JP2015146304A - 表示装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】広開口化と広視野角化とを両立する。
【解決手段】第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備える。各画素は、第1の副画素と、第1の副画素に対して第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、第1の副画素および第2の副画素の少なくとも一方に対して第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、第1の方向における第3の副画素の視野角を制限するように、第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部とを有する。
【選択図】図2
【解決手段】第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備える。各画素は、第1の副画素と、第1の副画素に対して第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、第1の副画素および第2の副画素の少なくとも一方に対して第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、第1の方向における第3の副画素の視野角を制限するように、第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部とを有する。
【選択図】図2
Description
本開示は、1画素内に複数の副画素を有する表示装置、およびそのような表示装置を用いた電子機器に関する。
有機EL(Electro Luminescence)素子等を用いた表示装置における画素配列構造としては、ストライプ配列やデルタ配列構造が知られている。その他、特許文献1に記載の画素配列構造が知られている。
長寿命化、および広視野角化を目的とした画素の広開口化にはデルタ配列構造が有利であるが、画素の行方向および列方向のラインパターンのギザギザ感を回避することが困難である。一方、ストライプ配列構造を採用した場合、ギザギザ感は回避できるが、1画素内において副画素を色分離するための総長が長く、開口率を落とすことになり、輝度劣化の寿命が悪化する。
そこで、特許文献1に記載のように、高解像度を実現しながら開口率を確保することができる画素配列構造が提案されている。特許文献1に記載の画素配列構造では、1画素内において同一の列に第1の副画素および第2の副画素を形成すると共に、第1の副画素および第2の副画素に隣接する2つの行に第3の副画素を形成することで開口率を向上させている。この画素配列構造では、行方向における第3の副画素の開口幅が、第1の副画素および第2の副画素の開口幅に比べて長くなっている。
しかしながら、特許文献1に記載の画素配列構造では、行方向において、第3の副画素と第1の副画素および第2の副画素とで開口幅が異なることが原因となり、視野角特性が悪化する。現象としては、全色発光(白色発光)時の色つきが発生する。この現象は画素が狭ピッチになるほど顕著に現れ、表示パネルを正面から見た像と角度をつけて見た像とで色味が異なり、各色の副画素の開口幅が同じストライプ配列やデルタ配列の画素配列構造に比べ、視野角特性が悪化する原因となる。これは、2000ppi超の高精細パネルにおいて顕著に見られ、ディスプレイの高精細化が求められる昨今、大きな課題となる。特にビューファインダやヘッドマウントディスプレイ用途の表示パネルは、すでに2000ppi超の領域に達しており、そのようなディスプレイ用途としては、パネル品質を落としてしまうことが判明している。
本開示の目的は、広開口化と広視野角化とを両立できる表示装置、および電子機器を提供することにある。
本開示による表示装置は、第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備え、各画素が、第1の副画素と、第1の副画素に対して第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、第1の副画素および第2の副画素の少なくとも一方に対して第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、第1の方向における第3の副画素の視野角を制限するように、第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部とを有するものである。
本開示による電子機器は、複数の画素が第1の方向および第2の方向に配列された表示装置を備え、各画素が、第1の副画素と、第1の副画素に対して第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、第1の副画素および第2の副画素の少なくとも一方に対して第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、第1の方向における第3の副画素の視野角を制限するように、第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部とを有するものである。
本開示による表示装置、または電子機器では、遮光部によって、第1の方向における第3の副画素の視野角が制限される。
本開示の表示装置、または電子機器によれば、遮光部によって、第1の方向における第3の副画素の視野角を制限するようにしたので、広開口化と広視野角化とを両立することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
<1.第1の実施の形態>(1画素内において中心部に遮光部を配置する例)
1.1 構成(図1〜図9)
1.2 具体的な設計例(図10〜図14)
1.3 効果
1.4 変形例
1.4.1 第1の変形例(図16)
1.4.2 第2の変形例(図17)
1.4.3 第3の変形例(図18、図19)
1.4.4 第4の変形例(図20)
1.4.5 第5の変形例(図21)
<2.第2の実施の形態>(1画素内において中心部とは異なる位置に遮光部を配置する例)(図22〜図25)
2.1 構成
2.2 作用および効果
<3.第3の実施の形態>(4色型の表示装置の例)(図26〜図32)
3.1 画素の配列構造の第1の例
3.2 画素の配列構造の第2の例
<4.表示装置の電子機器への適用例>(図33〜図35)
4.1 第1の適用例(図33)
4.2 第2の適用例(図34、図35)
<5.その他の実施の形態>(図36、図37)
<1.第1の実施の形態>(1画素内において中心部に遮光部を配置する例)
1.1 構成(図1〜図9)
1.2 具体的な設計例(図10〜図14)
1.3 効果
1.4 変形例
1.4.1 第1の変形例(図16)
1.4.2 第2の変形例(図17)
1.4.3 第3の変形例(図18、図19)
1.4.4 第4の変形例(図20)
1.4.5 第5の変形例(図21)
<2.第2の実施の形態>(1画素内において中心部とは異なる位置に遮光部を配置する例)(図22〜図25)
2.1 構成
2.2 作用および効果
<3.第3の実施の形態>(4色型の表示装置の例)(図26〜図32)
3.1 画素の配列構造の第1の例
3.2 画素の配列構造の第2の例
<4.表示装置の電子機器への適用例>(図33〜図35)
4.1 第1の適用例(図33)
4.2 第2の適用例(図34、図35)
<5.その他の実施の形態>(図36、図37)
<1.第1の実施の形態>
[1.1 構成]
(表示装置1の全体構成)
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置1の平面構成の一例を示している。この表示装置1は、テレビジョン装置などに用いられるものであり、表示領域110に複数の画素2を、第1の方向および第2の方向にマトリクス状に配置した構成を有している。
[1.1 構成]
(表示装置1の全体構成)
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置1の平面構成の一例を示している。この表示装置1は、テレビジョン装置などに用いられるものであり、表示領域110に複数の画素2を、第1の方向および第2の方向にマトリクス状に配置した構成を有している。
各画素2は、第1の副画素2Rと、第2の副画素2Gと、第3の副画素2Bとを有している。第1の副画素2Rと第2の副画素2Gは、第1の方向において互いに隣接配置されている。第3の副画素2Bは、第1の副画素2Rおよび第2の副画素2Gの双方に対して第2の方向に隣接配置されている。
なお、本実施の形態では、第1の方向が表示面内の縦方向(Y方向)、第2の方向が表示面内の横方向(X方向)であるものとして画素2の配列構造を説明する。表示面内とは、例えば図1においては紙面に対して平行な面内(XY平面内)をいう。また、例えば図1においては紙面に対して直交する方向をZ方向とし、画素2の厚み方向をZ方向として説明する。
なお、図示した副画素の配置例に限らず、例えば第1の副画素2Rと第2の副画素2Gとが逆の配置になっていてもよい。すなわち、第1の副画素2Rが第2の副画素2Gに対して下側に隣接配置された構成であってもよい。
(画素2の配列構造)
各画素2は、所定の色光を発する発光素子と、所定の色光を透過する色フィルタ23とを有している。図2は、表示装置1における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図3は、1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図4は、画素2の発光素子の配列構造の一例を示している。図5は、画素2の断面構造の一例を示している。
各画素2は、所定の色光を発する発光素子と、所定の色光を透過する色フィルタ23とを有している。図2は、表示装置1における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図3は、1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図4は、画素2の発光素子の配列構造の一例を示している。図5は、画素2の断面構造の一例を示している。
第1の副画素2Rは、第1の色光LRを発する第1の発光素子10R(図4、図5)と、第1の発光素子10Rからの第1の色光LRを透過する第1の色フィルタ23R(図2、図3、図5)とを含んでいる。第2の副画素2Gは、第2の色光LGを発する第2の発光素子10G(図4、図5)と、第2の発光素子10Gからの第2の色光LGを透過する第2の色フィルタ23G(図2、図3、図5)とを含んでいる。第3の副画素2Bは、第1の色光LRおよび第2の色光LGよりも波長の短い第3の色光LBを発する第3の発光素子10B(図4、図5)と、第3の発光素子10Bからの第3の色光LBを透過する第3の色フィルタ23B(図2、図3、図5)とを含んでいる。
第1の発光素子10Rは、第1の色光LRとして例えば赤色光を発するものである。第2の発光素子10Gは、第2の色光LGとして例えば緑色光を発するものである。第3の発光素子10Bは、第3の色光LBとして例えば青色光を発するものである。第1の発光素子10R、第2の発光素子10G、および第3の発光素子10Bはそれぞれ、例えば後述する有機EL素子のほか、無機EL素子,半導体レーザ,LED(Light Emitting Diode)などにより構成することができる。
各画素2には、ブラックマトリクスとしての遮光部24が設けられている。遮光部24は、第1の方向(Y方向)における第3の副画素2Bの視野角を制限するように、第3の副画素2Bの配置位置に対応して配置されている。遮光部24は、図2および図3に示したように、第1の遮光部分24−1と第2の遮光部分24−2とからなる。第1の遮光部分24−1は、第1の方向において、隣り合う画素の境界部分に設けられている。第2の遮光部分24−2は、1画素内における第3の副画素2B内の中心部に設けられている。これにより、1画素内において、第2の遮光部分24−2を境界として、第3の副画素2B内に第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とが形成されている。
第1の発光素子10R、第2の発光素子10G、および第3の発光素子10Bの平面形状は、図4に示したように、色フィルタ23と遮光部24の配置位置とに応じた形状となっていることが好ましい。第3の発光素子10Bは、1画素内において第2の遮光部分24−2が設けられた位置に対応する部分で分割されていることが好ましい。第2の方向において、第3の発光素子10Bの幅と、遮光部24の幅とが異なっていてもよい。第1の発光素子10R、第2の発光素子10G、および第3の発光素子10Bはそれぞれ、発光層16(発光面)と下部電極14(反射面)とを有していてもよい。
遮光部24は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属,金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム(III)(Cr2O3)とを交互に積層したものが挙げられる。
色フィルタ23は、例えば顔料を混入した樹脂により構成されている。顔料を選択することによって目的とする色の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
図5に示したように、発光素子10R,10G,10Bは。第1の基板11に設けられている。遮光部24および色フィルタ23は第2の基板21に設けられている。第1の基板11および第2の基板21は、ガラス,シリコン(Si)ウェハあるいは樹脂等により構成されている。第1の基板11と第2の基板21とは、発光素子10R,10G,10B、遮光部24および色フィルタ23を内側にして対向配置され、両者の間には樹脂層32および保護膜31等よりなる中間層30が設けられている。
図5に示したように、第1の色フィルタ23Rと第3の色フィルタ23Bとによる色境界25を境界として、第1の副画素2Rと第3の副画素2Bとに関して、第2の方向に互いに色分離がなされる。同様に、第2の色フィルタ23Gと第3の色フィルタ23Bとによる色境界25を境界として、第2の副画素2Gと第3の副画素2Bとに関して、第2の方向に互いに色分離がなされる。同様に、第1の色フィルタ23Rと第2の色フィルタ23Gとによる色境界25を境界として、第1の副画素2Rと第2の副画素2Gとに関して、第1の方向に互いに色分離がなされる。
このように、第1の副画素2Rと第2の副画素2Gは、色フィルタ23によって、第1の方向と第2の方向との双方に色分離がなされる。すなわち、色フィルタ23によって、画素間および副画素間で色分離がなされる。これにより、第1の副画素2Rと第2の副画素2Gに関しては、色フィルタ23によって第1の方向と第2の方向との双方に視野角が制限される。
これに対して、第3の副画素2Bは、色フィルタ23によって第2の方向には色分離がなされるが、第1の方向には色分離されない構造となっている。すなわち、第3の副画素2Bに関しては、色フィルタ23によって第2の方向には視野角が制限されるが、第1の方向には視野角が制限されない。第3の副画素2Bに関しては、遮光部24によって第1の方向の視野角が制限される構造となっている。これにより、色分離されていない方位の視野角特性を改善させるようになっている。
なお、図2において、LBM-Hは遮光部24の横方向の幅、LBM-Vは遮光部24の縦方向の幅を示す。Lsubpix1-Hは第1の副画素2Rの横方向の開口幅、Lsubpix1-Vは第1の副画素2Rの縦方向の開口幅を示す。Lsubpix2-Hは第2の副画素2Gの横方向の開口幅、Lsubpix2-Vは第2の副画素2Gの縦方向の開口幅を示す。
また、Lsubpix3-Hは第3の副画素2Bの横方向の開口幅、Lsubpix3-Vは第3の副画素2Bの縦方向の開口幅を示す。ここで、第3の副画素2Bの開口幅とは、第3の副画素2Bの第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とのそれぞれの開口幅を示す。本実施の形態では、第1の方向において第3の副画素2B内の中心部と、1画素の境界部分とに遮光部24が設けられているので、第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とのそれぞれの縦方向の開口幅Lsubpix3-Vは同じ大きさとなっている。
第2の方向において、遮光部24の幅は、第3の副画素2Bの開口幅よりも短いことが好ましい。例えば、遮光部24は、第3の副画素2Bの色を分離する方向(第2の方向)に長軸をとる長方形を基本形状とし、(式1)に示すように、長軸の長さは第3の副画素2Bの開口幅よりも小さくすることが好ましい。
LBM-H < Lsubpix3-H ……(式1)
また、以下の(式2)に示すように、第1の副画素2Rの開口幅と第2の副画素2Gの開口幅は、第3の副画素2Bにおける色分離されている方向の開口幅よりも広い構造とすることが好ましい。
Lsubpix3-H < Lsubpix1-H
Lsubpix3-H < Lsubpix2-H
……(式2)
Lsubpix3-H < Lsubpix2-H
……(式2)
光取り出しが低下するため、各色フィルタ23R,23G,23Bの境界部分(色境界25)には遮光部24は配置しない構造であることが好ましい。上述したように、第3の発光素子10Bは、1画素内において第2の遮光部分24−2が設けられた位置に対応する部分で分割されていることが好ましい(図4)。1画素内で第3の発光素子10Bを分離する理由は、第3の発光素子10Bから発せられた光が第2の遮光部分24−2で反射し、表示パネルのセル内で干渉し、予期しないピークを生むことを避けるためである。
(画素2の駆動回路、および発光素子の構成)
図6は、表示装置1の回路構成の一例を示している。図7は、表示装置1における画素2の駆動回路の一例を示している。表示装置1は、上述したように発光素子10R,10G,10Bとして有機EL素子を備えた有機ELテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130を有している。
図6は、表示装置1の回路構成の一例を示している。図7は、表示装置1における画素2の駆動回路の一例を示している。表示装置1は、上述したように発光素子10R,10G,10Bとして有機EL素子を備えた有機ELテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130を有している。
表示領域110内には画素駆動回路140が設けられている。図7は、画素駆動回路140の一例を表したものである。画素駆動回路140は、後述する下部電極14の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路140は、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、これらトランジスタTr1,Tr2の間のキャパシタ(保持容量)Csと、第1の電源ライン(Vcc)および第2の電源ライン(GND)の間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された発光素子10R(または10G,10B)とを有する。駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2は、一般的な薄膜トランジスタにより構成され、その構成は例えば逆スタガ構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいしスタガ構造(トップゲート型)でもよく特に限定されない。
画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、発光素子10R,10G,10Bのいずれか1つ(副画素)に対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
図8は発光素子10R,10G,10Bの断面構成を表したものである。発光素子10R,10G,10Bは、それぞれ、第1の基板11の側から、上述した画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1、平坦化絶縁膜12、陽極としての下部電極14、電極間絶縁膜15、後述する発光層16Cを含む有機層16、および陰極としての上部電極17がこの順に積層された発光素子である。駆動トランジスタTr1は、平坦化絶縁膜12に設けられた接続孔12Aを介して下部電極14に電気的に接続されている。
このような発光素子10R,10G,10Bは、保護層31により被覆され、さらにこの保護層31上に樹脂層32を間にして第2の基板21が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。保護層31は、窒化ケイ素(SiNx),酸化ケイ素または金属酸化物などにより構成されている。樹脂層32は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。なお、保護層31および樹脂層32により、上述した中間層30が構成されている。
