[go: up one dir, main page]

KR930020660A - Esd 보호장치 - Google Patents

Esd 보호장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930020660A
KR930020660A KR1019920005352A KR920005352A KR930020660A KR 930020660 A KR930020660 A KR 930020660A KR 1019920005352 A KR1019920005352 A KR 1019920005352A KR 920005352 A KR920005352 A KR 920005352A KR 930020660 A KR930020660 A KR 930020660A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
internal circuit
conductive line
input pad
electrostatic discharge
delay stage
Prior art date
Application number
KR1019920005352A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950007572B1 (ko
Inventor
진대제
최종현
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920005352A priority Critical patent/KR950007572B1/ko
Priority to JP5013897A priority patent/JPH05299574A/ja
Priority to EP93300848A priority patent/EP0564076B1/en
Priority to US08/041,224 priority patent/US5430602A/en
Publication of KR930020660A publication Critical patent/KR930020660A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950007572B1 publication Critical patent/KR950007572B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements
    • H10D89/819—Bias arrangements for gate electrodes of FETs, e.g. RC networks or voltage partitioning circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/911—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using passive elements as protective elements

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

입력패드와 내부회로를 전기적으로 연결하며 고유의 기생저항 및 기생캐패시턴스에 의한 적어도 하나의 RC 지연스테이지를 가지는 도전선로에 구비되고, 스트레스 전압에 대하여 상기 내부회로를 보호하기 위한 정전방전(ESD) 보호장치에 있어서, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지사이에서 상기 도전선로를 접지전압단으로 연결하는 펀치스루우소자와, 상기 지연스테이지와 상기 내부회로사이에서 상기 도전선로상에 놓인 저항을 구비함을 특징으로 하는 정전 방전 보호장치.

Description

ESD 보호장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 ESD 장치의 전기적 등가회로도이다.

Claims (10)

  1. 입력패드와 내부회로를 전기적으로 연결하며 고유의 기생저항 및 기생캐패시턴스에 의한 적어도 하나의 RC 지연스테이지를 가지는 도전선로에 구비되고, 스트레스전압에 대하여 상기 내부회로를 보호하기위한 정전방전(ESD)보호장치에 있어서, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지 사이에서 상기 도전선로를 접지전압단으로 연결하는 펀치스루우소자와, 상기 지연스테이지와 상기 내부회로사이에서 상기 도전선로상에 놓인 저항을 구비함을 특징으로 하는 정전방전 보호장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항이 상기 내부회로내에 존재하는 모오스트랜지스터의 게이트에 연결됨을 특징으로 하는 정전방전(ESD)보호회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저항이 도전성의 물질이 확산되어 있는 영역임을 특징으로 하는 정전방전(ESD)보호 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지사이에서 상기 도전선로와 상기 접지전압단사이에 직렬 연결된 저항과 클램핑수단을 더 구비함을 특징으로 하는 정전방전(ESD)보호장치.
  5. 입력패드와 내부회로를 가지는 반도체장치의 정전방전(ESD) 보호장치에 있어서, 상기 입력패드와 내부회로를 전기적으로 연결하며 고유의 기생저항 및 기생캐패시턴스에 의한 적어도 하나의 RC 지연스테이지를 가지는 도전선로와, 상기 입력패드와 상기 지연스케이지사이에서 상기 도전선로를 접지전압단으로 연결하는 펀치스루우소자와, 상기 지션스테이지와 상기 내부회로사이에서 상기 도전선로상에 놓인 저항과, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지 사이에서 상기 도전선로와 상기 접지전압단에 직렬연결된 저항과 클램핑수단을 구비함을 특징으로하는 정전방전(ESD)보호장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 저항이 상기 내부회로내에 존재하는 모오스트랜지스터의 게이트에 연결됨을 특징으로 하는 정전방전(ESD) 보호장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 저항이 도전성의 물질이 확산되어 있는 영역임을 특징으로 하는 정전방전(ESD) 보호장치.
  8. 반도체장치에 있어서, 입력패드 및 내부회로와, 상기 입력패드와 내부회로를 전기적으로 연결하며 고유의 기생저항 및 기생캐패시턴스에 의한 적어도 하나의 RC 지연스테이지를 가지는 도전선로와, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지사이에서 상기 도전선로를 접지전압단으로 연결하는 펀치스루우소자와, 상기 지연스테이지와 상기 내부회로사이에서 상기 도전선로상에 놓인 저항과, 상기 입력패드와 상기 지연스테이지사이에서 상기 도전선로와 상기 접지전압단에 직렬연결된 저항과 클램핑수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저항이 상기 내부회로내에 존재하는 모오스트랜지스터의 게이트에 연결됨을 특징을하는 반도체보호장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 저항이 도전성의 물질이 확산되어 있는 영역임을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920005352A 1992-03-31 1992-03-31 Esd 보호장치 KR950007572B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920005352A KR950007572B1 (ko) 1992-03-31 1992-03-31 Esd 보호장치
JP5013897A JPH05299574A (ja) 1992-03-31 1993-01-29 静電放電から半導体装置を保護する静電放電保護装置
EP93300848A EP0564076B1 (en) 1992-03-31 1993-02-04 Electrostatic discharge protection
US08/041,224 US5430602A (en) 1992-03-31 1993-03-31 Input protection circuit for protecting an internal circuit of a semiconductor device from electrostatic discharge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920005352A KR950007572B1 (ko) 1992-03-31 1992-03-31 Esd 보호장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930020660A true KR930020660A (ko) 1993-10-20
KR950007572B1 KR950007572B1 (ko) 1995-07-12

Family

ID=19331165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920005352A KR950007572B1 (ko) 1992-03-31 1992-03-31 Esd 보호장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5430602A (ko)
EP (1) EP0564076B1 (ko)
JP (1) JPH05299574A (ko)
KR (1) KR950007572B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795472B1 (ko) * 2005-11-16 2008-01-21 허윤종 Ｅｓｄ 보호를 제공하기 위한 ｒｃ-트리거 ｅｓｄ 파워클램프 회로 및 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852317A (en) * 1995-03-31 1998-12-22 National Semiconductor Corporation Method to reduce gate oxide damage due to non-uniform plasmas in read only memory arrays
JPH11103021A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Seiko Instruments Inc 保護回路および保護回路を用いた電子回路
US6002567A (en) * 1997-10-17 1999-12-14 Lsi Logic Corporation ESD protection for high voltage level input for analog application
US6725439B1 (en) 1998-01-29 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method of automated design and checking for ESD robustness
US6069782A (en) * 1998-08-26 2000-05-30 Integrated Device Technology, Inc. ESD damage protection using a clamp circuit
US20020060343A1 (en) * 1999-03-19 2002-05-23 Robert J. Gauthier Diffusion resistor/capacitor (drc) non-aligned mosfet structure
TW445627B (en) * 1999-10-04 2001-07-11 Winbond Electronics Corp Electrostatic discharge buffer apparatus
US6400204B1 (en) * 2000-07-26 2002-06-04 Agere Systems Guardian Corp. Input stage ESD protection for an integrated circuit
US6678133B2 (en) * 2001-03-09 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Electrostatic discharge protection with input impedance
JP3608199B2 (ja) * 2001-10-30 2005-01-05 ローム株式会社 Ｉｃ間のインターフェースシステム、及びｉｃ
KR100482370B1 (ko) * 2002-09-27 2005-04-13 삼성전자주식회사 게이트 산화막의 두께가 다른 반도체장치
WO2005002019A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-06 Koninklijke Philips Electronics N. V. Protection circuit for an integrated circuit device
EP1744569B1 (en) * 2004-09-30 2009-02-18 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and system of realizing communication
US7760477B1 (en) * 2006-10-06 2010-07-20 Altera Corporation CDM performance of high speed CLK inputs
US7978448B2 (en) * 2007-08-20 2011-07-12 Microchip Technology Incorporated Hybrid circuit for circuit protection and switching

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1209271A (en) * 1967-02-27 1970-10-21 Hitachi Ltd Improvements in semiconductor devices
JPS57152160A (en) * 1981-03-13 1982-09-20 Mitsubishi Electric Corp Protective circuit for input
DE3378807D1 (en) * 1982-10-20 1989-02-02 Philips Nv Integrated circuit comprising an input protection device
US4745450A (en) * 1984-03-02 1988-05-17 Zilog, Inc. Integrated circuit high voltage protection
JPH0691196B2 (ja) * 1984-07-25 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS6271275A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH0616558B2 (ja) * 1987-01-28 1994-03-02 三菱電機株式会社 半導体装置の入力保護装置
JPH0695545B2 (ja) * 1988-01-07 1994-11-24 株式会社東芝 半導体集積回路
JPH02294075A (ja) * 1989-05-08 1990-12-05 Matsushita Electron Corp 半導体保護装置
JP2626229B2 (ja) * 1989-10-12 1997-07-02 日本電気株式会社 半導体入力保護装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795472B1 (ko) * 2005-11-16 2008-01-21 허윤종 Ｅｓｄ 보호를 제공하기 위한 ｒｃ-트리거 ｅｓｄ 파워클램프 회로 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5430602A (en) 1995-07-04
JPH05299574A (ja) 1993-11-12
EP0564076B1 (en) 2002-05-22
KR950007572B1 (ko) 1995-07-12
EP0564076A1 (en) 1993-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020660A (ko) Esd 보호장치
US7224560B2 (en) Destructive electrical transient protection
KR960005986A (ko) 반도체 집적회로장치
KR930005191A (ko) 상보형 금속 산화물 반도체(cmos)집적 회로용 정전방전보호
KR970055319A (ko) 정전기보호소자
KR890008923A (ko) 집적회로 보호장치
KR950021509A (ko) 보호 트랜지스터를 가진 반도체 장치
KR950012707A (ko) 반도체 장치
KR940001383A (ko) 출력 버퍼의 정전 방전 보호회로를 구비한 집적회로
KR960032721A (ko) P 채널 mis 트랜지스터로 구현된 부하 저항을 갖는 입력 보호 회로
KR970072108A (ko) 고 전압 정전 방전 보호 회로
KR950010112A (ko) 반도체 보호회로 및 그 장치
KR960030398A (ko) Esd 보호 회로를 갖는 반도체장치
US6650165B1 (en) Localized electrostatic discharge protection for integrated circuit input/output pads
KR890001187A (ko) 반도체 집적회로 장치
US5579200A (en) Electrostatic discharge protection for metal-oxide-silicon feedback elements between pins
KR970030783A (ko) 반도체 집적 회로를 보호하기 위한 정전 보호 디바이스
KR930003544A (ko) 과전압 보호 반도체 스위치
KR930018717A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR950021506A (ko) 반도체 장치
KR970030780A (ko) 반도체 집적 회로 장치
US4027173A (en) Gate circuit
EP0352769A2 (en) Input protection circuit for MOS device
KR960704357A (ko) 반도체 장치와 함께 사용하기 위한 기생 mos 트랜지스터를 구비한 패드구조(pad structure with parasitic mos transistor for use with semiconductor devices)
JPS55165682A (en) Mos field effect semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19920331

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19920331

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19950313

Patent event code: PE09021S01D

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19950617

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19950926

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19951016

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19951016

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19980630

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19990614

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20000615

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010607

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020605

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030609

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040329

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050607

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060630

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070612

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080701

Start annual number: 14

End annual number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090615

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090615

Start annual number: 15

End annual number: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee