JP6642604B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。

電気光学装置として画素に有機エレクトロルミネッセンス（Electro−Luminescence）素子を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ素子は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に比べて小型化、薄型化が可能であることから、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファインダー（ＥＶＦ）などのマイクロディスプレイへの応用が注目されている。

このようなマイクロディスプレイにおいてカラー表示を実現する手段として、例えば、特許文献１には、白色発光が得られる有機ＥＬ素子とカラーフィルターとを組み合わせた有機ＥＬ装置が提案されている。特許文献１の有機ＥＬ装置では、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子を覆って封止層が形成され、封止層上に青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層で構成されたカラーフィルターが形成されている。カラーフィルターを構成する着色層は、封止層上における高さが着色層よりも低い凸部で区分されている。特許文献１の有機ＥＬ装置によれば、凸部がない場合に比べて、着色層の境界において有機ＥＬ素子からの発光が本来透過すべき着色層以外の他の色の着色層を透過する割合が減少する。したがって、視野角特性において優れた対称性を実現できるとしている。

特開２０１４−８９８０４号公報

上記特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、カラーフィルターを保護するために、有機ＥＬ素子とカラーフィルターとが形成された素子基板に対して、透明樹脂層を介して対向基板を配置している。言い換えれば、透明樹脂層を介して素子基板と対向基板とを貼り合せることにより有機ＥＬ装置を構成している。

しかしながら、所望の光学特性を得ようとして、例えば、着色層の膜厚を色ごとに調整して異ならせると、着色層間で段差が生じてしまう。そうすると、素子基板と対向基板との貼り合せにおいて、素子基板のカラーフィルターを覆う透明樹脂層を形成する際に樹脂材料の塗布むらが生じたり、着色層間の段差部分に気泡が混ざったりするおそれがあった。とりわけ気泡は表示に影響を及ぼすため、改善が必要であった。

本願の電気光学装置は、複数の発光素子と、複数の発光素子に対応して設けられたカラーフィルターとを有する第１基板と、第１基板に接着剤を介して対向配置される透光性の第２基板と、を備え、第１基板のカラーフィルター上の接着面にストライプ状の凹凸が設けられていることを特徴とする。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルター上に透光性のオーバーコート層を有し、オーバーコート層にストライプ状の凹凸が設けられていることが好ましい。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、オーバーコート層は、少なくとも３色の着色層のうち第１の方向に配列した着色層を覆うことが好ましい。

また、上記の電気光学装置において、第１の方向に配列した着色層は、膜厚が異なる着色層を含むとしてもよい。

また、上記の電気光学装置において、第１の方向に配列した着色層に対して第１の方向と交差する第２の方向に配列した着色層は膜厚が異なるとしてもよい。

また、上記の電気光学装置において、オーバーコート層は、カラーフィルターを覆う第１のオーバーコート層と、第１のオーバーコート層上で第１の方向に延在する第２のオーバーコート層とを含み、第１のオーバーコート層と第２のオーバーコート層とにより、ストライプ状の凹凸をなすことが好ましい。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、少なくとも３色の着色層のうち、色が異なる２つの着色層の膜厚を異ならせることによって、ストライプ状の凹凸をなすとしてもよい。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、複数の発光素子が配置された発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層してなる遮光部を備えることが好ましい。

本願の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、少なくとも３色の着色層のうち第１の方向に配列した着色層を覆って透光性のオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、オーバーコート層が形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備えたことを特徴とする。

本願の他の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、カラーフィルターを覆う透光性の第１のオーバーコート層を形成し、第１のオーバーコート層上に第１の方向に延在する透光性の第２のオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、第１のオーバーコート層及び第２のオーバーコート層が形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備えたことを特徴とする。

本願の他の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、カラーフィルターが形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備え、カラーフィルター形成工程では、少なくとも３色の着色層のうち、第１の方向に配列するように第１の着色層と第２の着色層とを形成し、第１の方向と交差する第２の方向に第１の着色層及び第２の着色層と隣り合って配列し、第１の着色層及び第２の着色層に対して膜厚が異なる第３の着色層を形成することを特徴とする。

上記の電気光学装置の製造方法において、カラーフィルター形成工程では、発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成することが好ましい。

また、上記の電気光学装置の製造方法において、カラーフィルター形成工程では、発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成し、オーバーコート層形成工程では、遮光部の内側にオーバーコート層を形成することが好ましい。

本願の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素におけるサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 素子基板における遮光部の配置を示す概略平面図。 図５のＣ−Ｃ’線に沿った電気光学装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示すフローチャート。 第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の電気光学装置の構造を示す概略断面図。 第２実施形態の電気光学装置におけるカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す拡大断面図。 第３実施形態の電気光学装置の構造を示す概略断面図。 第３実施形態の電気光学装置におけるカラーフィルターの構造を示す拡大断面図。 第４実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す模式図。 変形例１のサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図１７のＤ−Ｄ’線に沿ったカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す概略断面図。 変形例２のサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図１９のＦ−Ｆ’線に沿ったカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す概略断面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図４を参照して説明する。図１は第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す概略平面図、図２は第１実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は画素におけるサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。本実施形態に係る電気光学装置は、後述するヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。

図１に示すように、本実施形態に係る電気光学装置１００は、素子基板１０と、対向基板４０とを有している。両基板は、接着剤４１（図４参照）を介して対向配置され接着されている。

素子基板１０は、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置された表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１よりも外側の周辺領域である非表示領域Ｅ２とを有している。画素Ｐは、青色（Ｂ）光が発せられるサブ画素１８Ｂと、緑色（Ｇ）光が発せられるサブ画素１８Ｇと、赤色（Ｒ）光が発せられるサブ画素１８Ｒとを含むものである。電気光学装置１００では、３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを含む画素Ｐが表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。

なお、以降の説明では、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを総称して、サブ画素１８と称する場合がある。本実施形態のサブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０（図２または図４参照）を備えている。したがって、表示領域Ｅ１は本発明における発光領域の一例である。なお、表示領域Ｅ１は、表示に寄与する複数の画素Ｐが配置された領域の外側に、表示に寄与しないダミー画素が配置された領域を含んでいてもよい。

素子基板１０は、本発明における第１基板の一例であって、対向基板４０よりも大きく、対向基板４０からはみ出した素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０２が配列されている。複数の外部接続用端子１０２と表示領域Ｅ１との間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅ１との間には、走査線駆動回路１６が設けられている。外部接続用端子１０２には、表示に係る制御信号や電源などを供給する外部駆動回路との接続を図るためのフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）１０３が実装されている。

対向基板４０は、本発明の第２基板の一例であって、第１基板としての素子基板１０よりも一回り小さく、外部接続用端子１０２が露出されるように配置されている。対向基板４０は、光透過性の基板であり、例えば石英基板やガラス基板などを使用することができる。対向基板４０は、サブ画素１８に配置された後述する有機ＥＬ素子３０が損傷しないように保護する役割を有し、少なくとも表示領域Ｅ１に対向するように配置される。本実施形態の電気光学装置１００には、サブ画素１８から発する光を対向基板４０側から取り出す、トップエミッション方式が採用されている。

以降の説明では、外部接続用端子１０２が配列された上記第１辺に沿った方向をＸ方向とし、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から対向基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って対向基板４０側から見ることを「平面視」と言う。

［有機ＥＬ装置の電気的な構成］
図２に示すように、電気光学装置１００は、互いに交差する走査線１２及びデータ線１３と、電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に電気的に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に電気的に接続されている。また、走査線１２とデータ線１３とで区画された領域にサブ画素１８が設けられている。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を注入する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を注入する陰極として機能する。発光機能層３２では、注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。本実施形態では、発光機能層３２から白色発光が得られるように、発光機能層３２が構成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３と、を含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースは、データ線１３に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のドレインは、駆動用トランジスター２３のゲートに電気的に接続されている。

駆動用トランジスター２３のドレインは、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースは、電源線１４に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が電気的に接続されている。

