[go: up one dir, main page]

KR102608772B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102608772B1
KR102608772B1 KR1020180083994A KR20180083994A KR102608772B1 KR 102608772 B1 KR102608772 B1 KR 102608772B1 KR 1020180083994 A KR1020180083994 A KR 1020180083994A KR 20180083994 A KR20180083994 A KR 20180083994A KR 102608772 B1 KR102608772 B1 KR 102608772B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
light
display device
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020180083994A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200010699A (ko
Inventor
유인경
양동현
주성배
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180083994A priority Critical patent/KR102608772B1/ko
Priority to US16/420,930 priority patent/US11152437B2/en
Priority to CN201910653861.2A priority patent/CN110739331A/zh
Publication of KR20200010699A publication Critical patent/KR20200010699A/ko
Priority to US17/486,164 priority patent/US11950458B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102608772B1 publication Critical patent/KR102608772B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층, 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 발광 영역에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 절연층 상에 배치되는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 장치용 어레이 기판, 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 패널 및 상기 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 포토레지스트층을 형성한 후 이를 마스크를 이용하여 노광하여 패터닝하는 단계를 포함하는 복수의 단계들을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 패터닝된 패턴들은 마스크 별로, 또한 각 화소들의 위치별로 편차가 발생되어 표시 품질이 저하될 수 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 품질이 향상되고, 공정이 단순화된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층, 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 발광 영역에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 절연층 상에 배치되는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 화소 정의막의 상기 개구 안에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 두께 방향의 측면이 상기 화소 정의막의 측면과 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 포토레지스트층 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 화소 정의막의 광 투과율 보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 제1 높이를 갖고, 상기 화소 정의막과 동일한 물질을 포함하고 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 발광 영역에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극이 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계, 및 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극이 배치되도록 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계에서, 상기 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역의 포토레지스트층에 동일한 광을 조사하여, 상기 포토레지스트층을 노광할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계에서, 상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 포토레지스트층 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계에서, 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 포토레지스트층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율 보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계는, 상기 포토레지스트층 상에 상기 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역에 대해 복수의 개구가 균일하게 형성된 메탈 메쉬 마스크를 배치시키는 단계, 및 상기 메탈 메쉬 마스크를 통해 상기 포토레지스트층에 광을 조사하여, 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계에서, 상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 포토레지스트층 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계에서, 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 포토레지스트층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율 보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 메탈 메쉬 마스크는 스페이서를 형성하기 위한 상기 비발광 영역의 일부에 대해 상기 개구가 형성되지 않아 광을 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 메탈 메쉬 마스크는 상기 포토레지스트층 상에 상기 포토레지스트층의 상면과 접하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 두께 방향의 측면이 상기 화소 정의막의 측면과 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 포토레지스트층은 포지티브 타입의 포토레지스트 조성물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연층은 유색 고분자 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 화소 정의막을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극이 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 광 반사를 이용하여, 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계, 및 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극이 배치되도록 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 화소 정의막의 개구를 형성하기 위한 패터닝이 제1 전극을 이용하여 자가 정렬(self-align) 방식으로 수행될 수 있으므로, 상기 화소 정의막을 패터닝하기 위한 별도 마스크가 불필요하며, 상기 화소 정의막의 CD(critical dimension) 산포(dispersion)가 줄어들 수 있다.
