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KR970072389A - 정전기 방전 보호장치 - Google Patents

정전기 방전 보호장치 Download PDF

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KR970072389A
KR970072389A KR1019960011911A KR19960011911A KR970072389A KR 970072389 A KR970072389 A KR 970072389A KR 1019960011911 A KR1019960011911 A KR 1019960011911A KR 19960011911 A KR19960011911 A KR 19960011911A KR 970072389 A KR970072389 A KR 970072389A
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concentration impurity
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Inventor
함석헌
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/711—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements
    • H10D89/713—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base region coupled to the collector region of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기 방전 보호장치에 관한 것으로서, 특히 제1전도형 반도체 기판에 형성된 제2전도형 웰; 웰 바닥에 형성된 고농도의 제2전도형 매몰층; 웰의 표면에 형성된 필드산화막; 필드산화막의 일단에 인접한 웰표면으로부터 매입층까지 형성된 제1전도형의 제1불순물영역; 필드산화막의 타단에 인접한 웰표면으로부터 매입층까지 형성된 제1전도형의 제2불순물 영역; 제1불순물영역의 표면 근방에 형성된 제1전도형 제1고농도 불순물 영역; 제2불순물 영역의 표면 근방에 형성된 제1전도형 제2고농도 불순물 영역; 웰표면 근방에 형성된 제2전도형의 고농도 불순물 영역; 필드산화막 상에 형성되고 입출력패드와 연결된 필드 게이트 전극층; 제1고농도 불순물영역 상에 형성되고 저항을 통하여 입출력 패드에 연결된 제1전극층; 제2고농도 불순물영역 상에 형성되고 접지전원단자에 연결된 제2전극층; 및 제2전도형의 고농도 불순물영역 상에 형성되고 접지전원단자에 연결된 제3전극층을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 소자의 모든 영역을 통하여 방전전류가 흐르게 되어 면적 대비 방전 효율이 좋다.

Description

정전기 방전 보호장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 정전기 방전 보호장치의 구성을 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 제1전도형 반도체 기판에 형성된 제2전도형 웰; 상기 웰 바닥에 형성된 고농도의 제2전도형 매몰층; 상기 웰의 표면에 형성된 필드산화막; 상기 필드산화막의 일단에 인접한 웰표면으로부터 상기 매입층까지 형성된 제1전도형의 제1불순물영역; 상기 필드산화막의 타단에 인접한 웰표면으로부터 상기 매입층까지 형성된 제1전도형의 제2불순물영역; 상기 제1불순물영역의 표면 근방에 형성된 제1전도형 제1고농도 불순물 영역; 상기 제2불순물영역의 표면 근방에 형성된 제1전도형 제2고농도 불순물 영역; 상기 웰표면 근방에 형성된 제2전도형의 고농도 불순물 영역; 상기 필드산화막 상에 형성되고 입출력패드와 연결된 필드 게이트 전극층; 상기 제1고농도 불순물영역 상에 형성되고 저항을 통하여 상기 입출력 패드에 연결된 제1전극층; 상기 제2고농도 불순물영역 상에 형성되고 접지전원단자에 연결된 제2전극층; 및 상기 제2전도형의 고농도 불순물영역 상에 형성되고 상기 접지전원단자에 연결된 제3전극층을 구비한 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전도형은 엔형이고 제2전도형은 피형인 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호장치.
  3. 입출력패드에 저항을 통하여 캐소우드가 연결되고 접지전원단자에 애노우드가 연결된 제1불순물영역과 매입층의 피엔 접합 다이오드; 및 제1전류전극이 접지전원단자에 연결되고 필드 게이트 전극이 상기 입출력패드에 연결되고 제2전류전극이 상기 저항을 통하여 입출력패드에 연결된 절연 게이트 전계효과트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011911A 1996-04-19 1996-04-19 정전기 방전 보호장치 KR100194202B1 (ko)

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KR100494143B1 (ko) * 1997-12-31 2005-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 필드트랜지스터 구조
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020057086A (ko) * 2000-12-30 2002-07-11 임철호 집적회로의 정전기 보호 입출력회로 제조공정

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