[go: up one dir, main page]

KR20130032675A - 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로 - Google Patents

듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20130032675A
KR20130032675A KR20110096420A KR20110096420A KR20130032675A KR 20130032675 A KR20130032675 A KR 20130032675A KR 20110096420 A KR20110096420 A KR 20110096420A KR 20110096420 A KR20110096420 A KR 20110096420A KR 20130032675 A KR20130032675 A KR 20130032675A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
metal
dual mode
mode organic
Prior art date
Application number
KR20110096420A
Other languages
English (en)
Inventor
이보라
이창호
오일수
윤진영
고희주
조세진
송형준
송영우
이종혁
김성철
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR20110096420A priority Critical patent/KR20130032675A/ko
Priority to US13/470,078 priority patent/US9282612B2/en
Publication of KR20130032675A publication Critical patent/KR20130032675A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/60—Circuit arrangements for operating LEDs comprising organic material, e.g. for operating organic light-emitting diodes [OLED] or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층; 상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:100 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자에 관한 것이다.

Description

듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로{DUAL MODE ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND PIXEL CIRCUIT INCLUDING THE SAME}
본 발명의 일 구현예는 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로에 관한 것이다.
유기발광소자는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로도 호칭되며, 애노드 전극, 캐소드 전극 및 이들 사이에 위치하여 전자와 정공의 결합에 의하여 발광하는 유기 발광층을 포함한다.
유기발광소자는 일반적으로 애노드 전극에 양극이 인가되고, 캐소드 전극에 음극이 인가되어 발광하는 방식으로 동작한다. 그러나, 최근에는 듀얼 모드로 동작하는 유기발광소자가 개발되었다.
듀얼 모드 유기발광소자는 정상 모드(normal mode)일 때에는 유기발광소자에 인가되는 순방향 전압에 대응하여 발광하고, 반사 모드(reflective mode, quenching mode라고도 함)일 때에는 유기발광소자에 인가되는 역방향 전압에 대응하여 빛을 반사하는 방식으로 동작한다. 이러한 듀얼 모드 유기발광소자에 대한 설명은 미국 공개 특허 "US2004/027143"에 잘 표현되어 있다.
다만, 종래의 듀얼 모드 유기발광소자는 반사 모드 일 때 높은 구동 전압을 요구하고 있어, 소자의 소비 전력이 증가되며, 이로 인해 수자 수명에 악영향을 끼치는 등의 문제가 있다.
본 발명의 일 구현예는 듀얼 모드 유기발광소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 구현예에서는 상기 듀얼 모드 유기발광소자를 포함하는 화소 회로를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는, 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층; 상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:100 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자를 제공한다.
상기 제2 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이테르븀(Yb), 바륨(Ba) 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:30 일 수 있다.
상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:100 일 수 있다.
상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:30 일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층; 상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 초과 내지 1:100 이하인 것인 듀얼 모드 유기발광소자;