일반적으로 제1 전극을 형성하기 위한 공정의 CD(critical dimension) 산포가 화소 정의막을 포토 공정을 통해 패터닝 하는 공정의 CD 산포 보다 매우 우수하므로, 상기 화소 정의막을 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 형성하는 종래 기술 대비, 화소별 화소 정의막의 개구의 편차를 줄여, 표시 품질을 향상 시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 전극과 상기 화소 정의막의 중첩 부분이 없으므로, 발광 영역의 비발광 영역에 대한 비율을 최대화 할 수 있으며, 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 1의 표시 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 7a는 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 7b는 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(TFTL), 절연층(110), 화소 정의막(PDL), 발광 구조물(120), 및 봉지부(130)를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible)이 있는 상기 투명 수지 기판일 수 있다. 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 베이스 기판(100)은 폴리 이미드(PI) 수지 필름 일 수 있다.
상기 베이스 기판(100) 상에는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터층(TFTL)은 액티브 층, 복수의 배선층 및 복수의 절연을 포함할 수 있으며, 상기 제1 전극(121)과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 즉, 상기 박막 트랜지스터층(TFTL)에는 상기 표시 장치의 화소를 구성하는 회로들이 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터층(TFTL)은 알려진 다양한 구조를 가질 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 이때, 상기 박막 트랜지스터층(TFTL)을 구성하는 금속 배선들은 저반사 메탈을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 절연층(110)은 상기 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있다. 상기 절연층(110)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 박막 트랜지스터층(TFT)의 구조물들을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(110)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 절연층(110)은 유색 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 절연층(110)은 유색 물질들이 분산 또는 결합된 비감광성 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 비감광성 고분자 물질은 노볼락(novolac), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리히드록시 스티렌(polyhydroxystyrene: PHS), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리비닐에스테르(polyvinyl ester), 폴리비닐에테르(polyvinyl ether), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리노르보넨(polynorbornene), 폴리에스테르(polyester), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 주쇄 구조의 고분자 물질을 포함하며, 상기 주쇄 구조 내에 노광 공정에 의해 반응하는 작용기(예를 들면, 이탈기 또는 보호기)를 포함하지 않을 수 있다.
상기 절연층(110)에 포함된 유색 물질은, 예를 들면 카본 블랙과 같은 탄소 계열의 흑색 물질, 또는 광흡수성을 갖는 염료 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 염료 물질은 약 300 nm 내지 약 500 nm 범위의 파장을 갖는 광에 흡수성을 가질 수 있다
상기 발광 구조물(120)은 제1 전극(121), 발광층(122) 및 제2 전극(123)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(121)은 상기 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(121)은 발광 영역(EA)에 대응하여 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(121)은 반사 전극으로, 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(121)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(121)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(121)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 포지티브(positive) 타입의 포토레지스트 조성물을 포함할 수 있다.
상기 포지티브 타입의 포토레지스트(Positive Photoresist) 조성물은 노광(exposure) 후, 노광 부위를 제외한 부분이 패턴으로 남는 포토레지스트(Photoresist)를 통칭하는 것으로, 빛에 노출된 부분이 화학적으로 분해되어 노광 후 현상액에 씻겨나가는 포토레지스트(Photoresist)이다.
여기서, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(121)을 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 상기 개구는 상기 제1 전극(121)과 동일한 크기와 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(121)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구 안에 배치되며, 상기 제1 전극(121)의 두께 방향의 측면이 상기 화소 정의막(PDL)의 측면과 접촉할 수 있다.
이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구에 의해 상기 표시 장치의 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다. 이때, 상기 개구와 상기 제1 전극(121)의 크기와 형상이 일치하므로, 상기 발광 영역(EA)은 상기 제1 전극(121)과도 실질적으로 일치할 수 있다.
또한, 상기 절연층(110)의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 화소 정의막(PDL)의 광 투과율 보다 낮을 수 있다. 이는 상기 화소 정의막(PDL)의 패터닝을 마스크리스(maskless) 공정, 오픈 마스크(open mask) 공정 또는 메탈 메쉬 마스크(metal mesh mask) 공정에 의해 진행하기 때문이며, 이에 대한 자세한 설명은 도 2c에서 후술한다.
상기 발광층(122)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(121)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(122)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 발광층(122)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(122)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 화소들이 구분될 수 있다.
