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TW583480B - Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof - Google Patents

Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof Download PDF

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TW583480B
TW583480B TW090121487A TW90121487A TW583480B TW 583480 B TW583480 B TW 583480B TW 090121487 A TW090121487 A TW 090121487A TW 90121487 A TW90121487 A TW 90121487A TW 583480 B TW583480 B TW 583480B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
insulating layer
substrate
crystal panel
Prior art date
Application number
TW090121487A
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English (en)
Inventor
Yohei Nakanishi
Hidefumi Yoshida
Takashi Sasabayashi
Yasutoshi Tasaka
Tetsuya Fujikawa
Original Assignee
Fujitsu Display Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Fujitsu Display Tech filed Critical Fujitsu Display Tech
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Description

83480 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明係關於一種能夠減少餘輝程度的液晶顯示器 (LCD)面板及其開發方法。 相關技術之描述 第3 1和3 2圖各係顯示一 l C面板之一像素的結構之構 造截面圖。第31圖顯示不施加電壓的狀態，且第32圖顯示 施有一電壓的狀態。 LCD面板包括彼此相對的基體1〇和2〇，且一封入線式 液晶30具有一非等方性介電正常數。在基體1〇中，在例如 一玻璃基體的透明絕緣基體11之一面上形成一平坦電極 12、一介電層13和一垂直定向層14,且在其另一面上形成 一極化層15。在基體20中，在例如玻璃基體的一透明基體 21之一面上形成一共同電極23 ,其上形成一絕緣層24，一 像素電極25形成在絕緣層24上，且其上更形成一絕緣層％ 和一垂直疋向層27。在基體21之另一面上，形成一極化層 28。極化層15和28之透射軸彼此垂直地交越。 當背光以由第31圖中之箭頭顯示的方向進入LCD面板 時，光由極化層28轉變成線性極化光。當平坦電極12、共 同電極23、和像素電極具有相同電位時，液晶川在線性極 化光之極化平面上並無改變，且因此線性極化光無法透過 極化層15，導致黑暗狀態。 當如第32圖顯示地平坦電極和共同電極23有相同電 位、但像素電極25施有與前兩電極不同的一電位時，引起 一電場。第32圖之點線顯示電力線。液晶分子在電場之影 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| 83480 A7 I--B7 _ 五、發明説明（2 ) f下相對於人射光方法而傾斜以引起雙折射，且部份之光 可透過極化層15，導致光亮狀態。 因為共同電極23和像素電極25係由不透明金屬製成， 液晶分子在電極上之行為在顯示上沒有問題。 #平坦電極12不存在，在像素電極和共同電極23間的 〉夜晶分子傾向縮減其傾斜度，其將產生透射率之落下區。 