1286243 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關液晶顯示裝置及電子機器。 【先前技術】 以前，於液晶顯示裝置，最廣爲使用之方式，習知有 常白（normally white)模式之 TN( Twisted Nematic )模 式。最近，TN模式之液晶顯示裝置之發展持續顯著進 步’其畫質也提升到與CRT同等級。然而，TN模式之液 晶顯示裝置具有視角狹窄之大缺點。解決該缺點之方法爲 使介電向異性爲負之液晶於相對向之一對基板間垂直地配 向之 VA (垂直配向：Vertical Alignment)模式，現在則 是以液晶電視等方式被予以製品化。此類之VA模式液晶 顯示裝置係具有廣視角、高對比之特徵。 接著，於VA模式液晶顯示裝置，習知係藉由採用將 液晶分子之配向方向於畫素內朝複數個不同方向分割之構 成而能實現廣視角之特性。此處，供進行配向分割之具體 的構成方面，係例如ITO等之於透明電極設置狹縫之構 成，與於透明電極上方設置突起部之構成，並揭示藉由設 置此類之狹縫或者突起部，以在施加電壓時控制垂直配向 液晶倒下方向之技術（參照例如專利文獻1 )。 此外，於以前之半透過反射型液晶裝置，更有以透過 顯示之視角狹窄之課題。這是由於以不產生視差之方式在 液晶胞內面設置半透過反射板的關係，而有必須僅以觀察 -4- (2) (2)1286243 者側所具備之1枚偏光板進行反射顯示之制約，使光學設 計之自由度變小。爲了解決該課題，hsaki等，於下述之 非專利文獻1提議使用垂直配向液晶之新的液晶顯示裝 置。其特徵爲以下3項。 (1 )使介電向異性爲負之液晶於基板垂直地配向， 藉由施力D電壓使之倒下之採用 「VA ( Vertical Alignment )模式」。 (2 )透過顯示區域與反射顯示區域之液晶層厚（液 晶胞間隙：cell gap )不同之採用「多間隙（multi gap ) 構造」。 (3 )以將透過顯示區域做成正八角形，在該區域內 液晶朝全部方向倒下之方式，於對向基板上之透過顯示區 域之中央設置突起。換言之，採用「配向分割（多領域： multi domain )構造」。 此外，上述文獻中，係使用突起作爲控制液晶倒下方 向之配向控制手段，除此之外，藉由在電極設置狹縫使電 場歪斜，以該電場歪斜控制液晶倒下方向也是習知方法。 再者，習知在透過型液晶裝置也採用垂直配向模式。 具體而言，係例如將1畫素分割成複數個次畫素胞，藉在 位於各次畫素胞中央之對向基板設置凸部以多領域化1籩 素，實現廣視角之方法（參照例如專利文獻2 )。其特徵 如下。 (η將1畫素分割成複數個次畫素胞。 (2 )次畫素胞之形狀爲旋轉對稱（約略例如圓形、 -5- (3) 1286243 四角形、星形等） (3 ) ( 2 )之形狀，加上藉由在開口部中心或者次畫 素胞中心設置凸部，以使液晶分子從中心放射狀地配向， 使配向限制力提升。 (4.)藉由添加對掌劑（chiral )以規定液晶分子之歪 扭方向，防止配向不良所引起之粗糙的污點狀斑。 〔專'利文獻1〕日本專利公報特開平1 1 -242225號 〔專利文獻2〕日本專利公報特開2 002-2 02 5 1 1號 〔非專利文獻 1〕〃 Development of transflective LCD for high contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignment" ，M. Jisaki e t a 1., Asia Display/ IDWO1, p.1 3 3 - 1 3 6(20 0 1 ) 【發明內容】 發明所欲解決之課題 然而，著眼於用在配向分割之突起部上之液晶材料 時，會發現突起部上之液晶分子相對於基板並非完全垂 直，而是伴隨突起部之傾斜而有某種程度傾斜。該液晶分 子之傾斜會導致複折射之產生，漏光，且引起對比降低之 問題。 此外，於透明電極設置之狹縫之界面，也會產生狹縫 界面之等電位線變密之條紋（fringe )效果，特別是，驅 動之OFF電位爲0V以上之場合，弱電場會導致液晶分子 稍微傾斜，引起對比降低之問題。 -6 - (4) 1286243 此外，根據上述先前技術文獻所記載之技術，能藉由 採用上述之構成（配置於上下之狹縫、突起所造成之偏斜 電場，或者來自突起形狀之預傾（pre-tilt )造成之配向限 制）以進行多領域化實現廣視角之顯示器，但這些構成在 原理上係有以下問題點。換言之，因爲於上下兩基板設置 狹縫、突起等之配向限制手段，而造成配向限制手段周邊 之液晶分子之配向狀態成爲不同於其他區域之狀態，於施 加電壓時產生漏光並降低對比之問題。此外，設置突起作 爲配向限制手段之場合，突起高度愈高施加電壓時之配向 控制性愈良好，回應速度也提升，漏光卻顯著增大。 本發明，有鑑於上述先行技術之問題點，其目的在於 提供一種防止垂直配向液晶之配向控制所伴隨之對比降 低，實現具有廣視角且高對比之高畫質顯示之液晶顯示裝 置，及電子機器。 用以解決課題之手段 欲達成上述目的，本發明採用以下之構成。 本發明之液晶顯示裝置，係於相互對向配置之一對基 板間，具備由初期配向狀態呈垂直配向之介電向異性爲負 之液晶所形成的液晶層之液晶顯示裝置，其特徵爲： 於前述一對基板之中至少一方之基板，設置供限制前 述液晶之配向之配向限制手段； 於前述一對基板之中至少一方之基板，於對應前述配 向限制手段之位置平面地重疊配置遮光膜 (5) 1286243 根據該構成，因爲在與前述配向限制手段平面地重疊 之位置設置遮光手段，所以能夠防止該液晶顯示裝置之使 用者觀察到配向限制手段使液晶分子之偏斜配向等所引起 之漏光。從而，能有效防止前述漏光所導致之對比降低’ 能夠得到廣視角且高對比之顯示。 於本發明之液晶顯示裝置，因爲具有配向限制手段， 所以特別' 是對於垂直配向模式之液晶，成爲供施加電場時 控制配向方向之較佳構成。於採用垂直配向模式之場合， 一般上，係採用負（negative )型液晶，但因爲初期配向 狀態下液晶分子相對於基板面垂直立起，利用施加電場使 之倒下的緣故，如果不加以處理就無法控制液晶分子之倒 下方向，會產生配向紊亂，而使顯示特性低落。因此，採 用垂直配向模式時，施加電場時之液晶分子之配向方向的 控制就成爲重要要素。 於本發明之液晶顯示裝置，因爲於液晶層之挾持面形 成配向限制手段，所以能限制甚至控制液晶分子之倒下方 向，不易產生配向紊亂，抑制殘影或污點狀斑等之顯示不 良，進而能夠實現廣視角化。 再者’於本發明之液晶顯示裝置，因爲不單設置配向 限制手段’並具備於對應該配向限制手段之位置形成遮光 膜之構成，所以即使於配向限制手段附近產生液晶分子傾 斜造成複折射之場合，遮光膜也能抑制漏光，防止對比降 低。