소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 전극에 인가하는 P형 구동 트랜지스터; 및
데이터 전압에 대응하는 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 인가하는 캐패시터를 포함하는 화소 회로를 제공할 수 있다.
상기 화소 회로는 주사 신호에 대응하여 상기 데이터 전압을 상기 캐패시터에 인가하는 제1 트랜지스터를 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 P형 구동 트랜지스터의 제1 단자는 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 P형 구동 트랜지스터의 제2 단자에는 제1 전원이 인가되고, 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 단자에는 제2 전원이 인가될 수 있다.
상기 듀얼 모드 유기발광소자가 정상 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮으며, 상기 듀얼 모드 유기발광소자가 반사 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높을 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층; 상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 초과 내지 1:100 이하인 것인 듀얼 모드 유기발광소자;
소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 전극에 인가하는 N형 구동 트랜지스터; 및
데이터 전압에 대응하는 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 인가하는 캐패시터를 포함하는 화소 회로를 제공할 수 있다.
상기 화소 회로는 주사 신호에 대응하여 상기 데이터 전압을 상기 캐패시터에 인가하는 제1 트랜지스터를 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 N형 구동 트랜지스터의 제1 단자는 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 N형 구동 트랜지스터의 제2 단자에는 제1 전원이 인가되고, 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 단자에는 제2 전원이 인가될 수 있다.
상기 듀얼 모드 유기발광소자가 정상 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮으며, 상기 듀얼 모드 유기발광소자가 반사 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는 구동 전압이 개선된 따른 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 구현예에 따른 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 6은 상기 실시예 1 및 2의 반사 모드에서의 전류의 양을 측정한 데이터 이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예에서는, 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층; 상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:100 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기발광소자는 정상 모드 및 반사 모드의 특성을 동시에 만족시킴과 동시에 구동 전압을 낮출 수 있다.
구동 전압이 개선된 유기발광소자의 경우, 소비 전력 및 소자 수명 측면에서 유리할 수 있다.
상기 제1 금속은 보다 구체적으로 은 또는 알루미늄일 수 있다.
상기 제2 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이테르븀(Yb), 바륨(Ba) 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 제2 금속은 보다 구체적으로 마그네슘일 수 있다.
상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:100 일 수 있다.
상기 범위를 만족하는 경우 반사 모드에서 구동전압을 감소시킬 수 있다.
보다 구제적으로 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:30 일 수 있다.
보다 구체적으로 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:100 일 수 있다.
보다 구체적으로 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:30 일 수 있다.
보다 구체적으로 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 초과 내지 1:30 이하일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광소자는 애노드(110)와 캐소드(160)로 이루어진 한 쌍의 전극 사이에 발광층(130)을 포함한다. 발광층(130)과 애노드(110) 사이에는 정공 주입/수송층(120)이 개재된다.
제1 구현예에 따른 유기발광소자에서는 발광층(130)과 캐소드(160) 사이에 발광층(130)과 접촉하며 풀러렌(fullerene), 메타노풀러렌(methanofulleren), 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어진 전자 억셉터층(140) 및 캐소드와 접촉하는 전자 주입층(150)이 개재된다.