平坦電極12使共同電極23和像素電極25間的電場不對稱、 Μ防止透射率局部地掉落。介電層13強化液晶对的電場 <橫向分量，使液晶30可能用較低施加電壓來驅動。共同 f極23和像素電極25各係以垂直於第32圖之紙張的方向而 延伸之條帶電極，且交替地形成在絕緣層24之上和下表面 ϋ緣層24係用來防止共同電極和像素電極於將稍後描 I的兩者重疊之位置處的短路。絕緣層26係用來縮減餘輝 程度。 帛33圖顯示形成在第_之基義中的—像素之電極 ffi型。第34和35®分別為第33圖之像素電極25和共同電極 23的圖型。 、 ^在第33圖中，一資料線DL1和一掃描線SL1以一絕緣層 設置於其間地彼此交越。各個像素電極乃和共同電極U具 彳-條帶部段和連接條帶部段之端㈣_周邊部段。條帶 I σ卩#又之線條與各掃描線SL1和資料線DL1呈45度角。 當掃描線SL1之電位變高時，丁FT 29導通來把資料線 | dL1之電位施於像素電極25上、且在像素電極25和共同電 極23之條帶電極間產生一電場。條帶電極之上半部的縱向 ΐ紙張尺度_ (⑽）顯格（2歡297公楚)—— --
% (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、? 583480 A7 p--------B7_________ 五、發明説明（3 ) 如第33@顯示地與條帶電極之下半部者偏差⑽度，藉此 LCD面板比條帶電極之兩半部彼此平行之情形中有更寬的 視角範圍。 ，、同電極23 A具有連接至未顯示之相鄰像素的共同電 極之周邊突塊。 第36(A)圖係接近第33圖之一條帶電極和周邊部段的 —交越狀放大部份圖。第36(刚在―電壓祕像素電極 25和共同電極23時用點線來顯示接近交越點的電力線。 料或共同電極之-周邊部段具有對共同或像素之條 帶電極的交越部份、以絕緣層設置於其間，因一像素具有 矩形、且各個像素電極25和共同電極23具有彼此平行的條 帶電極且具有—連續形狀。例如，像素電極25之-側面251 連接至周邊部段之—側面252，且共同電極此—側面Mi 平仃於側面251，同時側面231以一銳角來交越側面252。 第37圖係顯示在一電壓施於其間時在lcd面板之一像 t的像素電極25和共同電極23間之液晶分子的傾斜度之構 造截面圖。 在第32圖中，在像素電極25和液晶3〇間的一結構係不 同於在共同電極23和液晶30間者，其引起餘輝。 在第36(B)圖中，因為側面252以銳角來交越側面231 , | 故其間罪近交越點的電場比在平行側面間者強。再者，靠 近^越點的電場強度之方向不同於在平行側面間者。由於 此等情況，靠近交越點的透射率-電壓特性與在平行部份間 者不同，不只引起影像品質之降級也引起餘輝。 ^張尺度^^家群_ A4規格⑵GX297公釐)~-7—--- 583480 A7 ____B7 I五、發明説明（4 ) ~· 一 -- 在第37圖巾，因為絕緣層26存在像素電極25上方，在 ㈣份中施加電場沒有用、且防止電場對液晶3〇的有效施 加。若省略絕緣層26來解決此問題，則它因垂直定向層η 之絕緣電阻很低而引起更多餘輝。若像素電極叫露於液 ㈣’則不只加強餘輝之程度、液晶分子也分解。再者， 目為像素電極25之上表面係平坦，不可能把與透射率相對 電場有效率地施於液㈣，其防止達成較高的對比顯 示。 «發LCD面板中，當LCD面板之結構或材料被改變 以把餘輝程度減少到低於一給定值的一數值時，以各種試 驗來實施餘輝程度之量測，且在各試驗中花費例如48小時 來測量餘輝程度，其使開發日期較長。 發明之概要 緣是，本發明之一目的係提供能夠減少餘輝程度的液 晶顯示器面板。 在本發明之一層面中，提供有一種液晶面板，包含有： | 第一和第二基體；及設置在該等第一和第二基體間的液 晶；該第一基體包含：一絕緣基體；第一和第二電極，形 成在該絕緣基體上方、讓一顯示電壓施加於其間；以及一 第一絕緣層，覆蓋該等第一和第二電極；其中該第一電極 相對於自該絕緣基體朝向該第二基體之一方向而設置得高 於該第二電極，且該等第一和第二電極彼此重疊、有一第 二絕緣層於一重疊部份處而設置於其間，其中在該第一電 極上的該第一絕緣層之厚度大致等於在該第二電極上的該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) "I—"ηΓΖ-