상기 제2 전극(123)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(122) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(123)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(123)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(123)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 봉지부(130)가 상기 제2 전극(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 봉지부(130)는 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 봉지부(130)는 박막 봉지층 또는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층은 두 개의 무기층과 이들 사이의 한개의 유기층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 실시예에 따르면, 상기 발광 구조물의 상기 제1 전극이 상기 화소 정의막에 의해 가려지거나 중첩되는 부분이 없으므로, 상기 제1 전극의 가장자리가 상기 화소 정의막에 의해 가려지는 구조에 비에, 발광 영역이 확대될 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(TFTL)을 형성할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 절연층(110)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 절연층(110)은 유기 고분자 물질을 사용하여 스핀 코팅 공정을 통해 형성되며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 절연층(110)의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 후술할 화소 정의막의 광 투과율 보다 낮을 수 있다. 예시적인 실시예에 따르면, 상기 절연층(110)은 유색 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 절연층(110)에 포함된 유색 물질은, 예를 들면 카본 블랙과 같은 탄소 계열의 흑색 물질, 또는 광흡수성을 갖는 염료 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 염료 물질은 약 300 nm 내지 약 500 nm 범위의 파장을 갖는 광에 흡수성을 가질 수 있다.
상기 절연층(110) 상에 제1 전극(121)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예에 있어서, 상기 제1 전극(121)은 상기 절연층(110) 상에 금속층을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 금속층을 패터닝함으로써 수득할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 절연층(110) 상에 포토레지스트층(PR)을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트층(PR)은 포지티브(positive) 타입의 포토레지스트 조성물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 절연층(110) 상에 스핀 코팅 공정을 통해 포토레지스트 고분자를 포함하는 조성물을 도포하여 상기 포토레지스트층(PR)을 형성할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 포토레지스트층(PR)에 광을 조사하여 노광할 수 있다. (도면상의 화살표 참조) 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광은300 nm 내지 500 nm 범위의 피크파장을 갖는 광일 수 있다.
여기서, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)의 부분은 상기 제1 전극(121)과 중첩하지 않는 부분보다 노광량이 더 많을 수 있다. 상기 제1 전극(121)은 반사 전극으로써, 광을 반사시키므로, 노광기로부터 방출된 광이 상기 제1 전극(121) 상의 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분을 통과한 후, 상기 제1 전극(121)에서 반사되어, 다시 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분에 제공되므로, 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분은 상기 제1 전극(121)과 중첩하지 않는 부분보다 노광량이 더 많을 수 있다.
이때, 상기 절연층(110)의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 포토레지스트층(PR)의 광 투과율 보다 낮을 수 있으며, 이에 따라 상기 절연층(110) 또는 상기 절연층(110) 하부의 상기 박막 트랜지스터층(TFTL)의 구조물에 의한 반사가 최소화 될 수 있다.
도 2d를 참조하면, 현상 공정을 통해, 상기 포토레지스트층(PR)의 노광부를 제거하여 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분의 노광량이 상대적으로 많으므로, 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분은 현상 공정에 의해 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(121)과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극(121)이 배치되도록 상기 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다.
도 2e를 참조하면, 상기 제1 전극(121) 상에 발광층(122) 및 제2 전극(123)을 형성한 후, 봉지부(130)를 형성하여 상기 표시 장치를 제조 할 수 있다. 상기 발광층(122), 상기 제2 전극(123), 상기 봉지부(130)는 알려진 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 도 1의 표시 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 상기 제조 방법은 노광 공정 시 메탈 메쉬 마스크(metal mesh mask)를 사용하는 것을 제외하고, 도 2a 내지 2e의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(TFTL)을 형성할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 절연층(110)을 형성할 수 있다. 상기 절연층(110) 상에 포토레지스트층(PR)을 형성할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 포토레지스트층(PR) 상에 메탈 메쉬 마스크(metal mesh mask: MM)를 배치시킬 수 있다. 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)는 발광 영역((도 3e의 EA 참조) 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역(도 3e의 NEA 참조)에 대해 복수의 개구가 균일하게 형성된 금속 마스크 일 수 있다. 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)의 상기 포토레지스트층(PR)과 마주보는 하면은 광을 반사시키는 특성을 가질 수 있다.