從而，能形成局對比之顯示。 接著，特別是在配向限制手段之中也於對應突起部之 -8 - (6) (6)1286243 位置形成遮光膜較佳。突起部附近與狹縫部附近，前者之 液晶分子傾斜較大，複折射作用較大，因而漏光較多。所 以，即使僅於對應突起部之位置形成遮光膜’也能有效抑 制漏光。 於此，配向限制手段之具體的構造方面，係由前述電 極上形成之介電質突起物、或將電極之一部分切口之電極 開口部/或者前兩者所形成較佳。 特別是配向控制手段爲介電質突起之場合’在黑顯示 時介電質突起狀之液晶分子相對於基板面也是偏斜配向’ 因而容易產生漏光所造成之對比降低，但本發明中’因爲 利用前述遮光膜有效遮斷前述漏光，所以能夠得到良好之 對比顯示。 此外，前述液晶顯示裝置之特徵，係前述一對基板之 中，僅於一方之基板形成前述遮光膜。 如此作法，可得到與前述液晶顯示裝置相同之效果， 而且，相較於在一對基板.分別設置遮光膜之構成，前者能 夠提供較低成本之液晶顯示裝置。 此外，前述液晶顯示裝置之特徵，係前述遮光膜與前 述配向限制手段被形成於同一基板上。 如此作法，可得到與前述液晶顯示裝置相同之效果， 而且，能使遮光膜與配向限制手段之位置高精度地對應。 於同一基板上形成遮光膜與配向限制手段之場合，係 以兩者之位置對應之方式，利用光蝕刻 (p h 〇 t ο 1 i t h 〇 g r a p h y )技術等高精度地形成。相對於此，在 (7) 1286243 一對基板分別形成遮光膜與配向限制手段之場合，有必要 在於一方之基板形成密封材之後，透過該密封材使一對基 板相互貼合。就此，有必要使遮光膜與配向限制手段之位 置高精度地對準，而對準位置是困難的。 從而，藉由在同一基板上形成遮光膜與配向限制手 段，能夠無視於基板貼合之誤差，而且能使遮光膜與配向 限制手段之位置高精度地對應。
此外，再者，遮光膜之平面尺寸，係考慮對配向限制 手段之對準位置精度而被形成稍大於配向控制手段，但該 構成中，因爲兩者之對準位置精度變高，所以能縮小遮光 膜之平面尺寸，能夠使畫素之開口率提升。藉此能夠得到 明亮的顯示。
本發明之液晶顯示裝置之構成能做成：前述一對基板 之任一基板，係具備電極、被接續於該電極之開關元件、 與被接續於該開關元件之訊號配線之元件基板；前述遮光 膜係被設於前述元件基板，而且由前述開關元件或者與訊 號配線之構成材料相同材料所形成。 藉此般之構成，於開關元件之形成工程能同時形成前 述遮光手段，因而相較於以前並未使工程負荷增大且能實 現顯示對比之提升。 此外，作爲該場合之製造方法，係包含： 於一方之前述基板上形成電極、接續於該電極之開關 元件、與接續於該開關元件之訊號配線之元件形成工程， 於另一方之前述基板上至少形成電極之工程，及 -10- (8) 1286243 於前述一對基板之任一電極上設置控制前述液晶之配 向狀態的配向限制手段之工程； 於前述元件形成工程’將在相對向配置前述一對基板 之狀態下與前述配向限制手段平面地被重疊配置之遮光 膜.，與前述開關元件或者訊號配線之構成構件同時形成。 根據該製造方法，因爲將前述遮光膜，於前述開關元 件之形成工程，與開關元件之構成構件同時形成，所以並 未使工程負荷增大而能製造高對比之液晶顯示裝置。 本發明之液晶顯示裝置之構成也能做成：前述一對基 板之任一基板係具備前述遮光膜，而且具備配列成爲複數 個著色部之彩色濾光片；前述遮光膜’係由與區劃前述著 色部之遮光構件相同材料所形成。 藉此般之構成，能將前述遮光膜，與彩色濾光片所包 含之遮光構件以同工程形成’因而即使於具備彩色濾光片 之構成也未使工程負何增大且目§貫現得到局封比之如色顯 示之液晶顯示裝置。 此外，作爲該場合之製造方法，係包含： 於一方之前述基板上，形成具備藉由遮光構件以平面 地被區劃之複數個著色部的彩色濾光片之彩色濾光片形成 工程， 於前述彩色濾光片上形成電極之工程， 於另一方之前述基板上至少形成電極之工程’及 於前述一對基板之任一電極上，設置控制前述液晶之 配向狀態之配向控制手段之工程； -11 - (9) 1286243 於前述彩色濾光片形成工程，將在相對向配置前述一 對基板之狀態下與前述配向控制手段平面地被重疊配置之 遮光手段，與前述遮光構件同時形成。 根據該製造方法，因爲於前述彩色濾光片形成工程’ 與構成彩色濾光片之遮光構件同時地形成前述遮光手段’ 所以能在不使工程負荷增大下製造高對比之彩色液晶顯示 裝置。' 此外，於前述液晶顯示裝置，其特徵係被形成於前述 一對基板之中光射入前述液晶層之側的基板之前述遮光 膜，是由具有反光性之金屬所形成。 如此作法，因爲遮光膜不僅於配向限制手段附近具有 遮蔽漏光之功能，而且兼備使光反射之功能，所以射入遮 光膜之光係直接被反射，回到背光，被再利用作爲射出 光。亦即，能使光之利用效率提升，能夠達成亮度之提 升。 本發明之液晶顯示裝置之構成能做成：於1個之點區 域內設有進行透過顯示之透過顯示區域與進行反射顯示之 反射顯示區域；前述兩區域之液晶層厚，依被設於該點區 域內之液晶層厚調整層之不同而互異。 換言之，本發明也能適用於多間隙方式之半透過反射 型液晶顯示裝置。根據該構成，利用多間隙方式以反射顯 示與透過顯示雙方可得到良好之顯示，加上利用前述遮光 手段能有效防止漏光所造成之對比降低，因而能夠提供一 種可以高對比、廣視角之反射顯示及透過顯示之液晶顯示 -12- (10) (10)1286243 裝置。 本發明之液晶顯示裝置，其特徵係前述配向限制手 段，與透過前述液晶層相對向之電極’於該液晶顯示裝置 之1點區域內，具有平面約略呈圓形、橢圓形或者多角形 之複數個島狀部，與將這些接續起來之連結部。 做成此般之構成，利用在前述各形狀之部位邊端之電 場歪斜，於施加電壓時在各部位內能形成平面略呈放射狀 之液晶領域（d 〇 m a i η ) ’能夠提供一'種可得到全方位且商 對比之顯示之液晶顯示裝置。 此外，於相關之構成，於前述約略圓形、橢圓形、或 者多角形之部位之平面視圖中央部，配置前述配向限制手 段較佳。 做成此般之構成，於點區域內能形成液晶分子從前述 各形狀之部位之中央部配向成約略放射狀之液晶領域，能 夠提供一種有效防止垂直配向液晶之配向不良所造成之污 點狀斑等產生，可得到廣視角範圍且高對比之顯示之液晶 顯示裝置。 此外’本發明之電子機器，其特徵係具備 上述記載之液晶顯示裝置。 於此，作爲電子機器，係能例如，行動電話、移動體 資訊終端、文書處理機、個人電腦等之資訊處理裝置等。 從而，根據本發明，因爲具備使用上述記載之液晶顯 示裝置之顯示部，所以能提供一種具備視角廣、顯示特性 優良之顯示部之電子機器。 -13- (11) 1286243 【實施方式】 (第1實施型態） 以下’針對本發明相關之第1實施型態參照圖面並加 以說明。又’於各圖，爲了將各層或各構件做成在圖面上 可以辨識之程度的大小，而使各層或各構件都有不同之縮 放比例。 以下所示之本實施型態之液晶顯示裝置，係以採用薄 膜二極體（Thin Film Diode，以下簡稱爲TFD)作爲開關 元件之主動矩陣型液晶顯示裝置爲例，特別是能做成透過 顯示之透過型液晶顯示裝置。 第1圖係顯示本實施型態之液晶顯示裝置i 〇 〇相關之 等價電路。該液晶顯示裝置1 00，係包含掃瞄訊號驅動電 路1 1 0以及資料訊號驅動電路1 20。於液晶顯示裝置 1 〇〇，設置訊號線，亦即，複數條掃瞄線1 3、及與該掃瞄 線1 3交叉之複數條資料線9，掃瞄線1 3係利用掃瞄訊號 驅動電路1 1 0以驅動，資料線9則是利用資料訊號驅動電 路120以驅動。接著，於各畫素區域150，於掃瞄線13與 資料線9之間串聯接續TFD元件4 0與液晶顯示要素1 6 〇 (液晶層）。又，第1圖中，TFD元件40係被接續於掃 瞄線1 3側，液晶顯示要素1 6 0則被接續於資料線9側， 但是，與此相反地，做成將TFD元件4〇設於資料線9 側，液晶顯示要素1 60設於掃瞄線1 3側之構成亦可。 其次，根據第2圖，說明本實施型態之液晶顯示裝置 -14- (12) 1286243 100所具備之電極之平面構造（畫素構造）。如第 示，本實施型態之液晶顯示裝置1 0 0中，於掃瞄線 過TFD元件40被接續之平面呈矩形之畫素電極3 1 成矩陣狀，且該畫素電極3 1與對向於紙面垂直方 通電極9被設成窄長狀（線條狀）。共通電極9係 線所形成且具有與掃瞄線1 3交叉之線條形狀。於 型態，成' 爲被形成各畫素電極3 1之各個區域爲 域，於矩陣狀配置之各點區域具備TFD元件40， 該點區域都能顯示之構造。 於此，TFD元件40係接續掃瞄線13與畫素i 之開關元件，TFD元件40之構成係具備包含以鉅 爲主成分之第1導電膜、被形成於第1導電膜表 Ta2 03爲主成分之絕緣膜，及被形成於絕緣膜表面 (C〇爲主成分之第2導電膜之MIM·構造。接著 元件40之第1導電膜係被接續於掃瞄線13，第2 則被接續於畫素電極3 1。 其次，根據第3圖針對本實施型態之液晶顯 1 〇〇之重要部分構成加以說明。 第3圖（a)係液晶顯示裝置100之畫素構成 是顯示畫素電極31之平面構成之模式圖，第3圖I 顯示第3圖（a)之A—A’剖面模式圖。 又，第3圖（b )係顯示代表著色層22之紅色 22R之剖面圖，其他著色層22B、22G之剖面構造 著色層之顏色不同之外，係具有同樣之構成。 2圖所 :13透 係被設 向之共 由資料 本實施 1點區 且每個 霞極31 (Ta) 面且以 且以鉻 ，TFD 導電膜 不裝置 ，特別 〔b )係 著色層 ，除了 -15- (13) (13)1286243 本實施型態之液晶顯示裝置1 00，以第2圖所示方式 於資料線9及掃瞄線1 3等所包圍之區域內側有具備成爲 畫素電極3 1之點區域。於該點區域內，以第3圖（a )所 示方式，對應於1點區域配設3原色中之一著色層，於3 個點區域（Dl、D2、D3 )形成包含各著色層22B (藍 色）、2 2 G (綠色）、2 2 R (紅色）之畫素。接著，於各點 區域（D 1、D 2、D 3 )，設置相當於本發明之配向限制手 段之突起部28與狹縫（slit )部29。此外，突起部28與 狹縫部2 9 ’係以中心線C L爲軸具有左右對稱之圖案，且 相互鄰接配置。於此，突起部2 8及狹縫部2 9延伸之方 向，與中心線CL所夾之角度係成爲45。。藉由如此作 法，在對液晶層5 0施加電壓之際，能控制液晶分子之倒 下方向爲從偏光板之透過軸起算4 5°方向倒下。 又，於第3圖（a )係顯示鄰接之3點區域，但是， 於各點區域係分別設置上述T F D元件4 0，成爲每個點區 域都能對液晶顯示要素1 6 0施加電壓。 另一方面，如第3圖（b)所示方式，本實施型態之 液晶顯示裝置1〇〇，於上基板25與被對向配置於該基板之 下基板1 〇之間挾持初期配向狀態採取垂直配向之液晶， 亦即，由介電向異性爲負之液晶材料所形成之液晶層5 〇。 下基板1 0係以石英、玻璃等透光性材料所形成之基 板本體10A作爲主體，具有層積形成各種層膜之構成。 於該基板本體1 0 A之與上基板2 5相對向側之面，設 置彩色濾光片22(第3圖（b)中係紅色著色層22R)。 -16- (14) 1286243 此外，於基板本體1 〇 A之同一表面上，形成鄰接於彩 色濾光片22，並由指定之平面圖案形成之黑矩陣（遮光 膜）B Μ。又，黑矩陣B Μ係如第3圖（a )所示方式，設 成包圍著色層2 2 R之周緣，利用該黑矩陣B Μ形成各點區 域Dl、D2、D3之邊界。 此外，於彩色濾光片22及黑矩陣ΒΜ之上方，設置 由銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，以下簡稱ιτΟ)等透 明導電膜所形成之矩陣狀畫素電極3 1，而且，於該畫素電 極3 1設置作爲配向限制手段之狹縫部29。又，畫素電極 3 1，如第2圖所示，係透過T F D元件4 〇被接續於掃瞄線 1 3，因應被供給到掃瞄線1 3之電壓而對液晶層5 0施加電 壓。此外，以覆蓋畫素電極3 1之最上面與設置狹縫部29 之階差部分之方式設置配向膜（未圖示）。 配向膜’係由聚釀亞fee寺材料所形成，作爲使液晶分 子對著膜面垂直配向之垂直配向膜之功能，並不施以摩擦 (rubbing )等之配向處理。如此作法，使用不施以摩擦地 使分割配向之垂直配向液晶（具有負的介電向異性之液晶 分子）之液晶顯示裝置中’有必要藉由在畫素內部分地設 置電極開口或電極上介電質等以使畫素內之電場適宜地歪 斜而控制液晶分子倒下之方向。於該液晶配向控制不充分 之場合，會造成液晶分子於面內保有某種大小之領域且是 倒向任意方向的。如此狀態下，會造成於顯示區域之面內 之一部分發生視角特性不同之區域，結果，形成可見之粗 縫斑之不良。因此，爲了配向限制液晶層5 0之液晶分 -17- (15) 1286243 子，換言之，爲了針對在初期狀態爲垂直配向之液晶分 子，限制其於電極間施加電壓之際之傾倒方向，而設置作 爲配向限制手段之狹縫部2 9，或後述之突起部2 8。 其次，於上基板2 5，係以石英、玻璃等透光性材料所 形成之基板本體25A爲主體，具有層積形成各種層膜之構 成。於該基板本體2 5 A之在下基板1 〇對向之側之面，形 成：ITC/等透明導電膜所形成之共通電極9、作爲配向限 制手段之功能之突起部2 8、及與聚醯亞胺等所形成之下基 板10相同之垂直配向膜（不圖示）。