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TWI607260B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI607260B
TWI607260B TW104101093A TW104101093A TWI607260B TW I607260 B TWI607260 B TW I607260B TW 104101093 A TW104101093 A TW 104101093A TW 104101093 A TW104101093 A TW 104101093A TW I607260 B TWI607260 B TW I607260B
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TW
Taiwan
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disposed
display device
light
pattern
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TW104101093A
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陳家芳
陳昱豪
沈柏元
Original Assignee
友達光電股份有限公司
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Publication date
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Priority to CN201510058025.1A priority patent/CN104597638B/zh
Priority to US14/659,635 priority patent/US9513518B2/en
Publication of TW201626065A publication Critical patent/TW201626065A/zh
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Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，尤指一種可實現窄邊框或無邊框設計之顯示裝置。
習知顯示裝置例如液晶顯示裝置主要包括陣列基板、對向基板以及設置於兩片基板之間的液晶層所構成，其中陣列基板與對向基板係利用框膠黏合，並藉由框膠將液晶層封合於兩片基板之間。陣列基板具有顯示區以及位於顯示區之外側的周邊區，其中顯示區內設置有畫素陣列用以提供顯示畫面，而周邊區則設置有周邊導線例如閘極導線與資料導線等，以及驅動晶片例如閘極驅動晶片與資料驅動晶片等。為了遮蔽閘極驅動電路與周邊導線，對向基板上對應於周邊區的位置會設置有遮光圖案例如黑色矩陣。框膠是一種紫外光硬化框膠，必須在充分照射紫外光後才會提供黏著效果，而對向基板上的遮光圖案具有不透光特性，因此紫外光必須穿透陣列基板的周邊區對框膠進行硬化。由於周邊導線例如閘極導線與資料導線是金屬導線，其具有不透光特性，因此為了使得紫外光可充分照射到框膠，陣列基板的周邊區必須具有高透光率(例如透光率高於50%)。為了達到高透光率，必須加大周邊導線之間的間距或是使周邊導線具有網格狀的開口，然而此一作法會造成周邊區的面積必須進一步的擴大。另一方面，為了縮減驅動晶片的成本，目前的顯示裝置設計趨勢朝向以閘極驅動電路(gate driver on array,GOA)取代閘極驅動晶片的作法，也就是說，將用以驅動閘極的電路直接製作在陣列基板上，而此一作法必須增加陣列基板的周邊區的面積，以供閘極驅動電路佈 設。
由上述可知，不管是加大周邊導線之間的間距、周邊導線的網格狀的開口設計以及閘極驅動電路的設置，都必須增加陣列基板的周邊區的面積，而周邊區的面積增加與顯示裝置的窄邊框或無邊框設計是互相衝突的。
本發明的目的之一在於提供一種可實現出窄邊框或無邊框設計的顯示裝置。
