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WO1999066347A1 - Capteur d'image radiologique - Google Patents

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Publication number
WO1999066347A1
WO1999066347A1 PCT/JP1999/003263 JP9903263W WO9966347A1 WO 1999066347 A1 WO1999066347 A1 WO 1999066347A1 JP 9903263 W JP9903263 W JP 9903263W WO 9966347 A1 WO9966347 A1 WO 9966347A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
scintillator
image sensor
film
panel
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/003263
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshio Takabayashi
Takuya Homme
Hiroto Sato
Original Assignee
Hamamatsu Photonics K.K.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics K.K. filed Critical Hamamatsu Photonics K.K.
Priority to DE69934126T priority Critical patent/DE69934126T2/de
Priority to AU41680/99A priority patent/AU4168099A/en
Priority to EP99925376A priority patent/EP1115011B1/en
Publication of WO1999066347A1 publication Critical patent/WO1999066347A1/ja
Priority to US09/739,425 priority patent/US6469305B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers

Definitions

  • the present invention relates to a radiation image sensor used for medical X-ray photography and the like. Background art
  • X-ray photosensitive films have been used in medical and industrial X-ray photography, but radiation imaging systems using radiation detection elements have become widespread in terms of convenience and preservation of imaging results.
  • pixel data based on two-dimensional radiation is acquired as an electric signal by a radiation detecting element, and this signal is processed by a processing device and displayed on a monitor.
  • a radiation detecting element disclosed in WO92 / 064676 is known.
  • a scintillator formed on a substrate and an image sensor are joined with an adhesive, and radiation incident from the substrate side is converted into visible light and detected by the scintillator.
  • the tip of the scintillator is attached to the light receiving surface of the image sensor when bonding to the image sensor. There is a danger that the tip of the scintillator will be damaged.
  • the image sensor and the scintillator are fixed with an adhesive, a distortion due to a temperature change occurs in the substrate, and the distortion may cause damage to the columnar crystal of the scintillator.
  • a cooling type CCD is used for the image sensor, a sudden change in temperature causes an increase in distortion, so that the scintillation is easily damaged.
  • An object of the present invention is to provide a radiation image sensor capable of preventing damage to a scintillator. Disclosure of the invention
  • the present invention relates to a radiation image sensor including a scintillation panel and an imaging element, wherein the scintillation panel is a radiation-transmissive substrate, a scintillation panel formed on the substrate, and an elastic covering the scintillation panel.
  • An organic film having an organic film, and an optical coupling material interposed between the scintillation panel and the imaging element, and the scintillation panel and the imaging element are overlapped with each other. Is fixed with resin.
  • the scintillator since the scintillator is covered with the organic film having elasticity and the image pickup device is overlapped with the optical bonding material interposed therebetween, the panel of the scintillator is imaged via the organic film having elasticity. In the case of bonding to the element, the impact acting on the scintillation can be reduced, and the damage of the scintillation can be prevented. Even when the substrate is distorted due to a temperature change, since the scintillator is covered with the elastic organic film, the elastic organic film acts on the scintillator based on the distortion of the substrate. This can alleviate the stress that occurs, and can prevent breakage of the scintillation.
  • the present invention is characterized in that the scintillator of the radiation image sensor has a columnar structure.
  • the tip of the scintillator having the columnar structure is covered with the organic film having elasticity, the tip of the scintillator having the columnar structure is overlapped when the scintillator panel is overlapped with the imaging device.
  • the stress acting on the scintillator due to the shock acting on the surface and the strain due to the temperature change can be reduced, and the tip of the scintillator having a columnar structure can be prevented from being damaged.
  • FIG. 1 is a sectional view of a radiation image sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a diagram showing a manufacturing step of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2B is a diagram showing a manufacturing step of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2C is a diagram showing a manufacturing step of the scintillating light panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is a diagram showing a manufacturing step of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3B is a diagram showing a manufacturing step of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a sectional view of a radiation image sensor 2 according to the exemplary embodiment.
  • the radiation image sensor 2 has a configuration in which a scintillator panel 4 and an image sensor 6 are bonded together and housed in a ceramic case 8.