상기 애노드(110)와 캐소드(160)는 유기발광소자에 역방향 바이어스가 인가되었을 때 전자 및 홀을 발광층(130)으로 주입하지 않는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 애노드(110)는 좋은 투과율, 낮은 면저항(sheet resistance) 및 좋은 제조 가공성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 또한 상기 유기발광소자의 발광 방향에 따라 투명 전도성막 위에 도전성 반사막과 추가 투명 전도성막을 더 포함할 수도 있다. 반사막은 발광 효율을 높이면서 전기 전도도(electrical conductivity)를 개선하는 기능을 수행하며, 일례로 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy), 금(Au) 또는 금-합금(Au-alloy)으로 이루어질 수 있다. 추가 투명 전도성막은 반사막의 산화를 억제하면서 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다.
상기 캐소드(160)는 애노드(110)와 마찬가지로 투명 전도성 물질, 예컨대, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수 있다. 다른 한편으로, 캐소드(160)는 투명 또는 반사성의 금속 박막, 일례로 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 또는 칼슘(Ca)-알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 주입/수송층(120)은 애노드(110)와 발광층(130) 사이에서 정공이 효율적으로 이동할 수 있도록 한다. 정공 주입/수송층(120)은 정공 주입층과 정공 수송층이 분리된 층으로 형성될 수도 있고 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 정공 주입 물질의 비제한적인 예로는 구리 프탈로시아닌(CuPc) 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류를 들 수 있다. 정공 수송 물질의 비제한적인 예로는 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB), IDE320 (이데미쯔사 제품), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민) (poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl) diphenylamine)(TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9 -dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4 -phenylenediamin) (PFB)등을 들 수 있다.
발광층(130)은 적(red; R), 녹(green; G) 또는 청(blue; B)을 내는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서는 발광층(130)이 적을 내는 유기 물질로 이루어지는 경우로서, 적을 내는 유기 물질로 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐(4,4'-N-N'-dicarbazole -biphenyl, CBP)에 비스(2-(2′-벤조[4,5-a]티에닐)피리디나토-N,C3′)이리튬 (bis(2-(2′-benzo[4, 5-a]thienyl)pyridinato-N,C3′)iridium, BTPIr) 또는 Ir(piq)3 같은 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(130)을 구성하는 물질로 좋은 광 발광 물질인 동시에 좋은 전자 발광 물질을 선택하는 경우에는 유기발광소자가 듀얼 모드로 동작하도록 할 수 있다.
전자 억셉터층(140)은 풀러렌(fullerene), 메타노풀러렌(methanofulleren), 도핑된 풀러렌, 도핑된 메타노풀러렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어진다. 도핑된 풀러렌 또는 메타노풀러렌의 비제한적인 예로는 유기 n- 불순물이 도핑된 풀러렌 또는 메타노풀러렌을 들 수 있다. 유기 n-불순물의 비제한적인 예로는 피로닌 비(pyronine B) 또는 디카르보시아닌 요오드(dicarbocyanine iodide)를 들 수 있다. 풀러렌 또는 메타노풀러렌 유도체의 비제한적인 예로는 대한민국공개특허 제2009-0113607에 개시되어 있는 에틸렌옥시기를 포함하는 메타노풀러렌 또는 대한민국공개특허 제2009-0061613에 개시되어 있는 불소기로 치환된 메타노풀러렌 등을 들 수 있다.
전자 억셉터층(140)은 10Å 초과 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 전자 억셉터층(140)의 두께가 10Å을 초과해야 효과적인 전자 주입의 역할을 할 수 있고 100Å 이하가 되어야 구동 전압 상승을 억제할 수 있다. 특히, 전자 억셉터층(140)만을 가지는 경우에는 전자의 터널링이 가능해야 하므로 전자 억셉터층(140)은 10Å 초과 50Å 이하의 두께를 가질 수 있다.
전자 수송층(150)은 Li, Cs, Mg, LiF, CsF, MgF2 , NaF, KF, BaF2 , CaF2 , Li2O, BaO, Cs2CO3, Cs2O, CaO, MgO 또는 리튬 퀴놀레이트(lithium quinolate)로 이루어질 수 있다.
