JP2017147059A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】広い視野角で品位の高い表示が得られる電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上のサブ画素１８Ｂに形成された有機ＥＬ素子３０Ｂと、基材１１上のサブ画素１８Ｂと隣り合うサブ画素１８Ｇに形成された有機ＥＬ素子３０Ｇと、有機ＥＬ素子３０Ｂと有機ＥＬ素子３０Ｇとを覆って形成された封止部３４と、封止部３４上の前記サブ画素１８Ｂに形成された着色層３６Ｂと、封止部３４上のサブ画素１８Ｇに形成された着色層３６Ｇと、封止部３４上のサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間に形成された光透過性を有する凸部３５とを備え、凸部３５の上面部３５ａにおいて、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なり合うように配置されていることを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、有機エレクトロルミセッセンス（ＥＬ）素子を備えた電気光学装置及び電子機器に関する。

発光素子としての有機ＥＬ素子は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に比べて小型化、薄型化が可能であることから、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファインダー（ＥＶＦ）等のマイクロディスプレイへの応用が注目されている。このようなマイクロディスプレイにおいてカラー表示を実現する手段として、白色発光が得られる有機ＥＬ素子とカラーフィルターとを組み合わせる構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の電気光学装置（有機ＥＬ装置）では、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子を覆って封止部が形成され、封止部上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層で構成されたカラーフィルターがフォトリソグラフィー法を用いて形成される。カラーフィルターを構成する各着色層は、光透過性を有する凸部で区分されている。

特開２０１４−０８９８０４号公報

このような有機ＥＬ装置では、赤、緑、青の各色のサブ画素において有機ＥＬ素子が発した光が各色の波長に対応する着色層を透過することで各色光の色純度が高められ、品位の高い表示が得られる。しかしながら、隣り合うサブ画素同士の一方のサブ画素の有機ＥＬ素子が発した斜め光がサブ画素同士の間を透過して斜め方向から視認されると、隣り合うサブ画素間で混色が生じてしまうおそれがある。そうすると、赤、緑、青のサブ画素を表示単位とするカラー表示を本来意図する色範囲で視認できる視野角が狭くなるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上の第１の画素に形成された第１の有機ＥＬ素子と、前記基板上の前記第１の画素と隣り合う第２の画素に形成された第２の有機ＥＬ素子と、前記第１の有機ＥＬ素子と前記第２の有機ＥＬ素子とを覆って形成された封止部と、前記封止部上の前記第１の画素に形成された第１の着色層と、前記封止部上の前記第２の画素に形成された第２の着色層と、前記封止部上の前記第１の画素と前記第２の画素との間に形成された光透過性を有する凸部と、を備え、前記凸部の上面部において、前記第１の着色層と前記第２の着色層とが重なり合うように配置されていることを特徴とする。

本適用例の電気光学装置の構成によれば、第１の着色層が形成された第１の画素と第２の着色層が形成された第２の画素との間に光透過性を有する凸部が形成され、凸部の上面部において第１の着色層と第２の着色層とが重なり合うように配置されている。そのため、例えば、第１の画素において第１の有機ＥＬ素子から第２の画素との間に射出された斜め光は、凸部を透過した後第１の着色層と第２の着色層との双方を透過する。したがって、第１の着色層のみを透過する場合と比べて、第１の有機ＥＬ素子から射出され第１の画素と第２の画素との間へ射出された斜め光の透過量が抑えられる。これにより、第１の画素と第２の画素との間の混色が起きにくくなるので、より広い視野角で品位の高いカラー表示が得られる電気光学装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１の有機ＥＬ素子から前記封止部側に射出される光は、第１の波長範囲の光であり、前記第２の有機ＥＬ素子から前記封止部側に射出される光は、前記第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の光であり、前記第１の着色層は、前記第１の波長範囲の光に対して７５％以上の透過率を有するとともに、前記第１の波長範囲よりも前記第２の波長範囲側の所定の波長の光に対して２５％以下の透過率を有し、前記第２の着色層は、前記第２の波長範囲の光に対して７５％以上の透過率を有するとともに、前記第２の波長範囲よりも前記第１の波長範囲側の所定の波長の光に対して２５％以下の透過率を有することが好ましい。

本適用例の構成によれば、第１の画素に配置された第１の着色層は、第１の有機ＥＬ素子の封止部側から射出される第１の波長範囲の光を７５％以上透過させるが、第１の波長範囲よりも第２の波長範囲側の所定の波長の光は２５％までしか透過させない。また、第２の画素に配置された第２の着色層は、第２の有機ＥＬ素子の封止部側から射出される第２の波長範囲の光を７５％以上透過させるが、第２の波長範囲よりも第１の波長範囲側の所定の波長の光は２５％までしか透過させない。そのため、第１の画素と第２の画素とのそれぞれから射出される光の色純度が高められる。また、第１の有機ＥＬ素子から射出され第１の画素と第２の画素との間へ射出された斜め光の透過量が第２の着色層により抑えられるとともに、第２の有機ＥＬ素子から射出され第１の画素と第２の画素との間へ射出された斜め光の透過量が第１の着色層により抑えられるので、第１の画素と第２の画素との間の混色が抑えられる。これにより、広い色範囲と広い視野角を有し品位の高いカラー表示が得られる電気光学装置を提供することができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記凸部の上面部において前記第１の着色層と前記第２の着色層とが重なりあう部分の幅は、前記凸部の下面部の幅の１５％以上かつ７５％以下であることが好ましい。