走査線駆動回路１６から供給される制御信号により走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン（ＯＮ）状態になると、データ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン（ＯＮ）状態になると、駆動用トランジスター２３を介して、電源線１４から有機ＥＬ素子３０にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

なお、画素回路２０の構成は、２つのトランジスター２１，２３を有することに限定されず、例えば、有機ＥＬ素子３０に流れる電流を制御するためのトランジスターをさらに備えていてもよい。

［サブ画素及びカラーフィルターの配置］
次に、図３を参照して画素Ｐにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ及びカラーフィルター３６の配置について説明する。上述したように、サブ画素１８には有機ＥＬ素子３０と画素回路２０とが設けられることから、以降、サブ画素１８Ｂに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｂと呼び、サブ画素１８Ｇに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｇと呼び、サブ画素１８Ｒに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｒと呼ぶ。また、有機ＥＬ素子３０Ｂの画素電極３１を画素電極３１Ｂと呼び、有機ＥＬ素子３０Ｇの画素電極３１を画素電極３１Ｇと呼び、有機ＥＬ素子３０Ｒの画素電極３１を画素電極３１Ｒと呼ぶ。

図３に示すように、本実施形態において、画素ＰはＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを含む画素Ｐの外形はほぼ正方形であり、画素ＰのＸ方向及びＹ方向における配置ピッチは例えば７．５μｍである。各画素Ｐにおいて、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８ＲとはＹ方向に沿って隣り合って配置され、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒに対してＸ方向に隣り合ってサブ画素１８Ｇが配置されている。サブ画素１８Ｂとサブ画素１８ＲとはＹ方向に沿って画素Ｐを単位して繰り返して配置されている。サブ画素ＧもまたＹ方向に画素Ｐを単位として繰り返して配置されている。各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおいて発光が得られる範囲は、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおける有機ＥＬ素子３０の画素電極３１が発光機能層３２と接する範囲を規定する絶縁膜２８（図４参照）に設けられた開口部による。図３では、当該開口部を実線で示しており、サブ画素１８Ｂには開口部２８ＫＢが設けられ、サブ画素１８Ｇには開口部２８ＫＧが設けられ、サブ画素１８Ｒには開口部２８ＫＲが設けられている。

各開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲの形状は四角形であって、その面積比は、例えば、開口部２８ＫＲの大きさを「１」とすると、開口部２８ＫＢの大きさは「２」であり、開口部２８ＫＧの大きさは「３」である。なお、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲの面積比は、これに限定されるものではない。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒには、カラーフィルター３６が配置されている。カラーフィルター３６は、青色（Ｂ）の着色層３６Ｂ、緑色（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤色（Ｒ）の着色層３６Ｒで構成されている。具体的には、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８ＲとはＹ方向に隣り合って配置されていることから、複数のサブ画素１８Ｂのそれぞれに対して独立して着色層３６Ｂが配置され、複数のサブ画素１８Ｒのそれぞれに対して同じく独立して着色層３６Ｒが配置されている。サブ画素１８Ｇには着色層３６Ｇが配置されている。サブ画素１８ＧはＹ方向に隣り合って配置されていることから、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇに対して着色層３６Ｇがストライプ状に配置されている。

言い換えれば、着色層３６Ｂは、開口部２８ＫＢと重なるように独立して配置されている。同じく、着色層３６Ｒは、開口部２８ＫＲと重なるように独立して配置されている。着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数の開口部２８ＫＧと重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。

素子基板１０における着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの配置について詳しくは後述するが、本実施形態では、Ｙ方向に隣り合うサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界では、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとが重なり合って配置されている。Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界では、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なり合って配置されている。同様に、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとの境界では、着色層３６Ｒと着色層３６Ｇとが重なり合って配置されている。

本実施形態において、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとが隣り合うＹ方向が、本発明における第１の方向の一例であり、Ｙ方向と直交するＸ方向が、本発明における第１の方向に交差する第２の方向の一例である。また、着色層３６Ｂが本発明における第１の着色層の一例であり、着色層３６Ｒが本発明の第２の着色層の一例であり、着色層３６Ｇが本発明の第３の着色層の一例である。

各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒから得られる各色の発光の輝度（明るさ）は、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲの大きさと、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲに重ねられた着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの光学特性（透過率）とに依存する。

［サブ画素の構造］
次に、図４を参照して、電気光学装置１００におけるサブ画素１８の構造について説明する。なお、図４は図３に示したＡ−Ａ’線に沿った断面を示すものであり、Ａ−Ａ’線は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇの順で、当該サブ画素１８をＹ方向に横断する線分である。

図４に示すように、電気光学装置１００は、接着剤４１を介して対向配置された素子基板１０と対向基板４０とを有している。接着剤４１は、素子基板１０と対向基板４０とを接着する役割を有し、光透過性を有する例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などで構成されている。これらの樹脂は、熱硬化型や紫外線硬化型、あるいは熱と紫外線の両方により硬化するものを用いることができる。

素子基板１０は、基材１１と、基材１１上において、Ｚ方向に順に積層された反射層２５と、透光層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター３６とを備えている。

基材１１は、例えばシリコンなどの半導体基板である。基材１１には、前述した等価回路における、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、画素回路２０（スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３）などが、公知技術を用いて形成されている。図４では、これらの配線や回路構成の図示を省略している。

なお、基材１１は、シリコンなどの半導体基板に限定されず、例えば石英やガラスなどの基板であってもよい。換言すれば、画素回路２０を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、石英やガラスなどの基板に形成された薄膜トランジスターや電界効果型のトランジスターであってもよい。

反射層２５は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｒ，１８Ｇに跨って配置され、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｒ，１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇから発した光を対向基板４０側に反射させるものである。反射層２５の形成材料としては、高い反射率を実現可能な例えばアルミニウムや銀あるいはこれらの金属の合金などが用いられる。

反射層２５上には、透光層２６が設けられている。透光層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃを含んで構成されている。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５上においてサブ画素１８Ｂ，１８Ｒ，１８Ｇに跨って配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａに積層され、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとに跨って配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂに積層され、サブ画素１８Ｒに配置されている。これらの絶縁膜は、例えば酸化シリコンなどからなる。

すなわち、サブ画素１８Ｂの透光層２６は第１絶縁膜２６ａで構成され、サブ画素１８Ｇの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成され、サブ画素１８Ｒの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成されている。したがって、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

透光層２６上には、有機ＥＬ素子３０が設けられている。有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを含む。画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜で構成され、サブ画素１８ごとに島状に形成されている。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｒ，３１Ｇの周縁部を覆うように絶縁膜２８が配置されている。上述したように、絶縁膜２８には、画素電極３１Ｂ上に開口部２８ＫＢが形成され、画素電極３１Ｒ上に開口部２８ＫＲが形成され、画素電極３１Ｇ上に開口部２８ＫＧが形成されている。絶縁膜２８は、例えば酸化シリコンなどからなる。

開口部２８ＫＢ，２８ＫＲ，２８ＫＧが設けられた部分では、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｒ，３１Ｇ）と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、対向電極３３から電子が供給されて発光機能層３２が発光する。つまり、開口部２８ＫＢ，２８ＫＲ，２８ＫＧが設けられた領域が、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｒ，１８Ｇにおいて発光機能層３２が発光する領域となる。絶縁膜２８が設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。

発光機能層３２は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｒ，１８Ｇに跨って表示領域Ｅ１（図１参照）の全域を覆うように配置されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、青色から赤色までの波長範囲の光を発する。有機発光層は、単層で構成されていてもよいし、例えば、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含んだり、青色発光層と、赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）の波長範囲を含む発光が得られる黄色発光層とを含んだりする複数層で構成されていてもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２を覆うように配置されている。対向電極３３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように、例えばマグネシウムと銀との合金などで構成され、その膜厚が制御されている。

対向電極３３を覆う封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成されている。第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成された無機封止層である。無機材料としては、水分や酸素などを通し難い、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどが挙げられる。このような封止層３４は、少なくとも発光機能層３２（有機ＥＬ素子３０）が配置されている表示領域Ｅ１に亘って形成される。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透光性が得られるように、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度となっている。