전자 수송층(150)은 10Å 초과 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 전자 억셉터층(140)의 두께가 10Å을 초과해야 효과적인 전자 주입의 역할을 할 수 있고 100Å 이하가 되어야 구동 전압 상승을 억제할 수 있다.
한편, 전자 수송층(150)과 전자 억셉터층(140)의 두께의 총합은 50Å 내지 350Å의 두께를 가질 수 있다. 두께의 총합이 50Å을 초과해야 효과적인 전자주입을 할 수 있고 200Å 이하가 되어야 구동전압 상승을 억제할 수 있다.
도 2는 본 발명의 구현예에 따른 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 의한 화소 회로는 캐패시터(Cst), P형 구동 트랜지스터(MD) 및 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 듀얼 모드 유기발광소자(EL')를 포함한다.
캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(MD)의 게이트에 데이터 전압에 대응하는 전압을 인가하는 기능을 수행한다. 본 구현예에서 캐패시터(Cst)의 제1 단자는 구동 트랜지스터(MD)의 소오스 및 드레인 중 어느 하나인 제2 단자에 접속되고, 캐패시터(Cst)의 제2 단자는 구동 트랜지스터(MD)의 게이트에 접속된다.
구동 트랜지스터(MD)는 소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 듀얼 모드 유기발광소자(EL')에 인가하는 기능을 수행한다. 소오스는 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자 및 제2 단자 중 어느 하나가 될 수 있다. 듀얼 모드 유기발광소자(EL')가 정상 모드로 동작할 경우에, 즉 제1 전원(ELVdd)이 제2 전원(ELVss)보다 낮은 전압 레벨을 가질 경우에는 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자 즉 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자에 접속된 단자가 소오스에 해당한다. 또한, 듀얼 모드 유기발광소자(EL')가 반사 모드로 동작할 경우에, 즉 제1 전원(ELVdd)이 제2 전원(ELVss)보다 높은 전압 레벨을 가질 경우에는 구동 트랜지스터(MD)의 제2 단자 즉 제1 전원(ELVdd)이 공급되는 단자가 소오스에 해당한다.
본 구현예에서, 구동 트랜지스터(MD)의 게이트는 캐패시터(Cst)의 제2 단자에 접속되고, 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자는 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자에 접속되고, 구동 트랜지스터(MD)의 제2 단자로는 제1 전원(ELVdd)이 인가된다.
상기 구현예에서, 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자가 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 한다. 여기서 전기적으로 접속되었다는 의미는 단순히 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자가 도면에 표현된 바와 같이 직접적으로 접속된 것뿐만 아니라, 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자 사이에 다른 트랜지스터 등이 있더라도, 이러한 트랜지스터 등의 동작에 의하여 듀얼 모드 유기발광소자(EL')의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(MD)의 제1 단자 사이에 전류가 흐를 수 있는 경우도 포함하는 것이다.
이와 같은 구성을 가짐으로써, 캐패시터(Cst)가 구동 트랜지스터(MD)의 게이트에 데이터 전압에 대응하는 전압을 인가하고, 구동 트랜지스터(MD)가 게이트와 소스 사이의 전압에 대응하는 전류를 듀얼 모드 유기발광소자(EL')에 공급하고, 듀얼 모드 유기발광소자(EL')는 공급되는 전류에 대응하여 정상 모드일 경우에는 발광하고, 반사 모드일 경우에는 빛을 흡수하는 방식으로 동작하여, 본 발명의 제1 실시예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로는 듀얼 모드로 동작하게 된다.
이와 같이, 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로는 종래 기술에 의한 화소 회로에 비하여, 반사 모드의 동작을 위하여 필요한 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 스윙 범위를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 스윙 범위가 감소하면, 데이터 전압의 스윙 범위도 감소하고, 이에 따라 전력 소모가 감소한다는 장점이 있다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 표현된 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로와 비교하여, 제1 트랜지스터(M1)가 추가되었다는 점을 제외한 나머지는 모두 동일하므로, 설명의 편의상 제1 트랜지스터(M1)만을 추가적으로 설명하도록 하겠다.