、訂| (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 3480 五、發明説明（5 ) 絕緣層者。 用此組態，當電壓信號施於第—和第二電極間時，越 .過第-和第二電極的電氣狀態幾乎相同，藉此相較於厚度 如第31圖顯示地彼此不同之一情形而減少餘輝。 從與附圖連結取用的下面詳細描述，本發明之其他層 面、目的及優點將變得明顯。 1式之簡單描述 第1圖係使用在本發明之一方法中的液晶顯示器I置 之構造電路圖； 第2(A)和2(B)圖係說明餘輝程度； 第3圖係顯示施於一液晶像素上、具有—ac幅度— 和一 DC分量Vdc的電壓波形之圖； 第4圖係顯示在AC幅度％〇為2¥且〇(：：分量為 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第5圖係顯示在AC幅度Vac為2V且DC分量為Jv 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第6圖係顯不在AC幅度％〇為2v且Dc分量為_1V 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第7圖係顯示在AC幅度Vac為2 V且DC分量Vdc為-0.5 V 之隋形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第8圖係顯示在AC幅度Vac為2乂且DC分量為〇^之 情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第9圖係顯示在AC幅度Vac為2从且〇(：分量為〇·5ν 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 本紙張尺度顧中國國家標準（CNS) Μ規格（21QX297^J^
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 83480 A7 -------B7 五、發明説明（6 ) 第1 〇圖係顯示在AC幅度Vac為2 V且DC分量Vdc為1V 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第11圖係顯示在AC幅度Vac為2V且DC分量Vdc為2V 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第12圖係顯示在AC幅度Vac為2V且DC分量Vdc為3V 之情形中的液晶像素之所測量透射率波形的圖； 第13圖係顯示在AC幅度Vac為2 V之情形中DC分量Vdc 和液晶像素透射率之變化寬度△T間的一經測量關係之 圖； 第14圖係顯示在液晶像素透射率之變化寬度△ τ係最 小值的AC幅度Vac和DC分量之值Vdc間的一經測量關係之 圖； 第15圖係顯示在一餘輝程度和最佳Dc分量變化△ vdc 之範圍間的一經測量關係之圖； 第16圖係顯示在根據本發明的第二實施例之不施有電 壓的狀態中能夠減少餘輝程度之一液晶像素的結構之構造 截面圖； 第17圖係顯示在施有一電壓之狀態中第16圖之液晶像 素的構造截面圖； 第18(A)]8(F)圖係顯示第16圖之基體2〇A之製程的構 造截面圖。 第19圖係顯示在根據本發明的第三實施例之能夠減少 餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平視圖； 第20圖係顯示第19圖之像素電極的平面圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