平坦化層３４ｂは、透光性の有機封止層であって、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。

平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの成膜時における欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、略平坦な面を形成する。また、第１封止層３４ａの表面は、膜厚が異なる透光層２６の影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、例えば１μｍ〜５μｍ程度の膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。透光層２６に起因する該凹凸を緩和する観点から平坦化層３４ｂは、厚膜化し易い有機封止層によって構成されることが好ましいが、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。

カラーフィルター３６は、封止層３４上に形成されている。カラーフィルター３６は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の色材を含む感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法で形成された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒで構成されている。着色層３６Ｂはサブ画素１８Ｂに対応して形成され、着色層３６Ｒはサブ画素１８Ｒに対応して形成され、着色層３６Ｇはサブ画素１８Ｇに対応して形成されている。

封止層３４上のサブ画素１８の境界において、隣り合う異なる色の着色層同士は、その一部が互いに重なるように形成されている。

着色層３６Ｂ，３６Ｒ，３６Ｇは、各色の色材を含む感光性樹脂材料を例えばスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法を用いて露光・現像することにより形成する。本実施形態では、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒの順で形成している。

したがって、着色層３６ＧのＸ方向における縁部は着色層３６Ｂの縁部及び着色層３６Ｒの縁部によって覆われ、着色層３６ＢのＹ方向における縁部は着色層３６Ｒの縁部によって覆われる。

３色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのうち、Ｙ方向に隣り合い繰り返し配置された着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なるようにオーバーコート（ＯＣ）層５０が設けられている。ＯＣ層５０は、着色層３６Ｒ（着色層３６Ｂ）と着色層３６Ｇとの境界部分を覆ってはいるが、着色層３６Ｇの境界部分を除く他の部分には設けられていない。ＯＣ層５０の詳しい形成方法は後述するが、透光性の感光性樹脂材料を例えばスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法を用いて露光・現像することにより形成する。つまり、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとを覆うようにＯＣ層５０を形成することにより、カラーフィルター３６上の接着剤４１との接着面には、着色層３６Ｇが延在するＹ方向に沿って溝５０ａが形成される。溝５０ａは１色の着色層３６Ｇに沿って形成される。溝５０ａは、本発明におけるカラーフィルター上の接着面に設けられたストライプ状の凹凸の一例である。

［光共振構造］
本実施形態に係る電気光学装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間に光共振構造が取り入れられている。電気光学装置１００において、発光機能層３２が発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、カラーフィルター３６を透過した光が表示光として対向基板４０からＺ方向に射出される。

本実施形態において、透光層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する役割を有している。上述した通り、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。その結果、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。なお、光学的な距離は、反射層２５と対向電極３３との間に存在する各層の屈折率と膜厚との積の合計で表すことができる。

例えば、サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が発せられる。換言すれば、電気光学装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、サブ画素１８Ｂでは発光機能層３２が発する白色光から青色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｇでは発光機能層３２が発する白色光から緑色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｒでは発光機能層３２が発する白色光から赤色の光成分を取り出している。

なお、透光層２６の代わりに、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）の膜厚を互いに異ならせることで、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する構成としてもよい。

このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおいて、封止層３４上にカラーフィルター３６が配置されている。サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂに封止層３４を介して着色層３６Ｂが配置されている。したがって、４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が着色層３６Ｂを透過することによって色純度が高められる。同様に、サブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇに封止層３４を介して着色層３６Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒに封止層３４を介して着色層３６Ｒが配置されている。したがって、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が着色層３６Ｇを透過することによって色純度が高められ、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が着色層３６Ｒを透過することによって色純度が高められる。

また、各色光の色純度などの光学特性は、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚にも依存する。本実施形態では、封止層３４上における平均的な膜厚が２μｍとなるように青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒが形成され、同じく平均的な膜厚がおよそ１μｍとなるように緑色の着色層３６Ｇが形成されている。なお、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚の設定は、これに限定されるものではない。

上記のように、サブ画素１８から発せられた光は、対向電極３３から封止層３４側に射出され、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過した光であり、有機ＥＬ素子３０の発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。

［素子基板と対向基板との接着構造］
次に、素子基板１０と対向基板４０との接着構造について、図５及び図６を参照して説明する。図５は素子基板における遮光部の配置を示す概略平面図、図６は図５のＣ−Ｃ’線に沿った電気光学装置の構造を示す概略断面図である。図５のＣ−Ｃ’線は、Ｘ方向に遮光部と表示領域Ｅ１とを横断する線分である。なお、図６では素子基板１０における画素回路２０や、画素回路２０に繋がる走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６の表示を省略している。

図５に示すように、電気光学装置１００の素子基板１０には、表示領域Ｅ１を囲む額縁状の遮光部３６Ｓが設けられている。遮光部３６Ｓは、表示領域Ｅ１よりも外側の非表示領域Ｅ２に設けられた走査線駆動回路１６（図１参照）と平面視で重なるように設けられている。また、額縁状の遮光部３６Ｓの内縁と表示領域Ｅ１との間にはダミーカラーフィルター領域Ｅ４（以降、ダミーＣＦ領域Ｅ４と称す）が設けられている。このように、表示領域Ｅ１を囲む額縁状の遮光部３６Ｓを設けることで、表示領域Ｅ１から発せられた光が他の部分で反射して表示光に影響を及ぼしたり、走査線駆動回路１６などの周辺回路に入射して、周辺回路に含まれるトランジスターなどの動作が不安定となったりすることを防ぐことができる構成となっている。以降、遮光部３６Ｓが額縁状に設けられた領域を遮光領域Ｅ３と呼ぶ。

図６に示すように、素子基板１０と対向基板４０とは接着剤４１を介して対向配置され接着されている。素子基板１０の基材１１上には、有機ＥＬ素子３０を構成するところの発光機能層３２と対向電極３３とが表示領域Ｅ１に亘って設けられている。また、発光機能層３２及び対向電極３３を覆う封止層３４が設けられている。なお、封止層３４の外縁３４ｅは、遮光領域Ｅ３よりもわずかに外側に位置している（図５参照）。

封止層３４上において、表示領域Ｅ１には、画素Ｐのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが設けられている。表示領域Ｅ１を囲む位置に上述した遮光部３６Ｓが設けられている。遮光部３６Ｓは、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒをこの順に積層することによって入射する光を遮光する構成となっている。封止層３４上における額縁状の遮光部３６Ｓ（遮光領域Ｅ３）の幅は、例えば、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。

封止層３４上において、遮光部３６Ｓと表示領域Ｅ１の画素Ｐに対応したカラーフィルター３６との間のダミーＣＦ領域Ｅ４には、ダミーＣＦとして着色層３６Ｒが設けられている。なお、ダミーＣＦは、赤（Ｒ）の着色層３６Ｒに限らず、他の色の着色層でもよいが、光漏れを考慮すると、この場合、着色層３６Ｇよりも膜厚が大きい着色層３６Ｒが好ましい。表示領域Ｅ１と遮光領域Ｅ３との間のダミーＣＦ領域Ｅ４の幅は、例えば５０μｍから３００μｍである。

表示領域Ｅ１では、上述したように、カラーフィルター３６のうちＹ方向に配列する着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なるようにストライプ状にＯＣ層５０が設けられている。画素Ｐは、ＯＣ層５０が設けられた部分と、ＯＣ層５０が設けられておらず隣り合う画素Ｐとの間で溝５０ａをなす部分とを含むことになる。すなわち、カラーフィルター３６上の接着剤４１と接する接着面に、Ｘ方向に配列する画素ＰごとにＹ方向に延在するストライプ状の凹凸としての溝５０ａが設けられている。なお、図５に示した、ストライプ状のＯＣ層５０及び溝５０ａの表示領域Ｅ１における数は、画素ＰのＸ方向に配列する数によって決まる。図５及び図６では視認可能な程度の数でストライプ状のＯＣ層５０及び溝５０ａを図示している。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、電気光学装置１００の製造方法について、図７〜図１１を参照して説明する。図７は第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示すフローチャート、図８〜図１１は第１実施形態の電気光学装置の製造方法を示す概略断面図である。

