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KR900015306A - 보호회로를 구비한 반도체장치 - Google Patents

보호회로를 구비한 반도체장치 Download PDF

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KR900015306A
KR900015306A KR1019900003410A KR900003410A KR900015306A KR 900015306 A KR900015306 A KR 900015306A KR 1019900003410 A KR1019900003410 A KR 1019900003410A KR 900003410 A KR900003410 A KR 900003410A KR 900015306 A KR900015306 A KR 900015306A
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KR
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terminal
semiconductor device
junction
diffusion regions
input terminal
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KR1019900003410A
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시게오 오오시마
사토시 야마노
마사카즈 기류
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Publication date
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Publication of KR900015306A publication Critical patent/KR900015306A/ko
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/711—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

보호회로를 구비한 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 보호회로의 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 보호회로에 관한 패턴레이아웃을 나타낸 도면,
제4도는 제3도의 III-III선 단면도.

Claims (6)

  1. 기준전압(Vss) 이 공급되는 제1단자와 전원전압(Vdd)이 공급되는 제2단자 및 내부회로에 접속되는 입력단자(10)를 구비한 반도체장치용 보호회로에 있어서, 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제1P-N접합(31)과 제2P-N접합(32)을 구비하여 상기 입력단자(10)와 제1단자간에 접속되는 제1보호경로(30)와, 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제3P-N접합(21)과 제4P-N접합(22)을 구비하여 상기 입력단자(10)와 제2단자간에 접속되는 제2보호경로(20), 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제5P-N접합(41)과 제6P-N접합(42)을 구비하여 상기 제1단자와 제2단자간에 접속되는 제3보호경로(40)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치용 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 P-N집합의 직렬접속부분은 소정의 전압(Vbb) 이 공급되는 공통노오드로 되어있고, 상기 소정의 전압(Vbb)은 반도체장치의 정상적인 동작기간중 보호회로의 각P-N집합을 역바이어스시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 보호회로,
  3. 내부회로가 형성되며 소정의 전압(Vbb)을 공급받는 제1도전형의 반도체기판(50)과, 상기 내부회로에 접속되는 입력단자(10), 상기 반도체기관(10) 내에 형성되는 최소한4개의 제2도전형 확산영역(60∼69). 제1전원전압(Vss)을 상기 확산영역중 선택된 제1확산영역(60,62.64)에 공급하는 제1배선수단(200). 제2전원전압(Vdd)을 상기 확산영역증 신택된 제2확산영역(65,67,69)에 공급하는 제2배선수단(300), 상기 입력단자(10)를 나머지의 확산영역(61,63,66,68)에 접속시키기 위한 제3배선수단(100)을 구비하여 구성되고, 역바이어스상태로 직렬접속된 제lP-N접합(21,31,41)과 제2P-N접합(22,32,42)을 포함하는 다수의 보호경로가 상기 제1단자와 제2단자간, 제2단자와 입력단자(10)간, 입력단자(10)와 제1단자간에 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 확산영역들이 소정의 간격을 두고 소정의 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 확산영역들이 2개의 그룹(I,II)으로 나뉘어지고, 상기 제1그룹(I)내에서 상기 제1배선수단(200)이 제3배선수단(100)과 교호적으로 상기 확산영역들과 접속되며, 상기 제2그룹(II)내에서 상기 제2배선수단(300)이 제3배선수단(100)과 교호적으로 상기 확산영역들과 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제3항에 있어서, 반도체기판이 소자영역(82)과 데드 스페이스(83)를 포함하고 있고, 확산영역들이 상기 데드 스페이스(83)내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003410A 1989-03-14 1990-03-14 보호회로를 구비한 반도체장치 KR930010085B1 (ko)

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