도 3을 참조하면, 주사 신호(S)가 인가될 때, 즉 주사 신호(S)가 로우 레벨(low level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1)는 온 상태가 되어 데이터 전압(Vdata)을 캐패시터(Cst)의 제2 단자에 인가하여, 캐패시터(Cst)가 데이터 전압에 해당하는 전하를 충전하도록 한다. 또한, 주사 신호(S)가 인가되지 아니할 때, 즉 주사 신호(S)가 하이 레벨(high level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1)는 오프 상태가 되어, 캐패시터(Cst)가 충전된 전하를 유지하도록 한다. 이에 따라, 캐패시터(Cst)는 주사 신호(S)가 인가되지 아니하는 기간동안 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압을 구동 트랜지스터(MD)에 지속적으로 공급하게 된다.
상기 구현예에서는 제1 트랜지스터(M1)가 P형 트랜지스터인 예를 설명하였으나, 제1 트랜지스터(M1)는 N형 트랜지스터가 될 수도 있으며, 이 경우에는 주사 신호(S)가 하이 레벨(high level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1)는 온 상태가 되고, 주사 신호(S)가 로우 레벨(low level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1)는 오프 상태가 된다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 의한 화소 회로는 캐패시터(Cst), N형 구동 트랜지스터(MD') 및 듀얼 모드 유기발광소자(EL")를 포함한다.
캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(MD')의 게이트에 데이터 전압에 대응하는 전압을 인가하는 기능을 수행한다. 본 구현예에서 캐패시터(Cst)의 제1 단자는 구동 트랜지스터(MD')의 소오스 및 드레인 중 어느 하나인 제2 단자에 접속되고, 캐패시터(Cst)의 제2 단자는 구동 트랜지스터(MD')의 게이트에 접속된다.
N형 구동 트랜지스터(MD')는 소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 듀얼 모드 유기발광소자(EL")에 인가하는 기능을 수행한다. 소오스는 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자 및 제2 단자 중 어느 하나가 될 수 있다. 듀얼 모드 유기발광소자(EL")가 정상 모드로 동작할 경우에, 즉 제1 전원(ELVdd)의 전압 레벨이 제2 전원(ELVss)의 전압 레벨보다 낮은 경우에는 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자 즉 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자에 접속된 단자가 소오스에 해당한다. 또한, 듀얼 모드 유기발광소자(EL")가 반사 모드로 동작할 경우에, 즉 제1 전원(ELVdd)이 제2 전원(ELVss)보다 높은 전압 레벨을 가질 경우에는 구동 트랜지스터(MD')의 제2 단자 즉 제2 전원(ELVss)이 공급되는 단자가 소오스에 해당한다. 본 실시예에서, 구동 트랜지스터(MD')의 게이트는 캐패시터(Cst)의 제2 단자에 접속되고, 구동 트랜지스터(MD')의 제2 단자로는 제2 전원(ELVss)이 인가되고, 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자는 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자에 접속된다.
본 구현예에서, 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자가 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 한다. 여기서 전기적으로 접속되었다는 의미는 단순히 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자가 도면에 표현된 바와 같이 직접적으로 접속된 것뿐만 아니라, 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자 사이에 다른 트랜지스터 등이 있더라도, 이러한 트랜지스터 등의 동작에 의하여 듀얼 모드 유기발광소자(EL")의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(MD')의 제1 단자 사이에 전류가 흐를 수 있는 경우도 포함하는 것이다.
이와 같은 구성을 가짐으로써, 캐패시터(Cst)가 구동 트랜지스터(MD')의 게이트에 데이터 전압에 대응하는 전압을 인가하고, 구동 트랜지스터(MD')가 게이트와 소스 사이의 전압에 대응하는 전류를 듀얼 모드 유기발광소자(EL")에 공급하고, 듀얼 모드 유기발광소자(EL")는 공급되는 전류에 대응하여 정상 모드일 경우에는 발광하고, 반사 모드일 경우에는 빛을 흡수하는 방식으로 동작하여, 본 발명의 제 3 실시예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로는 듀얼 모드로 동작하게 된다.
본 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로는 도 2로 표시한 본 발명의 일 구현예에 의한 화소 회로를 N형 트랜지스터에 적합하게 변형한 것으로써, 도 2로 표시한 본 본 발명의 일 구현예에 의한 화소 회로와 동일하게 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 스윙 범위를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 스윙 범위가 감소하면, 데이터 전압의 스윙 범위도 감소하고, 이에 따라 전력 소모가 감소한다는 장점이 있다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4에 표현된 본 발명의 일 구현예에 의한 듀얼 모드 유기발광소자를 포함한 화소 회로와 비교하여, 제1 트랜지스터(M1')가 추가되었다는 점을 제외한 나머지는 모두 동일하므로, 설명의 편의상 제1 트랜지스터(M1')만을 추가적으로 설명하도록 하겠다.
