 5 затвора (фиг. 3С).
Затем жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на изолирующий слой 5 затвора, электрод 2 истока и электрод 3 стока, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве слоя первого прекурсора (фиг. 3D).
После этого жидкость для покрытия, формирующую пассивирующий слой, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника, чтобы образовать прекурсор 7' пассивирующего слоя в качестве слоя второго прекурсора (фиг. 3Е).
Затем прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 7' пассивирующего слоя нагревают и преобразуют в слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и пассивирующий слой 7 (слой оксида), соответственно (фиг. 3F).
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с нижним затвором/нижним контактом.
На фиг. 4А-4Н представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего на подложке 1 формируют электрод 6 затвора (фиг. 4А).
Затем жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на подложку 1 и электрод 6 затвора, чтобы образовать прекурсор 5' изолирующего слоя затвора в качестве слоя первого прекурсора (фиг. 4В).
После этого жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 5' изолирующего слоя затвора, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве слоя второго прекурсора (фиг. 4С).
Затем жидкость для покрытия, формирующую пассивирующий слой, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника, чтобы образовать прекурсор 7' пассивирующего слоя в качестве слоя третьего прекурсора (фиг. 4D).
После этого прекурсор 5' изолирующего слоя затвора, прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 7' пассивирующего слоя нагревают и преобразуют в изолирующий слой 5 затвора (слой оксида), слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и пассивирующий слой 7 (слой оксида), соответственно (фиг. 4Е).
Затем участок пассивирующего слоя 7, соответствующий канальной области, сохраняют, а другие участки удаляют (фиг. 4F). Этот пассивирующий слой 7 функционирует как препятствующий травлению слой, выполненный с возможностью защиты слоя 4 оксидного полупроводника от процесса образования пленки и процесса формирования рисунка, такого как травление при формировании электрода истока и электрода стока.
После этого электродную пленку 23 образуют на слое 4 оксидного полупроводника и пассивирующем слое 7 (фиг. 4G).
Затем технологию формирования рисунка, включающую травление, используют для формирования электрода 2 истока и электрода 3 стока из электродной пленки 23 (фиг. 4Н).
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с нижним затвором/верхним контактом, включающий ограничитель травления.
На фиг. 5А-5Н представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего на подложке 1 формируют электрод 6 затвора (фиг. 5А).
Затем изолирующий слой 5 затвора формируют на подложке 1 и электроде 6 затвора (фиг. 5В).
После этого жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на изолирующий слой 5 затвора, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве первого прекурсора (фиг. 5С).
Затем жидкость для покрытия, формирующую пассивирующий слой, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника, чтобы образовать прекурсор 7' пассивирующего слоя в качестве второго прекурсора (фиг. 5D).
После этого прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 7' пассивирующего слоя нагревают и преобразуют в слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и пассивирующий слой 7 (слой оксида), соответственно (фиг. 5Е).
Затем участок пассивирующего слоя 7, соответствующий канальной области, сохраняют, а другие участки удаляют (фиг. 5F). Этот пассивирующий слой 7 функционирует как ограничивающий травление слой, выполненный с возможностью защиты слоя 4 оксидного полупроводника от процесса образования пленки и процесса формирования рисунка, такого как травление при формировании электрода истока и электрода стока.
После этого, электродную пленку 23 образуют на слое 4 оксидного полупроводника и пассивирующем слое 7 (фиг. 5G).
Затем технологию формирования рисунка, включающую травление, используют, чтобы образовать электрод 2 истока и электрод 3 стока из электродной пленки 23 (фиг. 5Н).
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с нижним затвором/верхним контактом, включающий ограничитель травления.
На фиг. 6A-6F представлены схематичные виды, иллюстрирующие один пример способа изготовления полевого транзистора.
Прежде всего жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксидного полупроводника, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на подложку 1, чтобы образовать прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника в качестве первого прекурсора (фиг. 6А).
Затем жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, служащую в качестве жидкости для покрытия, формирующей прекурсор оксида, наносят на прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника, чтобы образовать прекурсор 5' изолирующего слоя затвора в качестве слоя второго прекурсора (фиг. 6В).
После этого прекурсор 4' слоя оксидного полупроводника и прекурсор 5' изолирующего слоя затвора нагревают и преобразуют в слой 4 оксидного полупроводника (слой оксида) и изолирующий слой 5 затвора (слой оксида), соответственно (фиг. 6С).
Затем электрод 6 затвора формируют на изолирующем слое 5 затвора (фиг. 6D).
После этого участок электрода 6 затвора, соответствующий канальной области, сохраняют, а другие участки удаляют. Кроме того, изолирующий слой 5 затвора в области, в которой электрод 6 затвора не формируют, удаляют травлением (фиг. 6Е).