  • a scintillator panel 12 having a columnar structure for converting incident radiation into visible light is formed on one surface of the substrate 10 made of A1 of the scintillator panel 4.
  • T 1 -doped CsI is used for this scintillation.
  • the entire surface of the scintillator 12 formed on the substrate 10 is covered with a first polyparaxylylene film (first organic film) 14 having elasticity along with the substrate 10.
  • a SiO 2 (transparent inorganic film) film 16 is formed on the surface of the first polyparaxylylene film 14 on the side.
  • the second Poripa Rakishiriren film S i 0 2 film 1 6 surface and the first surface of the polyparaxylylene film 1 4 S i 0 2 film 1 6 is not formed part of the substrate 1 side 0 of the (Second organic film) 18 is formed, and the entire surface is covered with a second polyparaxylylene film 18.
  • the image sensor 6 is connected via a silicone resin layer 20 as a matching oil.
  • the image sensor The bottom of 6 is housed in the housing 8 a of the ceramic case 8.
  • an optical coupling material such as silicone boring gel such as Silgard (registered trademark) available from Dow Corning Co., Ltd. is used.
  • the side wall portions of the scintillator panel 4 and the image sensor 6 are hardened by a resin 24 for protecting the bonding wires 22 and fixing the scintillator panel 4 to the ceramic case 8.
  • a columnar crystal of CsI doped with T1 is grown on one surface of a rectangular substrate A1 (0.5 mm thick) made of rectangular A1 as shown in Fig.
  • One night 12 is formed to a thickness of 2000 m (see Fig. 2B).
  • a polyparaxylylene film 14 is formed. That is, the substrate 10 on which the scintillation layer 12 is formed is put into a CVD apparatus, and a first polyparaxylylene film 14 is formed to a thickness of 10 ⁇ m. As a result, a first polyparaxylylene film 14 is formed on the entire surface of the scintillator 12 and the substrate 10 (see FIG. 2C). The first polyparaxylylene film 14 also has a role of flattening the tip of the scintillator 12 because the tip of the scintillator 12 is uneven.
  • the SiO 2 film 16 is intended to improve the moisture resistance of the scintillator 12, it is formed in a range that covers the scintillator 12. As described above, since the tip of the scintillator film 12 is flattened by the first polyparaxylylene film 14, the SiO 2 film 16 is thinned so that the output light quantity does not decrease ( (100 ⁇ ! ⁇ 300 nm).
  • the image sensor 6 is attached to the scintillator panel 12 side of the scintillator panel 4 via the silicone resin layer 20.
  • the bottom of the imaging element 6 attached to the panel 4 was accommodated in the accommodation section 8a of the ceramic case 8, and was fixed to the pad section of the imaging element 6 and the ceramic case 8 by bonding wires 22. Electrical connection to lead bin.
  • the side walls of the scintillator panel 4 and the image sensor 6 are hardened with resin 24.
  • the scintillator 12 is covered with the first polyparaxylylene film 14 and the image sensor 6 is bonded with the silicon resin 20 therebetween. Therefore, the first polyparaxylylene film 14 can alleviate the impact acting on the front end of the scintillator panel 12 when the scintillator panel 4 is bonded to the image sensor 6, and can reduce the impact on the scintillator panel 1. The breakage of the tip of 2 can be prevented. Even when the substrate 10 is distorted due to a temperature change, the first polyparaxylylene film 14 is covered with the first polyparaxylylene film 14 because the scintillation layer 12 is covered with the first polyparaxylylene film 14. The film 14 can relieve the stress acting on the scintillator 12 based on the distortion of the substrate 10 and prevent the scintillator 12 from being damaged.
  • the matching oil optical coupling material
  • a silicon tree ⁇ -gear 20 is used for this purpose, the present invention is not limited to this, and an epoxy tree girder, silicon foil or the like may be used.
  • the side walls of the scintillator panel 4 and the image pickup device 6 are combined into one.
  • the resin for protecting the bonding wires 22 and the resin for fixing the scintillator plate 4 to the ceramic case 8 may be separate resins.
  • S i 0 2 film as the transparent inorganic film 1 6, Al 2 Oa not limited to, T i 0 2, ln 2 0 3, S n0 2, MgO, MgF 2, L i F, C a F 2, S i N0 , may be used an inorganic film to AgC l and S i N or the like material.