共通電極9，於第3 圖（a )，係被形成朝紙面上下方向延伸之線條狀，於該 紙面之點區域（D 1、D2、D3 )並排形成之各個點區域構 作爲共通之電極發揮功能。突起部 28係由丙烯基 (a c r y 1 )樹脂等有機膜形成之樹脂材料所形成’以從上基 板2 5之表面於基板面之鉛直方向在液晶層5 0突出之方式 被形成。 其次，於下基板1 〇之外面側（不同於挾持液晶層5 0 之側）形成偏光板1 9，於上基板25之外面側也形成偏光 板1 7 ’該偏光板1 7、1 9，係構成僅使具備指定方向之偏 光軸之直線偏光透過，被設置成交叉偏光鏡（cr0SS-nicol)。又，於下基板iG形成之偏光板19之外側，設置 作爲透過顯示用之光源之背光1 5。 其次’說明本發明液晶顯示裝置1 00之特徵。 如第3圖（b )所示，黑矩陣BM，係被設置對應於從 上基板2 5向液晶層5 〇突出之突起部2 8之位置（圖中符 -18- (16) 1286243 號X λ ，同時被設在對應於畫素電極3 1上所設之狹縫部 2 9之位置。亦即，如第3圖（a )所示，平面看來，突起 部28與狹縫部29之位置係與黑矩陣BM之位置重疊一 致。此外，黑矩陣B Μ，係由鋁、銀等反光性高之金屬材 料所構成，不單具有遮光之功能，也有使從背光1 5射入 之光反射到下基板1 0側而射出之功能。此外，黑矩陣ΒΜ 之寬幅，/可比突起部28、狹縫部29之寬幅還要大，或者 相同。 如上述方式，於液晶顯示裝置1 0 0有突起部2 8、狹縫 部2 9作爲配向限制手段，故而特別是對於垂直配向模式 之液晶，成爲供施加電場時控制配向方向之較佳構成。於 採用垂直配向模式之場合，一般上，係使用負型液晶，但 因爲初期配向狀態下液晶分子相對於基板面垂直立起，利 用施加電場使之倒下的緣故，如果不加以處理就無法控制 液晶分子之倒下方向，會產生配向紊亂，而使顯示特性低 落。因此，採用垂直配向模式時，施加電場時之液晶分子 之配向方向的控制就成爲重要要素。 因此，於液晶顯示裝置1 00，因爲於液晶層之挾持面 形成突起部28、狹縫部29，所以能限制甚至控制液晶分 子之倒下方向，不易產生配向紊亂，可抑制殘影或污點狀 斑等之顯示不良，進而能夠實現廣視角化。 此外，於上述之液晶顯示裝置1 〇〇，因爲不單設置突 起部2 8、狹縫部2 9，並具備於對應該突起部2 8以及狹縫 部29之位置形成黑矩陣ΒΜ之構成，所以即使於突起部 -19- (17) 1286243 2 8附近產生液晶分子傾斜造成複折射之場合，黑矩陣Β Μ 也能抑制漏光，防止對比降低。此外，藉由在狹縫部29 附近產生條紋（f r i n g e )效果，即使於液晶分子稍稍傾斜 之場合，遮光膜也能抑制漏光，防止對比降低。從而，能 有高對比之顯示。 此外，黑矩陣Β Μ之寬幅，係做成比突起部2 8以及 狹縫部2 9之寬幅還大，以更能抑制漏光，因而更能促進 對比提高之效果。 此外，於上述之液晶顯示裝置1 〇〇，因爲利用具有反 光性之金屬以形成黑矩陣ΒΜ，所以，該黑矩陣ΒΜ不僅 有遮光之功能，還形成兼備反射光之功能。從而，從背光 1 5側射入黑矩陣 ΒΜ之光，係直接被反射，回到背光 1 5，被再利用作爲射出光。因而，幾乎沒有設置遮光膜所 導致明亮度降低之情形。亦即，因爲使於黑矩陣ΒΜ之反 射光往上基板2 5側射出，能謀求光之利用效率，能夠達 成亮度之提升。 又，於本實施型態，係採用使分別對應突起部2 8與 狹縫部29以設置黑矩陣ΒΜ之構成，但採用使僅對應突 起部2 8以設置黑矩陣ΒΜ之構成亦可。 此係具有：在配向限制手段之中，特別是，突起部2 8 附近比起狹縫部2 9附近，液晶分子之傾斜較大，複折射 作用較大，因而漏光也較多之特性。從而，即使只於僅對 應突起部2 8之位置形成黑矩陣Β Μ，也能得到所要之上述 記載之效果。 -20- (18) (18)1286243 此外，於本實施型態，係採用將彩色濾光片2 2設於 下基板1 〇側之構成，但並不限定於此。黑矩陣B Μ如被 設置對應於突起部2 8與狹縫部2 9，則亦可採用於上基板 2 5側形成彩色濾光片之構成。 (第2實施型態） 其次，針對本發明相關之第2實施型態參照圖面並加 以說明。又，於各圖，因爲將各層或各構件做成圖面上可 辨識之程度之大小，所以各層或各構件都有不同之縮放比 例。此外，在與上述第1實施型態相同構成上賦予相同符 號並簡略化說明。 說明本實施型態與第1實施型態之不同點。第1實施 型態係做成於下基板1 〇設置黑矩陣ΒΜ之構成，相對於 此，本實施型態係做成在上基板25也設置黑矩陣之構 成。此外，本實施型態係於上基板25設置樹脂膜26之構 成。 其次，參照第4圖，說明本實施型態之液晶顯示裝置 1〇〇’之畫素構成。第4圖（a)係顯示畫素電極31平面 構成之模式圖，第4圖（b )係顯示第4圖（a )之剖面構 造之重要部分之模式圖。 第4圖（a )與第3圖（a )相同，因而省略說明。
如第4圖（b )所示，於下基板1 0設置彩色濾光片 22、黑矩陣BM、畫素電極31、狹縫部29、與偏光板 1 9，再者，不同於第1實施型態之構成方面，黑矩陣BM -21 - (19) 1286243 僅對應於狹縫部2 9而被形成。 於上基板2 5設置共通電極9、突起部2 8、與偏光板 1 7 ’再者，不同於第1實施型態之構成方面，黑矩陣 B Μ 僅對應於突起部2 8而被形成於基板本體2 5 Α上，並 以覆蓋該黑矩陣BM’之方式形成樹脂膜26。接著，樹脂 膜2 6係由例如丙烯基樹脂等有機膜所構成，而被設於共 通電極9與基板本體25A之間。 此處’黑矩陣BM，與突起部28係在高精度定位之狀 態下被設置’利用光蝕刻（photolithography)技術等周知 之圖案化方法而形成。 此外，黑矩陣B Μ ’係由樹脂材料等所構成，利用不 具備反光性之材料而形成。藉由此般構成，能夠防止從基 板2 5側射入之外光的反射，因而可得顯示品等更爲提高 之顯示。 如上述，於液晶顯示裝置100’ ，與前述第1實施型 態同樣地，於液晶層之挾持面形成突起部2 8、狹縫部 29，因而使液晶分子於初期狀態下呈垂直配向，還能限制 甚至控制液晶分子之倒下方向，而使配向紊亂不易產生， 可抑制殘影或污點狀斑等之顯示不良，進而能夠實現廣視 角化。再者，於突起部2 8、狹縫部2 9對應之位置設置黑 矩陣ΒΜ、ΒΜ’ ，故能抑制液晶分子傾斜或條紋效果所引 起之漏光，而達成高對比之顯示。 此外，於本實施型態，黑矩陣Β Μ ’與突起部2 8係被 形成在同一基板（上基板2 5 )上，故能得到不必高精度地 -22- (20) (20)1286243 進行透過密封材使上基板2 5與下基板1 0貼合之工程之效 果。 