図７に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、基材１１上に複数の有機ＥＬ素子３０を形成する工程（ステップＳ１）と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止するための封止層３４を形成する封止層形成工程（ステップＳ２）と、封止層３４上にカラーフィルター３６を形成するカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）と、オーバーコート（ＯＣ）層５０を形成するオーバーコート（ＯＣ）層形成工程（ステップＳ４）と、素子基板１０に対向基板４０を貼り合せる工程（ステップＳ５）とを備えている。なお、基材１１にデータ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６などの周辺回路、及び画素回路２０、並びにこれらの回路を接続させる配線や外部接続用端子１０２などを形成する工程は、上述したように公知の方法を用いることができる。また、反射層２５や透光層２６も同様である。したがって、ステップＳ１から説明する。

ステップＳ１は、有機ＥＬ素子３０の形成工程であって、表示領域Ｅ１においてサブ画素１８ごとに画素電極３１を形成し、複数のサブ画素１８に跨るように発光機能層３２と、対向電極３３とを形成して、サブ画素１８ごとに有機ＥＬ素子３０を形成する。そして、ステップＳ２へ進む。

ステップＳ２は、封止層３４の形成工程であって、表示領域Ｅ１に形成された複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４を形成する。具体的には対向電極３３を覆うように無機材料を用いて第１封止層３４ａを形成する。続いて樹脂材料を用いて有機封止層を形成し、有機封止層をパターニングして平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂを覆うと共に、平坦化層３４ｂからはみ出た第１封止層３４ａを覆うように無機材料を用いて第２封止層３４ｃを形成する。これにより封止層３４が形成される。なお、無機材料からなる第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、封止性を向上させる観点から有機材料からなる平坦化層３４ｂを上下に挟み、且つ基材１１の外周端に至るように形成することが好ましい。そして、ステップＳ３へ進む。

ステップＳ３は、カラーフィルター３６の形成工程であって、表示領域Ｅ１において、３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、封止層３４上に着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの形成方法は、前述したように色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法を用いて露光・現像することにより形成する。本実施形態では、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒの順で形成している。また、カラーフィルター３６の形成工程では、表示領域Ｅ１において着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを形成すると同時に、表示領域Ｅ１を囲む遮光領域Ｅ３に３つの着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層して遮光部３６Ｓを形成する。さらに、本実施形態では、表示領域Ｅ１と遮光領域Ｅ３との間のダミーＣＦ領域Ｅ４に、３つの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのうち膜厚が大きく遮光性に寄与できる着色層３６Ｒを形成する。なお、３色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する順番は、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）の順であることに限定されない。サブ画素１８の境界で異なる色の着色層を重ねることから、膜厚が小さいほうから先に形成することが好ましい。そして、ステップＳ４へ進む。

ステップＳ４は、オーバーコート（ＯＣ）層５０の形成工程であって、まず、図８に示すように、例えば色材を含まない感光性樹脂材料を用い、スピンコート法などにより、表示領域Ｅ１に形成されたカラーフィルター３６、遮光部３６Ｓ及びダミーＣＦである着色層３６Ｒを覆ってＯＣ層５０を形成する。このときのＯＣ層５０の厚みは、例えばおよそ１μｍである。

次に、図９に示すように、露光用のマスク６０を介してＯＣ層５０に例えば紫外線（ＵＶ）を照射する。マスク６０には、遮光パターン６１が設けられている。遮光パターン６１は、表示領域Ｅ１に形成された着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒに重なる位置においてＹ方向に延在するストライプ状の複数の遮光層を有するものである。また、ダミーＣＦ領域Ｅ４に形成された着色層３６Ｒに重なる位置に額縁状に形成された遮光層を有するものである。

紫外線（ＵＶ）が照射されたＯＣ層５０に現像を施すと、図１０に示すように、表示領域Ｅ１において着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒに重なると共に、ダミーＣＦ領域Ｅ４においてダミーＣＦである着色層３６Ｒに重なるようにパターニングされたＯＣ層５０が形成される。これにより、パターニングされたＯＣ層５０には、表示領域Ｅ１において着色層３６Ｇと重なる位置にＹ方向に延在する溝５０ａが形成される。また、遮光部３６Ｓの内側にＯＣ層５０が形成される。また、ＯＣ層５０はＹ方向に配列する着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒを覆うように形成されるため、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとにおいて膜厚が異なっていてもよい。そして、ステップＳ５へ進む。

ステップＳ５は、ＯＣ層５０が形成された素子基板１０と対向基板４０とを接着剤４１を用いて貼り合せる接着工程である。具体的には、図１１に示すように、素子基板１０のカラーフィルター３６上に所定量の接着剤４１を塗布し、塗布された接着剤４１を押し広げるように上方から対向基板４０を素子基板１０に向かって押し付ける。カラーフィルター３６上の接着面にはＹ方向に沿って複数の溝５０ａが形成されていることから、接着剤４１は複数の溝５０ａに従って広がって行く。

表示領域Ｅ１を囲む遮光部３６Ｓは、３つの着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層して形成されていることから、封止層３４上の遮光部３６Ｓの高さはおよそ５μｍである。これに対して、封止層３４上のカラーフィルター３６の高さは最大でおよそ２μｍである。遮光領域Ｅ３と表示領域Ｅ１との間に設けられたダミーＣＦとしての着色層３６Ｒの上には厚みがおよそ１μｍのＯＣ層５０が形成されている。したがって、封止層３４上におけるダミーＣＦの実質的な高さはおよそ３μｍとなることから、ダミーＣＦを設けない場合に比べて、遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間の段差が緩和される。よって、カラーフィルター３６上で押し広げられた接着剤４１は、従来よりも容易に遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間の段差を埋めて遮光部３６Ｓを乗り越える。基材１１上で接着剤４１が所定の塗布範囲まで広がった状態で、接着剤４１を硬化させて素子基板１０と対向基板４０とを接着する。

この後に、素子基板１０の端子部にＦＰＣ１０３を実装することにより、図１に示した電気光学装置１００ができあがる。

上記第１実施形態の電気光学装置１００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）カラーフィルター３６において、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとは、Ｙ方向における境界部分で、双方の端部が重なるように形成される。また、着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒに対して着色層３６Ｇは、Ｘ方向における境界部分で、双方の端部が重なるように形成される。このような素子基板１０のカラーフィルター３６に対して、Ｙ方向に配列する着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なる位置にＯＣ層５０がパターニング形成される。これにより、カラーフィルター３６上において接着剤４１との接着面にＹ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝５０ａが形成される。溝５０ａはサブ画素１８Ｇにおける同じくＹ方向に延在する着色層３６Ｇと重なった位置に形成される。つまり、溝５０ａの底部には段差が生じない。素子基板１０と対向基板４０とを貼り合せる接着工程では、素子基板１０側に塗布された接着剤４１を押し広げるように対向基板４０を押し付けると、接着剤４１は複数の溝５０ａに従って押し広がる。したがって、例えば３つの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚が互いに異なり、且つＯＣ層５０が無く、カラーフィルター３６上に複雑な段差が生じている場合に比べて、接着剤４１の塗布むらが生じ難い。また、接着剤４１は第１の方向としてのＹ方向に延在する底部に段差がない複数の溝５０ａに従って広がるので、溝５０ａにおいて気泡が生じ難い。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置１００とその製造方法を提供できる。

