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TW580680B - Liquid crystal display device - Google Patents

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Publication number
TW580680B
TW580680B TW091108137A TW91108137A TW580680B TW 580680 B TW580680 B TW 580680B TW 091108137 A TW091108137 A TW 091108137A TW 91108137 A TW91108137 A TW 91108137A TW 580680 B TW580680 B TW 580680B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
circuit
signal
pixel
display device
Prior art date
Application number
TW091108137A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Maruoka
Toshiki Misonou
Toshio Maeda
Akihiro Watanabe
Hideki Nakagawa
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Device Eng
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Device Eng filed Critical Hitachi Ltd
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Description

580680
發明背景 [發明的技術領域] 本發明係有關投影機用顯示裝置，尤其係有關適用於相 展開輸入經放大之類比影像信號之液晶顯示裝置之輸入圖 像資料之圖像處理的有效技術。 [先前技藝] 近年來，液晶顯示裝置自小型顯示裝置廣泛普及於所謂 〇 A機器等之顯示終端用。該液晶顯示裝置，基本上係在包 含至少一方為透明玻璃板及塑膠基板等之一對絕緣基板間 夾住液晶組成物之層（液晶層），構成所謂的液晶面板（亦稱 為液晶顯示元件或液晶單元）。 該液晶面板大致上區分成··在形成於絕緣基板之像素形 成用之各種電極上選擇性施加電壓，使構成特定像素部分 之液晶組成物之液晶分子的配向方向改變，以形成像素之 形式（單純矩陣）；及形成上述各種電極與像素選擇用主動元 件，藉由選擇該主動元件，使連接於該主動元件之像素電 極及與該像素電極相對之基準電極間之像素的液晶分子配 向方向改變，以形成像素之形式（主動矩陣）。 各像素上具有主動元件（如薄膜電晶體），切換驅動該主 動元件之主動矩陣型液晶顯示裝置，廣泛使用於筆記型個 人電腦等顯示裝置上。-般而言，主動矩陣型液晶顯示裝 置係採用所謂縱電場方式，其係於形成於一方基板之電極 與形成於另一方基板之電極間施加用於改變液晶層之配向 方向的電場。此外，使施加於液晶層之電場方向形成與基 O:\77\779l 1-920820.DOC 4 ^ 本紙張尺度適财s @家標準(CNS) A4規格(21G χ 297公董) -------- 580680 A7 _ B7 五、發明説明（2 ) 板面大致平行之方向之所謂橫電場方式（亦稱為平面切換 (IPS; In-Plane Switching)方式）之液晶顯示裝置已實用化。 另外，使用液晶顯示裝置之顯示裝置已實用化於液晶投 影機。液晶投影機係將來自光源之照明光照射在液晶面板 上，將液晶面板之圖像投影在螢幕上者。液晶投影機上使 用之液晶面板包含反射型與透過型，採用反射型之液晶面 板的情況下，可將幾乎整個像素區域形成有效之反射面， 與透過型比較，有助於液晶面板之小型化、高精細化、高 亮度化。此外，已知主動矩陣型液晶顯示裝置之中，有一 種於形成像素電極之基板上亦形成驅動像素電極之驅動電 路之所謂驅動電路一體型液晶顯示裝置。 再者，已知驅動電路一體型液晶顯示裝置之中，有一種 並非絕緣基板’而係在半導體基板上形成像素電極及驅動 電極之反射型液晶顯示裝置（Liquid Crystal on Silicon ,以 下亦稱為LCOS)。 此外，已知驅動電路一體型液晶顯示裝置之驅動方法中 ’有一種自外部以類比信號輸入影像信號至液晶顯示裝置 ’藉由驅動電路抽樣影像號’並輸出至液晶面板的驅動 方法。 發明概述 [發明所欲解決之問題] 抽樣影像、號之驅動方法，為求確保驅動電路取得影像 信號時間，係採用將影像信號分割成數相之方法（相展開）。 亦即，將藉由一條信號線所傳送之影像信號分攤在數條信 -5- ΟΛ77\77911-920820. DOC\ 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297^)------— _ 580680 五、發明説明（3 號線傳送。因將影像信號分擁 以數條雷敗兩1 ^ μ 條心唬線輸出，可同時 数怿電路取仵影像信號，因 π 間。然而，藉由相展門雖了心 長取传影像信號之時 確保取得影像信號之時間, 疋毛現會產生電路散亂的問題。 一 i意以各&备 丌即，為求輸出影像信號 之號線上設有輸出電路。該輸出電路 =性產生散亂時’顯示圖像上也同樣的產生散亂，而發 生顯不品質下降的問題。 [解決問題之手段] 為求校正數條類比電路造成之者 ^ 包吩4风之敢亂，係藉由在數位信號 處理電路内設置數個類此雪&立 ^ 1頰比電路邛分之校正機構，以校正機 構校正類比電路之散亂。 將，有修正各條類比電路上產生之散亂之資料作為參照 表，藉由參照表修正數位信號，以校正類比電路產生之散 亂。 圖式簡單說明 [圖式之簡單說明] 圖1係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之大致構造的 區塊圖。 圖2係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號控 制電路的區塊圖。 圖3 A-D係說明相展開的時序圖。 圖4A-B係說明抽樣保持電路的時序圖。 圖5係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號控 制電路的區塊圖。 -6- 〇A77\77911-920820.DOO 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 580680 A7 _____ B7 五、發明説明（4 ) 圖6係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號控 制電路的區塊圖。 圖7A-B係說明放大電路之散亂的大致電路圖。 圖8係本發明實施形態之液晶顯示裝置之施加電壓一反射 率特性圖。 圖9係說明交流化電路之散亂的大致電路圖。 圖10A-C係說明交流化電路之散亂的波形圖。 圖11係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號 控制電路的區塊圖。 圖12係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號 控制電路的區塊圖。 圖13係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號 控制電路的區塊圖。 圖14係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之參照表的 資料構造圖。 圖1 5係顯示轉送資料至本發明實施形態之液晶顯示裝置 之參照表之路徑的大致電路圖。 圖16係顯不轉送資料至本發明實施形態之液晶顯示裝置 之參照表之方法的時序圖。 圖17A-C係顯示藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之參 照表貫施校正方法的輸入一輸出對照圖。 圖1 8係藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之參照表校 正交流化散亂的大致電路圖。 圖19 A-B係藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之參照表 O:\77\77911-920820. [)〇〇 4
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校正影像源間之差異的大致區塊圖。 圖20A-B係說明藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之泉 照表使灰階模擬性增加的方法。 圖21A-D係說明藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之 參照表使灰階模擬性增加的方法。 圖22A-C係說明藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之束 照表調整對比的方法。 ^ 圖23A-C係說明藉由本發明實施形態之液晶顯示裝置之參 照表調整亮度的方法。 圖24係說明使本發明實施形態之液晶顯示裝置之參照表 之接腳數減少方法的大致電路圖。 圖25係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之影像信號 控制電路的區塊圖。 ~ 圖26係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之參照表之 資料轉送方法的大致電路圖。 圖27A-B係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置將幀頻予 以倍增化之方法的大致電路圖與時序圖。 圖28係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置將幀頻予以 倍增化之方法的大致電路圖。 圖29係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置將幀頻予以 倍增化之方法的時序圖。 圖30係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置使用幀記憶 體顯示測試圖案之方法的大致電路圖。 圖3 1係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置使用幀記憶 O:\77\7791U920820.DOC\ 4
發明説明（6 ) 體顯示靜止畫面之方法的大致電路圖。 圖32A-B係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置使用巾貞記 憶體調整會聚之方法的大致電路圖。 圖33係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之像素部的 區塊圖。 圖34A-B係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之控制像 素電位方法的大致電路圖。 圖3 5係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之控制像素 電位方法的時序圖。 圖36係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之像素電位 控制電路構造的大致電路圖。 圖37A-D係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之時脈 反向器構造的大致電路圖。 圖38係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之像素部的 大致剖面圖。 圖39係顯示使用本發明實施形態之液晶顯示裝置之遮光 膜形成像素電位控制線之構造的大致平面圖。 圖40A-B係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之驅動方 法的時序圖。 圖41A-B係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之動作的 大致圖。 圖42 A-B係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之正極性 、負極性波形的波形圖。 圖4 3係使用參照表作成本發明實施形態之液晶顯示裝置 O:\77\77911-920820.DOO 4 -9- A7 B7 -10- 五、發明説明（7 之正極性、負極性信號的大致電路圖。 圖44A-B係說明本發明實施形態之液晶顯示裝置之動 大致圖。 圖45係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之液晶面板 的大致平面圖。 圖46係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之虛擬像素 之驅動方法的大致電路圖。 圖47係本發明實施形態之液晶顯示裝置之主動元件周邊 的大致剖面圖。 圖48係本發明實施形態之液晶顧示裝置之主動元件周邊 的大致平面圖。 圖49係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之液晶面板 的大致圖。 圖50係顯示於本發明實施形態之液晶顯示裝置之液晶面 板上連接可撓性印刷基板之狀態的大致圖。 圖5 1係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置的大致組裝 圖0 圖52係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置的大致圖。 較佳之具體實施例說明 . ' --- ... .