本適用例の構成によれば、凸部の下面部の幅に対して第１の着色層と第２の着色層とが重なりあう部分の幅が１５％以上であるので、第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子とから第１の画素と第２の画素との間へ射出された斜め光のそれぞれが、第１の着色層と第２の着色層との双方を透過し易くなる。また、凸部の下面部の幅に対して第１の着色層と第２の着色層とが重なりあう部分の幅が７５％以下であるので、第１の着色層と第２の着色層とが隣の画素側へはみ出してしまうことを抑止できる。

［適用例４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本適用例の構成によれば、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 図４Ａのカラーフィルターを拡大して示す概略断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の視野角特性を説明する図。 第１の実施形態に係るカラーフィルターの分光特性を示す表。 カラーフィルターの分光特性の一例を示す図。 カラーフィルターの分光特性の一例を示す図。 カラーフィルターの分光特性の一例を示す図。 実施例の視野角特性を示す図。 実施例の視野角特性を示す図。 第２の実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。 比較例に係る有機ＥＬ装置の視野角特性を説明する図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。

（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての有機ＥＬ装置について、図１から図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、サブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、後述するヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板４０とを有している。両基板は、充填剤４２（図４Ａ参照）を介して対向配置され接着されている。

素子基板１０は、表示領域Ｅと、表示領域Ｅを囲む非表示領域Ｆとを有している。表示領域Ｅには、青色（Ｂ）光が発せられる第１の画素としてのサブ画素１８Ｂと、緑色（Ｇ）光が発せられる第２の画素としてのサブ画素１８Ｇと、赤色（Ｒ）光が発せられるサブ画素１８Ｒとが、例えばマトリックス状に配列されている。有機ＥＬ装置１００では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒを含む画素１９が表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。

なお、以降の説明では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを総称して、サブ画素１８と称する場合がある。表示領域Ｅは、サブ画素１８から発せられる光が透過し、表示に寄与する領域である。非表示領域Ｆは、サブ画素１８から発せられる光が透過せず、表示に寄与しない領域である。

素子基板１０は、保護基板４０よりも大きく、保護基板４０からはみ出した素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１６が設けられている。

保護基板４０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。保護基板４０は、光透過性の基板であり、例えば石英基板やガラス基板等を使用することができる。保護基板４０は、表示領域Ｅにおいて、サブ画素１８に配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が損傷しないように保護する役割を有し、少なくとも表示領域Ｅに対向するように配置される。本実施形態の有機ＥＬ装置１００には、サブ画素１８から発する光を保護基板４０側から取り出す、トップエミッション方式が採用されている。

以降の説明では、外部接続用端子１０３が配列された上記第１辺に沿った方向をＸ方向とし、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から保護基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って保護基板４０側から見ることを「平面視」と言う。

本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、同色の発光が得られるサブ画素１８が列方向（Ｙ方向）に配列され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が行方向（Ｘ方向）に配列される、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置が採用されている。サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０とカラーフィルター３６（図３または図４Ａ参照）とを有している。有機ＥＬ素子３０及びカラーフィルター３６の詳しい構成については後述する。

なお、図１では、表示領域Ｅにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置を示しているが、行方向（Ｘ方向）におけるサブ画素１８の配置は、Ｂ、Ｇ、Ｒの順であることに限定されない。例えば、Ｇ、Ｂ、Ｒの順であってもよい。また、サブ画素１８の配置は、ストライプ方式であることに限定されず、デルタ方式や、ベイヤー方式、Ｓストライプ方式であってもよく、加えて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの形状や大きさは同じであることに限定されない。

［電気光学装置の電気的な構成］
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する走査線１２及びデータ線１３と、電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に電気的に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に電気的に接続されている。また、走査線１２とデータ線１３とで区画された領域にサブ画素１８が設けられている。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。以降、サブ画素１８Ｂに配置された有機ＥＬ素子３０を第１の有機ＥＬ素子としての有機ＥＬ素子３０Ｂと呼び、サブ画素１８Ｇに配置された有機ＥＬ素子３０を第２の有機ＥＬ素子としての有機ＥＬ素子３０Ｇと呼び、サブ画素１８Ｒに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｒと呼ぶ。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を注入する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を注入する陰極として機能する。発光機能層３２では、注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。本実施形態では、発光機能層３２から白色発光が得られるように、発光機能層３２が構成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３と、を含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースは、データ線１３に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のドレインは、駆動用トランジスター２３のゲートに電気的に接続されている。

駆動用トランジスター２３のドレインは、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースは、電源線１４に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が電気的に接続されている。

走査線駆動回路１６から供給される制御信号により走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン（ＯＮ）状態になると、データ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン（ＯＮ）状態になると、駆動用トランジスター２３を介して、電源線１４から有機ＥＬ素子３０にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

なお、画素回路２０の構成は、２つのトランジスター２１，２３を有することに限定されず、例えば、有機ＥＬ素子３０に流れる電流を制御するためのトランジスターをさらに備えていてもよい。

［画素電極及びカラーフィルターの配置］
次に、図３を参照して、サブ画素１８における有機ＥＬ素子３０の画素電極３１及びカラーフィルター３６の配置について説明する。

図３に示すように、Ｘ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８には、それぞれ有機ＥＬ素子３０の画素電極３１が配置されている。具体的には、サブ画素１８Ｂには有機ＥＬ素子３０Ｂの画素電極３１Ｂが配置され、サブ画素１８Ｇには有機ＥＬ素子３０Ｇの画素電極３１Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒには有機ＥＬ素子３０Ｒの画素電極３１Ｒが配置されている。画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）のそれぞれは、平面視で略矩形状であり、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。

