TWI364233B - Light emitting device, electronic equipment and apparatus for manufacturing the same - Google Patents

Description

1364233 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，其中採用 一種發光元件，它具有夾在一對電極之間的含有.機化合物 的薄膜（以下稱爲“有機化合物層”），並可在受到電場 作用後發螢光或磷光。本文中所述發光裝置是一種影像顯 示裝置、發光裝置或光源（含有照明裝置）。另外，和連 接器連接的發光裝置，比如，附帶有柔性印刷電路（FPC )或帶式自動連接（TAB )磁帶或帶狀載體封裝（TCP ) 的模組；印刷電路板固定在TAB磁帶或TCP前端的模組 :和積體電路（1C )以“玻璃上載晶片（COG ) ”的方式 直接安裝在發光元件上的模組全都包括在發光裝置中。而 且，本發明另關於一種發光裝置的製造方法。 【先前技術】 近幾年，對於具有以EL元件作爲自發光型發光元件 的發光裝置的硏究非常活躍。該發光裝置又被稱爲有機 EL顯示器或有機發光二極體。由於這些發光裝置有適用 於動感畫面顯示的諸如快速回應速度，低電壓、低功耗驅 動等特徵，它們作爲用於新一代行動電話和攜帶型資訊終 端（PDA )的下一代顯示器備受關注。 注意’ EL兀件包括藉由於施加電場而發光的含有有 機化合物的層（以下稱爲EL層）、陽極、和陰極。有機 化合物産生的發光是當電子從單重激發態返回到基態時産 -5- (2) (2)1364233 生的螢光和當電子從三重激發態返回到基態時産生的磷光 。利用本發明的蒸發殿積設備和蒸發殿積方法形成的發光 裝置可應用於這兩種發光中的任何一種。 發光裝置由於其不同於液晶顯示裝置，是自發光性質 ，所以不存在視角問題。此發光裝置因而比液晶顯示裝置 更適合於戶外使用’並且已有以各種形式利用發光裝置的 提案。 而且，由陰極'EL層、陽極形成的發光元件，被稱 爲EL元件。有兩種形成EL元件的方法：一種是簡單矩 陣，其中EL層被夾在兩種彼此直交延伸的條形電極之間 ;另一種是主動矩陣，其中EL層被夾在排列成矩陣且連 接到TFT的圖素電極與相對電極之間。當圖素密度變高 時，由於主動矩陣在各個圖素（或各個點）中具有開關而 能夠在低電壓下驅動，故認爲主動矩陣優越於簡單矩陣。 歷來已有裝有多個面板的電子設備。例如，在筆記本 電腦上，除了主顯示幕幕面板（全色顯示的透射型液晶面 板）以外，還提供有單色透射型液晶面板用來顯示電源或 電池餘量等簡單顯示。 【發明內容】 本發明的目的是提供一種新的顯示裝置的形式，該顯 示裝置使用由陰極、EL層和陽極構成的發光元件。 本發明使用透光性材料作爲陰極和陽極的材料’並且 基底和密封基底也使用有透光性的材料。在本發明中，從 (3) (3)1364233 含有有機化合物的層發射的光，也就是透過陰極而發出的 光和透過陽極而發出的光，能夠同時進行兩種顯示。 在本發明中，來自含有有機化合物的層發射的光是白 色光，並且，提供濾色器或顔色轉換層以便實現其中一方 的全色顯示。透過濾色器的發光方向可以選擇最終能獲得 亮度大的顯示表面。當採用主動矩陣型發光裝置時，一方 的發光由於經TFT的中間層絕緣膜和保護膜，其發光亮 度被減弱，所以較佳的在沒有TFT的密封基底一側提供 濾色器。 根據本發明，用一個面板得到兩種顯示，例如可以在 表面和背面進行不同的顯示（全色顯示、單色顯示、或區 域彩色顯示）。 另外，藉由使本發明的發光元件發射白色光，不需要 使用對極小的每個R、G、B區域上進行選擇性地蒸發澱 積而使用的精密度高的金屬掩膜，所以可以提高生産率。 另外，當分別對R、G、B進行選擇性地蒸發澱積時，需 要分別提供相應於R、G、B的多個蒸發膜形成室，然而 如果是白色光，則製造裝置需要較少的蒸發膜形成室。 另外’在本發明中藉由將兩個偏光片提供在面板上並 使其錯開成90度，可以防止外界的光穿過面板，從而在 不進行顯示的狀態下實現黑色顯示。爲防止反射而使用的 圓偏光片是特殊的光學薄膜，價格昂貴，但偏光片在液晶 面板領域中被大量利用，其價格低廉。 如圖1 Α所示的一個實例，在本說明書所揭示的本發 (4) (4)1364233 明的結構是：一種發光裝置，其包含一圖素部份，該發光 裝置包含多個發光元件；和濾色器， 其中，每個發光元件包含：有透光性的第一電極；在 該第一電極上連接的含有有機化合物的層；在含有有機化 合物的層上連接的有透光性的第二電極， 其中，該發光元件同時發射：藍色光；從有機金屬複 合物發射的磷光；和從該有機金屬複合物的受激準分子狀 態發射的光，從而產生白色發光， 其中，透過該第二電極的白色光透過濾色器，從而產 生全色顯示，和 其中，透過該第一電極的白色光產生單色顯示。 另外，如圖1B所示的一個實例，本發明的其他結構 是：一種發光裝置，包含：有多個發光元件的圖素部分； 濾色器；第一偏光片；和第二偏光片， 其中，每個發光元件包括：有透光性的第一電極；在 該第一電極上連接的含有有機化合物的層；在該含有有機 化合物的層上連接的有透光性的第二電極， 其中，該發光元件同時發射：藍色光；從有機金屬複 合物發射的磷光；和從該有機金屬複合物的受激準分子狀 態發射的發光，從而產生白色發光， 其中，透過該第二電極的白色光透過濾色器和第一偏 光片，從而產生全色顯示，和 其中，透過該第一電極的白色光藉由第二偏光片，從 而產生單色顯示。 (5) (5)1364233 在上述各個結構中，所述含有有機化合物的層包括第 一發光層和第二發光層，其中該第一發光層發射藍色光； 第二發光層包含磷光材料，且從該磷光材料發出的磷光和 從該磷光材料的受激準分子狀態發出的發光同時襄光。 另外’在上述各個結構中，第二發光層中的磷光材料 以不少於10wt°/〇至40wt%，較佳的是，以不少於12.5wt% 至20wt%的濃度分散在主體材料中。 —般來說，在主體材料中混入少於1 wt%的單態化合 物’或5wt%-7wt%的三重態化合物，由於僅有幾wt%，所 以被稱爲摻雜物，但本發明的磷光材料以超過1 〇wt%的比 例分散在主體材料中，因此不是摻雜物。將摻雜物控制在 幾wt%是很困難的，針對即使極少量的變化也容易引起發 射光譜和電特性的變化，並容易産生不均勻，在本發明中 ，將超過10wt%的磷光材料混入主體材料，其濃度容易被 控制，從而可以獲得穩定的發光元件。 而且，在上述各個結構中，所述含有有機化合物的層 包括第一發光層、第二發光層、和電子傳輸層的三層，其 中第一發光層發射藍色光；第二發光層的主體材料包含磷 光材料，且從該磷光材料發出的磷光和從該磷光材料的受 激準分子狀態發出的發光同時發光。 而且，在上述各個結構中，其中所述第一偏光片的偏 光軸與第二偏光片的偏光軸有90度的差。這些偏光片具 有防止透過發光裝置看見背景，和防止反射的效果。 另外，本發明的其他結構是：一種發光裝置，它包括 -9- (6) (6)1364233 :有多個發光元件的圖素部分；第一濾色器；和第二濾色 器， 其中’每個發光元件包括：有透光性的第一電極；在 該第一電極上連接的含有有機化合物的層：和在該含有有 機化合物的層上連接的有透光性的第二電極， 其中’該發光元件同時發射：藍色光；從有機金屬複 合物發射的磷光；和從該有機金屬複合物的受激準分子狀 態發射的發光，從而產生白色發光， 其中’透過該第二電極的白色光透過具有紅色、藍色 、綠色三濾色層的第一濾色器，從而產生全色顯示，和 其中’透過該第一電極的白色光透過具有紅色、藍色 '綠色之一濾色層的第二濾色器，從而產生單色顯示。 而且，在上述各個結構中，所述發光裝置是包括視頻 相機、數位相機、個人電腦和攜帶型資訊終端的電子設備 〇 另外，爲獲得到上述各個結構的製造裝置也包含在本 發明中，其結構爲：一種製造裝置，包含：裝載室；與該 裝載室連接的傳送室；與該傳送室連接的多個膜形成室； 和與該每個膜形成室連接的安裝室，其中，每個膜形成室 和將膜形成室內真空抽氣的真空抽氣室連接在一起；和該 膜形成室包含：固定基底的固定機構；對掩膜和基底的位 置對準的對準機構；一個或兩個蒸發源；將在該膜形成室 內和安裝室內蒸發源移動的移動機構；和對基底加熱的加 熱機構，和其中多個膜形成室包括：第一膜形成室，用於 -10- (7) (7)1364233 在基底上的一電極上用蒸發澱積法形成發射藍色光的第一 發光層；第二膜形成室，用於在第一發光層上用共同蒸發 澱積方法形成第二發光層，該第二發光層包含磷光材料， 且從該隣光材料發出的磷光和從該磷光材料的受激準分子 狀態發出的發光同時發光；和第三膜形成室，用於在第二 發光層上用蒸發澱積法形成電子傳輸層。 注意’在本發明書中使用的術語“受激準分子狀態” 指的是二聚體（激發二聚體）的狀態，該二聚體只在同一 種類的一個基態分子和一個激發態分子結合而形成激發態 的情形中穩定存在。 【實施方式】 下文中將說明本發明的實施例模式。 實施例模式1 在此，用圖1和圖2說明本發明的雙面發射型發光裝 置的例子。 在圖1A中，透光性基底1001a上提供有含有作爲開 關元件的TFT的層1001b和由含有有機化合物的層、陰 極和陽極構成的含有發光元件的層1001c，從而構成白色 發光面板1001。注意，在此爲簡單起見，用於密封的保 護層、基底或薄膜在這裏沒有圖示出。 本發明中，將該白色發光面板1001和濾:色器1〇〇〇粘 合在一起以便在一個表面上獲得全色顯示。 -11 - (8) (8)1364233 而且，圖1B中顯示在雙面發射型的發光裝置中使用 光學薄膜以不看見背景的例子。注意，在圖1 B中，和圖 1 A相同的部分用相同的符號表示》 圖1A顯示發光裝置的橫截面圖。爲了防止外界的光 透過，將發光面板1001夾在偏光片I 002和1 003之間。 當兩個偏光片的偏光方向垂直時，能夠遮斷外光。而且， 因從發光面板1001發射的光只透過一個偏光片，所以能 進行顯示。 根據上述結構，由於獲得發光而進行顯示以外的部分 顯示黑色，所以當從表面或背面上看時，能夠防止透過看 到背景並容易辨識該顯示內容。 圖1B顯示在偏光片1002、1003與發光面板1001之 間有距離的例子，然而本發明不局限於此，也可以在發光 面板上直接提供偏光片。 圖2A是圖素部分的一部分的橫截面圖。而且，圖2B 是發光區域的疊層結構的簡單視圖。如圖2B所示，該發 光區域能夠從上面和下面同時發射光。另外，發光區域的 佈置方法’即圖素電極的佈置方法可以利用條形排列、三 角形排列和嵌合型排列。 在圖2A中，參考數字300表示第一基底；301 a和 301b表示絕緣層；302表示TFT ; 308表示第一電極（ 透明導電層）；而309表示絕緣體。310表示EL層；3H 表示第二電極；312表示透明保護層；313表示間隙；3]4 表示第二基底；320表示彩色層；而321表示遮光層。 -12* (9) (9)1364233 形成在第一基底300上的TFT 302 (p通道TFT)是 用來控制發光EL層310中流動的電流的元件，且參考數 字3 〇4表示其汲區（或源區）。而且，參考數字306表示 連接第一電極與汲區（或源區）的汲極電極（或源極電極 )。而且，用相同的技術，與汲極電極306同時形成諸如 電源線或源極接線之類的接線3 0 7。此處顯示第一電極與 汲極電極3 06被分別形成的例子，但它們也可以被同時形 成。在第一基底300上形成作爲基底絕緣膜的.絕緣層 301a (此處氮化物絕緣膜作爲下層，氧化物絕緣膜作爲上 層），並在閘極電極3 0 5與啓動層之間形成閘極絕緣膜。 而且。參考數字301b表示由有機材料或無機材料組成的 中間層絕緣膜。而且，雖然此處未示出，但在一個圖素中 也可以形成額外的TFT’或在一個圖素中也可以形成多個 TFT ( η通道TFT或p通道TFT)。而且，雖然此處顯示 具有一個通道形成區3 03的TFT，但本發明不特別局限於 此’也可以採用具有多個通道的TFT。 另外’參考數字308表示由透明導電膜組成的第一電 極’也就是EL元件的陽極（或陰極）。可以用ITO (氧 化銦錫合金）、氧化銦鈴合金（In2〇3_Zn〇)、氧化鋅（ Zn〇 )作爲該透明導電膜。 而且’絕緣體309(也稱爲堤壩、隔離物、障礙物、 屏障寺）覆蓋著第一電極308的邊沿部分（和接線307) 。無機材料（例如氧化矽、氮化矽、和氮氧化矽）、光敏 有機材料或非光敏有機材料（例如聚醯亞胺、丙烯酸、聚 -13- (10) 1364233 醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑、和苯並環丁 材料的疊層等’能夠被用作絕緣體3 09。此 採用被氮化矽膜覆蓋的光敏有機樹脂。當例 敏丙烯酸作爲有機樹脂材料時，最好僅僅使 沿部分具有曲率半徑的彎曲表面。而且，由 不溶於蝕刻劑的負性光敏有機材料，和由於 溶於蝕刻劑的正性光敏有機材料，都能夠被 〇 而且，用蒸發澱積方法或塗敷方法形成 物的層310。在此，用蒸發澱積設備形成有 含有有機化合物的層310。注意，在形成包 的層310之前，最好執行真空熱處理（1〇〇 從而進行除氣’以便改善可靠性。例如，若 方法，則在已經被抽空到壓力等於或小於] 0.665Pa) ’最好爲lCT4-i〇_6pa的膜形成室 當進行澱積時，用電阻加熱方法預先使有機 並在蒸發時打開閘門使有機化合物向著基底 的有機化合物向上擴散，並在穿過形成在金 窗部分之後，被澱積在基底上。 注意’如圖2B所示的例子，在陽極上 (HIL)、電洞傳輸層（HTL)、發光層（ 傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)的順 EL層（含有有機化合物的層）31〇。典型的 爲HIL ’用α-NPD作爲HTL，用含有以鈾爲 烯）、和這些 處絕緣體309 如採用正性光 絕緣體的上邊 於曝光而成爲 曝光而成爲可 用作此絕緣體 包含有機化合 均勻的膜厚的 含有機化合物 至 250°C )， 採用蒸發澱積 5 X 1 0.3 Torr ( 中執行澱積。 化合物氣化， 擴散。被氣化 屬掩膜中的視 依電洞注入層 EML)、電子 序層疊而形成 是用CuPc作 主要金屬的有 -14- (11) (11)1364233 機金屬複合物（Pt ( ppy ) acac )的CBP作爲EML，用 BCP作爲ETL ’用BCP : Li作爲EIL »根據上述疊層結構 ，得到白色光。注意，4 :4 ’ · N , N ’ -二唑基-二苯（4,4 Ί N ’ -dicarbazole-biphenyl)簡稱爲 CBP。 EL層可以是由藉由單重激發態發光（螢光）的發光 材料（單態化合物）構成的薄膜或者可以是由藉由三重激 發態發光（磷光）發光的發光材料（三態化合物）構成的 薄膜。 另外’該EL層310具有下述的特徵，也就是，本發 明藉由採用以舶爲主要金屬的有機金屬複合物，根據簡單 的疊層結構可以獲得白色光。本發明至少利用産生藍色發 光的第一發光層和便用同時産生碟光發光和受激準分子發 光的磷光材料的第二發光層，以便獲取白色光。 應該注意，這時的發射藍色光的第一發光層可以由單 一物質（藍色發光體）·構成的層來形成，也可以由主體材 料中分散（或混入）有發射藍光的客體材料來形成。 受激準分子發光跟通常的發光（如是磷光材料則指磷 光發光）相比’一定出現在長波長一側（具體是在幾十 nm或更長波長側），例如，綠色區域的發磷光的磷光材 料的受激準分子發光出現在紅色區域。所以，可以寘現在 紅、綠' 藍色的各個波長區域中有峰値且高效率的白色有 機發光元件。 作爲其具體方法，比如，有一個方法是將如鈾複合物 那樣的平面性高的磷光材料作爲客體材料，並且提高其添 -15- (12) (12)1364233 加濃度（更具體地說是不少於〗〇 Wt%的濃度）。藉由添 加1 〇 wt%或更多的高濃度磷光材料，磷光材料之間的相 互作用變大，其結果是導出了受激準分子發光。或者，還 有一個可能的方法是不將磷光材料作爲客體材料使用，而 是將磷光材料作爲薄膜狀的發光層或點狀的發光區域使用 。但是，需要注意的是導出受激準分子發光的方法不局限 於上述方法。 另外，圖2C顯示最簡單的疊層結構的例子，即在陽 極上按 HTL(ot-NPD:膜的厚度爲 30nm) 、EML (含有 Pt(PPy) acac 的 CBP:膜的厚度爲 30nm)和 ETL(BCP :膜的厚度爲20nm )這樣順序層疊三重疊層的例子。以 Pt ( ppy ) acac爲典型的三重態化合物具有高發光效率， 從而對大面板是有效的。因當採用如圖2C所示的三層結 構時，能夠縮減技術的時間並抑制增加製造裝置的膜形成 室的數量，所以適於批量生産。另外，每個層的厚度極薄 (2〇nm-30nro)，所以從材料成本的角度考慮也是有利的 〇 而且，參考數字311表示由導電膜組成的第二電極， 亦即發光元件的陰極（或陽極）。諸如MgAg、Mgln ' AlLi、CaF2、CaN之類的合金，或用Ag與周期表第I族 或第II族元素共同澱積形成的有透光性的膜，可以被用 作第二電極311的材料。此處因要製造的是藉由第二電極 發光的雙面發射型發光裝置，因而採用厚度爲l-l〇nm的 Ag膜或MgAg合金膜。若採用Ag膜被用作第二電極311 •16- (13) 1364233 的結構，則有可能利用氧化物之外的材料 機化合物的層3〗0的材料，從而能夠提高 性。而且，在形成l-〗〇nm的Ag膜之前 透光性的由CaF·，、MgF2、或BaF2組成的 5 n m )形成爲陰極緩衝層。 而且，爲了使陰極具有較低的電阻 lOnm的金屬薄膜上形成厚度50-20〇nm的 如，1 TO (氧化銦錫合金）、氧化銦鋅合： '氧化鋅（ZnO)等）。或者，爲了使陰