Затем промежуточный изолирующий слой 8 формируют, чтобы покрыть слой 4 полупроводникового оксида, электрод 6 затвора и изолирующий слой 5 затвора. Кроме того, два отверстия, доходящих до слоя 4 оксидного полупроводника, образуют в промежуточном изолирующем слое 8 на местах, обращенных друг к другу, через электрод 6 затвора и изолирующий слой 5 затвора. Кроме того, электрод 2 истока и электрод 3 стока формируют так, чтобы два отверстия заряжались.
Посредством изложенной выше процедуры получают полевой транзистор с верхним затвором/верхним контактом, включающий ограничитель травления.
Примеры
Далее настоящее изобретение будет описано с помощью примеров, но примеры не следует толковать как каким-либо образом ограничивающие настоящее изобретение.
(Пример 1)
<Изготовление полевого транзистора с верхним затвором/нижним контактом>
- Формирование электрода истока/стока
Пленку Cr/Au формировали на подложке, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод истока/стока, имеющий заданную форму.
- Формирование прекурсора слоя оксидного полупроводника
Прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали на подложке и электроде истока/стока. В частности, прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали следующим образом.
Отвешивали 3,55 г нитрата индия (In(NO3)3⋅3H2O) и 0,139 г хлорида стронция (SrCl2⋅6H2O). К ним добавляли 20 мл 1,2-пропандиола и 20 мл монометилового эфира этиленгликоля, после чего при комнатной температуре осуществляли перемешивание и растворение, чтобы образовать жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника, наносили на электрод истока/стока и подложку, образуя заданный рисунок, используя струйное устройство. Чтобы образовать прекурсор слоя оксидного полупроводника, подложку нагревали в течение 10 мин на горячей плите, нагретой до 120°С.
Следует отметить, что прекурсор слоя оксидного полупроводника, полученный на этом этапе, не функционирует как активный слой.
- Формирование прекурсора изолирующего слоя затвора
Затем формировали прекурсор изолирующего слоя затвора. В частности, прекурсор изолирующего слоя затвора формировали следующим образом.
В 1,2 мл циклогексилбензола смешивали 1,95 мл раствора 2- этилгексаноата лантана в толуоле (содержание La: 7 мас. %, Wako 122-03371, можно получить от Wako Chemical, Ltd.), 0,57 мл раствора 2-этилгексаноата стронция в толуоле (содержание Sr: 2 мас .%, Wako 195-09561, можно получить от Wako Chemical, Ltd.) и 0,09 мл раствора 2-этилгексаноата оксида циркония в уайт-спирите (содержание Zr: 12 мас. %, Wako Chemical, Ltd.), чтобы получить жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, наносили капанием и получали покрытие на подложке, используя центрифугирование при заданных режимах. Подложку нагревали в течение 1 ч в печи при 120°С, чтобы образовать прекурсор изолирующего слоя затвора.
Следует отметить, что прекурсор изолирующего слоя затвора, полученный на этом этапе, не функционирует как изолирующий слой затвора.
- Этап нагрева
Затем подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника и изолирующий слой затвора. То есть, прекурсор слоя оксидного полупроводника преобразовали в слой оксидного полупроводника и прекурсор изолирующего слоя затвора преобразовали в изолирующий слой затвора.
- Формирование электрода затвора
Пленку Au формировали на изолирующем слое затвора, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод затвора, имеющий заданную форму.
Посредством изложенной выше процедуры был изготовлен полевой транзистор с верхним затвором/нижним контактом.
<Оценивание характеристик транзистора>
Анализатор параметров полупроводниковых приборов (анализатор В1500А параметров полупроводниковых приборов, который можно получить от Agilent Technologies, Inc.) использовали для оценивания характеристик полученного полевого транзистора. Характеристики ток-напряжение (передаточные характеристики) оценивали при изменении напряжения Vg затвора от -15 В до +15 В, при этом напряжение Vds исток-сток составляло 10 В. На фиг. 7 (сплошной линией) представлены измеренные характеристики ток-напряжение (передаточные характеристики). Вычисленное значение SS составляло 0,4 В.
Следует отметить, что на фиг. 7 «е» обозначает показатель степени 10. В частности, «е-3» означает 0,001.
(Сравнительный пример 1)
Полевой транзистор изготавливали таким же образом, как в примере 1, если не считать того, что этап нагрева в сравнительном примере 1 выполняли после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника, чтобы преобразовать прекурсор слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника, а этап нагрева в примере 1 выполняли после формирования прекурсора изолирующего слоя затвора, чтобы преобразовать прекурсор изолирующего слоя затвора в изолирующий слой затвора. В частности, после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника. Далее, после формирования прекурсора изолирующего слоя затвора подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать изолирующий слой затвора.