583480 A7 ---~__ B7____ 五、發明説明（7 ) 第21圖係顯示第19圖之共同電極的平面圖； 第22(A)圖係#近第19圖之-條帶電極和周邊部段的 .交越點之放大部份圖； 第22(B).圖係在-電壓施於第22(A)圖之電極間用點線 來顯示靠近交越點之電力線的圖； 帛23圖係顯示在根據本發明的第四實施例之能夠減少 餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平面圖； 第24圖係顯示第23圖之共同電極的平面圖； 第25圖係顯示在根據本發明的第五實施例之能夠減少 餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平視圖； 第26圖係顯示第25圖之共同電極的平面圖； 第27圖係顯示在根據本發明的第六實施例之彼此相鄰 I 的兩液晶像素之一電極圖型的平面圖； 第28圖係沿著第27圖之A-A線採用的放大截面圖； 第29(A)-29(C)圖係顯示在背光入射側上的一基體之 製程的構造截面圖； 第30(A)和30(B)圖係顯示第29圖後面的製程之構造載 面圖； 第3 1圖係顯示相較於本發明在不施有電壓之狀態中的 LCD面板之一像素的結構之構造截面圖； 第32圖係顯示在施有一電壓之狀態中第31圖之像素的 構造截面圖； 第33圖係顯示形成在第31圖之基體2〇中的一像素之電 極一 本紙張尺度賴巾關讀準（CNS) A4規格（21GX297公釐) -~1〇^- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
583480 五、發明説明（8 ) 第3 4圖係顯示第3 3圖之像素電極的平面圖； 第35圖係顯不第33圖之共同電極的平面圖； 第36(A)圖係靠近第33圖之電極間的交越點之圖型的 放大部份圖； 第36(B)圖係在一電壓施於第36(A)圖之電極間用點線 來顯示電力線的圖；及 第3 7圖係顯示一習知技術lcd面板在一電壓施於其間 時一像素之像素電極和共同電極間的液晶分子之傾斜度的 構造截面圖。 較佳實施例之描沭 現在請參考圖式，其中相同參考標號指定遍及數個圖 式的相同或對應元件，本發明之較佳實施例描述於下。 [第一實施例] 首先’將描述能夠縮減具有/使用能夠減少餘輝程度的 結構/材料之LCD面板的開發日程之一開發方法。 第1圖係使用在根據本發明之一方法中的液晶顯示器 裝置之構造電路。第i圖顯示一像素陣列因簡化而具有3列 和6行的一情形。 電路本身係與習知技術者相同。如第3 1圖顯示地形成 在第1圖中的資料線DL1、掃描線SL1、TFT 29、像素電極 25、共同電極23、和一平坦電極12。平坦電極丨2設予所有 像素電極。掃描線連接於一掃描驅動器3丨之輸出，且資料 線連接至一資料驅動器32之輸出。控制電路33根據像素時 鐘CLK和一水平同步信號HSYNC來控制資料驅動器32，且 11 本紙張尺度適时關家標準（CNS) A4規格⑽χ297公爱） 583480 A7 I----- —_B7___ 五、發明説明（9 ) 也把一視訊信號VS提供到資料驅動器32，且更根據水平同 步信號US YNC和一垂直同步信號VSYNC來控制掃描驅動 w 3 1。像素陣列之列由掃描驅動器3 1來逐線選擇，且顯示 ΐ料（階度電壓組）由資料驅動器3 2來提供到經選擇列之 像素。 第2圖係說明餘輝程度。 例如’考慮各像素之顯示資料具有一 64步級階度，白 色對應於六十四階度且黑色對應於第一階度。餘輝程度被 界定如下： (Α)包括白色和黑色的一固定圖型被顯示例如料小時。 (Β)緊接其後，三十二階度之半色調被顯示，且在步驟 ⑷中顯示有白色和黑色的個別區中之亮度Bmw和此匕被 測量。用下式來計算餘輝程度PD: PD=l〇〇(Bmw-Bmb)/Bm% I 其中Bm係Bmw和Bmb中之較小者。 在步驟（B)中，為了不由人類來認知餘輝，一餘輝程度 在室内的普通照明下必須不小無6%、且在暗室中不小於 3%。 ' 餘輝程度根據LCD面板之結構和材料而不同。在開發 一 LCD面板中，若當LCD面板之結構或材料被改變以把餘 I 7程度減少到低於-給定值的—數值時，以各種試驗來測 量餘輝程度，且在各試驗巾花費例如48小時來測量餘輝程 度，=使開發曰期較長。因此，有效地來尋找具有與餘輝 程度高相關性、且可以短時間來測量的一實體品質。 i張尺度適用中國國家標準⑽)A4規格⑵〇χ297公釐)—--- -------------------------- % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^τ— 583480 A7