[發明之實施形態] 以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。而用於說 明發明實施形態之全部圖式中，具有相同功能者註記相同 符號，並省略其重複說明。 圖1係顯示本發明實施形態之液晶顯示裝置之大致構造的 〇：\77\779l I-920820. DOQ 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(21〇χ297公釐)
装 訂
A7 B7 五、發明説明（8 ) 區塊圖。 本實施形態之液晶顯示裝置包含：液晶面板（液晶顯示元 件）1〇〇、及顯示控制裝置m。液晶面板1〇〇包含··矩陣^ 地設有像素部101的顯示部110、水平驅動電路（影像信號線 驅動電路）120、垂直驅動電路（掃描信號線驅動電路） 及像素電位控制電路135。此外，顯示部110、水平驅動電 路120、垂直驅動電路130、與像素電位控制電路135係設於 同一基板上。像素部1〇丨上設有被像素電極與反向電極之兩 電極夾住的液晶層（圖上未顯示）。#由在像素電極與反向電 極之間施加電壓，利用液晶分子之配向方向等改變，同時 對於液晶層之光之性質改變進行顯示。另外，本發明可有 效適用於具有像素電位控制電路135之液晶顯示裝置，不過 並不限疋於具有像素電位控制電路丨3 5的液晶顯示裝置。 顯示控制裝置ill上自外部裝置（如個人電腦等）連接有外 部控制信號線401。顯示控制裝置lu使用自外部經由外部 控制信號線4G1送達之時脈信號、顯示計時信號、水平同步 信號、垂直同步信號等控制信號，輸出控制水平驅動電路 120、垂直驅動電路13〇、及像素電位控制電路135的信號。 卜員示控制裝置Η 1具有影像信號控制電路4〇〇。影 像信號控制電路400上連接有顯示信號線4〇2，自外部裝置 輸有”肩示L號。顯示信號以構成顯示於液晶面板1 〇〇之影 像之方式，以一定順序傳送。例如，自位於液晶面板100左 上方之像素起，依序傳送有1列部分的像素資料，並由上向 下自外部裝置依序傳送有各列的資料。影像信號控制電 O:\77\77911-920820.DOO 4 本紙張尺度f用中Α4規格(2ι〇χ297“7 -11- 580680
路400係依據顯示信號形成影像信號，液晶面板100配合顯 示影像之時序，供給影像信號至水平驅動電路120。 係自顯示控制裝置u丨輸出之控制信號線，U2係影像 信號傳送線。另外，圖1中顯示1條影像信號傳送線132，不 過’經由相展開成數相而設有數條影像信號傳送線丨32。有 關相展開如後述。 影像信號傳送線132自顯示控制裝置111輸出，並連接於 設於顯示部11 〇之周邊的水平驅動電路丨2〇。數條影像信號 線（亦稱為汲極信號線或垂直信號線）丨〇3自水平驅動電路丨2〇 延伸於垂直方向（圖中之Y方向）。此外，數條影像信號線 103並列設於水平方向（X方向）。影像信號藉由影像信號線 103傳送至像素部ιοί。 此外’顯示部110之周邊亦設有垂直驅動電路13〇。數條 掃描信號線（亦稱為閘極信號線或水平信號線）丨〇2自垂直驅 動電路130延伸於水平方向（X方向）。此外數條掃描信號線 102並列設於垂直方向（Y方向）。藉由掃描信號線1〇2傳送有 接通/切斷設於像素部101之切換元件的掃描信號。 且顯示部110之周邊設有像素電位控制電路13 5 β數條像 素電位控制線136自像素電位控制電路丨35延伸於水平方向 (X方向）。此外，數條像素電位控制線136並列設於垂直方 向（Y方向）。藉由像素電位控制線136傳送有控制像素電極 之電位的信號。 水平驅動電路120包含：水平移位暫存器12ι、及影像信 號選擇電路12 3。控制信號線13 1及影像信號傳送線13 2自顯 O:\77\7791 l-920820.DOC 4 -12- 本紙張尺度適财@ S家料(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 一 -----： 裝 訂
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示控制裝置111連接於水平移位暫存器121與影像信號選擇 電路123 ,送出控制信號及影像信號。而有關各電路之電源 電壓線省略其顯示，係供給有所需之電壓者。 顯示控制裝置111於自外部輸入垂直同步信號後，輸入有 第一個顯示計時信號時，經由控制信號線13丨輸出啟動脈衝 至垂直驅動電路130。其次，顯示控制裝置丨丨丨依據水平同 步信號，於各一個水平掃描時間（以下顯示成lh),以依序選 擇掃描信號線102之方式，輸出移位時脈至垂直驅動電路 130。垂直驅動電路no依據移位時脈選擇掃描信號線1〇2 , 輸出掃描信號至掃描信號線102 ^亦即，垂直驅動電路J3〇 於一個水平掃描時間lh之間，自圖1中上方起依序輸出選擇 掃描信號線102的信號。 此外’顯示控制裝置111輸入有顯示計時信號時，將其判 斷成開始顯示’並輸出影像信號至水平驅動電路12 〇。影像 信號雖係自顯示控制裝置111依序輸出，不過，水平移位暫 存器12 1係依據自顯示控制裝置111送達之移位時脈輸出計 時信號。計時信號係顯示取得須輸出影像信號選擇電路123 至各掃描信號線102之影像信號的時序。 亦即’影像信號選擇電路123具有取得、保持影像信號 至各影像信號線103的電路（抽樣保持電路），該抽樣保持 電路於輸入計時信號時取得影像信號。顯示控制裝置i i i 配合輸入計時信號之時序輸出該抽樣保持電路須取得之 影像信號至特定的抽樣保持電路。影像信號為類比信號 ’影像信號選擇電路123依據計時信號自類比信號中取得 O:\77\779U-920820.DOO 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公董]" 一 : 580680 A7
一定之電壓作為影像信號（灰 ^ ^ ^ ^ ^ 、人丨白冤壓），輸出該取得之影像 t號至衫像k波線1 〇 3。輸出曼旦《推 ό千古 氰出至衫像信號線103之影像信 主* %路嗜4有掃描信號之時序寫入像 素部101的像素電極。 像素電位控制電路13 5佑Μ冰ώ π -> σ 據來自顯不控制裝置111的控制 4吕號’控制寫入像素電極之影傻户 包低心〜傢仏唬的電壓。自影像信號 線103寫人像素電極之灰階電壓對於反向電極之基準電壓具 有電位差。像素電位控制電路135供給控制信號至像素部 ⑻，使像素電極與反向電極間之電位差改變。而有關像素 電位控制電路13 5詳述於後。 其次，使用圖2說明影像信號控制電路4〇〇。圖2係顯示本 發明-種實施形態之液晶顯示裝置之影像信號控制電路· 之電路構造的大致區塊圖。如前所述，顯示信號自外部經 由顯不信號線402輸入至影像信號控制電路4〇〇。4〇3係類比 數位（AD)轉換電路。顯示信號為類比信號時，以ad轉換電 路403將顯示信號轉換成數位信號。4〇4為信號處理電路， 係執行r校正、解像度轉換等信號處理。另外，顯示信號 為數位信號時，直接或經由各種介面電路，輸入顯示信號 至信號處理電路404。 此外，信號處理電路404係執行幀頻的倍增化。需要顯示 之信號自外部逐晝面送至影像信號控制電路4〇〇。將1個晝 面部分之顯示上所需之信號送達的期間作為1幀周期，將幀 周期之倒數作為幀頻。特別是，將自外部送出信號至液晶 顯示裝置時，稱為外部幀周期，將顯示控制裝置n丨傳送信 -14 - O:\77\77911-920820.DOa 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱) 580680 A7 _________B7__ 五、發明説明（12 ) ---- 號至液晶面板100時，稱為液晶驅動幀周期。信號處理電路 404對於外部幀頻，將液晶驅動幀頻提高至數倍。執行幀頻 之倍增化係基於防止閃爍之目的。而有關幀頻之倍增化亦 如後述。 405係數位類比（DA)轉換電路，〇八轉換電路4〇5將經過信 號處理電路404信號處理之數位信號轉換成類比信號。4〇6 係放大交流化電路，放大交流化電路4〇6放大自DA轉換電 路405輸出之類比信號，並予以交流化。 一般而言，液晶顯示裝置中執行有使施加於液晶層之電 壓極性周期地反轉的交流化驅動。執行交流化驅動之目的 ,在防止因直流電壓施加於液晶而造成老化。如前所述， 像素部101上設有像素電極與反向電極，而執行交流化驅動 的一種方法，係在反向電極上施加恆壓，在像素電極上施 加對於反向電極為正極性、負極性之灰階電壓。另外，本 說明書中之正極性與負極性之電壓係顯示以反向電極之電 位做為基準之像素電極的電壓。反射型液晶顯示裝置LC0S 係以幀周期執行該交流化驅動（幀反轉）。不使用線反轉、點 反轉的理由，係因反射型液晶顯示裝置LCOS上未設置黑矩 陣，無法遮蔽因點反轉產生之不需要之橫電場造成的光洩 漏。但是，執行幅反轉時，於幀周期在顯示面上會產生閃 爍（面閃爍）。如前所述，藉由使幀周期比肉眼的反應時間短 ，以降低面閃爍。 407係抽樣保持電路。抽樣保持電路4〇7每隔一定期間取 得自放大交流化電路406輸出之影像信號，並輸出至影像信 O:\77\77911-920820.DOC 4 ^ e 本紙張尺度適用中國國家擦準(CNS) μ规格(21〇X 297：^爱了 -16- 580680 五、發明説明（13 万虎傳送線1 3 2。如前所；+， 述，衫像信號傳送線132由數條形 ，抽樣保持電路407蔣fee + + π ^ ^ ^ ^ 、寸之電壓依序輸出至影像信號傳送 傳送線132。〜像彳5 破相展開成數相而輸出至影像信號 使用圖3說明相展開。為簡化說明，圖3係顯示影像信號 傳迗線132為3條時，亦即為相展開成3相時，圖3⑷係顯干 輸入於抽樣保持電路彻的影像信號。抽樣保持電路4〇7於 以圈起之數字顯示的期間取得影像信號。圖3⑻係顯示輸出 至第一條影像信號傳送線132的影像信號。如期間①、④與 ⑦所不，每隔兩個期間自抽樣保持電路4〇7輸出所取得之影 像信號至第—條影像信號傳送線上。此外，由於係分開成3 條影像信號傳送線132傳送影像信號，因此可使輸出影像信 號的期間成為3倍。圖3(c)係顯示輸出至第二條影像信號傳 送線132的影像信號，圖3((1)係顯示輸出至第三條影像信號 傳送線13 2的影像信號。 由於將影像信號予以相展開，因此在設於液晶面板1 〇〇之 影像信號選擇電路123上可延長取得影像信號的期間。其中 ’抽樣保持電路407係用作可抽樣保持高速之信號的高性能 電路。另外，又因形成1段抽樣保持，因此可使相展開後之 影像信號的相位一致。藉由使影像信號的相位一致，液晶 面板100内之影像信號選擇電路123可使用同一個抽樣時脈 抽樣影像信號。 其次，使用圖4說明圖2所示之抽樣保持電路407的問題。 圖2所示的電路方式，如圖4(a)所示，由於信號為低速時， O:\77\779U-920820.DOC\ 4 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4规格(210X297公釐) 裝 訂 線
樣期間SP足夠長，因此抽樣保持電路4〇7中有足夠之抽樣 正2號電平的界限，抽樣保持電路407造成的散亂小。但是 ，隨解像度提高，或信號因幀頻倍增化而加速時，如圖4(b) 所不，影像信號波形近似三角波，因抽樣時脈之相位偏差 及雜訊等，抽樣正信號電平的期間便短，容易造成錯誤抽 樣，及因抽樣時序偏差造成電平散亂擴大。如此將造成顯 示灰階被錯誤顯示，使顯示品質降低。 因而開發出圖5所示之構造的電路，作為因應高解像度、 π幀頻造成之錯誤抽樣之對策的方法。該電路對於圖2的構 ^ 係以數位#號執行抽樣保持處理者。來自外部之影像 信號藉由AD轉換電路403轉換成數位信號。數位化之信號 經信號處理電路404執行γ校正、解像度轉換、幀率轉換等 # 5虎處理後，以數位信號的形態被抽樣保持，並予以相展 開。因以數位信號的形態予以相展開，因此抽樣保持的散 亂被顯著改善，不發生相展開類比信號時的抽樣保持散亂 。另外，所展開之各相信號係以後段之dA轉換電路405轉 換成類比信號，並進行放大、交流化。 圖ό顯示將圖5之電路的後段處理予以ic化的構造。其中 410係經1C化的類比驅動器。以信號處理電路404執行7校 正、解像度轉換、幀率轉換等信號處理之數位信號輸入至 類比驅動器410内。於類比驅動器410内，經抽樣保持電路 409輸入之數位信號以數位的形態予以相展開，並以da轉 換電路405將各相之數位信號予以DA轉換，以放大交流化 電路406放大、交流化。本構造將後段形成單晶片化，以簡 O:\77\779I1-920820.DOO 4 -17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） -18- 580680 五、發明説明（15 化電路。 如前所述，由於圖5、圖6之槿 口之構仏係以數位信號進行抽樣 保持’不發生抽樣保持散IL。因此於信號高速化時特別有 效。抽樣保持數位信號，並予以相展開的方法 為“1”或“0”的數位芦號，gp祐仏山 號 乜唬即使輸出至信號線上的電壓散亂 ’由於信號係以“ 1，，戎“〇，，的估 :¾ U的值取得，因此類比信號上不發 生會造成問題的散亂。 " 另外’即使為分配輯㈣至數條信麟的方法，因係 數位信號’因此與類比信號比較，資料保持容易。影像信 號係依據顯示之圖像解像度的周期信號，係按照構成晝面 的順序，自外部裝置（如個人電腦）輸入，自AD轉換電路403 輸出之數位信號亦按照自外部裝置輸入之影像信號的周期 與順序。因此’係依序將取得之數位信號輸出至數條信號 線，因此可以數位信號相展開。因而，發明人發現各相間 因相展開後之電路特性而發生散亂的問題。其次，說明因 該相展開後之電路發生的散亂。 構成電路之組件原本特性散亂。圖7顯示一種以運算放大 器413構成之放大電路之範例。以下，使用圖7(a)所示之範 例，試算因組件特性散亂造成信號的散亂。圖7(a)的電路中 ，由於電阻R1的電阻值為270 Q，電阻R2的電阻值為750 Ω ’此等電阻之散亂為±〇·5%，運算放大器413的增益散亂 為土0.025%，影像信號的振幅為1 ·2 V時，運算放大器413的 放大率係以R2/R1之比來決定’因此，求因特性散亂，放大 率為最大時與最小時之輸出電壓的振幅。