有機ＥＬ装置１００では、Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向における画素１９の配置ピッチは、例えば、１０μｍ以下である。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８には、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に、平面視で略矩形状の開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが形成されている。開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲ内において、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。なお、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲの形状は略矩形状であることに限定されず、例えば短辺側が円弧状であるトラック状でもよい。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒには、カラーフィルター３６が配置されている。カラーフィルター３６は、第１の着色層としての青色（Ｂ）の着色層３６Ｂと、第２の着色層としての緑色（Ｇ）の着色層３６Ｇと、赤色（Ｒ）の着色層３６Ｒとで構成されている。具体的には、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂに対して着色層３６Ｂが配置され、複数のサブ画素１８Ｇに対して着色層３６Ｇが配置され、複数のサブ画素１８Ｒに対して着色層３６Ｒが配置されている。

つまり、着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｂ（開口部２８ＫＢ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｇ（開口部２８ＫＧ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。同じく、着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｒ（開口部２８ＫＲ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。

本実施形態では、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間では、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なり合うように配置されている。Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの間では、着色層３６Ｇと着色層３６Ｒとが重なり合うように配置されている。また、図示しないが、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの間では、着色層３６Ｒと着色層３６Ｂとが重なり合うように配置されている。

［サブ画素の構造］
次に、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、有機ＥＬ装置１００におけるサブ画素１８の構造について説明する。図４Ａは、図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。図４Ｂは、図４Ａのカラーフィルターを拡大して示す概略断面図である。

図４Ａに示すように、有機ＥＬ装置１００は、充填剤４２を介して対向配置された素子基板１０と保護基板４０とを有している。充填剤４２は、素子基板１０と保護基板４０とを接着する役割を有し、光透過性を有する例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂等で構成されている。

素子基板１０は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上において、Ｚ方向に順に積層された反射層２５と、透光層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止部３４と、カラーフィルター３６とを備えている。

基材１１は、例えばシリコン等の半導体基板である。基材１１には、前述した、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、画素回路２０（スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３）等が、公知技術を用いて形成されている（図２参照）。図４Ａでは、これらの配線や回路構成の図示を省略している。

なお、基材１１は、シリコン等の半導体基板に限定されず、例えば石英やガラス等の基板であってもよい。換言すれば、画素回路２０を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、石英やガラス等の基板に形成された薄膜トランジスターや電界効果トランジスターであってもよい。

反射層２５は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って配置され、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒから発した光を反射させるものである。反射層２５の形成材料としては、高い反射率を実現可能な例えばアルミニウムや銀等を用いることが好ましい。

反射層２５上には、透光層２６が設けられている。透光層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃで構成されている。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５上においてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａに積層され、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに跨って配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂに積層され、サブ画素１８Ｒに配置されている。

すなわち、サブ画素１８Ｂの透光層２６は第１絶縁膜２６ａで構成され、サブ画素１８Ｇの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成され、サブ画素１８Ｒの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成されている。したがって、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

透光層２６上には、有機ＥＬ素子３０が設けられている。有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを含む。画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜で構成され、サブ画素１８ごとに島状に形成されている。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの周縁部を覆うように絶縁膜２８が配置されている。上述したように、絶縁膜２８には、画素電極３１Ｂ上に開口部２８ＫＢが形成され、画素電極３１Ｇ上に開口部２８ＫＧが形成され、画素電極３１Ｒ上に開口部２８ＫＲが形成されている。絶縁膜２８は、例えば酸化シリコン等からなる。

開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが設けられた部分では、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが設けられた領域が、発光機能層３２が発光する発光領域となる。絶縁膜２８が設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。つまり、絶縁膜２８が設けられた領域が、発光機能層３２の発光が抑制された領域となる。

発光機能層３２は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って表示領域Ｅ（図１参照）の全域を覆うように配置されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層等を有している。有機発光層は、青色から赤色までの波長範囲の光を発する。有機発光層は、単層で構成されていてもよいし、例えば、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含んだり、青色発光層と、赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）の波長範囲を含む発光が得られる黄色発光層とを含んだりする複数層で構成されていてもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２を覆うように配置されている。対向電極３３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように、例えばマグネシウムと銀との合金等で構成され、その膜厚が制御されている。

対向電極３３を覆う封止部３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成されている。第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材料としては、水分や酸素等を通し難い、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム等が挙げられる。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法等が挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱等のダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラック等が生じ難く、且つ透光性が得られるように、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度となっている。

平坦化層３４ｂは、透光性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコン等）を用いて形成してもよい。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。

平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの成膜時における欠陥（ピンホール、クラック）や異物等を被覆し、略平坦な面を形成する。第１封止層３４ａの表面は、膜厚が異なる透光層２６の影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、例えば１μｍ〜５μｍ程度の膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止部３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。

封止部３４上には、隣り合うサブ画素１８同士の間に光透過性の凸部３５が設けられている。凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法で形成されている。凸部３５は、上に形成されるカラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止部３４上においてＹ方向に延在しストライプ状（スジ状）に配置されている。凸部３５の保護基板４０側（＋Ｚ方向側）には上面部３５ａが形成されており、凸部３５の封止部３４側（−Ｚ方向側）には下面部３５ｂが形成されている（図４Ｂ参照）。凸部３５の断面形状は、例えば台形状であるが、矩形状等、他の形状であってもよい。

なお、凸部３５は、ストライプ状に配置されることに限定されず、例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。凸部３５の高さは、後述する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの平均膜厚よりも低い（小さい）ことが好ましい。