도 5를 참조하면, 주사 신호(S)가 인가될 때, 즉 주사 신호(S)가 하이 레벨(high level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1')는 온 상태가 되어 데이터 전압(Vdata)을 캐패시터(Cst)의 제2 단자에 인가하여, 캐패시터(Cst)가 데이터 전압에 해당하는 전하를 충전하도록 한다. 또한, 주사 신호(S)가 인가되지 아니할 때, 즉 주사 신호(S)가 로우 레벨(low level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1')는 오프 상태가 되어, 캐패시터(Cst)가 충전된 전하를 유지하도록 한다. 이에 따라, 캐패시터(Cst)는 주사 신호(S)가 인가되지 아니하는 기간동안 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압을 N형 구동 트랜지스터(MD')에 지속적으로 공급하게 된다.
본 구현예에서는 제1 트랜지스터(M1')가 N형 트랜지스터인 예를 설명하였으나, 제1 트랜지스터(M1')는 P형 트랜지스터가 될 수도 있으며, 이 경우에는 주사 신호(S)가 로우 레벨(low level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1')는 온 상태가 되고, 주사 신호(S)가 하이 레벨(high level)의 전압일 때에는 제1 트랜지스터(M1')는 오프 상태가 된다.
이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러한 하기한 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
듀얼 모드 유기발광소자의 제조
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
실시예 1: 캐소드 ( Mg : Ag = 30:1 중량비인 경우)
ITO (Indium tin oxide)가 1500Å의 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 하기 HTM 화합물을 진공 증착하여 1200Å두께의 정공 주입층을 형성하였다.
상기 정공 수송층 상부에 상기 실시예 1에서 합성된 물질을 호스트로 사용하고 인광 녹색 도판트로 하기 PhGD 화합물을 7중량%로 도핑하여 진공 증착으로 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
그 후 상기 발광층 상부에 하기 BAlq[Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum] 화합물을 50Å 두께로 적층하였고, 순차적으로 하기 bis(10-hydroxyben-zo[h]quinolinato)beryllium (Bebq2) 화합물을 250Å 두께로 적층하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 5Å과 Al 1000Å을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 2: 캐소드 ( Mg : Ag = 10:1 중량비인 경우)
상기 실시예 1에서, 캐소드의 함량비(중량비)를 Mg:Ag = 30:1에서 Mg:Ag = 10:1로 변경한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 듀얼 모드 유기발광소자를 제조하였다.
실험예
측정 방법
이와 같이 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도 변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 다음과 같다.
1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기광전소자에 대해, 전압을 0 V 부터 14 V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기광전소자에 대해, 전압을 0 V 부터 14 V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
3) 전력효율 측정
상기 1) 과 2) 로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 전력효율을 계산하였다.
측정 결과
상기 실시예 1 및 2에 따른 듀얼 모드 유기발광소자의 측정된 소자 데이터는 하기 표 1과 같다.
구분 정상모드 구동전압
(V)		 정상모드
전류밀도
(mA/cm2)		 휘도
(cd/m2)		 색좌표
CIEx		 색좌표
CIEy		 반사모드
구동전압
(V)
실시예 1 4.5 64.1388 205.6 0.6672 0.3319 -6.5
실시예 2 4 142.795 317.4 0.6672 0.3319 -7
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 실시예 1 및 2에 따른 듀얼 모드 유기발광소자의 반사모드에서의 구동전압이 6.5 또는 7V로 낮은 것을 알 수 있다.
전류량의 비교
도 6은 상기 실시예 1 및 2의 반사 모드에서의 전류의 양을 측정한 데이터 이다.
일반적으로 반사 모드에서 소광(quenching) 양은 소광 전류에 비례한다.
도 6에서 전류량을 비교하여 전압 측면에서 비교를 하면 실시예 1의 경우가 실시예 2보다 전압 측면에서 유리함을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
EL, EL', EL" : 듀얼 모드 유기발광소자
MD, MD' : 구동 트랜지스터,
Cst : 캐패시터
M1, M1' : 제 1 트랜지스터