（２）表示領域Ｅ１を囲む位置に形成された遮光部３６Ｓは、色が異なる３つの着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層して形成され、その封止層３４上における高さはおよそ５μｍとなっている。遮光部３６Ｓが設けられた遮光領域Ｅ３とカラーフィルター３６が設けられた表示領域Ｅ１との間にダミーＣＦ領域Ｅ４が額縁状に設けられている。ダミーＣＦ領域Ｅ４にはダミーＣＦとしての赤色の着色層３６Ｒとパターニング形成されたＯＣ層５０とが設けられている。封止層３４上における着色層３６ＲとＯＣ層５０とを含めた高さは３μｍである。つまり、このようなダミーＣＦ領域Ｅ４を遮光領域Ｅ３と表示領域Ｅ１との間に形成することにより、遮光性を確保しつつ、遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間の段差を緩和することができる。したがって、接着剤４１を用いた素子基板１０と対向基板４０との貼り合わせにおいて、封止層３４上における高さが最も高い遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間に気泡が混じった状態で接着が行われることを抑制できる。

（３）ＯＣ層５０をパターニングして得られる複数の溝５０ａは、３つの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのうち、最も膜厚が小さい着色層３６Ｇに重なるように形成される。したがって、着色層３６Ｇの膜厚が他の着色層３６Ｂ，３６Ｒと同じである場合に比べて、溝５０ａの深さが深くなり、素子基板１０と対向基板４０との貼り合わせにおける接着剤４１の押し広がり方向をより規制し易くなる。ゆえに、接着剤４１の塗布むらの発生を抑制し、均一な塗布状態にすることができる。言い換えれば、ＯＣ層５０を形成する第１の方向としてのＹ方向に配列した着色層３６Ｂ，３６Ｒに対してＹ方向と交差する第２の方向としてのＸ方向に配列した着色層３６Ｇは膜厚が異なり、膜厚が小さいことが好ましい。

なお、上記第１実施形態の電気光学装置１００の画素Ｐでは、第１の方向としてのＹ方向にサブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）とサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）とが配置され、サブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）及びサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）に対して第２の方向としてのＸ方向にサブ画素１８Ｇ（着色層３６Ｇ）が配置される構成としていたが、これに限定されるものではない。例えば、第１の方向としてのＸ方向にサブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）とサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）とが配置され、サブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）及びサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）に対して第２の方向としてのＹ方向にサブ画素１８Ｇ（着色層３６Ｇ）が配置される構成としてもよい。これによれば、カラーフィルター３６上の接着面にＸ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝５０ａが配置される構成となる。言い換えれば、ストライプ状の凹凸としての複数の溝５０ａが延在する方向は、Ｙ方向に限定されず、Ｘ方向であってもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置とその製造方法について、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は第２実施形態の電気光学装置の構造を示す概略断面図、図１３は第２実施形態の電気光学装置におけるカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す拡大断面図である。なお、図１２は、上記第１実施形態の図６に対応する概略断面図である。

第２実施形態の電気光学装置２００は、上記第１実施形態の電気光学装置１００に対してオーバーコート層５０の構成を異ならせたものであり、他の構成は同じであることから、上記第１実施形態の電気光学装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態の電気光学装置２００は、複数の有機ＥＬ素子３０とカラーフィルター３６とを有する素子基板２１０と、透光性の対向基板４０とが接着剤４１を介して対向配置され接着された自発光型の表示装置である。

素子基板２１０において、表示領域Ｅ１に配列した複数の画素Ｐのそれぞれは、３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを含む。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれは、画素電極３１と対向電極３３との間に形成された発光機能層３２を含む有機ＥＬ素子３０を有している。発光機能層３２及び対向電極３３は、表示領域Ｅ１に亘って形成され、封止層３４によって封止されている。

封止層３４上の表示領域Ｅ１にはカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成された、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒを含んで構成されている。

封止層３４上の表示領域Ｅ１を囲む位置に額縁状にダミーＣＦ領域Ｅ４が設けられ、ダミーＣＦ領域Ｅ４にはダミーＣＦとしての赤色の着色層３６Ｒが形成されている。さらに、ダミーＣＦ領域Ｅ４を囲んで同じく額縁状に遮光部３６Ｓ（遮光領域Ｅ３）が設けられている。遮光部３６Ｓは、異なる色の着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層して形成されたものである。着色層３６Ｇの平均膜厚はおよそ１μｍであり、着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒの平均膜厚はおよそ２μｍである。

表示領域Ｅ１の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと、ダミーＣＦ領域Ｅ４の着色層３６Ｒとを覆うように第１のオーバーコート（ＯＣ）層５１が形成されている。さらに、第１のオーバーコート（ＯＣ）層５１上において、平面視でＹ方向に配列する着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なる位置に、第２のオーバーコート（ＯＣ）層５２がパターニング形成されている。つまり、本実施形態のオーバーコート（ＯＣ）層５０は、表示領域Ｅ１とダミーＣＦ領域Ｅ４とに亘って形成された第１のＯＣ層５１と、画素ＰごとにＹ方向に延在してストライプ状に形成された第２のＯＣ層５２とを含むものである。

つまり、素子基板２１０のカラーフィルター３６上における接着剤４１との接着面に、第１のＯＣ層５１と、パターニング形成された第２のＯＣ層５２とによりＹ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝５２ａが形成されている。溝５２ａは、図１３に示すように、カラーフィルター３６における着色層３６Ｇと重なる位置に形成されている。カラーフィルター３６上における第１のＯＣ層５１の膜厚は、表示領域Ｅ１に亘ってカラーフィルター３６を覆い平坦性を確保する観点から例えば１．５μｍである。第１のＯＣ層５１上における第２のＯＣ層５２の膜厚は、溝５２ａの深さを規定することから、第１のＯＣ層５１の膜厚よりも小さい例えば１μｍである。

このような電気光学装置２００の製造方法は、基本的に上記第１実施形態の電気光学装置１００の製造方法と同じであって、本実施形態におけるオーバーコート層形成工程（ステップＳ４）は、カラーフィルター３６を覆う透光性の第１のＯＣ層５１を形成する工程と、第１のＯＣ層５１上に第１の方向としてのＹ方向に延在する第２のＯＣ層５２を形成する工程とを含んで構成される。第１のＯＣ層５１及び第２のＯＣ層５２の形成は、いずれも透光性の感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法により形成される。

上記第２実施形態の電気光学装置２００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）カラーフィルター３６を構成する３つの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚の設定に関わらず、カラーフィルター３６上の接着剤４１との接着面に、第１のＯＣ層５１とパターニング形成された第２のＯＣ層５２とによって、Ｙ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝５２ａが形成されている。言い換えれば、３つの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚が異なってカラーフィルター３６上に複雑な段差が生じていたとしても、カラーフィルター３６は第１のＯＣ層５１によって覆われているので、素子基板２１０と対向基板４０とを貼り合わせる接着工程では、接着剤４１の塗布むらが生じ難い。また、接着剤４１は第１の方向としてのＹ方向に延在する底部に段差がない複数の溝５２ａに従って広がるので、溝５２ａにおいて気泡が生じ難い。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置２００とその製造方法を提供できる。

（２）遮光領域Ｅ３と表示領域Ｅ１との間のダミーＣＦ領域Ｅ４では、ダミーＣＦとしての着色層３６Ｒに加えて第１のＯＣ層５１と第２のＯＣ層５２とが積層されて、その封止層３４上における高さはおよそ４．５μｍとなる。したがって、上記第１実施形態の構成に比べて、遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間の段差がさらに緩和される。ゆえに、接着剤４１を用いた素子基板２１０と対向基板４０とを貼り合わせる接着工程で、接着剤４１は容易に遮光部３６Ｓを乗り越え、封止層３４上における高さが最も高い遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間に気泡が混じった状態で接着が行われることをより抑制できる。

なお、第１のＯＣ層５１でカラーフィルター３６を覆うことから、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚の設定に関わる段差は、接着工程に影響を及ぼさないので、第１のＯＣ層５１上に形成される第２のＯＣ層５２の延在方向は、Ｙ方向に限定されず、Ｘ方向であってもよい。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の電気光学装置とその製造方法について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は第３実施形態の電気光学装置の構造を示す概略断面図、図１５は第３実施形態の電気光学装置におけるカラーフィルターの構造を示す拡大断面図である。なお、図１４は、上記第１実施形態の図６に対応する概略断面図である。