이때, 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)는 상기 포토레지스트층(PR) 층의 상면과 가깝게 배치되는 것이 바람직하다. 가능하다면, 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)는 상기 포토레지스트층(PR) 상에 접촉되도록 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예에 따르면, 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)는 상기 포토레지스트층(PR)과 이격되도록 배치될 수도 있다.
상기 메탈 메쉬 마스크(MM)를 통해 상기 포토레지스트층(PR)에 광을 조사하여 노광할 수 있다. (도면상의 화살표 참조)
여기서, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)의 부분은 상기 제1 전극(121)과 중첩하지 않는 부분보다 노광량이 더 많을 수 있다. 상기 제1 전극(121)은 반사 전극으로써, 광을 반사시키므로, 노광기로부터 방출된 광이 상기 제1 전극(121) 상의 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분을 통과한 후, 상기 제1 전극(121)에서 반사되어, 다시 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분에 제공되므로, 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분은 상기 제1 전극(121)과 중첩하지 않는 부분보다 노광량이 더 많을 수 있다. 또한, 이때, 상기 포토레지스트층(PR) 상의 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)의 하면에서 상기 광이 다시 반사되어, 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분에 입사되므로, 상기 포토레지스트층(PR)의 상기 부분에 대한 노광량이 더욱 많아질 수 있다.
도 3d를 참조하면, 현상 공정을 통해, 상기 포토레지스트층(PR)의 노광부를 제거하여 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분의 노광량이 상대적으로 많으므로, 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분은 현상 공정에 의해 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(121)과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극(121)이 배치되도록 상기 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다.
도 3e를 참조하면, 상기 제1 전극(121) 상에 발광층(122) 및 제2 전극(123)을 형성한 후, 봉지부(130)를 형성하여 상기 표시 장치를 제조 할 수 있다. 상기 발광층(122), 상기 제2 전극(123), 상기 봉지부(130)는 알려진 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 표시 장치는 화소 정의막(PDL)의 일부가 스페이서(SPC)로 형성되는 것을 제외하고, 도 1의 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(TFTL), 절연층(110), 화소 정의막(PDL), 발광 구조물(120), 및 봉지부(130)를 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 제1 높이(h1)를 가지며, 상기 화소 정의막(PDL)의 일부는 상기 제1 높이(h1) 보다 큰 제2 높이(h2)를 가진 상기 스페이서(SPC)일 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(TFTL)을 형성할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 절연층(110)을 형성할 수 있다. 상기 절연층(110) 상에 포토레지스트층(PR)을 형성할 수 있다.
이후, 상기 포토레지스트층(PR) 상에 메탈 메쉬 마스크(metal mesh mask: MM)를 배치시킬 수 있다. 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)는 발광 영역((도 3e의 EA 참조) 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역(도 3e의 NEA 참조)에 대해 복수의 개구가 균일하게 형성되되, 스페이서(도 5b의 SPC 참조)에 대응되는 부분은 광을 차단하도록 닫힌(closed) 금속 마스크 일 수 있다. 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)의 상기 포토레지스트층(PR)과 마주보는 하면은 광을 반사시키는 특성을 가질 수 있다.
상기 메탈 메쉬 마스크(MM)를 통해 상기 포토레지스트층(PR)에 광을 조사하여 노광할 수 있다. (도면상의 화살표 참조)
여기서, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)의 부분은 상기 제1 전극(121)과 중첩하지 않는 부분보다 노광량이 더 많을 수 있다. 또한, 상기 스페이서가 형성될 포토레지스트층(PR)의 부분의 노광량은 제1 높이로 화소 정의막(도 5b의 PDL참조)이 형성될 포토레지스트층(PR)의 부분보다 노광량이 적을 수 있다.
도 5b를 참조하면, 현상 공정을 통해, 상기 포토레지스트층(PR)의 노광부를 제거하여 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 전극(121)과 중첩하는 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분의 노광량이 상대적으로 많으므로, 상기 포토레지스트층(PR)은 상기 부분은 현상 공정에 의해 제거될 수 있다. 또한, 상기 메탈 메쉬 마스크(MM)의 닫힌 부분에 대응하는 부분은 노광량이 더 적으므로, 제1 높이(h1) 보다 큰 제2 높이(h2)를 갖는 스페이서(SPC)를 형성할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 제1 전극(121) 상에 발광층(122) 및 제2 전극(123)을 형성한 후, 봉지부(130)를 형성하여 상기 표시 장치를 제조 할 수 있다. 상기 발광층(122), 상기 제2 전극(123), 상기 봉지부(130)는 알려진 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 화소 정의막의 개구를 형성하기 위한 패터닝이 제1 전극을 이용하여 자가 정렬(self-align) 방식으로 수행될 수 있으므로, 상기 화소 정의막을 패터닝하기 위한 별도 마스크가 불필요하며, 상기 화소 정의막의 CD(critical dimension) 산포(dispersion)가 줄어들 수 있다.
일반적으로 제1 전극을 형성하기 위한 공정의 CD(critical dimension) 산포가 화소 정의막을 포토 공정을 통해 패터닝 하는 공정의 CD 산포 보다 매우 우수하므로, 상기 화소 정의막을 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 형성하는 종래 기술 대비, 화소별 화소 정의막의 개구의 편차를 줄여, 표시 품질을 향상 시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 전극과 상기 화소 정의막의 중첩 부분이 없으므로, 발광 영역의 비발광 영역에 대한 비율을 최대화 할 수 있으며, 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 7a는 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 7b는 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 7b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 화소별 화소 정의막의 개구의 편차를 줄여, 표시 품질을 향상 시킬 수 있다. 또한, 제1 전극과 상기 화소 정의막의 중첩 부분이 없으므로, 발광 영역의 비발광 영역에 대한 비율을 최대화 할 수 있으며, 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 절연층
TFTL: 박막 트랜지스터층 120: 발광 구조물
PDL: 화소 정의막 130: 봉지부