詳述時，黑矩陣BM’與突起部28，係於上基板25 上以兩者位置對應之方式利用光蝕刻技術等而被高精度形 成。相對於此，於一對上下基板1 〇、2 5分別形成黑矩陣 B Μ與突起部2 8之場合，有必要於一方之基板形成密封材 之後，使一對基板1 〇、2 5相互貼合。此處，有必要高精 度地對準黑矩陣ΒΜ與突起部28之位置，而對準位置是 困難的。 從而，如本實施型態，於同一基板上形成黑矩陣ΒΜ 與突起部2 8，藉以能無視於上下基板1 0、2 5之貼合誤 差，能夠使黑矩陣ΒΜ’與突起部28之位置高精度地對 應。 (第3實施型態） 其次，針對本發明相關之第3實施型態參照圖面並加 以說明。又，於各圖，因爲將各層或各構件做成圖面上可 辨識之程度之大小，所以各層或各構件都有不同之縮放比 例。 以下’根據第5圖說明本發明相關之第3實施型態之 液晶顯示裝置1 0 0之畫素構成。第5圖係圖示液晶顯示裝 置1 〇〇之1點區域。本實施型態之液晶顯示裝置1 00係具 備挾持液晶層而面對面之一對基板，第5圖（a )係構成 該點區域之一方之基板（上基板25)之平面構成圖， -23- (21) (21)1286243 (b )係對應沿著（a )圖 A 一 a ’線之位置之剖面構成 圖’ （c)係另一方之基板（下基板1〇)之平面構成圖。 又，第5圖所示之點區域D有未圖示之彩色濾光片， 但具備彩色濾光片之構成之場合，能採用對應於一個點區 域D設.置3原色（R、G、B )中之不同顏色之一個著色 部’同時利用一組（RGB )著色部所對應之3個點區域D 將紅光、'綠光、藍光混色而形成可輸出之1個畫素區域之 構成。 本實施型態之液晶顯示裝置1 0 0，如第5圖（b )所 示’係具備於下基板10與對向配置於此之上基板25(元 件基板）之間挾持初期配向狀態呈垂直配向狀態且由介電 向異性爲負之液晶材料所形成之液晶層5 0之構成。 上基板2 5，如第5圖（a )所示，被構成具備：掃瞄 線1 3、沿著掃瞄線1 3之延伸方向（圖示左右方向）被分 配之畫素電極31、接續掃猫線13與晝素電極31之平面呈 鈎狀之配線部1 3 a，及於畫素電極3 1之形成區域以指定間 隔被分配排列之複數個約略圓形之遮光部3 3 a〜3 3 c。 圖示雖然省略，但於第5圖（a )所示之配線部13a 與訊號線13之交點部分設置TFD元件40。亦即，於本實 施型態，掃瞄線1 3係利用例如鉅（Ta )而被形成，在其 表面能形成钽氧化物之絕緣膜，利用例如絡（C r )形成鈎 狀配線部1 3 a，同時如以透過前述絕緣膜而交叉於掃瞄線 1 3之方式配置，則能在該交點部分形成前述TFD元件 40 ° -24- (22) 1286243 看第5圖（b )所示之剖面構造，於玻璃或石英等透 光性之基板本體1 Ο A上，形成配線部1 3 a與遮光部3 3 a〜 3 3 c，覆蓋此等而形成由例如氧化矽或樹脂材料所構成之 層間絕緣膜7 1。於層間絕緣膜7 1上形成例如由ITO (銦 錫氧化物）所構成之畫素電極3 1，透過貫通層間絕緣膜 71達到遮光部33c之接觸孔而導電地接續遮光部33c (亦 即TFD元件40 )與畫素電極3 1。此外，雖然圖示省略， 於畫素電極31上係設有聚醯亞胺膜等所構成之垂直配向 膜，使維持液晶層5 0之初期配向狀態成垂直配向之功能 奏效。此配向膜係未被施以摩擦（rubbing )處理等之配向 處理之膜。 畫素電極3 1，如第5圖（a )所示，係由沿著掃瞄線 1 3被配列之3個島狀部3 1 a、3 1 b、3 1 c與連結相鄰接之島 狀部間之連結部3 9、3 9所構成。本實施型態中，以如此 方式於1個點區域D內設置複數個島狀部，而於各島狀部 3 1 a、3 1 b、3 1 c所對應之區域分別形成槪略相同形狀之液 晶領域。換言之，構成於1點區域內具備被分割形成之3 個次點區域S 1、S 2、S 3。 通常上，具備3色彩色濾光片之液晶顯示裝置中，1 個點區域之縱橫比成約3 : 1，因而以本實施型態之方式， 如做成在1個點區域D設置3個次點區域S 1、S 2、S 3之 構成，則能將1個次點區域之形狀做成約略圓形或約略正 多角形，而能夠做成良好的視角之對稱性。前述次點區域 SI、S2、S3(島狀部31a、31b、31c)之形狀，於第5圖 -25- (23) (23)1286243 係圓化角部之約略正方形，但並不侷限於此，亦能做成例 如圓形、橢圓形、其他多角形者。此外，換言之，關於島 狀部3 1 a〜3 1 c，係能達成於點區域D之周緣部設置將畫 素電極切口之電極狹縫之結果。 從掃瞄線1 3往畫素電極3 1側鈎形地延伸之配線部 1 3 a係延伸直到島狀部3 1 c之中央部，在該部分被擴徑成 圓形而構成遮光部3 3 c。接著，透過被設置貫通層間絕緣 膜71之接觸孔72而與畫素電極 31導電接續起來。此 外，第5圖（a )所示之其他遮光部3 3 a、3 3 b係分別被配 置於次點區域S 1 (島狀部3 1 a )之中央部、以及次點區域 S2 (島狀部31b)之中央部。這些遮光部33a、33b係與上 述配線部1 3 a同層並使用相同材質形成。 另一方面，下基板1 0係以石英、玻璃等透光性材料 所構成之基板本體10A做爲主體，於基板本體10A之內 面側（液晶層5 0側）則形成ITO等透光性導電材料所構 成之對向電極9，於對向電極9上突設著絕緣性之樹脂材 料等所構成之介電質突起（配向限制手段）73、74、75。 此外，雖然圖示省略，但有以覆蓋對向電極9及介電質突 起73〜75之方式形成聚醯亞胺等之垂直配向膜。又，第5 圖（c )所示之對向電極9，實際上，係於紙面上下方向延 伸之線條狀之構成，在（a )圖之上下方向並排之複數個 點區域作爲共通之電極發揮功能。 介電質突起73〜75係做成控制構成垂直配向模式液 晶層5 0之液晶分子在施加電壓時的配向方向之配向限制 -26- (24) 1286243 手段者，於對向電極9上以指定間隔被配列’於俯視面板 時，係被分配在與上基板2 5上形成之遮光部3 3 a〜3 3 c平 面地重疊的位置。 於下基板1 0之外面側（液晶層5 0之相反側）’從基 板本體1 Ο A側依序配設相位差板1 8與偏光板1 9，於上基 板2 5之外面側，從基板本體2 5 A側依序配設相位差板1 6 與偏光板1 7。再者，於下基板1 0外側設置成爲透過顯示 用光源之背光（照明手段）1 5。 本實施型態之液晶顯示裝置1 〇 〇 ’因爲在正對著各次 點區域S 1、S 2、S 3之中央部的下基板1 〇內面設置作爲配 向限制手段之介電質突起73〜75，所以在介電質突起73 〜75之表面液晶分子爲傾斜配向（對介電質突起表面而言 爲垂直配向）。