CN107732019A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件,包括:基板;多个第一电极,设置在基板上,第一电极用以形成发光单元;绝缘层,设置在所述具有第一电极的基板上,用以限定发光单元的像素区域;多个第二电极,设置在基板上,所述第二电极用以形成发光单元,其中各第二电极间隔设置形成隔离沟槽。上述有机电致发光器件,第二电极时之间预留间隔形成隔离沟槽,较传统技术,取消了隔离柱,从而增加了发光器件的柔韧性,进而利用发光器件制得的屏体柔性较好,更好满足柔性可弯折的显示要求。还提出一种上述机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
常规的有机电致发光器件(Organic Light Emitting Display,OLED)分为主动式有机电致发光器件(AMOLED)和被动式有机电致发光器件(PMOLED),但无论是在AMOLED的制备还是PMOLED的制备过程中,某些层的图形化通常会使用光刻工艺,即使用photo mask(光罩)进行刻蚀。
目前,在PMOLED的制备过程中,一般需要四道光刻工序,对于常规工艺流程来说,需要进行光刻工艺的层别依次为:PM(金属层)->PT(ITO层)->PI(绝缘层)->PR(隔离柱层)。而对于后镀工艺流程来说,需要进行光刻工艺的层别依次为PT(ITO层)->PM(金属层)->PI(绝缘层)->PR(隔离柱层),这些光刻工艺中均需使用光罩将图形刻蚀出来;当这些层制备完成后再进行有机材料和阴极的蒸镀工艺,然后进行封装工艺,最后进行模组流程。类似的制备方法可以参考中国专利CN200810227260.7。
但上述工艺流程制备出的有机电致发光器件弯折后,PR(隔离柱)容易倒塌,断裂,易造成行连。另外,隔离柱的高度影响薄膜封装效果,影响柔性屏的可靠性及可弯折性。
发明内容
基于此,有必要提供一种有机电致发光器件,具有较好的柔韧性。
一种有机电致发光器件,包括:基板;多个第一电极,设置在基板上,第一电极用以形成发光单元;绝缘层,设置在所述具有第一电极的基板上,用以限定发光单元的像素区域;多个第二电极,设置在基板上,所述第二电极用以形成发光单元,其中各第二电极间隔设置形成隔离沟槽。
上述有机电致发光器件,第二电极之间形成隔离沟槽,较传统技术,取消了隔离柱,从而增加了发光器件的柔韧性,进而利用发光器件制得的屏体柔性较好,更好满足柔性可弯折的显示要求。
在其中一个实施例中,所述基板为玻璃基板。
在其中一个实施例中,所述第一电极材质为氧化铟锡薄膜。
在其中一个实施例中,所述第二电极的材质为金属。
在其中一个实施例中,所述第二电极的材质为铝或银。
还提供一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路;
在所述基板上形成绝缘层的图形;
在所述具有第一电极和绝缘层图形的基板上蒸镀有机发光材料;
在所述蒸镀好有机发光材料的基板上蒸镀第二电极材料,形成多个第二电极,各第二电极之间形成隔离沟槽。
在其中一个实施例中,所述提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路的步骤包括:
提供基板,所述基板上设有第一电极层、线路层;
蚀刻所述线路层,得到所述导电线路;
蚀刻所述第一电极层,得到所述第一电极。
在其中一个实施例中,所述提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路的步骤包括:
提供基板,所述基板上设有第一电极层;
蚀刻所述第一电极层,得到所述第一电极;
在所述具有第一电极的基板上设置线路层;
蚀刻所述线路层,得到所述导电线路。
在其中一个实施例中,所述在所述基板上形成绝缘层的图形的步骤包括:
在基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶,采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光,然后显影和刻蚀,并保留正性光刻胶,形成绝缘层图形。
在其中一个实施例中,进一步包括对所述具有第一电极、第二电极的基板进行封装的步骤。
附图说明
图1为设置有第一电极层和线路层的基板开始蚀刻前的示意图;
图2为图1所示基板在蚀刻完成且蒸镀形成阴极后的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
下面结合附图,说明本发明的较佳实施方式。
本发明提供一种有机电致发光器件(OLED)的制备方法,还提出一种由这种方法制得的OLED器件。
本发明的有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、提供基板,基板上设置有多个第一电极和导电线路。第一电极用以形成发光单元。
上述具有多个第一电极和导电线路的基板的第一种获取方式如下。
参图1,首先提供基板110。该基板110上已经设置有第一电极层120和线路层130,但是第一电极层120和线路层130尚未进行光刻,即第一电极和导电线路的图形均尚未形成。
具有第一电极层120和线路层130的基板110可以通过购买的方式获得。也可以是自行制备。当自行制备时,并不局限于某种特定方法。
基板110优选使用透明玻璃。第一电极层120形成的第一电极可以是阳极,也可以是阴极,其材质优先使用ITO(氧化铟锡)薄膜。线路层130的材质一般采用金属,例如MoAlMo(钼铝钼)。
先蚀刻线路层130以得到导电线路132,然后蚀刻第一电极层120,得到第一电极122,最终如图2所示。
另外,上述有多个第一电极和导电线路的基板可以有第二种获取方法:
提供基板110,基板110上仅设有第一电极层120。然后蚀刻第一电极层120,得到第一电极122。
然后在具有第一电极122的基板上设置线路层130。蚀刻线路层130,得到导电线路132。
步骤2、在所述基板上形成绝缘层的图形。绝缘层140的图形用于限定像素区域,可以采用任何适合的方式获得。
例如,可以在基板110上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶,之后采用能够形成绝缘层图形的掩模板对正性光刻胶进行曝光,然后显影和刻蚀,并保留正性光刻胶,形成绝缘层的图形。
需要说明的是,步骤2中给出的绝缘层图形仅是一种示例,由于不同的OLED器件像素区域设计要求不同,而绝缘层140是用来限定发光单元的像素区域形状的,所以绝缘层图形也会不同。
获得绝缘层图形后,则进行在像素区域蒸镀有机发光材料的步骤,图2中省略示意出有机发光材料。
步骤3、利用掩膜板在所述蒸镀好有机发光材料的基板上蒸镀第二电极材料,形成多个第二电极150,各第二电极150之间形成隔离沟槽160,如图2所示。所述第二电极150用以形成发光单元。其中,第二电极150的材质为金属,例如铝或银等稳定的纯金属或合金。第二电极150同样既可以是阴极,也可以是阳极。