五、發明説明（η ) u vac間的 改時來測量餘輝程^ =每當LCD面板之結構或材料更 的叮主 度和最佳DC分量變化範圍AVdc而獲得 的:。可以看到在餘輝程度 _ 取佳1^刀里變化乾圍△ Vdc間 0南相互關係。再者撼 丹言據發現到為了把餘輝程度降到 小於上述的6%，最祛nr八曰 敢佳DO刀1變化範圍△ Vdc&須小於 〇.5V ’且為了把餘輝程度降到小於上述的3%，最佳DC分 必須小於〇第 ^ 因為备可輕易在短時間内來測量最佳沉分量變化範圍 亡Vdc，藉由使用請。可能以餘輝程度小於一給定值地來 縮減LCD面板之開發日程。 凊注意到據轉認即使在具有無平坦電極12地使用像素 電極25和共同電極23、和無共同電極23地錢像素電極25 和平坦電極12之結構的LCD面板中，在最佳Dc分量變化範 圍AVdc和餘輝程度間仍有高的相互關係，且因此在具有 其他結構的LCD面板間將有一相似關係。 [第二實施例] 第16和17圖係顯示在根據本發明的第二實施例之能夠 減少餘輝程度之一液晶像素的結構之構造截面圖，其中第 16圖顯示不施有電壓之狀態而第17圖顯示在施有一電壓之 狀態中。 基體20A之結構係與第31圖之基體2〇者不同。其他結 構係與第31圖者相同。 第18圖係顯示基體20A之製程的構造截面圖。在第18 圖中’（A)至（F)之右端部份指出共同電極23A和像素電極 583480 A7 B7 五、發明説明（l2 ) 25A有一絕緣層24A插置其間來堆疊的地方。 (A) 由金屬製的共同電極23 A以微影來形成在一透明 絕緣基體21上。 (B) —絕緣層24塗覆在基體21上。 (C) 一像素電極25A以微影來形成在絕緣層24上。 (D) 用像素電極25A作為光罩來蝕刻絕緣層24，且只留 下其在像素電極25A下方的部份。 (E) —絕緣層26A塗覆在基體21上。 (F) —垂直定向層27塗覆在絕緣層26A上。 藉由如此地製造基體20A，如第16圖顯示地，絕緣層 26A越過像素電極25 A之厚度大致等於越過共同電極23 A 者。因此，在矩形波之一 AC電壓施於像素電極25 A和共同 電極23A間之情形中越過和靠近共同電極23A及越過和靠 近像素電極25A的電氣狀態幾乎相同，且相較於具有第31 圖之結構的一LCD面板、餘輝被減少。換言之，第15圖之 最佳DC分量變化範圍AVdc減少，且藉此餘輝程度變得較 低。 絕緣層24A和26A係由例如SiNx、Si02、光組或丙烯酸 樹脂所製成。在一試驗中，SiNx被使用為絕緣層24A和 26A，由JSR公司製的JALS 204被用為垂直定向層27,且由 Merck日本公司製的ZLI4535被用為液晶30，且試驗專題之 餘輝程度減少效果被確定。 [第三實施例] 第19圖係顯示在根據本發明的第三實施例之能夠減少 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 15 請 先 閲 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 583480
餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平視圖，其類似於第 33圖。 電極圖型係形成例如在第16圖之基體2〇A或第31圖之 基體20中。 第20和21圖係顯示第19圖之像素電極25A和共同電極 23A的平面圖，其分別類似於第34和35圖。 像素或共同電極之一周邊部段具有對共同或像素之條 帶電極的交越部份、以絕緣層設置於其間，因一像素具有 矩形、且各個像素電極25A和共同電極23A具有彼此平行的 條帶電極且具有一連續形狀。例如，像素電極25A之一側 面251連接至周邊部段之一側面252，且共同電極23 a之一 側面231平行於側面251，同時側面252和232彼此交越地分 別連接於側面251和231。 第22(A)圖係靠近電極的交越點之放大部份圖；第 22(B)圖在一電壓施於像素電極25A和23A間時用點線來顯 示電力線。 因為側面252和232以鈍角來彼此交越，電力線之集中 度減少’且藉此它被壓制使一電場強度相較於側面252和 232如第36(A)圖顯示地以銳角來彼此交越之情形、可變得 較大。 再者’關於通過於側面251和23 1的一線SA，側面251 和252分別對稱於側面231和232,導致在側面252和232間的 電場向量之方向平行於在側面251和231間者。 據此’透射率靠近電極交越點的快速改變分佈被減 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 16 請 閲 背 意 事