輔助電極。而且’在陰極形成時，可以利 的電阻加熱方.法，並利用蒸發澱積掩膜，

極C 而且，參考數字312表示用濺射方法 形成的透明保護層，此保護層保護著由金 二電極311，並且該保護層被當成防止水 。如圖2B所示，作爲透明保護層312, 射或CVD得到的氮化矽膜，氧化矽膜 SiNO膜（成分比N>〇)或SiON膜（成 以碳作爲主要成分的薄膜（諸如DLC膜， 經上述步驟形成的透明保護層312最 機化合物的層作發光層的發光元件的密封 而且，用密封材料（沒有圖示出）鍵 與第一基底3 00。密封材料包含間隙材料 形成接觸包含有 發光裝置的可靠 ，也可以將具有 層（膜厚度爲1- 可以在厚度1 -透明導電膜（諸 ^ ( In2〇3-ZnO) 極具有較低的電 電極31 1上提供 用藉由蒸發澱積 選擇性地形成陰 或蒸發澱積方法 屬薄膜組成的第 分侵入的密封膜 可以使用藉由濺 ，氮氧化矽膜（ 分比Ν<0 ))和 CN 膜）。 合適作以含有有 摸。 合第二基底314 ，以便保持一對 -17- (14) (14)1364233 基底之間的空間，並且該密封材料被排列成環繞圖素部分 的形狀。並且此處，在間隙3 1 3中塡充惰性氣體，將乾燥 劑（沒有圖示出）粘貼在第二基底上。另外，可以在間隙 中塡充透明密封材料，這種情況下，可以採用紫外線固化 或熱固化的環氧樹脂。與當一對基底之間爲空間（塡充惰 性氣體）時相比’藉由在一對基底之間塡充透明密封材料 ，可以提高整體的透光率。 另外’配合發光區域的佈置場所，粘貼濾色器和第二 基底3]4。濾色器由R' G、B的三種彩色層320、用於實 現各個彩色層之間的遮光的遮光層321和外塗層（沒有圖 示出）組成。雖然在此顯示將濾色器粘貼在第二基底3 1 4 的外側的例子，但也可以粘貼在第二基底3 1 4的內側面上 ，這種情況下，白色光的發光路線變成透過濾色器之後透 過第二基底。 根據本發明能夠實現一種新的發光顯示裝置，該發光 顯示裝置在一個面板上具有兩個螢幕，並且，在經陽極的 白色光和經陰極的白色光之中，一方的發光顯示全色，而 另一方的發光顯示單色。 實施例模式2 圖5顯示多室系統的製造裝置的俯視圖。在圖5中所 示的製造裝置，其中室的排列是謀求提高效率的排列。 在圖5所示的製造裝置中，至少使傳送室502、508 、514 —直保持真空，並且，使膜形成室506W1、506W2 -18- (15) (15)1364233 、506 W3 —直保持真空。這樣，能夠省略膜形成室內的真 空抽氣技術和塡充氮氣技術，所以在較短時間就可以完成 連續澱積處理。 •一個膜形成室只源積EL層中的一層，該EL層由不 同的材料層的疊層組成（其中含有電洞傳輸層、電洞注入 層、發光層、電子傳輸層和電子注入層等）。在各個膜形 成室中安裝有可移動的蒸發源保持器。這樣的蒸發源保持 器備有多個，在蒸發源保持器上適當地安裝多個塡充有 EL材料的容器（坩鍋），蒸發源保持器在此狀態下被安 裝在膜形成室。將基底以面向下的方式固定好，用CCD 等對蒸發澱積掩膜的位置實施對準，用電阻加熱法等實施 蒸發澱積從而可以有選擇地形成膜。 在安裝室 526p、526q、526r、526s中，進行安裝其 內密封有EL材料的容器（坩鍋）和更換蒸發源保持器的 部件。EL材料被預先在材料製造商處用容器（有代表性 的是坩鍋）來儲存。另外，在安裝中，較佳的是坩鍋不與 大氣接觸，當從材料製造商處轉移該坩鍋過來時，將坩鍋 在密封在第二容器中的狀態下引入到膜形成室中。並且， 使安裝室處於真空，在該氣氛下，從第二容器中取出坩鍋 ’且安裝到蒸發源保持器上。根據以上步驟，可以防止士甘 鍋和包含在坩鍋中的EL材料被污染。 本發明實現了由三層結構的含有有機化合物的層構成 的白色發光元件，所以至少是用三個室來形成含有有機化 合物的層。藉由用三個室的結構，能夠縮減處理時間並降 -19· (16) (16)1364233 低製造裝置的成本。另外，每個層的厚度極薄（20nm至 4 0 n m )，所以從材料成本的角度考慮也是有利的^ 例如’形成白色發光元件的情形中，可以在膜形成室 500W1形成電洞傳輸層（HTL )作爲第一發光層，在膜形 成室5 06W2形成第二發光層，在膜形成室5 06W3形成電 子傳輸層（ETL)，然後在膜形成室510形成陰極。作爲 第一發光層中的發光體，可以使用TPD、α-NPD等有電洞 傳送性的藍色螢光材料。另一方面，第二發光層的發光體 使用以鉑爲中心金屬的有機金屬複合體較合適。具體地說 ’將下面結構公式（1)至（4)中表示的物質以高濃度（ 10wt%-40wt%’較佳爲I2.5wt%-20wt%)分散在主體材料 中’可以導出磷光發光和其受激準分子發光雙方的光。注 意’本發明不受以上列舉材料的限制，只要是能使磷光發 光和其受激準分子發光雙方的光同時發射出的磷光材料， 什麽材料都可以被使用。 〔化學結構式1〕

