CN110444576B - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents
显示装置、显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110444576B CN110444576B CN201910750370.XA CN201910750370A CN110444576B CN 110444576 B CN110444576 B CN 110444576B CN 201910750370 A CN201910750370 A CN 201910750370A CN 110444576 B CN110444576 B CN 110444576B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display
- area
- substrate
- groove body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 233
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开是关于一种显示装置、显示面板及其制造方法显示面板,涉及显示技术领域。该显示面板包括衬底、驱动层和显示层。衬底具有开孔区、围绕开孔区的过渡区以及围绕过渡区的显示区。驱动层设于衬底一侧,且至少覆盖过渡区和显示区,驱动层位于过渡区的区域设有围绕开孔区的分隔槽;分隔槽包括沿垂直于衬底的方向朝衬底依次连通的第一槽体和第二槽体,第一槽体的两侧壁底端的距离小于第二槽体的两侧壁顶端的距离。显示层覆盖驱动层,显示层包括发光层,发光层在第二槽体内间断。显示层位于开孔区的区域设有通孔,通孔至少贯穿显示层和驱动层。本公开的显示面板可避免水氧进入显示区,防止侵蚀显示器件。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法。
背景技术
目前,对于手机、电脑等终端设备而言,经常需要在显示面板上开孔,以便设置摄像头等器件,以便降低显示面板边缘的宽度。但是,对于OLED(Organic Light EmittingDiode,有机发光二极管)显示面板而言,由于开孔的存在,使得空气中的水氧会沿有机发光层向显示区渗透,从而侵蚀显示器件,影响显示效果。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法,可避免水氧进入显示区,防止侵蚀显示器件。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:
衬底,具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区;
驱动层,设于所述衬底一侧,且至少覆盖所述过渡区和所述显示区,所述驱动层位于所述过渡区的区域设有围绕所述开孔区的分隔槽;所述分隔槽包括沿垂直于所述衬底的方向朝所述衬底依次连通的第一槽体和第二槽体,所述第一槽体的两侧壁底端的距离小于所述第二槽体的两侧壁顶端的距离;
显示层,覆盖所述驱动层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述第二槽体内间断;所述显示层位于所述开孔区的区域设有通孔,所述通孔至少贯穿所述显示层和所述驱动层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动层包括:
栅极,设于所述衬底上,且位于所述显示区;
栅绝缘层,覆盖所述栅极,且覆盖所述至少覆盖所述过渡区和所述显示区;
有源层,设于所述栅绝缘层背离所述衬底的表面,且与所述栅极正对;
绝缘层,覆盖所述有源层和所述栅绝缘层;
源极和漏极,设于所述绝缘层背离所述衬底的表面,且连接于所述有源层的两端;
所述分隔槽在垂直于所述衬底的方向上由所述绝缘层延伸至所述栅绝缘层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二槽体的底部露出所述衬底,且所述第二槽体在垂直于所述衬底方向上的高度与所述栅极的厚度相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一槽体的两侧壁垂直于所述衬底或向所述衬底收缩;所述第二槽体的两侧壁垂直于所述衬底。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
封装层,覆盖所述显示层,且填充所述分隔槽。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板的制造方法,包括:
提供一衬底,所述衬底具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区;
在所述衬底一侧形成分隔环和至少覆盖所述过渡区和所述显示区的驱动层,所述分隔环位于所述过渡区的区域且所述围绕所述开孔区;
在所述驱动层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,所述第一槽体露出所述分隔环,且所述第一槽体的两侧壁的底部位于所述分隔环的两侧壁之间;
去除所述分隔环,以在所述驱动层形成沿垂直于所述衬底的方向与所述第一槽体连通的第二槽体;
形成覆盖所述驱动层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述第二槽体内间断;
在所述显示层位于所述开孔区的区域开设通孔,所述通孔至少贯穿所述显示层和所述驱动层。
在本公开的一种示例性实施例中,在所述衬底一侧形成分隔环和至少覆盖所述过渡区和所述显示区的驱动层,包括:
通过一次构图工艺在所述衬底上形成栅极和分隔环,所述栅极位于所述显示区,所述分隔环位于所述过渡区且围绕所述开孔区;
形成覆盖所述栅极、所述分隔环和所述衬底的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层背离所述衬底的表面形成与所述栅极正对的有源层;
形成覆盖所述有源层和所述栅绝缘层的绝缘层;
在所述绝缘层背离所述衬底的表面形成源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;
在所述驱动层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,包括:
在所述绝缘层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,所述第一槽体贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层,且露出所述分隔环,所述第一槽体的两侧壁位于所述分隔环的两侧壁之间。
在本公开的一种示例性实施例中,去除所述分隔环,包括:
经由所述第一槽体对所述分隔环进行刻蚀,以在所述驱动层形成沿垂直于所述衬底的方向与所述第一槽体连通的第二槽体。
在本公开的一种示例性实施例中,所述制造方法还包括:
形成覆盖所述显示层的封装层,且所述封装层填充所述分隔槽。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,包括上述任意一项所述的显示装置。
本公开的显示装置、显示面板及其制造方法,可通过在驱动层形成分隔槽阻断发光层,防止水氧由通孔经发光层进入显示区,防止显示器件被侵蚀。具体而言,在分隔槽中,由于第一槽体的两侧壁底端的距离小于第二槽体的两侧壁顶端的距离,使得在形成发光层时,发光层无法覆盖第二槽体的侧壁,从而在第二槽体断开,从而阻断水氧侵蚀的路径。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开显示面板一实施方式的示意图。
图2为本公开制造方法一实施方式的流程图。
图3为本公开制造方法一实施方式的步骤S120的流程图。
图4为对应于图3中步骤S1210的示意图。
图5为对应于图2中步骤S130的示意图。
图6为对应于图2中步骤S140的示意图。
图7为对应于图2中步骤S160的示意图。
附图标记说明:
1、衬底;100、开孔区;200、过渡区;300、显示区;400、分隔槽; 401、第一槽体;402、第二槽体;500、通孔;2、驱动层;21、栅极; 22、栅绝缘层;23、有源层;24、绝缘层;25、源极;26、漏极;27、平坦层;3、显示层;31、发光层;32、第一电极;33、像素界定层;34、第二电极;4、封装层;41、第一无机层;42、有机层;43、第二无机层; 5、分隔环;6、阻挡坝;7、缓冲层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
相关技术中,OLED显示面板具有开孔区、围绕开孔区的过渡区以及围绕过渡区的显示区,开孔区设有通孔。为了阻断水氧侵蚀的路径,防止水氧由通孔经发光层侵蚀显示区。在过渡区设置围绕通孔的隔离环,隔离环包括沿发光方向依次层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中,第一金属层和第三金属层的内径均小于第二金属层的的内径,第一金属层和第三金属层的外径均大于第二金属层的的外径,使得分隔环的内壁和外壁对应于第二金属层的区域形成凹槽,使发光层无法覆盖凹槽底部而断开。但是,第一金属层和第三金属层伸出第二金属层的部分容易脱落,难以保证阻断发光层。同时,分隔环为金属材料,其与封装层的粘附性较差,容易出现封装不良。综上,相关技术中的显示面板防止水氧侵蚀的效果有待力提高。
本公开实施方式提供了一种显示面板,该显示面板可为OLED显示面板。如图1和图5所示,本公开的显示面板包括衬底1、驱动层2和显示层3,其中:
衬底1具有开孔区100、围绕开孔区100的过渡区200以及围绕过渡区200的显示区300。
驱动层2设于衬底1一侧,且至少覆盖过渡区200和显示区300,驱动层2位于过渡区200的区域设有围绕开孔区100的分隔槽400;分隔槽400包括沿垂直于衬底1的方向朝衬底1依次连通的第一槽体401 和第二槽体402,第一槽体401的两侧壁底端的距离小于第二槽体402 的两侧壁顶端的距离。
显示层3,覆盖驱动层2,显示层3包括发光层31,发光层31在第二槽体402内间断;显示层3位于开孔区100的区域设有通孔500,通孔500至少贯穿显示层3和驱动层2。
本公开实施方式的显示面板,可通过在驱动层2形成分隔槽400阻断发光层31,防止水氧由通孔500经发光层31进入显示区300,防止显示器件被侵蚀。具体而言,在分隔槽400中,由于第一槽体401的两侧壁底端的距离小于第二槽体402的两侧壁顶端的距离,使得在形成发光层31时,发光层31无法覆盖第二槽体402的侧壁,从而在第二槽体402 断开,从而阻断水氧侵蚀的路径。
下面对本公开的显示面板的各部分进行详细说明:
如图1所示,衬底1具有开孔区100、过渡区200和显示区300,其中,开孔区100位于与通孔500对应的区域,过渡区200围绕开孔区100 设置,显示区300围绕过渡区200设置,即过渡区200位于开孔区100 和显示区300之间。同时,衬底1可为玻璃等硬质透明材料,也可以采用柔性透明材料,例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。衬底1的厚度和形状在此不做特殊限定。
如图1和图5所示,驱动层2设于衬底1一侧,其可直接设于衬底 1的表面,也可设置于衬底1上的缓冲层7背离衬底1的表面。驱动层2 至少覆盖过渡区200和显示区300,即驱动层2在衬底1上的正投影至少覆盖过渡区200和显示区300,当然,还可覆盖开孔区100。驱动层2 用于驱动显示层3发光,以显示图像。驱动层2可包括阵列分布的多个开关器件,该开关器件可为薄膜晶体管。如图1和图5所示,在一实施方式中,以开关器件为底栅薄膜晶体管为例,驱动层2可包括栅极21、栅绝缘层22、有源层23、绝缘层24、源极25和漏极26,其中:
栅极21设于衬底1上,且位于显示区300内。
栅绝缘层22覆盖栅极21,且覆盖显示区300和过渡区200。其材料可为氧化硅或其它无机绝缘材料。
有源层23设于栅绝缘层22背离衬底1的表面,且位于显示区300 内。有源层23可包括沟道区和分隔于沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。
绝缘层24可覆盖有源层23和栅绝缘层22,其材料可包括氮化硅和碳化硅中至少一种,当然,也可采用其它无机绝缘材料。绝缘层24可为单层或多层结构,在此不做特殊限定,且若未多层结构,各层的材料并不限定为同一材料。
源极25和漏极26设于绝缘层24背离衬底1的表面,且连接于有源层23的两端,具体而言,源极25通过穿过绝缘层24的第一过孔与第一掺杂区连接,漏极26通过穿过绝缘层24的第二过孔与第二掺杂区连接。
此外,如图1和图5所示,驱动层2还可包括平坦层27,平坦层27 覆盖源极25、漏极26和绝缘层24,平坦层27可位于显示区300内,也可延伸至过渡区200和开孔区100。
如图1和图6所示,驱动层2位于过渡区200的区域设有围绕开孔区100的分隔槽400,分隔槽400包括沿垂直于衬底1的方向连通的第一槽体401和第二槽体402,第二槽体402位于第一槽体401和衬底1 之间,即第一槽体401和第二槽体402沿分隔槽400的深度方向依次连通。同时,第一槽体401的两侧壁底端的距离小于第二槽体402的两侧壁顶端的距离,使得第二槽体402的两侧壁的底端位于第二槽体402的两侧壁之间,在形成显示层3的发光层31时,发光层31无法覆盖第二槽体402的侧壁,而在第二槽体402断开,切断水氧侵蚀的路径。
举例而言,基于上述采用底栅结构薄膜晶体管的实施方式,分隔槽 400在垂直于衬底1的方向上,可由绝缘层24延伸至栅绝缘层22内,并露出衬底1,即第二槽体402的底部露出衬底1。进一步的,第二槽体 402在垂直于衬底1方向上的高度与栅极21的厚度相同,在形成第二槽体402时,可通过一次构图工艺形成栅极21和一分隔环,在将分隔环去除后,可得到第二槽体402,具体过程在下文制造方法的实施方式中进行说明,在此不再详述。
此外,如图1和图6所示,第一槽体401的两侧壁可垂直于衬底1;或者,第一槽体401的两侧壁也可向衬底1收缩,且该两侧壁可为光滑表面,也可形成有台阶,第一槽体401的两侧壁底端的距离即为第一槽体401的两侧壁的间距最小处的距离。
第二槽体402的两侧壁垂直于衬底1,第二槽体402的两侧壁顶端的距离为其两侧壁的间距。当然,第二槽体402的两侧壁也可向衬底1 逐渐扩张,即间距逐渐增大,第二槽体402的两侧壁顶端的距离为其两侧壁的间距最小处的距离。
上述的分隔槽400的数量可以是一个,也可以是多个,且若分隔槽 400的数量为多个,则各分隔槽400的直径不同,且呈同心环状分布。同时,分隔槽400的形状可以是圆环、方环等,只要是围绕开孔区100 的封闭环形结构即可。
如图1和图7所示,显示层3覆盖驱动层2,且显示层3包括发光层31,发光层31在第二槽体402内间断,从而防止水氧沿发光层31进入显示区300。
在一实施方式中,显示层3可包括第一电极32、像素界定层33、发光层31和第二电极34,其中:
第一电极32设于驱动层2背离衬底1的表面,其位于显示区300 内,并与驱动层2中的开关器件连接。例如,驱动层2中的开关器件为上述实施方式中的底栅薄膜晶体管,第一电极32与底栅薄膜晶体管的漏极26通过过孔连接。
像素界定层33可覆盖驱动层2背离衬底1的表面,像素界定层33 具有露出第一电极32的像素区。