平坦化絶縁膜12は、画素駆動回路140が形成された第1の基板11の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔12Aが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜12の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン(SiO2)などの無機材料が挙げられる。
下部電極14は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。特に、下部電極14が陽極として使われる場合には、下部電極14は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような下部電極14としては、例えば、積層方向の厚み(以下、単に厚みと言う)が100nm以上1000nm以下であり、クロム(Cr),金(Au),白金(Pt),ニッケル(Ni),銅(Cu),タングステン(W)あるいは銀(Ag)などの金属元素の単体または合金が挙げられる。下部電極14の表面には、インジウムとスズの酸化物(ITO)などの透明導電膜が設けられていてもよい。なお、アルミニウム(Al)合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって下部電極14として使用することが可能である。
電極間絶縁膜15は、下部電極14と上部電極17との絶縁性を確保すると共に発光領域を所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜15は下部電極14の周囲のみに設けられており、下部電極14のうち電極間絶縁膜15から露出した領域が発光領域となっている。なお、有機層16および上部電極17は、電極間絶縁膜15の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域だけである。
有機層16は、例えば、下部電極14の側から順に、正孔注入層16A,正孔輸送層16B,発光層16C,電子輸送層16Dおよび電子注入層16Eを積層した構成を有する。これらのうち発光層16C以外の層は必要に応じて設ければよい。有機層16は、発光素子10R,10G,10Bの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層16Aは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層16Bは、発光層16Cへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層16Cは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層16Dは、発光層16Cへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層16Eは、電子注入効率を高めるためのものである。
上部電極17は、例えば、厚みが10nm程度であり、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca)またはナトリウム(Na)の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金(Mg−Ag合金)は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Mg−Ag合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でMg:Ag=20:1〜1:1の範囲であることが望ましい。また、上部電極17の材料は、アルミニウム(Al)とリチウム(Li)との合金(Al−Li合金)でもよい。
上部電極17は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、10R,10G,10Bは共振器構造MC1を有し、この共振器構造MC1により発光層16Cで発生した光を下部電極14と上部電極17との間で共振させるようになっている。この共振器構造MC1は、下部電極14と有機層16との界面を反射面P1、中間層18と電子注入層16Eとの界面を半透過反射面P2とし、有機層16を共振部として、発光層16Cで発生した光を共振させて半透過反射面P2の側から取り出すものである。このように共振器構造MC1を有するようにすれば、発光層16Cで発生した光が多重干渉を起こし、半透過反射面P2の側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることができる。すなわち、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることができる。
反射面P1と半透過反射面P2との間には、取り出し発光強度が極大となる位置(共振面)が存在する。反射面P1と半透過反射面P2との間の光学的距離L1は、取り出し効率が高くなるような所定の条件を満たしていることが好ましい。
なお、発光素子10R,10G,10Bは、図9に示したように、半透過反射面P2を有さず、発光層16Cで発生した光を反射面P1において反射させ、この反射光と発光層16Cで発生する光との間で干渉を生じさせるものであってもよい。
[1.2 具体的な設計例]
本実施の形態に係る表示装置1では、遮光部24の横方向の大きさ(幅)を変えることで、色分離されない方位の視野角特性を調整することができる。例えば、遮光部24の幅を小さくすることで、第3の副画素2Bの縦方向の視野角特性を広角化することができ、第1の副画素2R、および第2の副画素2Gの視野角特性に合わせることが可能となる。横方向の視野角特性は、第1の副画素2Rの第1の色フィルタ23R、および第2の副画素2Gの第2の色フィルタ23Gの幅と、第3の副画素2Bの第3の色フィルタ23Bの幅とを異ならせることで調整することが可能である。
本実施の形態に係る表示装置1では、遮光部24の横方向の大きさ(幅)を変えることで、色分離されない方位の視野角特性を調整することができる。例えば、遮光部24の幅を小さくすることで、第3の副画素2Bの縦方向の視野角特性を広角化することができ、第1の副画素2R、および第2の副画素2Gの視野角特性に合わせることが可能となる。横方向の視野角特性は、第1の副画素2Rの第1の色フィルタ23R、および第2の副画素2Gの第2の色フィルタ23Gの幅と、第3の副画素2Bの第3の色フィルタ23Bの幅とを異ならせることで調整することが可能である。
図10は、本実施の形態における画素2の一設計例を示している。各部分の寸法は以下のとおりである。
1画素ピッチ:9.9μm
LBM-H:3.0μm
LBM-V:0.8μm
Lsubpix1-H:6.1μm
Lsubpix2-H:6.1μm
Lsubpix3-H:3.8μm
Lsubpix1-V:4.95μm
Lsubpix2-V:4.95μm
Lsubpix3-V:4.15μm
1画素ピッチ:9.9μm
LBM-H:3.0μm
LBM-V:0.8μm
Lsubpix1-H:6.1μm
Lsubpix2-H:6.1μm
Lsubpix3-H:3.8μm
Lsubpix1-V:4.95μm
Lsubpix2-V:4.95μm
Lsubpix3-V:4.15μm
例えば、発光素子10R,10G,10Bと色フィルタ23との間のギャップDG(図5)と副画素の開口幅とが、1:1の関係となっている狭ピッチ画素においては、第3の副画素2Bの横方向の開口幅Lsubpix3-Hに対して、第1の副画素2Rの横方向の開口幅Lsubpix1-H、および第2の副画素2Gの横方向の開口幅Lsubpix2-Hは、それぞれ以下のように1〜3倍程度にするのが望ましい。
1 < Lsubpix1-H/Lsubpix3-H < 3
1 < Lsubpix2-H/Lsubpix3-H < 3
1 < Lsubpix1-H/Lsubpix3-H < 3
1 < Lsubpix2-H/Lsubpix3-H < 3
波長の短い第3の色光LBを発する第3の副画素2Bは、第3の色光LBよりも波長の長い光を発する第1の副画素2Rおよび第2の副画素2Gに比べ、表示パネルのセル内の干渉により、低角側(<20deg)において光取り出し効率が高く、視野角特性をあまり持たない。その特性を制御するため、第3の副画素2Bの横方向の開口幅を小さくすることで、第1の副画素2R、第2の副画素2G、および第3の副画素2Bの各副画素の横方向の視野角特性が一致し、色つきが改善される。
遮光部24の横方向の幅LBM-Hを短くすると、第3の副画素2Bの縦方向の視野角は広くなる(横方向の視野角には影響しない)。本実施の形態の画素構造では、Lsubpix1-V、Lsubpix2-VよりもLsubpix3-Vの開口幅が小さいため、LBM-Hを短くすることで第3の副画素2Bの視野角特性を広げる必要がある。(式3)から求められるLBM-Hの値にすると、各副画素の縦方向視野角特性が一致し、色つきが改善される。なお、実使用上は必ずしも(式3)を完全に満たしている必要はなく、(式3)を略満たすような値であればよい。
LBM-H = Lsubpix3-H × Lsubpix3-V/Lsubpix1-V
LBM-H = Lsubpix3-H × Lsubpix3-V/Lsubpix2-V
……(式3)
LBM-H = Lsubpix3-H × Lsubpix3-V/Lsubpix2-V
……(式3)
図11は、図10に示した設計例による画素2の横方向の視野角特性を示している。図12は、図10に示した設計例による画素2の縦方向の視野角特性を示している。図11および図12では、白色の3刺激値X,Y,Zを示す。刺激値Xは、第1の副画素2Rが発する第1の色光LRに対応する。刺激値Yは、第2の副画素2Gが発する第2の色光LGに対応する。刺激値Zは、第3の副画素2Bが発する第3の色光LBに対応する。以降の他の視野角特性についても同様である。
図10に示した設計例のようにLBM-Vを0.8μmにすることで、図12に示したように縦方向の視野角特性において3刺激値X,Y,Zが一致し、視野角特性の色つきが少ないことがわかる。また、図11に示したように横方向の視野角特性においては、第3の副画素2Bの開口幅を第1の副画素2Rおよび第2の副画素2Gに比べて小さくすることで、3刺激値X,Y,Zが一致し、視野角特性の色つきが少なくなる。