-20- (17) (17)1364233 [化學結構式2〕

〔化學結構式3〕

〔化學結構式4〕

作爲可以形成電子傳輸層（ETL )的電子傳送材料， 包括金屬複合物，例如三（8-鸣啉醇合）鋁（以下稱Alq 3 )、三（4 -甲基- 8-D奎啉醇合）錦（以下稱Almq3)和雙（ 10-羥基苯並〔h〕-喹啉醇合）鈹（以下稱BeBq2)、和雙 (2 -甲基-8-喹啉醇合）- (4 -羥基-聯苯基）-鋁（以下稱 BAlq)、雙〔2-(2-羥苯基）-苯並噁唑醇合〕鋅（以下 稱 Zn(BOX)2)、和雙〔2-(2-羥苯基）-苯並噻唑醇合〕 鋅（以下稱Zn(BTZ)2 )。除了金屬複合物外，還包括其 他能傳送電子的材料是噁二唑衍生物，如2· (4 -聯苯基 )-5- ( 4·叔丁基苯基）-13 4·噁二唑（縮寫成Pbd )、 -21 - (18) (18)1364233 和1，3-雙〔5·(對叔丁基苯基）-1,3，4-噁二唑-2-基〕苯（ 縮寫成0XD-7):三唑衍生物，如3-(4 -叔丁基苯基）-4-苯基-5-(4-聯苯基）-1，2,4-三唑（縮寫成1^2) '和 3- ( 4-叔丁基苯基）-4- ( 4-乙基苯基）-5_ ( 4_聯苯基）· 1，2,4-三唑（縮寫成p-EtTAZ )，咪唑衍生物，如2,2，：2，，-(l，3,5-benzenetryil)三（1-苯基-1H -苯並咪唑）（縮寫 成TPBI)，和菲咯咐衍生物’如紅菲繞啉（縮寫成 BPhen)和浴銅靈（縮寫成BCP)。 特別是，可以用共同蒸發澱積方法以高濃度（1〇^%-4〇wt% >較佳爲 1 2.5 wt%-20 wt% )摻進一種金屬複合物來 形成第二發光層，所以容易調節濃度，適於批量生産。 注意’作爲蒸發澱積掩膜可以利用簡單的掩膜，該掩 膜用於在電極曝露處（後面處理中，粘合FPC (柔性印刷 電路）的地方）以外的區域進行蒸澱積。 另外，作爲陰極，使用極薄的金屬膜和透明導電膜的 疊層，以便獲得雙面發光面板。因極薄的金屬膜（Ag或 MgAg )可以用電阻力□熱方法形成厚度爲l-l.〇nm的膜，且 透明導電膜用濺射法形成，所以可以在短時間形成陰極。 雖然在此顯示形成白色發光面板的例子，但也可以形 成單色發光（.綠色、紅色、藍色等）的面板。 以下說明傳送預先提供有陽極（第一電極）和用於覆 蓋該陽極末端部分的絕緣體（隔離物）的基底到圖5所示 的製造裝置中，以形成發光裝置的步驟。另外，在製造主 動矩陣型發光裝置的情形中，基底上預先提供多個與陽極 -22- (19) (19)1364233 連接的薄膜電晶體（用於控制電流的TFT )和其他薄膜電 晶體（開關用TFT等），還提供由薄膜電晶體構成的驅 動電路。另外，圖5所示的製造裝置也可用於形成單純矩 陣型發光裝置。 首先，上述基底（600mmx720mm)安裝在基底安裝 室 520 中。如 320mmx400mm、370mmx470mm、550mm x 650mm、600mm x 720mm ' 680mm x 880mm ' 1 000mm x ]200mm、ll〇〇mmxl250mm 或 n50mmxl300mm 這樣的 大尺寸基底也可以適用。 傳送安裝在基底安裝室520的基底（提供有陽極和用 於覆蓋該陽極末端部分的絕緣體的基底）到維持在大氣壓 下的傳送室518。注意，在傳送室518中提供有用於將基 底傳送或反轉的傳送系統（傳送自動裝置等）。 另外，在每個傳送室508、514、5 02提供傳送系統和 真空抽氣裝置。安裝在傳送室518的自動裝置可以將基底 正面和反面反轉，並可以將基底反轉而傳送到輸送室505 。輸送室505連接到真空抽氣處理室，可以藉由真空抽氣 變成真空，也可以在真空抽氣之後藉由引入惰性氣體使輸 送室5 05處於大氣壓下。 另外，上述真空抽氣室提供有磁懸浮型渦輪分子泵、 低溫泵或乾燥泵。由此，連接到每室的傳送室的最終真空 度可以做到落在1 0·5至1 (T6Pa的範圍，而且，可以控制 雜質從泵側和抽氣系統的反向擴散。爲了防止雜質混入到 裝置的內部，使用氮氣或稀有氣體等的惰性氣體作爲要引 -23- (20) (20)1364233 入的氣體。將要引入到裝置中的這些氣體，在其被引入到 設備之前用氣體精製器高度提純，然後被使用。因而，有 必要提供氣體精製器，使得氣體在被高度提純之後引入到 蒸發澱積系統中。由此，包括在氣體中的氧、水和其他雜 質可以預先被除去，因而，可以防止雜質混入到設備中。 另外，在將基底安裝到基底安裝室520之前，爲了減 少表面的點缺陷，較佳的是，將介面活性劑（弱鹼）包含 於多孔海綿（典型地，由PV A (聚乙烯醇）或尼龍製成） 中，用其擦拭和淸洗第一電極（陽極）表面以便去除表面 的微粒。作爲淸洗裝置，可使用具有滾刷（用PVA形成 )的淸洗裝置，滾刷與基底表面接觸，同時繞平行於基底 表面的軸線旋轉，或也可使用具有圓盤狀刷子（用PV A ( 聚乙烯醇）形成）的淸洗裝置，圓盤狀刷子與基底表面接 觸，同時繞垂直於基底表面的軸線旋轉。 接下來，從傳送室518傳送基底到輸送室505，然後 ，從輸送室505傳送基底到傳送室502而不暴露於大氣。 .此外，較佳的，.在蒸發澱積以形成含有有機化合物的 膜之前進行真空加熱，以便消除皺縮。將基底從傳送室 5 02載送到多階段真空加熱室521，並在真空（等於或低 於 5X10·3 Torr(0.665Pa)的壓力，較佳從 10·4 至 lj l(T6Pa )中進行用於除氣的退火，以便完全除去含在基底中的濕 氣和其他氣體。在多階段真空加熱室521中用平板加熱器 (典型的是護套加熱器）對多個基底均勻地加熱。安裝多 個這樣的平板加熱器，用平板加熱器將基底夾在中間從兩 -24- (21) (21)1364233 面對基底加熱，當然，也可以只從單面對基底加熱。特別 是，如果有機樹脂膜用作中間層絕緣膜材料或隔離物的材 料，有機樹脂材料趨於容易吸收濕氣，此外，還有産生除 氣的危險 < 因此在形成含有有機化合物的層之前，進行真 空加熱相當有效，具體是在]00至2 5 0 °c、較佳爲】501 至2 0 0 t的溫度下在例如3 0分鐘或更長時間的周期內加 熱之後’進行3 0分鐘的自然冷卻，以便除去吸收的濕氣 〇 另外’除了上述真空加熱以外，在惰性氣體氣氛中 200t：至2 5 0 °C的溫度下加熱的同時可以實施UV照射。此 外’當不進行真空加熱時，可以只在惰性氣體氣氛中200 °C至2 5 0°C的溫度下加熱的同時實施UV照射。 如果有必要，可以在大氣壓下或減壓下的膜形成室 512用噴墨法、旋塗法或噴霧法形成由聚合材料組成的電 涧注入層。此外，還可以在使用噴墨法的塗敷後，實施旋 塗以求均勻的膜厚度。同樣，可以在使用噴霧法的塗敷後 ，實施旋塗以求均勻的膜的厚度。還可以豎著放置基底真 空中用噴墨法形成膜。 例如，在膜形成室512中，將聚（乙烯二氧噻吩）/ 聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS)的水溶液、聚苯胺/樟 腦磺酸（PANI/CSA )的水溶液、PTPDES、Et-PTPDEK、 PPB A等作爲電洞注入層（陽極緩衝層）發揮作用的材料 塗敷在第一電極（陽極）的整個表面上並焙燒。較佳的， 在多階段加熱室5 23 a、5 2 3 b中進行焙燒。 -25- (22) (22)1364233 藉由採用旋塗器等塗覆法形成由聚合材料構成的電洞 注入層（HIL)的情況還可以提高平坦性，對於在其上形 成的膜，可以得到滿意的膜的覆蓋率和膜的厚度的均勻性 。特別是，由於發光層的膜的厚度很均勻，因此可以獲得 均勻的光發射。在這種情況下’較佳的，在用塗覆法形成 電洞注入層之後和用蒸發澱積法澱積形成膜之前進行大氣 壓加熱或真空加熱（在l〇〇°C至200°c )。 比如，用海綿淸洗第一電極（陽極）的表面，將基底 傳送到基底安裝室520，傳送到膜形成室512a，藉由旋塗 在整個表面上形成厚60 nm的聚（乙烯二氧噻吩）/聚（ 苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS )的水溶液的膜，然後傳送到 多階段加熱室523a、523b，在80 °C的溫度下進行預備焙 燒10分鐘，然後在200°C下進行1小時的正式焙燒，並 將基底傳送到在多階段真空加熱室521，一直到澱積即將 開始之前實施真空加熱（在】70 °C下加熱30分鐘，然後 冷卻 30分鐘），然後傳送基底到膜形成室 5O0W1、 5 06 W2、50 6 W3，在不暴露於大氣的情況下，用蒸發澱積 法形成EL層。特別是，在用ITO膜作爲陽極的材料，表 面上存在凸凹不平和微小顆粒的情形中，藉由將 PEDOT/PSS的膜的厚度設定爲30nm或更多，可以減少這 些影響。此外，爲了增加PEDOT/PSS的可濕性，較佳的 ，在UV處理室531進行紫外線照射。 