本發明的一實施例提供一種顯示裝置，包括一第一基板、一畫素陣列、一閘極驅動電路、複數條周邊導線、一第二基板、一框膠、一顯示介質層、一半透光圖案以及一遮光圖案。第一基板具有一主動區、一閘極驅動電路區與一周邊區，其中周邊區設置於主動區之至少一側，且閘極驅動電路區設置於主動區與周邊區之間。畫素陣列設置於第一基板之主動區內。閘極驅動電路(gate driver on array)設置於第一基板之閘極驅動電路區內，其中閘極驅動電路包括複數個薄膜電晶體元件。周邊導線設置於第一基板之周邊區內，其中周邊導線與閘極驅動電路連接。第二基板與第一基板相對設置。框膠設置於第一基板與第二基板之間，用以接合第一基板與第二基板，其中框膠係位於第一基板之至少一部分之周邊區與至少一部分之閘極驅動電路區內，且框膠在一垂直方向上係與至少一部分之周邊導線以及閘極驅動電路之至少一部分的薄膜電晶體元件重疊。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間並被框膠所封合。半透光圖案設置於第二基板上，其中半透光圖案之一整體透光率實質上介於10%至80%之間，且半透光圖案在垂直方向上與框膠重疊。遮光圖案設置於第二基板上，其中遮光圖案係對應於第一基板之至少一部分之周邊區，且遮光圖案在垂直方向上未與框膠重疊。
本發明之顯示裝置包括設置於第二基板上且對應框膠的半透光圖案，其可容許由第二基板的方向進行框膠硬化製程，因此可以在符合設計規則與製程能力的情況下將第一基板的周邊區的周邊導線的間距縮減至最小值，故可大幅縮減周邊區的面積，以實現出窄邊框或無邊框設計。
1‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧第一基板
12‧‧‧畫素陣列
20‧‧‧閘極驅動電路
30‧‧‧周邊導線
40‧‧‧第二基板
42‧‧‧框膠
44‧‧‧顯示介質層
46‧‧‧半透光圖案
48‧‧‧遮光圖案
10A‧‧‧主動區
10G‧‧‧閘極驅動電路區
10P‧‧‧周邊區
GL‧‧‧閘極線
DL‧‧‧資料線
SP‧‧‧次畫素
T1‧‧‧薄膜電晶體元件
PE‧‧‧畫素電極
CE‧‧‧共通電極
G1‧‧‧閘極
SE1‧‧‧半導體通道層
GI‧‧‧閘極絕緣層
S1‧‧‧源極
D1‧‧‧汲極
14‧‧‧保護層
T2‧‧‧薄膜電晶體元件
G2‧‧‧閘極
SE2‧‧‧半導體通道層
GI‧‧‧閘極絕緣層
S2‧‧‧源極
D2‧‧‧汲極
301‧‧‧匯流線
302‧‧‧連接導線
L1‧‧‧第一方向
L2‧‧‧第二方向
303‧‧‧橋接導線
Z‧‧‧垂直方向
UV‧‧‧紫外光
46H‧‧‧透光開口
50‧‧‧背光模組
52‧‧‧遮光框架
L‧‧‧光源
22‧‧‧移位暫存器
221‧‧‧輸入單元
222‧‧‧下拉單元
223‧‧‧上拉輸出單元
2‧‧‧顯示裝置
3‧‧‧顯示裝置
第1圖繪示了本發明的第一實施例的顯示裝置的示意圖。
第2圖為本實施例之顯示裝置的主動區的剖面示意圖。
第3圖為本實施例之顯示裝置的閘極驅動電路區的剖面示意圖。
第4圖為本實施例之顯示裝置的周邊區的剖面示意圖。
第5圖為本實施例之閘極驅動電路之移位暫存器的等效電路圖。
第6圖繪示了本發明之顯示裝置的閘極驅動電路在高溫高溼環境下持續操作所實際量測出的閘極電壓裕度(margin)的實驗結果。
第7圖繪示了本發明的第二實施例的顯示裝置的示意圖。
第8圖繪示了本發明的第三實施例的顯示裝置的示意圖。
第9圖繪示了本發明之顯示裝置的半透光圖案的第一變化實施例的示意圖。
第10圖繪示了本發明之顯示裝置的半透光圖案的第二變化實施例的示意圖。
為使熟悉本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。
請參考第1圖至第5圖。第1圖繪示了本發明的第一實施例的顯 示裝置的示意圖，第2圖為本實施例之顯示裝置的主動區的剖面示意圖，第3圖為本實施例之顯示裝置的閘極驅動電路區的剖面示意圖，第4圖為本實施例之顯示裝置的周邊區的剖面示意圖，且第5圖為本實施例之閘極驅動電路之移位暫存器的等效電路圖。本實施例之顯示裝置係以一液晶顯示裝置為範例說明，液晶顯示裝置可包括例如：水平電場驅動的液晶顯示裝置、垂直電場驅動的液晶顯示裝置、光學補償彎曲(optically compensated bend,OCB)液晶顯示裝置、膽固醇液晶顯示裝置、藍相液晶顯示裝置、或其它合適的液晶顯示裝置。本發明的顯示裝置並不以液晶顯示裝置為限，其可包括其它各式非自發光顯示裝置例如電泳顯示裝置或電濕潤顯示裝置；自發光顯示裝置例如有機電激發光顯示裝置、無機電激發光顯示裝置、電漿顯示裝置或場發射顯示裝置。如第1圖至第5圖所示，本實施例之顯示裝置1包括一第一基板10、一畫素陣列12、一閘極驅動電路(gate driver on array)20、複數條周邊導線30、一第二基板40、一框膠42、一顯示介質層44、一半透光圖案46以及一遮光圖案48。第一基板10具有一主動區10A、一閘極驅動電路區10G與一周邊區10P，其中周邊區10P設置於主動區10A之至少一側，且閘極驅動電路區10G設置於主動區10A與該周邊區10P之間。第一基板10可包括一透明基板例如玻璃基板或塑膠基板，且第一基板10可為一硬質基板或一可撓式基板。畫素陣列12設置於第一基板10之主動區10A內。畫素陣列12可包括複數條閘極線GL與複數條資料線DL，其中閘極線GL與資料線DL交錯設置定義出複數個呈陣列排列的次畫素SP。各次畫素SP包括一薄膜電晶體元件T1、一畫素電極PE以及一共通電極CE。薄膜電晶體元件T1設置於第一基板10上，其中各薄膜電晶體元件T1具有一閘極G1、一半導體通道層SE1、一閘極絕緣層GI、一源極S1以及一汲極D1，其中閘極G1與對應的閘極線GL電性連接，源極S1與對應的資料線DL電性連接，且汲極D1與畫素電極PE電性連接。畫素電極PE設置於第一基板10之保護層14上。在本實施例中，共通電極CE係設置於第二基板40上，但不以此為限。在一 變化實施例中，共通電極CE可設置於第一基板10上。畫素電極PE與共通電極CE之材料可分別為透明導電材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅，但不以此為限。閘極驅動電路(gate driver on array)20設置於第一基板10之閘極驅動電路區10G內，其中閘極驅動電路20包括複數個薄膜電晶體元件T2，且各薄膜電晶體元件T2具有一閘極G2、一半導體通道層SE2、閘極絕緣層GI、一源極S2以及一汲極D2。閘極驅動電路20係製作於第一基板10上，其中閘極驅動電路20的薄膜電晶體元件T2與次畫素SP的薄膜電晶體元件T1可以利用相同的製程製作，但不以此為限。半導體通道層SE1與半導體通道層SE2的材料可包括各式半導體材料例如矽(例如非晶矽、多晶矽、單晶矽、微晶矽或奈米晶矽)，或氧化物半導體材料例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)，但不以此為限。周邊導線30設置於第一基板10之周邊區10P內，其中周邊導線30與閘極驅動電路20連接。周邊導線30可包括複數條匯流線(bus line)301以及複數條連接導線302，其中匯流線301實質上可沿一第一方向L1(例如第1圖之縱向方向)延伸，而連接導線302實質上可沿一第二方向L2(例如第1圖之橫向方向)延伸，但不以此為限。各匯流線301係與一部分之連接導線302電性連接，藉此匯流線301可經由連接導線302傳遞訊號至閘極驅動電路20。在本實施例中，周邊導線30可與薄膜電晶體元件T1以及薄膜電晶體元件T2利用相同的製程製作。舉例而言，匯流線301可與源極S1、S2、汲極D1、D2以及資料線DL由同一層圖案化導電層例如圖案化不透明導電層(例如金屬層或合金層)所構成，連接導線302可與閘極G1、G2以及閘極線GL由同一層圖案化導電層例如圖案化不透明導電層(例如金屬層或合金層)所構成，但不以此為限。此外，匯流線301與連接導線302可利用一橋接導線303加以電性連接。精確而言，橋接導線303可設置於保護層14上，其中保護層14可暴露出一部分之匯流線301，而閘極絕緣層GI可暴露出一部分的連接導線302，藉此橋接導線303可分別與匯流線301及連接導線302接觸。此外，橋接導線303可與畫素電極PE由同一層圖案化導電層例 如圖案化透明導電層所構成，但不以此為限。