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發明説明 最大時為 1·2 V X ((750 X 1.005) — (27〇χ〇·995)+1) X 1.00025 — 4.568 V。最小時為 1·2 V X ((750x0.995) + (270 X 1.005) + 1) X 0.99975 = 4·499 V 〇 因而，最大時與最小時之差為4.568 V — 4.499 V = 〇·〇69 V，最大產生69 mV的散亂。該放大率之散亂如圖 7(b)所示的波形。另外钳位電壓vcrp供給有一定電壓，圖 7(b)中為 1.0V。 此外，圖8顯示反射型液晶顯示裝置（LC0S)的施加電壓― 反射率特性。由於相對反射率為9〇%時，施加電壓為1 ·丨v , 相對反射率為10%時，施加電壓為2.4 V ’因而1.3 V之電壓 差顯示256灰階，圖8之傾斜為1.3V + 256灰階= 5.1 mV/灰階 。因而，每1灰階之電壓約為5 mV。因此，散亂為69 ’即為69 mV+5 mV/灰階=13.8灰階。因而，此時69 mV之 散亂約產生14灰階的亮度差。 該放大電路之散亂成為影像信號傳送線丨32間的散亂。由 於影像h號傳送線13 2間的散亂形成周期性之縱線亮度差， 而呈現於液晶面板上的顯示圖像，因此造成顯示品質顯著 降低的問題。 如圖9所示，放大交流化電路，除放大電路具有之運算放 大器之外，交流化電路亦具有運算放大器，也須考慮交流 化電路之反轉散亂。此外，如液晶面板1 0 0内之電晶體的特 性散亂等亦為發生縱線的因素。 圖10顯示圖9所示之電路的散亂。圖i〇(a)顯示圖7(b)所示 之輸入波形輸入於運算放大器413時之輸出至圖9中節點八的 -19 - O:\77\77911-920820.DOO 4
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4吕號波形。圖10(b)顯示正極性用運算放大器415的輸出。正 極性用運异放大器415為放大率為1的反轉放大電路，輸出 如圖10(b)所示，係自供給有穩壓之反轉電平電壓減去輸入 電壓的值。負極性用運算放大器414以放大率為丨之緩衝器 放大器直接輸出輸入波形。 圖10(c)顯示使用類比開關416，負極性用運算放大器4 ^ 4 與正極性用運异放大器415之輸出交替輸出的狀態。而圖 1 0(c)所示之影像信號係顯示常白時。因此，對於反向電極 之基準電極Vcom ,電位差小者形成高亮度（白顯示）。如圖 10(c)所示，各電路之散亂形成影像信號傳送線132間的散亂 。例如，影像k號傳送線13 2為η條時，第一條最小，第n條 最大之形態的散亂時，由於每η條即在液晶面板上的顯示圖 像上呈現縱線’因此使顯示品質顯著降低。 雖藉由調整各類比電路可校正散亂，但是調整組件數量 多時，會顯著損及量產性。因以輸入於各類比電路前之數 位信號校正類比電路之散亂而降低量產性。。 圖11顯示使用參照表校正電路之散亂的電路構造。 以信號處理電路抽樣保持數位信號並予以相展開之各信 號線分別具有參照表（LUT : Look Up Table，以下亦稱 LUT)420 ,各相獨立進行校正。由於各相之散亂不同，因此 參照表420上預先求出最適切之資料。此外，校正資料係收 納於其他5己憶體4内’依需要轉送校正散礼之資料至參照 表 420 〇 圖11中，係以信號處理電路4〇4執行r校正、解像度轉換 O:\77\77911-920820.DOO 4 -20-
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、幀率轉換等信號處理，且經相展開之數位信號輸入於參 照表420内。參照表420將對應於輸入之數位信號的數位資 料輸出至DA轉換電路405。DA轉換電路405將數位資料轉換 成類比信號’並輸出至放大交流化電路406。 參照表420内收納有校正各相散亂的資料。係觀察、評 估顯示畫面來進行收納於參照表42〇内之校正資料的設定 。首先，將尚未校正之資料（標準資料）收納於參照表42〇 内進行顯示，觀察各相之散亂。之後，亮度降低之以促 使相亮度增加之係數乘於標準資料，予以校正資料，亮 度增加之相選擇有亮度減少之係數。各相之亮度予以均 一化時，此時之係數為最適切係數，並記錄於影像信號 控制電路400内。 圖12顯示將圖11之電路的參照表42〇予以一個封裝體化， 將後段處理予以1C化的構造。其中41〇係經ic化之類比驅動 器，421係以閘陣列等予以一個封裝體化之參照表42〇 ^以 信號處理電路404執行r校正、解像度轉換、幀率轉換、相 展開等之信號處理的數位信號輸入於各相之參照表421内。 於參照表421校正資料並輸出至類比驅動器41〇。於類比驅 動器41〇執行有DA轉換、放大、交流化。本構造將各段形 成一個封裝體化，以簡化電路。 另外，亦可分離信號處理電路與抽樣保持電路，將抽樣 保持電路與參照表予以一個封裝體化。此外，一個封裝體 中亦可以一個晶片之閘陣列構成，亦可分割成數個晶片來 構成。 O:\77\77911-920820. DOO 4 -21 - 580680 A7
圖13顯示以一個封裝體構成信號處理電路4〇4與參照表 420的實補。其巾422係扁平封裝體，其内部具有信號處 理電路404與參照表420。信號處理電路4〇4與參照表42〇亦 可以一個晶片之閘陣列構成，亦可以數個晶片構成。 圖14顯示校正每一色256灰階資料之參照表42〇之資料構 成的實施例。輸入資料為8位元，校正資料為1〇位元。校正 資料使用可充分灰階表現之灰階數部分的位元數。參照表 420以可讀出之記憶體（RAM)構成，將輸入之灰階的影 像信號作為位址，收納於位址内之丨〇位元的資料作為校正 資料輸出。 ° 另外，若對於輸入資料具有輸出校正資料功能者，則可 利用輸出校正資料的構造。例如，亦可對於輸入資料運算 校正係數’使用輸出校正資料之信號處理電路。此外，參 照表可利用位址與可在該位址内收納資料者，可由RAM或 ROM等記憶體構成，亦可由邏輯電路構成。 一種對圖14所示之參照表420設定校正資料的方法顯示於 圖15。影像信號控制電路4〇〇内部之信號線的構成，其資料 匯流排435以1〇位元構成，位址匯流排436以8位元構成。此 外’資料處理用上設有微電腦430。另外，微電腦430依需 要亦可使用可執行資料處理的電路。設定校正資料時，自 微電知430送出1〇位元χ256之校正用資料，並設定於參照表 420用的RAM内（路徑①）。 另外’ 一種以並聯通信設定256資料之時序顯示於圖16。 微電腦430於使構成ram之晶片之晶片選擇信號CS為低電 O:\77\77911-920820. DOO 4 〇〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2ι〇χ297公釐)
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線 五、發明説明（2〇 ) 平時，依序輸出0〜255之值至位址匯流排436。此外，於位 址輸出的同時，以10位元輸出各位址各校正資料至資料匯 流排435上。再者，於輸出校正資料的狀態下，輸出讀寫信 號WR至資料匯流排435。RAM於讀寫信 收納資料。位址於讀寫信號戰開始時被增益，自 依序至255設定資料。 自參照表420讀出校正資㈣，經相展開之數位信號設定 於位址匯流排436，RAM將位址匯流排436指示之位址的校 正資料輸出至資料匯流排435上（圖15中之路徑②）。da轉換 電路405將藉由資料匯流排435輸入之數位資料轉換成類比 信號並輸出至放大交流化電路上。 以參”表420校正資料顯示於圖17。以參照表42〇朝反方 向^正類比電路上產生之特性散亂，校正後之輸出其散亂 為最小。圖17(a)係類比電路特性為理想狀態時，對於輸入 可獲得正常之輸出。其中451顯示對於輸入之正常的輸出特 性。由於以線451顯示之特性為正常，因此參照表42〇之值 選擇未經校正的值。452顯示未經校正時之參照表420的輸 入與輸出特性。 其-人，圖17(1))顯不類比電路特性對於正常值輸出高值時 。其中454係顯示對於輸入，輸出為高值之特性的線。由於 以線454顯示之輸入與輸出之特性顯示輸出為高值，因此參 照表420選擇有輸出降低之校正資料。參照表420之特性如 線455所示，形成對於未經校正時之線輸出降低的值。 杈正圖17(b)所不之散亂的方法，係觀察液晶面板之圖像 O:\77\77911 -920820. DOO 4 -23- 本紙張尺度中@ @家標準(CNS) A4規格(21G χ 297公$----- 580680 A7
’設於高亮度之相之參絲的特性為將形成圖i7⑻之線⑸ 之係數自外指人於圖15所示的微電腦43Q。微電腦㈣自 所輸入之係數與基準資料製作妨欠 干貝丁叶衣作杈正貝枓，製作參照表的資 料。液晶面板上輸出有經校正的圖像。再者，需要校正時 ’重複同樣的操作’調整成晝面上觀察不出亮度不穩定。 另外’用於自外部輸人係數之介面部連接於所設置的微電 腦 430 〇 經過设疋之係數記錄於影像信號控制電路4〇〇内。於液晶 顯示裝置開始動作時’藉由微電腦430,自標準資料與係： 製作校正資料，並收納於參照表42〇内。 其次，圖17(c)顯示類比電路特性為對於正常值輸出低值 時。其中456係顯示對於輸入，輸出為低值之特性的線。由 於以線456顯示之輸入與輸出的特性，顯示輸出為低值，因 此參照表420選擇有輸出提高之校正資料。參照表42〇之特 性如線457所示，形成對於線452輸出提高的值。 另外，校正方法亦可以攝影裝置輸入液晶面板的圖像， 自所輸入之圖像資料檢測亮度有不穩定之相，自動地算出 係數，依據所算出之係數，於參照表42〇内製作校正資料。 如圖17所示，類比電路之散亂如放大率之散亂時，由於 對於輸入’輸出之散亂係變化成線形，因此校正散亂的資 料亦形成對於輸入變化成線形之值。因此，係數成於標準 資料可求出校正資料。 圖18顯示校正交流化電路上產生之散亂時的構造。參照 表每1相具有正極性用423與負極性用422的兩個表，與交流 O:\77\779l I-920820.DOO 4 •24-
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化信號同步，以類比開關417選擇。影像信號自負極性用運 算放大器414輸出時，以負極性用參照表422校正，影像信 號自正極性用運算放大器41 5輸出時，以正極性用參照表 423校正。藉由預先在正極性用、負極性用之各參照表内設 定校正資料，可校正正極與負極間的散亂。 圖19顯不藉由影像源，自數個參照表選擇一個參照表的 方法。通常信號源係如個人電腦之視窗等圖形圖像、或電 影、自然圖像等。預先製作適於此等數種影像源之^校正 資料等之參照表，藉由影像源切換開關來使用。圖19中顯 示設置參照表用於3種影像源用。另外，當然可對應於影像 源數量設置數種參照表。其中424為第_影像源用參照表， 425為第二影像源用參照表，426為第三影像源用參照表。 藉由開關41 8選擇使用那個參照表。 另外’開關41 8若為切換數位信號之傳遞路徑的開關時， 亦可利用。圖19(b)顯示以邏輯電路構成開關418時。 使用圖20、圖2 1及數個參照表，說明模擬地提高灰階的 方法。為r校正用的參照表等時，如圖20(a)所示，對於輸 入之輸出的變化小，輸出之灰階減少，畫質惡化。圖20(b) 顯示輸出變化小之部分B的放大圖。圖2〇(b)之例中，如以 符號c顯示之點，對於n+1的輸入，希望輸出1^與111+1間的 灰階，但因位元數的關係，僅可表現111或111+：1。因此，每 幅切換兩個參照表，輸出中間灰階。 圖21(a)中之427為第一參照表，428為第二參照表，419為 切換用類比開關。如圖21(b)所示，第一參照表427於n+ 1輸
O:\77\77911-920820.DOO :297公釐） -25- 五 、發明説明（23 ) 時心輸出：η。如圖21⑷所示，第二參照表似於…輸入 灸^出料1。使用類比開關419，以巾貞周期交替切換第- μ表247與第二參照表428的輸出。藉此’如圖剛所示 可核擬地、視覺地顯示_m+1的中間灰階（圖中D)。 其次’使用圖22、圖23及參照表，說明調整對比及亮度 方法。另外，圖22、圖23為簡化說明，係說明常黑時。 '、、即’電壓大時形成高亮度（白顯示）。圖22係調整對比之方 法的說明圖。降低圖22⑷之顯示輸出對輸人之特性線461上 顯示之資料的對比時，如圖22(b)所示，顯示特性之線咐的 傾斜減少。㈣對比時，如圖22⑷所示，顯示特性之線⑹ 的傾斜增加。 圖23係調整亮度之方法的說明圖。降低_⑷之顯示輸 出對輸入之特性線461上顯示之資料的亮度時，如圖23〇5)所 示，將顯示特性線464朝黑方向平行移動，如圖23(c)所示， 提高亮度時，將顯示特性線465朝白方向平行移動。 圖24顯不設置類比開關，減少一個封裝體化之參照表42工 之接腳（pin)數的電路構造。另外，可以同樣的構造減少内 外之介面的配線及接腳數。將數個參照表42〇收納於一個封 裝體内時，電路構造雖簡化，不過會發生封裝體之接腳數 增加的問題。由於參照表420與DA轉換電路405間之資料匯 流排43 5為10位元，因此各相設置資料匯流排時，用於連接 於資料匯流排之一個封裝化之參照表42 1的接腳數顯著增加 。例如’ 12相10位元時有120接腳。因而以内部開關437選 擇各參照表的輸出，於相同時序，以外加開關438選擇輸出 -26- O:\77\77911-920820. DOO 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 580680 五、發明説明（24 ) 端。採用本電路構造，如為12相10位元時，因自12〇接腳減 少至10接腳，因此可將使用之封裝體予以最小化。 其次，使用圖25，說明可省略配線數的構造。圖25之參 照表420的位置係設於相展開用之抽樣保持電路4〇4之前。 顯不於圖25之構造可大幅省略參照表42〇與抽樣保持電路 404間的配線數。如顯示於圖丨丨的構造，在抽樣保持電路 404與參照表420之間，傳送資料之信號線需要相展開的數 量。於12相10位元時，配線數為12〇條。反之，於圖25所示 的情況時，只須1 〇位元部分的丨〇條即可。 顯示於圖25之參照表420，顯示信號藉由顯示信號線4〇2 自外部裝置以一定順序送達影像信號控制電路。因而，配 合顯示信號之順序，來律定相展開順序時，即使交替相展 開之構造與权正之構造的位置亦無問題。亦即，若瞭解係 第η個像資料，則可於相展開前進行第n個相散亂所需的校 正。 如自AD轉換電路403輸出1〇位元之資料匯流排435。參 照表420設有相展開之數，各參照表42〇上連接有資料匯 流排435。影像#號控制電路4〇〇藉由自AD轉換電路4〇3輸 出之資料的順序，瞭解係何相的資料，而選擇校正之參 照表420。 其次’使用圖2 6說明參照表資料的通信。設於參照表之 資料量為每一色12相，1〇位元（2位元組）資料，256灰階時， 為 12相X 2位元組X 256灰階=6144位元組 O:\77\77911-920820.DOC\ 4 - 27 - 本紙張尺度適财S S家料(CNS) A4規格(21GX297公爱) —- 580680 A7 B7 五、發明説明（25 ，3色時為 6144位元組X 3色= 18432位元組 。例如在外部個人電腦448内記錄有參照表資料，與顯示控 制裝置111内之微電腦430進行資料通信，使用取入資料至 參照表420的方法，以RS — 232C，9600 bps之速度進行個人 電腦一微電腦間通信時，最短需要丨5秒。而其中447為資料 通信用的介面部。此外，個人電腦一微電腦間之資料通信 並不限定於RS — 232C，亦可使用其他方法（如USB、 IEEE1394、SCSI、Bluetooth等）。 其次，考察儲存於設於影像信號控制電路4〇〇内之微電腦 内藏的RAM時，發生增加消耗ι8432位元組區域的問題。 為求縮短通信時間及節約微電腦内藏RAM，將資料區分 成7校正用的標準資料429與差分資料。差分資料藉由外部 裝置（個人電腦）觀察顯示圖像，並設有最佳值。於製作參照 表資料時，於微電腦内，在標準資料429中，進行乘於差分 >料運算來製作參照表資料。藉此，即使個人電腦一微電 腦間之通信資料量增加，亦可避免擴大使用微電腦内藏 RAM區域，取入資料至參照表。 其次’使用圖27說明將幀頻予以倍增化的方法。圖27(a) 顯示使用2幀部分之幀記憶體，轉換幀頻之電路構造，與圖 27(b)顯示形成兩倍速度時的時序圖。 轉換幢頻之電路包含··時序控制器432、有1幀部分容量 之第一幀記憶體433、及第二幀記憶體434 ^影像信號輸入 至時序控制器432，藉由時序控制器432中之開關操作，輸 O:\77\77911-920820.DOO 4
A7 五、發明説明（1?一") 一"~-- 至第情5己憶體433與第二幅記憶體以。如頻率為兩倍 山自第幀σ己憶體433與第二幀記憶體434以兩倍時脈讀 ，並自時序控制器432輸出。 ”人°尤明時序。影像信號之輸入，於鳩1的時序，直接 寫入圖像貝料至第一幀記憶體433。影像輸入於幀2之時序 丄寫^巾貞之圖像資料至第U憶體434。與其同時，自第 、隐體433以兩倍速度讀出兩次幀1的資料。於巾貞3的時 序寫入幀3之圖像資料至第一幀記憶體433的同時，以兩 倍速度讀出兩次第二_體434的資料。藉由重複上述操 作’幀頻可輸出兩倍的信號。 圖28顯示使用！幅+ j區塊部分之記憶體轉換鳩頻時之電 路構k，與圖29顯不時序圖。圖28中以記憶體容量為6區塊 ，1幀部分為例。電路包含：區分成7區塊之區塊記憶體44〇 與時序控制器432。7個各記憶體區塊之輸入輸出係藉由時 序控制器432控制。 其次，藉由圖29所示之時序圖說明動作。將丨幀部分之影 像信號分割成6個時序，分別為丨一丨〜丨一 6。丨一丨之信號寫 入區塊1内，1一2之、號寫入區塊2内，依序寫入信號至記 憶體的各區塊内。繼續，與寫入時序非同步地自記憶體， 以兩倍速度執行讀出，如圖29所示之輸出兩倍速度的影像 信號。其次，以2— 1之信號寫入區塊7 , 2一2之信號寫入區 塊1之方式，重複以後步驟，並執行讀寫。該電路方式的優 點為動作雖複雜，但可減少記憶體容量。愈增加分割區塊 數，記憶體容量就愈小，但因其部分的動作趨於複雜，因 O:\77\77911-920820.DOO 4 -29· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂
B7 五、發明説明（27 ) 此須考慮兩者的均衡。 .、”員示使用°己憶體輸出測試圖案的電路構造。通常每 次係藉由影像信號進行電路的調整，不過，此時係使用點 ^ 色條圖、灰階等測試圖案。需要準備輸出此等圖案 ^個^電腦等作為信號源，不過使用本電路時，由於係在 Ρ像U控制電路400内產生圖案，因此不需要此等信號源 電路匕έ 般頻率轉換等上使用之幀記憶體43 1、預先 寫入測試圖案的賴記憶體445、及時序控制器432。一般動 作時係自幀§己憶體43 1輸出影像信號。測試圖案顯示時， 切換開關’自測試圖案之巾貞記憶體州輸出影像信號。 ☆圖3 1顯不使用幀記憶體43丨輸出靜止畫面的電路構造。 靜止畫面輸出係於必須輸入不希望顯示之影像信號時等 的有效功能。一般動作時，為隨時更新幀記憶體431内之 〜像L號，即時顯示有影像。遮斷影像信號之記憶體寫 入時，由於影像不更新，因此係重複遮斷之前的信號， 自吞己憶體讀出。如此，靜止晝面輸出係控制記憶體之寫 入開關來執行。 圖32顯不使用幀記憶體43 1之電路會聚的調整。製品上使 用數個顯示元件時（如2板或3板），需要以像素單位合併此等 相互的位置。通常微調整、合併顯示元件之位置，採用本 方式時可不改變顯示元件之位置作調整。以下說明該方法 。讀出寫入幀記憶體431内之影像信號時，調整位址及顯示 位置。巾貞s己憶體43 1之位址與顯示元件之像素一致時，如圖 32(a)所示，對於記憶體内之影像信號的位置，係將讀出位 O:\77\77911-920820.DOO 4 本紙張尺度適财@ @家料(CNS) Α4規格(2ΐ()χ 297公董) 580680
置之位址朝右方向偏移n，朝下方向偏移m。此時，顯示元 件之顯示位置朝左方向移動n像素，朝上方向移動111像素。 如此調整顯示元件的顯示位置。 其次’使用圖33說明像素部1〇ι，並使用像素電位控制電 路說明使像素電極之電位改變的驅動方法。圖33係顯示像 素部101之等效電路的電路圖。像素部1〇1於鄰接於顯示部 no之兩條掃描信號線102與鄰接之兩條影像信號線1〇3的交 叉區域（以4條信號線包圍之區域）上配置成矩陣狀。不過， 圖33中為簡化圖式，僅顯示一個像素部。各像素部i 〇丨包含 •主動元件30與像素電極1〇9。此外，像素電極ι〇9上連接 有像素電容115。像素電容115之一方電極連接於像素電極 109 ’另一方電極連接於像素電位控制線丨36。再者，像素 電位控制線136連接於像素電位控制電路135。而圖33中， 主動元件30係以p型電晶體顯示。 如刖所述，掃描信號線102上自垂直驅動電路13〇輸出掃 描信號。藉由該掃描信號控制主動元件3〇的接通、切斷。 影像信號線103上作為影像信號供給有灰階電壓，主動元件 30接通時，自影像信號線103供給灰階電壓至像素電極1〇9 。與像素電極109相對配置有反向電極ι〇7(共用電極），像素 電極109與反向電極1〇7之間設有液晶層（圖上未顯示）^另外 ，圖33所示之電路圖上，像素電極1〇9與反向電極1〇7之間 係顯示等效地連接有液晶電容108。藉由在像素電極1〇9與 反向電極107之間施加電壓，利用液晶分子之配向方向等改 變，同時對於液晶層之光的性質改變來進行顯示。 O:\77\77911-920820.DOO 4 - 31 ·
580680 A7 -— B7 五、發明説明（29 ) "-- 液晶顯不裝置之驅動方法，如前所述，係以在液晶層上 未施加直流電流之方式執行交流化驅動。為求執行交i化 驅動’將反向電極107之電位作為基準電位時，自影像信號 選擇電路123對基準電位輸出正極性與負極性之電壓作為灰 P皆電壓。但I ’將影像信號選擇電路123形成耐正極性與負 極性之電位差的高耐壓電路時，會發生主動元件3〇等電路 規模變大的問題及動作速度遲緩的問題。此外，如圖_ 不，影像信號控制電路400需要正極性側與負極性側的運算 放大器。 因此，檢討自影像信號選擇電路123供給至像素電極1〇9 的影像信號，對於基準電位使用同極性之信號，同時執行 交流化驅動。例如，自影像信號選擇電路123輸出之灰階電 壓，對於基準電位使用正極性之電壓，對於基準電位將正 極性之電壓寫入像素電極後，藉由降低自像素電位控制電 路135施加於像素電容115之電極之像素電位控制信號的電 壓，亦使像素電極109之電壓下降，可對基準電位產生負極 性的電壓。使用此種驅動方法時，由於影像信號選擇電路 123輸出之最大值與最小值的差異小，因此影像信號選擇電 路123可形成低耐壓電路。另外，說明一種在像素電極丨 上寫入正極性電壓，藉由像素電位控制電路135使負極性電 壓產生，而寫入負極性電壓使正極性電壓產生時，可藉由 提高像素電位控制信號的電壓。 其次，使用圖34說明使像素電極1〇9之電壓變動的方法 。圖34為便於說明，係以第一電容器53表示液晶電容1〇8 O:\77\77911-920820. DOQ 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公着)
