TW509812B - Liquid crystal apparatus with active device connected to pixel electrodes, and the manufacturing method of liquid crystal apparatus - Google Patents
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Description
509812 A7 B7 五、發明説明 Λ „ι 消 f ii -r. 技術領域 本發明,係關於藉由控制液晶的配向而調變光線以顯 示文字、字等可視影像的液晶裝置。此外,本發明,係 關於使用該液晶顯示裝置而構成的電子機器。進而,本發 明係關於供製造這種液晶裝置之製造方法。 背景技術 (1 )近年來,在汽車導航系統、攜帶電子終端機, 以及其他的各種電子機器的可視影像顯示部等廣泛使用液 晶裝置。於此液晶裝置,在元件基板上形成複數個像素電 極及非線性元件之對,於對向基板上形成對向電極同時因 應必要而在對向基板上形成彩色濾光片,貼合這些元件基 板與對向基板,接著,在被形成於兩基板間的隔間間隙內 封入液晶而構成之液晶顯示裝置係屬已知。 今日,考慮將T F D (薄膜二極體:Thin Film Diode )元件的代表例之Μ I Μ (金屬—絕緣體一金屬·· Metal Insulator Metal )元件作爲非線性元件使用的方式的液晶裝 置時,被形成於該液晶裝置的元件基板上的像素電極及非 線性元件的周邊圖案構造,在從前係以第6圖所示的方式 構成的。亦即,於玻璃基板8 1上形成配線8 2以及第1 電極8 3,於其上形成陽極氧化膜8 4,接著於該陽極氧 化膜8 4上形成第2電極8 6。藉由這些第1電極8 3、 陽極氧化膜8 4以及第2電極8 6的層積構造而形成非線 性兀件之Μ I Μ兀件8 7。像素電極8 8,係以重疊於 本紙沾几度iUi'1 (、NS )/\4規指(210X 297公# ) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 裝. 訂 ▼線 -4 - 509812 A7 B7 五、發明説明(2 ) Μ I Μ元件8 7的第2電極8 6的先端的方式被形成的。 然而像素電極8 8 —般是藉由光蝕刻處理而形成的。 具體而言^首先,藉由濺鍍等將一定厚度的I TO (銦錫 氧化物:Indium Tin Oxide )膜形成於玻璃基板8 1上, 其後藉由蝕刻處理將不必要的I T 0除去形成希望的圖案 形狀的像素電極8 8。此處,成爲問題的是在藉由濺鍍等 在玻璃基板8 1上形成I T〇膜時,如第7圖所示,重疊 於Μ I Μ元件的第2電極8 6的部分的I T〇膜8 8 /未 完全密接於第2電極8 6,而在兩者間形成間隙G。 產生這樣的間隙G的話,在其後爲了將I τ〇膜 8 8 /圖案化而進行鈾刻處理時,鈾刻液會浸入該間隙g 中,結果,有在第2電極8 6與像素電極8 8之間產生斷 線之虞。產生此種斷線的話,會有在液晶裝置的可視影像 顯不區域內產生點狀缺陷之虞。又,作爲被使用爲像素電 極的透明導電膜,除了 I Τ ◦以外,也可以使用s η〇X 或是Ζ η Ο X等。關於這類膜材料也與I Τ〇同樣的對於 第2電極8 6有著密接不充分的問題,因此,關於這些材 料也有起因於鈾刻處理而產生斷線的危險。 .1 消 (2 )然而一般而言,液晶裝置有對各個像素附設非 線性元件的形式的主動矩陣方式的液晶裝置,與不使用如 此的非線性元件的形式的單純矩陣方式的液晶裝置。在主 動矩陣方式的液晶裝置,將非線性元件以及被形成透明像 素電極的元件基板,及被形成對向電極的對向基板相互貼 合,進而在兩基板之間所形成的隔間間隙內封入液晶。 本紙张尺度鸿爪'1.則'作# ν ( ('NS ),\4说梠(210Χ 297公# ) -5- -v:«彳而 π 509812 A7 ^ _ B7 五、發明説明(3 ) 元件基板以及對向基板並非個別個別製作的,一般是 在大面積的基板母材內分別形成附數個,而藉由將如此製 作的兀件基板母材與對向基板母材相互貼合,而同時製作 附數個液晶面板。在貼合元件基板母材與對向基板母材時 ,於這些基板母材的適當位置形成對正標記,而以使這些 對正標記成爲一致的方式貼合雙方的基板母材。 此外,在從前的液晶裝置的製造方法,爲了要確認元 件基板母材與對向基板母材是否具有適當的位置關係而被 貼合’所以使用C C D攝影機等攝影裝置來攝影液晶面板 內的1個像素部份而將其放映於C R T監視螢幕等之畫面 ,或者是藉由顯微鏡觀察1個像素部份,藉此檢查貼合狀 態是否位置適當。 然而,從前的檢查方法,例如以視覺比對元件基板側 的透明像素電極的外周緣線與對向基板側的指定參考標記 ,例如黑矩陣的開口部周緣線,而判定其是否位於適當的 位置關係,以此來判定元件基板與對向基板的貼合狀態之 良否。而如果是良品則作爲製品予以出貨,如果是不良品 ’則予以廢棄。然而,被形成於元件基板側的透明像素電 擊’因爲幾乎是無色透明的緣故,所以用這種基準藉由視 覺進行從前的液晶裝置的檢查,要在短時間內進行正確的 檢查是非常困難的。 1 (3 )本發明係有鑑於上述各問題點而完成之發明, 目的在於藉由在像素電極的周緣部設置適當的構件,已提 局液晶裝置的生產性。 木紙度逆:州、| ( (7、,S )八4%秸(210X 297々>f ) ^ ^ ------iT------- (讀先閱讀背而之注意事項再瑣寫本頁) 』 -6- 509812 A7 B7 五、發明説明 更具體而言,本發明之第1目的在於藉由在像素電極 的周緣部設置適當的構件,防止在非線性元件與像素電極 之間產生to因於蝕刻處理的接觸不良,防止在液晶顯示裝 置的可視影像顯示區域內產生點狀缺陷。 其次,本發明的第2目的在於藉由在像素電極的周緣 部設置適當的構件,使得元件基板與對向基板的位置偏移 量可以在短時間內藉由視覺檢查出來。
