TWI676307B - 有機電致發光裝置及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種有機電致發光裝置,包括:基板;多個第一電極,設置在基板上,每個第一電極均用以形成發光單元;絕緣層,設置在基板上,用以限定發光單元的畫素區域;多個第二電極,設置在基板上,每個第二電極均用以形成發光單元,其中各第二電極間隔設置形成隔離溝槽。上述有機電致發光裝置,第二電極之間預留間隔形成隔離溝槽,較傳統技術,取消了隔離柱,從而增加了發光裝置的柔韌性,進而利用發光裝置製得的屏體柔性較好,更好滿足柔性可彎折的顯示要求。還提出一種上述有機電致發光裝置的製備方法。
Description
本發明是有關於一種平板顯示技術領域,且特別是有關於一種有機電致發光裝置及其製備方法。
常規的有機電致發光裝置(Organic Light Emitting Display,OLED)分為主動式有機電致發光裝置(AMOLED)和被動式有機電致發光裝置(PMOLED),但無論是在AMOLED的製備還是PMOLED的製備過程中,某些層的圖形化通常會使用微影製程,即使用光罩(photo mask)進行刻蝕。
目前,在PMOLED的製備過程中,一般需要四道微影工序,對於常規製程流程來說,需要進行微影製程的層別依次為:金屬層、氧化銦錫(ITO)層、絕緣層、隔離柱層。而對於後鍍製程流程來說,需要進行微影製程的層別依次為ITO層、金屬層、絕緣層、隔離柱層,這些微影製程中均需使用光罩將圖形刻蝕出來;當這些層製備完成後再進行有機材料和陰極的蒸鍍製程,然後進行封裝製程,最後進行模組流程。類似的製備方法可以參考中國專利CN200810227260.7。
但上述製程流程製備出的有機電致發光裝置彎折後,隔離柱容易倒塌、斷裂、易造成由隔離柱所隔離之相鄰的發光單元彼此相連接。另外,隔離柱的高度影響薄膜封裝效果,影響柔性屏的可靠性及可彎折性。
基於此,有必要提供一種有機電致發光裝置,具有較好的柔韌性。
根據本發明的一個方面,提供了一種有機電致發光裝置,包括:基板;多個第一電極,設置在所述基板上,每個所述第一電極均用以形成發光單元;絕緣層,設置在所述基板上,用以限定所述發光單元的畫素區域;多個第二電極,設置在所述基板上,每個所述第二電極均用以形成發光單元,其中各第二電極間隔設置形成隔離溝槽。
上述有機電致發光裝置,第二電極之間形成隔離溝槽,較傳統技術,取消了隔離柱,從而增加了發光裝置的柔韌性,進而利用發光裝置製得的屏體柔性較好,更好滿足柔性可彎折的顯示要求。
在其中一個實施例中,所述基板為玻璃基板。
在其中一個實施例中,所述第一電極材質為氧化銦錫薄膜。
在其中一個實施例中,所述第二電極的材質為金屬。
在其中一個實施例中,所述第二電極的材質為鋁或銀。
根據本發明的另一方面,還提供一種有機電致發光裝置的製備方法,包括以下步驟:提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路;在所述基板上形成絕緣層的圖形;在具有所述多個第一電極和所述絕緣層的圖形的所述基板上蒸鍍有機發光材料;在蒸鍍有所述有機發光材料的所述基板上蒸鍍第二電極材料,形成多個第二電極,各第二電極之間形成隔離溝槽。
在其中一個實施例中,所述提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路的步驟包括:提供基板,所述基板上設有第一電極層、線路層;蝕刻所述線路層,得到多個所述導電線路;蝕刻所述第一電極層,得到多個所述第一電極。
在其中一個實施例中,所述提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路的步驟包括:提供基板,所述基板上設有第一電極層;蝕刻所述第一電極層,得到多個所述第一電極;在具有所述多個第一電極的基板上設置線路層;蝕刻所述線路層,得到多個所述導電線路。
在其中一個實施例中,所述在所述基板上形成絕緣層的圖形的步驟包括:在所述基板上連續形成有機絕緣材料,採用能夠形成絕緣層的圖形的光罩對所述有機絕緣材料進行曝光,然後顯影,形成絕緣層的圖形。
在其中一個實施例中,進一步包括對具有所述多個第一電極、所述多個第二電極的所述基板進行封裝的步驟。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂,下面結合所附圖式對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施,任何所屬技術領域中具有通常知識者可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進,因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
可以理解的是,當本文中的特徵或要素被稱為在另一特徵或要素「上」,它可以直接在另一特徵或要素上,或者也可能出現介於中間的特徵及/或要素。相反,當特徵或要素被稱為「直接在」另一特徵或要素「上」,則不存在介於中間的特徵和/或要素。也可以理解,當特徵或要素被稱為是「連接」至另一特徵或要素上,它可以是直接連接至另一特徵或要素,或者可能出現介於中間的特徵及/或要素。相反,當特徵或要素被成為「直接連接」至另一特徵或要素,則不存在介於中間的特徵及/或要素。
空間相關的術語,如「在……之下」、「在……下面」、「下面的」、「在……之上」、「上面的」等等,本文可以用來方便描述如所附圖式所說明的一個要素或特徵相對另一個要素或特徵的關係。可以理解的是,空間相關的術語旨在除了圖中描述的方向,還包含使用中或工作中的設備的不同的方向。例如,如果在圖中的設備是倒轉的,描述為在其他要素或特徵「之下」的要素,然後可能會朝向其他要素或特徵「之上」。因此,示例性的術語「之下」可以包含上方和下方兩個方向。該設備可能有截然不同的朝向(旋轉90度或以其他方向),並且本文使用的空間相關的描述被相應地解釋。類似地,除非另有特別指明,本文使用的「向上地」、「向下地」、「垂直的」、「水平的」等術語只是為了舉例說明。
