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KR890017707A - 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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오사무 쯔찌야
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1인 DRAM의 메모리셀의 구성을 도시한 주요부단면도. 제2도는 치환반응의 결정입자지름의 의존성을 도시한 도면 제11도는 본 발명의 실시예 2인 SRAM의 메모리셀의 구성을 도시한 주요부단면도.

Claims (19)

  1. 반도체기판 및 상기 반도체기판의 주면상에 MISFET와 제1의 배선을 갖는 메모리셀영역을 포함하는 반도체 집적회로장치에 있어서, 상기 메모리셀 영역의 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽과 상기 제1의 배선은 제1의 반도체막을 개재시켜서 직접 접속되어 있고, 상기 제1의 반도체막은 비정질로 퇴적된 후, 열처리를 시행하여 다결정화해서 형성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 반도체막은 0.1㎛이상의 결정입자지름으로 형성되어 있는 다결정규소막인 반도체 집적회로장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 배선의 상면 및 하면에 차폐막을 마련하고 있는 반도체 집적회로장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 차폐막은 고융점금속막인 반도체집적회로장치.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 배선은 알루미늄막인 반도체집적회로장치.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 배선은 알루미늄 합금막인 반도체 집적회로장치.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 배선과 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽은 상기 MISFET의 게이트 전극에 대해서 자기정합으로, 그리고 상기 게이트전극의 측벽에 규정된 영역내에서 상기 제1의 반도체막을 개재시켜서 접속되어 있는 반도체 집적회로장치.
  8. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀영역은 상기 MISFET와 직렬로 접속하는 커패시터를 포함하는 반도체 집적회로장치.
  9. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 메모리셀 영역은 SRAM을 구성하는 반도체 집적회로장치.
  10. 제1의 반도체막을 비정질의 결정상태에서 pn반도체기판의 메모리셀 영역은 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위에 형성하는 공정, 상기 비정질의 결정상태인 제1의 반도체막에 열처리를 시행해서 다결정상태로 하는 공정, 상기 다결정상태의 제1의 반도체막위에 제1의 배선을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 메모리셀영역의 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽과 상기 제1의 배선은 다결정화한 제1의 반도체막을 개재시켜서 직접 접속되는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 비정질의 결정상태의 제1의 반도체막은 600℃이하의 CVD법을 형성된 비정질규소막인 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  12. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 다결정화한 제1의 반도체막은 다결정규소막으로서, 상기 다결정규소막의 결정입자지름은 0.1㎛이상인 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
  13. 특허청구의 범위 제10항에 있어서 상기 제1의 배선의 상면 및 하면에 차폐막이 마련되어 있고, 상기 차폐막은 고융점금속막인 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  14. 특허청구범위 제 10항에 있어서, 상기 제1의 배선은 알루미늄막은 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  15. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 제1의 배선은 알루미늄 합금막인 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
  16. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 메모리셀영역은 상기 MISFET와 직접 접속하는 커패시터를 포함하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  17. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 제1의 배선과 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽은 상기 MISFET의 게이트전극에 대해서 자기정합으로 그리고 상기 게이트전극의 측벽에 규정된 영역내에서 접속되어있는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  18. MISFET와 상기 MISFET에 연결된 저항소자를 갖는 메모리셀영역을 포함하는 반도체집적회로장치의 제조방법으로서, 제1의 반도체막을 비정질의 결정상태에서 반도체기판상의 상기 메모리셀영역의 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위 및 상기 저항소자를 형성하는 제1의 영역상에 형성하는 공정, 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위의 비정질의 결정상태인 상기 제1의 반도체막에 선택적으로불순물을 도입하는 공정, 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위 및 비정질의 결정상태인 상기 제1의 반도체막에 열처리를 시행해서 다결정화한 상기 제1의 반도체막을 형성하고, 이것에 의해 제1의 영역상의 다결정화한 상기 제1의 반도체막은 저항소자를 형성하는 공정 및 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위의 다결정화한 상기 제1의 반도체막상에 제1의 배선을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 메모리셀 영역의 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽과 상기 제1의 배선은 상기 MISFET의 소스 또는 드레인의 한쪽위에 형성된 다결정화한 상기 제1의 반도체막을 개재시켜서 직접 접속되는 반도체집적회로장치.
  19. 특허청구의 범위 제18항에 있어서, SRAM은 상기 저항소자와 상기 MISFET를 포함하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890005802A 1988-05-02 1989-05-01 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법 KR890017707A (ko)

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