发光层31可为有机发光材质,其覆盖像素界定层33和第一电极32,并延伸至过渡区200,并在第二槽体402内断开。举例而言,发光层31 可包括依次层叠于第一电极32上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
第二电极34可覆盖发光层31,且第二电极34也可延伸至过渡区200,并在第二槽体402内断开。可通过第一电极32和第二电极34使发光层31发光,具体发光原理在此不再详述。
如图1和图7所示,显示层3位于开孔区100的区域设有通孔500,通孔500至少贯穿显示层3和驱动层2。当然,通孔500还可贯穿衬底1。通孔500内可设置摄像模组、传感器等部件,在此不做特殊限定。通孔 500的边界可与开孔区100的边界重合,也可小于开孔区100的边界。
如图1所示,本公开实施方式的显示面板还可包括封装层4,封装层4覆盖显示层3,且填充分隔槽400。封装层4可为单层或多层结构,举例而言,封装层4可包括第一无机层41、有机层42和第二无机层43,其中:
第一无机层41覆盖显示层3,并可覆盖驱动层2,可通过气相沉积等方式形成,其可填充于分隔槽400内。有机层42设于第一无机层41 背离衬底1的表面,且位于显示区300,通过有机层42可吸收应力。第二无机层43覆盖有机层42和第一无机层41,并填充分隔槽400,第二无机层43为无机材料,也可通过气相沉积等方法制备。
此外,如图1所示,本公开实施方式的显示面板还可包括阻挡坝6,阻挡坝6为环形,并可设于驱动层2背离衬底1的表面,且位于显示区 300,阻挡坝6围绕过渡区200,用于防止上述有机层42向通孔区移动。
本公开实施方式还提供一种显示面板的制造方法,该显示面板可为上述实施方式的显示面板,如图2所示,该制造方法包括步骤S110-步骤 S160,其中:
步骤S110、提供一衬底,所述衬底具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区。
步骤S120、在所述衬底一侧形成分隔环和至少覆盖所述过渡区和所述显示区的驱动层,所述分隔环位于所述过渡区的区域且所述围绕所述开孔区。
步骤S130、在所述驱动层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,所述第一槽体露出所述分隔环,且所述第一槽体的两侧壁的底部位于所述分隔环的两侧壁之间。
步骤S140、去除所述分隔环,以在所述驱动层形成沿垂直于所述衬底的方向与所述第一槽体连通的第二槽体。
步骤S150、形成覆盖所述驱动层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述第二槽体内间断。
步骤S160、在所述显示层位于所述开孔区的区域开设通孔,所述通孔至少贯穿所述显示层和所述驱动层。
本公开的制造方法的有益效果可参考上文中显示面板的有益效果,在此不再赘述。下面对本公开实施方式制造方法的各步骤进行说明:
在步骤S110中,如图4所示,衬底1的具体结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此不再赘述。
在步骤S120中,如图5和图6所示,分隔环5可用于在驱动层2 内占据一定的空间,在将分隔环5去除后,可形成分隔槽21的第二槽体 402。其中,为了简化工艺,分隔环5可与驱动层2中的一膜层通过一次构图工艺形成。举例而言:
在一实施方式中,基于上文中采用底栅结构的薄膜晶体管的显示面板的实施方式,如图3所示,步骤S120可包括步骤S1210-步骤S1250,其中:
步骤S1210、通过一次构图工艺在所述衬底上形成栅极和分隔环,所述栅极位于所述显示区,所述分隔环位于所述过渡区且围绕所述开孔区。
如图4所示,栅极21和分隔环5可采用相同的材料,该材料可以是钼或其它金属。可通过一次光刻工艺在衬底1上形成栅极21和分隔环5,栅极21位于显示区300,分隔环5位于过渡区200,且围绕开孔区100,栅极21和分隔环5的厚度相同。分隔环5的横截面的形状可为矩形,即分隔环5的内侧壁和外侧壁垂直于衬底1,当然,该横截面也可为梯形等。
步骤S1220、形成覆盖所述栅极、所述分隔环和所述衬底的栅绝缘层。
如图5所示,可通过气相沉积或其它方式形成栅绝缘层22,栅绝缘层22覆盖栅极21、分隔环5以及衬底1。
步骤S1230、在所述栅绝缘层背离所述衬底的表面形成与所述栅极正对的有源层。
步骤S1240、形成覆盖所述有源层和所述栅绝缘层的绝缘层。
步骤S1250、在所述绝缘层背离所述衬底的表面形成源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端。
如图5所示,上述步骤中的有源层23、绝缘层24、源极25和漏极 26的具体结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此不再赘述。
在步骤S130中,如图5所示,驱动层2位于过渡区200的区域可包括绝缘层24和栅绝缘层23位于过渡区200的区域。可通过干法刻蚀等工艺进行刻蚀,形成第一槽体401,第一槽体401为环形,且贯穿绝缘层24和栅绝缘层23而露出分隔环5,第一槽体401的两侧壁的底部位于分隔环5的两侧壁之间,即第一槽体401的两侧壁底部的距离小于分隔环5的两侧壁的距离。