次に、遮光部24の幅LBM-Hの値を変更した場合における、画素2の縦方向の視野角特性を、図13および図14に示す。図13は図10に示した設計例に対して遮光部24の幅LBM-Hを長くした場合(LBM-H=3.8μm)、図14は図10に示した設計例に対して遮光部24の幅LBM-Hを短くした場合(LBM-H=0.8μm)の視野角特性を示している。
図13から、遮光部24の幅LBM-Hを長くすることで、第3の副画素2B(刺激値Z)の縦方向の視野角特性が狭くなることがわかる。また、図14から、遮光部24の幅LBM-Hを短くすることで、第3の副画素2B(刺激値Z)の縦方向の視野角特性が広くなることがわかる。このように、遮光部24の幅LBM-Hを変更することにより、視野角を制限する画素幅が変わることから、視野角特性を調整することができる。遮光部24の幅LBM-H等の設計パラメータとして調整することで、画素ピッチ(開口幅)や、発光素子10R,10G,10Bと色フィルタ23との間のギャップDGの値に応じて、最適な設計値を設定することが可能となる。
[1.3 効果]
以上のように、本実施の形態によれば、遮光部24によって、第1の方向(Y方向)における第3の副画素2Bの視野角を制限するようにしたので、広開口化と広視野角化とを両立することができる。
以上のように、本実施の形態によれば、遮光部24によって、第1の方向(Y方向)における第3の副画素2Bの視野角を制限するようにしたので、広開口化と広視野角化とを両立することができる。
図15は、図10に示した設計例に対する比較例として、遮光部24を設けなかった場合(LBM-H,LBM-V=0)における、画素2の縦方向の視野角特性を示している。比較例の構造では遮光部24が無いことで、第3の副画素2Bの縦方向の開口幅が広くなる。これに起因し、縦方向の視野角特性において、白色表示時に表示面に対して角度をつけて見た像は、第3の副画素2Bの刺激値Zが相対的に大きくなり、例えば青の色つきが生じる。これに対して、本実施の形態による画素2の配列構造では、第3の副画素2B内に遮光部24を設けたことで、第3の副画素2Bの視野角特性(刺激値Z)を制御し、色つきを少なくすることができる。また、横方向の視野角特性においては、波長の短い第3の副画素2Bの横方向の開口幅を他の副画素より小さくすることで、各副画素の横方向の視野角特性が一致し、色つきが改善される。このようにして、視認性を良好に保持したまま、広開口化(長寿命化)と広視野角化との両立が可能となる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の他の実施の形態および変形例についても同様である。
[1.4 変形例]
(1.4.1 第1の変形例)
図16は、第1の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図16に示したように、遮光部24の平面形状を略楕円形状にしてもよい。
(1.4.1 第1の変形例)
図16は、第1の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図16に示したように、遮光部24の平面形状を略楕円形状にしてもよい。
(1.4.2 第2の変形例)
図17は、第2の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図17に示したように、遮光部24の平面形状を略円形状にしてもよい。
図17は、第2の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図17に示したように、遮光部24の平面形状を略円形状にしてもよい。
なお、遮光部24の平面形状は、これまでに説明した長方形状、楕円形状、または円形状に限らず、その他の任意の平面形状を採用することが可能である。
(1.4.3 第3の変形例)
図18は、第3の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図19は、1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図18および図19に示したように、遮光部24の第1の遮光部分24−1の横方向の幅LBM-H1と、第2の遮光部分24−2の横方向の幅LBM-H2とが異なっていてもよい。
図18は、第3の変形例における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図19は、1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図18および図19に示したように、遮光部24の第1の遮光部分24−1の横方向の幅LBM-H1と、第2の遮光部分24−2の横方向の幅LBM-H2とが異なっていてもよい。
(1.4.4 第4の変形例)
図20は、第4の変形例における画素2の断面構造の一例を示している。図20に示したように、図5に示した断面構造に対して中間層30から樹脂層32を省いた構成であってもよい。
図20は、第4の変形例における画素2の断面構造の一例を示している。図20に示したように、図5に示した断面構造に対して中間層30から樹脂層32を省いた構成であってもよい。
(1.4.5 第5の変形例)
図21は、第5の変形例における画素2の断面構造の一例を示している。図21に示したように、図5に示した断面構造に対して遮光部24を設ける厚み方向(Z方向)の位置が異なっていてもよい。図5に示した断面構造では中間層30とは反対側に遮光部24が設けられているが、図21に示したように中間層30に近い側に遮光部24が設けられていてもよい。
図21は、第5の変形例における画素2の断面構造の一例を示している。図21に示したように、図5に示した断面構造に対して遮光部24を設ける厚み方向(Z方向)の位置が異なっていてもよい。図5に示した断面構造では中間層30とは反対側に遮光部24が設けられているが、図21に示したように中間層30に近い側に遮光部24が設けられていてもよい。
<2.第2の実施の形態>(1画素内において中心部とは異なる位置に遮光部24を配置する例)
[2.1 構成]
本実施の形態では、上記第1の実施の形態に係る表示装置1と比べて、画素2の配列構造、特に遮光部24の配置位置が異なっている。
なお、本実施の形態において、画素2の配列構造、特に遮光部24の配置位置に関する部分以外の構成、作用および効果は、上記第1の実施の形態と略同様であってもよい。また、本実施の形態と上記第1の実施の形態の変形例とを組み合わせた構成も可能である。
[2.1 構成]
本実施の形態では、上記第1の実施の形態に係る表示装置1と比べて、画素2の配列構造、特に遮光部24の配置位置が異なっている。
なお、本実施の形態において、画素2の配列構造、特に遮光部24の配置位置に関する部分以外の構成、作用および効果は、上記第1の実施の形態と略同様であってもよい。また、本実施の形態と上記第1の実施の形態の変形例とを組み合わせた構成も可能である。
図22は、本実施の形態における画素2の色フィルタ部分の配列構造の一例を示している。図23は、本実施の形態における1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図24は、画素2の発光素子の配列構造の一例を示している。
本実施の形態における画素2の配列構造では、遮光部24における第2の遮光部分24−2が、第1の方向において、第3の副画素2B内の中心部とは異なる位置に設けられている。これにより、1画素内において、第2の遮光部分24−2を境界として、第3の副画素2B内の第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とのそれぞれの領域の大きさ(開口の大きさ)が異なっている。これにより、第1の画素領域2B−1の視野角特性と第2の画素領域2B−2の視野角特性とを異ならせている。なお、図22において、Lsubpix3-V1は第1の画素領域2B−1の縦方向の開口幅を示す。Lsubpix3-V2は第2の画素領域2B−2の縦方向の開口幅を示す。
本実施の形態において、第1の発光素子10R、第2の発光素子10G、および第3の発光素子10Bの平面形状は、図24に示したように、色フィルタ23と遮光部24の配置位置とに応じた形状となっていることが好ましい。第3の発光素子10Bは、1画素内において第2の遮光部分24−2が設けられた位置に対応する部分で分割されていることが好ましい。第2の方向において、第3の発光素子10Bの幅と、遮光部24の幅とが異なっていてもよい。第1の発光素子10R、第2の発光素子10G、および第3の発光素子10Bはそれぞれ、発光層16(発光面)と下部電極14(反射面)とを有していてもよい。
[2.2 作用および効果]
図25は、本実施の形態における第3の副画素2Bの縦方向の視野角特性を示している。図25の左側には、第3の副画素2B内の第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とのそれぞれの視野角特性を独立して示している。図25の右側には、第3の副画素2Bの全体の視野角特性を示している。
図25は、本実施の形態における第3の副画素2Bの縦方向の視野角特性を示している。図25の左側には、第3の副画素2B内の第1の画素領域2B−1と第2の画素領域2B−2とのそれぞれの視野角特性を独立して示している。図25の右側には、第3の副画素2Bの全体の視野角特性を示している。
遮光部24の位置を1画素内の中心部からずらし、第3の副画素2Bの1画素内の上下の開口幅を変えることで視野角特性を調整することが可能である。第3の副画素2Bの全体の視野角特性は、縦方向に広い画素(第2の画素領域2B−2)の視野角特性と狭い画素(第1の画素領域2B−1)の視野角特性との和となるため、図25の右側に示したように、全体の視野角特性に変曲点を設けることができ、視野角特性の細かな調整が可能となる。
<3.第3の実施の形態>(4色型の表示装置1Aの例)
図26は、本実施の形態に係る表示装置1Aの平面構成の一例を表したものである。本実施の形態に係る表示装置1Aは、第1の副画素2R、第2の副画素2G、および第3の副画素2Bに、第4の副画素2Wを加えた4色の副画素を有する画素2Aを、第1の方向および第2の方向にマトリクス状に複数、配置した構成となっている。
なお、本実施の形態において、画素2Aの配列構造に関する部分以外の構成、作用および効果は、上記第1の実施の形態と略同様であってもよい。
図26は、本実施の形態に係る表示装置1Aの平面構成の一例を表したものである。本実施の形態に係る表示装置1Aは、第1の副画素2R、第2の副画素2G、および第3の副画素2Bに、第4の副画素2Wを加えた4色の副画素を有する画素2Aを、第1の方向および第2の方向にマトリクス状に複数、配置した構成となっている。
