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KR102441783B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR102441783B1
KR102441783B1 KR1020170166157A KR20170166157A KR102441783B1 KR 102441783 B1 KR102441783 B1 KR 102441783B1 KR 1020170166157 A KR1020170166157 A KR 1020170166157A KR 20170166157 A KR20170166157 A KR 20170166157A KR 102441783 B1 KR102441783 B1 KR 102441783B1
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insulating film
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성우용
윤승호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 발광부, 그리고 상기 비표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 스페이서를 포함하고, 상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고, 상기 기판은 상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 위치하는 홈을 가지고, 상기 홈은 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름 중 적어도 하나에 형성된다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 개시는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 표시 영역 주변부의 폭을 넓게 형성하지 않으면서도, 표시 영역 주변부에서 절연막이 들뜨지 않는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등을 포함한다.
유기 발광 표시 장치의 화소는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 두 개의 전극 중 하나인 캐소드로부터 주입된 전자(electron)와 애노드로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치의 화소는 습기와 공기에 노출될 경우, 성능이 저하될 수 있다. 따라서, 외부로부터 화소로 공기나 습기가 침투하지 않도록, 복수의 화소가 위치하는 표시 영역 위에 복수의 박막으로 이루어진 박막 봉지층을 형성하여, 표시 영역을 보호한다.
이 때, 화소가 위치하는 표시 영역의 주변 영역에서 박막 봉지층을 이루는 복수의 박막 중 일부의 층이 들뜰 수 있고, 이 경우 들뜬 박막층을 통해 외부로부터 공기나 습기가 유입될 수 있다. 박막 봉지층이 들뜨는 것을 방지하기 위하여, 주변 영역의 폭을 넓게 형성하여 박막 봉지층과 기판이 접촉하는 면적을 넓게 형성할 수 있다. 그러나, 표시 영역 주변의 비표시 영역이 사용자에게 시인되지 않는 베젤리스(bezel-less) 표시 장치에 대한 수요가 높아지고 있고, 이를 위하여, 표시 영역의 주변부의 폭을 좁게 형성할 필요가 있다.
실시예들은 표시 장치의 표시 영역 주변의 비표시 영역의 폭을 넓히지 않고, 표시 영역 주변부에서 절연막이 들뜨지 않는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
실시예들에 따르면, 표시 장치의 표시 영역 주변의 비표시 영역의 폭을 넓히지 않고, 표시 영역 주변부에서 절연막이 들뜨지 않도록 보호할 수 있다.
실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 발광부, 그리고 상기 비표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 스페이서를 포함하고, 상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고, 상기 기판은 상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 위치하는 홈을 가지고, 상기 홈은 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름 중 적어도 하나에 형성된다.
상기 표시 장치는 상기 기판 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 봉지층은 무기 봉지층과 유기 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층의 무기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩할 수 있다.
다른 실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 발광부, 그리고 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역에 위치하고, 복수의 무기 봉지층과 유기 봉지층을 포함하는 봉지층을 포함하고, 상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고, 상기 기판은 상기 비표시 영역 중 상기 봉지층의 상기 무기 봉지층과 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가지고, 상기 홈은 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름 중 적어도 하나에 형성된다.
상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩하지 않을 수 있다.
상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈의 일부와 중첩할 수 있다.
실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판의 상기 표시 영역에 발광부를 형성하고 상기 비표시 영역에 스페이서를 형성하는 단계, 상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계, 그리고 상기 기판 위에 봉지층을 형성하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판 위에 복수의 절연층을 적층하고, 상기 표시 영역의 상기 복수의 절연층에 복수의 접촉 구멍을 형성하고, 상기 비표시 영역의 상기 복수의 절연층에 제1 홈을 형성하는 단계, 상기 표시 영역에 발광부를 형성하고 상기 비표시 영역에 스페이서를 형성하는 단계, 상기 비표시 영역에 상기 제1 홈과 정렬되도록, 상기 기판에 홈을 형성하는 단계, 그리고 상기 기판 위에 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판의 상기 홈은 레이저로 형성할 수 있다.
상기 기판의 상기 홈은 상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
상기 기판의 상기 홈은 상기 제1 홈을 가지는 상기 복수의 절연층을 식각 마스크로 하여, 상기 기판을 식각하여 형성할 수 있다.
상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩하지 않는 표시 장치.
도 1은 한 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도의 한 예이다.