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線 580680 A7 --------2!__ 五、發明説明（3〇 ) 以第一電谷益54表示像素電容115，以開關104表示主 動7件30。將連接於像素電容115之像素電極109的電極 作為電極56 ’將連接於像素電容1丨5之像素電位控制線 136之電極作為電極57。此外，以節點58顯示連接有像素 電極109與電極56之點。此處為便於說明，其他寄生電容 作為可忽略者，第一電容器53之電容為CL，第二電容器 54之電容為cc。 首先，如圖34(a)所示，在第二電容器54之電極57上，自 外部施加電壓VI。其次，藉由掃描信號，開關1〇4接通時， 電壓自影像信號線103供給至像素電極109及電極56。此時 供給至節點58之電壓為V2。 其次，如圖34(b)所示，於開關104切斷時，使供給至電 極57之電壓（像素電位控制信號）自VI下降至V3。此時，由 於充電於第一電容器53與第二電容器54之電荷的總量不改 變’因此節點58之電壓改變，節點58之電壓為乂2 — {CC/(CL+ CC)} X (VI - V3) 〇 此時’第一電容器53之電容CL遠比第二電容器54之電容 CC小（CL< <CC)時，成為CC/(CL+CC)与1，節點58之電壓 為V2— VI + V3。此時，V2 = 0，V3= 0時，節點58的電壓 為一 VI 〇 依據前述之方法，像素電極109上自影像信號線103供給 之電壓對於反向電極107之基準電位成為正極性，負極性之 信號可藉由控制施加於電極57之電壓（像素電位控制信號）形 成。以此種方法形成負極性之信號時，無須自影像信號選 O:\77\77911-920820.DOO 4 · 3(3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) " ：
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擇電路123供給負極性之信號，可以低耐壓元件形成周邊電 路。 其次，使用圖35說明圖33所示之電路的動作時序。其中 Φ 1表示供給至影像信號線103的灰階電壓。φ2係供給至掃 描信號線102的掃描信號。φ3係供給至像素電位控制線136 之像素電位控制信號（降壓信號）。φ 4表示像素電極1〇9的電 位。另外，像素電位控制信號φ 3係圖32顯示之以電壓乂3與 V1振幅的信號。 說明圖35時，φ 1表示正極性用輸入信號φ丨八與負極性用 輸入信號Φ1Β。此時，所謂之負極性用，係指施加於像素 電極之電壓藉由像素電位控制信號而變動，對於基準電位 Vcom形成負極性時的信號者。本實施例係說明影像信號φι 包含正極性用輸入信號Φ1Α與負極性用輸入信號φ1Β，同 時對於施加於反向電極107之基準電位Vc〇m供給有使電位 成為正極性的電壓。 圖3 5中，於期間t〇至t2之間，顯示灰階電壓①2為正極性 用輸入信號Φ1Α時，首先，於t〇輸出電壓乂丨，作為像素控 制信號Φ 3。其次於時刻tl ,掃描信號φ 2被選擇，成為低 電平時，圖31所示之p型電晶體30形成接通狀態，供給至影 像信號線103之正極性用輸入信號φ ία寫入像素電極1〇9。 寫入像素電極109之信號於圖35中以φ 4表示。此外，圖35 中’於t2寫入像素電極1〇9之電壓以V2A表示。其次，掃描 信號Φ2形成非選擇狀態，成為高電平時，電晶體3〇形成切 斷狀態，像素電極109形成自供給電壓之影像信號線1〇3切 O:\77\77911-920820.DOa 4 -34- 580680 A7 B7
離的狀態。液晶顯示裝置表示依據寫入像素電極1〇9之電壓 V2A的灰階。
其次，說明自期間t2至t4之間Φ1為負極性用輸入信號φ1Β 吟。為負極性用輸入信號φ 1Β時，於時刻t2，掃描信號φ 2 被選擇，像素電極109上寫入有如φ 4所示的電壓V2B。之 後，使電晶體30處於切斷狀態，自時刻12起2}1(2水平掃描時 間）後的時刻t3，供給至像素電容115之電壓如像素電位控制 信號Φ3所示，自V1降壓至V3。使像素電位控制信號〇3自 VI變動成V3時，像素電容115發揮結合電容的功能，可依 據像素電位控制信號φ 3的振幅，降低像素電極的電位。藉 此對於基準電位Vcom，可於像素内形成負極性的電壓V2C 以刖述之方法形成負極性的信號時，可以低耐壓元件形 成周邊電路。亦即，由於自影像信號選擇電路123輸出之信 號係正極性側之狹窄振幅的信號，影像信號選擇電路123可 形成低耐壓電路。此外，不需要使用負極性側之運算放大 器，且影像#號選擇電路123可以低電壓驅動時，由於其他 周邊電路之水平驅動電路120、顯示控制裝置ln等為低耐 壓電路，因此可藉由低耐壓電路構成整個液晶顯示裝置。 其次，使用圖36顯示像素電位控制電路135之電路構造。 其中SR為雙向移位暫存器，可於上下雙向移動信號。雙向 移位暫存器SR以時脈反向器61，62，65，66構成。其中67為 電平移位器，69為輸出電路。雙向移位暫存器311等以電源 電壓VDD動作。電平移位器67轉換自雙向移位暫存器3尺輸 O:\77\77911-920820.DOQ 4 i張尺度適财國@家標邮_ A4規格 A7 B7 五、發明説明（33 ) 出之信號的電壓電平。自銘你叔— 、 电十自移位暫存器67輸出有具有高於電 源電M VDD之電位之電诉雷厭▽'pc 电原電VBB與電源電壓vss(GND電 位）間之振幅的信號。齡φ 輸出電路69供給有電源電壓vpp與 VSS，依據自電平移位器67的信號，輸出電壓vpp與vss至
像素電位控制線136。圖35巾1日日+ Α φ A 圃U T 5兄明之像素電位控制信號φ 3 之電壓Vi為電源電壓VPP，電壓V3為電源電壓vss。另外 ，圖36=包含P型電晶體與㈣電晶體之反向器表示輸出電 路69。藉由選擇供給至p型電晶體之電源電壓猜與供給至打 51電明體之電源電壓VSS之值，可輸出電壓νρρ與vss作為 像素電位控制信號φ 3。 但是，如μ，由於形❹型電晶體之石夕基板上供給有基 板電壓’因此電源電壓VPP之值設定有對於基板電壓之適切 值。 26為開始信號輸入端子，將其中一個控制信號之開始信 號供給至像素電位控制電路135。SRn自圖36所示之雙向移 位暫存器SR1 ,依據開始信號輸入與自外部所供給之時脈信 號的時序，依序輸出計時信號。電平移位器67依據計時信 號輸出電壓VSS與電壓VBB。輸出電路69依據移位暫存器67 的輸出，輸出電壓vpp與電壓vss至像素電位控制線136。 藉由以形成圖35之像素電位控制信號φ 3所示之時序的方式 供給開始信號及時脈信號至雙向移位暫存器SR ,可以希望 之時序自像素電位控制電路135輸出像素電位控制信號φ 3 。另外’ 25係重設信號輸入端子。 其次，使用圖37(a)(b)，說明雙向移位暫存器sr上使用之 O:\77\77911-920820.DOO 4 · 36 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 580680 A7 ----— —__B7 五、發明説明了^—) ---— -— 時脈反向器61，62。其中UD1為第—方向設定線，刪為第 二方向設定線。 第一方向設定線UD1於圖36中自下至上掃描時為H電平， 第二方向設定線UD2於圖36中自上至下掃描時為Η電平。圖 36中為便於觀察圖式而省略結線，不過第一方向設定線 UD1與第二方向設定線UD2均連接於構成雙向移位暫存器 SR的時脈反向器61，62。 如圖37(a)所示，時脈反向器61包含p電晶體71，72與1^型 電晶體73, 74。p型電晶體71連接於第二方向設定線刪，〇 型電晶體74連接於第一方向設定線um。因而，第一方向 设定線UD1為Η電平，第二方向設定線11]：)2為L電平時，時 脈反向器61發揮反相器功能，第二方向設定線1；〇2為11電平 ，第一方向設定線UD1為L電平時，則形成高阻抗。 反之，時脈反向器62如圖37(b)所示，p型電晶體71連接 於第一方向設定線UD1 , η型電晶體74連接於第二方向設定 線UD2。因而，第二方向設定線1;〇2為]9[電平時發揮反相器 功能，第一方向設定線！1〇1為Η電平時，形成高阻抗。 其次，時脈反向器65係圖37(c)所示的電路構造，（：1^1為 Η電平，CLK2為L電平時，反轉輸出輪入，clk;l^l電平， CLK2為Η電平時，形成高阻抗。 此外，時脈反向器66係圖37(d)所示的電路構造，clk2為 Η電平，CLK1為L電平時，反轉輸出輸入，（^尺2為乙電平， CLK1為Η電平時，形成高阻抗。圖36省略時脈信號線的結 線，不過，圖37之時脈反向器65, 66上連接有時賣信號線 O:\77\77911-920820.D〇C\ 4 -37. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) " ------：—— 580680 A7 Γ---------- Β7 五、發明説¥71Γ7 — CLKl, CLK2 〇 參 裝 如以上之說明，可以時脈反向器61，62，65，66構成雙向 移位暫存器SR，依序輸出計時信號。此外，可以雙向移位 暫存i§ SR構成像素電位控制電路135，雙向掃描像素電位控 制信號Φ 3。亦即，垂直驅動電路130亦可以雙向移位暫存 構成’本發明之液晶顯示裝置可執行上下雙向掃描。因 而’於上下顛倒顯示之圖像等時，係反轉掃描方向自圖中 下方向上方掃描。因此，垂直驅動電路13〇自下向上掃描時 ’像素電位控制電路135亦藉由變更第一方向設定線UD1與 第二方向設定線UD2之設定，對應成自下向上掃描。另外 ’水平移位暫存器121亦藉由同樣的雙向移位暫存器構成。
其次’使用圖38說明本發明之反射型液晶顯示裝置LC0S 的像素部。圖38係本發明一種實施例之反射型液晶顯示裝 置的模式剖面圖。圖38中之100係液晶面板，1係第一基板 的驅動電路基板，2係第二基板的透明基板，3係液晶組成 物’ 4係隔片。隔片4在驅動電路基板1與透明基板2之間形 成一定間隔之單元間隙（cell gap)d。該單元間隙d中夾住液 晶組成物3。5係反射電極（像素電極），並形成於驅動電路基 板1上。6係反向電極，在與反射電極5之間，於液晶組成物 3上施加電壓。7，8係配向膜，使液晶分子在一定方向上配 向。30係主動元件，供給灰階電壓至反射電極5。 34係主動元件30之源極區域，35係汲極區域，36係閘極 。38係絕緣膜，31係形成像素電容之第一電極，4〇係形成 像素電容之第二電極。第一電極31與第二電極4〇經由絕緣 O:\77\779l 1-920820.DOC\ 4 - 38 - 本紙張尺度適用中® a家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) "一 --·~ 580680
膜38形成電容。圖38係將第一電極31與第二電極4〇作為形 成像素電容之代表性電極來顯示，此外，若與像素電極電 性連接之導體層、及與像素電位控制信號線電性連接之導 體層，夾住電介質層相對日寺，，亦可形成像素電容。 41係第-層間膜，42係第一導電膜。第一導電膜42自汲 極區域35與第二電極4〇電性連接。43係第二層間膜，私係 第一遮光膜，45係第三層間膜，46係第二遮光膜。第二層 間膜43與第二層間膜45間形成有通孔42CH ,第一導電膜42 與第二遮光膜46電性連接。47係第四層間膜，48係形成反 射電極5之第二導電膜。灰階電壓自主動元件3〇之汲極區域 35，經由第一導電膜42、通孔42 CH、第二遮光膜46,傳送 至反射電極5。 本實施例之液晶顯示裝置為反射型，大量之光照射於 液晶面板100。遮光膜以避免光入射驅動電路基板之半導 體層的方式實施遮光。反射型液晶顯示裝置中，照射於 液晶面板100之光自透明基板2側（圖38中上側）入射，透過 液晶組成物3，以反射電極5反射，再度透過液晶組成物3 及透明基板2，自液晶面板1 0 0出射。但是，照射於液晶 面板100上之光的一部分，自反射電極5之間隙滲漏至驅 ...— · - - - ._ .-.. - . · 動電路基板側。第一遮光膜44與第二遮光膜46設置成避 免光入射主動元件30。本實施例以導電層形成該遮光膜 ，將第二遮光膜46電性連接於反射電極5，因第一遮光膜 44上供給像素電位控制信號，因此亦具有將遮光膜作為 像素電容之一部分的功能。 O:\77\779l 1-920820. DOO 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 580680 A7 B7 五、發明説明 另外’於第一遮光層44上供給像素電位控制信號時，可 於供給有灰階電壓之第二遮光膜46與形成影像信號線1〇3之 第一導電層42及形成掃描信號線102之導電層（與閘極36同 層之導電層）之間，設置第一遮光膜44作為電性屏蔽層。因 而’第一導電層42及閘極36等與第二遮光膜46及反射電極5 之間的寄生電容成分減少。如前所述，對於液晶電容CL， 像素電容CC需要足夠大，不過，設置第一遮光膜44作為電 性屏蔽層時，與液晶電容LC並聯之寄生電容亦變小，更具 效率。再者，亦可減少雜訊自信號線傳入。 此外，採用反射型液晶顯示元件，於驅動電路基板1之 液晶組成物3側之面形成反射電極5時，可使用不透明之矽 基板等作為驅動電路基板1 ^此外，可將主動元件3 〇及配 線設於反射電極5之下，其具有可擴大構成像素之反射電 極5 ’貫現所謂高開口率的優點。此外，亦具有可自驅動 電路基板1之内面釋放光照射於液晶面板100上產生之熱的 優點。 其次，說明利用遮光膜作為像素電容之一部分。第一遮 光膜44與第二遮光膜46經由第三層間膜45相對，形成像素 電容的一部分。49係形成像素電位控制線丨36之一部分的導 電層。第一電極31與第一遮光膜44藉由導電層49電性連接 。此外，可使用導電層49形成自像素電位控制電路135至像 素電容的配線。但是，本實施例係利用第一遮光膜44作為 配線。圖39顯示利用第一遮光膜44作為像素電位控制線136 的構造。 O:\77\77911 -920820.DOO 4 •40- 裝 訂