訂 五、發明説明（Η ) 幸工，結果疋顯示影像品質被改善且餘輝程度減少。這在以 相同方式的其他電極交越處也真實。 4驗液晶面板以其他條件係與那些上述試驗例子者相 同來使用第19和33圖兩者之電極圖型而製造，且經確認使 用第19圖之電極圖型的液晶面板具有比使用第33圖之電極 圖型者更低的餘輝程度。 [第四實施例] 第23圖係顯示在根據本發明的第四實施例之能夠減少 餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平面圖，其類似於第 19圖。第24圖係顯示第23圖之共同電極23B的平面圖，同 時像素電極25A係與第23圖者相同。 在共同電極23B之周邊部段中，以確定共同電極23B之 本體來形成切除部份23扪至23則。切除部份23]81至23則 之位置係各靠近共同電極23B和像素電極25A間的交越處。 在不存在這些切除部份之情形中，在當施加一電壓時 這些部份和像素電極25A之對應部份間的一非顯示區中引 起一電場，其影響在靠近非顯示區的顯示區中之液晶分子 的指向。此不利影響由切除部份來改善，導致相較於第三 實施例者、改善顯示影像品質且減少餘輝程度。 [第五實施例] 第25圖係顯示在根據本發明的第五實施例之能夠減少 餘輝程度之液晶像素之一電極圖型的平視圖，其類似於第 33圖。第26圖係顯示第25圖之共同電極23C的平面圖，同 時像素電極25係與第34圖者相同。 583480
五、發明説明（is) 在共同電極23C之中，以確定共同電極23C之本體來形 成切除部份23B1至23B8。由與上述第四實施例者相同的理 由來導致相較於第23圖之結構、改善顯示影像品質且減少 餘輝程度。 [第六實施例] 第2 7圖係顯示在根據本發明的第六實施例之彼此相鄰 的兩液晶像素之一電極圖型的平面圖，其中兩像素具有相 同圖型。 共同電極23D和像素電極25D之圖框部段彼此重疊，有 一絕緣層插置其間。共同電極23D之條帶電極部段係形成 在像素電極25D之條帶電極下方和其間，且因此共同電極 23D之條帶電極部段係大於像素電極25D者之兩倍。 第28圖係沿著第27圖之A_A線採用的放大截面圖。 與第32圖之液晶像素的不同點係像素電極25]〇之條帶 電極在交叉部段中為凸出，且一絕緣層26D只形成在像素 電極25D之條帶電極上、而沒有絕緣層形成在共同電極23d 和像素電極25D之條帶電極間的顯示區上。垂直定向層27 比絕緣層26D薄，因此用第28圖之粗線來描寫。 因為像素電極25D之條帶電極在交叉部段中為凸出， 其上表面以最大高度於中央地朝兩側傾斜。為了形成此一 凸出形狀，不像第32圖地，在像素電極25D之各條帶電極 下方形成有共同電極23D之一條帶電極，其中共同電極23]〇 之此條帶電極具有比像素電極25D者窄的寬度。為了強調 此凸出形狀，一通道保護層41被部份地去除而留下越過共 本紙張尺度適用巾ϋΗ家標準（CNS) A4規格（210><297公^〇 ' :"""^ --- 五、發明説明（l6 ) 同電極23D之條帶電極的部份，其中通道保護層41係在形 成第27圖之TFT29時被形成，且具有比置於下方之 極窄的寬度。 用具有在交又部段中的一凸出形狀之此一結構，電力 線在-電壓施於像素電極25D和共同電極23〇間時變為以 第28圖之點線顯示者。亦即’因為靠近像素電極之一 斜率的電力線正交於該斜率，液晶分子相對於基體21之表 面的法線之傾斜度變得較大，其相較於第32圖之情形中地 增加白色顯示之透射率，藉此改善顯示對比。 再者，因為像素電極25D和絕緣層26D之圖型彼此相 同且’又有絕緣層26D存在於像素電極25D和共同電極23D 之條帶電極間的顯示區中，故相較於第32圖之情形，一電 #被更有率地使用H曰曰分子i，在才目同施力口電壓下與 第32圖之情形相較、導致改善顯示對比。 再者，因為液晶分子不直接接觸像素電極25D，液晶 分子之分解被防止，且餘輝程度也減少。 第29和30圖係顯示在背光入射側上的一基體之製程的 構造截面圖’且各部段對應於沿著第27圖之b-b線採用 者。製程將描述於下。 (A) 都由金屬製的一共同電極23D和一掃描（閘極）線 SL1以微影來形成在基體21上。 (B) 在基體21上形成有一絕緣層24、一本質半導體層 42、和一通道保護層41。 (C) 通道保護層41以微影來部份地去除而只留下越過 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) μ規格（210><297公爱） 583480 A7 B7五、發明説明（Π ) 掃描線SL1和共同電極23D之部份。 (D) — n+雇43、一傳導層25D和一絕緣層26D形成在半 導體層42上，且這些層被蝕刻成相同圖型、不只形成越過 掃描線SL1的TFT 29之源極S和汲極0也同時地形成越過共 同電極23D之條帶電極的像素電極25D和絕緣層26D之條 帶電極。傳導層25D具有如Ti/Al/Ti的傳導層25a、25b和 25c。如果只有A1層被使用為電極25D，則A1擴散到n+半導 體層43中，因此一 Ti層被使用來避免此擴散，同時若只有 Ti層被使用，則電阻值變大，且因此也使用A1層。絕緣層 26D係藉由DVD而形成的一氮化石夕層或氧化石夕層。 請注意到若Ti/Al的兩層結構被使用為像素電極25D且 氮化鋁被使用為絕緣層26D，則這些層可由一濺鍍裝置來 連續地成長，導致縮減的製程之步驟數目。再者，作為絕 緣層26D，用來圖型化的光阻可留下來越過共同電極23D 之條帶電極。 (E) 用第30圖之粗線晝的一垂直定向層被塗覆在絕緣 層24和26上。 根據第六實施例，因為藉由形成TFT 29,像素電極25D 和絕緣層26D之各在交叉部段中具有凸出形狀的條帶電極 也同時地形成，無需增加製程之步驟來形成像素電極25D 和絕緣層26D。 雖然已描述了本發明之較佳實施例，請暸解到發明不 限於此且可做各種改變和修正而不偏離本發明之精神和範 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 20 583480 A7 B7 五、發明説明（I8 ) 元件標號對照 10、 20、20A、20D."基體 11、 21...透明絕緣基體 12.. .平坦電極 13.. .介電層 14、 27…垂直定向層 15、 28...極化層 23、23A-D...共同電極 23B1-23B8··.切除部份 24 ^ 24A ^ 26 ^ 26A ^ 26D ...絕緣層 25、25A-D...像素電極 29.. .TFT 3 0…液晶 3 1...掃描驅動器 32.. .資料驅動器 33…控制電路 41.. .通道保護層 42…半導體層 43.. .n+半導體層 23卜 232、25卜 252·.·側面 DL1…資料線 SL1...掃描線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 21

Claims (1)

  1. 583480 s A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1· 一種液晶面板，包含有：第一和第二基體；及設置在該 等第一和第二基體間的液晶；該第一基體包含：一絕 緣基體；第一和第二電極，形成在該絕緣基體上方、讓 一顯不電壓施加於其間；以及一第一絕緣層，覆蓋該等 第一和第二電極； 其中該第一電極相對於自該絕緣基體朝向該第二 基體之一方向而設置得高於該第二電極，且該等第一和 第二電極彼此重疊、有一第二絕緣層於一重疊部份而設 置於其間， 其中在遠第一電極上的該第一絕緣層之厚度大致 等於在該第二電極上的該絕緣層者。 2·依據申請專利範圍第1項之液晶面板，其中該第二電極 係形成在該絕緣基體上。 3· —種液晶面板，包含有：第一和第二基體；及設置在該 等第一和第二基體間的液晶；該第一基體包含：一絕 緣基體，第和第二電極，形成在該絕緣基體上方、讓 -顯示電壓施加於其間；以及一第一絕緣層，設置在該 等第一和第二電極間； 其中該第一電極具有彼此相鄰的第一和第二側 面，該第二電極具有彼此相鄰的第一和第二側面，該第 -電極之該第一側面以一鈍角來交越該第二電極之該 第一側面，且該第-電極之該第二側面平行於該第二電 極之該第二側面。 4.依據申請專利範圍第3項之液晶面板，其中在平面圖 fa® (cn^A4 ^ (2i^ x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再«I寫本頁) Ψ t填寫本 訂---------線 22 A8 B8 C8 D8