第二基板40與第一基板10相對設置。框膠42設置於第一基板10與第二基板40之間，用以接合第一基板10與第二基板40。框膠42係位於第一基板10之至少一部分之周邊區10P與至少一部分之閘極驅動電路區10G內，且框膠42在一垂直方向Z上係與至少一部分的周邊導線30以及閘極驅動電路20之至少一部分的薄膜電晶體元件T2重疊。框膠42可為一光硬化框膠，其在照射到特定波長的光線後會硬化並產生黏性。舉例而言，本實施例之框膠42可選用一紫外光框膠，其在受到紫外光的充分照射後會硬化並產生黏性，藉此可發揮接合第一基板10與第二基板40與封合顯示介質層44的效果。顯示介質層44設置於第一基板10與第二基板10之間並被框膠42所封合。本實施例之顯示介質層44係選用一液晶層，但不以此為限。半透光圖案46設置於第二基板40上，且半透光圖案46在垂直方向Z上與框膠42重疊。遮光圖案48設置於第二基板40上，其中遮光圖案48係對應於第一基板10之至少一部分之周邊區10P，且遮光圖案48在垂直方向Z上可未與框膠42重疊。
在本實施例中，第二基板40上設置有對應於框膠42的半透光圖案46，其中半透光圖案46的整體透光率可依據硬化框膠42所需要的光量加以調整。舉例而言，半透光圖案46的整體透光率實質上介於10%至80%之間，且較佳實質上介於30%至60%之間，但不以此為限，藉此在進行框膠42的硬化製程時，紫外光UV可由第二基板40的方向穿透半透光圖案46照射到框膠42。也就是說，紫外光UV不是經由第一基板10的方向照射框膠42，因此不需要考慮第一基板10的周邊區10P的透光率。如此一來，第一基板10的周邊區10P的兩相鄰的周邊導線30的間距可以在符合設計規則與製程能力的情況下縮減至最小值，故可大幅縮減周邊區10P的面積。
本實施例之半透光圖案46可包括一遮光結構層，此遮光結構層具有遮光特性，而遮光結構層具有複數個透光開口46H可容許光線通過，藉此在進行框膠42的硬化製程時，紫外光UV可經由透光開口46H照射到框膠42。半透光圖案46的整體透光率可經由調整透光開口46H的面積與數量決定，其中透光開口46H的形狀可為孔洞、狹縫或其它開放型開口或封閉型開口。此外，半透光圖案46與遮光圖案48可使用相同的材料，且可由同一層材料層(例如黑色矩陣)所構成，其中遮光圖案48可以不具有透光開口，因此可實質上完全遮光，而半透光圖案46具有透光開口46H，以使得其整體透光率實質上介於10%至80%之間，且較佳介於30%至60%之間。此外，由於對應於半透光圖案46的周邊導線30與閘極驅動電路20是由不透明導電材料例如金屬或合金所構成，因此周邊導線30與閘極驅動電路20可以對紫外光UV產生反射作用。在此狀況下，即使半透光圖案46的整體透光率實質上介於10%至80%，透過反射可以增加紫外光UV的利用率而有效硬化框膠42。
本實施例之顯示裝置1另可選擇性包括一背光模組50，以及一遮光框架52設置於第一基板10之下方用以承載第一基板10。背光模組50係用以提供光源L(例如一可見光源)，而遮光框架52設置於背光模組50與第一基板10之間且在垂直方向Z上至少與半透光圖案46重疊。由於遮光框架52與半透光圖案46重疊，因此可以遮蔽背光模組之光源產生器產生的光源L，而可避免漏光。此外，僅管半透光圖案46的透光率實質上介於10%至80%，但是在半透光圖案46的下方設置有遮光框架52的情況下，對應於半透光圖案46的周邊導線30與閘極驅動電路20會因為沒有光源L的照射而不易被使用者明顯的觀察到。
在本實施例中，閘極驅動電路20包括複數個移位暫存器(shift register)22，分別與對應的閘極線GL連接，用以提供閘極驅動訊號。移位暫存器22包括複數級，且上一級的移位暫存器22係與下一級的移位暫存器22電性連接。各移位暫存器22包括一輸入單元221、一下拉單元222以及一上拉輸出單元223。本實施例之各移位暫存器的輸入單元221、下拉單元222以及上拉輸出單元223的連接關係及其配置可如第5圖所示，但不以此為限而可有其它變化。閘極驅動電路20的電路配置及運作原理如該領域具有通常知識者所熟知，在此不再贅述。
在本實施例中，框膠42在垂直方向Z上係與一部分的周邊導線30以及閘極驅動電路20之一部分的薄膜電晶體元件T2重疊。舉例而言，在垂直方向Z上，框膠42係與一部分的周邊導線30以及一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2以及下拉單元222的薄膜電晶體元件T2重疊，而未與另一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2以及下拉單元222的薄膜電晶體元件T2重疊，也未與所有的移位暫存器22的上拉輸出單元223重疊，但不以此為限。此外，半透光圖案46的圖案與框膠42的圖案在垂直方向Z上實質上重疊。在一變化實施例中，框膠42可與所有周邊導線30以及一部分的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2以及下拉單元222的薄膜電晶體元件T2重疊。