•ί 消 f: A 發明之揭示 (1 )爲了達成上述第1目的,本發明相關之液晶裝 置,係具有複數之像素電極,及含有導通於這些像素電極 的元件側電極的非線形元件之液晶裝置,其特徵爲:上述 元件側電極具有沿著上述像素電極的邊緣部的圖案形狀。 根據此液晶裝置,像素電極重疊的部份的元件側電極 因爲沿著該像素電極的源部具有圖案形狀的緣故’所以飩 刻處理I T 0膜區劃形成像素電極時,可以防止在元件側 電極與I T〇膜之間侵入蝕刻液,亦即,可以防止二者之 間產生斷線。 (2 )於上述的構成,元件側電極以沿著像素電極的 邊緣部全區域設成環狀的外框形狀者較佳。如此一來’因 爲可以盡力抑制鈾刻液的滲入,所以可以更進一層地防止 斷線的產生。 (3 )此外,以元件側電極的外形尺寸係較像素電極 的外形尺寸爲大者較佳。如此一來’可以更進一層防止鈾 1.紙¥尺度( rNS) 規核(210x 297公漦) (誚先閱讀背而之注意事項再楨寫本頁 -裝· 、11 ▼線 509812 A7 ____ B7 五、發明説明(5 ) 刻液的浸入。 (4 )其次,爲了達成上述第1目的,本發明相關的 電子機器|,其特徵爲具有前述構成之液晶裝置,及控制該 液晶裝置的動作之控制部。這種電子機器,例如有汽車導 航系統、攜帶終端機器、以及其他各種電子機器。 (5 )其次,爲了達成上述第2目的,本發明相關的 液晶裝置,係具有:於基板上形成非線形元件以及透明像 素電極而成的元件基板,及被配置爲相對方向於該元件基 板的對向基板之液晶顯示裝置,其特徵爲:具有平面重疊 於上述透明像素電極的外周邊緣之至少一部份,同時較該 像素電極的遮光性更高的標記。 根據此液晶裝置,因爲標記對於透明像素電極而言外 周緣的至少一部份是平面重疊的,所以藉由視覺比較被設 於元件基板側的標記,與對向基板側的參照標記,可以判 定元件基板與對向基板之間的位置關係是否適當。此外, 特別是因爲標記是被形成爲較透明像素電極的遮光性更高 的標記,所以容易藉由視覺確認,亦即,可以在短時間內 經 正確地判定。 > I (6)於上述構成的液晶裝置,標記以至少設於上述 | 像素電極的對角角落部之2處較佳,而且,以具有沿著鄰 f 接於該角落部的2邊方向延伸的2個分枝部者較佳。如果 f 將標記設於透明像素電極的對角角落部之2處,對向於該 •1 透明像素電極的對向基板的指定區域,例如黑矩陣的開口 1 部對於該透明像素電極無論是偏移至上下左右任一方,也 ( ('NS ) AAim ( 210X 297^# ) " -8 - 509812 A7 B7 五、發明説明(6 可以判定其偏移。 此外,沿著鄰接於透明像素電極的1個角落部的2邊 方向延伸I1的2個分歧部也使其含有標記的話,對於透明像 素電極之開口部等的位置偏移,無論是上下左右任一方的 偏移都可以簡單而且正確地認識到。 (7 )此外,上述標記,也可以沿著上述像素電極的 外周邊緣全區域設成框狀。如此一來,整個透明像素電極 的外周全區域都可以判定出位置偏移,所以更能夠簡單地 進行正確的檢查。 (8 )然而,隨著液晶裝置的不同,亦有在基板之上 形成下底層的膜後,於該下底層之上形成非線性元件的構 造。此下底層例如由鉅氧化物(T a〇X )形成,可以發 揮使非線性元件的密接性提高等功能。然而此下底層也存 在於透明像素電極的下側的話,因爲有損於像素區域的透 明性,所以相當於透明像素電極的區域的下底層多半被除 去。在這樣的場合,可以把被除去的部份的下底層的周緣 作爲位置確認用標記來使用。 (9 )於本發明之液晶裝置,非線性元件可以是二端 子型非線性元件。此二端子型非線性元件,一般係由第1 電極’及被層積於該第1電極上的絕緣膜,及被層積於該 絕緣膜上的第2電極所構成的元件。在使用此二端子型非 線性元件的場合’可以藉由與該二端子型非線形元件的第 1電極或是第2電極相同的材料形成標記。如此一來,在 圖案化第1電極或是第2電極時,可以同時將標記圖案化 -9 -
I 509812 A7 五、發明説明(7 ) ,不會使作業工程複雜化。 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 0 )於本發明之液晶裝置,非線性元件可以是薄 膜電晶體1^件。使用此薄膜電晶體元件的場合,可以用構 成元件之膜中較前述像素電極遮光性更高的材料形成標記 。如此一*來’在圖案化該膜的冋時將標記圖案化,不會使 作業工程複雜化。 (1 1 )在本發明之液晶裝置,視覺比對被設於元件 基板側的標記與對向基板側的參照標記同時進行位置偏移 的檢查。在此場合,對於對向基板側的參照標記要使用何 種標記,可以有種種方案。例如,在區劃形成相當於像素 的開口部之用的黑矩陣被形成於對向基板的場合,可以視 覺比對該黑矩陣的開口部周緣與標記。此外,對向基板具 有彩色濾光片的場合,可以視覺比較構成該彩色濾光片的 各色點的周緣與標記。 (1 2 )其次,本發明相關的液晶裝置的製造方法, 係具有相互貼合於基板上形成非線形元件及像素電極而成 的元件基板,及被配置爲相對方向於上述元件基板的對向 ,, 基板的工程之液晶裝置的製造方法,其特徵爲:(a )將 f 平面重疊於上述像素電極的外周邊緣之至少一部份,同時 Ί' | 較該像素電極的遮光性更高的標記形成於上述元件基板, 二、 t ( b )將該標記作爲確認元件基板與對向基板是否以適當 f 正確的位置關係被貼合的判別基準。 根據此製造方法,標記對於透明像素電極平面重疊至 印 " 少一部份的緣故,所以藉由視覺比對被設於元件基板側的 本紙乐X度述扣vj 彳(()八4祀栳(210 X 297公# ) -10- 509812 A7
I 消 f: ίι 五、發明説明(8 標記與對向基板側的參照標記,可以判定元件基板與對向 基板之間的位置關係是否適當。此外,特別是因爲標記係 藉由被形1成爲較透明像素電極具有更高的遮光性的標記, ,所以容易藉由視覺辨識,亦即,可以在短時間內進行正 確的判定。於此製造方法,作爲供與元件基板側的標記進 行視覺比對之用的對向基板側的參照標記,可以用黑矩陣 的開口部周緣,或是彩色濾光片的各色點的周緣等。 (1 3 )於上述液晶裝置的製造方法,將相當於像素 的開口部區劃形成的黑矩陣形成於上述對向基板,而將上 述標記,藉由對該黑矩陣的開口部外周邊緣的位置進行比 較而可以確認元件基板與對向基板之間的位置關係。 (1 4 )於上述液晶裝置的製造方法將含有複數色的 色點的彩色濾光片形成於上述對向基板上,接著將上述標 記對該彩色濾光片的色點的周緣比較其位置,藉此可以確 認元件基板與對向基板之間的位置關係。 供實施本發明之最佳形態 (第1實施例) 第3圖係將相關於本發明的申請專利範圍第1項之液 晶裝置的一實施例剖開一部份之後的平面。此液晶裝置1 ,具有藉由用印刷等方式被形成爲長方形的環狀的密封材 2來相互貼付的一對基板,亦即元件基板3 a及對向基板 3 b ° 元件基板3 a ,具有例如藉由玻璃而形成的透光性基 本紙度诚圯']柃。ί ( ('NS ) ( 210X297公參) (謂先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 - 509812 A7 B7 五、發明説明(9 板5 a ,於該透光性基板5 a的表面形成複數的直線配線 4及複數的透明像素電極6。這些直線配線4都是被形成 爲直線狀I1,而相鄰的各條配線被排列爲相互平行。