Характеристики полученного полевого транзистора оценивали таким же образом, как в примере 1. На фиг. 7 (пунктирной линией) представлены измеренные характеристики ток-напряжение (передаточные характеристики). Вычисленное значение SS составляло 0,85 В.
<Положительные эффекты изобретения>
Использованием способа изготовления согласно примеру 1 можно упрощать процесс изготовления благодаря одновременному выполнению этапа высокотемпературного нагрева, необходимого для образования оксидных пленок, составляющих слой оксидного полупроводника и изолирующий слой затвора.
Кроме того, понятно, что выполнение этапа термообработки после ламинирования слоя оксидного полупроводника и изолирующего слоя затвора делает возможным образование границ раздела, имеющих меньшую плотность дефектов в передней канальной области, и тем самым изготовление транзистора с хорошими SS-характеристиками.
Между тем, в сравнительном примере 1 в процессе преобразования прекурсора слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника поверхность слоя оксидного полупроводника становится поверхностью, находящейся в контакте с воздухом. Поэтому, как можно понять, на этапе нагрева происходят диффузия и агрегация частиц и атомов на поверхности, приводящие к повышению плотности дефектов поверхности слоя оксидного полупроводника. Понятно, что такие дефекты вызывают захват зарядов, приводящий к ухудшению SS-характеристик.
В сравнительном примере 1 поверхности прекурсора слоя оксидного полупроводника и преобразованного слоя оксидного полупроводника являются свободными поверхностями. Свободная поверхность находится в состоянии, при котором на одной стороне отсутствует ограничивающее условие по отношению к атомам, и поэтому перемещение (например, диффузия) атомов происходит свободно. В процессе преобразования прекурсора в полупроводник, перемещение атомов находится под воздействием факторов влияния внутри и вне слоя. Вследствие этого могут возникать локальные неоднородности элементов, образующих полупроводник, и состояние, при котором поверхность слоя оксидного полупроводника является не гладкой, а структурно нерегулярной. Кроме того, когда в процессе преобразования прекурсора в полупроводник происходит кристаллизация, большее количество свободных поверхностей может быть причиной чрезмерного роста кристаллических зерен. В результате это может быть причиной образования уровней захвата зарядов, перемещения границ зерен и повышения энергетического барьера для перемещения зарядов. Описанная выше структурная неоднородность слоя полупроводника может препятствовать движению зарядов в слое полупроводника, при этом ухудшаются электрические характеристики полупроводника. Согласно примеру 1 в процессе преобразования прекурсора слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника прекурсор слоя оксидного полупроводника и преобразованный слой оксидного полупроводника не имеют свободных поверхностей. Поэтому легко понять, что поверхность слоя оксидного полупроводника (передняя канальная область) должна образовываться однородной, что делает возможным образование слоя полупроводника, имеющего хорошие электрические характеристики.
(Пример 2)
<Изготовление полевого транзистора с нижним затвором/верхним контактом>
- Формирование электрода затвора
Пленку Cr/Au формировали на подложке, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод затвора, имеющий заданную форму.
- Формирование прекурсора изолирующего слоя затвора
Затем формировали прекурсор изолирующего слоя затвора. В частности, прекурсор изолирующего слоя затвора формировали следующим образом.
В 1,2 мл циклогексилбензола смешивали 1,95 мл раствора 2-этилгексаноата лантана в толуоле (содержание La: 7 мас. %, Wako 122-03371, можно получить от Wako Chemical, Ltd.), 0,57 мл раствора 2-этилгексаноата стронция в толуоле (содержание Sr: 2 мас. %, Wako 195-09561, можно получить от Wako Chemical, Ltd.) и 0,09 мл раствора 2-этилгексаноата оксида циркония в уайт-спирите (содержание Zr: 12 мас. %, Wako Chemical, Ltd.), чтобы получить жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, наносили капанием и получали покрытие на подложке, используя центрифугирование при заданных режимах. Подложку нагревали в печи при 120°С в течение 1 ч, чтобы образовать прекурсор изолирующего слоя затвора.
Следует отметить, что прекурсор изолирующего слоя затвора, полученный на этом этапе, не функционирует как изолирующий слой затвора.
- Формирование прекурсора слоя оксидного полупроводника
Прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали на прекурсоре изолирующего слоя затвора. В частности, прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали следующим образом.
Отвешивали 3,55 г нитрата индия (In(NO3)3⋅3H2O) и 0,139 г хлорида стронция (SrCl2⋅6H2O). К ним добавляли 20 мл 1,2-пропандиола и 20 мл монометилового эфира этиленгликоля, после чего при комнатной температуре осуществляли перемешивание и растворение, чтобы образовать жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника, наносили на прекурсор изолирующего слоя затвора, образуя заданный рисунок, используя струйное устройство. Чтобы образовать прекурсор слоя оксидного полупроводника, подложку нагревали в течение 10 мин на горячей плите, нагретой до 120°С.
Следует отметить, что прекурсор слоя оксидного полупроводника, полученный на этом этапе, не функционирует как активный слой.
- Этап нагрева
Затем подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника и слой изолятора затвора. То есть, прекурсор слоя оксидного полупроводника преобразовали в слой оксидного полупроводника, а прекурсор изолирующего слоя затвора преобразовали в изолирующий слой затвора.
- Формирование электрода истока/стока
Пленку Au формировали на подложке, используя металлическую маску и способ вакуумного осаждения из паровой фазы, чтобы образовать электрод истока/стока.
Посредством изложенной выше процедуры был изготовлен полевой транзистор с нижним затвором/верхним контактом.
<Оценивание характеристик транзистора>
Характеристики полученного полевого транзистора оценивали таким же образом, как в примере 1. Значение SS, вычисленное по измеренным характеристикам ток-напряжение (передаточным характеристикам), составляло 0,43 В.
(Сравнительный пример 2)
Полевой транзистор изготавливали таким же образом, как в примере 2, если не считать того, что этап нагрева в сравнительном примере 2 выполняли после формирования прекурсора изолирующего слоя затвора, чтобы преобразовать прекурсор изолирующего слоя затвора в изолирующий слой затвора, а этап нагрева в примере 2 выполняли после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника, чтобы преобразовать прекурсор слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника. В частности, после формирования прекурсора изолирующего слоя затвора подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать изолирующий слой затвора. Далее, после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника.
Характеристики полученного полевого транзистора оценивали таким же образом, как в примере 2. Представлены измеренные характеристики ток-напряжение (передаточные характеристики). Вычисленное значение SS составляло 0,82 В.
<Положительные эффекты изобретения>
Использованием способа изготовления согласно примеру 2 можно упрощать процесс изготовления благодаря одновременному выполнению этапа высокотемпературного нагрева, необходимого для образования оксидных пленок, составляющих слой полупроводника и изолирующий слой затвора.
Кроме того, понятно, что выполнение этапа термообработки после ламинирования слоя полупроводника и изолирующего слоя затвора делает возможным образование границ раздела, имеющих меньшую плотность дефектов в передней канальной области, и тем самым изготовление транзистора с хорошими SS-характеристиками.
Между тем, в сравнительном примере 2 в процессе преобразования прекурсора изолирующего слоя затвора в изолирующий слой затвора поверхность изолирующего слоя затвора становится поверхностью, находящейся в контакте с воздухом. Поэтому понятно, что на этапе нагрева происходят диффузия и агрегация частиц и атомов на поверхности, приводящие к повышению шероховатости поверхности изолирующего слоя затвора. Понятно, что при формировании слоя оксидного полупроводника на таком неоднородном изолирующем слое затвора повышается плотность дефектов переднего канала, что приводит к ухудшению SS-характеристик.
(Пример 3)
<Изготовление полевого транзистора с нижним затвором/нижним контактом>
- Формирование электрода затвора
Пленку Au формировали на подложке, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод, имеющий заданную форму.
- Формирование изолирующего слоя затвора
Затем для получения изолирующего слоя затвора пленку SiO2 толщиной 200 нм формировали плазмохимическим осаждением из паровой фазы.
- Формирование электрода истока/стока
Пленку оксида индия и олова формировали на изолирующем слое затвора, используя способ распыления.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод истока/стока, имеющий заданную форму.
- Формирование прекурсора слоя оксидного полупроводника
Прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали на подложке и электроде истока/стока. В частности, прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали следующим образом.
Отвешивали 3,55 г нитрата индия (In(NO3)3⋅3H2O) и 0,139 г хлорида стронция (SrCl2⋅6H2O). К ним добавляли 20 мл 1,2-пропандиола и 20 мл монометилового эфира этиленгликоля, после чего при комнатной температуре осуществляли перемешивание и растворение, чтобы образовать жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор слоя оксидного полупроводника, наносили на электрод истока/стока и подложку, образуя заданный рисунок, используя струйное устройство. Чтобы образовать прекурсор слоя оксидного полупроводника, подложку нагревали в течение 10 мин на горячей плите, нагретой до 120°С.
Следует отметить, что прекурсор слоя оксидного полупроводника, полученный на этом этапе, не функционирует как активный слой.
- Формирование прекурсора пассивирующего слоя
Затем формировали прекурсор пассивирующего слоя. В частности, прекурсор пассивирующего слоя формировали следующим образом.