Claims (13)

  1. 기판 위에 위치한 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층;
    상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및
    상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고,
    상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고,
    상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:100 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이테르븀(Yb), 바륨(Ba) 또는 이들의 조합인 것인 듀얼 모드 유기발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:1 내지 1:30 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:100 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 내지 1:30 인 것인 듀얼 모드 유기발광소자.
  6. 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층;
    상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 초과 내지 1:100 이하인 것인 듀얼 모드 유기발광소자;
    소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 전극에 인가하는 P형 구동 트랜지스터; 및
    데이터 전압에 대응하는 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 인가하는 캐패시터를 포함하는 화소 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    주사 신호에 대응하여 상기 데이터 전압을 상기 캐패시터에 인가하는 제1 트랜지스터를 추가적으로 포함하는 화소 회로.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 P형 구동 트랜지스터의 제1 단자는 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 전극에 전기적으로 접속되고,
    상기 P형 구동 트랜지스터의 제2 단자에는 제1 전원이 인가되고,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 단자에는 제2 전원이 인가되는 화소 회로.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자가 정상 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮으며,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자가 반사 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높은 것인 화소 회로.
  10. 기판 위에 위치한 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 위치한 전자 수송층;
    상기 전자 수송층 위에 위치한 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치한 애노드 전극;을 포함하고, 상기 캐소드 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au)을 포함하는 그룹에서 선택된 제1 금속 및 일함수(work function)가 4.0eV 이하인 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 중량비율은 1:10 초과 내지 1:100 이하인 것인 듀얼 모드 유기발광소자;
    소오스와 게이트 사이의 전압에 대응하는 전류를 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 전극에 인가하는 N형 구동 트랜지스터; 및
    데이터 전압에 대응하는 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 인가하는 캐패시터를 포함하는 화소 회로.
  11. 제10항에 있어서,
    주사 신호에 대응하여 상기 데이터 전압을 상기 캐패시터에 인가하는 제1 트랜지스터를 추가적으로 포함하는 화소 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 N형 구동 트랜지스터의 제1 단자는 상기 듀얼 모드 유기발광소자의 애노드 전극에 전기적으로 접속되고,
    상기 N형 구동 트랜지스터의 제2 단자에는 제1 전원이 인가되고,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자의 캐소드 단자에는 제2 전원이 인가되는 화소 회로.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자가 정상 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮으며,
    상기 듀얼 모드 유기발광소자가 반사 모드로 동작할 때에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높은 화소 회로.
KR20110096420A 2011-09-23 2011-09-23 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로 KR20130032675A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110096420A KR20130032675A (ko) 2011-09-23 2011-09-23 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로
US13/470,078 US9282612B2 (en) 2011-09-23 2012-05-11 Dual mode organic light emitting device and pixel circuit including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110096420A KR20130032675A (ko) 2011-09-23 2011-09-23 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130032675A true KR20130032675A (ko) 2013-04-02