도 4는 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6 및 도 7은 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11 및 도 12는 표시 장치의 접촉 영역의 일부를 도시한 전자 현미경 사진이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이제 도 1 내지 도 3을 참고하여, 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 한 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 3은 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도의 한 예이다.
먼저, 도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외곽에 위치하는 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 신호를 전달하는 구동부(600)가 위치하는 구동 영역(PA)을 포함한다.
비표시 영역(NDA)에는 공통 전압을 전달하는 공통 전압 전달선(400), 구동 전압을 전달하는 구동 전압 전달선(500a, 500b)이 위치한다.
도시한 실시예에서 공통 전압 전달선(400)은 구동부(600)로부터 시작되어 비표시 영역(NDA)을 따라 표시 영역(DA)을 둘러싸고 있고, 구동 전압 전달선(500a, 500b)은 표시 영역(DA)을 사이에 두고 서로 이격되어 있는 두 개의 부분을 포함한다. 그러나, 도 1에 도시한 공통 전압 전달선(400)과 구동 전압 전달선(500a, 500b)의 배치는 한 예로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 2 및 도 3을 참고하여, 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 구조에 대하여 설명한다.
먼저 도 3을 참고하면, 한 실시예에 따른 표시 장치(1000)의 표시 영역(DA)은 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel, PX)를 포함한다. 화소(PX)는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 장치는 복수의 화소들을 이용해 이미지를 표시한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)의 수직 방향 부분은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다. 도면에 표시되지 않았으나, 하나의 화소(PX)는 유기 발광 소자에 제공되는 전류를 보상하기 위해 부가적으로 박막 트랜지스터 및 축전기를 더 포함할 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
이제 도 2를 참고하여, 표시 장치(1000)의 층간 구조에 대하여 설명한다.
앞서 설명한 바와 같이, 표시 장치(1000)는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 비표시 영역(NDA)은 외곽부의 가장자리 영역(EA)을 포함한다.
표시 장치(1000)는 기판(100)을 포함하고, 기판(100)은 플렉시블(flexible)하고, 서로 중첩하는 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)을 포함한다. 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 그러나, 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)은 이에 한정되지 않고, 내열성, 내화학성, 내마모성이 좋고 플렉시블한 다른 물질을 포함할 수 있다.
기판(100)은 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b) 사이에 위치하는 제1 배리어 필름(100c)을 더 포함한다. 제1 배리어 필름(100c)은 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b) 사이에 외부로부터 습기나 기체가 유입되는 것을 방지하여, 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)의 변형을 방지한다.
기판(100)은 서로 중첩하는 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)을 포함함으로써, 외부와 접촉하는 제1 절연 필름(100a)에 손상이 오더라도 기판(100)의 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 제조하는 공정이 진행되는 동안 기판(100)을 지지하였던 지지 기판으로부터 제조 공정이 완료된 기판(100)을 분리하는 단계에서 기판(100)과 지지 기판 사이의 계면에서 손상이 발생할 수 있다. 그러나, 실시예에 따른 표시 장치(1000)의 기판(100)은 서로 중첩하는 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b)을 포함함으로써, 지지 기판에 인접한 제1 절연 필름(100a)의 일부분에 손상이 가해지더라도, 제2 절연 필름(100b)이 남게 되어, 기판(100)의 신뢰성을 높일 수 있다.
비표시 영역(NDA)에 위치하는 기판(100)에는 홈(10a)이 형성되어 있다. 홈(10a)은 제2 절연 필름(100b)에 형성될 수 있고, 제2 절연 필름(100b) 뿐만 아니라 제1 절연 필름(100a)의 적어도 일부분에까지 형성될 수도 있다. 홈(10a)은 비표시 영역(NDA) 중 외곽부의 가장자리 영역(EA)에 위치한다. 가장자리 영역(EA)은 비표시 영역(NDA) 중 스페이서(SP)이 위치하는 영역보다 표시 영역(DA)으로부터 더 멀리 떨어진 영역이다.
기판(100) 위에는 버퍼층(120)이 위치한다. 버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx)와 같은 절연막의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx)가 적층된 복수의 다층막을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지한다.
도시하지는 않았지만, 제2 절연 필름(100b)과 버퍼층(120) 사이에는 제2 배리어 필름(도시하지 않음)이 위치할 수 있다.