В 1 мл толуола смешивали 0,99 мл раствора 2- этилгексаноата лантана в толуоле (содержание La: 7 мас. %, Wako 122-03371, можно получить от Wako Chemical, Ltd.) и 0,27 мл раствора 2-этилгексоноата стронция в толуоле (содержание Sr: 2 мас. %, Wako 195-09561, можно получить от Wako Chemical, Ltd.), чтобы получить жидкость для покрытия, формирующую прекурсор пассивирующего слоя. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор пассивирующего слоя, наносили капанием и получали покрытие на подложке, используя центрифугирование при заданных режимах. Подложку нагревали в печи при 120°С в течение 1 ч, чтобы образовать прекурсор пассивирующего слоя.
Следует отметить, что прекурсор пассивирующего слоя, полученный на этом этапе, не функционирует как пассивирующий слой.
- Этап нагрева
Затем подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника и пассивирующий слой. То есть, прекурсор слоя оксидного полупроводника преобразовали в слой оксидного полупроводника и прекурсор пассивирующего слоя преобразовали в пассивирующий слой.
Посредством изложенной выше процедуры был изготовлен полевой транзистор с нижним затвором/нижним контактом.
<Оценивание характеристик транзистора>
Характеристики полученного полевого транзистора оценивали таким же образом, как в примере 1. Значение SS, вычисленное по измеренным характеристикам ток-напряжение (передаточным характеристикам), составляло 0,41 В.
(Сравнительный пример 3)
Полевой транзистор изготавливали таким же образом, как в примере 3, если не считать того, что этап нагрева в сравнительном примере 3 выполняли после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника, чтобы преобразовать прекурсор слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника, а этап нагрева в примере 3 выполняли после формирования прекурсора пассивирующего слоя, чтобы преобразовать прекурсор пассивирующего слоя в пассивирующий слой. В частности, после формирования прекурсора слоя оксидного полупроводника подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника. Далее, после формирования прекурсора пассивирующего слоя подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать пассивирующий слой.
Характеристики полученного полевого транзистора оценивали таким же образом, как в примере 3. Значение SS, вычисленное по измеренным характеристикам ток-напряжение (передаточным характеристикам), составляло 0,78.
<Положительные эффекты изобретения>
Способом из примера 3 может обеспечиваться упрощенный процесс изготовления путем одновременного выполнения этапа высокотемпературного нагрева, необходимого для образования оксидных пленок, составляющих слой полупроводника и пассивирующий слой.
Кроме того, понятно, что выполнение этапа термообработки после ламинирования слоя полупроводника и пассивирующего слоя делает возможным образование границ раздела, имеющих меньшую плотность дефектов в задней канальной области, и тем самым изготовление транзистора с хорошими SS-характеристиками.
Между тем, в сравнительном примере 3 в процессе преобразования прекурсора слоя оксидного полупроводника в слой оксидного полупроводника поверхность слоя оксидного полупроводника становится поверхностью, находящейся в контакте с воздухом. Поэтому понятно, что на этапе нагрева происходят диффузия и агрегация частиц и атомов на поверхности, приводящие к повышению плотности дефектов поверхности слоя оксидного полупроводника. Понятно, что такие дефекты вызывают захват зарядов, что приводит к ухудшению SS-характеристик.
(Пример 4)
<Изготовление полевого транзистора с нижним затвором/верхним контактом>
- Формирование электрода затвора
Пленку Cr/Au формировали на подложке, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод затвора, имеющий заданную форму.
- Формирование изолирующего слоя затвора
Затем для образования изолирующего слоя затвора пленку SiO2, имевшую толщину 200 нм, формировали плазмохимическим осаждением из паровой фазы.
- Формирование прекурсора слоя оксидного полупроводника
Прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали на изолирующем слое затвора. В частности, прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали следующим образом.
Отвешивали 3,55 г нитрата индия (In(NO3)3⋅3H2O) и 0,139 г хлорида стронция (SrCl2⋅6H2O). К ним добавляли 20 мл 1,2-пропандиола и 20 мл монометилового эфира этиленгликоля, после чего при комнатной температуре осуществляли перемешивание и растворение, чтобы образовать жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксида. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксида, наносили на изолирующий слой затвора, образуя заданный рисунок, используя струйное устройство. Чтобы образовать прекурсор слоя оксидного полупроводника, подложку нагревали в течение 10 мин на горячей плите, нагретой до 120°С. Следует отметить, что прекурсор слоя оксидного полупроводника, полученный на этом этапе, не функционирует как активный слой.
- Формирование прекурсора пассивирующего слоя
Затем формировали прекурсор пассивирующего слоя. В частности, прекурсор пассивирующего слоя формировали следующим образом.