カラーフィルター３６は、封止部３４上に形成されている。カラーフィルター３６は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色材料を含む感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法等で形成された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒで構成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成されている。

各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、封止部３４上において、隣り合う凸部３５同士の間を埋めると共に、凸部３５上の少なくとも一部を覆うように形成されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのうち、隣り合う着色層同士は、その一部が互いに重なるように形成されている。

例えば、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｂは、凸部３５の側壁に接すると共に、その一方の縁部が凸部３５の上面部３５ａを覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。同様に、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｒは、凸部３５の側壁に接すると共に、その縁部が凸部３５の上面部３５ａを覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。

図示を省略するが、凸部３５及び着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの形成方法を簡単に説明する。凸部３５の形成方法としては、封止部３４上に着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、封止部３４上に凸部３５が形成される。

続いて、凸部３５が形成された封止部３４上に、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒも、凸部３５と同様に、各色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いて露光・現像することにより形成する。本実施形態では、着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒの順で形成する。

その結果、サブ画素１８Ｇに形成された着色層３６Ｇの−Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｂとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａの少なくとも一部を覆い、着色層３６Ｇの＋Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｒとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａの少なくとも一部を覆う。サブ画素１８Ｂに形成された着色層３６Ｂの−Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｒとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａの少なくとも一部を覆い、着色層３６Ｂの＋Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｇとの間に位置する凸部３５上で着色層３６Ｇの縁部を覆う。サブ画素１８Ｒに配置された着色層３６Ｒの−Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｇとの間に位置する凸部３５上で着色層３６Ｇの縁部を覆い、着色層３６Ｒの＋Ｘ方向側の縁部はサブ画素１８Ｂとの間に位置する凸部３５上で着色層３６Ｂの縁部を覆う。

換言すれば、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａにおいて、着色層３６Ｇの縁部と着色層３６Ｂの縁部とが重なり合うように配置される。サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａにおいて、着色層３６Ｇの縁部と着色層３６Ｒの縁部とが重なり合うように配置される。そして、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの間に位置する凸部３５の上面部３５ａにおいて、着色層３６Ｂの縁部と着色層３６Ｒの縁部とが重なり合うように配置される。

なお、着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒの両側の縁部は凸部３５の上面部３５ａを乗り越えないこと、すなわち、平面視で着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒの両側の縁部が凸部３５の上面部３５ａから隣り合うサブ画素側へはみ出さないことが好ましい。

図４Ｂには、サブ画素１８Ｇとその両側に配置されたサブ画素１８Ｂ，１８Ｒの一部を含む部分におけるカラーフィルター３６の断面を示している。凸部３５の下面部３５ｂの幅（Ｘ方向における長さ）をＷ１とし、凸部３５の上面部３５ａにおいて隣り合う着色層同士が重なり合っている部分の幅（Ｘ方向における長さ）をＷ２とする。着色層同士が重なり合っている部分の幅Ｗ２は、凸部３５の下面部３５ｂの幅Ｗ１の１５％以上かつ７５％以下であることが好ましい。この理由については後述する。

［光共振構造］
次に、図４Ａに戻って、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が有する光共振構造を説明する。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間に光共振構造を有している。有機ＥＬ装置１００において、発光機能層３２が発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として保護基板４０からＺ方向に射出される。

本実施形態において、透光層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する役割を有している。上述した通り、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。その結果、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

なお、光学的な距離は、反射層２５と対向電極３３との間に存在する各層の屈折率と膜厚との積の合計で表すことができる。透光層２６の代わりに、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）の膜厚を互いに異ならせることで、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する構成としてもよい。

サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が第１の波長範囲である４６５ｎｍ〜４７５ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、ピーク波長が第２の波長範囲である５２０ｎｍ〜５５０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。赤色（Ｒ）光が発せられるサブ画素１８Ｒでは、ピーク波長が６１０ｎｍ〜６５０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４６５ｎｍ〜４７５ｎｍをピーク波長範囲とする青色光（Ｂ）が発せられ、サブ画素１８Ｇから５２０ｎｍ〜５５０ｎｍをピーク波長範囲とする緑色光（Ｇ）が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍ〜６５０ｎｍをピーク波長範囲とする赤色光（Ｒ）が発せられる。

換言すれば、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、サブ画素１８Ｂでは発光機能層３２が発する白色光から青色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｇでは発光機能層３２が発する白色光から緑色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｒでは発光機能層３２が発する白色光から赤色の光成分を取り出している。

上記のように有機ＥＬ素子３０が共振構造を有する場合、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は、対向電極３３から封止部３４側に射出される光であり、発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。

このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおいて、封止部３４上にカラーフィルター３６が配置されている。カラーフィルター３６の着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒは、光共振構造により各サブ画素１８から取り出されたピーク波長範囲の光を透過させることで、保護基板４０側へ射出される青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各色光の色純度を高める機能を有する。

また、サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂから発せられた光は青色の着色層３６Ｂを透過し、緑色の着色層３６Ｇ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光される。同様にサブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから発せられた光は緑色の着色層３６Ｇを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光される。サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒから発せられた光は赤色の着色層３６Ｒを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び緑色の着色層３６Ｇにて遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター３６の各着色層の位置により、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。

［視野角特性］
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００における視野角特性について、比較例を上げて説明する。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の視野角特性を説明する図である。また、図１２は、比較例に係る有機ＥＬ装置の視野角特性を説明する図である。