표시 영역(DA)의 버퍼층(120) 위에는 제1 반도체층(135)이 위치한다. 제1 반도체층(135)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 이때, 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 또는 이들의 복합 산화물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체층(135)은 제1 채널 영역(1355)과 제1 채널 영역(1355)의 양측에 각각 위치하는 제1 소스 영역(1356) 및 제1 드레인 영역(1357)을 포함한다. 제1 반도체층(135)의 제1 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 영역이고, 제1 반도체층(135)의 제1 소스 영역(1356) 및 제1 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 영역일 수 있다.
이와 유사하게 비표시 영역(NDA)의 버퍼층(120) 위에는 제2 반도체층(145)이 위치한다. 제2 반도체층(145)은 제2 채널 영역(1455)과 제2 채널 영역(1455)의 양측에 각각 위치하는 제2 소스 영역(1456) 및 제2 드레인 영역(1457)을 포함한다.
제1 반도체층(135)과 제2 반도체층(145) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 산화 규소(SiOx), 질화 규소(SiNx)을 포함하는 단일막 또는 이들이 적층된 다층막일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 게이트 전극(155)과 제2 게이트 전극(156)이 위치한다. 제1 게이트 전극(155)은 제1 채널 영역(1355)과 중첩하고, 제2 게이트 전극(156)은 제2 채널 영역(1455)과 중첩한다.
제1 게이트 전극(155)과 제2 게이트 전극(156)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금과 같은 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 포함하는 단층 또는 복수층일 수 있다.
제1 게이트 전극(155)과 제2 게이트 전극(156) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 위치한다. 제1 층간 절연막(160)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 산화 규소(SiOx), 질화 규소(SiNx)을 포함하는 단일막 또는 이들이 적층된 다층막일 수 있다.
제1 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)은 제1 소스 영역(1356) 및 제1 드레인 영역(1357)과 중첩하는 제1 소스 접촉 구멍(166) 및 제1 드레인 접촉 구멍(167), 그리고 제2 소스 영역(1456) 및 제2 드레인 영역(1457)과 중첩하는 제2 소스 접촉 구멍(168) 및 제2 드레인 접촉 구멍(169)을 가진다.
제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 그리고 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177)이 위치한다. 또한, 비표시 영역(NDA)의 제1 층간 절연막(160) 위에는 공통 전압 전달선(400)이 위치한다.
제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175)은 제1 소스 접촉 구멍(166) 및 제1 드레인 접촉 구멍(167)을 통해서, 제1 반도체층(135)의 제1 소스 영역(1356) 및 제1 드레인 영역(1357)에 연결된다. 이와 유사하게, 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177)은 제2 소스 접촉 구멍(168) 및 제2 드레인 접촉 구멍(169)을 통해서, 제2 반도체층(145)의 제2 소스 영역(1456) 및 제2 드레인 영역(1457)에 연결된다.
제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 그리고 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금과 같은 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 포함하는 단층 또는 복수층일 수 있다. 공통 전압 전달선(400)은 제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 그리고 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177)과 같은 층으로 동시에 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)의 제1 반도체층(135), 제1 게이트 전극(155), 제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175)은 도 3에 도시한 화소(PX)의 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이루고, 비표시 영역(NDA)의 제2 반도체층(145), 제2 게이트 전극(156), 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177)은 비표시 영역(NDA)에 위치하는 게이트 구동부 등에 포함된 박막 트랜지스터를 이룬다.
도 2에서, 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA) 각각에 하나의 트랜지스터를 도시하였지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 그리고 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177) 위에는 제2 층간 절연막(180)이 위치한다. 제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막(160)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 산화 규소(SiOx), 질화 규소(SiNx)을 포함하는 단일막 또는 이들이 적층된 다층막일 수 있다.
제2 층간 절연막(180)은 제1 드레인 전극(175)과 중첩하는 접촉 구멍(82)을 가진다. 제2 층간 절연막(180)은 공통 전압 전달선(400)과 중첩하는 영역에서 제거되어, 공통 전압 전달선(400)의 대부분은 제2 층간 절연막(180)과 중첩하지 않고, 공통 전압 전달선(400)의 가장자리 일부분만 제2 층간 절연막(180)과 중첩할 수 있다. 그러나, 공통 전압 전달선(400)의 전체는 제2 층간 절연막(180)과 중첩하지 않을 수도 있다.