第３実施形態の電気光学装置３００は、上記第１実施形態の電気光学装置１００に対してオーバーコート層５０を無くした構成としたものであり、他の構成は同じであることから、上記第１実施形態の電気光学装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１４に示すように、本実施形態の電気光学装置３００は、複数の有機ＥＬ素子３０とカラーフィルター３６とを有する素子基板３１０と、透光性の対向基板４０とが接着剤４１を介して対向配置され接着された自発光型の表示装置である。

素子基板３１０において、表示領域Ｅ１に配列した複数の画素Ｐのそれぞれは、３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを含む。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれは、画素電極３１と対向電極３３との間に形成された発光機能層３２を含む有機ＥＬ素子３０を有している。発光機能層３２及び対向電極３３は、表示領域Ｅ１に亘って形成され、封止層３４によって封止されている。

封止層３４上の表示領域Ｅ１にはカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成された、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒを含んで構成されている。

封止層３４上の表示領域Ｅ１を囲む位置に額縁状にダミーＣＦ領域Ｅ４が設けられ、ダミーＣＦ領域Ｅ４にはダミーＣＦとしての緑色の着色層３６Ｇと青色の着色層３６Ｂとが積層されている。さらに、ダミーＣＦ領域Ｅ４を囲んで同じく額縁状に遮光部３６Ｓ（遮光領域Ｅ３）が設けられている。遮光部３６Ｓは、異なる色の着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層して形成されたものである。遮光領域Ｅ３に形成された着色層３６Ｇと、ダミーＣＦ領域Ｅ４に形成された着色層３６Ｇとは繋がっている。同様に、遮光領域Ｅ３に形成された着色層３６Ｂと、ダミーＣＦ領域Ｅ４に形成された着色層３６Ｂとは繋がっている。なお、着色層３６Ｇの平均膜厚はおよそ１μｍであり、着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒの平均膜厚はおよそ２μｍである。画素Ｐにおける着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの配置は、上記第１実施形態と同じである。すなわち、封止層３４上において、着色層３６Ｂはサブ画素１８Ｂに対して独立して配置され、着色層３６Ｒもまたサブ画素１８Ｒに対して独立して配置されている。緑色の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇに対応してストライプ状に配置されている。

つまり、素子基板３１０のカラーフィルター３６上における接着剤４１との接着面に、カラーフィルター３６によりＹ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝３６ａが形成されている。溝３６ａは、図１５に示すように、カラーフィルター３６における着色層３６Ｇの膜厚と着色層３６Ｂ（着色層３６Ｒ）の膜厚とを異ならせることによってなるものである。

このような電気光学装置３００の製造方法は、上記第１実施形態の電気光学装置１００の製造方法に対して、オーバーコート層形成工程（ステップＳ４）を削除したものであって、本実施形態におけるカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）は、表示領域Ｅ１においてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成すると共に、遮光領域Ｅ３とダミーＣＦ領域Ｅ４とに亘って、額縁状に着色層３６Ｇと着色層３６Ｂとを形成する。さらに遮光領域Ｅ３において着色層３６Ｂ上に額縁状に着色層３６Ｒを積層して、遮光部３６Ｓを形成するものである。

上記第３実施形態の電気光学装置３００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）封止層３４上のカラーフィルター３６において、第２の方向としてのＸ方向に隣り合う着色層３６Ｂ（着色層３６Ｒ）と着色層３６Ｇとの膜厚を異ならせ、着色層３６Ｂ（着色層３６Ｒ）の膜厚よりも着色層３６Ｇの膜厚を小さくすることで、着色層３６Ｇ上にＹ方向に延在する溝３６ａを形成する。つまり、カラーフィルター３６上の接着剤４１に対する接着面にストライプ状の凹凸としての複数の溝３６ａが形成される。素子基板３１０と対向基板４０とを貼り合わせる接着工程では、接着剤４１は第１の方向としてのＹ方向に延在する底部に段差がない溝３６ａに従って広がるので、溝３６ａにおいて気泡が生じ難い。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置３００とその製造方法を提供できる。

（２）遮光領域Ｅ３と表示領域Ｅ１との間のダミーＣＦ領域Ｅ４では、ダミーＣＦとして着色層３６Ｇに加えて着色層３６Ｂが積層され、その封止層３４上における高さはおよそ３μｍとなる。したがって、上記第１実施形態の構成と同様に、遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間の段差が緩和される。ゆえに、接着剤４１を用いた素子基板３１０と対向基板４０との貼り合わせにおいて、封止層３４上における高さが最も高い遮光部３６Ｓとカラーフィルター３６との間に気泡が混じった状態で接着が行われることを抑制できる。

なお、上記第３実施形態の電気光学装置３００の画素Ｐでは、上記第１実施形態の電気光学装置１００と同様に、第１の方向としてのＹ方向にサブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）とサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）とが配置され、サブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）及びサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）に対して第２の方向としてのＸ方向にサブ画素１８Ｇ（着色層３６Ｇ）が配置される構成としていたが、これに限定されるものではない。例えば、第１の方向としてのＸ方向にサブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）とサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）とが配置され、サブ画素１８Ｂ（着色層３６Ｂ）及びサブ画素１８Ｒ（着色層３６Ｒ）に対して第２の方向としてのＹ方向にサブ画素１８Ｇ（着色層３６Ｇ）が配置される構成としてもよい。これによれば、カラーフィルター３６上の接着面にＸ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝３６ａが配置される構成となる。言い換えれば、ストライプ状の凹凸としての複数の溝３６ａが延在する方向は、Ｙ方向に限定されず、Ｘ方向であってもよい。

（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電気光学装置が表示部に適用された電子機器の一例としてヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を例に挙げ、図１６を参照して説明する。図１６は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す模式図である。

ヘッドマウントディスプレイ（Head Mount Display；ＨＭＤ）１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１０１０Ｌ，１０１０Ｒと、一対の光学ユニット１０１０Ｌ，１０１０Ｒを使用者の頭部に装着するための装着部（図示省略）と、電源部及び制御部（図示省略）などを有している。ここで、一対の光学ユニット１０１０Ｌ，１０１０Ｒは左右対称の構成であるため、右眼用の光学ユニット１０１０Ｒを例として説明する。

光学ユニット１０１０Ｒは、表示部１００１Ｒと、枠状のケース部１００２と、集光光学系１００３と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００４とを備えている。導光体１００４にはハーフミラー層１００５が設けられている。光学ユニット１０１０Ｒにおいて、表示部１００１Ｒから射出された表示光は、集光光学系１００３によって導光体１００４に入射し、ハーフミラー層１００５で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層１００５に投影された表示光（映像）は虚像である。したがって、使用者は、表示部１００１Ｒによる表示（虚像）とハーフミラー層１００５の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、ＨＭＤ１０００は、透過型（シースルー型）の投射型表示装置である。

導光体１００４はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００４の光の入射側に、集光光学系１００３と表示部１００１Ｒとが配置され、集光光学系１００３により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００４のハーフミラー層１００５は、集光光学系１００３で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。

表示部１００１Ｒは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示領域に表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系１００３によって実像から虚像に変換される。本実施形態において表示部１００１Ｒには、上記第１実施形態の自発光型の電気光学装置１００が適用されている。表示部１００１Ｒの表示領域以外からの発光が集光光学系１００３によって集光され表示に影響を及ぼさないように、表示部１００１Ｒの集光光学系１００３側には、表示領域を囲むように枠状のケース部１００２が設けられている。

なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット１０１０Ｌについても、上記第１実施形態の電気光学装置１００が適用された表示部１００１Ｌを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット１０１０Ｒと同じである。

本実施形態によれば、表示部１００１Ｌ，１００１Ｒとして自発光型の電気光学装置１００が適用されているので、受光型の液晶装置を用いる場合に比べて、バックライトなどの照明装置を必要としないことから、小型で軽量であると共に、見栄えのよいシースルー型のＨＭＤ１０００を提供することができる。