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圖39係顯示第一遮光膜44之配置的平面圖。其中46係第 一遮光膜’為顯示位置而以點線顯示。42CH係通孔，連接 苐導電膜42與第二遮光膜46。另外，圖39為便於說明第 遮光膜44而省略其他構造。第一遮光膜44具有像素電位 控制線136之功能，並連接於圖中χ方向形成。第一遮光 膜44為發揮遮光膜之功能係形成覆蓋整個顯示區域，不過 由於亦具備像素電位控制線136之功能，因此係延伸於χ 方向（與掃描信號線102並聯之方向），並與γ方向並列形成 線狀，連接於像素電位控制電路135。此外，由於亦發揮像 素電容之電極的功能，因此係以儘量以寬面積與第二遮光 膜46重疊的方式形成。再者，作為遮光膜為求減少漏光， 鄰接之第一遮光膜44的間隔宜儘量縮小形成。 但是，如圖39所示，縮小形成鄰接之第一遮光膜44的間 隔時，第一遮光膜44之一部分則與鄰接之第二遮光膜46重 疊。如前所述’本液晶顯示裝置可雙向掃描。因此，雙向 掃描像素電位控制信號時，產生與次段之第二遮光膜46重 疊時與不重疊時。於圖39自圖中上方至下方掃描時，第一 遮光膜44與次段之第二遮光膜46重疊。 以下’使用圖40說明因第一遮光膜44之一部分與次段之 第二遮光膜46重疊造成的問題與解決方法。圖4〇(a)係說明 問題的時序圖。其中Φ 2 A係任意列的掃福信號，形成第a 列的掃描信號。Φ2Β係次段之列的掃描信號，形成第b列的 掃描信號。另外，說明發生問題之期間t2至t3間，其他期間 省略。 O:\77\779n-920820.DOC 4 -41- ^紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210X297公着) ~ ~一 -------
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k 580680 A7 ___B7 五、發明説明（39 ) 圖40(a)中，第A列於自時刻t2起2h(2水平掃描時間）後 之時刻t3，使像素電位控制信號φ 3 A改變。於自時刻t2起 lh後’掃描信號φ 2A的輸出結束，被掃描信號φ 2A驅動 之第A列的主動元件30處於切斷狀態，第A列之像素電極 109自影像信號線1〇3切離。於自時刻t2起2h後之時刻t3 , 即使考慮因信號切換造成的延遲等，第A列之主動元件3 0 仍處於徹底切斷狀態。但是，時刻t3為第B列之掃描信號 Φ 2 B切換時。 由於第A列之第一遮光膜44與第B列之第二遮光膜46重疊 ，因此，在第B列之像素電極與第A列之像素電位控制信號 線之間產生電容。由於時刻t3為第B列之主動元件3〇形成切 斷狀態與切離時，因此第B列之像素電極1〇9並未自影像信 號線103徹底切離。此時，與第b列之像素電極丨〇9間具有電 容成分之第A列之像素電子控制信號φ 3 a切換時，由於像 素電極109與影像信號線1 〇3之間並未徹底切離，因此電荷 在影像信號線103與像素電極1 〇9之間移動。亦即，第a列之 像素電子控制信號φ 3 A之切換影響寫入第b列之像素電極 109的電壓φ 4B。 該像素電子控制信號φ 3 A影響液晶顯示裝置之掃描方向 一定與均一，影響並不明顯。但是，紅、綠、藍等各色上 ,具備液晶顯示裝置，重疊各液晶顯示裝置之輸出進行彩 色顯不時’因液晶顯示裝置之光學性配置的理由，會發生 僅一個液晶顯示裝置自下向上掃描，其他液晶顯示裝置則 自上向下掃描。如此，數個液晶顯示裝置中發生掃描方向 〇：\77\779U-920820.D〇a 4 A〇 本紙張尺度適财國a f標準(CNS) A規格(家297公爱) B7 五、發明説明（4〇 ) 不同時，會因顯示品質不均一而損及美觀。 其次’使用圖40(b)說明解決方法。使第A列之像素電位 控制信號Φ 3A自第A列之掃描信號φ 2A開始起延後3h輸出 。此時，第B列之掃描信號Φ2Β亦為切換後，由於第b列之 主動元件30徹底處於切斷狀態，因此，第A列之像素電位控 制k號(1>3八對寫入第3列之像素電極1〇9之電壓（1)46的影響 減少。 另外，此時，寫入有負極性用輸入信號的時間比正極性 用輸入信號短3h，例如掃描信號線1〇2數量超過10〇時，為 3%以下的值。因而，負極性用輸入信號與正極性用輸入信 號之實效值的差亦可藉由基準電位Vc〇m之值等調整。 其次’使用圖41說明供給至像素電容之電壓vpp與基板 電位VBB的關係。圖41 (a)顯示構成像素電位控制電路13 5之 輸出電路69的反相器電路。 圖41(a)中之32係p型電晶體的通道區域，在矽基板1上藉 由植入離子等方法形成有n型井。矽基板1上供給有基板電 壓VBB ’ η型井32之電位為VBB。源極區域34與沒極區域35 為Ρ型半導體層，藉由植入離子等方法形成於矽基板1上。ρ 型電晶體30之閘極36上施加有低於基板電壓VBB之電位的 電壓時，源極區域34與汲極區域35處於導通狀態。 一般而言’由於構造簡單，不需要設置絕緣部等，因此 ’相同之石夕基板的電晶體上施加有共通之基板電位Vbb。 本發明之液晶顯示裝置在相同之矽基板1上形成有驅動電路 部的電晶體與像素部的電晶體。像素部之電晶體亦基於同 O:\77\77911-920820.DOC\ 4 -43· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公 580680 A7 —___ B7 五、發明説^~) — ~~一— - 樣的理由，施加有相同電位的基板電位VBB。 圖41(a)所示之反向器電路，其源極區域34上施加有供給 至像素電容的電壓VPP。源極區域34為Ρ型半導體層，在與 型井32之間形成？11接合。源極區域34之電位高於η型井32之 電位時’發生電流自源極區域34流入η型井32的不良情況。 因而，對於基板電壓VBB，電壓VPP設定成低電位。 如前所述，像素電極之電壓，於寫入像素電極之電壓為 V2，液晶電容為CL，像素電容為cc，像素電極控制信號 之振幅為VPP與VSS時，電壓下降後之像素電極的電壓係 以 V2 — {CC/(CL+CC)}x(VPP—VSS)表示。此時，vss 上選 擇GND電位時，像素電極之電壓變動的大小係由電壓vpp 、液晶電容CL、與像素電容CC決定。 以下’使用圖41(b)顯示CC/(CL+ CC)與電壓VPP的關係 。另外，為求簡化說明，將基準電壓Vcom作為GND電位。 此外’說明不施加電壓時成為白顯示（常白）方式，於像素電 極上施加有灰階電壓時成為黑顯示（灰階最小）時。圖41(b) 之Φ 1顯示自影像信號選擇電路123寫入像素電極之灰階電 壓。其係Φ 1A為正極性時，φ 2A為負極性時之灰階電壓。 由於係黑顯示，為使基準電壓Vcom與寫入像素電極之灰階 電壓之電位差為最大，因此同時設定有φΙΑ、Φ1Β。圖 41(b)中，由於φ 1A為正極性用信號，如先前所述，為使與 基準電壓Vcom之電位差為最大，因而為+ vmax，Φ 1B為 Vcom(GND)，寫入像素電極後，使用像素電容降低。 Φ4Α、Φ4Β均顯示像素電極的電壓，φ4Α顯示CC/(CL + O:\77\77911-920820. DOO 4 . λ λ . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210χ 297公爱) 580680 A7 B7 五、發明説明（42 ) CC)為1的理想情況時，Φ4Β顯示CC/(CL+CC)為1以下時。 Φ 4A為負極性時，由於Φ 1B寫入有Vcom(GND)，因此，隨 像素電極控制信號之振幅VPP而降低之—Vmax，因CC/(CL + CC)= 1，而成一 Vmax= — VPP。 反之，由於（D4BiCC/(CL+CC)為1以下，因此，需要供 給+ Vmax CVPP2之像素電極控制信號。如前所述，由於需 要為VPP < VBB，因此形成+ Vmax < VPP < VBB的關係。 此時，為形成低财壓電路，係使用降低像素電壓的方法， 不過，像素電極控制信號之電壓VPP形成高電壓時，發生基 板電壓VBB形成高電壓，結果形成高耐壓電路的不良情況 。因而，宜儘量使CC/(CL+CC)為1，亦即，須規定cl與 CC 之值，使 CL< < CC 〇 另外，於先則之玻璃基板上形成薄膜電晶體之液晶顯示 裝置，由於需要儘量擴大（所謂之高開口率化）像素電極，因 此為儘量可實現CL=CC的程度。此外，由於本，發明之液晶 顯示裝置之驅動電路部與像素部形成於同一個石夕基板上者 ，因此，基板電位VBB為高電壓時，會造成無法低耐壓化 的問題。 其次，使用圖42說明負極性用之灰階電壓。並轉由圖C 說明使用參照表形成負極性用之灰階電壓的方法。另外， 圖42繼續為求簡化說明，將基準電壓Vc〇m作為gnd電位。 此外，說明不施加電壓時成為白顯示（常白）的方式時。 圖42(a)之φ 1顯示自影像信號選擇電路123寫入像素電極 的灰階電壓，圖42(b)之φ 4顯示像素電極的電壓。首先，戈 O:\77\779l 1-920820.DOO 4 -45-
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明欲成為黑顯示（灰階最小）在像素電極上施加有灰階電壓時 。其顯示Φ 1A1為正極性時’ φ 1B 1為負極性時。由於係零 顯示’為使基準電壓Vcom與寫入像素電極之灰階電壓之電 位差為最大，因此同時設有Φ1Α、Φ1Β。 圖42(b)中，由於φ 1A1為正極性用信號，像素電極之電 壓，如先前所述，為使與基準電壓Vcom之電位差為最大， 因而為+ Vmax。反之，負極性用信號之φ j B i於寫入像素 電極後，使用像素電容被降低而成為一 Vmax。 其次’說明欲成為白顯示（灰階最大），在像素電極上施 加有灰階電壓時。其顯示φ 1A2為正極性時，φ 1B2為負極 性時。由於係白顯示，為使基準電壓\^0111與寫入像素電極 之電壓之電位差為最小，因此同時設有φ 1A2、φ 1B2。 圖42(b)中，由於Φ1Α2為正極性用信號，如先前所述， 為使與基準電壓Vcom之電位差為最小，因而為+ Vmin。 負極性用信號之φ 1B2於寫入像素電極後，使用像素電容 被降低。由於被降低之電壓為VPP，因此選擇被降低後成 為一 Vmin的電壓作為φ 1B2。 如圖42所示，負極性用信號φίΒΙ、Φ1Β2如先前採用之 方法，並非單純地反轉正極性用信號φ 1A1、Φ 1A2之電壓 。因而係使用參照表作成負極性用信號。圖43顯示使用參 照表作成負極性用信號之影像信號控制電路400的區塊圖。 其中422係負極性用參照表，423係正極性用參照表。由於 負極性用信號係使用像素電容作成，因此不使用負極性、 正極性用運算放大器。 O:\77\779n-920820.DOO 4 . 46 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱)