從而，在施加電壓時各次點區域S 1〜S 3 中，液晶分子係以介電質突起爲中心配向成放射狀。此 外，於上基板25側，利用島狀部33a〜33c邊端部之電場 的歪斜，會使液晶分子之配向朝向與前述之邊端直交之方 向。接著，利用這些配向限制力，能使液晶分子從各次點 區域S 1〜S 3之中央部配向成約略放射狀，而可得全方位 且高對比之顯示。 又，於介電質突起73〜75附近，施加電壓時產生液 晶與介電質突起之介電率差異所引起之電場歪斜，藉由相 關之電場歪斜所引起之配向限制力也可使液晶分子以介電 質突起爲中心配向成放射狀。 接著，本實施型態中，在與上述介電質突起73〜75 -27 - (25) 1286243 平面地重疊之位置設置遮光部3 3 a〜3 3 c，藉以能防止各島 狀部3 3 a〜3 3 c中央部之漏光，藉此當然可實現對比之提 升。換言之，在介電質突起73〜75之表面，因爲液晶分 子朝對基板面偏斜方向配向，而使透過光之偏光狀態偏離 其他區域而產生漏光，但能以遮光部3 3 a〜3 3 c遮斷相關 之漏光。 特別是，本實施型態之場合，因爲遮光部3 3 a〜3 3 c 能與從TFD元件40延伸之配線部13a以同一工程形成， 所以能在製造過程不會複雜化、或工數不會增加之情況下 使顯示對比提升。此外，因爲即使增加介電質突起7 3〜7 5 之高度也不會影響到對比，所以也能藉由增加介電質突起 之高度而改善液晶之回應性。 再者，如先前記載，遮光部3 3 a〜3 3 c係與配線部1 3 a 同樣由鉻所構成者，因而即使是光從基板本體· 2 5 A側射入 遮光部3 3 a〜3 3 c之類的狀況，也因爲上述鉻膜係低反射 性金屬膜，所以不會使液晶顯示裝置之視覺確認性降低。 〈第3實施型態之變形例〉 上述實施型態中，已說明以透過型液晶顯示裝置構成 爲液晶顯示裝置1 0 0之場合，但本發明相關之液晶顯示裝 置也能構成爲第6或7圖所示之半透過反射型、或者反射 型液晶顯不裝置。 〔半透過反射型液晶顯示裝置〕 -28- (26) (26)1286243 首先，參照第6圖並說明做成半透過反射型液晶顯示 裝置之實施型態，但第6圖所示之構成要素之中，對於與 第1圖到第5圖之液晶顯示裝置100共通之構成要素附上 相同符號而省略說明。此外，此外，第6圖（a )〜（c ) 係分別相當於先前實施型態之第5圖（a )〜（c )之圖 面。 弟6圖所不之液晶顯不裝置100A係具備挟持液晶層 5 〇而被面對面配置之上基板2 5與下基板1 〇，於下基板1 〇 外面側具備配設背光1 5之構成。上基板25之構成與先前 之液晶顯示裝置100共通，而下基板10之構成則有一部 份不同。亦即，於基板本體1 0 A內面側形成有鋁或銀等反 光性金屬膜所構成之反射層77與丙烯基（acryl)樹脂等 樹脂材料所構成之液晶層厚調整層76，且於液晶層厚調整 層76上設置對向電極9。 反射層7 7以及液晶層厚調整層7 6係於點區域D內部 分地被形成，更詳細來說，反射層7 7以及液晶層厚調整 層76係被形成在上基板25側之畫素電極3 1之中對應於 島狀部3 3 c (次點區域S 3 )之區域，利用液晶層厚調整層 76之膜厚，使反射層77之形成區域的液晶層50之層厚 (液晶包間隙：cell gap )，較薄於其他區域（次點區域 S 1、S2 )之液晶層厚。亦即，本實施型態之液晶顯示裝置 100A係多間隙（multi gap)方式之半透過反射型液晶顯 示裝置，反射層77之形成區域所包含之次點區域S 3被形 成反射顯示區域，其餘之次點區域S 1以及S2則被形成透 -29- (28) (28)1286243 於反射層7 7或其液晶層側設置使於反射層7 7被反射 之光散亂之手段較佳。具體而言，藉著於反射層77表面 賦予微細之凹凸形狀，或設置具有光散亂功能之光學元件 以能賦予散亂功能。藉設置此光散亂手段，以能防止反射 顯示時外光之正反射，而可得良好之視覺確認性。 再者，也能做成在上基板2 5側設置液晶層厚調整層 76之構成。此外，本實施型態中，液晶層厚調整層76以 及反射層77係被設於具有畫素電極31與TFD元件40之 導電接續部之次點區域S 3，但亦可在未設置上述導電接 續部之次點區域S 1或S2設置液晶層厚調整層76以及反 射層7 7。 又，本實施型態係以多間隙方式之半透過反射型液晶 顯示裝置爲例加以說明，但本發明也能毫無問題地適用於 未設置液晶層厚調整層76之構成之半透過反射型液晶顯 示裝置，當然能藉著防止漏光以得到使對比提升之效果。. 〔反射型液晶顯示裝置〕 其次，參照第7圖，說明做成反射型液晶顯示裝置之 實施型態。第7圖所示之構成要素之中，對於與第1圖到 第5圖之液晶顯示裝置1 〇〇共通之構成要素附上相同符號 而省略說明。此外，此外，第7圖（a )〜（c )係分別相 當於先前實施型態之第5圖（a)〜（c)之圖面。 第7圖所示之本實施型態之液晶顯示裝置100B之構 成係具備挾持液晶層5 0而被面對面配置之上基扳2 5與下 -31 - (29) (29)1286243 基板1 0。上基板2 5之構成係與先前之液晶顯示裝置1 〇 〇 共通，但下基板1 〇之構成則有一部份不同。亦即，於基 板本體1 〇 Α內面側設置由鋁或銀等反光性金屬膜所構成之 反射層7 8，且於反射層7 8上設置對向電極9。此外，並 無設置基板本體1 〇 A外面側之相位差板或偏光板、及面板 背面之背光。 於具備上述構成之液晶顯示裝置100B，下基板10之 介電質突起73〜75、上基板25之遮光部33a〜33c也分別 被平面地重疊配置，故而能防止介電質突起73〜75附近 的液晶分子之偏斜配向導致漏光所引起之對比降低，而可 得到廣視角、高對比之反射顯示。 (第4實施型態） 其次’參照第8圖說明本發明之第4實施型態。本實 施型態之液晶顯示裝置，與第1至5圖所示之液晶顯示裝 置1 〇 〇同樣，係垂直配向模式之透過型液晶顯示裝置，第 8圖所示之構成要素之中，對於與第1至5圖之液晶顯示 裝置1 〇 〇共通之構成要素附上相同符號而省略說明。此 外’第8圖（a )〜（c )係分別相當於先前實施型態之第 5圖（a)〜（c)之圖面。 第8圖所不之液晶顯不裝置200係以挾持液晶層50 被面對面配置之上基板25與下基板10爲主體而構成。如 第8圖（a )以及第6圖（b )所示，上基板2 5係於透光 性之基板本體2 5 A內面側構成具備··延伸於圖示左右方向 -32- (30) 1286243 之掃瞄線1 3、沿著掃瞄線1 3被配置於長邊之平面 矩形之畫素電極3 1、從掃瞄線1 3延伸到畫素電極 線部1 3 a、以指定間隔於畫素電極3 1上被分配排列 介電質突起83〜85。這些介電質突起83〜85，與 實施型態相關之介電質突起7 3〜7 5同樣地，係作 垂直配向模式之液晶於施加電壓時的配向狀態之配 手段發揮功能。 圖示雖然省略，但於掃瞄線1 3與配線部1 3 a 部形成有TFD元件40。此外，於此TFD元件40側 上側延伸之配線部1 3 a先端部設置擴徑部位，形成 之畫素電極31導電接續之接觸部13c。如第8圖丨 示，覆蓋這些掃瞄線1 3以及配線部1 3 a而形成層 膜7 1，於層間絕緣膜7 1上形成畫素電極3 1。從畫 3 1之一短邊端（右側邊端）往圖示右側延伸出來形 ^ 86，於其先端部設置擴幅部3 1 d，透過貫通前述 緣膜7 1達到配線部1 3 a之接觸部1 3 c之接觸孔8 1 前述擴幅部3 1 d與接觸部1 3 c導電接續起來，結果 部13a ( TFD元件40)與畫素電極31就被導電 來。 另~方面，下基板10，如第8圖（b)以及（ $ ’於透光性之基板本體1 0 A內面側，構成具備以 被配列之平面呈圓形之遮光部88a〜88c與對丨 79 °前述遮光部88a〜88c可由圖案化具備遮光性 膜或樹脂膜所形成。 呈約略 3 1之配 形成之 先前之 爲控制 向限制 之交點 往圖示 與後述 〔b)所 間絕緣 素電極 成連結 層間絕 ，而將 ，配線 接續起 :Ο所 指定間 句電極 之金屬 -33- (31) (31)1286243 對向電極7 9係使用IT 0等透光性導電材料而形成， 於圖示之點區域D內具有3個平面呈約略矩形之島狀部 79a、79b、79c。這些島狀部 79a、79b、79c係透過延伸 於圖示左右方向之連結部7 9 r、7 9 r而相互被導電接續起 來。此外，從各島狀部79a〜79c往圖示上下方向延伸出 來之連結部7 9 d……係被接續在與圖示之點區域鄰接之點 區域所設置之島狀部。從而，對向電極79，全體而言，係 被形成延伸於與上基板2 5之掃瞄線1 3直交之方向之平面 呈約略線條狀構成。 如此方式對向電極79於點區域D內具有被槪略分割 成複數個島狀部79a〜79c之構造，於這些島狀部79a〜 79c之中央部，上基板25之前述介電質突起83〜85各個 被面對面配置，因而本液晶顯示裝置200係能在施加電壓 時使液晶分子從各島狀部79a〜79c ...中央部配向成約略放 射狀。亦即，液晶顯示裝置2 00中，成爲對應於各島狀部 79a〜79c之平面區域形成放射狀之液晶領域之3個次點區 域S 1、S 2、S 3形成1個點區域D之構成。 又，於上基板2 5之外面側有相位差板1 6與偏光板1 7 從基板本體2 5 A側依序被層積，於下基板1 〇外面側則依 序層積相位差板1 8與偏光板1 9。此外，於下基板1 〇外側 配設作爲照明手段之背光1 5。再者，圖示雖然省略，但覆 蓋上基板25之畫素電極31及介電質突起83〜85而形成 有垂直配向膜，於下基板10之對向電極79上也形成垂直 配向膜。 -34 - (32) (32)1286243 具備上述構成之液晶顯示裝置 2 0 0中，如第 8圖 (c )所示，上述遮光部8 8 a〜8 8 c係分別被配置於島狀部 79a〜79c之中央部。接著，如第8圖（b)所示，遮光部 8 8 a〜8 8 c被設在與上基板2 5之畫素電極3 1上所形成之介 電質突起8 3〜8 5平面地重疊之位置。藉此，本實施型態 之液晶顯示裝置2 0 0，也能利用遮光部8 8 a〜8 8 c有效地遮 蔽在突設於液晶層5 0側之介電質突起8 3〜8 5表面之液晶 分子之斜方配向所引起之漏光，故可得到高對比、廣視角 之顯示。 第8圖中雖然彩色濾光片未被圖示出來，但液晶顯示 裝置200係可做成具備彩色濾光片之構成。通常上，彩色 濾光片並非在經由複雜之工程而被形成之元件基板（上基 板25 )側而是在下基板1 0側被形成。此場合，例如在基 板本體10A上分配排列形成相當於畫素電極31之平面尺 寸之著色部，同時利用遮光性之構件（黑矩陣）區劃各著 色部之間。黑矩陣可利用黑色樹脂膜、或重疊複數個前述 著色部而形成之樹脂膜、或者金屬膜而形成。 接著，於如此方式將液晶顯示裝置2 0 0做成具備彩色 濾光片之構成之場合，如在同一工程形成基板本體1 0A上 之遮光構件，亦即上述黑矩陣與遮光部88a〜88c，則能在 製造過程不會複雜化或工數不會增加之情況下，實現顯示 之高對比化。 (第5實施型態） -35- (33) (33)1286243 其次，參照第9圖說明本發明之第5實施型態。本實 施型態之液晶顯示裝置，係具備與第8圖所示之液晶顯示 裝置2 0 〇相同的基本構成之垂直配向模式之透過型液晶顯 示裝置。從而，第9圖所示之構成要素之中，對於與第8 圖所記載之液晶顯示裝置200共通之構成要素附上相同符 號而省略說明。此外，此外，第9圖（a )〜（c )係分別 相當於先前實施型態之第8圖（a )〜（c )之圖面。 第9圖所示之液晶顯示裝置3 00係於上基板25側設 置遮光部3 3 a〜3 3 c……等而不同於第8圖所示之液晶顯示 裝置200。亦即，如第9圖（a)所示，上基板25係具 備·：於圖示左右方向延伸之掃瞄線13、沿著掃瞄線13被 配置於長邊之平面呈約略矩形之畫素電極3 1、與從掃瞄線 1 3延伸到畫素電極3 1之配線部1 3 a，且於畫.素電極3 1之 形成區域內以指定間隔形成遮光部3 3 a〜3 3 c，同時在與這 些遮光部33a〜33c平面地重疊之位置設置介電質突起83 〜85。這些介電質突起83〜85係作爲控制垂直配向模式 之液晶於施加電壓時的配向狀態之配向限制手段發揮功 能。 看第9圖（b )之剖面構造，於透光性之基板本體 2 5 A上形成配線部1 3 a、遮光部3 3 a〜3 3 c等，層間絕緣膜 71覆蓋這些之後中介層間絕緣膜71而形成畫素電極31。 接著，於畫素電極31上形成介電質突起83〜85。 又，畫素電極31與配線部13a(TFD元件40)之導 電接續構造係與第8圖所示之液晶顯示裝置2 0 0相同，而 -36- (34) 1286243 在此省略說明。 本實施型態之液晶顯示裝置3 00中，作爲垂直配 晶之配向限制手段之介電質突起8 3〜8 5，與將在這些 質突起83〜85表面之液晶分子之偏斜配向所引起之 予以遮光之遮光部88a〜88c，兩者都被設於上基板 因而能夠高精度地對準介電質突起8 3〜8 5與遮光部8 8 8 c之位置，能夠更有效地遮斷前述漏光。此外，因 得到高的對準位置精度，所以能縮小考慮位置偏移而 稍大於介電質突起83〜85之遮光部88a〜88c之平 寸，藉此可提高畫素之開口率，而謀求顯示亮度之提 此外，上述遮光部8 8 a〜8 8 c係能與配線部1 3 a、或者 線13以同一工程形成，因而能在製造過程不會複雜 或工數不會增加之情況下使顯示對比提升。 