なお、本実施の形態において、画素2Aの配列構造に関する部分以外の構成、作用および効果は、上記第1の実施の形態と略同様であってもよい。
本実施の形態に係る表示装置1Aでは、第4の副画素2Wが、第1の副画素2Rに対して第2の方向(X方向)に隣接配置されている。第3の副画素2Bは、第2の副画素2Gに対して第2の方向(X方向)に隣接配置されると共に、第4の副画素2Wに対して第1の方向(Y方向)に隣接配置されている。
なお、図示した副画素の配置例に限らず、例えば第4の副画素2Wと第3の副画素2Bとが逆の配置になっていてもよい。すなわち、第1の副画素2Rに対して第2の方向(X方向)に第3の副画素2Bが隣接配置され、第2の副画素2Gに対して第2の方向(X方向)に第4の副画素2Wが隣接配置された構成であってもよい。
以下、図27〜図29、および図30〜図32を参照して、画素2Aの配列構造の第1の例、および第2の例を説明する。各画素2Aは、所定の色光を発する発光素子と、所定の色光を透過する色フィルタ23Aとを有している。第4の副画素2Wは、第4の色光を発する第4の発光素子と、第4の発光素子からの第4の色光を透過する第4の色フィルタ23Wとを含んでいる。第4の副画素2Wの第4の発光素子は、例えば白色光を発するものである。
[3.1 画素2Aの配列構造の第1の例]
図27は、画素2Aの色フィルタ部分の配列構造の第1の例を示している。図28は、図27に示した第1の例における1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図29は、図27に示した第1の例において遮光部24Aを省いた色フィルタ23Aのみの配列構造の一例を示している。
図27は、画素2Aの色フィルタ部分の配列構造の第1の例を示している。図28は、図27に示した第1の例における1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図29は、図27に示した第1の例において遮光部24Aを省いた色フィルタ23Aのみの配列構造の一例を示している。
遮光部24Aは、第1の副画素2Rおよび第3の副画素2Bとの境界部分を含むように、第4の副画素2Wの周囲に配置されている。遮光部24Aは、第1の方向における第3の副画素2Bの視野角を制限すると共に、第4の副画素2Wの第1の方向および第2の方向の視野角を制限している。
遮光部24Aは、第1の遮光部分24−1と、第2の遮光部分24−2と、第3の遮光部分24−3と、第4の遮光部分24−4とからなる。第1の遮光部分24−1は、第1の方向における隣り合う画素の境界部分に設けられている。第2の遮光部分24−2は、1画素内における第3の副画素2Bと第4の副画素2Wとの境界部分に設けられている。第3の遮光部分24−3は、第2の方向における隣り合う画素の境界部分に設けられている。第4の遮光部分24−4は、1画素内における第1の副画素2Rと第4の副画素2Wとの境界部分に設けられている。
なお、図27において、Lsubpix4-Hは第4の副画素2Wの横方向の開口幅、Lsubpix4-Vは第4の副画素2Wの縦方向の開口幅を示す。
図29に示したように、第1の色フィルタ23Rと第2の色フィルタ23Gとは略同じ大きさとなっている。また、第3の副画素2Bと第4の色フィルタ23Wとは略同じ大きさとなっている。第3の色フィルタ23Bおよび第4の色フィルタ23Wの横方向の幅は、第1の色フィルタ23Rおよび第2の色フィルタ23Gの横方向の幅よりも小さいことが好ましい。
[3.2 画素2Aの配列構造の第2の例]
図30は、画素2Aの色フィルタ部分の配列構造の第2の例を示している。図31は、図30に示した第2の例における1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図32は、図30に示した第2の例において遮光部24Aを省いた色フィルタ23Aのみの配列構造の一例を示している。
図30は、画素2Aの色フィルタ部分の配列構造の第2の例を示している。図31は、図30に示した第2の例における1画素分の色フィルタ部分の構成の一例を示している。図32は、図30に示した第2の例において遮光部24Aを省いた色フィルタ23Aのみの配列構造の一例を示している。
この第2の例においても、上記第1の例と同様に、遮光部24Aは、第1の副画素2Rおよび第3の副画素2Bとの境界部分を含むように、第4の副画素2Wの周囲に配置されている。遮光部24Aは、上記第1の例と同様に、第1の遮光部分24−1と、第2の遮光部分24−2と、第3の遮光部分24−3と、第4の遮光部分24−4とからなる。
なお、図30において、Lsubpix4-Hは第4の副画素2Wの横方向の開口幅、Lsubpix4-Vは第4の副画素2Wの縦方向の開口幅を示す。
この第2の例では、図32に示したように、第1の色フィルタ23Rと、第2の色フィルタ23Gと、第3の色フィルタ23Bと、第4の色フィルタ23Wとのそれぞれの大きさが異なっている。第3の色フィルタ23Bおよび第4の色フィルタ23Wの横方向の幅は、第1の色フィルタ23Rおよび第2の色フィルタ23Gの横方向の幅よりも小さいことが好ましい。
<4.表示装置の電子機器への適用例>
上記各実施の形態において説明した表示装置1,1Aは、例えば次に示したような、画像(あるいは映像)表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することができる。
上記各実施の形態において説明した表示装置1,1Aは、例えば次に示したような、画像(あるいは映像)表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することができる。
[4.1 第1の適用例]
図33は、表示装置1,1Aが適用されるヘッドマウントディスプレイの外観を表したものである。このヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部71の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部72を有しており、その表示部71は、上記各実施の形態に係る表示装置1,1Aにより構成されている。本開示による表示装置1,1Aをヘッドマウントディスプレイの表示部71に適用することにより、広開口化と広視野角化とを両立することができるため、ヘッドマウントディスプレイの商品性向上に貢献することができる。
図33は、表示装置1,1Aが適用されるヘッドマウントディスプレイの外観を表したものである。このヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部71の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部72を有しており、その表示部71は、上記各実施の形態に係る表示装置1,1Aにより構成されている。本開示による表示装置1,1Aをヘッドマウントディスプレイの表示部71に適用することにより、広開口化と広視野角化とを両立することができるため、ヘッドマウントディスプレイの商品性向上に貢献することができる。
[4.2 第2の適用例]
図34および図35は、表示装置1,1Aが適用される撮像装置(レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ)の外観を表したものである。この撮像装置は、例えば、図34に示したように、カメラ本体部(カメラボディ)211の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)212を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部213を有している。カメラ本体部211の背面略中央には、図35に示したように、モニタ214が設けられている。図35に示したように、モニタ214の上部には、ビューファインダ(接眼窓)215が設けられている。撮影者は、ビューファインダ215を除くことによって、撮影レンズユニット212から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このビューファインダ215は、上記各実施の形態に係る表示装置1,1Aにより構成されている。本開示による表示装置1,1Aを撮像装置のビューファインダに適用することにより、広開口化と広視野角化とを両立することができるため、撮像装置の商品性向上に貢献することができる。
図34および図35は、表示装置1,1Aが適用される撮像装置(レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ)の外観を表したものである。この撮像装置は、例えば、図34に示したように、カメラ本体部(カメラボディ)211の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)212を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部213を有している。カメラ本体部211の背面略中央には、図35に示したように、モニタ214が設けられている。図35に示したように、モニタ214の上部には、ビューファインダ(接眼窓)215が設けられている。撮影者は、ビューファインダ215を除くことによって、撮影レンズユニット212から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このビューファインダ215は、上記各実施の形態に係る表示装置1,1Aにより構成されている。本開示による表示装置1,1Aを撮像装置のビューファインダに適用することにより、広開口化と広視野角化とを両立することができるため、撮像装置の商品性向上に貢献することができる。
本開示による技術は、上記の適用例において特に電子機器に対する貢献が大きいが、上記各適用例に限定されず、種々の電子機器に適用が可能である。
<5.その他の実施の形態>
本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
例えば、上記各実施の形態では、第1の方向が表示面内の縦方向(Y方向)、第2の方向が表示面内の横方向(X方向)であるものとして画素の配列構造を説明したが、第1の方向を横方向(X方向)、第2の方向を縦方向(Y方向)とした画素の配列構造であってもよい。
例えば、図1および図2に示した上記第1の実施の形態に係る表示装置1の画素2の配列構造を、図36および図37に示した表示装置1Bのような配列構造にしてもよい。すなわち、図36および図37に示した表示装置1Bのように、第1の副画素2Rと第2の副画素2Gとが横方向(X方向)に互いに隣接配置され、第3の副画素2Bが、第1の副画素2Rおよび第2の副画素2Gの双方に対して縦方向(Y方向)に隣接配置された配列構造であってもよい。