図１２に示す比較例に係る有機ＥＬ装置２００は、光共振構造を有し、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対してカラーフィルター３７の構成が異なる点以外は同様の構成を有している。比較例に係るカラーフィルター３７は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応する着色層３７Ｂ，３７Ｇ，３７Ｒで構成されている。隣り合うサブ画素１８同士の間では、隣り合う着色層同士が凸部３５の上面部３５ａで互いに接するように形成されている。

ここでは、サブ画素１８Ｇを例に取り説明する。サブ画素１８Ｇにおいて有機ＥＬ素子３０Ｇから法線方向（Ｚ方向）に発せられた光Ｌ１は、着色層３７Ｇを透過して保護基板４０（図４Ａ参照）側へ射出される。有機ＥＬ素子３０Ｇから法線方向に対して隣のサブ画素１８Ｂ側，１８Ｒ側に傾いて斜め方向に発せられた斜め光Ｌ２は、凸部３５と着色層３７Ｇとを透過して保護基板４０側へ射出される。有機ＥＬ素子３０Ｇから法線方向に対して隣のサブ画素１８Ｂ側，１８Ｒ側にさらに傾いて斜め方向に発せられた斜め光Ｌ３は、凸部３５と着色層３７Ｂまたは着色層３７Ｒとを透過して保護基板４０側へ射出される。

光共振構造を有する有機ＥＬ装置２００において、サブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから斜め方向に発せられる斜め光Ｌ２は、法線方向に発せられる光Ｌ１に対して光学的な距離が大きくなるので、本来意図したピーク波長よりも短波長側（青色光側）にシフトする。そのため、斜め光Ｌ２は、光Ｌ１と同様に着色層３７Ｇを透過しても光Ｌ１とは異なる色となり、保護基板４０側へ射出される緑色光の色純度が低下する。

また、有機ＥＬ素子３０Ｇから斜め光Ｌ２よりもさらに傾いて斜め方向に発せられる斜め光Ｌ３は、光Ｌ１に対して光学的な距離がより大きくなるので、本来意図したピーク波長よりもさらに短波長側（青色光側）にシフトする。そのため、有機ＥＬ素子３０Ｇからサブ画素１８Ｒ側へ発せられる斜め光Ｌ３は、光Ｌ１や斜め光Ｌ２と比べて着色層３７Ｂを透過する割合が多くなり、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの間で混色が発生する。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｒについても、サブ画素１８Ｇと同様に、斜め光Ｌ２，Ｌ３が透過することで保護基板４０側へ射出される光の色純度が低下し、隣り合うサブ画素１８との間で混色が発生する。このように、斜め光Ｌ２，Ｌ３がサブ画素１８同士の間を透過して斜め方向から視認され色純度の低下や混色が発生すると、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒで構成される画素１９を表示単位とするフルカラー表示を本来意図した色範囲で視認できる視野角が狭くなるという課題がある。

図５に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、隣り合う画素１８同士の間に位置する凸部３５の上面部３５ａにおいて隣り合う着色層同士が重なり合うように配置されている。したがって、有機ＥＬ素子３０Ｇから法線方向に対して隣のサブ画素１８Ｂ側，１８Ｒ側に傾いて発せられた斜め光Ｌ２は、凸部３５と着色層３６Ｇとに加えて、着色層３６Ｂまたは着色層３６Ｒを透過する。そのため、比較例に係る有機ＥＬ装置２００と比べて、着色層３６Ｂまたは着色層３６Ｒにより斜め光Ｌ２の透過量が少なく抑えられる。

また、有機ＥＬ素子３０Ｇから法線方向に対して隣のサブ画素１８Ｂ側，１８Ｒ側にさらに傾いて発せられた斜め光Ｌ３も、凸部３５と着色層３６Ｇとに加えて、着色層３６Ｂまたは着色層３６Ｒを透過する。そのため、比較例に係る有機ＥＬ装置２００と比べて、斜め光Ｌ３の透過量も少なく抑えられる。これらの結果、各サブ画素１８から射出される光の色純度が高められるとともに、サブ画素１８同士の間の混色が抑えられるので、画素１９を表示単位とするフルカラー表示が本来意図した色範囲で視認できる視野角をより広くすることができる。

ここで、凸部３５の上面部３５ａにおいて隣り合う２つの着色層同士が重なりあう部分の幅が小さいと、隣り合う画素１８同士の間を透過する斜め光Ｌ２，Ｌ３が一方の着色層のみを透過する可能性が高くなるため、斜め光Ｌ２，Ｌ３の透過量を少なく抑える効果が得にくくなる。一方、着色層の縁部が凸部３５の上面部３５ａを乗り越えて隣のサブ画素１８の領域に入り込んでしまうと、隣のサブ画素１８から発せられる本来意図したピーク波長の光の透過量が少なくなる。したがって、図４Ｂに示すように、凸部３５の上面部３５ａにおいて隣り合う着色層同士が重なり合っている部分の幅Ｗ２は、凸部３５の下面部３５ｂの幅Ｗ１の１５％以上かつ７５％以下であることが好ましい。

［カラーフィルターの分光特性］
次に、第１の実施形態に係るカラーフィルターの分光特性を説明する。本実施形態の構成において、各サブ画素１８から射出される色光の色純度の向上効果と、サブ画素１８同士の間の混色の低減効果とを高めるためには、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが各サブ画素１８から発せられる色光に対して所定の透過特性と所定のカットオフ特性とを有していることが望ましい。