В 1 мл толуола смешивали 0,99 мл раствора 2- этилгексаноата лантана в толуоле (содержание La: 7 мас.%, Wako 122-03371, можно получить от Wako Chemical, Ltd.) и 0,27 мл раствора 2-этилгексоноата стронция в толуоле (содержание Sr: 2 мас.%, Wako 195-09561, можно получить от Wako Chemical, Ltd.), чтобы получить жидкость для покрытия, формирующую прекурсор пассивирующего слоя. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор пассивирующего слоя, наносили капанием и получали покрытие на подложке, используя центрифугирование при заданных режимах. Подложку нагревали в печи при 120°С в течение 1 ч, чтобы образовать прекурсор пассивирующего слоя. Следует отметить, что прекурсор пассивирующего слоя, полученный на этом этапе, не функционирует как пассивирующий слой.
- Этап нагрева
Затем подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника и пассивирующий слой. То есть, прекурсор слоя оксидного полупроводника преобразовали в слой оксидного полупроводника и прекурсор пассивирующего слоя преобразовали в пассивирующий слой.
После этого выполняли фотолитографию и травление, чтобы придать пассивирующему слою заданную форму.
- Формирование электрода истока/стока
Пленку Au формировали на пассивирующем слое и слое оксидного полупроводника, используя способ вакуумного осаждения из паровой фазы.
Затем выполняли фотолитографию и травление, чтобы придать электроду истока/стока заданную форму.
Посредством изложенной выше процедуры был изготовлен полевой транзистор с нижним затвором/верхним контактом (фиг. 5Н).
(Пример 5)
<Изготовление полевого транзистора с верхним затвором/верхним контактом>
- Формирование прекурсора слоя оксидного полупроводника
Прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали на подложке. В частности, прекурсор слоя оксидного полупроводника формировали следующим образом.
Отвешивали 3,55 г нитрата индия (In(NO3)3⋅3H2O) и 0,139 г хлорида стронция (SrCl2⋅6H2O). К ним добавляли 20 мл 1,2-пропандиола и 20 мл монометилового эфира этиленгликоля, после чего при комнатной температуре осуществляли перемешивание и растворение, чтобы образовать жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксида. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор оксида, наносили на подложку, образуя заданный рисунок, используя струйное устройство. Чтобы образовать прекурсор слоя оксидного полупроводника, подложку нагревали в течение 10 мин на горячей плите, нагретой до 120°С. Следует отметить, что прекурсор слоя оксидного полупроводника, полученный на этом этапе, не функционирует как активный слой.
- Формирование прекурсора изолирующего слоя затвора
Затем формировали прекурсор изолирующего слоя затвора. В частности, прекурсор изолирующего слоя затвора формировали следующим образом.
В 1,2 мл циклогексилбензола смешивали 1,95 мл раствора 2-этилгексаноата лантана в толуоле (содержание La: 7 мас. %, Wako 122-03371, можно получить от Wako Chemical, Ltd.), 0,57 мл раствора 2-этилгексаноата стронция в толуоле (содержание Sr: 2 мас. %, Wako 195-09561, можно получить от Wako Chemical, Ltd.) и 0,09 мл раствора 2-этилгексаноата оксида циркония в уайт-спирите (содержание Zr: 12 мас. %, Wako Chemical, Ltd.), чтобы получить жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора. Жидкость для покрытия, формирующую прекурсор изолирующего слоя затвора, наносили капанием и получали покрытие на подложке, используя центрифугирование при заданных режимах. Подложку нагревали в печи при 120°С в течение 1 ч, чтобы образовать прекурсор изолирующего слоя затвора.
Следует отметить, что прекурсор изолирующего слоя затвора, полученный на этом этапе, не функционирует как изолирующий слой затвора.
Этап нагрева
Затем подложку нагревали в печи при 400°С в течение 3 ч, чтобы образовать слой оксидного полупроводника и изолирующий слой затвора. То есть, прекурсор слоя оксидного полупроводника преобразовали в слой оксидного полупроводника и прекурсор изолирующего слоя затвора преобразовали в изолирующий слой затвора.
- Формирование электрода затвора
Пленку Al формировали на изолирующем слое затвора, используя распыление на постоянном токе. Затем фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод затвора, имеющий заданную форму. Изолирующий слой затвора в области, в которой был образован электрод затвора, удаляли травлением, чтобы сформировать рисунок в изолирующем слое затвора.
- Формирование промежуточного изолирующего слоя
Затем пленку SiO2 формировали плазмохимическим осаждением из паровой фазы до достижения толщины 300 нм. Фотолитографию и травление выполняли для удаления SiO2 в области, в которой не формировали рисунок в резисте, чтобы образовать промежуточный изолирующий слой.
- Формирование электрода истока/стока
Пленку Al формировали на подложке, используя распыление на постоянном токе.
Фотолитографию и травление выполняли, чтобы образовать электрод истока/стока, имеющий заданную форму.
Посредством изложенной выше процедуры был изготовлен полевой транзистор с верхним затвором/верхним контактом (фиг. 6F).
Аспекты настоящего изобретения представлены для примера ниже.