また例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
(1)
第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
を有する表示装置。
(2)
前記第3の副画素は、前記第1の副画素および前記第2の副画素の双方に対して前記第2の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の方向において、隣り合う画素の境界部分に設けられた第1の部分と、1画素内における前記第3の副画素内に設けられた第2の部分とを含む
上記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第2の方向において、前記遮光部の幅は、前記第3の副画素の開口幅よりも短い
上記(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第1の副画素は第1の色光を透過する第1の色フィルタを含み、
前記第2の副画素は第2の色光を透過する第2の色フィルタを含み、
前記第3の副画素は第3の色光を透過する第3の色フィルタを含み、
前記第1の色フィルタと前記第2の色フィルタとによって、前記第1の副画素と前記第2の副画素とが前記第1の方向に互いに色分離がなされると共に、前記第3の副画素が前記第2の方向に色分離がなされ、
前記第3の色フィルタによって、前記第1の副画素および前記第2の副画素が前記第2の方向に色分離がなされる
上記(2)または(3)に記載の表示装置。
(5)
前記第1の部分と前記第2の部分は、互いに大きさが異なる
上記(2)ないし(4)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部に設けられている
上記(2)ないし(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(7)
前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部とは異なる位置に設けられている
上記(2)ないし(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
1画素内において、前記第2の部分を境界として、前記第3の副画素内に第1の画素領域と第2の画素領域とが形成され、
前記第1の画素領域の視野角特性と前記第2の画素領域の視野角特性とが異なる
上記(7)に記載の表示装置。
(9)
前記遮光部は、長方形状、楕円形状、または円形状である
上記(2)ないし(8)のいずれか1つに記載の表示装置。
(10)
前記第1の副画素は第1の色光を発する第1の発光素子を含み、
前記第2の副画素は第2の色光を発する第2の発光素子を含み、
前記第3の副画素は第3の色光を発する第3の発光素子を含み、
前記第3の発光素子は、1画素内において前記第2の部分が設けられた位置に対応する部分で分割されている
上記(2)ないし(9)のいずれか1つに記載の表示装置。
(11)
前記第2の方向において、前記第3の発光素子の幅と、前記遮光部の幅とが異なる
上記(10)に記載の表示装置。
(12)
前記第1の副画素から第1の色光が発せられ、
前記第2の副画素から第2の色光が発せられ、
前記第3の副画素から、前記第1の色光および前記第2の色光よりも波長の短い第3の色光が発せられ、
前記第2の方向において、前記第3の副画素の開口幅が、前記第1の副画素の開口幅および前記第2の副画素の開口幅よりも短い
上記(1)ないし(11)のいずれか1つに記載の表示装置。
(13)
前記各画素は、前記第1の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置された第4の副画素をさらに有し、
前記第3の副画素は、前記第2の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置されると共に、前記第4の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の副画素および前記第3の副画素との境界部分を含むように、前記第4の副画素の周囲に配置されている
上記(1)に記載の表示装置。
(14)
前記遮光部は、前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限すると共に、前記第4の副画素の前記第1の方向および前記第2の方向の視野角を制限する
上記(13)に記載の表示装置。
(15)
複数の画素が第1の方向および第2の方向に配列された表示装置を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
を有する電子機器。
(1)
第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
を有する表示装置。
(2)
前記第3の副画素は、前記第1の副画素および前記第2の副画素の双方に対して前記第2の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の方向において、隣り合う画素の境界部分に設けられた第1の部分と、1画素内における前記第3の副画素内に設けられた第2の部分とを含む
上記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第2の方向において、前記遮光部の幅は、前記第3の副画素の開口幅よりも短い
上記(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第1の副画素は第1の色光を透過する第1の色フィルタを含み、
前記第2の副画素は第2の色光を透過する第2の色フィルタを含み、
前記第3の副画素は第3の色光を透過する第3の色フィルタを含み、
前記第1の色フィルタと前記第2の色フィルタとによって、前記第1の副画素と前記第2の副画素とが前記第1の方向に互いに色分離がなされると共に、前記第3の副画素が前記第2の方向に色分離がなされ、
前記第3の色フィルタによって、前記第1の副画素および前記第2の副画素が前記第2の方向に色分離がなされる
上記(2)または(3)に記載の表示装置。
(5)
前記第1の部分と前記第2の部分は、互いに大きさが異なる
上記(2)ないし(4)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部に設けられている
上記(2)ないし(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(7)
前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部とは異なる位置に設けられている
上記(2)ないし(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
1画素内において、前記第2の部分を境界として、前記第3の副画素内に第1の画素領域と第2の画素領域とが形成され、
前記第1の画素領域の視野角特性と前記第2の画素領域の視野角特性とが異なる
上記(7)に記載の表示装置。
(9)
前記遮光部は、長方形状、楕円形状、または円形状である
上記(2)ないし(8)のいずれか1つに記載の表示装置。
(10)
前記第1の副画素は第1の色光を発する第1の発光素子を含み、
前記第2の副画素は第2の色光を発する第2の発光素子を含み、
前記第3の副画素は第3の色光を発する第3の発光素子を含み、
前記第3の発光素子は、1画素内において前記第2の部分が設けられた位置に対応する部分で分割されている
上記(2)ないし(9)のいずれか1つに記載の表示装置。
(11)
前記第2の方向において、前記第3の発光素子の幅と、前記遮光部の幅とが異なる
上記(10)に記載の表示装置。
(12)
前記第1の副画素から第1の色光が発せられ、
前記第2の副画素から第2の色光が発せられ、
前記第3の副画素から、前記第1の色光および前記第2の色光よりも波長の短い第3の色光が発せられ、
前記第2の方向において、前記第3の副画素の開口幅が、前記第1の副画素の開口幅および前記第2の副画素の開口幅よりも短い
上記(1)ないし(11)のいずれか1つに記載の表示装置。
(13)
前記各画素は、前記第1の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置された第4の副画素をさらに有し、
前記第3の副画素は、前記第2の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置されると共に、前記第4の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の副画素および前記第3の副画素との境界部分を含むように、前記第4の副画素の周囲に配置されている
上記(1)に記載の表示装置。
(14)
前記遮光部は、前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限すると共に、前記第4の副画素の前記第1の方向および前記第2の方向の視野角を制限する
上記(13)に記載の表示装置。
(15)
複数の画素が第1の方向および第2の方向に配列された表示装置を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
を有する電子機器。
1,1A,1B…表示装置、2,2A…画素、2R…第1の副画素、2G…第2の副画素、2B…第3の副画素、2W…第4の副画素、2B−1…第1の画素領域、2B−2…第2の画素領域、10R…第1の発光素子、10G…第2の発光素子、10B…第3の発光素子、11…第1の基板、12…平坦化絶縁膜、12A…接続孔、14…下部電極、15…電極間絶縁膜、16…有機層、16A…正孔注入層、16B…正孔輸送層、16C…発光層、16D…電子輸送層、16E…電子注入層、17…上部電極、21…第2の基板、23,23A…色フィルタ、23R…第1の色フィルタ、23G…第2の色フィルタ、23B…第3の色フィルタ、23W…第4の色フィルタ、24,24A…遮光部、24−1…第1の遮光部分、24−2…第2の遮光部分、24−3…第3の遮光部分、24−4…第4の遮光部分、25…色境界、30…中間層、31…保護膜、32…樹脂層、110…表示領域、120…信号線駆動回路、120A…信号線、130…走査線駆動回路、130A…走査線、140…画素駆動回路、Cs…保持容量、Id…駆動電流、Tr1…駆動トランジスタ、Tr2…書き込みトランジスタ、71…表示部、72…耳掛け部、211…カメラ本体部、212…撮影レンズユニット、213…グリップ部、214…モニタ、215…ビューファインダ、DG…ギャップ、LR…第1の色光、LG…第2の色光、LB…第3の色光、MC1…共振器構造。