図６は、第１の実施形態に係るカラーフィルターの分光特性を示す表である。図６には、光共振構造における各サブ画素１８のピーク波長範囲と、カラーフィルター３６（着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒ）の特定の波長範囲に対する透過特性及びカットオフ特性を示している。上述したように、本実施形態では、光共振構造における各サブ画素１８のピーク波長範囲を、サブ画素１８Ｂに対して４６５ｎｍ〜４７５ｎｍ、サブ画素１８Ｇに対して５２０ｎｍ〜５５０ｎｍ、サブ画素１８Ｒに対して６１０ｎｍ〜６５０ｎｍと設定している。

図６に示すように、サブ画素１８Ｂに配置される着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂから発せられる光のピーク波長範囲である４６５ｎｍ〜４７５ｎｍの波長の光に対して７５％以上の透過率を有するものとする。そして、着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂから発せられる光のピーク波長範囲よりも長波長側（緑色光側）の所定の波長として、５２０ｎｍ以上の波長の光に対して２５％以下の透過率を有するものとする。

サブ画素１８Ｇに配置される着色層３６Ｇは、サブ画素１８Ｇから発せられる光のピーク波長範囲である５２０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長の光に対して７５％以上の透過率を有するものとする。そして、着色層３６Ｇは、サブ画素１８Ｇから発せられる光のピーク波長範囲よりも短波長側（青色光側）の所定の波長として４７０ｎｍ以下の波長の光、及び、ピーク波長範囲よりも長波長側（赤色光側）の所定の波長として６１０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光に対して２５％以下の透過率を有するものとする。

サブ画素１８Ｒに配置される着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒから発せられる光のピーク波長範囲である６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長の光に対して７５％以上の透過率を有するものとする。そして、着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒから発せられる光のピーク波長範囲よりも短波長側（緑色光側）の所定の波長として４１０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長の光に対して２５％以下の透過率を有するものとする。

また、隣り合う着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｇのそれぞれの透過率の交点が４７５ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲にあり、その交点となる波長の光に対して７５％以下の透過率を有することが好ましい。そして、隣り合う着色層３６Ｇ及び着色層３６Ｒのそれぞれの透過率の交点が５７５ｎｍ〜６００ｎｍの波長範囲にあり、その交点となる波長の光に対して７５％以下の透過率を有することが好ましい。

図７、図８、及び図９を参照して、カラーフィルター３６の分光特性についてさらに説明する。図７、図８、及び図９は、カラーフィルターの分光特性の一例を示す図である。詳しくは、図７は、青色着色層の分光特性の一例を説明するグラフである。図８は、緑色着色層の分光特性の一例を説明するグラフである。図９は、赤色着色層の分光特性の一例を説明するグラフである。

図７、図８、及び図９のそれぞれには、カラーフィルター３６の一例として、サブ画素１８Ｂに配置される着色層３６Ｂの分光特性のグラフを実線で示し、サブ画素１８Ｇに配置される着色層３６Ｇの分光特性のグラフを破線で示し、サブ画素１８Ｒに配置される着色層３６Ｒの分光特性のグラフを１点鎖線で示している。また、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれから発せられる光のピーク波長範囲にドットを付している。

図７に実線で示すように、着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂから発せられるピーク波長範囲が４６５ｎｍ〜４７５ｎｍの青色光に対して７５％以上の透過率を有しているので、このピーク波長範囲の青色光の透過量を多くできる。一方、図７に左下向きの斜線を付して示すように、着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｇから発せられるピーク波長範囲５２０ｎｍ〜５５０ｎｍと、サブ画素１８Ｒから発せられるピーク波長範囲６１０ｎｍ〜６５０ｎｍとを含む５２０ｎｍ以上の波長の光に対して２５％以下の透過率を有しているので、緑色光及び赤色光を含む青色光以外の波長の光の透過量を少なくできる。

これにより、サブ画素１８Ｂから着色層３６Ｂを透過して保護基板４０側へ射出される青色光（光Ｌ１）の色純度が高められる。そして、隣に位置するサブ画素１８Ｒから発せられる赤色光のピーク波長から短波長側にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３を、着色層３６Ｂで効果的に遮光できる（透過量を少なくできる）。

また、図７に右下向きの斜線を付して示すように、着色層３６Ｂの透過率と隣に位置する着色層３６Ｇの透過率との交点が、青色光と緑色光との間の４７５ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲にあり、その交点における透過率が７５％以下である。したがって、隣に位置するサブ画素１８Ｇから発せられる緑色光のピーク波長から短波長側（青色光側）にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３を着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとで効果的に遮光できる（透過量を少なくできる）。

図８に破線で示すように、着色層３６Ｇは、サブ画素１８Ｇから発せられるピーク波長範囲が５２０ｎｍ〜５５０ｎｍの緑色光に対して７５％以上の透過率を有しているので、このピーク波長範囲の緑色光の透過量を多くできる。一方、左下向きの斜線を付して示すように、着色層３６Ｇは、４７０ｎｍ以下の波長の光と６１０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲の光に対して２５％以下の透過率を有しているので、緑色光以外の波長の光の透過量を少なくできる。

これにより、サブ画素１８Ｇから着色層３６Ｇを透過して射出される緑色光（光Ｌ１）の色純度が高められる。そして、隣に位置するサブ画素１８Ｂから発せられる青色光のピーク波長から短波長側にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３を、着色層３６Ｇで効果的に遮光できる（透過量を少なくできる）。