1. Способ изготовления полевого транзистора, включающего слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом способ включает в себя формирование слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, при этом формирование включает в себя по меньшей мере одну из обработок (I) и (II), приводимых ниже, (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида.
2. Способ изготовления полевого транзистора по пункту 1, в котором слой первого оксида включает в себя оксидный изолирующий слой и слой второго оксида включает в себя слой оксидного полупроводника.
3. Способ изготовления полевого транзистора по пункту 2, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя изолирующий слой затвора.
4. Способ изготовления полевого транзистора по пункту 1, в котором слой первого оксида включает в себя слой оксидного полупроводника и слой второго оксида включает в себя оксидный изолирующий слой.
5. Способ изготовления полевого транзистора по пункту 4, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя изолирующий слой затвора.
6. Способ изготовления полевого транзистора по пункту 4, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя пассивирующий слой.
7. Способ изготовления полевого транзистора по любому одному из пунктов 1-6, в котором преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида осуществляют нагревом.
Благодаря настоящему изобретению можно решать существующие проблемы, рассмотренные выше, и можно иметь способ изготовления полевого транзистора, в котором при использовании способа нанесения покрытия для формирования переднего канала и заднего канала можно получать однородную границу раздела переднего канала и однородную границу раздела заднего канала и уменьшать плотность дефектов, что делает возможным улучшение характеристик транзистора.
Перечень позиций
1 - подложка;
2 - электрод истока;
3 - электрод стока;
4' - прекурсор слоя оксидного полупроводника;
4 - слой оксидного полупроводника;
5' - прекурсор изолирующего слоя затвора;
5 - изолирующий слой затвора;
6 - электрод затвора;
7' - прекурсор пассивирующего слоя;
7 - пассивирующий слой;
8 - промежуточный изолирующий слой;
23 - электродная пленка.
Claims (14)
1. Способ изготовления полевого транзистора, включающего в себя слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом один из слоя первого оксида и слоя второго оксида является слоем оксидного полупроводника, при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:
формируют слой первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и слой второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, и затем преобразуют слой первого прекурсора и слой второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, при этом
упомянутое формирование включает в себя как обработку (I), так и обработку (II), приведенные ниже:
(I) обработка: нанесение жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и
(II) обработка: нанесение жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель; и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, и
одновременное выполнение термообработки при температуре от 200°С до 600°С слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора, чтобы преобразовать слой первого прекурсора и слой второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно.
2. Способ изготовления полевого транзистора по п. 1, в котором слой первого оксида включает в себя оксидный изолирующий слой, и слой второго оксида включает в себя слой оксидного полупроводника.
3. Способ изготовления полевого транзистора по п. 2, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя изолирующий слой затвора.
4. Способ изготовления полевого транзистора по п. 1, в котором слой первого оксида включает в себя слой оксидного полупроводника, и слой второго оксида включает в себя оксидный изолирующий слой.
5. Способ изготовления полевого транзистора по п. 4, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя изолирующий слой затвора.
6. Способ изготовления полевого транзистора по п. 4, в котором оксидный изолирующий слой включает в себя пассивирующий слой.
7. Способ изготовления полевого транзистора по любому одному из пп. 1-6, в котором преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида соответственно осуществляют нагревом.
8. Способ изготовления полевого транзистора по п. 1, в котором один из слоя первого оксида и слоя второго оксида является оксидным изолирующим слоем, и
при этом оксидный изолирующий слой содержит элемент группы А, который представляет собой щелочноземельный металл, и элемент группы В, который представляет собой по меньшей мере один, выбираемый из группы, состоящей из галлия (Ga), скандия (Sc), иттрия (Y) и лантаноида.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016055630 | 2016-03-18 | ||
| JP2016-055630 | 2016-03-18 | ||
| JP2017-038178 | 2017-03-01 | ||
| JP2017038178 | 2017-03-01 | ||
| PCT/JP2017/010279 WO2017159702A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-03-14 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2706296C1 true RU2706296C1 (ru) | 2019-11-15 |
Family
ID=59851204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018136356A RU2706296C1 (ru) | 2016-03-18 | 2017-03-14 | Способ изготовления полевого транзистора |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10586873B2 (ru) |
| EP (1) | EP3432349A4 (ru) |
| JP (1) | JP6607309B2 (ru) |
| KR (1) | KR20180124934A (ru) |
| CN (1) | CN108780756B (ru) |
| RU (1) | RU2706296C1 (ru) |
| SG (1) | SG11201807957SA (ru) |
| TW (1) | TWI681461B (ru) |
| WO (1) | WO2017159702A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7305933B2 (ja) | 2018-07-23 | 2023-07-11 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、酸化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP7326795B2 (ja) | 2019-03-20 | 2023-08-16 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| RU2745586C1 (ru) * | 2020-01-22 | 2021-03-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177149A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属酸化物半導体とその製造方法および薄膜トランジスタ |
| RU2390072C2 (ru) * | 2005-11-08 | 2010-05-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
| JP2010129742A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子デバイス及びその製造方法 |
| WO2014045543A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、画像表示装置 |
| JP2014123670A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Panasonic Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118811B2 (ru) | 1972-08-01 | 1976-06-12 | ||
| KR100995451B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
| CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
| JP5213422B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
| JP5423396B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2014-02-19 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
| US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| JP5899615B2 (ja) | 2010-03-18 | 2016-04-06 | 株式会社リコー | 絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6015389B2 (ja) | 2012-11-30 | 2016-10-26 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP6454974B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-01-23 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、金属酸化物膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6421446B2 (ja) | 2013-06-28 | 2018-11-14 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム |
| JP6264090B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-01-24 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| SG11201600622WA (en) * | 2013-08-09 | 2016-02-26 | Japan Adv Inst Science & Tech | Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device |
| JP6394171B2 (ja) | 2013-10-30 | 2018-09-26 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| EP3142160A4 (en) * | 2014-05-08 | 2017-05-24 | Fujifilm Corporation | Semiconductor element and insulating layer-forming composition |
| JP6651714B2 (ja) | 2014-07-11 | 2020-02-19 | 株式会社リコー | ｎ型酸化物半導体製造用塗布液、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| EP3432344A4 (en) | 2016-03-14 | 2019-06-19 | Japan Advanced Institute of Science and Technology | LAMINATE, ACID MASK, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A LAMINATE, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A PAINT MASK AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A THIN-COAT TRANSISTOR |
-
2017
- 2017-03-14 RU RU2018136356A patent/RU2706296C1/ru active
- 2017-03-14 EP EP17766699.7A patent/EP3432349A4/en not_active Withdrawn
- 2017-03-14 JP JP2018505964A patent/JP6607309B2/ja active Active
- 2017-03-14 CN CN201780017476.8A patent/CN108780756B/zh active Active
- 2017-03-14 KR KR1020187029755A patent/KR20180124934A/ko not_active Ceased
- 2017-03-14 SG SG11201807957SA patent/SG11201807957SA/en unknown
- 2017-03-14 WO PCT/JP2017/010279 patent/WO2017159702A1/ja active Application Filing
- 2017-03-15 TW TW106108544A patent/TWI681461B/zh active
-
2018
- 2018-09-14 US US16/131,760 patent/US10586873B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2390072C2 (ru) * | 2005-11-08 | 2010-05-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
| JP2009177149A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属酸化物半導体とその製造方法および薄膜トランジスタ |
| JP2010129742A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子デバイス及びその製造方法 |
| WO2014045543A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、画像表示装置 |
| JP2014123670A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Panasonic Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3432349A1 (en) | 2019-01-23 |
| CN108780756A (zh) | 2018-11-09 |
| WO2017159702A1 (ja) | 2017-09-21 |
| TWI681461B (zh) | 2020-01-01 |
| US20190027608A1 (en) | 2019-01-24 |
| JP6607309B2 (ja) | 2019-11-20 |
| JPWO2017159702A1 (ja) | 2019-01-24 |
| EP3432349A4 (en) | 2019-03-20 |
| CN108780756B (zh) | 2021-10-22 |
| TW201735188A (zh) | 2017-10-01 |
| SG11201807957SA (en) | 2018-10-30 |
| KR20180124934A (ko) | 2018-11-21 |
| US10586873B2 (en) | 2020-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9640668B2 (en) | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target | |
| US8679587B2 (en) | Solution deposition of inorganic materials and electronic devices made comprising the inorganic materials | |
| US9768307B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US9779937B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| CN105190854B (zh) | 用于形成金属氧化物膜的涂布液、金属氧化物膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 | |
| US9741864B2 (en) | Thin-film transistor and method for manufacturing same | |
| RU2706296C1 (ru) | Способ изготовления полевого транзистора | |
| US20140030845A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| EP2647039A1 (en) | Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field effect transistor, and method for producing the field effect transistor | |
| JP2015520716A (ja) | 低温工程を利用した酸化物薄膜の製造方法、酸化物薄膜及びその電子素子 | |
| JP6233081B2 (ja) | ゲート絶縁膜、組成物、硬化膜、半導体素子、半導体素子の製造方法および表示装置 | |
| KR20130075463A (ko) | 산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자 | |
| CN208722925U (zh) | 一种显示器件的封装结构、显示装置 | |
| JP2011216880A (ja) | 半導体装置 | |
| CN107527946A (zh) | 氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| KR20200011025A (ko) | 금속 산화물, 전계 효과형 트랜지스터, 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP2018098222A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| KR20120118171A (ko) | 마그네슘 산화물 패시배이션 층을 갖는 전자 장치 및 그 제조 방법 |