此外，如果藉由旋塗用PEDOT/PSS形成膜時，可以 在整個表面上形成膜，因此較佳的，在基底的邊緣表面或 -26- (23) 1364233 周邊部分 '接線頭部分、陰極和下部線 地除去PEDOT/PSS膜。較佳的，在預j 掩膜藉由採用 02灰化等有選擇地進行 室503裝備有電漿發生裝置，藉由激發 F和〇的組中的一種或多種氣體産生電 由使用掩膜，可以有選擇地只除去不要 在掩膜儲存室5 24a、5 24b儲存蒸 地，在實施蒸發澱積時傳送其到膜形成 基底時，掩膜的尺寸也變大，用於固定 增大，從而很難儲存大量掩膜，所以在 儲存室524a、524b。也可以在掩膜儲存 潔蒸發澱積掩膜。另外，在蒸發澱積中 於空閒狀態，可以用來儲存膜形成後或 接下來，從傳送室5 02傳送基底到 ’在不暴露於大氣的情況下，從輸送室 送室5 08。 然後，適當地傳送基底到與傳送室 成室 506W1、506W2、506W3，適當地 體）材料製成的有機化合物層諸如電洞 電子傳輸層。藉由適當地選擇EL材料 光元件，該發光元件整體發射單色（具 意’在不暴露於大氣的情況下，經輸送 ’在各個傳送室之間傳送基底》 接下來，藉由於安裝在傳送室514 路連接的區域選擇 處理室5 0 3中使用 除去步驟。預處理 選自包含Ar、Η、 漿進行乾蝕刻。藉 部分。 發澱積掩膜，適當 室。在利用大尺寸 掩膜的尺寸也隨之 此提供了兩個掩膜 :室 524a 、 524b 淸 ，因掩膜儲存室處 處理後的基底。 輸送室5 0 7，然後 5 〇 7傳送基底到傳 508相連接的膜形 形成由低分子（單 傳輸層、發光層、 ，可以形成一種發 體爲白色）光。注 室 540 ' 541 ' 511 內部的傳送系統， -27- (24) (24)1364233 基底被傳送到膜形成室5 1 0中以形成陰極。陰極較佳的具 有透明或半透明性’可以採用使用電阻加熱的蒸發澱積法 而形成的金屬膜（由 MgAg、Mgln' CaF2、LiF、CaN等 的合金形成；或者屬於周期表中第I族和第11族的元素 和鋁藉由共同澱積方法形成的膜；或這些膜層疊而成的膜 )的薄膜（lnm-10nm)，或者上述金屬膜的薄膜（1〇111· 1 Ο n m )和透明導電膜層疊而成的疊層。然後，將基底從 傳送室508經輸送室511輸送到傳送室514之後，輸送到 膜形成室5 09用濺射法形成透明導電膜。 藉由上述步驟’形成具有含有有機化合物的層的層疊 結構的發光元件。 另外’傳送基底到與傳送室5 1 4相連接的膜形成室 513，在膜形成室513形成由氮化矽膜或氮氧化砂膜組成 的保護膜用來密封。在此，膜形成室513的內部提供由矽 製成的靶、或者氧化矽製成的靶，或者氮化矽製成的靶。 此外，相對於被固定的基底，可以移動棒狀的靶來形 成保護膜。另外，相對於被固定的棒狀的靶，也可以藉由 移動基底來形成保護膜。 例如，氮化矽膜可以在陰極上用矽製成的圓盤狀靶在 由氮氣氛或包括氮和氬的氣氛構成膜形成室的氣氛中形成 。另外，以碳作爲主要成分的薄膜（DLC膜，CN膜，或 非晶質石碳膜）也可作爲保護膜。或者，另外提供使用 CVD法的膜形成室。類金剛石石碳膜（也被稱爲DLC膜 )可以用電漿CVD法（典型地，RF電漿CVD法，微波 -28- (25) 1364233 CVD法，電子迴旋共振（ECR ) CVD法，熱燈絲 )，燃燒炎法，濺射法，離子束蒸發澱積法，雷： 積法等形成。作爲用於形成膜的反應氣體，使甩氫 氫型氣體（例如，C Η 4、C 2 Η 2、C 6 Η 6等）。反應氣 藉由輝光放電被離子化。所得到的離子被加速以碰 偏壓的陰極以便形成DLC膜。CN膜可以用C2H4 爲反應氣體而形成。所得到的DLC膜和CN膜對可 透明或半透明的絕緣膜。在本說明書中，所謂“對 透明”意思是可見光的透射率是8 0 · 1 0 0 %， “對可 透明”意思是可見光的透射率是5 0 - 8 0 %。 另外，也可以採用在陰極上形成由第一無機絕 應力緩和膜和第二無機絕緣膜的疊層製成的保護層 上述保護層。例如，在形成陰極後，基底被傳送到 室513形成厚度爲5 nm-50 nm的第一無機絕緣膜， 傳送基底到膜形成室506W1、506W2、506W3用蒸 法形成具有吸濕性和透明性的厚度爲10nm-100nm 緩和膜（無機層或含有有機化合物的層），然後再 基底到膜形成室513形成厚度爲5nm-50nm的第二 緣膜。 然後，傳送其上形成有發光元件的基底到密封 〇 從外部安裝密封基底到裝載室517中以備用。 室517傳送密封基底到傳送室52 7，如果有必要， 底到用於粘貼乾燥劑或光學薄膜（諸如，濾色器、 CVD法 蒸發澱 .氣和碳 體然後 撞負子 、N2作 見光是 可見光 見光半 緣膜、 來代替 膜形成 然後， 發澱積 的應力 次傳送 無機絕 室 5 19 從裝載 傳送基 偏光膜 -29- (26) (26)1364233 等）的光學薄膜結合室529。另外’可以安裝其上預先粘 貼有光學薄膜（濾色器、偏光片）的密封基底到裝載室 5 17° 注意，較佳的，預先在多階段加熱室5 1 6內進行退火 ，以便除去密封基底中的雜質如濕氣。在密封基底上形成 密封材料的情形中，其中該密封材料粘接密封基底到其上 形成有發光元件的基底，在分配室515內形成密封材料， 然後’將其上形成有密封材料的密封基底經過輸送室542 傳送到傳送室514，然後載送給密封基底儲存室53 0。注 意，雖然這裏顯示在密封基底上形成密封材料的例子，但 是本發明不限於這種結構，密封材料還可以形成在其上形 成有發光元件的基底上。另外，也可以在密封基底儲存室 53〇儲存用於蒸發澱積的蒸發澱積掩膜。 注意，本實施例顯示在採用雙面發射型結構的情況的 例子，由此可以傳送密封基底到光學薄膜結合室529，然 後將光學薄膜粘合到密封基底的內側。或者，將其上提供 有發光元件的基底和密封基底鍵合在一起之後，將鍵合的 基底傳送到光學薄膜結合室529，然後可以將光學薄膜（ 濾色器或偏光片）粘貼到密封基底的外面。 接下來，在密封室519將基底和密封基底鍵合在一起 。藉由提供在密封室5中的紫外線照射機構用UV光照 射與密封基底鍵合在一起的基底以固化密封材料。UV光 較佳的從沒有提供遮光的T F T的密封基底一側照射。注 意’這裏雖用紫外線固化+熱固化樹脂作爲密封材料，本 -30- (27) 1364233 發明的密封材料並不特別地限制於此，也 紫外線以進行固化的樹脂。 另外，在密閉的空間內可以塡充樹脂 氣體。在從底面發射型發光元件的密封基 的情況中，因爲陰極不能透過光線，所以 脂材料沒有特別限制，可以利用紫外線固 性樹脂，但在從雙面發射型發光元件的密 外線的情況中，因爲紫外線能透過陰極以 所以較佳的不使用紫外線固化性的樹脂。 面發射型的情形中，較佳的用具有熱固化 脂作爲塡充樹脂。 接下來，從密封室519傳送與密封基 基底到傳送室514並從傳送室114經過輸 到取出室525並取出。 另外，在從取出室525取出基底之後 化密封材料。當採用頂面發射型並填充熱 能夠將密封材料和熱固化性樹脂同時固化 如上所述，藉由用圖5所示的製造裝 件完全被密封在密閉的密封空間，發光元 氣中，因而，可以製造高可靠性的發光裝 此外，這裏雖沒有示出，本發明的形 控制移動基底到各個處理室路徑，實現了 系統。 在下面的實施例中，將對具有上述結 可以使用只利用 來代替塡充惰性 底側照射紫外線 被用於塡充的樹 化樹脂或不透明 封基底側照射紫 致破壞EL層， 從而，當採用雙 性和透明性的樹 底鍵合在一起的 送室542傳送其 ，進行加熱以固 固化性樹脂時， 〇 置，直到發光元 件都不暴露於大 置。 成設備中提供有 全自動化的控制 構的本發明進行 -31 - (28) (28)1364233 更詳細的描述t 實施例 實施例1 本實施例用圖3示出形成發光裝置（雙面發射結構） 的一個實例’其中，發光裝置在有絕緣表面的基底上具有 以有機化合物爲發光層的發光元件。 另外，圖3A是發光裝置的俯視圖，圖3B是沿圖3A 中線A-A，切割構成的橫截面視圖。用虛線表示的！ 1〇1是 源極訊號線驅動電路、1 1 〇 2是圖素部分、1 1 〇 3是閘極訊 號線驅動電路。1104是透明密封基底、H05是第一密封 材料，第一密封材料1105圍成的內側中塡充有透明第二 密封材料]1 0 7。第一密封材料U 〇 5中含有保持基底間距 的間隙材料。 另外，用於傳輸輸入到源極訊號線驅動電路1 1 0 1和 閘極訊號線驅動電路1103的訊號的線路1108從作爲外部 輸入終端FPC (柔性印刷電路）1 1 09接收視頻訊號或時 鐘訊號。儘管這裏只圖顯示FPC，此FPC可以附連有印 刷接線板（P W B )。 其次，參考圖3B說明橫截面結構。雖然驅動電路和 圖素部分形成於透明的基底U10之上，這裏，只示出作 爲驅動電路的源極訊號線驅動電路1101和圖素部分1102 〇