具体地,当步骤2进行完之后,正常进行蒸镀。但是在蒸镀形成第二电极150的图形时,各像素单元的第二电极150之间预留一定距离以形成隔离沟槽160。换言之,步骤3中,是在蒸镀的同时即同步形成隔离沟槽160。
隔离沟槽160的作用是用来作为电极隔离。如当第二电极150作为阴极时,隔离沟槽160用以隔离阴极。
与现有技术相比,本步骤的优点在于:一是不需要单独的形成隔离柱的步骤;二是隔离沟槽160是形成于各第二电极150之间,没有突出的柱状物,不会影响后续的薄膜封装效果;三是利用隔离沟槽160作为隔离物,当后续屏体弯折时,是在隔离沟槽160处弯折,不会如传统方案一样,轻易出现隔离物(即隔离柱)被折断的情况。
步骤4、对所述具有第一电极、第二电极的基板110进行封装。可以利用薄膜封装等技术实现OLED器件的封装,非本发明改进重点,此处不再赘述。
本发明提供的有机电致发光器件由前述的方法制得,其结构如图2所示。有机电致发光器件包括基板110、设置于基板110上的第一电极122和导电线路132、设置于基板110上的绝缘层140、位于第一电极122和导电线路132上方的第二电极150,其中第二电极150下方还会有有机发光材料,图中省略未示意出。
图2中可以看到,各第二电极150之间具有间隔并形成隔离沟槽160。隔离沟槽160是蒸镀形成第二电极150时一并形成的,其不是一个突出物,因此不会影响后续的薄膜封装效果,也不会影响有机电致发光器件的弯折,从而能够保证利用有机电致发光器件制得的屏体的柔韧性,保证柔性显示效果。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括:
基板;
多个第一电极,设置在基板上,第一电极用以形成发光单元;
绝缘层,设置在所述基板上,用以限定发光单元的像素区域;
多个第二电极,设置在基板上,所述第二电极用以形成发光单元,其中各第二电极间隔设置形成隔离沟槽。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述基板为玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电极材质为氧化铟锡薄膜。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二电极的材质为金属。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二电极的材质为铝或银。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路;
在所述基板上形成绝缘层的图形;
在所述具有第一电极和绝缘层图形的基板上蒸镀有机发光材料;
在所述蒸镀好有机发光材料的基板上蒸镀第二电极材料,形成多个第二电极,各第二电极之间形成隔离沟槽。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路的步骤包括:
提供基板,所述基板上设有第一电极层、线路层;
蚀刻所述线路层,得到所述导电线路;
蚀刻所述第一电极层,得到所述第一电极。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述提供基板,所述基板表面上设置有多个第一电极和导电线路的步骤包括:
提供基板,所述基板上设有第一电极层;
蚀刻所述第一电极层,得到所述第一电极;
在所述具有第一电极的基板上设置线路层;
蚀刻所述线路层,得到所述导电线路。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述在所述基板上形成绝缘层的图形的步骤包括:
在基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶,采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光,然后显影和刻蚀,并保留正性光刻胶,形成绝缘层图形。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,进一步包括对所述具有第一电极、第二电极的基板进行封装的步骤。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610656754.1A CN107732019B (zh) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
US16/304,128 US11251382B2 (en) | 2016-08-11 | 2017-08-09 | Organic electroluminescent devices and manufacturing methods thereof |
PCT/CN2017/096646 WO2018028605A1 (zh) | 2016-08-11 | 2017-08-09 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
TW106127164A TWI676307B (zh) | 2016-08-11 | 2017-08-10 | 有機電致發光裝置及其製備方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610656754.1A CN107732019B (zh) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107732019A true CN107732019A (zh) | 2018-02-23 |
CN107732019B CN107732019B (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=61161729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610656754.1A Active CN107732019B (zh) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251382B2 (zh) |
CN (1) | CN107732019B (zh) |
TW (1) | TWI676307B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018028605A1 (zh) | 2018-02-15 |
US20200328362A1 (en) | 2020-10-15 |
TW201817055A (zh) | 2018-05-01 |
US20210257566A9 (en) | 2021-08-19 |
CN107732019B (zh) | 2019-09-17 |
US11251382B2 (en) | 2022-02-15 |
TWI676307B (zh) | 2019-11-01 |
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