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580680 A7 B7 五、發明説明（44 ) 正極性用參照表422内使用有執行散亂校正的校正資料。 而負極性用參照表423内除執行散亂校正之校正資料之外， 亦包含藉由像素電容而降低，成為負極性用信號的校正。 藉由交流化信號切換類比開關417，正極性用信號與負極性 用信號傳送至DA轉換電路405。 其次’说明反射型液晶顯不裝置的動作。已知的一種反 射型液晶顯示元件為電場控制複折射模式（ELECTRICALLY CONTROLLED BIREFRINGENCE MODE) 〇 電場控制複折射 模式在反射電極與反向電極之間施加電壓，使液晶組成物 之分子排列改變，結果使液晶面板中之複折射率改變。電 場控制複折射模式係利用該複折射率之改變作為光透過率 之改變以形成影像者。 繼續，使用圖44說明一種電場控制複折射模式之單偏 光板絞合向列模式（SPTN)。其中9係以偏光分束器將自光 源（圖上未顯示）之入射光L1分割成兩個偏光，出射成為直 線偏光之光L2。圖44顯示入射液晶面板1〇〇之光使用透過偏 光分束器9之光（Ρ波），不過亦可使用以偏光分束器9反射之 光（S波）。液晶組成物3使用液晶分子長軸對驅動電路基板1 與透明基板2平行排列，介電異方性為正向列液晶。此外， 液晶分子藉由配向膜7, 8，以約90度扭轉之狀態配向。 首先，顯示圖44(a)上未施加電壓時《入射於液晶面板1〇〇 之光藉由液晶組成物3之複折射性而成橢圓偏光，反射電極 5面上形成圓偏光。以反射電極5反射之光再度通過液晶組 成物3中，再度形成橢圓偏光，並於出射時恢復成直線偏光 O:\77\77911-920820.DOa 4 - 47 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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，出射對入射光L2旋轉90度相位之光L3(S波）。出射光匕3再 度入射偏光分束器9,並被偏光面反射而形成出射光以。照 射該出射光L4至螢幕等上進行顯示。此時，於未施加電壓 時，形成光出射之所謂的常白（常開）的顯示方式。 反之，圖44(b)顯示在液晶組成物3上施加有電壓時。液 晶組成物3上施加有電壓時，由於液晶分子排列於電場方向 ’因此液晶内引起複折射的比率減少。因而以直線偏光入 射於液晶面板100之光L2直接被反射電極5反射，形成與入 射光L2相同偏光方向之光L5出射。出射光。透過偏光分束 器9恢復成光源。因而螢幕等上無光照射而成黑顯示。 單偏光板絞合向列模式，由於液晶分子之配向方向與基 板平行，因此可使用一般之配向方法，處理穩定性良好。 此外，由於使用常白，因此於低電壓側對引起顯示不良可 保持餘裕。亦即，常白方式可於施加高電壓的狀態下獲得 暗電平（黑顯示）。該高電壓的情況下，由於絕大部分液晶分 子集中於垂直於基板面的電場方向，因此暗電平顯示與低 電壓時之初期配向狀態無關。再者，肉眼將亮度不均勻作 為亮度之相對性比率來辨識，且對亮度具有接近對數範圍 的反應。因而肉眼對暗電平的變動敏感。基於此種理由， 常白方式為對初期配向狀態造成亮度不均勻的有效顯示方 式。 但是，上述電場控制複折射模式要求高的單元間隙精度 。亦即，由於電場控制複折射模式係利用光通過液晶層中 產生之異常光與常光間的相位差，因此透過光強度與異常
ΟΛ7Ά77911 ·920820. DOCV 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) -48 - 裝 訂
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光及常光間的延遲Δη · d有關。其中，Δη為折射率異方性 d為藉由隔片4所形成之透明基板2與驅動電路基板丨之間 的單元間隙（參照圖38)。 因而，本實施例考慮顯示不均勻，其單元間隙精度係在土 〇·〇5 μιη以下。此外，反射型液晶顯示元件，由於入射於液 晶之光以反射電極反射而再度通過液晶層，因此使用相同 之折射率異方性Δη的液晶時，對於透過型液晶顯示元件， 單元間隙d為一半。一般之透過型液晶顯示元件時之單元間 隙d約為5〜6 μιη，而本實施例則約為2 μτη。 由於本實施例係對應於高單元間隙精度與更窄之單元間 隙，因此係使用在驅動電路基板丨上形成柱狀隔片的方法來 取代先前之散佈間隔粒法。 圖45顯示說明設於驅動電路基板1上之反射電極$與隔片4 之配置的模式平面圖。為保持一定間隔，係在整個驅動電 路基板上成矩陣狀形成有許多隔片4。反射電極5係液晶顯 示元件形成圖像的最小像素。圖45為求簡化，係以符號5Α， 5Β所表示之縱4像素、橫5像素顯示。另外，以符號5Β表示 最外側的像素群，其内側之像素群則以符號5 a表示。 圖45縱4像素、橫5像素的像素形成顯示區域。以液晶顯 示元件表示之影像形成於該顯示區域内。顯示區域外側設 有虛擬像素113。該虛擬像素Π3的周邊，以與隔片4相同的 材料設有周邊框11。再者，周邊框丨丨的外側塗敷有密封材 料12。其中13係外部連接端子，用於供給外部信號至液晶 面板100上®
O:\77\77911-920820.DOO 4 AQ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公董) 五、發明説明（47 ) 隔片4與周邊框i i的材料使用樹脂材料。樹脂材料如可使 用株式會社JSR製之化學放大型負型光阻「bPR —丨13」（商 口口名稱）。於形成有反射電極5之驅動電路基板1上，以自旋 式塗敷法等塗敷光阻材料，使用掩模將光阻曝光成隔片4與 周邊框11的圖案。之後使用除去劑，將光阻予以顯像，以 形成隔片4與周邊框U。 將光阻材料等作為原料形成隔片4與周邊框丨丨時，可以塗 敷之材料的膜厚控制隔片4與周邊框丨丨的高度，可以高精度 形成隔片4與周邊框11。此外，隔片4的位置可以掩模圖案 決定，可在希望的位置上正確地設置隔片4。液晶投影機在 像素上存在隔片4時，·會發生在放大投影之影像上看出隔片 影像的問題。因係藉由掩模圖案之曝光、顯像以形成隔片4 ’於顯示影像時，可在不致發生問題的位置上設置隔片4。 此外’由於係與隔片4同時地形成周邊框11，因此將液晶 組成物3封入驅動電路基板1與透明基板2之間的方法，可採 用將液晶組成物3滴在驅動電路基板1上，之後，將透明基 板2接合於驅動電路基板1上的方法。 將液晶組成物3配置於驅動電路基板1與透明基板2之間， 組裝液晶面板100後，於周邊框U所包圍的區域内保有液晶 組成物3。此外，於周邊框丨丨外側塗敷有密封材料12，將液 晶組成物3封入液晶面板1 〇〇内。如前所述，由於周邊框11 係使用掩模圖案所形成，因此可以高位置精度形成在驅動 電路基板1上。因而，可以高精度設定液晶組成物3的邊界 。此外，周邊框11亦可以高精度設定密封材料12的形成區 O:\77\77911-920820. DOQ 4 - 50 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 580680 A7 __B7 五、發明説明（48 ) 域邊界。 密封材料12具有固定驅動電路基板丨與透明基板2之功能 、及藉由液晶組成物3以阻止有害物質進入的功能。塗敷具 流動性之密封材料12時，周邊框丨丨形成密封材料12的阻擋 物。作為密封材料丨2之阻擋物，可藉由設置周邊框丨丨，擴 大液晶組成物3之邊界及密封材料12之邊界上的設計餘裕， 可縮小（窄額緣化）液晶面板100之端邊至顯示區域之間。 由於係以包圍顯示區域之方式形成有周邊框丨丨，因此於 研磨處理驅動電路基板1時，會發生因周邊框丨丨而無法順利 研磨周邊框11附近的問題。由於係將液晶組成物3配向於一 定的方向，因此形成配向膜以進行研磨處理。本實鸡例係 於驅動電路基板1上形成有隔片4、周邊框π後，塗敷有配 向膜7。之後，液晶組成物3配向於一定方向，使用布等研 磨配向膜7，來進行研磨處理。 研磨處理時，由於周邊框11突出於驅動電路基板1，因此 周邊框11附近的配向膜7因周邊框11形成之階差無法徹底研 磨。因此，周邊框11附近容易產生液晶組成物3之配向不均 一的部分。為消除液晶組成物3之配向不良造成的顯示不均 勻，係將周邊框11之内側數像素作為虛擬像素113，作為與 顯示無關的像素。 然而，設置虛擬像素113，與像素5A，5B同樣地供給信號 時，由於在虛擬像素113與透明基板2之間存在液晶組成物3 ，因此發生亦觀察出虛擬像素113之顯示的問題。使用常白 時，在液晶組成物3上未施加電壓時，虛擬像素113變白顯 O:\77\77911-920820.DOO 4 - 51 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
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k A7 B7 五、發明説明（49 ) --- 不。因而顯示區域邊界變得不明確，損及顯示品質。雖亦 考慮到將虛擬像素113予以遮光，然因像素與像素之間隔為 數#m，因此在顯示區域的邊界很難精度良好地形成遮光框 °因此’在虛擬像素113上供給成為黑顯示的電壓，而觀察 出作為包圍顯示區域的黑框。 圖46 °兒明虛擬像素113的驅動方法。由於虛擬像素113上 供給成為黑顯示的電壓，因此設有虛擬像素的區域成為一 面”、、”、’員示。成為一面黑顯示時，與設於顯示區域上之像素 同樣地Τ而要個別地設置，可電性連接設置數個虛擬像 素此外，考慮驅動所需時間時，無須針對虛擬像素而設 置寫入時間。因此，可連續設置數個虛擬像素的電極，構 成個虛擬像素電極。但是，由於連續數個虛擬像素構成 一個虛擬像素時，像素電極之面積增加，導致液晶電容變 大如刖所述，液晶電容變大時，使用像素電容降低像素 電壓的效率下降。 μ 因此，虛擬像素亦與顯示區域之像素同樣地個別地設置 仁疋，與有效像素同樣地執行各列的寫入時，驅動重新 設置之數列虛擬列的時間變長。因而發生執行寫入該部分 有效像素之時間縮短的問題。反之，執行高精細顯示的情 況下，由於輸入高速的影像信號（點時脈高的信號），因此逐 漸產生對於像素寫入時間的限制。因此，為求於一個畫面 寫入期間，節約數列部分的寫入時間，如圖43所示，虛擬 像素係自垂直驅動電路130之垂直雙向移位暫存器VSR輸出 數列部分的計時信號，輸入於數個電平移位器67與輸出電 -52- O:\77\779t I-920820. DOO 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 580680
路69 ’以輸出掃描信號。此外，同樣地，像素電位控制電 路135亦自雙向移位暫存器SR輸出數列部分的計時信號，輸 入於數個電平移位器67與輸出電路69，以輸出像素電極控 制信號。 其次，使用圖47、圖48詳細說明設於驅動電路基板！上之 主動元件30及其周邊構造。圖47、圖48中與圖38相同之符 號係顯示相同的構造。圖48係顯示主動元件3〇周邊的大致 平面圖。圖47係沿圖48之I 一 I線的剖面圖，不過，圖47與圖 48之各構造間的距離不一致。此外，圖48顯示掃描信號線 102與閘極36、影像信號線103與源極區域35、汲極區域34 幵>成像素電容之第二電極4〇、與第一導電層42、以及接 觸孔35CH，34CH，40CH，42CH的位置關係，而省略其他的 構造。 圖47中之1係驅動電路基板的矽基板，32係以離子植入形 成於石夕基板1上的半導體區域（p型井），33係通道阻擋物，34 係以離子植入導電化，形成於p型井32内的汲極區域，35係 以離子植入形成於p型井32内的源極區域，3丨係以離子植入 導電化’形成於p型井32内之像素電容的第一電極。另外， 本貫施例係以p型電晶體表示主動元件3 〇，不過亦可採用η 型電晶體。 3 6係閘極，3 7係緩和閘極端部之電場強度的偏壓區域， 38係絕緣膜，39係電性分離電晶體間的場氧化膜，40係形 成像素電容之第二電極，經由絕緣膜38，在與設於矽基板1 上之第一電極21間形成電容。閘極36與第二電極40包含在 O:\77\77911-920820.DOQ 4 _ 53 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公釐） 裝 訂
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絕緣膜38上堆疊用於降低主動元件3〇之臨限值的導電層與 低電阻的導電層等雙層獏。雙層膜可使用如多晶矽與矽化 鎢之膜。41係第一層間膜，42係第一導電膜。第一導電膜 42包含防止接觸不良之阻隔金屬與低電阻之導電膜的多層 膜。第一導電膜可使用如以濺射形成之鈦、鎢與鋁的多層 金屬膜。 9 圖48中之1 02係掃描信號線。掃描信號線i〇2於圖料中係 延伸於X方向，並列設於Y方向上，供給有接通、切斷主動 元件30的掃描信號。掃描信號線1〇2與閘極相同，包含雙層 膜，可使用如堆疊多晶矽與矽化鎢的雙層膜。影像信號線 103延伸於γ方向並列設於χ方向上，並供給有寫入反射電 極5的影像信號。影像信號線ι〇3與第一導電層42相同，包 含多層金屬膜，可使用如鈦、鎢與鋁之多層金屬膜。 影像信號通過在絕緣膜38與第一層間膜41上開設之接觸 孔35CH，藉由第一導電膜42傳送至汲極區域35。在掃描信 號線102上供給有掃描信號時，主動元件3 〇接通，影像信號 自半導體£域（P型井）32傳送至源極區域34，並通過接觸孔 34CH，傳送至第一導電膜42。傳送至第一導電膜42之影像 信號通過接觸孔40CH傳送至像素電容之第二電極4〇。 此外，如圖47所示，影像信號通過接觸孔42ch ,傳送至 反射電極5。接觸孔42 CH形成於場氧化膜39上。由於場氧 化膜39膜厚較厚，因此場氧化膜上與其他構造比較，形成 較高位置。接觸孔42CH係設於場氧化膜39上，可藉由上層 之導電膜形成接近位置，縮短接觸孔之連接部的長度。 -54- O:\77\77911-920820. DOQ 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 580680