제2 층간 절연막(180) 위에는 화소 전극(710)이 위치한다. 화소 전극(710)은 도 3의 유기 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 화소 전극(710)과 제1 드레인 전극(175) 사이에 제2 층간 절연막(180)이 위치하지만, 화소 전극(710)과 제1 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 제1 드레인 전극(175)과 일체형일 수도 있다.
화소 전극(710) 위에는 격벽(190)이 위치한다. 격벽(190)은 화소 전극(710)과 중첩하는 개구부(195)를 가진다. 격벽(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함할 수 있다.
격벽(190)의 개구부(195)에는 유기 발광층(720)이 위치한다.
유기 발광층(720)은 발광층과 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층일 수 있다. 유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 화소 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
격벽(190) 및 유기 발광층(720) 위에는 공통 전극(730)이 위치한다. 공통 전극(730)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통 전극(730)은 유기 발광 소자(70)를 이룬다.
유기 발광 소자(70)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 유기 발광 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.
전면 표시형일 경우 화소 전극(710)은 반사막이고 공통 전극(730)은 반투과막 또는 투과막일 수 있다. 반면, 배면 표시형일 경우 화소 전극(710)은 반투과막이고, 공통 전극(730)은 반사막일 수 있다. 그리고 양면 표시형일 경우 화소 전극(710) 및 공통 전극(730)은 투명막 또는 반투과막일 수 있다. 반사막 및 반투과막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금일 수 있다. 반사막과 반투과막은 두께로 결정되며, 반투과막은 200nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지나, 너무 얇으면 저항이 증가한다. 투명막은 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 산화아연(ZnO) 또는 인듐산화물(indium oxide) 등을 포함할 수 있다.
공통 전극(730)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함하는 기판(100) 전면에 위치할 수 있고, 비표시 영역(NDA)의 공통 전압 전달선(400)과 접촉하여 공통 전압을 인가 받는다.
비표시 영역(NDA)의 공통 전압 전달선(400)의 외부에는 스페이서(SP)가 위치한다. 스페이서(SP)는 표시 영역(DA)에 위치하는 제2 층간 절연막 및 화소 정의막과 같은 층으로 이루어진 절연막과 추가적인 절연막으로 이루어질 수 있다.
공통 전극(730) 위에는 봉지층(80)이 위치한다. 봉지층(80)은 하나 이상의 무기층과 하나 이상의 유기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있고, 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다.
도시한 실시예에서, 봉지층(80)은 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820), 그리고 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820) 사이에 위치하는 유기 봉지층(830)을 포함한다.
제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820)은 기판(100) 전면에 형성되어 스페이서(SP) 위와 가장자리 영역(EA)에도 위치하지만, 유기 봉지층(830)은 비표시 영역(NDA) 중 스페이서(SP)의 외곽에 위치하는 가장자리 영역(EA)에는 위치하지 않을 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 스페이서(SP)의 외곽에 위치하는 가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)에는 홈(10a)이 형성되어 있고, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820)은 홈(10a)과 중첩한다. 여기서 외곽은 표시 영역으로부터 먼 가장자리를 의미한다.
가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)에 형성되어 있는 홈(10a)에 의해 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820)이 접촉하는 기판(100)의 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁한 구조를 가지고, 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820)이 접촉하는 기판(100)의 표면적이 넓어진다.
이에 의해, 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력이 커지게 된다. 그러므로, 기판(100)에 홈(10a)을 형성하지 않는 경우와 비교하여 가장자리 영역(EA)의 폭을 줄이더라도 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력을 높여, 기판(100)으로부터 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
봉지층(80) 위에는 터치부와 편광판 등과 같은 추가판(90)이 위치하고, 봉지층(80)과 추가판(90) 사이에는 접착층(900)이 위치한다.
앞서 도 2 및 도 3에 도시한 표시 장치의 표시 영역(DA)에 위치하는 한 화소의 구조는 일 예로써, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조가 도 2 및 도 3에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 신호선 및 유기 발광 소자는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 3에서는, 표시 장치로서, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 포함하는 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치의 기판(100)은 비표시 영역(NDA)의 가장자리 영역(EA)에 위치하는 홈(10a)을 가진다. 홈(10a)에 의해 기판(100)의 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁한 구조를 가지고, 가장자리 영역(EA)의 기판(100)의 표면적이 넓어지고, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 박막 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)은 홈(10a)과 중첩한다. 그러므로, 기판(100)에 홈(10a)을 형성하지 않는 경우와 비교하여 가장자리 영역(EA)의 폭을 줄이더라도 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력을 높여, 기판(100)으로부터 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
도 4를 참고하여, 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 4는 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참고하면, 도 4에 도시한 실시예에 따른 표시 장치는 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 장치와 거의 유사하다. 동일한 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 4에 도시한 실시예에 따른 표시 장치에 따르면, 봉지층(80)의 유기 봉지층(830)이 스페이서(SP)를 넘어 가장자리 영역(EA)의 홈(10a) 내에도 일부 위치한다.