Family

ID=47910542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20110096420A KR20130032675A (ko) 2011-09-23 2011-09-23 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9282612B2 (ko)
KR (1) KR20130032675A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015072748A1 (ko) * 2013-11-14 2015-05-21 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 백색 유기발광소자
US9231225B2 (en) 2014-03-11 2016-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US9704928B2 (en) 2015-04-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI417843B (zh) * 2011-06-02 2013-12-01 Univ Nat Chiao Tung 對偶畫素單元及對偶驅動電路
JP6074597B2 (ja) * 2013-03-29 2017-02-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置および電子機器
KR102579138B1 (ko) * 2015-11-11 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP6855362B2 (ja) * 2017-10-27 2021-04-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2998707B2 (ja) * 1997-07-09 2000-01-11 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6420031B1 (en) * 1997-11-03 2002-07-16 The Trustees Of Princeton University Highly transparent non-metallic cathodes
JP3415035B2 (ja) 1998-08-07 2003-06-09 オー・エイチ・ティー株式会社 基板検査用センサプローブおよびその製造方法
US20020168543A1 (en) * 1998-10-22 2002-11-14 Hitoshi Ishikawa Organic electroluminscent device
TW518768B (en) * 2000-05-22 2003-01-21 Showa Denko Kk Organic electroluminescent device and light-emitting material
US7396598B2 (en) * 2001-06-20 2008-07-08 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
KR100473283B1 (ko) * 2002-04-04 2005-03-08 삼성오엘이디 주식회사 유기 전자발광소자
KR100527187B1 (ko) * 2003-05-01 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 고효율 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US20050058853A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Eastman Kodak Company Green organic light-emitting diodes
KR100718765B1 (ko) * 2004-08-19 2007-05-15 주식회사 엘지화학 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
KR100721571B1 (ko) 2005-03-07 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US20060269782A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Eastman Kodak Company OLED electron-transporting layer
KR100688806B1 (ko) 2005-05-26 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 듀얼 모드 유기 발광소자를 이용한 화소 회로
KR20070000262A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
KR100659155B1 (ko) * 2005-12-05 2006-12-19 한국과학기술원 전류 피드백형 ａｍｏｌｅｄ 구동 회로
US7709105B2 (en) * 2005-12-14 2010-05-04 Global Oled Technology Llc Electroluminescent host material
US20100264813A1 (en) * 2006-09-05 2010-10-21 Showa Denko K.K. Organic electroluminescence element and use thereof
JP5342103B2 (ja) * 2006-10-16 2013-11-13 昭和電工株式会社 有機発光素子
WO2009093873A2 (ko) * 2008-01-23 2009-07-30 Lg Chem, Ltd. 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
KR101171556B1 (ko) * 2008-02-22 2012-08-06 쇼와 덴코 가부시키가이샤 고분자 화합물 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자
JP4807366B2 (ja) * 2008-03-11 2011-11-02 ソニー株式会社 表示装置
KR101043639B1 (ko) 2008-04-28 2011-06-24 한국화학연구원 에틸렌옥시기를 포함하는 메타노플러렌 화합물 및 이를이용한 유기전자소자
JP2010092772A (ja) 2008-10-09 2010-04-22 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR20090061613A (ko) 2009-05-14 2009-06-16 한국화학연구원 불소기로 치환된 메타노플러렌 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
US8648772B2 (en) * 2009-08-20 2014-02-11 Amazon Technologies, Inc. Amalgamated display comprising dissimilar display devices
KR20120008359A (ko) * 2010-07-16 2012-01-30 삼성모바일디스플레이주식회사 봉지 기판 및 유기 발광부 사이에 ｕｖ 차단 성능 등을 가지는 층을 포함하는 유기 발광 소자
KR101846410B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101528147B1 (ko) * 2011-10-14 2015-06-12 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치
CN107011365A (zh) * 2012-10-18 2017-08-04 精工爱普生株式会社 噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015072748A1 (ko) * 2013-11-14 2015-05-21 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 백색 유기발광소자
US9231225B2 (en) 2014-03-11 2016-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US9704928B2 (en) 2015-04-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
US20130076251A1 (en) 2013-03-28
US9282612B2 (en) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100670383B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR101657222B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101003267B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조 방법
US8680693B2 (en) OLED having stacked organic light-emitting units
EP2012375B1 (en) Organic light emitting device
TWI514925B (zh) 有機發光裝置
CN1838846B (zh) 有机发光器件
EP1801882A2 (en) Organic luminescence display device and method of manufacturing the same
KR100669717B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101213493B1 (ko) 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US9282612B2 (en) Dual mode organic light emitting device and pixel circuit including the same
CN113410405A (zh) 一种有机电致发光器件和显示装置
KR100879476B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101261602B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8969864B2 (en) Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material
KR100741104B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20130024040A (ko) 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치
KR20070087773A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR20070112547A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100759548B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101097336B1 (ko) 전면발광형 유기 발광 소자
TWI814124B (zh) 有機發光二極體及包含其之有機發光裝置
KR101304409B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20100133352A (ko) 유기 광전 소자
KR100804533B1 (ko) 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110923

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20120726

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160913

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20110923

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170517

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170728

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20170517

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I