雖然術語「第一」和「第二」可能在本文中用於描述各種特徵/要素,但是除非另有特別指明,這些特徵/要素不被這些術語限制。這些術語可以用來將一個特徵/要素與另一特徵/要素區分開來。因此,以下描述的第一特徵/要素可以稱為第二特徵/要素,類似地,以下描述的第二特徵/要素也可以稱為第一特徵/要素,而不脫離本發明的範圍。
下面結合所附圖式,說明本發明的較佳實施方式。
根據本發明的一個實施例,提供了一種有機電致發光裝置(OLED)。如圖1所示,該有機電致發光裝置(OLED)包括:基板110、多個第一電極122、導電線路132、絕緣層140和多個第二電極150。多個第一電極122和導電線路132設置在基板110上,每個第一電極122均用以形成發光單元。絕緣層140設置在基板110上,用以限定發光單元的畫素區域。多個第二電極150設置在基板110上,並位於第一電極122和導電線路132上方,每個第二電極150均用以形成發光單元,其中各第二電極150間隔設置形成隔離溝槽160。第二電極150下方還會有有機發光材料,圖中省略未示意出。
在本實施例中,基板110為玻璃基板,第一電極122材質為氧化銦錫薄膜,第二電極150的材質為金屬,優選地,第二電極150的材質為鋁或銀。
以下詳細說明根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置(OLED)的製備方法。該方法可以製得上述OLED,其包括以下步驟:步驟1、提供基板,基板上設置有多個第一電極和導電線路。每個第一電極均用以形成發光單元。
上述具有多個第一電極和導電線路的基板的可以通過如下方式(第一方法)製備。
參照圖2,首先提供基板110。該基板110上已經設置有第一電極層120和線路層130,但是第一電極層120和線路層130尚未進行微影,即第一電極和導電線路的圖形均尚未形成。
具有第一電極層120和線路層130的基板110可以通過購買的方式獲得。也可以是自行製備。當自行製備時,並不局限於某種特定方法。
基板110優選使用透明玻璃。第一電極層120形成的第一電極可以是陽極,也可以是陰極,其材質優先使用氧化銦錫(ITO)薄膜。線路層130的材質一般採用金屬,例如鉬鋁鉬(MoAlMo)。
先蝕刻線路層130以得到導電線路132,然後蝕刻第一電極層120,得到第一電極122,最終如圖1所示。
另外,上述有多個第一電極和導電線路的基板還可以通過如下方式(第二方法)製備:提供基板110,基板110上僅設有第一電極層120。然後蝕刻第一電極層120,得到第一電極122。然後在具有第一電極122的基板上設置線路層130。蝕刻線路層130,得到導電線路132。
步驟2、在所述基板上形成絕緣層的圖形。絕緣層140的圖形用於限定畫素區域,可以採用任何適合的方式獲得。
例如,可以在基板110上連續形成有機絕緣材料,之後採用能夠形成絕緣層圖形的光罩對有機絕緣材料進行曝光,然後顯影,形成絕緣層的圖形。該有機絕緣材料可以是光阻。
需要說明的是,步驟2中給出的絕緣層圖形僅是一種示例,由於不同的OLED裝置畫素區域設計要求不同,而絕緣層140是用來限定發光單元的畫素區域形狀的,所以絕緣層圖形也會不同。
獲得絕緣層圖形後,則進行在畫素區域蒸鍍有機發光材料的步驟,圖1中省略示意出有機發光材料。
步驟3、利用罩幕板在所述蒸鍍好有機發光材料的基板110上蒸鍍第二電極材料,形成多個第二電極150,各第二電極150之間形成隔離溝槽160,如圖1所示。所述第二電極150用以形成發光單元。其中,第二電極150的材質為金屬,例如鋁或銀等穩定的純金屬或合金。第二電極150同樣既可以是陰極,也可以是陽極。
具體地,當步驟2進行完之後,正常進行蒸鍍。但是在蒸鍍形成第二電極150的圖形時,各畫素單元的第二電極150之間預留一定距離以形成隔離溝槽160。換言之,步驟3中,是在蒸鍍的同時即同步形成隔離溝槽160。
隔離溝槽160的作用是用來作為電極隔離。如當第二電極150作為陰極時,隔離溝槽160用以隔離陰極。隔離溝槽160是蒸鍍形成第二電極150時一併形成的,其不是一個突出物,因此不會影響後續的薄膜封裝效果,也不會影響有機電致發光裝置的彎折,從而能夠保證利用有機電致發光裝置製得的屏體的柔韌性,保證柔性顯示效果。
與現有技術相比,本步驟的優點在於:一是不需要單獨的形成隔離柱的步驟;二是隔離溝槽160是形成於各第二電極150之間,沒有突出的柱狀物,不會影響後續的薄膜封裝效果;三是利用隔離溝槽160作為隔離物,當後續屏體彎折時,是在隔離溝槽160處彎折,不會如傳統方案一樣,輕易出現隔離物(即隔離柱)被折斷的情況。
步驟4、對所述具有第一電極122、第二電極150的基板110進行封裝。可以利用薄膜封裝等技術實現OLED裝置的封裝,非本發明改進重點,此處不再贅述。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合,為使描述簡潔,未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述,然而,只要這些技術特徵的組合不存在矛盾,都應當認為是本說明書記載的範圍。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但並不能因此而理解為對發明專利範圍的限制。應當指出的是,對於任何所屬技術領域中具有通常知識者來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本發明的保護範圍。因此,本發明專利的保護範圍應以所附專利申請範圍為准。
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一電極層
122‧‧‧第一電極
130‧‧‧線路層
132‧‧‧導電線路
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧第二電極
160‧‧‧隔離溝槽