유기 봉지층(830)을 형성할 때, 스페이서(SP)는 유기 물질이 넘치지 않도록 하는 댐(dam) 역할을 할 수 있고, 유기 물질은 스페이서(SP) 외각으로 넘치지 않도록 형성될 수 있지만, 유기 물질의 일부가 스페이서(SP)를 넘어 형성되더라도, 기판(100)에 형성된 홈(10a)의 단차에 의해, 홈(10a)을 지나쳐 더 이동하지는 않을 수 있다. 또한, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)의 홈(10a)과 중첩하는 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810)의 일부분 위에 유기 봉지층(830)이 위치하기 때문에, 유기 봉지층(830)이 경화되면서 제1 무기 봉지층(810)이 기판(100) 위에 더욱 견고하게 부착된다. 따라서, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810)과 제2 무기 봉지층(820)이 기판(100)으로부터 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 기판(100)은 비표시 영역(NDA)의 가장자리 영역(EA)에 위치하는 홈(10a)을 가진다. 홈(10a)에 의해 기판(100)의 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁한 구조를 가지고, 가장자리 영역(EA)의 기판(100)의 표면적이 넓어지고, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 박막 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)은 홈(10a)과 중첩한다. 그러므로, 기판(100)에 홈(10a)을 형성하지 않는 경우와 비교하여 가장자리 영역(EA)의 폭을 줄이더라도 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력을 높여, 기판(100)으로부터 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
앞서 도 1 내지 도 3을 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치의 많은 특징들은 본 실시예에 따른 표시 장치에 모두 적용 가능하다.
도 5를 참고하여, 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 5는 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5를 참고하면, 도 5에 도시한 실시예에 따른 표시 장치는 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 장치와 거의 유사하다. 동일한 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 5에 도시한 실시예에 따른 표시 장치에 따르면, 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810)은 제1 무기층(810a)과 제2 무기층(810b)을 포함한다. 예를 들어, 제1 무기층(810a)은 실리콘 산화물을 포함하고, 제2 무기층(810b)은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 그러나, 제1 무기층(810a)과 제2 무기층(810b)은 이에 한정되지 않고, 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 기판(100)은 비표시 영역(NDA)의 가장자리 영역(EA)에 위치하는 홈(10a)을 가진다. 홈(10a)에 의해 기판(100)의 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁한 구조를 가지고, 가장자리 영역(EA)의 기판(100)의 표면적이 넓어지고, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 박막 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)은 홈(10a)과 중첩한다. 그러므로, 기판(100)에 홈(10a)을 형성하지 않는 경우와 비교하여 가장자리 영역(EA)의 폭을 줄이더라도 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력을 높여, 기판(100)으로부터 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
앞서 도 1 내지 도 3을 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치와 도 4를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치의 많은 특징들은 본 실시예에 따른 표시 장치에 모두 적용 가능하다.
그러면, 도 2와 함께 도 6 및 도 7을 참고하여, 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7은 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참고하면, 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b), 그리고 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b) 사이에 위치하는 제1 배리어 필름(100c)을 포함하는 기판(100) 위에 버퍼층(120), 제1 반도체층(135) 및 제2 반도체층(145), 게이트 절연막(140), 제1 게이트 전극(155) 및 제2 게이트 전극(156), 제1 층간 절연막(160), 제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177), 공통 전압 전달선(400), 제2 층간 절연막(180), 화소 전극(710), 격벽(190), 유기 발광층(720), 공통 전극(730), 스페이서(SP)를 형성한다. 가장자리 영역(EA)에는 기판(100) 위에 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 제1 층간 절연막(160)이 위치한다.
다음으로, 도 7을 참고하면, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)에 홈(10a)을 형성한다. 도 7에서는 기판(100)의 홈(10a)이 제2 절연 필름(100b) 뿐만 아니라 제1 절연 필름(100a)의 적어도 일부분에까지 형성된 것으로 도시하였지만, 홈(10a)은 제2 절연 필름(100b)에만 형성될 수도 있다. 기판(100)의 홈(10a)은 레이저를 이용하여 형성될 수 있다.