此外, 各像素電極6,在這些直線配線4之間被排列爲列狀,而 全體被排列爲矩陣狀。各直線配線4,被導電接續於安裝 在遮光性基板5 a的伸出部的液晶驅動用I C 7 a的輸出 端子。 相對方向於元件基板3 a的對向基板3 b ,具有例如 藉由玻璃而形成的透光性基板5 b,於該透光性基板5 b 的表面被形成有複數的透明對向電極8。這些對向電極8 ,分別被形成爲直線狀,相鄰者被排列爲相互平行。這些 對向電極8,被導電接續於安裝在遮光性基板5 b的伸出 部的液晶驅動用I C 7 b的輸出端子。 直線配線4與像素電極6之間,如第1圖所示,被形 成作爲非線性元件的Μ I Μ元件1 1。此Μ I Μ元件1 1 ,係藉由從直線配線4伸出的第1電極1 2,與藉由陽極 氧化處理而被形成於該第1電極1 2上的陽極氧化膜1 3 ,以及被形成於該陽極氧化膜1 3上的第2電極1 4所構 成。 ☆ ll 第2電極1 4的先端1 4 a,被形成爲沿著像素電極 6的邊緣部全區域的環狀之框形狀’如第2圖所示像素電 極6被重疊形成於該電極先端1 4 a之上。在本實施例’ 第2電極1 4的框狀先端1 4 a的外型尺寸S,被設定爲 與像素電極6的外型尺寸相等。 本紙?度试 ΙΜ. κ R :¾、私) Λ4足招(210X 297公# ) -12- 509812 A7 B7 五、發明説明 10 Λ ii 像素電極6,係於構成元件基板3 a的透光性基板 5 a上將Μ I Μ元件1 1的第2電極1 4形成爲指定形狀 之後,使_習知的光蝕刻處理而形成者,具體而言,藉由 將均一膜厚的I Τ Ο膜進行濺鍍處理而在透光性基板5 a 上之全區域形成厚度相同的膜,進而藉由触刻處理而除去 不要的I T〇膜,藉此形成配合第2電極1 4的先端部 1 4 a的框形狀的長方形形狀。 在蝕刻處理I T 0膜時,蝕刻液有可能浸入第2電極 1 4的框狀先端1 4 a的周圍外側,但是不會浸入藉由該 框型形狀而塞住的先端1 4 a的內部區域。亦即,蝕刻液 變得不會浸入電極先端1 4 a與像素電極6之間,因此, 其間所產生斷線的情形也跟著消失。而其結果,可以製造 不具有點缺陷的正常的液晶裝置。 (第2實施例) 第5圖係顯示相關於本發明的申請專利範圍第4項之 電子機器的一實施例。此實施例,係將相關於本發明的液 晶裝置,應用於電子機器之汽車導航系統的顯示部所使用 的場合之實施例。此處所謂汽車導航系統,係使用G P S (全球定位系統:Global Positioning System )顯示車輛在 地圖上的位置之電子機器。 本實施例之汽車導航系統,例如具有包含第3圖所示 的液晶裝置1而被構成的顯示部7 0,及G P S控制部 66,及輸入裝置67,及電源部68。輸入裝置67具 本紙張尺度迖以'|.同丨义^;’.彳((”、8)以把秸(210乂 297公赘) (讀先閱讀背而之注意事項再填寫本頁 •裝
、1T 13- 509812 A7 B7 11 五、發明説明 有G P S天線6 9以及紅外線遙控器7 1。 G P S控制部6 6,具有:司職顯示影像之所有控制 的C P U 1 (中央處理裝置)7 2,及容納著供顯示車輛位 置的解析或地圖的影像之用的演算之所謂進行各種演算之 用的控制程式之主記憶體7 3,及容納著地圖資料檔案的 檔案記憶體部7 4,以及對液晶顯示部7 0送出供影像顯 示之用的驅動訊號的影像顯示電路7 6。此外,電源部 6 8,對液晶顯示部7 0及G P S控制部6 6的各部供給 電力。 (許先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) % 消 f. A 印 (變形例) 以上,舉 發明較佳的實 例爲限定,而 行種種的改變 例如,關 在第1圖所示 配設著Μ I Μ ,但是取代此 電極1 4的先 的形狀亦可。 在此變形 也可以抑制對 相當低,所以 出相關於申請 施例加以說明 可以在申請專 〇 於申請專利範 的實施例,橫 元件1 1的第 種做法,而如 端部1 4 a形 例的場合,與 於第2電極1 在像素電極6 專利範圍第1項與第4項的本 ,但是本發明並不以該等實施 利範圍所記載的發明範圍內進 圍第1項所記載的液晶裝置, 跨像素電極6的邊緣部全區域 2電極1 4的先端部份1 4 a 第4圖所示般的,並非將第2 成爲環狀,而是開放一邊B側 第6圖所示的從前技術相比, 4 a之鈾刻液的浸入可能性於 與第2電極1 4之間產生斷線 ..紙ί厂尺度iU丨丨'1 Κ ^ 'ί名彳((,NS )八桃梠(Μ0Χ 297公參) -14- 509812 A7 B7 五、發明説明(12 ) 的機率可以降低。但是在第4圖所示的具有開放部B的電 極先端形狀,與如第1圖所示的不具有開放部的環狀電極 先端相比場合,以第1圖的實施例較能確實防止腐蝕液 的滲入,甚而防止斷線的產生。 此外,第3圖所示的液晶裝置’係使用Μ I Μ元件的 主動矩陣方式且係C〇G (晶片於玻璃上:Chip On Glass )的方式的液晶裝置,但是採用c 0 G方式以外的實裝方 式的液晶裝置,或是使用Μ I Μ元件以外的非線性元件的 主動矩陣方式的液晶裝置等,當然也可以適用本發明。 此外,考慮關於申請專利範圍第4項所記載的電子機 器,在第5圖所示的實施例考慮到在汽車導航系統適用本 發明的情形,但是對於攜帶電子終端機器、攝影機 '電子 手冊等所謂其他各種電子機器當然也都可以適用本發明。 (第3實施例) 第1 0圖係顯示申請專利範圍第5項所記載的本發明 相關的液晶裝置之一實施例剖斷一部份的平面圖。此液晶 裝置2 1 ,具有藉由利用印刷等而被形成爲長方形的環狀 的密封材2而相互貼附的一對基板,也就是說具有元件基 板3 a及對向基板3 Β。 元件基板3 a ,具有例如藉由玻璃而形成的透光性基 板5 a,於該透光性基板5 a的表面被形成有複數的配線 4以及複數的透明像素電極6。各配線4,都是被形成爲 直線狀,相鄰者被排列爲相互平行。此外,各像素電極6 本纸仏尺度这扣'丨(('r、S )八4現柁(2^10χΪ97^#™™)—~ (誚先閱讀背vg之注意事項再楨寫本頁 裝· V#