なお、上記第１実施形態の電気光学装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１０１０Ｌ，１０１０Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１０１０Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。

また、表示部１００１Ｌ，１００１Ｒには、上記第２実施形態の電気光学装置２００、あるいは上記第３実施形態の電気光学装置３００を適用してもよい。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）画素Ｐにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ及びこれに対応したカラーフィルター３６の平面的な配置は、上記第１実施形態の図３に示した配置に限定されない。図１７は変形例１のサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図、図１８は図１７のＤ−Ｄ’線に沿ったカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す概略断面図である。
図１７に示すように、変形例１では、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐにおいて、一方の画素Ｐのサブ画素１８Ｇと、他方の画素Ｐのサブ画素１８ＧとがＸ方向に隣り合うように配置されている。着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する２列分のサブ画素１８Ｇに対してストライプ状に配置されている。したがって、図１８に示すように、着色層３６Ｂ及び着色層３６Ｒと重なるようにＯＣ層５０をパターニング形成すれば、Ｘ方向に隣り合う２つの画素Ｐに跨ってＹ方向に延在する溝５０ｂが形成される。つまり、上記第１実施形態における溝５０ａよりも幅の広い溝５０ｂが形成される。したがって、素子基板１０と対向基板４０とを貼り合わせる接着工程では、接着剤４１は幅の広い溝５０ｂに従って押し広げられ、溝５０ｂに気泡が混じり難くなる。なお、上記第１実施形態で説明したように、画素Ｐにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、これに限定されるものではないので、ＯＣ層５０をパターニング形成して得られる上記変形例１の溝５０ｂがＸ方向に延在する形態もあり得る。

（変形例２）画素Ｐにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ及びこれに対応したカラーフィルター３６の平面的な配置は、上記第１実施形態の図３に示した配置に限定されない。図１９は変形例２のサブ画素及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図、図２０は図１９のＦ−Ｆ’線に沿ったカラーフィルター及びオーバーコート層の構造を示す概略断面図である。
図１９に示すように、変形例２では、画素Ｐは、例えば、２つのサブ画素１８Ｂと、それぞれ１つのサブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒを有する。画素Ｐにおいて、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８ＲとはＹ方向に配列している。サブ画素１８Ｂに対してＸ方向に隣り合ってサブ画素１８Ｇが配置されている。また、サブ画素１８Ｒに対してＸ方向に隣り合ってもう一つのサブ画素１８Ｂが配置されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおける開口部の大きさは同じであるが、画素Ｐには２つのサブ画素１８Ｂが含まれているため、実質的に青色の発光が得られる領域は大きくなっている。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置に対応してカラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒがそれぞれ独立して配置されている。このような着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの配置において、各着色層の膜厚を異ならせると、画素Ｐ内においてカラーフィルター３６上に複雑な段差が生じてしまう。変形例２では、図２０に示すように、上記第２実施形態と同様にして、カラーフィルター３６を覆うように第１のＯＣ層５１を形成した後に、例えば、平面視で着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なる位置において、第１のＯＣ層５１上に第２のＯＣ層５２をパターニング形成する。そうすると、平面視で着色層３６Ｇと着色層３６Ｂとに重なる位置においてカラーフィルター３６上にＹ方向に延在するストライプ状の凹凸としての複数の溝５２ａが形成される。したがって、変形例２の素子基板と対向基板４０とを貼り合わせる接着工程では、接着剤４１は複数の溝５２ａに従って押し広げられ、溝５２ａに気泡が混じり難くなる。なお、画素Ｐは３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを含むことに限定されず、例えば、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）以外に黄色（Ｙ）のサブ画素１８Ｙを含むとしてもよい。また、画素Ｐが合計で４つのサブ画素１８を含む形態であっても、上記第２実施形態で説明したように、カラーフィルター３６上に形成される複数の溝５２ａの延在方向はＹ方向に限定されず、Ｘ方向であってもよい。

（変形例３）上記第２実施形態では、第１のＯＣ層５１上において平面視でＹ方向に配列する着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとに重なる位置に第２のＯＣ層５２をパターニング形成したが、第２のＯＣ層５２の形成方法はこれに限定されない。カラーフィルター３６を覆って第１のＯＣ層５１を形成することから、接着工程では、カラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚の差の影響を受けなくなる。したがって、第２のＯＣ層５２をストライプ状に形成する方向は、Ｙ方向に限定されず、Ｘ方向であってもよい。また、画素Ｐごとにストライプ状の第２のＯＣ層５２を形成することに限定されず、この場合、第１のＯＣ層５１上において任意の間隔を空けて任意の幅のストライプ状の第２のＯＣ層５２を形成してもよい。

（変形例４）上記各実施形態の電気光学装置が適用される電子機器は、上記第４実施形態のヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）に限定されない。例えば、デジタルカメラなどの電子ビューファインダー、ヘッドアップディスプレイや携帯型情報端末の表示部などに好適に用いることができる。

以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。

本願の電気光学装置は、複数の発光素子と、複数の発光素子に対応して設けられたカラーフィルターとを有する第１基板と、第１基板に接着剤を介して対向配置される透光性の第２基板と、を備え、第１基板のカラーフィルター上の接着面にストライプ状の凹凸が設けられていることを特徴とする。

本願の構成によれば、第１基板と第２基板との接着において、接着剤はカラーフィルター上の接着面に設けられたストライプ状の凹凸に従って押し広げられる。したがって、カラーフィルターを構成する着色層の膜厚が例えば色ごとに異なってカラーフィルター上に複雑な段差が生じていたとしても接着剤の塗布むらや、接着剤に気泡が混ざる不具合を低減できる。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置を提供できる。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルター上に透光性のオーバーコート層を有し、オーバーコート層にストライプ状の凹凸が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、カラーフィルター上にオーバーコート層を設けることから着色層における膜厚の違いによって生ずる段差の影響を受け難くなる。すなわち、表示に影響を及ぼす気泡がより生じ難い電気光学装置を提供できる。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、オーバーコート層は、少なくとも３色の着色層のうち第１の方向に配列した着色層を覆うことが好ましい。
この構成によれば、少なくとも３色の着色層が設けられる画素ごとにオーバーコート層によってストライプ状の凹凸を実現できる。

また、上記の電気光学装置において、第１の方向に配列した着色層は、膜厚が異なる着色層を含むとしてもよい。
この構成によれば、第１の方向配列した膜厚が異なる着色層をオーバーコート層によって覆うことで、第１基板と第２基板との接着時に当該膜厚が異なる着色層の影響を受けなくなる。

また、上記の電気光学装置において、第１の方向に配列した着色層に対して第１の方向と交差する第２の方向に配列した着色層は膜厚が異なるとしてもよい。
この構成によれば、第１の方向に配列した着色層に対して第２の方向に配列した着色層の膜厚を異ならせることにより、カラーフィルター上の接着面に第１の方向に延在するストライプ状の凹凸を構成できる。

また、上記の電気光学装置において、オーバーコート層は、カラーフィルターを覆う第１のオーバーコート層と、第１のオーバーコート層上で第１の方向に延在する第２のオーバーコート層とを含み、第１のオーバーコート層と第２のオーバーコート層とにより、ストライプ状の凹凸をなすことが好ましい。
この構成によれば、第１のオーバーコート層によってカラーフィルターを覆うことから、カラーフィルターを構成する着色層において例えば色ごとに膜厚が異なっていたとしても、着色層の段差の影響を受けずに、第１基板と第２基板とを接着剤を介して接着できる。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、少なくとも３色の着色層のうち、色が異なる２つの着色層の膜厚を異ならせることによって、ストライプ状の凹凸をなすとしてもよい。

この構成によれば、カラーフィルター上の接着面には、色が異なる２つの着色層の膜厚を異ならせることによってストライプ状の凹凸が設けられている。よって、接着剤を用いて第１基板と第２基板とを接着する際に、凹凸にしたがって接着剤を押し広げて、接着剤に気泡が混じり難い状態で第１基板と第２基板とを接着することができる。