가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)에 홈(10a)을 형성한 후, 도 2에 도시한 바와 같이, 봉지층(80), 접착층(900), 그리고 추가판(90)을 형성한다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 기판(100)에 봉지층(80)을 형성하기 이전에 레이저를 이용하여 가장자리 영역(EA)에 위치하는 기판(100)에 홈(10a)을 형성한다. 레이저를 이용하여 홈(10a)을 형성하여, 기판(100) 위에 위치하는 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 제1 층간 절연막(160)도 함께 제거될 수 있다. 이처럼 레이저를 이용하여 홈(10a)을 형성하기 때문에 홈(10a)을 형성하기 위한 공정이 간단하고, 추가 노광 마스크를 필요로 하지 않아, 제조 비용 증가가 크지 않다.
그러면, 도 2와 함께 도 8 내지 도 10을 참고로 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 8 내지 도 10은 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참고하면, 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b), 그리고 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b) 사이에 위치하는 제1 배리어 필름(100c)을 포함하는 기판(100) 위에 버퍼층(120), 제1 반도체층(135) 및 제2 반도체층(145), 게이트 절연막(140), 제1 게이트 전극(155) 및 제2 게이트 전극(156), 제1 층간 절연막(160)을 형성하고, 제1 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 제1 소스 영역(1356) 및 제1 드레인 영역(1357)과 중첩하는 제1 소스 접촉 구멍(166) 및 제1 드레인 접촉 구멍(167), 그리고 제2 소스 영역(1456) 및 제2 드레인 영역(1457)과 중첩하는 제2 소스 접촉 구멍(168) 및 제2 드레인 접촉 구멍(169)을 형성하고, 가장자리 영역(EA)의 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 제1 층간 절연막(160)에 제1 홈(10b)을 형성한다.
다음으로, 도 9를 참고하여, 제1 소스 전극(173) 및 제1 드레인 전극(175), 제2 소스 전극(176) 및 제2 드레인 전극(177), 공통 전압 전달선(400), 제2 층간 절연막(180), 화소 전극(710), 격벽(190), 유기 발광층(720), 공통 전극(730), 스페이서(SP)를 형성한다.
다음으로 도 10을 참고하면, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 제1 층간 절연막(160)에 형성된 제1 홈(10b)과 정렬되도록, 기판(100)에 홈(10a)을 형성한다. 이 때, 제1 홈(10b)이 형성되지 않은 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 제1 층간 절연막(160)을 마스크로 하여, 제1 홈(10b)과 중첩하는 기판(100)을 식각하여 홈(10a)을 형성할 수 있고, 레이저를 이용하여 제1 홈(10b)과 중첩하는 홈(10a)을 형성할 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 제1 층간 절연막(160)의 제1 홈(10b)은 제1 소스 접촉 구멍(166) 및 제1 드레인 접촉 구멍(167), 그리고 제2 소스 접촉 구멍(168) 및 제2 드레인 접촉 구멍(169)과 함께 형성하고, 기판(100)의 홈(10a)은 제1 홈(10b)을 가지는 버퍼층(120), 게이트 절연막(140) 및 제1 층간 절연막(160)을 마스크로 하여 식각하거나, 레이저를 이용하여 형성하기 때문에, 추가 노광 마스크를 필요로 하지 않아, 제조 비용 증가가 크지 않다.
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 봉지층(80), 접착층(900), 그리고 추가판(90)을 형성한다.
이처럼, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 노광 마스크를 추가하지 않고, 기판(100)에 홈(10a)을 형성할 수 있다.
그러면, 도 11 및 도 12를 참고하여, 실험예에 대하여 설명한다. 도 11 및 도 12는 표시 장치의 접촉 영역의 일부를 도시한 전자 현미경 사진이다.
본 실험예에서는 기판에 레이저를 이용하여 홈을 형성하였다. 도 11은 기판(100)의 제2 절연 필름(100b) 뿐만 아니라, 제2 절연 필름(100b) 아래에 위치하는 제1 배리어 필름(100c), 그리고 제1 절연 필름(100a)의 일부분에도 홈을 형성한 경우를 도시하고, 도 12는 기판(100)의 제1 절연 필름(100a)과 제2 절연 필름(100b) 중 상대적으로 위에 위치하는 제2 절연 필름(100b)에만 홈을 형성한 경우를 도시한다.