、1T -15- 509812 A7 B7 ____— — — - —------------------ I ... ----- - ------------ I· 丨— ___________ _ 五、發明説明(13 ) 在這些配線4之間被排列爲列狀,全體而言被排列爲矩陣 狀。各像素電極6與對應其之配線4之間被形成有作爲二 端子型非線性元件的Μ I Μ元件1 1。各配線4 ’被接續 於安裝在透光性基板5 a的伸出部的液晶驅動用I C 7 a 的輸出端子。 相對方向於元件基板3 a的對向基板3 b ,具有例如 藉由玻璃而形成的透光性基板5 b,於該透光性基板5 b 的表面被形成有彩色濾光片9 ,進而於該彩色濾光片9的 表面被形成對向電極8。各對向電極8分別被形成爲直線 狀,相鄰者被排列爲相互平行。這些對向電極8被導電接 續於安裝在透光性基板5 b的伸出部的液晶驅動用 I C 7 b的輸出端子。 現在,擴大觀察被形成於元件基板3 a的複數像素電 極6之中的1個的周邊,則如第8圖所示那般。此外,第 9圖顯示沿著第8圖的虛線Y — Y之剖面構造。於這些圖 ,配線4係藉由層積第1層4a、第2層4b以及第3層 4 c之各層而被形成的。此外,Μ I Μ元件1 1係藉由層 積第1電極1 2、絕緣層1 3以及第2電極1 4之各層而 被形成的。 配線4的第1層4 a以及Μ I Μ元件1 1的第1電極 1 2都是導電性的金屬,例如藉由鉅(T a )而被形成爲 厚度2 0 0 0埃(A )程度。此外,配線4的第2層4 b 以及Μ I Μ元件1 1的絕緣層1 3都是藉由陽極氧化膜被 形成爲厚度5 0 0埃程度。進而,配線4的第3層4 c以 木紙仏尺度试化'ί ( ('NS ) ( 210X 297公犛) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- ▼線 -16- 509812 A7 B7 14 五、發明説明 (讀先閲讀背而之注意事項再瑣寫本頁) 及Μ I Μ元件1 1的第2電極1 4都是藉由導電性的金屬 例如鉻(C r )形成的。像素電極6,例如藉由透明的 I Τ〇形,以重疊於Μ I Μ元件1 1的第2電極1 4的 先端而導電接續的方式被配置的。 於第9圖,被形成於對向基板3 b的透光性基板5 b 與對向電極8之間的彩色濾光片9 ,係由R (紅)、G ( 綠)、B (藍)等複數色之色點部份9 c以及被形成於這 些色點之間的黑矩陣9 b。各色點部份9 c ,一致於藉由 黑矩陣9 b而被包圍的開口部κ。如果元件基板3 a與對 向基板3 b被貼合於適當正確的位置關係的話,黑矩陣的 開□部K ’如第8圖所示般的,被以所有的區域位於從像 素電極6的外緣線開始進入僅有間隔5的內側區域的方式 被設定。 «- f λ- 在本實施例,於Μ I Μ元件1 1的第2電極1 4的先 端’被形成沿著像素電極6的2邊方向延伸的2個分歧部 1 5 a ' 1 5 a。此外,對於第2電極成對角的像素電極 6白勺胃落部’也被形成沿著像素電極6的兩邊方向延伸的 2個分歧部15b、15b。這些分歧部15a及15b ’都是與第2電極1 4相同材質,在本實施例中是由鉻( C r )形成的。鉻與像素電極6的材質之I τ〇相比是遮 光性高的材料,用此而形成的分歧部1 5 a及1 5 b,在 被用於檢查黑矩陣的開口部K與像素電極6之間的位置偏 移時發揮位置確認標記的功能。 因爲本實施例的液晶裝置是以上述方式構成的,所以 木紙仏尺度城.)彳卜I r丨、 (’NS )八4没柁(210 X 297公f ) -17- 509812 A7 B7 ύ ss 消 f: A 社 五、發明説明(15 於第1 0圖藉由液晶驅動用I C 7 b而將對向電極8掃描 選擇每條線,同時,藉由液晶驅動用I C 7 a對希望的像 素的Μ I以元件施加指定電壓,藉此控制被包含在對應像 素的液晶的配向,在液晶裝置2 1的顯示區域V內顯示希 望的可視影像。此時,於第9圖,遮住除了開口部K以外 的區域的黑矩陣9 b,防止多餘的光線向外部漏出,實現 高對比的顯示。 爲了使黑矩陣9 b發揮指定的遮光性,開口部K與像 素電極6必須具有適當的位置關係而且相對方向。在本實 施例中,使用被設於像素電極6的對角角落部的一對位置 確認用標記1 5 a及1 5 b,檢查開口部K與像素電極6 之間的位置關係。 具體而言,例如(1 )視覺比較黑矩陣的開口部K的 周緣線L與作爲位置確認用標記的分歧部1 5 a及1 5 b ,4處分歧部1 5 a及1 5 b全部被隱藏於黑矩陣9 b, 而這些標記未出現於這些開口部K中的場合判定其爲良品 。此外,(2)雖然4處分歧部15 a及15b之中的任 一部份出現於開口部K之中,但是該位置確認用的標記 1 5 a或1 5 b的全部未出限於開口部K之中者也判定爲 良品。接著(3)在4處分歧部1 5 a及1 5b之任一完 全出限於開口部K的場合,開口部K與像素電極6之間的 位置偏移超過了容許界限而被判定爲不良品。 又,爲了便於說明舉例說明位置確認用的分歧標記 1 5 a及1 5 b的尺寸之一例,如第9圖,在開口部K與 本紙张尺度iUM ΚΓβ.彳:丨'彳((、NS ) ΛΜΜ; (210X 297公 # ) (1¾先閱讀背而之注意事項再填寫本頁 裝· ▼線 -18- 509812 A7 B7 16 五、發明説明 像素電極6之間的適當間隙爲(5 = 1 〇 m時,各分歧標 記1 5 a與1 5 b的寬度a設爲a = 5 //m,各分歧標記 1 5 a與1 5 b至開口部周緣線L爲止的間隔b可以設定 爲b = 5 // m。此外’可以將各分歧標記1 5 a及1 5 b 的長度c設爲c = l 5//m程度。 以上的說明’係針對完成的1個液晶裝置之說明,以 下針對供製作如此的液晶裝置的製作方法加以說明。 首先,如第1 1圖所示,準備例如玻璃製的大面積透 光性基板母材5 a >,於該基板母材5 a >的表面形成液 晶面板的複數份之像素電極6,Μ I Μ元件1 1以及配線 4。在本實施例,考慮在元件基板母材5 a >上形成4個 1個份的液晶面板區域R的場合,亦即一次生產4個的場 合。第8圖所示的位置確認用標記1 5 a以及1 5 b,係 在藉由圖案化形成Μ I Μ元件1 1的第2電極1 4 (參照 第9圖)時同時形成的,所以不需要特別的工程。 在被形成Μ I Μ元件1 1等的元件基板母材5 a >上 ,進而被形成配向膜,對於該配向膜施以所謂拋光處理等 之配向處理,進而,在各液晶面板區域R內的像素電極6 的周圍藉由印刷等形成密封材2。如此,具備液晶面板4 個份元件基板的元件基板母材3 a /被製作出來。又,符 號2 a代表供注入液晶之用的液晶住入口。 另一方面,元件基板母材3 a >用的透光性基板母材 5 a /之外,準備以如第1 2圖所示的玻璃製寬面積的透 光性基板母材5 b >,於該表面設定4個份的液晶面板區 (1¾先閱讀背而之注意事項再填寫本頁)
Η 消 fc A -r: -19- 509812 A7 B7 17 五、發明説明 域R,於各液晶面板區域R內形成彩色濾光片9以及對向 電極8,藉此,形成大面積的對向基板母材3 b —。 (讀先間讀背1¾之注意事項再填寫本頁 接著L將第1 1圖的元件基板母材3 a /與第1 2圖 的對向基板母材3 b /以各母材內的液晶面板區域R正確 重合的方式相互貼合,藉此,製作大面積的空面板。通常 ,元件基板母材3 a >以及對向基板母材3 b >分別於適 當的處所形成對正標記,以這些標記爲基準進行貼合。 而,在各個液晶面板區域R的周圍的指定位置形成切 入線,亦即所謂的描(s c r i b e )線,針對元件基板 母材3 a >或者對向基板母材3 b /的任一方,將液晶住 入口 2 a的部分根據切入線切斷使各液晶注入口 2 a露出 至外部,透過該液晶住入口 2 a向各液晶面板區域R內注 入液晶,進而於注入結束後密封液晶注入口 2 a ,以此來 製作充塡入液晶的大面積面板。接著其後,根據形成於各 液晶面板區域R的周圍的描線切到大面積面板,藉此將1 個個液晶面板切出,完成如第1 0圖所示的1個完整的液 晶面板。 f Λ 如使用第8圖所說明的,關於本發明的液晶裝置,雖 然使用位置確認用標記1 5 a以及1 5 b可以在短時間內 正確地檢查黑矩陣的開口部K與像素電極6之間的位置偏 移,但是該檢查工程,也可以對於最終獲得的1個1個的 液晶裝置1 (請參照第1 0圖)來實行,也可以在大面積 的空面板狀態下實行,或者是在封入液晶之後進行描線處 理之前的大面積面板狀態時來實行。在大面積空面板狀態 本紙仏尺度ΚΙϋ (’NS ) /\4規核(210Χ 297公# ) -20· ii 為 消 ☆ 509812 A7 -------------- B7 〜 -------- —--------------------- —________________ . 五、發明説明(18 ) 0寺或者大面積的充塡入液晶的面板狀 認檢查而選別出不良品的話,可以對 處理,所虹可以提高作業效率。 (弟4實施例) 第1 3圖,係顯示申請專利範圍 裝置的其他實施例的重要部位,特別 的表面的複數像素電極之中的1個以 所示的構成元件基板2 3 a的各構成 場合具有相同符號者,代表相同的構 之進一步說明。 此處所示的元件基板2 3 a與第; 3 a相異之處,在於元件基板3 a的 對角角落部形成了一對位置確認用標 而相對於此,在本實施例則是在像素 全區將位置確認用標記3 5形成爲框 記3 5也可以在形成Μ I Μ元件1 1 時形成。 在本實施例,因爲將位置確認用 極6的周邊部全區域,所以在使用位 認黑矩陣的開口部Κ與像素電極6之 成可以在標記3 5的任一處所進行該 更進一層進行正確的判斷。 本紙张尺度mvt权彳(( 2 10 X 297公參) 態時預先進行位置確 於不良品省掉其後的 第5項所記載的液晶 是被形成於元件基板 及其周邊部分。此處 要素之中與第8圖的 成要素,而省掉對其 丨圖所示元件基板 場合在像素電極6的 記 15a 及 15b, 電極6的整個外周緣 狀。此位置確認用標 的第2電極1 4時同 標記3 5設於像素電 置確認用標記3 5確 間的位置偏移時,變 確認,所以結果可以 -21 - 509812 A7 B7 __ 五、發明説明(19) (第5實施例) 第1 4圖以及第1 5圖,係顯示申請專利範圍第5項 所記載的_晶裝置的進而其他的實施例之重要部位。特別 是第1 4圖係顯示被形成於元件基板的表面的複數像素電 極之中的1個以及其周邊部分,第1 5圖係顯示第1 4圖 的Z - Z線的剖面構造。 此處所是的實施例,顯示於具有所謂的背對背(back-to-back )構造的Μ I Μ元件的液晶裝置適用本發明的場合 之實施例。此所謂背對背構造的Μ I Μ元件,係如第1 4 圖所示,藉由將一對的ΜΙΜ元件11Α以及11Β電氣 上反向串連接續,以使Μ I Μ元件的開關特性安定化。這 些ΜΙΜ元件1 1Α以及1 1Β,如第15圖所示,具有 分別由第1電極1 2、絕緣層1 3以及第2電極1 4所構 成的層積構造。 在使用此種背對背構造的Μ I Μ元件的液晶裝置,爲 了使Μ I Μ元件1 1 Α及1 1 Β的密接性提高,在形成 MIM元件11A以及11B的第1電極12之前,多半 於元件基板3 3 a側的透光性基板5 a的表面由鉬氧化物 (T a 0 X )形成厚度相同的下底層2 2。此外,如此的 % 消 A ii (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下底層2 2如果也存在於像素電極6與透光性基板5 a之 \ 間的話,會發生該像素電極6的部分的透光率降低而液晶 裝置的顯示區域變暗的問題。 爲了解決這種問題,於供製造元件基板3 3 a的一連 串工程中,在形成MIM元件11A以及11B的第2電 -22- 509812 A7 B7 五、發明説明(20) 部 Π .1 f:. A fi 極1 4之後’在將像素電極6重疊形成於該第2電極1 4 的先端之前’除去供形成該像素電極6之用的指定區域所 存在的下1底層2 2 ’其後實行形成像素電極6的工程是有 效果的。第1 5圖以符號J所表示的區域,顯示如此在指 定的處所除去下底層2 2的場合、其除去區域的外緣線, 亦即下底層2 2的周緣線。 在本實施例,爲提高MIM元件1 1A及1 1B的密 接性,而將透光性基板5 a上所形成的下底層2 2之中, 除去對應於像素電極6的部分時,設定該除去區域與黑矩 陣的開口部K的大小一致。接著,把藉由除去下底層2 2 而顯現出來的下底層2 2的周緣線J ,使用作爲確認元件 基板3 3 a與對向基板3 3 B之間的位置偏移之用的位置 確認標記。 下底層2 2的除去區域周緣線J ,係對於像素電極以 總是具有一定的位置關係的方式被形成的,所以視覺比較 此周緣線J與黑矩陣的開口部K,可以正確地判斷對向基 板3 3 b與元件基板3 3 a之間的位置是否偏移。而且, 下底層2 2的材質之鉬氧化物(T a Ox)與形成像素電 極6的I T〇相比遮光性很高的緣故,所以在視覺比較主 動矩陣的開口部K的周緣與像素電極6的周緣的場合’更 容易用視覺判定,因而,可以在短時間內正確地進行位置 偏移的檢查。 (變型例) 本紙乐尺度这.)丨Η 今((’NS ) Μ規栳(2】Οκ 297公f ) (讀先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁) 裝· 訂 -23- 509812 A7 B7 五、發明説明(21 以 的較佳 施例爲 種改變 例 所示具 。此外 第2電 電極材 使用與 Μ I Μ 爲有利 此 件的第 體,如 ,只要 上舉出關於申請專利範圍第5項 的幾個實施例加以說明,但是本 限1,而可以在申請專利範圍所記 〇 如,位置確認用標記的形狀,並 備2個分歧部的標記,也可以是 ,位置確認用標記的材質並不限 極相同的材質,例如也可以使用 料,或者是與Μ I Μ元件無關的 Μ I Μ元件相同材質的材料的話, 元件的指定工程中同時形成位置 所記載的液晶裝置 發明並不以這些實 載的範圍內進行種 不需要是如第8圖 不具分歧部的標記 於與Μ I Μ元件的 Μ I Μ元件的第1 材料。但是,如果 可以在供形成 確認用標記所以較 外’藉由例如與像素電極同一 I 丁〇形成Μ I Μ元 2電極,也可以使該第2電極與像素電極形成爲一 此一來,可以省略第2電極的形 用與第1電極相同的材質形成位 成工程。在此場合 置確認用標記即可 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 ml I i ϋϋ mi ϋ.—— emMma mil UMli ml Hit mi_— 裴·
I ^ ί· A -r. 此外’被與被形成於元件基板側的位置確認用標記比 較的對向基板側的參照標記,並不限於黑矩陣的開口部, 例如,將彩色濾光片中的R、G、Β各色點的周緣線作爲 比較的對象亦可。 此外’非線性元件並不以Μ I Μ元件爲限。又,在上 述說明使用的是一次製作4個的大面積的元件基板母材以 及對向基板母材,但是當然也可以使用同時製作較4個爲 木纸张尺度述川'1. ((,NS ) Λ4規招(210X297公f ) -24- 509812 %
f: A A7 B7 五、發明説明(22) " 少的複數個或是較4個爲多的複數個液晶面板的基板母材 〇 進而Ί,第1 0圖所示的液晶裝置,係在透光性基板上 直接搭載液晶區動用I c的構造,亦即所謂C〇G (晶片 於玻璃上:Chip On Glass )方式的液晶裝置,但是其他的 任意構造的液晶裝置,例如T A B方式的液晶裝置也可以 適用本發明。 (第6實施例) 第1 6圖係顯示申請專利範圍第1項及第5項所記載 的液晶裝置之其他實施例,特別是關於大面積的元件基板 母材4 3 a >擴大各個像素部分的平面圖。於該圖,主要 是藉由1個像素電極6構成1個像素。於元件基板母材 4 3 a >的表面被形成全面相同厚度的下底層2 2,於其 上被形成複數個相互平行的直線狀閘極電極線5 2,進而 於這些個閘極電極線5 2形成通電圖案5 7。此通電圖案 5 7,係供供給電流給個閘極電極線5 2之用的通電圖案 〇 閘極電極線5 2與像素電極6,如第1 7圖所示,透 過作爲主動元件的T F T元件5 5相互接續。此T F T元 件5 5係如第1 8圖所示,於下底層2 2之上依序層積下 列各層:亦即閘及電極5 2 a、作爲閘極絕緣膜的陽極氧 化膜5 3,作爲另一閘極絕緣膜的氮化物膜5 9 ,作爲通 道部真性半導體膜之非結晶矽(a — S i )膜6 1 ,作爲 (誚先閱讀背而之注意事項再楨寫本頁) -裝· -25- ii 509812 A7 B7 五、發明説明( 23 ! fl 接觸邰半導體膜的已植入非結晶砂(N + a - S i )膜6 2 ’接著是通道部保護用氮化物膜6 3之各層。 於第11 6圖,於元件基板母材4 3 a —的表面以直角 相交於閘極電極線5 2的位置關係形成複數個相互平行的 源極電極線6 4。這些源極電極線6 4,如第1 7圖及第 1 8圖所示,以使層積於N + a - S i膜6 2的單側(第 1 7圖的左半側)上的方式被形成。此外,以使層積於 N + a - S i膜6 2的另一方之單側(亦即第1 7圖的右半 側)之上的方式形成像素電極6。 上述構造的T F T元件5 5,例如用下述方式形成。 也就是說,於第1 9圖,首先準備藉由玻璃等而形成的元 件基板母材4 3 a /,於其上藉由濺鍍等將τ a 2〇5等形 成厚度相同的下底層2 2。 其次,使用習知的圖案化技術,例如光蝕刻法,於下 底層2 2上將鉅圖案化藉此形成連接複數的直線狀閘極電 極線5 2,從這些電極線5 2拉出的T F T元件用的閘極 電極5 2 a及各液晶裝置部分的閘極電線5 2的通電圖案 5 7。 其後,將元件基板母材4 3 a /浸漬於化成液,亦即 陽極氧化處理溶液,進而對通電圖案5 7施加指定電壓實 行陽極氧化處理,藉此,於閘極電極5 2 a以外的圖案上 形成陽極氧化膜5 3。 其次,於第1 8圖,在如上述形成的各個陽極氧化膜 5 3之上,例如藉由C V D法將氮化矽(s i 3 N 4 )圖案 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 -裝- -26- 509812 A7 B7 ,,一·+从-- . 办»:.· · - - - I —— I ---------- ——Mil - ______ 五、發明説明(24) (讀先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁) 化形成閘極保護膜5 8。接著進而,將非結晶矽堆積爲一 樣,進而於其上將N+a - S i堆積爲厚度一樣,進而,藉 由光蝕刻_ N + a - S i圖案化形成接觸部半導體膜6 2, 進而將a — S i圖案化形成通道部真性半導體膜6 1。 其後,使用習知的圖案化技術將氮化矽(S i 3 N 4 ) 圖案化形成通道保護膜6 3,進而以使I T〇的一部份重 疊於N + a - S i膜6 2的方式而且圖案化爲指定的點狀形 狀,而將像素電極6形成爲矩陣狀。進而以使鋁的一部份 重疊於N + a - S i膜6 2而且使其平行排列的方式圖案化 藉此形成源極電極線6 4。 其後,於基板表面將配向膜形成爲相同厚度,對於該 配向膜施以一軸配向處理例如拋光處理,進而藉由網版印 刷等形成環狀的密封材藉此完成對於元件基板母材指定的 處理。其後,將與此元件基板母材另行準備的對向基板母 材重疊於此元件基板母材形成大面積的面板構造體,將液 晶封入該面板構造體內的各個液晶裝置部分,切斷該面板 構造體製作出複數個單份液晶裝置之液晶面板,接著於這 些液晶面板安裝偏光板、液晶驅動用I C等,藉此製作複 數個所要的液晶裝置。 在本實施例,藉由光蝕刻等形成作爲元件側電極之 N + a - S i膜6 2時’將該N + a — S i膜6 2的形狀製 作爲例如第1 6圖所示的,沿著像素電極6的一邊6 a的 緣部的圖案。此外,此N + a — S i膜6 2,因爲較像素電 極6的遮光性更高,所以也可以作爲供視覺確認像素電極 -------------——·.…一…. ______ —— 本紙张尺度㈣p作打々((、NSyΛ/1 -27- 509812 A7 B7 五、發明説明(25 )
6的緣部供加強對比之用的高遮光性標記。在本實施例中 ,像素電極6之中被設有T F T元件5 5的角落部的對角 側的角落都也被形成有N S i膜6 2 a ,只要作爲供視覺確認像素電極6的邊緣部 時作爲遮光性高的標記。如以上所述,根據本實施例,將 N + a - S i膜6 2形成爲具有沿著像素電極6的一邊6 a 的緣部的圖案形狀,所以在蝕刻處理I T 0膜形成像素電 極6時,可以防止在N + a — S i膜6 2與I T〇膜之間進 入腐蝕液而在二者之間產生斷線。 此外,因爲將與像素電極6相比遮光性高的N + a -S i膜6 2以及6 2 a對應於像素電極6的對角角落部而 形成的,所以在元件基板母材4 3 a /上貼合對向基板母 材(參照第1 2圖)時,藉由視覺比較被設於元件基板母 材側的標記,例如黑遮罩的周緣部,與上述之N + a — s i 膜6 2以及6 2 a ,可以容易正確判斷元件基板母材與對 向基板母材之間的位置關係是否適當正確。 !
。此N —S i 膜 6 2 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本實施例,使用非結晶矽型T F T元件作爲非線性 元件之例加以說明,但是並不以此爲限,也可以適用多結 晶矽型T F T元件,構成T F T元件的膜之中,只要將與 像素電極相比遮光性高的膜至少平面重疊於像素電極的對 角角落部而形成之即可。 產業上之利用可能性 本發明相關的液晶裝置適用於行動電話的顯示部,_ -28- 509812 A7 B7 五、發明説明(26 ) 部 .乂 i) j 消 f. 么 ft -r: 帶型電腦的螢幕等。此外,本發明相關的液晶裝置的製造 方法,被利用作爲在製造液晶裝置時可以極力抑制不良品 的產生的1技術。此外,相關於本發明的電子機器,作爲例 如行動電話、電腦等所謂民生用以及業務用機器被廣泛供 給至市場。 圖面之簡單說明 第1圖係相關於本發明的液晶裝置的一實施例之重要 部位,特別是顯示像素電極及Μ I Μ元件的周邊之平面圖 〇 第2圖係第1圖的X — X線側剖面圖。 第3圖係將相關於本發明的液晶裝置之一實施例剖開 一部份之平面圖。 第4圖係顯示相關於本發明的液晶裝置之其他實施例 的重要部位平面圖。 第5圖係顯示相關於本發明的電子機器之一實施例的 外觀以及電氣控制系統之圖。 第6圖係顯示從前的液晶裝置的一例之重要部位的平 面圖。 第7圖係顯示形成第6圖所示的從前的元件構造時之 途中過程的模式圖,係第6圖V — V線剖面圖。 第8圖係顯示相關於本發明的液晶裝置之一實施例的 重要部位,特別是被形成於元件基板內的1個像素電極及 其周邊部份的平面圖。 (讀先閲讀背面之注意事項再瑣寫本頁 、1Τ -29- 509812 A7 五、發明説明(27) 第9圖係顯示依照第8圖的Y — Y線之剖面構造圖。 第1 0圖係顯不將相關於本發明的液晶裝置的一實方也 例剖開一郜份之平面圖。 第1 1圖係顯示構成供製造本發明相關的液晶裝置之 用的製造方法的一連串工程之中的途中工程所製造的元件 基板母材之平面圖。 第1 2圖係顯示構成供製造本發明相關的液晶裝置之 用的製造方法的一連串工程之中的途中工程所製造的對向 基板母材之平面圖。 第1 3圖係顯示相關於本發明的液晶顯示裝置之另一 實施例的重要部位,特別是被形成於元件基板內的1個像 素電極以及其周邊部份之平面圖。 第1 4圖係顯示相關於本發明的液晶顯示裝置之進而 另一實施例的重要部位,特別是被形成於元件基板內的1 個像素電極以及其周邊部份之平面圖。 第1 5圖係顯不第1 4圖的Z — Z線之剖面構造之剖 面圖。 ,, 第1 6圖係顯示相關於本發明的液晶裝置之進而其他 > | 的實施形態之重要部位的平面圖。 十 S 第1 7圖係顯示第1 6圖的重要部位之TFT元件的 f 附近部份之平面圖。 -1 f 第18圖係顯示第17圖所示的TFT元件的剖面構
A j; 造之剖面圖。 第1 9圖係顯示第1 6圖所示的元件基板母材的製造 »—- > . . —- - …一一—―… — , ,, , 本紙张凡度垅用中同1'以:樣彳((14)/\4現秸(210/297公#) 一~ ---------裝-- (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -30- 509812 A7 B7 五、發明説明(28) 途中狀態的平面圖 符號說明1 K 開口部 1 2 3 a 3 b 4 5 a 6 7 a 8 9 9 b
消 1L A 12 13 14 15 3 5 6 6 6 7 液晶裝置 密封材 元件基板 對向基板 直線配線 透光性基板 像素電極 7 b 液晶驅動用I C 對向電極 彩色濾光片 黑矩陣 色點部份 Μ I Μ元件 第1電極 陽極氧化膜 第2電極 、1 5 b 分歧部 位置確認用標記 G P S控制部 輸入裝置 —-------裝------訂----- (讀先閱讀背vg之注意事項再镇寫本頁) , · •31 - 509812 A7 B7 五、發明説明(29) 6 8 電源部 6 9 G P S天線 70 被晶顯示部 71 紅外線遙控器 72 CPU (中央處理裝置) 7 3 主記憶體 74 檔案記憶體部 76 影像顯示電路 (讀先間讀背面之注意事項再楨寫本頁 r裝· 、11 消 f: Λ (,NS ) Λ4娜(210X297 公參 -32- ii
Claims (1)
- 509812 A8 B8 C8 D8 附件 電極,以及具 其中 該像素電極的 ,其中該元件 ,其中該元件 申請專利範圍 第87 1 1 1 96〇§|^胤車—講_秦 中文申請專利範圍修正本 民國90年5月修正 1 . 一種液晶裝置,其特徵爲具備像素 有與該像素電極導通的元件電極的主動元件 該7C件電極與該像素電極重疊,且沿著 邊緣部而形成。 2 ·如申請專利範圍第1項之液晶裝置 笔極係形成於該像素電極的下層。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶裝置 電極的外形尺寸比該像素電極的外形尺寸小。 4 · 一種液晶裝置,其特徵爲具有像素電極以及連接 方< 像素電極的兩端子型非線型元件,其中 該兩端子型非線型元件具有第一電極、第二電極以及 夾在該第一電極與該第二電極之間的絕緣層, 該第二電極係與該像素電極重疊而配置,且沿著該像 素電極的邊緣部形成環狀。 5 , —種液晶裝置,其特徵爲具有像素電極以及連接 於該像素電極的兩端子型非線型元件,其中 該兩端子型非線型元件具有第一電極、第二電極以及 該第一電極與該第二電極之間的絕緣層, 該第二電極係與該像素電極重疊而配置,且在兩端子 型非線型元件附近,用以沿著該像素電極的邊緣部而形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) --------訂---------線-^^丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 州812 A8 B8 C8 ____™__ 六、申請專利範圍 Ο 6 · —種液晶裝置,其特徵爲具備像素電極以及形成 連接於該像素電極的主動元件之元件基板、對向配置於該 元件基板的對向基板, 該像素電極顯示光透過性,具有重疊於該像素電極的 外緣部之至少一部份而配置,且顯示比該像素電極還高的 遮光性的標記。 7 ·如申請專利範圍第6項之液晶裝置,其中 該主動兀件具有:第一電極、第二電極以及夾在該第 〜電極與該第二電極之間的絕緣層, 該標記係由與該第一電極或是第二電極實質上相同的 材料所構成。 8 ·如申請專利範圍第6項之液晶裝置,其中 該主動元件係薄膜電晶體。 9 ·如申請專利範圍第7之液晶裝置,其中該像素電 極的對角2處設置該標記。 1〇·如申請專利範圍第6項之液晶裝置,其中該標 記係沿著接鄰於該角落部的兩邊延伸。 1 1 ·如申請專利範圍第6項之液晶裝置,其中,該 標記係沿著該像素電極的外周部設成框狀。 1 2 ·如申請專利範圍第7項之液晶裝置,其中在該 主動元件的下層配設下底層,該下底層被作爲該標記使用 〇 1 3 . —種液晶裝置的製造方法,其特徵爲貼合像素 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------—-----訂---------線 41^· 丨 n · ’ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -2 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509812 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 電極及形成連接於該像素電極的主動元件之元件基板、對 向配置於該元件基板的對向基板,其中 在與該像素電極的外緣部的至少一部分重疊的位置, 形成顯示比該像素電極還高的遮光性之標記於該元件基板 ’使用該標記確認該元件基板與該對向基板之貼合位置。 1 4 · 一種液晶裝置的製造方法,其特徵爲貼合像素 電極及形成連接於該像素電極的主動元件之元件基板、對 向配置於目亥兀件基板的對向基板,其中 在與該像素電極的外緣部的至少一部分重疊的位置, 形成顯示比該像素電極還高的遮光性之標記於該元件基板 ,在該對向基板形成黑矩陣,於貼合該元件基板與該對向 基板後,比較該標記與該黑矩陣的位置。 1 5 · —種液晶裝置的製造方法,其特徵爲貼合像素 電極及形成連接於該像素電極的主動元件之元件基板、對 向配置於該元件基板的對向基板,其中 在與該像素電極的外緣部的至少一部分重疊的位置, 形成顯示比該像素電極還高的遮光性之標記於該元件基板 ,在該對向基板形成彩色濾光片,於貼合該元件基板與該 對向基板後,比較該標記與該彩色濾光片的位置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 气i > (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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US5245452A (en) * | 1988-06-24 | 1993-09-14 | Matsushita Electronics Corporation | Active matric drive liquid crystal display device using polycrystalline silicon pixel electrodes |
JP2799875B2 (ja) * | 1989-05-20 | 1998-09-21 | 株式会社リコー | 液晶表示装置 |
DE69202893T2 (de) * | 1991-03-20 | 1995-11-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
WO1993011455A1 (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-10 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and method of manufacturing same |
EP0577429B1 (en) * | 1992-07-03 | 1999-09-01 | Citizen Watch Co. Ltd. | Liquid crystal display having non linear resistance elements |
JP2940354B2 (ja) | 1992-09-18 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US5893621A (en) * | 1994-07-14 | 1999-04-13 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
JP3059487B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2000-07-04 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH08306926A (ja) * | 1995-05-07 | 1996-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR100218293B1 (ko) * | 1995-12-08 | 1999-09-01 | 구본준 | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
US6211928B1 (en) * | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JP3708637B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
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