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中’该第一電極之兮楚 . 之4第一側面相關於通過該交越處的一 直線而大致對稱於該第二 兮H P 一電極之该苐一側面、且平行於 μ 和弟二電極之該等第二側面。 5.:據申請專利範圍第3項之液晶面板，其中在平面圖 、亥弟-電極不具有與該第二電極之該第一側面重疊 的側面’且該第二電極不具有與該第—電極之該第一侧 面重疊的側面。 :種液晶面板’包含有：第—和第二基體；及設置在該 專第-和第二基體間的液晶；該第一基體包含：一絕 緣基體：以及第一和第二電極，形成在該絕緣基體上 方、讓一顯不電壓施加於其間； 其中該第-電極相對於自該絕緣基體朝向該第二 土體之方向而叹置得高於該第二電極，該等第一和第 -電極彼此重疊、有_第_絕緣層於—重疊部份而設置 於其間，且該第-電極具有在交叉部段中凸出的一上表 面。 7. 依據申請專利範圍第6項之液晶面板，其中於該重疊 ί刀。玄第一電極具有比該第一電極者窄的寬度。 8. 依據申請專利範圍第6項之液晶面板，其中於該重疊 伤、亥第-基體更包含插置於該第一絕緣層和該第一 極間的-材料，且該材料具有比該第一電極者窄的寬 度。 9·依射請專利範圍第6項之液晶面板，其中於該重疊部 份’該第-基體更包含播置於該第—絕緣層和該第一電 6. 部 部 電 (請先閱讀背面之注意事項 ___ 再β寫本頁) 訂---------線，·· 297公釐） 23 583480 韶 C8 _______D8 六、申請專利範圍 極間的一材料，且該材料具有比該第-電極者窄的寬 度。 H).依據申請專利範圍第9項之液晶面板，其中該材 通道保護層。 11.依據中請專利範圍第6項之液晶面板，其中該第一電極 覆蓋有-第二絕緣層、且該第二絕緣層Λ致不形成於該 等第一和第二電極間的一顯示區中。 、以 12·依射請專利範圍第7項之液晶面板，其中該第一電極 覆蓋有-第二絕緣層、且該第二絕緣層Α致不形成於該 等第一和第二電極間的一顯示區中。 X 13. 依據申請專利範圍第8項之液晶面板，其中該第一電極 覆蓋有一第二絕緣層、且該第二絕緣層大致不形成於該 等第一和第二電極間的一顯示區中。 14. 一種液晶面板開發方法，該液晶面板包含有：第一和第 二基體；該第一基體包括一第一電極，該第一或第二基 體包括一第二電極，該等第一和第二電極係讓一顯示^ 壓施加於其間；及插置於該等第一和第二基體間的液 晶；該方法包含下列步驟： 把一電壓信號施加於該第一電極和該第二電極 間，該電壓信號係由一個AC電壓分量和一個〇(：電壓分 量Vdc組成，該AC電壓分量具有一幅度Vac; 改變該幅度Vac和該DC電壓分量Vde來測量最佳 DC分量變化△ Vdc之範圍；及 決定該液晶面板之一結構或材料，使得最佳Dc八 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再«(寫本頁) ^寫本π 訂---------線·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24 j^48〇 A8 B8 C8 D8 六 、申請專利範圍 量變化△ Vdc之該範圍變得小於一給定值； 其中最佳DC分量變化△ vdc之該範圍被界定為 △ Vdc=|Vdcb-Vdcw|， 其中Vdcb係在使該幅度Vac固定於用來顯示黑色 的一數值來改變該DC電壓分量Vdc時透射率之範圍為 最小值的該DC電壓分量Vdc之數值， 其中Vdcw係在使該幅度Vac固定於用來顯示白色 的一數值來改變該DC電壓分量Vdc時透射率之範圍為 最小值的該DC電壓分量Vdc之數值。 15.依據申請專利範圍第14項之方法，其中該給定值係等於 或小於0.5V。 (請先閱讀背面之注意事項再 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱 25 --------訂---------線 本頁)
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