도 11 및 도 12를 참고하면, 레이저를 이용하여 기판(100)에 홈을 형성할 수 있고, 그 위에 적층되는 층이 단선되지 않는 테이퍼 구조를 가지도록 형성할 수 있으며, 홈에 의해 기판 표면이 매끄럽지 않고 기판 표면의 표면적이 넓어짐을 알 수 있었다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치의 기판(100)은 비표시 영역(NDA)의 가장자리 영역(EA)에 위치하는 홈(10a)을 가진다. 홈(10a)에 의해 기판(100)의 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁한 구조를 가지고, 가장자리 영역(EA)의 기판(100)의 표면적이 넓어지고, 가장자리 영역(EA)에 위치하는 박막 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)은 홈(10a)과 중첩한다. 그러므로, 기판(100)에 홈(10a)을 형성하지 않는 경우와 비교하여 가장자리 영역(EA)의 폭을 줄이더라도 기판(100)과 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)의 접촉력을 높여, 기판(100)으로부터 봉지층(80)의 제1 무기 봉지층(810) 및 제2 무기 봉지층(820)이 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 기판 10a: 홈
70: 발광 소자 710: 화소 전극
720: 유기 발광층 730: 공통 전극
80: 봉지층 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 EA: 가장자리 영역

Claims (13)

  1. 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 발광부, 그리고
    상기 비표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 스페이서를 포함하고,
    상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고,
    상기 기판은 상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 위치하는 홈을 가지고,
    상기 홈은 상기 기판의 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름에 형성되거나, 상기 기판의 상기 제2 절연 필름에 형성되는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 기판 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하고,
    상기 봉지층은 무기 봉지층과 유기 봉지층을 포함하고,
    상기 봉지층의 무기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩하지 않는 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈의 일부와 중첩하는 표시 장치.
  5. 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역의 상기 기판 위에 위치하는 발광부, 그리고
    상기 표시 영역과 상기 비표시 영역에 위치하고, 복수의 무기 봉지층과 유기 봉지층을 포함하는 봉지층을 포함하고,
    상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고,
    상기 기판은 상기 비표시 영역 중 상기 봉지층의 상기 무기 봉지층과 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가지고,
    상기 홈은 상기 비표시 영역 중 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 위치하고,
    상기 홈은 기판의 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름에 형성되거나, 상기 기판의 상기 제2 절연 필름에 형성되는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈과 중첩하지 않는 표시 장치.
  7. 제5항에서,
    상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 기판의 상기 홈의 일부와 중첩하는 표시 장치.
  8. 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판의 상기 표시 영역에 발광부를 형성하고 상기 비표시 영역에 스페이서를 형성하는 단계,
    상기 비표시 영역 중 상기 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계, 그리고
    상기 기판 위에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고,
    상기 홈은 기판의 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름에 형성되거나, 상기 기판의 상기 제2 절연 필름에 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 기판의 상기 홈은 레이저로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하는 기판 위에 복수의 절연층을 적층하고, 상기 표시 영역의 상기 복수의 절연층에 복수의 접촉 구멍을 형성하고, 상기 비표시 영역의 상기 복수의 절연층에 제1 홈을 형성하는 단계,
    상기 표시 영역에 발광부를 형성하고 상기 비표시 영역에 스페이서를 형성하는 단계,
    상기 비표시 영역에 상기 제1 홈과 정렬되도록, 상기 기판에 홈을 형성하는 단계, 그리고
    상기 기판 위에 복수의 무기 봉지층과 유기 봉지층을 포함하는 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판은 제1 절연 필름과 상기 제1 절연 필름 위에 위치하는 제2 절연 필름을 포함하고,
    상기 홈은 기판의 상기 제1 절연 필름과 상기 제2 절연 필름에 형성되거나, 상기 기판의 상기 제2 절연 필름에 형성되고,
    상기 홈은 상기 비표시 영역 중 스페이서보다 상기 발광부와 먼 가장자리 영역에 위치하고, 상기 비표시 영역 중 상기 봉지층의 상기 무기 봉지층과 중첩하는 영역에 위치하도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에서,
    상기 기판의 상기 홈은 레이저로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에서,
    상기 기판의 상기 홈은 상기 제1 홈을 가지는 상기 복수의 절연층을 식각 마스크로 하여, 상기 기판을 식각하여 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
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