また、図８に右下向きの斜線を付して示すように、着色層３６Ｇの透過率と隣に位置する着色層３６Ｒの透過率との交点が、緑色光と赤色光との間の５７５ｎｍ〜６００ｎｍの波長範囲にあり、その交点における透過率が７５％以下である。したがって、サブ画素１８Ｒから発せられる赤色光のピーク波長から短波長側（緑色光側）にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３を着色層３６Ｇと着色層３６Ｒとで効果的に遮光できる（透過量を少なくできる）。

図９に１点鎖線で示すように、着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒから発せられるピーク波長範囲が６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの赤色光に対して７５％以上の透過率を有しているので、このピーク波長範囲の赤色光の透過量を多くできる。一方、左下向きの斜線を付して示すように、着色層３６Ｒは、４１０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲の光に対して２５％以下の透過率を有しているので、赤色光以外の波長の光の透過量を少なくできる。

これにより、サブ画素１８Ｒから着色層３６Ｒを透過して射出される赤色光（光Ｌ１）の色純度が高められる。そして、隣に位置するサブ画素１８Ｇから発せられる緑色光のピーク波長から短波長側にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３、及び、隣に位置するサブ画素１８Ｂから発せられる青色光のピーク波長から短波長側にシフトした斜め光Ｌ２，Ｌ３を、着色層３６Ｒで効果的に遮光できる（透過量を少なくできる）。

なお、反射層２５と対向電極３３との間に形成される構成要素のサブ画素１８の境界部における平面的な配置や膜厚等によっては、斜め光Ｌ１，Ｌ２が本来意図したピーク波長よりも長波長側へシフトする場合もあり得る。このような場合でも、第１の実施形態に係るカラーフィルター３６の分光特性によれば、長波長側へシフトした斜め光Ｌ１，Ｌ２を、隣り合う２層の着色層で効果的に遮光することができる。

続いて、有機ＥＬ装置１００の視野角特性について、上述した分光特性を有するカラーフィルター３６を備えた実施例と、上述した分光特性を満たさない比較例とを比較して説明する。図１０Ａ及び図１０Ｂは、実施例の視野角特性を示す図である。詳しくは、図１０Ａは、相対輝度に係る視野角特性を実施例と比較例とで比較して示すグラフである。図１０Ｂは、色度変化に係る視野角特性を比較例とで比較して示すグラフである。

有機ＥＬ装置１００の実施例は、図６に示す所定の透過特性（ピーク波長範囲の光に対して７５％以上の透過率）と所定のカットオフ特性（所定の波長の光に対して２５％以下の透過率）とを有するカラーフィルター３６（着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒ）を備えている。比較例は、透過特性がピーク波長範囲の光に対して７０％程度、かつ、カットオフ特性が所定の波長の光に対して２５％〜３０％程度のカラーフィルターを備えている点以外は実施例と同様の構成を有している。ここでは、赤色のサブ画素１８Ｒにおける視野角特性を実施例と比較例とで比較した。

サブ画素１８Ｒを法線方向（０°）から見たときを基準とし、法線に対してＸ方向に±１５°の範囲において、図１０Ａでは相対輝度を、図１０Ｂでは色度変化（Δｕ’ｖ’）を、光学シミュレーターを用いて数値化してグラフ化している。図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて、実施例を実線で示し、比較例を破線で示す。なお、色度変化（Δｕ’ｖ’）は、均等色度図であるｕ’ｖ’色度図（CIE 1976 ＵＣＳ色度図）における色度変化を示すものである。

図１０Ａに示すように、実施例は比較例と比べてピーク波長範囲の光に対する透過率が高いため、実施例の相対輝度は、０°±１５°の全範囲において比較例の相対輝度よりも高い。法線方向（０°）において、比較例の相対輝度は実施例の相対輝度の８０％程度となっている。また、比較例では、０°±１５°まで角度が振れるに従って相対輝度が低下するのに対して、実施例では０°±１０°の範囲では相対輝度にそれほどの差異はないが、０°±１０°の範囲を超えると相対輝度が比較例よりも急激に低下する。これは、サブ画素１８Ｒから発せられた０°±１０°の範囲を超える斜め光が、隣り合うサブ画素１８Ｂ，１８Ｇの着色層３６Ｂ，３６Ｇで良好にカットされているためである。

図１０Ｂに示すように、視野角が０°±１０°の範囲では、実施例と比較例とで色度変化（Δｕ’ｖ’）にそれほどの差異はないが、０°±１０°の範囲を超えると、実施例と比べて比較例の色度変化が大きくなる。また、実施例では−１０°から−１５°の範囲と１０°から１５°の範囲とで色度変化にそれほどの差がないのに対して、比較例では、−１０°から−１５°の範囲の色度変化が１０°から１５°の範囲の色度変化よりも大きくなり、色度変化の対称性において実施例よりも劣っている。実施例では、サブ画素１８Ｒから発せられた０°±１０°の範囲を超える斜め光が、隣り合うサブ画素１８Ｂ，１８Ｇの着色層３６Ｂ，３６Ｇで良好にカットされているため、０°±１５°の範囲において比較例よりも色度変化が小さく抑えられている。

このように、所定の透過特性（ピーク波長範囲の光に対して７５％以上の透過率）と所定のカットオフ特性（所定の波長の光に対して２５％以下の透過率）とを有するカラーフィルター３６を備えた実施例では、より広い視野角範囲において、相対輝度を高めるとともに色度変化を小さく抑えることができる。したがって、広い視野角で品位の高いカラー表示を得ることができる。