  • C s I (T 1) is used as 12 for scintillation, but not limited thereto, C si (Na), Na I (T l), L i I (E u), KI (T 1), etc. may be used.
  • a substrate made of A1 is used as the substrate 10.
  • any substrate having good X-ray transmittance may be used.
  • Substrate, a substrate made of C (graphite), a substrate made of Be, a substrate made of SiC, or the like may be used.
  • the scintillation layer 12 is covered with the first polyparaxylylene film 14, the SiO 2 film 16 and the second polyparaxylylene film 18,
  • the first polyparaxylylene film 14 may be covered only, or the first polyparaxylylene film 14 and the SiO 2 film 16 may be covered.
  • the damage of the scintillator 12 is the same as in the case of the radiation image sensor 2 according to the above-described embodiment. Prevention can be achieved.
  • the imaging device 6 is used, but a cooling type imaging device (C-CCD) may be used.
  • C-CCD cooling type imaging device
  • the polyparaxylylene film in the above-described embodiment includes polymonoxylylene, polydichloroparaxylylene, polytetracloxyl paraxylylene, polyfluoroparaxylylene, polydimethylparaxylylene, and polyjexylene. Chilparaxylylene and the like can be used.
  • the scintillation is covered with the organic film having a hydrophilic property and the imaging element is overlapped with the matching oil interposed therebetween, the scintillation is performed via the organic film having elasticity.
  • the shock acting on the scintillator can be reduced, and the tip of the scintillator can be prevented from being damaged.
  • the elastic organic film acts on the scintillator based on the distortion of the substrate. This can alleviate the stress that occurs and can prevent breakage of scintillation.
  • the radiation image sensor according to the present invention is suitable for use in medical and industrial X-ray photography and the like.

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Description

明糸田
放射線ィメ一： 技術分野
この発明は、 医療用の X線撮影等に用いられる放射線イメージセンサに関する ものである。 背景技術
医療、 工業用の X線撮影では、 X線感光フィルムが用いられてきたが、 利便性 や撮影結果の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステ ムが普及してきている。 このような放射線イメージングシステムにおいては、 放 射線検出素子により 2次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、 この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