另外，源極訊號線驅動電路1 101由η通道型TFT -32- (29) (29)1364233 1123和p通道型TFT 1124組合的CMOS電路形成。另外 ’形成驅動電路的TFT可以藉由衆所周知的CMOS電路 ，PMOS電路或NMOS電路形成。另外，儘管本實施例中 ’示出在基底之上形成驅動電路的驅動器整合型，驅動器 整合型不是必須要的，驅動電路可以不形成在基底之上， 可以在其外。另外’以多晶矽膜或非晶矽膜作啓動層的 T F T結構不受特別限制，其可以是頂閘型τ F T，也可以是 底閘型TFT。 另外’圖素部分1102由多個圖素形成，每個圖素包 括開關TFT 1 1 1 1、電流控制TFT 1112，和第一電極（陽 極）1113’第一電極電連接到電流控制TFT 1112的汲區 。作爲電流控制TFT 1]12，其可以是n通道型TFT也可 以是P通道型TFT。在其與陽極連接的情形中，較佳的是 P通道型T.FT。另外，較佳的是適當地提供儲存電容器（ 沒有圖示出）。另外，無數個被排列的圖素當中，只有顯 示一個圖素的橫截面，這裏雖顯示2個TFT用於此一個 圖素的實例，3個TFT或更多，也可以被適當地用於一個 圖素。 由於第一電極1113直接接觸到TFT的汲區，故第一 電極]113的底層由能夠與矽組成的汲區形成歐姆接觸的 材料構成。與含有有機化合物層接觸的第一電極1113的 $面，最好由功函數大的材料組成。例如，利用透明導電 膜（氧化銦錫合金（ITO )、氧化銦鋅合金（Ιη203-Ζη0 ) '氧化鋅（ZnO )等）。 -33- (30) (30)1364233 而且’在第一電極（陽極）1113的兩端上，形成絕 緣體（稱爲堤壩、隔離物，障礙物，屏障等）1 ! 1 4。絕緣 體丨Π4可以由有機樹脂膜或含有矽的絕緣膜組成。此處 ，正型光敏丙烯酸樹脂膜被用來形成如圖3所示形狀的絕 緣體1 1 1 4。 爲了獲得良好的覆蓋度，最好使絕緣體1 1 1 4的上邊 緣部分或下邊緣部分成爲具有曲率半徑的彎曲形狀。例如 ，若正型光敏丙烯酸被用作絕緣體Π14的材料，則最好 僅僅彎曲絕緣體〗114的上邊緣部分使其具有曲率半徑（ 0.2 μ m - 3 μ m )。在光照下變成不溶於餓刻劑的負型光敏材 料和在光照下變成溶於蝕刻劑的正型光敏材料，都能夠被 用於絕緣體1114。 可以用由氮化鋁膜、氮氧化鋁膜 '以碳爲主要成分的 薄膜，或氮化矽膜形成的保護膜來覆蓋絕緣體1114。 藉由蒸發澱積法將含有有機化合物的層1115選擇地 形成在第一電極（陽極）1 1 1 3。本實施例用在實施例模式 2所示的製造裝置形成有均勻厚度的含有有機化合物的層 1M5。第二電極（陰極）1116形成在含有有機化合物的 層Π15之上。陰極可使用功函數小的材料（例如Al、Ag ' Li、Ca，或這些材料的合金MgAg、Mgln、AlLi、無機 材料比如CaF2、或CaN )。這裏’爲使光能透射過去， 第二電極（陰極）Π〗6使用包括厚度薄的金屬薄膜（ MgAg:膜的厚度爲10nm)和膜的厚度爲l]0nm的透明導 電膜（氧化姻錫合金（ITO)、氧化姻辞合金（Ιη2〇3_ΖηΟ -34- (31) (31)1364233 )、氧化鋅（ZnO)等）製成的疊層。藉由以上步驟，形 成由包括第一電極Π]3(陽極），含有有機化合物的層 1】】5及第二電極〗]16(陰極）製成的發光元件本 實施例按順序形成C u P c (厚度爲2 0 n m ) 、a - N P D (厚度 爲30nm)、含有以鉑爲主要金屬的有機金屬複合物（Pt (ppy)acac)的 CBP(厚度爲 30nm) 、BCP(厚度爲 20nm) 、BCP:Li(厚度爲40nm)的疊層作爲含有有機 化合物的層1 1 1 5 ’以獲取白色光。本實施例顯示的是發 光元件】Π8發白色光的實例，因而，提供有由彩色層 1131和遮光層（ΒΜ) Π 32製成的濾色器（爲簡單起見， 外塗層在這裏沒有圖示出）。 爲了密封發光元件1 1 1 8形成透明保護疊層1 1 1 7。透 明保護疊層Π17由包括第一無機絕緣膜，應力緩和膜及 第二無機絕緣膜的疊層組成。作爲第一無機絕緣膜和第二 無機絕緣膜，可以使用藉由濺射法或CVD法獲得的氮化 矽膜，氧化矽膜，氮氧化矽膜（SiNO膜（成分比Ν>0) 或SiON膜（成分比Ν<0 ))和以碳作爲主要成分的薄膜 (諸如DLC膜’CN膜）。這些無機絕緣膜雖對水分有很 高的封閉效應，但隨著膜的厚度的增大，膜應力也增大， 這樣就容易産生剝皮和膜的剝落。但是，如在第一無機絕 緣膜和第二無機絕緣膜之間夾上應力緩和膜，即可以緩和 應力並吸收水分。而且，即使在膜的形成時，出於某種原 因在第一無機絕緣膜上形成微小的氣孔（針尖狀氣孔）， 應力緩和膜可以塡塞這些氣孔。然後，進一步在應力緩和 -35- (32) 1364233 膜之上提供第二無機絕緣膜使其對水和氧有極高的封閉 應。作爲應力緩和膜’較佳的是，使用比無機絕緣膜的 力小而且有吸濕性的材料。更佳的是，同時具有透光性 材料。作爲應力緩和膜還可以使用諸如a-NpD ( 4,4，-. [Ν·(萘基）-N-苯基-氨基〕-聯苯），浴銅靈 bathocuproin “ BCP ” ） ，Μ T D A T A ( 4,4，，4 ' t r i s ( N m e t h y 1 p h e n y 1. N - p h e π y 1 - a m i η o ) triphenylamine )(三 苯胺三甲基戊烯甲基胺），Alq3(三-8·羥基曈啉鋁複 體）等含有有機化合物的材料膜》這些材料膜有吸濕性 如果膜的厚度薄，則幾乎是透明的。另外，MgO、SrO: SrO有吸濕性和透光性，可以藉由蒸發澱積形成薄膜， 薄膜也可以作爲應力緩和膜》在本實施例中，用矽製成 靶在氮和氬的氣氛構成的氣氛中形成的膜，也就是說， 水和鹼性金屬等雜質有極高封閉效果的氮化矽膜用於第 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜，藉由蒸發澱積的Alq3 用於應力緩和膜。爲使光能透射過透明保護疊層，較佳 是，使透明保護疊層的膜的總厚度盡可能地薄。 另外’爲了密封發光元件1118，在惰性氣體氣氛 ，用第一密封材料1105、第二密封材料1107將基底和 封基底η 04鍵合在一起。另外，作爲第一密封材料Η ’較佳的是使用環氧類樹脂。另外，若材料具有透光性 ，則對第二密封材料1 1 07沒有特別的限制，典型地採 紫外線固化的環氧樹脂或熱固化的環氧樹脂。此處採用 熱性高的紫外線環氧樹脂（EUctrolite公司製造的，産 效 應 的 ( -3 · 合 合 該 的 對 膜 的 中 密 05 質 用 抗 品 -36- (33)1364233 名爲 2 500 Clear ) ’肖氏 D ( Shore ] s τ g 點爲 1 5 01 ! M 爲 450V/ mi Is j] 密封材料1 1 0 7，i 氣體）相比，能夠 料1 ] 0 5和第二密宝 氧的材料。 另外，根據本 料’除了玻璃基底 玻璃纖維強化塑膠 )、聚酯、或丙烯 材料Π 05和第二； ’可以用第三密封 的密封。 如上所述，藉 和第二密封材料1 斷，所以可以防止 化的物質從外界入 置。 本實施例可以 實施例2 本實施例以圖 ’其折射率等於1.50，粘度等於5〇〇cps D)硬度等於90，抗張強度等於3〇〇〇psi 體積電阻率等於Ixl〇15QCm，而耐電 万且’藉由於在一對基底之間塡充第二 契在一對基底之間變爲空隙（塡充惰性 提咼整體的透射率。此外，第—密封材 寸材料1107較佳的爲儘量不滲透濕氣或 實施例，作爲構成密封基底1 1〇4的材 或石英基底之外，可以使用包括FRP ( ;)、PVF (聚氟乙烯）、邁拉（Mylar 酸樹脂的塑膠基底。另外，用第一密封 g封材料1 1 〇 7粘接密封基底1 1 04之後 材料覆蓋側面（.暴露的面）實現進一步 由密封發光元件於第一密封材料1105 ]07中，發光元件可以完全地與外界阻 諸如濕氣或氧這樣加速有機化合物層退 侵。因而，可以提供高度可靠的發光裝 和實施例模式1自由組合。 4A至圖4G顯不具有兩個或更多顯不 -37- (34) (34)1364233 裝置的電子設備的例子。根據本發明可以完成具有E L模 組的電子設備。這些電子設備的例子包括視頻相機、數位 相機、風鏡式顯示器（頭戴式顯示器）、導航系統、音頻 再生裝置（汽車音響、音響部件等）、筆記型電腦、遊戲 機、攜帶型資訊終端（移動電腦、行動電話、攜帶型遊戲 機、電子書等）、和包括記錄媒體的影像再生設備（具體 地說是能夠處理諸如數位萬用碟（DVD)之類的記錄媒體 中的資料並具有能夠顯示資料影像的顯示器的裝置）。 圖4A是表示一種筆記型電腦的立體圖，而圖4B則 表示在折疊狀態下的該筆記型電腦的立體圖。該筆記型電 腦包含主體2201、機殼2202、顯示部分2203a、2203b、 鍵盤2204、外部連接埠2205、滑鼠2206等^ 圖4A和4B示出的筆記型電腦具備包括主要用來顯 示全色影像的高淸晰度的顯示部分2203a，和主要用來顯 示文字或符號的利用單色方式的顯示部分2203 b。 圖4C表示一種攜帶型電腦的立體圖，而圖4E)則表 示其背面的立體圖。該攜帶型電腦包含主體23 0 1、顯示 部分23 02a ' 2 3 02b、開關2 3 03、操作鍵23 04、紅外線埠 2 3 05等。該移動式筆記本電腦具備包括主要用來顯示全 色影像的高淸晰度的顯示部分2302a，和主要用來顯示文 字或符號的利用單色方式的顯示部分2302b。 圖4E顯示一種視頻相機，它包含主體260 1、顯示部 分2602、機殼2603 '外部連接埠2604、遙控接收部份 2 605、影像接收部份2606、電池2 607、音頻輸入部份 -38- (35) (35)1364233 2 608、操作鍵2609等。顯示部分2602是雙面發光面板， 能夠在一方的表面上主要顯示全色影像的高淸晰度顯示， 並在另一方的表面上用單色方式主要顯示文字或符號。另 外’顯示部分2602可以在結合部分旋轉。本發明被用於 顯示部分2602。 圖4F表示一種行動電話的立體圖，而圖4G則表示 在折疊狀態下的該行動電話的立體圖。該行動電話包含主 體2701、機殻2702'顯示部分2703a、2703b、音頻輸入 部份2704、音頻輸出部份2705、操作鍵2706、外部連接 埠2 707、天線2708等。 圖4F和4G表示的行動電話，其中包括主要用來顯 示全色影像的高淸晰度的顯示部分2703 a和主要用來顯示 文字或符號的利用單色顯示或區域彩色方式的顯示部分 2703 b。這種情況下，顯示部分2 703 a使用濾色器，而顯 示部分2703b使用作爲區域彩色的光學薄膜。 本實施例可以與實施例模式或實施例1自由組合。 實施例3 在圖6顯示蒸發澱積設備的俯視圖的實例。 在圖6中，膜形成室101包括基底支撐裝置（沒有圖 示出）、提供有蒸發澱積閘門（沒有圖示出）的第一蒸發 源保持器l〇4a和第二蒸發源保持器104b、移動蒸發源保 持器的裝置（沒有圖示出）和用於産生低壓氣氛的裝置（ 真空抽氣裝置）。膜形成室101藉由産生低壓氣氛的裝置 -39- (36) 1364233 或更低真空度，較 抽真空到低於5 x]〇”Torr ( 〇.665Pa) 佳的爲1〇·4〜10_6Pa。 另外’膜形成室連接到氣體引入系統（沒有圖示出） ，以在澱積時將幾SCC.m的材料氣體引入到膜形成室並 且膜形成室連接到惰性氣體（Ar、N2等）引入系2 (沒 有圖示出），以恢復膜形成室中的正常壓力。而且，膜形 成室可以提供淸潔氣體（選自&、h、NFs或〇2的一種 或多種氣體）引入系統。注意，材料氣體最好不從氣體引 入口以最短距離流動到氣體排出口。 另外，在形成膜時，可以意向性地引入材料氣體而使 材料氣體的成分包含在有機化合物膜中，從而獲得高密度 的薄膜，其結果，可以阻擋諸如濕氣或氧這樣加速有機化 合物膜退化的雜質的入侵、擴散。具體地說，材料氣體可 以利用選自包括矽烷氣體（矽烷、乙矽烷、丙矽院等）' SiF4、GeH4、GeF4、SnH4 和烴氣體（CH4、c2H2、c2H4、

CeH6等）的組中的一種或多種氣體。另外，材料氣體也 包括用氫或氬等稀釋上述氣體的混合氣體。引入到設備內 部的這些氣體’在其被引入到設備之前用氣體精製器高度 提純’然後被使用。因而’有必要提供氣體精製器，使得 氣體在被局度提純之後引入到蒸發澱積設備中。由此，包 括在氣體中的殘留氣體（氧、濕氣和其他雜質）可以預先 被除去，因而，可以防止這些雜質混入到設備內部❶ 例如，在澱積時.藉由引入矽烷氣體，使薄膜中包含 Si，在完成發光元件之後如存在針孔或短路等的缺陷時， •40· (37) (37)1364233 該缺陷部分發熱’以使Si起反應形成諸如Si0x ' siCx的 絕緣性絕緣體’這樣就減少了針孔或短路部分的滲漏，並 抑制點缺陷（暗斑’等）的進一步惡化，也就是可以獲得 自我癒合的效果。 注意’當引入上述材料氣體時，除了低溫泵以外較佳 同時提供磁懸浮型渦輪分子泵或乾燥栗。 另外，在膜形成室101中 '，可以沿圖6的虛線所示的 移動路徑多次移動蒸發源保持器104。注意，在圖6所示 的移動路徑只是一個實例’所以移動路徑不局限於此。爲 了得到均勻的膜厚’較佳的如圖6所示那樣挪動移動路徑 以移動蒸發源保持器，以便進行澱積。另外，蒸發源保持 器也可以往返在相同移動路徑上。此外，可以以移動路徑 的區間爲單位來適當地調節蒸發源保持器的移動速度，以 求均勻的膜厚度，和澱積薄膜時間的縮短。例如，將蒸發 源保持器以30cm/分鐘至300cm/分鐘向X方向或Y方 向移動。 另外，也可以如圖9所示的對局部進行澱積而製造白 色發光元件。藉由對局部進行澱積，用於面板的區域至少 包含用於顯示區的區域。對局部進行澱積，可以防止在不 需要澱積的區域上進行澱積。爲了對局部進行澱積，將閘 門（沒有圖示出）適當地打開和關閉，實現澱積而不使用 掩膜。圖9顯示多個面板時的實例，參考數字90 0是大面 積的基底，90 1是膜形成室，9 04是能夠移動的蒸發源保 持器，9 0 6是坩鍋。 -41 · (38) (38)1364233 另外，蒸發源保持器104a、1 04b上安裝塡充有蒸發 材料的容器（坩鍋106)。在此，表示了一個蒸發源保持 器104a、1 (Mb上安裝有兩個坩鍋的例子。另外，安裝室 103安裝有膜厚度計（沒有圖示出）。在此，在移動蒸發 源的過程中不用薄膜厚度計監視，因此減少膜厚度計的更 換頻度。 注意，當多個容器（儲藏有機化合物的坩鍋或澱積舟 )排列在一個蒸發源保持器上時，最好坩鍋的裝配角被偏 置成使各個蒸發方向（蒸發中心）交叉於其上進行澱積的 物體位置處，以便彼此混合各種有機化合物。 而且，蒸發源保持器平常等待在坩鍋安裝室內，執行 加熱和保溫一直到澱積速度穩定。膜厚度計（沒有圖示出 )設置在坩鍋安裝室。當澱積速度穩定後，輸送基底到膜 形成室102,進行基底和掩膜（沒有圖示出）的對準之後 ’打開閘門移動蒸發源保持器。另外，蒸發掩膜和基底的 對準可以用CCD相機（沒有圖示出）證實。對準控制可 以分別在基底和蒸發掩膜中安裝對準標記物來實施。在實 施澱積後’將蒸發源保持器輸送到坩鍋安裝室並關閉閘門 。在關閉閘門後，將基底輸送到傳送室1 02。 而且，在圖6中，多個蒸發源保持器l〇4a、104b可 以等待在安裝室103，當一個蒸發源保持器的蒸發材料被 用完時’可以用另一個蒸發源保持器代替蒸發材料被用完 的蒸發源保持器，按順序移動來進行連續的澱積。此外， 當一個蒸發源保持器移動在膜形成室時，沒有蒸發材料的 •42- (39) (39)1364233 蒸發源保持器可以補充EL材料。藉由利用多個蒸發源保 持器104’可以提高澱積膜的效率。 而且’雖然蒸發源保持器l04a、104b上只可以安裝 兩個祖鍋’但也可以用能夠安裝4個坩鍋的蒸發源保持器 ’在其上只安裝兩個或一個增鍋來進行藏積。 根據本發明能夠縮短澱積薄膜的時間。習知上，當補 充EL材料時’打開膜形成室暴露到空氣，在給坩鍋補充 完EL·材料後’由於需要實施真空抽氣，因此補充材料所 需時間變長，導致生産量減少。 並且’藉由抑制EL材料粘附到膜形成室內壁，能夠 減少淸潔膜形成室內壁等的維修頻度。 而且’在安裝室1 03b中坩鍋1 〇6被安裝到蒸發源保 持器104a、l〇4b。用圖7A和圖7B顯示傳送的情況。注 意’圖7與圖6對應的部分使用相同的參考數字表示。用 真空將坩鍋106密封在一個容器中，該容器由上部部件 72 ] a和下部部件72 1 b製成，並在這樣的狀態下從膜形成 室103的閘門112被搬入。首先，將被搬入的容器安裝在 容器安裝轉動台109，打開固定器702(圖7A)。由於容 器內部是真空狀態，所以在大氣壓下如果打開固定器702 也不會取下上部部件72〗a。然後，對安裝室103a進行真 空抽氣，使容器蓋子（上部部件721a)變爲可能取下的 狀態。 下面將參考圖7A具體說明要載送的容器樣式。用於 載送的被分割成上部（721a)和下部（721b)的第二容器 -43- (40) (40)1364233 包括：提供在第二容器上部的用於固定第一容器（坩鍋） 的固定裝置706、用於給固定裝置加壓的彈簧7 05、提供 在第二容器下部用於構成氣體路徑來保持第二容器被減壓 的氣體引入口 708、用於固定上容器721a和下容器721b 的〇型環和固定器7 02。塡充有精製的蒸發材料的第一容 器106被安裝在第二容器中。另外，第二容器可以用含不 銹鋼的材料形成，第一容器1 06可以用含鈦的材料形成。 在材料製造商處，精製的蒸發材料塡充在第一容器 106中。第二容器的上部72 1a和下部72 1b中間夾〇型環 吻合在一起，並用固定器702固定上容器721a和下容器 72 1b’這樣’第一容器106就被密封在第二容器內部。之 後’藉由氣體引入口 708對第二容器的內部減壓，並換成 氮氣氛，調節彈簧705，並用固定裝置706固定第一容器 106。另外，乾燥劑可以安裝在第二容器的內部。當第二 容器的內部如此被保持在真空、低壓或氮氣氛中時，可以 防止即使少量的氧氣或濕氣附著到蒸發材料上。 然後，用蓋子搬運自動機108提升容器蓋子，並傳送

到蓋子安裝台107。另外’本發明的傳送裝置不限於圖7B 所說明的從第一容器的上方夾住第一容器106以傳送的結 構’傳送裝置也可以是夾住第一容器的側面以傳送的結構 〇 隨後，旋轉容器安裝旋轉台109之後，在台上留下下 部部件’用坩鍋傳送自動機110只將坩鍋提升（圖7B) 。最後’坩鍋被安裝到在安裝室103等待的蒸發源保持器 -44- (41) (41)1364233 104a' 1 04b Jt 〇 而且’安裝室103可以備有淸潔氣體（選自h2、F：! 、NF3或〇2的一種或多種氣體）引入系統，用淸潔氣體 淸潔蒸發源保持器和閘門等的部件。另外，安裝室可以安 裝有電漿發生裝置’藉由産生電漿，或將被電漿化的氣體 引入到該安裝室內’以淸潔安裝室內壁、蒸發源保持器和 閘門等的部件’然後用真空抽氣裝置進行抽氣。用於淸潔 的電漿可以利用藉由激發選自包含Ar、Ν2、Η:、F2、NF3 和〇2的組中的一種或多種氣體而産生的電漿。 如上所述，將蒸發源保持器104a、104b傳送到安裝 室1 03來進行淸潔，以便維持膜形成室的淸潔度。 本實施例可以與實施例模式2自由組合。可以在圖5 所示的膜形成室506W1、506W2、506W3中任何一個安裝 如圖6所示的澱積設備，並且，也可以在圖5所示的安裝 室526a至526η中安裝如圖7所示的安裝室。 實施例4 下面顯示不暴露於空氣中能夠淸潔膜形成室內和蒸發 澱積掩膜的膜形成室的實例。圖8顯示本》施例的澱積設 備的截面圖的例子。 如圖8所示，說明在藉由電容器1 3 00b連接到高頻電 源1 300a的蒸發澱積掩膜1 302a和電極1 302b之間産生電 漿130〗的一個例子。 圖8中，在靠近安裝基底的部分（圖中虛線所示部分 -45- (42) (42)1364233 )提供有被保持器固定的蒸發澱積掩膜1 3 02a，能夠分別 以相應的溫度加熱的蒸發源保持器1322安裝在其下。蒸 發源保持器1322藉由移動裝置1328可以向X、Y、Z方 向或旋轉方向的Θ方向移動。 當藉由提供在蒸發源保持器中的加熱裝置（典型爲電 阻加熱方法）將材料室內的有機化合物加熱到昇華溫度時 ，有機化合物被蒸發和澱積在基底的表面上。順便提及， 澱積時’基底閘門1 3 2 0被移動到不會影響澱積的位置。 另外，蒸發源保持器安裝有隨蒸發源保持器一起移動的閘 門1 3 2 1，在澱積時，閘門1 3 2 1移動到不會影響澱積的位 置。 而且，該膜形成室也提供了氣體引入系統，其中，在 澱積時將用少量的比有機化合物粒子小的粒子，即由原子 半徑小的材料構成的氣體引入，以便將原子半徑小的材料 包含在有機化合物膜中。具體地說，原子半徑小的材料氣 體可以利用選自包括矽烷氣體（矽烷 '乙矽烷、丙矽烷等 )、SiF4、GeH4 ' GeF4 ' SnH4 或烴氣體（CH4、C2H2、 C2H4、C6H6等）的組中的一種或多種氣體。另外，原子 半徑小的材料氣體也可以利用用氫或氬等稀釋上述氣體的 混合氣體。將要引入到設備內部的這些氣體，在其被引入 到設備之前用氣體精製器高度提純，然後被使用。因而， 有必要提供氣體精製器，使得氣體在被高度提純之後引入 到蒸發澱積設備中。由此，包括在氣體中的殘留氣體（氧 '濕氣和其他雜質）可以預先被除去，因而，可以防止雜 •46- (43) (43)1364233 質混入到設備內部。 例如，在澱積時藉由引入矽烷氣體，使薄膜中包含 S i，在完成發光元件之後如存在針孔或短路等的缺陷時， 該缺陷部分發熱，以使Si起反應形成諸如SiOx ' SiCx的 絕緣性絕緣體，這樣就減少了針孔或短路部分的滲漏，並 抑制點缺陷（暗斑，等）的進一步惡化，也就是可以獲得 自我癒合的效果。 另外，也可以用基底加熱用的加熱器1304等加熱裝 置來加熱基底，以便在基底上高效率地澱積被引入的材料 氣體的成分。 此外，也可以用電漿發生裝置進行原子團化。比如， 在用矽烷的情形中，由電漿發生裝置產生的 SiHx、 SiHxOy . SiOy等的氧化矽先驅物與來自蒸發源的有機化 合物材料同時澱積到基底上。矽烷容易與氧氣或濕氣産生 反應’因此可以減低膜形成室內的氧濃度或濕氣量。 爲了引入各種各樣的氣體，真空抽氣室提供有磁懸浮 型禍輪分子泵1326和低溫泵1327。由此，膜形成室的最 終真空度可以做到l(T5-l(T6Pa的範圍。注意，用低溫泵 1327進行真空抽氣之後，關上低溫泵1327，邊用渦輪分 子'栗1326進行真空抽氣，邊引入幾sccm的材料氣體實施 蒸發澱積。另外，還可以用離子濺鍍方法在膜形成室中使 #料氣體離子化，然後將材料氣體粘附到被蒸發的有機材 料而實施澱積。 完成蒸發澱積時，取出基底，然後進行淸潔以去除粘 -47- (44) (44)1364233 附到提供在澱積設備內部的夾具和澱積設備內壁的澱積材 料，而不暴露到大氣ε 淸潔時，較佳的將蒸發源保持器〗322轉移到安裝室 (在此沒有圖示出）進行淸潔° 淸潔時，將電極線1 3 02 b移動到與蒸發澱積掩膜 1 3 02a相對的位置。此外’氣體引入到膜形成室]3 03內 。要引入到膜形成室1 3 03內的氣體可以是選自Ar、H2 ' F2、NF3和02的一種或多種氣體。接下來，從高頻電源 1 3 00a施加高頻電場到蒸發澱積掩膜1 3 02a，以激發氣體 (Ar、H、F、NF3和0)並産生電漿1301。以此方式， 在膜形成室1303中産生電漿1301，蒸發粘附在膜形成室 內壁、防附著遮護板1 3 05、和蒸發澱積掩膜1 302a上的 澱積物質，並排出膜形成室。藉由圖4所示的澱積設備， 在維護時，可以在不打開膜形成室或不使蒸發澱積掩膜接 觸空氣的情況下進行淸潔。 應該注意，在此，雖然顯示在蒸發澱積掩膜13 02a和 提供在該掩膜與蒸發源保持器1 3 0 6之間的電極線1 3 02b 之間産生電漿的一個例子，但本發明不特別局限於此，而 是包括只要能産生電漿的任何裝置。此外，高頻電源可以 連接到電極1302b，電極1 3 02b可以形成爲平板狀或網狀 電極’或者是可以如淋浴噴頭那樣引入氣體的電極。注意 ，電漿的産生方法可以適當地利用ECR (電子迴旋共振） 、ICP(電感耦合電漿 > ' 螺旋波、磁控管、雙頻率、三 極管或LEP (大型正負電子對撞器）等。 -48- (45) (45)1364233 此外，可以對每個澱積膜的處理進行以上提到的電漿 淸潔，也可以在多個澱積膜的處理之後進行淸潔。 本實施例可以與實施例模式2或實施例3自由組合。 實施例5 在本實施例中，將說明有機發光元件（元件結構： IT O/Cu-Pc ( 20nm ) /a-NPD ( 30nm) /CBP + Pt ( ppy) acac 1 5 wt % ( 2 Onm ) /B CP ( 3 Onm ) /CaF ( 2nm ) /A 1 ( 1 0 Onm ))的元件特性。另外，有上述結構的有機發光元件的發 射光譜在圖10的光譜1和圖11中表示。 圖10的光譜1是向有上述結構的有機發光元件施加 1mA的電流時（約960cd/m2)的發射光譜。從光譜1表 示的結果得知能夠獲得有以下三個組成成分的白色發光， 該三個組成成分爲：形成第一發光層的α-NPD的藍色（約 450nm)、根據包含在第二發光層中的Pt( ppy) acac的 磷光發光而獲得的綠色（約490nm和約53 Onm )、和根 據包含在第二發光層中的Pt( ppy) acac的受激準分子發 光而獲得的橙色（約5 70nm ) 。CIE色度座標爲（X、y ) = (0.346、0.397)，從表面上看基本是白色》 在此，測量用於第一發光層的c^NPD和用於第二發光 層主體材料的CBP的電離電勢的測量結果爲：α-NPD大 約是5.3eV; CBP大約是5.9eV，其間的差爲0.6eV。換句 話說，0.6.eV這個値滿足了本發明的不少於0.4eV的較佳 條件，所以可以認爲實現了優質的白色發光。順便提一下 -49- (46) (46)1364233 ’電離電勢的測定是使用光電子光譜儀AC_2 ( Riken Keiki Co.: Ltd.)而進行的。 另外’圖Π表示測定各個光譜的測定結果，該各個 光譜是在改變向有上述結構的有機發光元件施加的電流量 時獲得的。在此，將改變電流値時的測定結果表示在光譜 a ( 0.1mA)、光譜 b(lmA)、光譜 c(5mA)上。這個 測定結果很淸楚地表明’即使增加電流値（提高亮度）， 光譜的形狀也幾乎不發生變化，由此可以得知本發明的有 機發光元件可以發射出穩定的白色發光而不受電流値變化 的影響。在圖11中’整個光譜的發光密度根據特定的波 長的每個發光密度而被規範化。 有上述結構的有機發光元件的電特性，在電流密度爲 10mA/cm2的情況時可以獲得460cd/m2左右的亮度。 比較例1 相對於此，圖】〇的光譜2和光譜3分別表示另一個 有機發光元件的發射光譜，該有機發光元件用不同於實施 例5所示的包含在發光層中的Pt ( ppy ) acac的濃度而製 成的。Pt ( ppy ) acac的濃度爲7_9wt%時，測定結果爲光 譜2 ; Pt ( ppy ) acac的濃度爲2 · 5 wt%時，測定結果爲光 譜3。另外，不管是哪一種情況，都是向元件施加1mA的 電流時的光譜。 如光譜3所示，當Pt( ppy) acac的濃度爲2.5wt%時 ，只能觀察到形成第一發光層的α-NPD的藍色（約450nm -50- (47) (47)1364233 )、和包含在第二發光層中的Pt ( ppy ) acac的綠色（約 490nm和53〇nm)，其結果是不能形成白色發光。另外， 如光譜2所示，當Pt(ppy) acac的濃度爲7.9wt%時，雖 然在 5 60nm附近因在光譜中加進來極少量的pt ( ppy ) acac的受激準分子發光而形成了肩形突出形狀，但是其峰 値不夠充足，因而不能獲得充分的白色發光。 本實施例可以與實施例模式1或實施例2自由組合。 根據本發明，可以用一個面板顯示兩種顯示，例如， 在表面和背面顯示不同的顯示（全色顯示、單色顯示或區 域彩色顯示）。 另外，藉由使本發明的發光元件發射白色光，由於分 別對R、G、B的極小區域進行選擇性地澱積，所以不需 要精密度高的金屬掩膜，其結果是可以提高生産率。另外 ，當分別對R、G、B進行選擇性地蒸發澱積時，需要分 別提供相應於R、G、B的多個蒸發膜形成室，然而如果 是白色光，則製造裝置需要較少的蒸發膜形成室。. 【圖式簡單說明】 圖1A和1B是根據實施例模式1的雙面發射型發光 裝置的模式圖： 圖2A至2C是根據實施例模式1的雙面發射型發光 裝置的模式圖： 圖3A和3B分別是表示根據實施例1的主動矩陣型 EL顯示裝置結構的俯視圖和橫截面圖； -51 - (48) (48)1364233 圖4A至4G是根據實施例2的電子設備實例的簡圖 · » · 圖5是根據實施例模式2的多室製造裝置的視圖： 圖6是根據實施例3的蒸發澱積設備的俯視圖： - 圖7A至圖7C是表示根據實施例3的安裝室和傳送 情況的視圖； 圖8是根據實施例4的蒸發澱積設備的橫截面圖： 圖9是根據實施例3的膜形成室內的俯視圖； 圖]〇是根據實施例5的發射光譜圖：和 % 圖1 1是根據實施例1 2 3 4 5的顯示發射光譜的電流密度:目 依性的簡圖。 主要元件對照表 1001 :白色發光面板 1001a ：基底 1001b ：層