從而，本實施型態之液晶顯示裝置3 0 0係能在不 程負荷增大下製造，而可得到明亮、廣視角、高對比 示之液晶顯示裝置。 (第6實施型態） 其次，參照第1 〇圖說明本發明之第6實施型態 實施型態之液晶顯示裝置，與第1至5圖所示之液晶 裝置1 〇 〇同樣，係垂直配向模式之透過型液晶顯示裝 第10圖所示之構成要素之中，對於與第1至5圖之 顯示裝置100共通之構成要素附上相同符號而省略說 此外，第1 0圖（a )〜（〇係分別相當於先前實施 向液 介電 漏光 25， 8 a〜 爲可 形成 面尺 掃猫 化、 使工 之顯 〇本 顯示 置， 液晶 明。 型態 -37- (35) (35)1286243 之第5圖（a)〜（c)之圖面。 第10圖所示之液晶顯示裝置40 0係以挾持液晶層50 被面對面配置之上基板25與下基板10爲主體而構成。如 第10圖（a)所示，上基板25之構成係具備··於圖不左 右方向延伸之掃瞄線1 3、沿著掃瞄線1 3而被配置於長邊 之畫素電極3 1、與從掃猫線1 3钩形地延伸至畫素電極 之配線部1 3 a。 畫素電極3 1之構成，與第3實施型態同樣地，係具 備平面呈約略矩形之3個島狀部3 1 a〜3 1 c與導電接續這 些島狀部之連結部3 9、3 9。於掃瞄線1 3與配線部1 3 a之 交點部設置圖示省略之TFD元件40，從TFD元件40側鈎 形地延伸之配線部1 3 a之先端部被擴徑成平面呈圓形而形 成接觸部89。接觸部89係被配置於畫素電極3 1之島狀部 3 1 c之中央部。看第1 〇圖（b )所示之剖面構造，於透光 性之基板本體25A之內面側形成配線部13a、接觸部89 等，於層間絕緣膜7 1覆蓋這些之後中介層間絕緣膜7 1而 形成畫素電極3 1。接著，透過貫通層間絕緣膜7 1達到接 觸部89之接觸孔72而將畫素電極31與接觸部89導電接 續起來，結果，畫素電極31與配線部13a(TFD元件 40)就被導電接續起來。 另一方面，下基板10，如第10圖（C)所示，係具 備·對向電極9、於此對向電極9之形成區域內以指定間 隔被配列之介電質突起73〜75、以及遮光部88a〜88c。 於剖面構造，於透光性之基板本體1 〇 A內面側形成遮光部 -38- (36) 1286243 88a〜88c，以覆蓋這些遮光部 88a〜88c之方式形成對向 電極9，於與各遮光部88a〜88c平面地重疊之位置之對向 電極9上，分別形成介電質突起73〜75。介電質突起73 〜7 5係作爲控制垂直配向模式之液晶於施加電壓時的配向 .狀態之配向限制手段發揮功能。 又，圖示雖然省略，但於上基板25之畫素電極3 1 上，與下基板10之對向電極9及介電質突起73〜75上， 形成垂直配向膜。此外，於上基板2 5外面側從基板本體 側2 5 A依序層積相位差板1 6與偏光板1 7，於下基板1 0 外面側從基板本體1 〇 A側依序層積相位差板1 8與偏光板 1 9。於下基板1 〇外側（背面側）設置作爲照明手段之背 光15。 具備上述構成之本實施型態之液晶顯示裝置4 0 0中’ 係於下基板1〇設置介電質突起73〜75與遮光部88a〜 8 8 c，因而與先前之第3實施型態同樣地’能高精度地進 行對準介電質突起73〜75與遮光部88a〜88c之位置’可 將介電皙突起73〜75所引起之漏光有效遮光而得到局對 比之顯示，再者，因爲可進行高精度地對準位置’所以能 小徑化遮光部8 8 a〜8 8 c而提局畫素開口率’得到明売之 顯示。 此外，本實施型態中’遮光部88a〜8 8c係被設於對 向電極9與基板本體10A之間，但在做成下基板10具備 彩色濾光片之構成之場合’與先前之第2實施型態同樣 地，能將遮光部8 8 a〜8 8 c ’與被設於彩色滤光片之遮光構 -39- (37) 1286243 件之黑矩陣於同一工程形成，能夠實現在不使工程負荷增 大下得到高對比之彩色顯示之液晶顯示裝置。 (電子機器） 其次’說明具備本發明之上述實施型態之液晶顯示裝 置之電子機器之具體例。 第1 1圖係顯示行動電話之一例之斜視圖。於第11 圖，符號1 0 0 0係表示行動電話本體，符號1 0 0 1係表示使 用上述液晶顯示裝置之顯示部。於此類之行動電話等之電 子機器之顯示部使用上述實施型態之液晶顯示裝置之場 合，能夠實現具備對比高而達成廣視角、顯示特性優良之 液晶顯示部之電子機器。 又，本發明之技術範圍係未被限定於上述實施型態， 在不逸脫本發明之要旨之範圍下可以加上種種變更。例如 上述實施型態中係將本發明適用於以TFD做爲開關元件之 主動矩陣型液晶顯示裝置之例示，但除了使用TFD作爲開 關元件之主動矩陣型液晶顯示裝置之外，也能將本發明適 用於被動（passive)矩陣型液晶顯示裝置等。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明第1實施型態之液晶顯示裝置之等價 電路圖。 弟2圖係顯不第1貫施型態液晶顯不裝置之1點區域 之構造平面圖 -40- (38) (38)1286243 第3圖係顯示第1實施型態液晶顯示裝置之1點區域 之平面模式圖及剖面模式圖。 第4圖係顯示第2實施型態液晶顯示裝置之3點區域 (1畫素區域）之平面模式圖及剖面模式圖。 第5圖係顯示第3實施型態液晶顯示裝置之1點區域 之平面模式圖及剖面模式圖。 第6'圖係顯示第3實施型態之變形例之半透過反射型 液晶顯示裝置之1點區域之平面模式圖及剖面模式圖。 第7圖係顯示第3實施型態之變形例之反射型液晶顯 示裝置之1點區域之平面模式圖及剖面模式圖。 第8圖係顯示第4實施型態液晶顯示裝置之1點區域 之平面模式圖及剖面模式圖。 第9圖係顯示第5實施型態液晶顯示裝置之1點區域 之平面模式圖及剖面模式圖。 第1 〇圖係顯示第6實施型態液晶顯示裝置之1點區 域之平面模式圖及剖面模式圖。 第1 1圖係顯示本發明電子機器之一例之斜視圖。 【主要元件符號說明】 9、79共通電極、對向電極（電極） 1 〇下基板（基板） 1 5背光（照明手段） 2 5上基板（基板） 2 8突起部（配向限制手段） -41 - (39) (39)1286243 7 3〜7 5、8 3〜8 5介電質突起（配向限制手段） 2 9狹縫部（配向限制手段） 31畫素電極（電極） 31a〜31c、79a〜79c畫素電極之島狀部 33a〜33c、88a〜88c 遮光部 Β Μ、B Μ ' 黑矩陣（black matrix)(遮光膜） 3 9連結部 40 TFD元件（開關元件） 5 〇液晶層 7 6液晶層厚調整層 7 7、7 8反射層 100、 100’、 100A、 100B、 200、 300、 400 液晶顯示 裝置 1 0 00行動電話本體（電子機器） S 1〜S 3 次點區域 D點區域 -42-