従来、 代表的な放射線検出素子として、 W0 9 2 / 0 6 4 7 6号公報に開示さ れている放射線検出素子が知られている。 この放射線検出素子は、 基板上に形成 されたシンチレ一夕と撮像素子とを接着剤で接合し、 基板側から入射した放射線 をシンチレ一夕で可視光に変換して検出している。
ところで、 基板上に形成されたシンチレ一夕の一つ一つの柱状結晶の高さは一 定ではなく凹凸を有するため、 撮像素子と貼り合わせる際にシンチレ一夕の先端 部が撮像素子の受光面にぶっかりシンチレ一夕の先端部を破損してしまう恐れが ある。 また、 撮像素子とシンチレ一夕を接着剤により固着した場合には、 温度変 化による歪みが基板に生じ、 この歪みによりシンチレ一夕の柱状結晶に破損が生 じることがある。 特に撮像素子に冷却型 C C Dを用いる場合には、 急激な温度変 化により歪みが大きくなることからシンチレ一夕の破損が生じ易くなる。
この発明は、 シンチレ一夕の破損を防止することができる放射線イメージセン サを提供することを目的とする。 発明の開示
この発明は、 シンチレ一夕パネルと撮像素子とを備える放射線イメージセンサ において、 シンチレ一夕パネルが放射線透過性の基板と、 この基板上に形成され たシンチレ一夕と、 このシンチレ一夕を覆う弾性を有する有機膜とを備え、 シン チレ一夕パネルと撮像素子との間に光学結合材料を介在させてシンチレ一夕パネ ルと撮像素子とを重ね合わせ、 シンチレ一夕パネル及び撮像素子の側壁部を樹脂 で固着したことを特徴とする。
この発明によれば、 シンチレ一夕を弾性を有する有機膜により覆い、 光学結 合材料を介在させて撮像素子とを重ね合わせているため、 弾性を有する有機膜を 介してシンチレ一夕パネルを撮像素子に貼り合わせる場合にシンチレ一夕に作用 する衝撃を緩和することができ、 シンチレ一夕の破損を防止することができる。 また、 温度変化により基板に歪みが生じた場合であっても、 シンチレ一夕が弾性 を有する有機膜により覆われているため、 この弾性を有する有機膜により基板の 歪みに基づきシンチレ一夕に作用する応力を緩和することができ、 シンチレ一夕 の破損を防止することができる。
また、 この発明は、 放射線イメージセンサのシンチレ一夕が柱状構造を有する ことを特徴とする。 この発明によれば、 柱状構造を有するシンチレ一夕の先端部 が弾性を有する有機膜により覆われているため、 シンチレ一夕パネルを撮像素子 に重ね合わせる場合に柱状構造のシンチレ一夕の先端部に作用する衝撃及び温度 変化による歪みに基づきシンチレ一夕に作用する応力を緩和することができ柱状 構造のシンチレー夕の先端部の破損を防止することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、この発明の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。 図 2 Aは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。 図 2 Bは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 2 Cは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 3 Aは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 3 Bは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図 1〜図 3 Bを参照して、 この発明の実施の形態の説明を行う。 図 1は 実施の形態にかかる放射線イメージセンサ 2の断面図である。図 1に示すように、 放射線イメージセンサ 2は、シンチレ一夕パネル 4と撮像素子 6とを貼り合わせ、 セラミックケース 8に収容した構成を有している。
ここでシンチレ一タパネル 4の A 1製の基板 1 0の一方の表面には、 入射し た放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレ一夕 1 2が形成されている。 こ のシンチレ一夕 1 2には、 T 1 ドープの C s Iが用いられている。 この基板 1 0 に形成されたシンチレ一夕 1 2は、 基板 1 0と共に全面が弾性を有する第 1のポ リパラキシリレン膜 （第 1の有機膜） 1 4で覆われており、 シンチレ一夕 1 2側 の第 1のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に S i 0 2 (透明無機膜） 膜 1 6が形 成されている。 更に、 S i 0 2膜 1 6の表面及び基板 1 0側の S i 0 2膜 1 6が 形成されていない部分の第 1のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に第 2のポリパ ラキシリレン膜 （第 2の有機膜） 1 8が形成されており全面が第 2のポリパラキ シリレン膜 1 8で覆われている。
また、 撮像素子 6は、 マッチングオイルとしてのシリコン樹脂層 2 0を介し
'—夕 1 2側に貼り付けられており、 撮像素子 6の底部がセラミックケース 8の収容部 8 aに収容されている。 なお、 マツチン グオイルしては、 ダウ . コ一ニング社から入手しうるシルガード （登録商標） の 様なシリコーン ·ボヅティング ·ゲル等の光学結合材料が用いられる。 更に、 シ ンチレ一夕パネル 4及び撮像素子 6の側壁部がボンディングワイヤ 2 2を保護し シンチレ一夕プレート 4をセラミックケース 8に固定するための樹脂 2 4により 固められている。