•52· 1 000 :濾色器 2 1 002 :偏光片 1 003 :偏光片 3 00 :第一基底 4 301a，301b :絕緣層 5 302 : TFT 3 1 8 :第一電極 (49)1364233 3 09 :絕緣體 310： EL 層 3 Π :第二電極 3】2 :透明保護層 3 1 3 :間隙 314 :第二基底 3 2 0 :彩色層

32 1 :遮光層 3 0 4 :汲區 3 0 6 :汲極電極 3 0 7 :接線 3 0 5 :間極電極 3 03 :通道形成區 502， 508 > 514 ：傳送室 506W1，506W2，5 06W3 ：膜形成室

526p、 526q、 526r、 526s ：安裝室 5 1 0 :膜形成室 5 2 0 :基底安裝室 518 :傳送室 5 0 5 :輸送室 521 :多階段真空加熱室 5 1 2 :膜形成室 5 2 3 a，5 23 b :多階段加熱室 512a :膜形成室 -53- (50)1364233 5 0 3 :預處理室 524a，524b:掩模儲存室 5 0 7 :輸送室 540， 541， 511:輸送室 5 1 3 :膜形成室 517 :裝載室 52 7 :傳送室

5 1 6 :多階段加熱室 515 :分配室 542 :輸送室 530:密封基底儲存室 529 :光學薄膜結合室 5 1 9 :密封室 525 :取出室 1101 :源極訊號線驅動電路

1 1 0 2 :圖素部份 1103:閘極訊號.線驅動電路 1 104 :透明密封基底 1 1 0 5 :第一密封材料 1107 ：第二密封材料 1 108 :接線 1 1 〇 9 :柔性印刷電路 1 1 1 0 :透明基底

1123: η通道型TFT -54- (51) (51)1364233 1124： p通道型TFT 1 1 1 1 :開關 TFT Π 12 :電流控制TFT 1 1〗3 :第一電極 1 1 1 4 :絕緣體 1 1 1 5 :層 1 1 1 6 :第二電極 1 Π 8 :發光元件 1 11 7 :透明保護層 1 1 3 ]:彩色層 220 1 :主體 2202 :機殼 2203a ， 2203b :顯示部份 2204 :鍵盤 1 132 :遮光層 2205 :外部連接璋 2206 :滑鼠 230 1 :主體 2302a ， 2302b :顯示部份 2 3 0 3 :開關 2304 :操作鍵 2 3 0 5 :紅外線埠 260 1 :主體 2602 :顯示部份 -55- (52) (52)1364233 2603 :機殼 2604 :外部連接埠 2605:遙控接收部份 2606 :影像接收部份 2 6 0 7 :電池 2608 :音頻輸入部份 2 6 0 9 :操作鍵 270 1 :主體 2702 :機殼 2703a， 2703b:顯示部份 2704 :音頻輸入部份 2705 :音頻輸出部份 2706 :操作鍵 2707 :外部連接埠 2 7 0 8 :天線 1 〇 1 :膜形成室 l〇4a :第一蒸發源保持器 104b :第二蒸發源保持器 900 :大面積基底 901 :膜形成室 904 :可移動的蒸發源保持器 9 0 6 :坩鍋 106 :容器 103， 103a > 103b：安裝置 -56 (53) (53)1364233 102 :膜形成室 104 :蒸發源保持器 1 1 2 :閘門 7 2 1 a :上部部件 7 2 1 b :下部部件 1 0 9 :轉動台 702 :固定器 706 :固定機構 705 :彈簧 708 :氣體引入口 ]08:蓋子自動搬運機 1 07 :蓋子安裝台 110:坩鍋傳送自動機 526a-526n :安裝室 1 3 01 :電氣 1 3 02a :蒸發澱積掩模 1302b:電極 1 3 0 0 a :高頻電源 1 3 00b :電容器 1 3 22 :蒸發源保持器 1 3 20 :基底閘門 I 3 2 1 :閘門 1 3 04 :加熱器 1326:渦輪分子栗 1364233 (54) 1 3 2 7 :低溫泵 1 3 03 :膜形成室 1 3 05 :防附著遮護板 1 3 06 :蒸發源保持器

Claims (1)

1. I3642a3- 陳曰II f 第093108917號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國101年1月V日修正 拾、申請專利範圍 1.一種發光裝置，其包含形成在一基底上的圖素部分 ，包含： 一發光元件，該發光元件包含： 第一透明電極；

   第二透明電極：和 在該第一和第二透明電極之間的一個層，該層包括第 一發光層和含有有機金屬複合物的第二發光層；和 一濾色器， 其中，該發光元件同時從該第一發光層發射藍色光； 及從該第二發光層中之該有機金屬複合物發射磷光和受激 準分子光，從而產生白色發光，

   其中，透過該第一透明電極的該白色發光經由該濾色 器，以產生全色顯示在該基底的第一表面上，和 其中，透過該第二透明電極的該白色發光產生單色顯 示在該基底的第二表面上。 2.—種發光裝置，其包含形成在一基底上的圖素部分 ，包含： 發光元件，該發光元件包含： 第一透明電極； 第二透明電極；和 在該第一和第二透明電極之間的一個層，該層包括第 1364233 r· —發光層和含有有機金屬複合物的第二發光層； 一濾色器： 第一偏光片；和 第二偏光片， 其中，該發光元件同時從該第一發光層發射藍 及從該第二發光層中之該有機金屬複合物發射磷光 準分子光，從而產生白色發光， 其中，透過該第一透明電極的該白色發光經由 器和第一偏光片，以產生全色顯示在該基底的第一 ，和 其中，透過該第二透明電極的該白色發光經由 偏光片，以產生單色顯示在該基底的第二表面上。 3. 如申請專利範圍第1或2項的發光裝置，其 二發光層還包括一個主體材料，和其中該有機金屬 以10wt%至40wt%的濃度混合於該主體材料中。 4. 如申請專利範圍第3項的發光裝置，其中該 屬複合物的濃度在l2.5wt%至2〇wt%之間。 5. 如申請專利範圍第1或第2項的發光裝置， 第一和第二透明電極之間的一個層還包括一個電子 〇 6. 如申請專利範圍第2項的發光裝置’其中該 光片的第一偏光軸的第一方向垂直於該第二偏光片 偏光軸。 7. —種發光裝置，其包含形成在一基底上的圖 色光； 和受激 該爐色 表面上 該第二 中該第 複合物 有機金 其中在 傳輸層 第一偏 的第二 素部分 -2- 1364233 ，包含： —發光元件，該發光元件包括： 第一透明電極： 第二透明電極；和 在該第一和第二透明電極之間的一個層，該層包括第 一發光層和含有有機金屬複合物的第二發光層； 第一濾色器，該第一濾色器包含： 紅色層； 綠色層；和 藍色層， 第二濾色器，該第二濾色器包含紅色層、藍色層和綠 色層中其中之一， 其中，該發光元件同時從該第一發光層發射藍色光； 及從該第二發光層中之該有機金屬複合物發射磷光和受激 準分子光，從而產生白色發光， 其中，透過該第一透明電極的該白色發光經由該第一 濾色器，以產生全色顯示在該基底的第一表面上，和 其中，透過該第二透明電極的該白色發光經由該第二 濾色器，以產生單色顯示在該基底的第二表面上。 8·-種半導體裝置，其包含如申請專利範圍第1、2 或7項中任一的發光裝置，其中該半導體裝置是選自由視 頻相機、數位相機、個人電腦和攜帶型資訊終端所組成之 群之一。 -3-