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층;
    상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 절연층;
    상기 절연층 상의 발광 영역에 배치되고, 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 전극;
    상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 절연층 상에 배치되는 화소 정의막;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 화소 정의막의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율 보다 낮으며,
    상기 절연층은 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장을 갖는 광에 흡수성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 화소 정의막의 상기 개구 안에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 두께 방향의 측면이 상기 화소 정의막의 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 화소 정의막 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화소 정의막은 제1 높이를 갖고, 상기 화소 정의막과 동일한 물질을 포함하고 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상의 발광 영역에 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극이 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; 및
    노광된 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극이 배치되도록 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 노광하는 단계에서, 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 포토레지스트층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율 보다 낮으며,
    상기 절연층은 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장을 갖는 광에 흡수성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 노광하는 단계에서,
    상기 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역의 포토레지스트층에 동일한 광을 조사하여, 상기 포토레지스트층을 노광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 노광하는 단계에서,
    상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 포토레지스트층 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 노광하는 단계는,
    상기 포토레지스트층 상에 상기 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역에 대해 복수의 개구가 균일하게 형성된 메탈 메쉬 마스크를 배치시키는 단계; 및
    상기 메탈 메쉬 마스크를 통해 상기 포토레지스트층에 광을 조사하여, 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 노광하는 단계에서,
    상기 제1 전극의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율은 상기 포토레지스트층 및 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 반사율 보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 메탈 메쉬 마스크는 스페이서를 형성하기 위한 상기 비발광 영역의 일부에 대해 상기 개구가 형성되지 않아 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 메탈 메쉬 마스크는 상기 포토레지스트층 상에 상기 포토레지스트층의 상면과 접하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 두께 방향의 측면이 상기 화소 정의막의 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제7 항에 있어서,
    상기 포토레지스트층은 포지티브 타입의 포토레지스트 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제7 항에 있어서,
    상기 절연층은 유색 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제7 항에 있어서,
    상기 화소 정의막을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극이 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 광 반사를 이용하여, 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; 및
    노광된 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 전극과 동일한 크기와 형상의 개구를 갖고, 상기 개구 내에 상기 제1 전극이 배치되도록 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 노광하는 단계에서, 상기 절연층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율은 상기 포토레지스트층의 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장의 광 투과율 보다 낮으며,
    상기 절연층은 300 nm 내지 500 nm 범위의 파장을 갖는 광에 흡수성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
KR1020180083994A 2018-07-19 2018-07-19 표시 장치 및 이의 제조 방법 Active KR102608772B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083994A KR102608772B1 (ko) 2018-07-19 2018-07-19 표시 장치 및 이의 제조 방법
US16/420,930 US11152437B2 (en) 2018-07-19 2019-05-23 Display apparatus having self-aligned structures and method of manufacturing the same
CN201910653861.2A CN110739331A (zh) 2018-07-19 2019-07-19 显示装置及其制造方法
US17/486,164 US11950458B2 (en) 2018-07-19 2021-09-27 Display apparatus having self-aligned structures