次に、 図 2 A〜図 3 Bを参照して、 シンチレ一夕パネル 4の製造工程について 説明する。 図 2 Aに示されるような矩形の A 1製の基板 1 0 (厚さ 0 . 5 mm) の一方の表面に、 T 1をドープした C s Iの柱状結晶を蒸着法によって成長させ てシンチレ一夕 1 2を 2 0 0〃mの厚さで形成する （図 2 B参照）。
シンチレ一夕 1 2を形成する C s Iは、 吸湿性が高く露出したままにしておく と空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、 これを防止するために C V D 法により第 1のポリパラキシリレン膜 1 4を形成する。 即ち、 シンチレ一夕 1 2 が形成された基板 1 0を C V D装置に入れ、 第 1のポリパラキシリレン膜 1 4を 1 0〃mの厚さで成膜する。 これによりシンチレ一夕 1 2及び基板 1 0の表面全 体に第 1のポリパラキシリレン膜 1 4が形成される （図 2 C参照）。 シンチレ一 夕 1 2の先端部は凹凸であることから、この第 1のポリパラキシリレン膜 1 4は、 シンチレ一夕 1 2の先端部を平坦化する役目も有する。
次に、 シンチレ一夕 1 2側の第 1のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に S i 02膜 1 6をスパッタリングにより 2 0 0 n mの厚さで成膜する （図 3 A参照）。 S i 0 2膜 1 6は、 シンチレ一夕 1 2の耐湿性の向上を目的とするものであるた め、 シンチレ一夕 1 2を覆う範囲で形成される。 上述のようにシンチレ一夕 1 2 の先端部は、 第 1のポリパラキシリレン膜 1 4により平坦化されているため、 出 力光量が減少しないように S i 02膜 1 6を薄く （ 1 0 0 ηπ！〜 3 0 0 n m) 形 成することができる。
更に、 S i 0 2膜 1 6の表面及び基板 1 0側の S i 0 2膜 1 6が形成されてい ない第 1のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に、 C V D法により S i 0 2膜 1 6 の剥がれ防止のための第 2のポリパラキシリレン膜 1 8を 1 0 m厚さで成膜す る （図 3 B参照）。 この工程を終了することによりシンチレ一夕パネル 4の製造 が終了する。
その後、 撮像素子 6をシリコン樹脂層 2 0を介してシンチレ一夕パネル 4の シンチレ一夕 1 2側に貼り付ける。 また、 シンチレ一夕パネル 4に貼り付けられ た撮像素子 6の底部をセラミックケース 8の収容部 8 aに収容して、 ボンディン グワイヤ 2 2により撮像素子 6のパッド部とセラミックケース 8に固定されたリ —ドビンとを電気的に接続する。 そして、 ボンディングワイヤ 2 2を保護するた め及びシンチレ一夕プレート 4をセラミックケース 8に固定するために、 シンチ レー夕パネル 4及び撮像素子 6の側壁部を樹脂 2 4により固める。 この工程を終 了することにより、 図 1に示す放射線イメージセンサ 2の製造が終了する。 この実施の形態にかかる放射線イメージセンサ 2によれば、 シンチレ一夕 1 2 を第 1のポリパラキシリレン膜 1 4により覆い、 シリコン樹脂 2 0を介在させて 撮像素子 6とを貼り合わせているため、 第 1のポリパラキシリレン膜 1 4により シンチレ一夕パネル 4を撮像素子 6に貼り合わせる場合にシンチレ一夕 1 2の先 端部に作用する衝撃を緩和することができシンチレ一夕 1 2の先端部の破損を防 止することができる。 また、 温度変化により基板 1 0に歪みが生じた場合であつ ても、 シンチレ一夕 1 2が第 1のポリパラキシリレン膜 1 4により覆われている ため、 この第 1のポリパラキシリレン膜 1 4により基板 1 0の歪みに基づきシン チレ一夕 1 2に作用する応力を緩和することができシンチレ一夕 1 2の破損を防 止することができる。
また、 シンチレ一夕パネル 4及び撮像素子 6の側壁部が樹脂 2 4により固め られているためシンチレ一夕パネル 4と撮像素子 6との接続を強固なものとする ことができる。
なお、 上述の実施の形態においては、 マッチングオイル （光学結合材料） と してシリコン樹 β旨 2 0を用いているが、 これに限らずエポキシ樹月旨、 シリコンォ ィル等を用いても良い。
また、 上述の実施の形態においては、 ボンディングワイヤ 2 2を保護するた め及びシンチレ一夕プレート 4をセラミックケース 8に固定するために、 シンチ レー夕パネル 4及び撮像素子 6の側壁部を一つの樹脂 24により固めるているが、 ボンディングワイヤ 22を保護するための樹脂とシンチレ一夕プレート 4をセラ ミックケース 8に固定するための樹脂とを別々の樹脂としても良い。
また、 透明無機膜 1 6として S i 02膜を用いているが、 これに限らず Al2 Oa, T i 02， l n 203 , S n02 , MgO, MgF2, L i F， C a F2, S i N0、 AgC l及び S i N等を材料とする無機膜を使用しても良い。
また、 上述の実施の形態においては、 シンチレ一夕 1 2として C s I (T 1) が用いられているが、 これに限らず C s i (Na), Na I (T l)、 L i I (E u)、 K I (T 1) 等を用いてもよい。
また、 上述の実施の形態においては、 基板 1 0として A 1製の基板が用いら れているが、 X線透過率の良い基板であればよいことから、 炭素を主成分とする アモルファスカーボン製の基板や、 C (グラフアイ ト）製の基板、 B e製の基板、 S i C製の基板等を用いてもよい。
また、 上述の実施の形態においては、 シンチレ一夕 1 2が第 1のポリパラキ シリレン膜 1 4、 S i 02膜 1 6及び第 2のポリパラキシリレン膜 1 8により覆 われているが、 第 1のポリパラキシリレン膜 14のみで覆うようにしても良く、 また、 第 1のポリパラキシリレン膜 14及び S i 02膜 1 6で覆うようにしても 良い。 この場合においてもシンチレ一夕 1 2と接する第 1のポリパラキシリレン 膜 14が弾性を有するため、 上述の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ 2 の場合と同様にシンチレ一夕 1 2の破損の防止を図ることができる。
また、 上述の実施の形態においては、 撮像素子 6を用いているが、 冷却型撮 像素子 （C— CCD) を用いても良い。 この場合には、 急激な温度変化によりシ ンチレ一夕に作用する応力が大きくなるため、 弾性を有する有機膜によるシンチ レー夕破損防止の効果が増大する。
また、 上述の実施の形態における、 ポリパラキシリレン膜には、 ポリパラキシ リレンの他、 ポリモノクロ口パラキシリレン、 ポリジクロロパラキシリレン、 ポ リテトラクロ口パラキシリレン、 ポリフルォロパラキシリレン、 ポリジメチルパ ラキシリレン、 ポリジェチルパラキシリレン等を使用できる。
この発明の放射線イメージセンサによれば、 シンチレ一夕を弹性を有する有機 膜により覆い、 マッチングオイルを介在させて撮像素子とを重ね合わせているた め、 弾性を有する有機膜を介してシンチレ一夕パネルを撮像素子に重ね合わせる 場合にシンチレ一夕に作用する衝撃を緩和することができシンチレ一夕の先端部 の破損を防止することができる。 また、 温度変化により基板に歪みが生じた場合 であっても、 シンチレ一夕が弾性を有する有機膜により覆われているため、 この 弾性を有する有機膜により基板の歪みに基づきシンチレ一夕に作用する応力を緩 和することができシンチレ一夕の破損を防止することができる。 産業上の利用可能性
以上のように、 この発明にかかる放射線イメージセンサは、 医療、 工業用の X線 撮影等に用いるのに適している。

Claims

言青求の範囲
1 .シンチレ一夕パネルと撮像素子とを備える放射線イメージセンサにおいて、 前記シンチレ一夕パネルは、 放射線透過性の基板と、 この基板上に形成され たシンチレ一夕と、 このシンチレ一夕を覆う弾性を有する有機膜とを備え、 前記シンチレ一夕パネルと前記撮像素子との間に光学結合材料を介在させて 前記シンチレ一夕パネルと前記撮像素子とを重ね合わせ、 前記シンチレ一夕パネ ル及び前記撮像素子の側壁部を樹脂で固着したことを特徴とする放射線イメージ センサ。
2 . 前記シンチレ一夕は、 柱状構造を有することを特徴とする請求項 1記載の 放射線イメージセンサ。
PCT/JP1999/003263 1998-06-19 1999-06-18 Capteur d'image radiologique WO1999066347A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69934126T DE69934126T2 (de) 1998-06-19 1999-06-18 Strahlungsbildsensor
AU41680/99A AU4168099A (en) 1998-06-19 1999-06-18 Radiation image sensor
EP99925376A EP1115011B1 (en) 1998-06-19 1999-06-18 Radiation image sensor
US09/739,425 US6469305B2 (en) 1998-06-19 2000-12-18 Radiation image sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17308098A JP3789646B2 (ja) 1998-06-19 1998-06-19 放射線イメージセンサ
JP10/173080 1998-06-19

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09/739,425 Continuation-In-Part US6469305B2 (en) 1998-06-19 2000-12-18 Radiation image sensor

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