圖1為根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置的結構示意圖。 圖2為根據本發明的一個實施例的設置有第一電極層和線路層的基板開始蝕刻前的示意圖。
Claims (10)
- 一種有機電致發光裝置,包括:基板;多個第一電極,設置在所述基板上,每個所述第一電極均用以形成發光單元;多個導電線路,設置在所述基板上;絕緣層,設置在所述基板上,所述絕緣層包括多個絕緣層的圖形,所述多個絕緣層的圖形隔離所述多個導電線路以及隔離所述多個第一電極,以限定所述發光單元的畫素區域;多個第二電極,設置在所述基板上,每個所述第二電極均用以形成所述發光單元,其中每個所述第二電極間隔設置形成隔離溝槽,所述隔離溝槽在垂直方向上與所述絕緣層的所述多個絕緣層的圖形上下對應;以及有機發光材料,設置在所述每個所述第二電極下方。
- 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光裝置,其中,所述基板為玻璃基板。
- 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光裝置,其中,所述第一電極的材質為氧化銦錫薄膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光裝置,其中,所述第二電極的材質為金屬。
- 如申請專利範圍第4項所述的有機電致發光裝置,其中,所述第二電極的材質為鋁或銀。
- 一種有機電致發光裝置的製備方法,包括以下步驟:提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路;在所述基板上的所述多個第一電極之間以及所述多個導電線路之間形成絕緣層,所述絕緣層包括多個絕緣層的圖形,所述多個絕緣層的圖形隔離所述多個導電線路以及隔離所述多個第一電極,以限定發光單元的畫素區域;在具有所述多個第一電極和所述多個絕緣層的圖形的所述基板上蒸鍍有機發光材料;以及在蒸鍍有所述有機發光材料的所述基板上蒸鍍第二電極材料,形成多個第二電極,每個所述第二電極之間形成隔離溝槽,其中,所述隔離溝槽在垂直方向上與所述絕緣層的所述多個絕緣層的圖形上下對應。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機電致發光裝置的製備方法,其中,所述提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路的步驟包括:提供所述基板,所述基板上設有第一電極層、線路層;蝕刻所述線路層,得到所述多個導電線路;以及蝕刻所述第一電極層,得到所述多個第一電極。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機電致發光裝置的製備方法,其中,所述提供基板,所述基板表面上設置有多個第一電極和多個導電線路的步驟包括:提供所述基板,所述基板上設有第一電極層;蝕刻所述第一電極層,得到所述多個第一電極;在具有所述多個第一電極的所述基板上設置線路層;以及蝕刻所述線路層,得到所述多個導電線路。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機電致發光裝置的製備方法,其中,所述在所述基板上形成絕緣層的圖形的步驟包括:在所述基板上連續形成有機絕緣材料,採用能夠形成所述絕緣層的圖形的光罩對所述有機絕緣材料進行曝光,然後顯影,形成所述絕緣層的圖形。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機電致發光裝置的製備方法,更包括對具有所述多個第一電極、所述多個第二電極的所述基板進行封裝的步驟。
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Citations (3)
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TWI269606B (en) * | 2002-08-02 | 2006-12-21 | Daewoo Electronics Service Co | Organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
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US20050276947A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Ping-Tsung Huang | Package structure of organic electroluminescent device and package method thereof |
EP1775780A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Organic electroluminescent device and process for manufacturing the device |
WO2010061898A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 昭和電工株式会社 | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
TWI269606B (en) * | 2002-08-02 | 2006-12-21 | Daewoo Electronics Service Co | Organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
TW201314956A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | 發光二極體及其製造方法 |
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