また、上記の電気光学装置において、カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、複数の発光素子が配置された発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層してなる遮光部を備えることが好ましい。
この構成によれば、発光領域の囲む位置に少なくとも３色の着色層を積層してなる遮光部が設けられているため、発光領域からの光漏れを遮光部で遮光して見栄えのよい表示を行える電気光学装置を提供できる。

本願の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、少なくとも３色の着色層のうち第１の方向に配列した着色層を覆って透光性のオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、オーバーコート層が形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備えたことを特徴とする。

本願の方法によれば、オーバーコート層形成工程において、カラーフィルター上の接着面に第１の方向に延在するストライプ状の凹凸を形成できる。したがって、接着工程では、当該ストライプ状の凹凸にしたがって接着剤を押し広げることができることから、カラーフィルターにおける着色層の膜厚に起因する段差の影響を受けずに、接着剤の塗布むらや接着剤に気泡が混じる不具合を低減して、第１基板と第２基板とを接着することができる。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置の製造方法を提供することができる。

本願の他の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、カラーフィルターを覆う透光性の第１のオーバーコート層を形成し、第１のオーバーコート層上に第１の方向に延在する透光性の第２のオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、第１のオーバーコート層及び第２のオーバーコート層が形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備えたことを特徴とする。

本願の他の方法によれば、オーバーコート層形成工程では、カラーフィルターを覆って第１のオーバーコート層を形成し、さらに第１のオーバーコート層上に第２のオーバーコート層を形成することによって、カラーフィルター上の接着面に第１の方向に延在する第２のオーバーコート層によりストライプ状の凹凸を形成できる。したがって、接着工程では、当該ストライプ状の凹凸にしたがって接着剤を押し広げることができることから、カラーフィルターにおける着色層の膜厚に起因する段差の影響を受けずに、接着剤の塗布むらや接着剤に気泡が混じる不具合を低減して、第１基板と第２基板とを接着することができる。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置の製造方法を提供することができる。

本願の他の電気光学装置の製造方法は、複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、第１基板の複数の発光素子が配置された発光領域に亘って複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、封止層上に、複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、カラーフィルターが形成された第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備え、カラーフィルター形成工程では、少なくとも３色の着色層のうち、第１の方向に配列するように第１の着色層と第２の着色層とを形成し、第１の方向と交差する第２の方向に第１の着色層及び第２の着色層と隣り合って配列し、第１の着色層及び第２の着色層に対して膜厚が異なる第３の着色層を形成することを特徴とする。

本願の他の方法によれば、カラーフィルター形成工程において、第１の方向に配列する第１の着色層と第２の着色層とに対して、第２の方向に隣り合って膜厚が異なる第３の着色層を形成することから、カラーフィルター上において第１の方向に延在するストライプ状の凹凸が形成される。したがって、接着工程では、当該ストライプ状の凹凸にしたがって接着剤を押し広げることができることから、カラーフィルターにおける着色層の膜厚に起因する段差の影響を受けずに、接着剤の塗布むらや接着剤に気泡が混じる不具合を低減して、第１基板と第２基板とを接着することができる。つまり、表示に影響を及ぼす気泡が生じ難い電気光学装置の製造方法を提供することができる。

上記の電気光学装置の製造方法において、カラーフィルター形成工程では、発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成することが好ましい。
この方法によれば、発光領域の囲む位置に少なくとも３色の着色層を積層してなる遮光部が形成されるため、発光領域からの光漏れを遮光部で遮光して見栄えのよい表示を行える電気光学装置を製造することができる。

また、上記の電気光学装置の製造方法において、カラーフィルター形成工程では、発光領域を囲む位置に、少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成し、オーバーコート層形成工程では、遮光部の内側にオーバーコート層を形成することが好ましい。
この方法によれば、遮光部と発光領域に設けられたカラーフィルターとの間に生ずる段差をオーバーコート層で緩和することができる。したがって、接着工程では、接着剤は容易に遮光部を乗り越えて広がることができ、遮光部とカラーフィルターとの段差で接着剤に気泡が混じることを低減することができる。

本願の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本願の構成によれば、少なくとも発光領域に気泡を含み難い自発光型の電気光学装置を備えていることから、見栄えのよい表示が可能な電子機器を提供することができる。

１０…第１基板としての素子基板、３０…発光素子としての有機ＥＬ素子、３４…封止層、３６…カラーフィルター、３６ａ…ストライプ状の凹凸としての溝、３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ…着色層、３６Ｓ…遮光部、４０…透光性の第２基板としての対向基板、４１…接着剤、５０…オーバーコート層、５０ａ，５０ｂ…ストライプ状の凹凸としての溝、５１…第１のオーバーコート層、５２…第２のオーバーコート層、５２ａ…ストライプ状の凹凸としての溝、Ｅ１…発光領域としての表示領域。

Claims (12)

1. 複数の発光素子と、前記複数の発光素子に対応して設けられたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に透光性のオーバーコート層とを有する第１基板と、
   前記第１基板に接着剤を介して対向配置される透光性の第２基板と、を備え、
   前記第１基板の前記オーバーコート層上の接着面にストライプ状の凹凸が設けられている、電気光学装置。
2. 前記カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、
   前記オーバーコート層は、前記少なくとも３色の着色層のうち第１の方向に配列した着色層を覆う、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１の方向に配列した着色層は、膜厚が異なる着色層を含む、請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１の方向に配列した着色層に対して前記第１の方向と交差する第２の方向に配列した着色層は膜厚が異なる、請求項２または３に記載の電気光学装置。
5. 前記オーバーコート層は、前記カラーフィルターを覆う第１のオーバーコート層と、前記第１のオーバーコート層上で第１の方向に延在する第２のオーバーコート層とを含み、
   前記第１のオーバーコート層と前記第２のオーバーコート層とにより、前記ストライプ状の凹凸をなす、請求項１に記載の電気光学装置。
6. 前記カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、
   前記少なくとも３色の着色層のうち、色が異なる２つの着色層の膜厚を異ならせることによって、前記ストライプ状の凹凸をなす、請求項１に記載の電気光学装置。
7. 前記カラーフィルターは、少なくとも３色の着色層を含み、
   前記複数の発光素子が配置された発光領域を囲む位置に、前記少なくとも３色の着色層を積層してなる遮光部を備えた、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、
   第１基板の前記複数の発光素子が配置された発光領域に亘って前記複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、
   前記封止層上に、前記複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、
   前記カラーフィルターを覆う透光性の第１のオーバーコート層を形成し、前記第１のオーバーコート層上に第１の方向に延在する透光性の第２のオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程と、
   前記第１のオーバーコート層及び前記第２のオーバーコート層が形成された前記第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備えた、電気光学装置の製造方法。
9. 複数の発光素子と、カラーフィルターとを備えた電気光学装置の製造方法であって、
   第１基板の前記複数の発光素子が配置された発光領域に亘って前記複数の発光素子を封止する封止層を形成する封止層形成工程と、
   前記封止層上に、前記複数の発光素子に対応して少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルター形成工程と、
   前記カラーフィルターが形成された前記第１基板と、透光性の第２基板とを接着剤を用いて接着する接着工程と、を備え、
   前記カラーフィルター形成工程では、前記少なくとも３色の着色層のうち、第１の方向に配列するように第１の着色層と第２の着色層とを形成し、前記第１の方向と交差する第２の方向に前記第１の着色層及び前記第２の着色層と隣り合って配列し、前記第１の着色層及び前記第２の着色層に対して膜厚が異なる第３の着色層を形成する、電気光学装置の製造方法。
10. 前記カラーフィルター形成工程では、前記発光領域を囲む位置に、前記少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成する、請求項８または９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記カラーフィルター形成工程では、前記発光領域を囲む位置に、前記少なくとも３色の着色層を積層して遮光部を形成し、
    前記オーバーコート層形成工程では、前記遮光部の内側に前記オーバーコート層を形成する、請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。

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