繼續，如圖47所示，第二層間膜43絕緣第一導電膜42與 第二導電膜44。第二層間膜43由掩埋各構造物所產生之凹 凸的平坦化膜43A與覆蓋其上之絕緣膜43B的兩層所形成。 平坦化膜43A係塗敷自旋玻璃（S0G; spin 〇n grass)形成。絕 緣膜 43B係原矽酸乙酯（TE〇s; Tetraethyl〇rth〇silicate)膜， 反應氣體係使用TEOS，並藉由CVD形成氧化矽膜者。 形成第二層間膜43後，藉由化學機械研磨（CMp)來研磨 第二層間膜43。第二層間膜43藉由CMP研磨予以平坦化 。在平坦化之第二層間膜上形成有第一遮光膜44。第一 遮光膜44與第一導電膜42同樣地，以鎢與鋁之多層金屬 膜形成。 第一遮光膜44約覆蓋整個驅動電路基板1，開口僅有圖45 所不之接觸孔42CH的部分。第一遮光膜44上以丁E〇s膜形成 有第二層間膜45。繼續在第三層間膜45上形成有第二遮光 膜46。第二遮光膜46與第一導電膜42同樣地，以鎢與鋁之 多層金屬膜形成。第二遮光膜46以接觸孔42(：11與第一導電 膜42連接。接觸孔42CH為構成連接，堆疊有形成第一遮光 膜44之金屬膜與形成第二遮光膜46之金屬膜。 以導電膜形成第一遮光膜44與第二遮光膜46，其間以絕 緣膜（介電膜）形成第三層間膜45，在第一遮光膜44上供給像 素電位控制信號’在第二遮光膜46上供給灰階電壓時，可 以第一遮光膜44與第二遮光膜46形成像素電容。此外，考 慮對於灰階電壓之第三層間膜45之耐壓、與減少膜厚以增 加電容時’第三層間膜45宜為15〇 至450 nm，更宜為約 O:\77\77911-920820. DOO 4 :297公釐）
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-55- 580680 A7 ____B7 五、發明説明（53 ) 300 nm 〇 其次’圖49顯示在驅動電路基板1上重叠透明基板2。驅 動電路基板1之周邊部形成有周邊框11，在周邊框、驅動 電路基板1與透明基板2所包圍之中保有液晶組成物3。在重 疊之驅動電路基板1與透明基板2之間，於周邊框u外側塗 敷有密封材料12。藉由密封材料12，驅動電路基板1與透明 基板2被接合固定’形成有液晶面板1〇〇。其中η係外部連 接端子。 其次，如圖50所示，液晶面板1〇〇上，自外部供給信號之 可撓性印刷電路板80連接於外部連接端子13。可撓性印刷 電路板80之兩外側的端子形成比其他端子為長，並連接於 形成於透明基板2之反向電極5，形成反向電極用端子si。 亦即’可撓性印刷電路板80連接於驅動電路基板1與透明基 板2兩者。 先前連接反向電極5之配線，係在設於驅動電路基板1之 外部連接端子上連接有可撓性電路板，並經由驅動電路基 板1連接於反向電極5者。本實施例之透明基板2上設有與可 挽性印刷電路板80的連接部82，直接連接有可撓性印刷電 路板80與反向電極5。亦即，液晶面板1〇〇係透明基板2與驅 動電路基板1重疊所形成，而透明基板2之一部分自驅動電 路基板1向外側伸出形成連接部82，在該透明基板2之外側 ’以伸出部分與可撓性印刷竜路板80連接。 圖51、圖52顯示液晶顯示裝置2〇〇的構造。圖51係構成液 晶顯不裝置200之各構造物的分解組裝圖。此外，圖52係液 O:\77\77911-920820. DOO 4 _ _ -56 - 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS) L規格(⑽χ撕公爱)---—-—— 580680
晶顯示裝置200的平面圖。 如圖51所示，連接有可撓性印刷電路板8〇之液晶面板ι〇〇 夾住缓衝材料71，並配置於散熱板72上。緩衝材料7丨係高 熱傳導性，埋入散熱板72與液晶面板1〇〇的間隙，具有便於 使液晶面板100之熱傳導致散熱板72上的功能。其中73係鑄 模’接合固定於散熱板72。
此外’如圖51所示，可撓性印刷電路板8〇通過鑄模乃與 散熱板72之間，取出至鑄模73的外側。其中乃係遮光板， 防止光源之光照射在構成液晶顯示裝置2⑼之其他構件上。 76係遮光框，顯示液晶顯示裝置2〇〇之顯示區域的外框。 裝 以上，係依據前述發明之實施形態具體地說明本發明人 之發明，不過，本發明並不限定於前述發明的實施形態， 只要在不脫離其要旨的範圍内當然可作各種改變。 訂
[發明之功效] 本案中揭示之主要發明所獲得之效果簡單說明如下。 採用本發明可校正信號的散亂，因此可提高在液晶上輸 出畫面時的畫質。 採用本發明，由於散亂校正可藉軟體變更，因此不需要 硬體性常數的變更等，可降低成本。 〇A77\779ll.920820.D〇a 4
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-58- [元件符號之說明]11…周邊框，12…密封材料，14…外部 連接端子，25…掃描重設信號輸入端子，26…掃描開始信 號輸入端子27…掃描結束信號輸出端子，28…重設用電晶 體，30…主動元件，34…源極區域，35…汲極區域，36〜 問極區域，38…絕緣膜，39…場氧化膜，41…第一層間膜 ，42···第一導電膜，43…第二層間膜，44…第一遮光膜， 45…第三層間膜，46…第二遮光膜，47…第四層間膜，48 …第二導電膜，61〜62…時脈反向器，65〜66…時脈反向器 71…緩衝材料’ 72…散熱板，73…鍀模，74…保護用接 合材料，75…遮光板，76…遮光框，80…可撓性印刷電路 板，100…液晶面板，1〇1…像素部，1〇2…掃描信號線， iOL··影像信號線’ 104…切換元件，107…反向電極，1〇8 …液晶電容，109…像素電極，110一顯示部，Ul·••顯示控 制裝置，120…水平驅動電路，121…水平移位暫存器，122 …顯示資料保持電路，123…電壓選擇電路，13〇…垂直驅 動電路’ 131…控制信號線，132…顯示資料線，4〇〇…影像 信號控制電路，401…外部控制信號線，402…顯示信號線 ’ 403…AD轉換電路，404…信號處理電路，405·..DA轉換 電路，406…放大交流化電路，407…抽樣保持電路，4〇9… 抽樣保持電路（數位用），410…類比驅動器，413···運算放大 器（放大用），414…運算放大器（負極性用），415·••運算放大 器（正極性用），416…類比開關（運算放大器切換用），41>·· 類比開關（參照表切換用），418…類比開關（影像源切換用） ，420…參照表（LUT)，421…參照表（1個封裝體），422…正
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580680 A7 B7 五、發明説明（56 )
極性用參照表，423…負極性用參照表，424…第一影像源 用參照表，425…第二影像源用參照表，426…第三影像源 用參照表，427…第一灰階用參照表，428…第二灰階用參 照表，429···標準參照表，430···微電腦，431···幀記憶體， 432…時序控制器，433…第一幀記憶體，434…第二幀記憶 體，435···資料匯流排，436···位址匯流排，437···内部開關 ，438···外加開關，440···區塊記憶體，445···測試圖案記憶 體。 裝 訂
O:\77\779ll-920820.DOQ 4 - 59 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 580680
    一種液晶顯示裝置，其特徵為包含： 液晶面板；及 影像信號控制電路，其係供給影像信號至上述液晶面 板； 自上述影像信號線控制電路至上述液晶面板，電性連 接有數條影像信號線，上述影像信號線控制電路上設有 輸出影像信號至各上述影像信號線的放大電路， 上述衫像#號線控制電路自數位信號形成類比信號， 放大該類比信號，自上述放大電路輸出作為上述影像信 號，藉由轉換上述數位信號之值，以校正上述放大電路 間之輸出散亂。 一種液晶顯示裝置，其特徵為包含： 液晶面板； 第一基板與第二基板，其係形成該液晶面板； 液晶組成物，其係夾在上述第一基板與第二基板之 間； 數個像素，其係設於上述第一基板上； 驅動電路，其係供給影像信號至上述像素；及 影像k號控制電路，其係供給影像信號至上述液晶面 板； 自上述影像信號線控制電路至上述驅動電路，電性連 接有數條影像信號線，上述各影像信號線上設有輸出影 像信號之輸出電路， 上述景> 像彳§號線控制電路包含將數位信號轉換成類比 O:\77\779l 1-920820.DOC 5 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) ------- 580680 A B c D 六、申請專利範圍 " 信號之數位類比（DA)轉換電路，自上述輸出電路輸出自 DA轉換電路輸出之類比信號，藉由設於上述各影像信號 線上之參照表，校正上述輸出電路間之輸出散亂。 3·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中前述第一基 板係矽基板。 4·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中包含標準參 照表’藉由變更標準參照表之值，作成上述參照表，以 校正輸出電路之散亂。 5.如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中係以1個晶 片構成就上述各影像信號線設置的數個參照表。 6·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中係藉由上述 參照表以調整對比或亮度。 7·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中係使用自外 部送達之資料，以微電腦運算收納於上述參照表内之資 料，並設定於參照表内。 8·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中包含數組參 照表’並根據影像信號種類分別使用參照表。 9.如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中包含數組參 照表，並分時選擇使用之參照表，模擬地增加灰階數。 ^ 一種液晶顯示裝置，其特徵為包含： 液晶面板； 第一基板與第二基板，其係形成該液晶面板； 液晶組成物，其係夾在上述第一基板與第二基板之 間； O:\77\779l 1-920820. D〇C\ 5 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 裝 訂 580680 A8 B8 C8 ""—-------— D8 _ 六、申請專利範圍 一· -- 數個像素，其係設於上述第一基板上； 基準電極，其係與上述像素相對設置； 驅動電路，其係供給影像信號至上述像素； 像素電容，其係連接於上述像素； 像素電位控制信號線，其係供給像素電位控制信號至 上述像素電容； 影像信號控制電路，其係供給影像信號至上述液晶面 板； 數條影像信號線，其係自上述影像信號線控制電路電 性連接於上述驅動電路；及輸出電路，其係輸出就上述 各影像信號線而設的影像信號； 上述影像信號線控制電路包含：第一參照表，其係輸 出正極性用數位信號；第二參照表，其係輸出負極性用 數位#號，及轉換電路，其係輸入正極性用數位信號， 並輸出正極性用類比信號，輸入負極性用數位信號，並 輸出負極性用類比信號； 上述負極性用類比信號作為影像信號輸入於上述像素 後，猎由像素電位控制信號，相對上述基準電極之電壓 形成負極性電壓。 11 · 一種液晶顯示裝置，其特徵為包含： 液晶面板；及 影像信號控制電路，其係供給影像信號至上述液晶面 板； 上述影像信號控制電路包含巾貞記憶體， -3 - O:\77\77911.920820.DOO 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公复） 580680 A B c D 々、申請專利範圍 藉由調整自上述幀記憶體讀出資料之速度， 可轉換幀驅動頻率。 12.如申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置，其中係使用上 述幀記憶體調整會聚。 O:\77\77911-920820.DOC\ 5 - 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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