經實證結果顯示，利用紫外光UV由第二基板40的方向穿透半透光圖案46照射框膠42的作法可以有效固化框膠42。此外，根據可靠度測試結果，閘極驅動電路20在由第二基板40的方向利用強度為10000尼特(nit)的發光二極體(LED)背光光源照射169小時後，閘極驅動電路20的所有的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2、下拉單元222的薄膜電晶體元件T2與上拉輸出單元223的薄膜電晶體元件T2的元件特性都在正常工作範圍內可正常發揮驅動功能。請再參考第6圖。第6圖繪示了本發明之 顯示裝置的閘極驅動電路在高溫高溼環境下持續操作所實際量測出的閘極電壓裕度(margin)的實驗結果，其中橫軸為操作時間(單位：小時)，而縱軸為閘極訊號的裕度(單位：伏特)。閘極電壓裕度係為一種衡量閘極驅動電路之作用的指標，其中閘極電壓裕度係指用以開啟薄膜電晶體元件的高電壓閘極訊號(Vgh)以及用以關閉薄膜電晶體元件的低電壓閘極訊號(Vgl)的差值，而閘極電壓裕度的標準視產品規則有所不同，但基本上愈大愈佳。在此實驗中，樣本1-3為本實施例之顯示裝置的閘極驅動電路(第二基板上設置半透光圖案並由第二基板的方向照射紫外光硬化框膠)所量測出的閘極電壓裕度；樣本4-6為對照實施例之顯示裝置的閘極驅動電路(第二基板上設置遮光圖案並由第一基板的方向照射紫外光硬化框膠)所量測出的閘極電壓裕度。如第6圖所示，在經過500小時連續的操作之後，樣本1-3之閘極驅動電路的閘極電壓裕度仍可維持在約20伏特的水準，而樣本4-6之閘極驅動電路的閘極電壓裕度則下降至約10伏特至13伏特之間。由上述可知，不管是強光照射的測試結果或是高溫高溼環繞下的測試結果都顯示了本發明之顯示裝置具有良好的可靠度。
本發明之顯示裝置並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明之其它較佳實施例之顯示裝置，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考第7圖。第7圖繪示了本發明的第二實施例的顯示裝置的示意圖。如第7圖所示，在本實施例之顯示裝置2中，框膠42係與一部分的周邊導線30以及所有的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2以及下拉單元222的薄膜電晶體元件T2重疊。此外，半透光圖案46的圖案與框膠42的圖案在垂直方向Z上實質上重疊。在一變化實施例中，框膠42 可與所有周邊導線30以及所有的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2以及下拉單元222的薄膜電晶體元件T2重疊，而未與所有的移位暫存器22的上拉輸出單元223的薄膜電晶體元件T2重疊。
請參考第8圖。第8圖繪示了本發明的第三實施例的顯示裝置的示意圖。如第8圖所示，在本實施例之顯示裝置3中，框膠42係與一部分的周邊導線30以及所有的移位暫存器22重疊。舉例而言，框膠42係與一部分的周邊導線30以及所有的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2、下拉單元222的薄膜電晶體元件T2以及上拉輸出單元223的薄膜電晶體元件T2重疊。此外，半透光圖案46的圖案與框膠42的圖案在垂直方向Z上實質上重疊。在一變化實施例中，框膠42可與所有周邊導線30以及所有的移位暫存器22的輸入單元221的薄膜電晶體元件T2、下拉單元222的薄膜電晶體元件T2以及上拉輸出單元223的薄膜電晶體元件T2重疊。
請參考第9圖。第9圖繪示了本發明之顯示裝置的半透光圖案的第一變化實施例的示意圖。如第9圖所示，在第一變化實施例中，半透光圖案46包括一半透光結構層。精確地說，半透光圖案46是一完整結構層，其材料與遮光圖案48的材料不同。半透光圖案46的透光率實質上介於10%至80%，且較佳實質上介於30%至60%之間，但不以此為限。在本實施例中，半透光圖案46的透光率可利用材料的選擇或厚度的調整達成，而不是藉由透光開口的設計加以調整。
請參考第10圖。第10圖繪示了本發明之顯示裝置的半透光圖案的第二變化實施例的示意圖。如第10圖所示，在第二變化實施例中，半透光圖案46的材料與遮光圖案48的材料相同，且半透光圖案46之厚度小於遮光圖案48之厚度。也就是說，在相同的材料下，藉由縮減厚度使得半透光圖案 46的透光率實質上介於10%至80%，且較佳實質上介於30%至60%之間，但不以此為限。
綜上所述，本發明之顯示裝置包括設置於第二基板(上基板)上且對應框膠的半透光圖案，其可容許由第二基板的方向進行框膠硬化製程，因此可以在符合設計規則與製程能力的情況下將第一基板的周邊區的周邊導線的間距縮減至最小值，故可大幅縮減周邊區的面積，以實現出窄邊框或無邊框設計。此外，本發明之顯示裝置經可靠度測試證實從第二基板的方向穿過半透光圖案進行框膠硬化製程的作法不會對於閘極驅動電路產生不良影響。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10‧‧‧第一基板
40‧‧‧第二基板
10G‧‧‧閘極驅動電路區
42‧‧‧框膠
46‧‧‧半透光圖案
48‧‧‧遮光圖案
GI‧‧‧閘極絕緣層
14‧‧‧保護層
T2‧‧‧薄膜電晶體元件
G2‧‧‧閘極
SE2‧‧‧半導體通道層
GI‧‧‧閘極絕緣層
S2‧‧‧源極
D2‧‧‧汲極
Z‧‧‧垂直方向
UV‧‧‧紫外光
46H‧‧‧透光開口
50‧‧‧背光模組
52‧‧‧遮光框架
L‧‧‧光源
CE‧‧‧共通電極

Claims (6)

  1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板，具有一主動區、一閘極驅動電路區與一周邊區，其中該周邊區設置於該主動區之至少一側，且該閘極驅動電路區設置於該主動區與該周邊區之間；一畫素陣列，設置於該第一基板之該主動區內；複數條周邊導線，設置於該第一基板之該周邊區內；一閘極驅動電路(gate driver on array)，設置於該第一基板之該閘極驅動電路區內，其中該閘極驅動電路包括複數個薄膜電晶體元件，其中該閘極驅動電路包括複數個移位暫存器(shift register)，且各該移位暫存器包括一輸入單元、一下拉單元以及一上拉輸出單元，該輸入單元係與至少一部分之該等周邊導線連接，且該上拉輸出單元係與該畫素陣列連接；一第二基板，與該第一基板相對設置；一框膠，設置於該第一基板與該第二基板之間，用以接合該第一基板與該第二基板，其中該框膠在一垂直方向上係與一部分之該等周邊導線以及至少一部分之該等移位暫存器之該等輸入單元與該等下拉單元重疊重疊；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間並被該框膠所封合；一半透光圖案，設置於該第二基板上，其中該半透光圖案之一整體透光率實質上介於10%至80%之間，且該半透光圖案在該垂直方向上與該框膠重疊；以及一遮光圖案，設置於該第二基板上，其中該遮光圖案係對應於該第一基板之該周邊區的另一部分的該等周邊導線。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該半透光圖案包括一遮光結構層，且該遮光結構層具有複數個透光開口。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該半透光圖案之材料與該遮光圖案之材料不相同。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該半透光圖案之材料與該遮光圖案之材料相同，且該半透光圖案之厚度小於該遮光圖案之厚度。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該框膠在該垂直方向上未與至少一部分之該等移位暫存器之該等上拉輸出單元重疊。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，另包括一背光模組以及一遮光框架，設置於該第一基板之下方，其中該背光模組包括至少一光源產生器，用以提供光源，該遮光框架設置於該背光模組與該第一基板之間且在該垂直方向上至少與該半透光圖案重疊。
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