以上説明したように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成によれば、以下の効果が得られる。

（１）着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが形成されたサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ同士の間に光透過性を有する凸部３５が形成され、凸部３５の上面部３５ａにおいて隣り合う着色層同士が重なり合うように配置されている。そのため、例えば、サブ画素１８Ｂにおいて有機ＥＬ素子３０Ｂからサブ画素１８Ｇとの間に射出された斜め光Ｌ２，Ｌ３は、凸部３５を透過した後着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとの双方を透過する。したがって、着色層３６Ｂのみまたは着色層３６Ｇのみを透過する場合と比べて、有機ＥＬ素子３０Ｂから射出されサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間へ射出された斜め光Ｌ２，Ｌ３の透過量が抑えられる。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ同士の間の混色が起きにくくなるので、より広い視野角で品位の高いカラー表示が得られる有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

（２）各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに配置された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒにおいて、例えば、サブ画素１８Ｂに配置された着色層３６Ｂは、有機ＥＬ素子３０Ｂが射出する４６５ｎｍ〜４７５ｎｍの波長範囲の光を７５％以上透過させるが、それよりも長波長側の５２０ｎｍ以上の波長の光は２５％までしか透過させない。また、サブ画素１８Ｇに配置された着色層３６Ｇは、有機ＥＬ素子３０Ｇが射出する５２０ｎｍ〜５５０ｎｍの光を７５％以上透過させるが、それよりも短波長側の４７０ｎｍ以下の波長の光は２５％までしか透過させない。そのため、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとのそれぞれから射出される青色光及び緑色光の色純度が高められる。また、有機ＥＬ素子３０Ｂから射出されサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間へ射出された斜め光Ｌ２，Ｌ３の透過量が着色層３６Ｇにより抑えられるとともに、有機ＥＬ素子３０Ｇから射出されサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間へ射出された斜め光Ｌ２，Ｌ３の透過量が着色層３６Ｂにより抑えられるので、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間の混色が抑えられる。これにより、広い色範囲と広い視野角を有し品位の高いカラー表示が得られる有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

（３）各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに配置された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒにおいて、例えば、凸部３５の下面部３５ｂの幅Ｗ１に対して隣り合う着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なりあう部分の幅Ｗ２が１５％以上であるので、有機ＥＬ素子３０Ｂと有機ＥＬ素子３０Ｇとからサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの間へ射出された斜め光Ｌ２，Ｌ３のそれぞれが、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとの双方を透過し易くなる。また、凸部３５の下面部３５ｂの幅Ｗ１に対して着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なりあう部分の幅Ｗ２が７５％以下であるので、着色層３６Ｂが隣のサブ画素１８Ｇ側へはみ出してしまうことや、着色層３６Ｇが隣のサブ画素１８Ｂ側へはみ出してしまうことを抑止できる。

（第２の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第２の実施形態に係る電子機器について図１１を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図である。

図１１に示すように、第２の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を備えている。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像等を見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が搭載されている。したがって、色純度が高く視野角特性に優れた表示品質を有するとともに、小型で軽量のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができ、特にシースルータイプのヘッドマウントディスプレイ１０００に好適である。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有する構成に限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器としては、例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイ等の表示部を有する電子機器が挙げられる。

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。

（変形例）
第１の実施形態では、有機ＥＬ装置１００において、表示領域Ｅに設けられる発光画素は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光に対応したサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。また、上記３色のうち２色のサブ画素１８を備えていてもよい。

１１…基材（基板）、１８，１８Ｒ…サブ画素（画素）、１８Ｂ…サブ画素（第１の画素）、１８Ｇ…サブ画素（第２の画素）、３０，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３０Ｂ…有機ＥＬ素子（第１の有機ＥＬ素子）、３０Ｇ…有機ＥＬ素子（第２の有機ＥＬ素子）、３４…封止部、３５…凸部、３５ａ…上面部、３５ｂ…下面部、３６，３７…カラーフィルター、３６Ｂ，３７Ｂ…着色層（第１の着色層）、３６Ｇ，３７Ｇ…着色層（第２の着色層）、３６Ｒ，３７Ｒ…着色層、１００，２００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１０００…ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）。

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板上の第１の画素に形成された第１の有機ＥＬ素子と、
   前記基板上の前記第１の画素と隣り合う第２の画素に形成された第２の有機ＥＬ素子と、
   前記第１の有機ＥＬ素子と前記第２の有機ＥＬ素子とを覆って形成された封止部と、
   前記封止部上の前記第１の画素に形成された第１の着色層と、
   前記封止部上の前記第２の画素に形成された第２の着色層と、
   前記封止部上の前記第１の画素と前記第２の画素との間に形成された光透過性を有する凸部と、を備え、
   前記凸部の上面部において、前記第１の着色層と前記第２の着色層とが重なり合うように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１の有機ＥＬ素子から前記封止部側に射出される光は、第１の波長範囲の光であり、
   前記第２の有機ＥＬ素子から前記封止部側に射出される光は、前記第１の波長範囲とは異なる第２の波長範囲の光であり、
   前記第１の着色層は、前記第１の波長範囲の光に対して７５％以上の透過率を有するとともに、前記第１の波長範囲よりも前記第２の波長範囲側の所定の波長の光に対して２５％以下の透過率を有し、
   前記第２の着色層は、前記第２の波長範囲の光に対して７５％以上の透過率を有するとともに、前記第２の波長範囲よりも前記第１の波長範囲側の所定の波長の光に対して２５％以下の透過率を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記凸部の上面部において前記第１の着色層と前記第２の着色層とが重なりあう部分の幅は、前記凸部の下面部の幅の１５％以上かつ７５％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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