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KR970003271A - 반도체 메모리의 불량셀 구제회로 - Google Patents

반도체 메모리의 불량셀 구제회로 Download PDF

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KR970003271A
KR970003271A KR1019950017840A KR19950017840A KR970003271A KR 970003271 A KR970003271 A KR 970003271A KR 1019950017840 A KR1019950017840 A KR 1019950017840A KR 19950017840 A KR19950017840 A KR 19950017840A KR 970003271 A KR970003271 A KR 970003271A
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서영호
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김광호
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
메모리 셀중의 불량셀을 리던던시 셀과 대치하고자 하는 분야에서 불량 셀의 동작뿐 아니라 대기 전류 불량원을 완전히 차단시키는 기술이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
셀 전원전압에 의한 대기전류 불량을 완전히 방지하는 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
개시된 회로는, 저항들을 통해 연결된 저항 부하단들과 상기 저항 부하단에 각각의 드레인단자가 연결되고 게이트 단자들이 워드라인에 접속되며 소오스 단자들이 비트라인 쌍에 각기 연결된 한쌍의 억세스 트랜지스터로 구성된 복수개의 메모리 셀들과, 상기 비트라인 쌍을 통하여 상기 메모리 셀들을 열방향 단위로 프리차아지 하기 위한 복수개의 프리차아지 트랜지스터 쌍을 구비한 반도체 메모리에 있어서: 상기 열 방향 단위로 배치된 상기 메모리셀들이 대기 전류 불량셀로서 판정된 경우에 상기 저항 부하단들을 통해 메모리 셀로 제공되는 셀 전류 공급을 차단시키는 수단을 제공하며, 상기 프리차아지 트랜지스터쌍의 전류 공급동작 차단시키는 전류차단 수단을 가진다.
4. 발명의 중요한 용도
스태틱 메모리의 불량셀 구제회로로로서 적합하게 사용된다.

Description

반도체 메모리의 불량셀 구제회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 불량셀 구제회로도, 제5도는 본 발명의 또다른 실시예의 불량셀 구제회로도.

Claims (10)

  1. 저항등 전류제한 수단들을 통해 연결된 소자 부하단들과 상기 소자 부하단에 각각의 드레인 단자가 연결되고 게이트 단자들이 워드라인에 접속되며 소오스 단자들이 비트라인 쌍에 각기 연결된 한쌍의 엑세스 트랜지스터 및 상기드레인 단자들에 게이트 단자들이 교차 연결된 한쌍의 구동 트랜지스터로 구성된 복수개의 메모리 셀들과, 상기 비트라인 쌍을 통하여 상기 메모리 셀들을 열방향 단위로 프리차아지 하기 위한 복수개의 프리차아지 트랜지스터 쌍을 구비한 반도체 메모리에 있어서; 상기 열 방향 단위로 배치된 상기 메모리 셀들이 대기 전류 불량셀로서 판정된 경우에 상기 저항 부하단들을 통해 메모리 셀로 제공되는 셀 전류공급을 차단시키는 수단을 제공하며, 상기 프리차아지 트랜지스터쌍의 전류공급동작을 차단시키는 전류차단 수단을 가짐을 특징으로 하는 불량셀 구제 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀로 제공되는 셀 전류공급을 차단하기 위해 상기 메모리 셀의 저항등 전류제한 수단들과 연결된 상기 셀 전류원은 상기 메모리셀에 대해 하나 혹은 다수개의 열방향 단위로 연결되어 있어 상기 열방향 단위로 셀 전류공급 동작을 차단시키는 전류차단 수단을 가짐을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 메모리 셀로 제공되는 셀 전류공급을 차단하는 수단이 상기제1항의 상기 프리차아지 트랜지스터 쌍의 전류 공급 동작을 차단시키는 수단과 연결되어 있어 상기 두가지 전류 공급 차단 동작을 동시에 실현할 수있음을 특징으로하는 불량셀 구제회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전류차단 수단은 상기 셀 전원전압과 접지전압사이에 차례로 연결된 저항 및 퓨즈소자와, 상기 저항 및 퓨즈소자간의 접속점에 입력단이 연결되어 상기 메모리 셀들이 대기 전류 불량셀로서 판정된 경우에상기 퓨즈소자의 불로잉에 기인하여 상기 저항 부하단들에 접지전압을 제공하는 제1인버터와, 상기 제1인버터의 출력단에연결되어 상기 제1인버터가 접지전압을 출력할 경우에 상기 셀 전원전압 근방의 레벨을 상기 프리차아지 트랜지스터쌍의게이트단자에 제공하는 제2인버터를 가짐을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀로 제공되는 셀 전류 공급을 차단하는 수단, 또는 상기 프리차아지 트랜지스터 쌍의 전류 공급 동작을 차단시키는 수단, 혹은 상기 두가지 전류 공급차단 수단 모두가 외부 신호등에의한 일시적인 전기적 상태 조절에 의해 차단 동작을 실현할 수 있음을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 외부 신호 등에 의한 일시적인 전기적 상태 조절에 의한 실현된 상기 메모리 셀로제공되는 셀전류 공급의 차단, 또는 상기 프리차아지 트랜지스터 쌍의 전류 공급 동작의 차단, 혹은 상기 두가지 전류공급 모두의 차단 동작이 실현된 다음 어드레스 디코딩 신호 등에 의해 하나 또는 다수개의 열방향 단위로 상기 차단상태를선택적으로 해제함을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전류 공급차단 동작이 실현된 다음, 어드레스 디코딩 신호 등에 의해 하나 또는 다수개의 열단위로 상기 차단상태를 선택적으로 해제함으로서 하나 또는 다수개의 열단위로 대기전류 불량셀을 포함하고 있는 칼럼의 존재를 판명할 수 있음을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전류차단 수단을 상기 서로 차례로 연결된 저항 및 퓨즈소자와, 상기 퓨즈소자와 출력단이 연결되고 내부선택 신호가 일입력에 연결되며, 내부 선택신호가 타입력에 연결되어 상기 내.외부 선택신호에 응답하여 대기전류 불량셀을 판정하는 수단을 제공하는 제1수단과, 상기 저항 퓨즈소자간의 접속점에 입력단이 연결되어 상기메모리 셀들이 대기 전류 불량으로 판명된 경우에 상기 소자 부하단들에 접지전압을 제공하는 제2수단과, 상기 제2수단의출력단에 일입력단이 연결되고 내부 선택신호가 타입력단에 연결되어 상기 제2수단의 출력과 상기 내부 선택신호에 응답하여 상기 프리차아지 트랜지스터쌍의 게이트단에 소정의 전압을 제공하는 제3수단을 가짐을 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1수단은 노아게이트이고, 상기 제2수단은 인버터이며, 상기 제3수단은 낸드게이트를 특징으로 하는 불량셀 구제회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 낸드게이트의 일입력은 칼럼 어드레스 디코딩 신호임을 특징으로하는 불량셀 구제회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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