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083994A KR102608772B1 (ko) 2018-07-19 2018-07-19 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200010699A KR20200010699A (ko) 2020-01-31
KR102608772B1 true KR102608772B1 (ko) 2023-12-04

Family

ID=69161971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180083994A Active KR102608772B1 (ko) 2018-07-19 2018-07-19 표시 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11152437B2 (ko)
KR (1) KR102608772B1 (ko)
CN (1) CN110739331A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4080614A4 (en) 2020-01-29 2023-07-19 Lg Chem, Ltd. PRECURSOR OF POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND LITHIUM SECONDARY BATTERY CONTAINING THERETO
CN112750889B (zh) * 2021-03-04 2024-11-26 安徽熙泰智能科技有限公司 一种自对准像素定义层结构及其加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015144087A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 有機電界発光装置および電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816863B2 (en) * 2003-09-12 2010-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20150072581A (ko) 2013-12-20 2015-06-30 주식회사 이그잭스 폴리실록산을 함유한 감광성 수지 조성물
KR102393371B1 (ko) 2015-01-08 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102232969B1 (ko) * 2015-04-01 2021-03-29 도레이 카부시키가이샤 감광성 착색 수지 조성물
KR102412043B1 (ko) * 2015-10-13 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
US10141377B2 (en) * 2016-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
CN107732019B (zh) * 2016-08-11 2019-09-17 昆山维信诺科技有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US20190027709A1 (en) * 2017-07-24 2019-01-24 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconducter Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing flexible organic light emitting diode(oled) display device
CN109920816B (zh) * 2017-12-12 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US10490574B2 (en) * 2017-12-28 2019-11-26 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Low-reflection composite electrode and TFT array substrate
CN109301092B (zh) * 2018-08-31 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015144087A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 有機電界発光装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN110739331A (zh) 2020-01-31
US11152437B2 (en) 2021-10-19
KR20200010699A (ko) 2020-01-31
US20220013605A1 (en) 2022-01-13
US11950458B2 (en) 2024-04-02
US20200027935A1 (en) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12058907B2 (en) Method of manufacturing display apparatus having second electrode that contacts second conductive layer
KR102633093B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11183111B2 (en) Pixel unit and method for manufacturing the same, and double-sided OLED display device
EP3459116B1 (en) Pixel unit, array substrate, and display device, and fabrication methods thereof
US20140134770A1 (en) Methods of manufacturing optical filters and methods of manufacturing organic light emitting display devices having optical filters
KR20220007788A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11950458B2 (en) Display apparatus having self-aligned structures
CN107706196A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN111384132A (zh) 显示装置
KR102624491B1 (ko) 표시 장치
KR102606687B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210055128A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111599836A (zh) 显示装置及其制造方法
US11973088B2 (en) Display device having varying thickness insulating layer
KR102796194B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102789415B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200047832A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20240020763A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210057877A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20180719

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210630

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20180719

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230309

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230925

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20231128

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20231129

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration