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KR900017165A - 스탠다드셀방식의 반도체집적회로 - Google Patents

스탠다드셀방식의 반도체집적회로 Download PDF

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KR900017165A
KR900017165A KR1019900005897A KR900005897A KR900017165A KR 900017165 A KR900017165 A KR 900017165A KR 1019900005897 A KR1019900005897 A KR 1019900005897A KR 900005897 A KR900005897 A KR 900005897A KR 900017165 A KR900017165 A KR 900017165A
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KR
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standard cell
semiconductor integrated
cell
standard
power supply
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KR1019900005897A
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KR930010083B1 (ko
Inventor
쇼지로 모리
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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Publication of KR900017165A publication Critical patent/KR900017165A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/10—Integrated device layouts

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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

스탠다드셀방식의 반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 스탠다드셀방식의 반도체 집적회로에 적용되는 셀구조의 제 1 실시예를 나타낸 도면,
제 2 도는 본 발명에 따른 스탠다드셀방식의 반도체 집적회로에 적용되는 셀구조의 제 2 실시예를 나타낸 도면,
제 3 도는 제 1 도에 도시된 셀을 이용하여 배치한 셀열(cell 列)의 배선레이아웃을 나타낸 도면,
제 4 도는 제 1 도 및 제 2 도에 도시된 셀을 각각 이용하여 배치한 셀열의 배선레이아웃을 나타낸 도면,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
Cb, Cc : 스탠다드셀 11 : 회로소자영역
12a, 12a : 정전원선영역 12b, 12b : 부전원선영역
13a, 13b, 22 : 내부배선영역 33, 43 : 배선영역
31, 41 : 제 1 셀열 32, 42 : 제 2 셀열

Claims (3)

  1. 각각이 제1스탠다드셀이 열형태로 배치되어 이루어지는 스탠다드 셀열(31, 32) 과 각 셀열간에 설치되는 셀간을 접속시키기 위한 배선이 형성되는 배선영역(33)을 구비한 스탠다드셀방식의 반도체집적회로에 있어서, 상기스탠다드셀열은 적어도 1개의 제 2 스탠다드셀 (Cb, Cc, Cb12, Cb13, Cb15~Cb17, Cc33, Cb34)을 갖추고있으며, 이 제 2 스탠다드셀(Cb, Cc, Cb12, Cb13, Cb15~Cb17, Cc32, Cb33)은 상기 셀간을 연결하는 배선을형성하기 위한 내부 배선영역(13a, 13b, 22)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스탠다드셀방식의 반도체 집적회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 스탠다드셀(Cb, Cc, Cb12, Cb13, Cb15~Cb17, Cc32, Cb33, Cb34)의 내부배선영역에 형성되는 배선은 상기 셀열간에 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스탠다드셀방식의 반도체집적회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 스탠다드셀(Cb)에 소정의 논리게이트를 형성하기 위한 회로소자영역(11)과, 이회로소자영역(11)에 형성되는 소자에 전원전압을 를 공급하는 전원선을 형성하기 위하여 전원선영역(12a, 12b)을 이또한 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 스탠다드셀방식의 반도체집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900005897A 1989-04-27 1990-04-26 스탠다드셀방식의 반도체 집적회로 KR930010083B1 (ko)

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JP01-108713 1989-04-27
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KR930010083B1 KR930010083B1 (ko) 1993-10-14

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