Claims (15)
- 第1の方向および第2の方向に配列された複数の画素を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
を有する表示装置。 - 前記第3の副画素は、前記第1の副画素および前記第2の副画素の双方に対して前記第2の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の方向において、隣り合う画素の境界部分に設けられた第1の部分と、1画素内における前記第3の副画素内に設けられた第2の部分とを含む
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2の方向において、前記遮光部の幅は、前記第3の副画素の開口幅よりも短い
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1の副画素は第1の色光を透過する第1の色フィルタを含み、
前記第2の副画素は第2の色光を透過する第2の色フィルタを含み、
前記第3の副画素は第3の色光を透過する第3の色フィルタを含み、
前記第1の色フィルタと前記第2の色フィルタとによって、前記第1の副画素と前記第2の副画素とが前記第1の方向に互いに色分離がなされると共に、前記第3の副画素が前記第2の方向に色分離がなされ、
前記第3の色フィルタによって、前記第1の副画素および前記第2の副画素が前記第2の方向に色分離がなされる
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1の部分と前記第2の部分は、互いに大きさが異なる
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部に設けられている
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2の部分は、前記第1の方向において、前記第3の副画素内の中心部とは異なる位置に設けられている
請求項2に記載の表示装置。 - 1画素内において、前記第2の部分を境界として、前記第3の副画素内に第1の画素領域と第2の画素領域とが形成され、
前記第1の画素領域の視野角特性と前記第2の画素領域の視野角特性とが異なる
請求項7に記載の表示装置。 - 前記遮光部は、長方形状、楕円形状、または円形状である
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1の副画素は第1の色光を発する第1の発光素子を含み、
前記第2の副画素は第2の色光を発する第2の発光素子を含み、
前記第3の副画素は第3の色光を発する第3の発光素子を含み、
前記第3の発光素子は、1画素内において前記第2の部分が設けられた位置に対応する部分で分割されている
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2の方向において、前記第3の発光素子の幅と、前記遮光部の幅とが異なる
請求項10に記載の表示装置。 - 前記第1の副画素から第1の色光が発せられ、
前記第2の副画素から第2の色光が発せられ、
前記第3の副画素から、前記第1の色光および前記第2の色光よりも波長の短い第3の色光が発せられ、
前記第2の方向において、前記第3の副画素の開口幅が、前記第1の副画素の開口幅および前記第2の副画素の開口幅よりも短い
請求項1に記載の表示装置。 - 前記各画素は、前記第1の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置された第4の副画素をさらに有し、
前記第3の副画素は、前記第2の副画素に対して前記第2の方向に隣接配置されると共に、前記第4の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置され、
前記遮光部は、前記第1の副画素および前記第3の副画素との境界部分を含むように、前記第4の副画素の周囲に配置されている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記遮光部は、前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限すると共に、前記第4の副画素の前記第1の方向および前記第2の方向の視野角を制限する
請求項13に記載の表示装置。 - 複数の画素が第1の方向および第2の方向に配列された表示装置を備え、
前記各画素は、
第1の副画素と、
前記第1の副画素に対して前記第1の方向に隣接配置された第2の副画素と、
前記第1の副画素および前記第2の副画素の少なくとも一方に対して前記第2の方向に隣接配置された第3の副画素と、
前記第1の方向における前記第3の副画素の視野角を制限するように、前記第3の副画素の配置位置に対応して配置された遮光部と
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022009257A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2024252856A1 (ja) * | 2023-06-07 | 2024-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160381274A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Novatek Microelectronics Corp. | Image Sensing Module |
CN106941107B (zh) * | 2016-01-05 | 2019-09-27 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管管芯基板及其应用显示装置 |
US10256222B2 (en) * | 2016-01-05 | 2019-04-09 | Innolux Corporation | Light emitting diode substrate and display apparatus applying the same |
KR102568789B1 (ko) | 2016-03-10 | 2023-08-21 | 삼성전자주식회사 | 무기 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터 어레이, 상기 컬러 필터 어레이를 포함하는 이미지 센서 및 디스플레이 장치 |
TWI584463B (zh) * | 2016-05-20 | 2017-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構以及顯示方法 |
KR102600694B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2023-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 발광 영역을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102512900B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2023-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI827639B (zh) * | 2018-08-09 | 2024-01-01 | 美商凱特伊夫公司 | 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法 |
US10937836B2 (en) * | 2018-09-13 | 2021-03-02 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Pixel arrangement structure and display device |
JP7281895B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2023-05-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
KR102679757B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2024-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
KR20200106589A (ko) | 2019-03-04 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
CN110136625A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN110473900B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-08-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110518052B (zh) * | 2019-08-29 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110896097B (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-13 | 清华大学 | 一种全色有机电致发光装置 |
US11557635B2 (en) * | 2019-12-10 | 2023-01-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, mask assembly, and apparatus for manufacturing the display device |
US11665949B2 (en) | 2020-01-21 | 2023-05-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
JP7512669B2 (ja) * | 2020-05-12 | 2024-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP2021179492A (ja) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
CN112102727B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-08-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
JP2022171000A (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR20230035992A (ko) * | 2021-09-06 | 2023-03-14 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법 |
CN113889519B (zh) * | 2021-09-29 | 2025-03-11 | 成都京东方光电科技有限公司 | 像素排布结构及其制作方法、掩膜版组件和显示装置 |
US20230269967A1 (en) * | 2022-02-22 | 2023-08-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
WO2024053902A1 (ko) * | 2022-09-08 | 2024-03-14 | 삼성전자주식회사 | 광 제어 물질을 포함하는 디스플레이 패널 및 전자 장치 |
KR20240104547A (ko) * | 2022-12-28 | 2024-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610702B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1994-02-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | カラー液晶表示装置およびその製造方法 |
US5414547A (en) * | 1991-11-29 | 1995-05-09 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method therefor |
US6100858A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-08 | Infineon Technologies North America Corp. | Alphanumeric display with 21-dot matrix format |
US7119870B1 (en) * | 1998-11-27 | 2006-10-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular drain lines and orientation control window |
KR100878280B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판 |
KR100973810B1 (ko) * | 2003-08-11 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 4색 액정 표시 장치 |
JP2005183352A (ja) * | 2003-11-24 | 2005-07-07 | Toyota Industries Corp | 照明装置 |
US7480022B2 (en) * | 2003-12-10 | 2009-01-20 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device, method of manufacturing liquid crystal display device, and electronic apparatus |
GB2410600A (en) | 2004-01-30 | 2005-08-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode display device |
JP4584614B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-11-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2006234849A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及び該液晶表示装置に用いられる駆動方法 |
JP4717533B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-07-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
KR20070111610A (ko) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2008225179A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
TWI359626B (en) * | 2007-03-22 | 2012-03-01 | Au Optronics Corp | Electro-luminescence display |
KR20080111939A (ko) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP5262180B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP5339270B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および電子機器 |
JP5173493B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP2009300748A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置および液晶表示装置 |
KR101290013B1 (ko) * | 2008-10-07 | 2013-07-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중 뷰 영상표시장치 |
JP2010169704A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Casio Computer Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP4877363B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2012-02-15 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
JP5501030B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-05-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル及び電子機器 |
JP5650918B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
KR20110129531A (ko) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 화소배열구조 |
JP5459142B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2014-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
KR101257734B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2013-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
JP5766422B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2015-08-19 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5694026B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-04-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101339000B1 (ko) * | 2011-12-14 | 2013-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
KR101904467B1 (ko) * | 2012-07-25 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20140082480A (ko) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 나안용 입체 표시 장치 |
KR102096051B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP2016054227A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置、並びに電子機器 |
JP2016085365A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2016139070A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022009257A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2024252856A1 (ja) * | 2023-06-07 | 2024-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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---|---|---|
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