在步骤S140中,如图6所示,可通过湿法刻蚀工艺经由第一槽体 401对分隔环5进行刻蚀,直至去除分隔环5,形成第二槽体402,第二槽体402和第一槽体沿垂直于衬底1的方向连通成分隔槽2。
在步骤S150中,如图7所示,显示层3的发光层31可延伸至分隔槽2内,其可覆盖第一槽体401的侧壁,并在第二槽体402内间断。
步骤S150可包括步骤S1510-步骤S1530,其中:
步骤S1510、在所述驱动层远离所述衬底的表面形成第一电极。
步骤S1520、形成覆盖所述驱动层的像素界定层,所述像素界定层具有露出所述第一电极的像素区。
步骤S1530、形成覆盖所述像素界定层、所述第一电极的发光层,所述发光层在所述第二槽体内断开。
步骤S1550、形成覆盖所述发光层的第二电极,所述第二电极在所述第二槽体内断开。
上述步骤中的第一电极、像素界定层和第二电极的具体结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此不再赘述。
在步骤S160中,如图1和图7所示,开设通孔500的工艺在此不做特殊限定,只要能贯穿显示层3和驱动层2即可。通孔500位于开孔区 100,其形状可以是圆形,但不以此为限,还可以是椭圆或其它形状,在此不做特殊限定。通孔500的形状和尺寸可与开孔区100相同,或者通孔500位于开孔区以内。同时,通孔500可贯穿驱动层2和显示层3,通孔500内设置摄像头、传感器或其它器件,当然,通孔500还可贯穿衬底1。
本公开实施方式的制造方法还包括:
步骤S170、形成覆盖所述显示层的封装层,且所述封装层填充所述分隔槽。
如图1所示,如图1所示,封装层4的结构可参考上文显示面板的实施方式中的封装层,在此不再赘述。
需要说明的是,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式还提供一种显示装置,该显示装置可包括上述实施方式的显示面板,显示面板的结构在此不再赘述。该显示装置可用于手机、平板电脑或其它电子设备,在此不再一一列举。同时,该显示装置的有益效果可参考上述实施方式中显示面板的有益效果,在此不再详述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (4)
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,所述衬底具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区;
在所述衬底一侧形成分隔环和至少覆盖所述过渡区和所述显示区的驱动层,所述分隔环位于所述过渡区的区域且所述围绕所述开孔区;
在所述驱动层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,所述第一槽体露出所述分隔环,且所述第一槽体的两侧壁的底部位于所述分隔环的两侧壁之间;
去除所述分隔环,以在所述驱动层形成沿垂直于所述衬底的方向与所述第一槽体连通的第二槽体;
形成覆盖所述驱动层的显示层,所述显示层包括发光层,所述发光层在所述第二槽体内间断;
在所述显示层位于所述开孔区的区域开设通孔,所述通孔至少贯穿所述显示层和所述驱动层;
在所述衬底一侧形成分隔环和至少覆盖所述过渡区和所述显示区的驱动层,包括:
通过一次构图工艺在所述衬底上形成栅极和分隔环,所述栅极位于所述显示区,所述分隔环位于所述过渡区且围绕所述开孔区;
形成覆盖所述栅极、所述分隔环和所述衬底的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层背离所述衬底的表面形成与所述栅极正对的有源层;
形成覆盖所述有源层和所述栅绝缘层的绝缘层;
在所述绝缘层背离所述衬底的表面形成源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;
在所述驱动层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,包括:
在所述绝缘层位于所述过渡区的区域开设围绕所述开孔区的第一槽体,所述第一槽体贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层,且露出所述分隔环,所述第一槽体的两侧壁位于所述分隔环的两侧壁之间。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,去除所述分隔环,包括:
经由所述第一槽体对所述分隔环进行刻蚀,以在所述驱动层形成沿垂直于所述衬底的方向与所述第一槽体连通的第二槽体。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括:
形成覆盖所述显示层的封装层,且所述封装层填充所述分隔槽。
4.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板,所述显示面板由权利要求1-3任一项所述的制造方法制造。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910750370.XA CN110444576B (zh) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
US16/929,361 US11587989B2 (en) | 2019-08-14 | 2020-07-15 | Display device and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910750370.XA CN110444576B (zh) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110444576A CN110444576A (zh) | 2019-11-12 |
CN110444576B true CN110444576B (zh) | 2022-01-18 |
Family
ID=68435540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910750370.XA Active CN110444576B (zh) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11587989B2 (zh) |
CN (1) | CN110444576B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110854304B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-03-26 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
CN110890474B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-04-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110993660B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-10-11 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111211151B (zh) * | 2020-01-13 | 2022-12-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种功能槽制作方法、显示面板及其制作方法 |
CN111293148B (zh) * | 2020-02-20 | 2022-08-19 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN111326559B (zh) | 2020-02-28 | 2023-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111653592A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备 |
CN111769145B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-11-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN111769153B (zh) * | 2020-07-13 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法与显示装置 |
CN115835694A (zh) * | 2020-08-31 | 2023-03-21 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备 |
CN112086579A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN112968136B (zh) * | 2021-02-04 | 2023-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102207563B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2021-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
CN107068715B (zh) * | 2017-03-28 | 2019-12-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法 |
KR102083646B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102441783B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102520016B1 (ko) * | 2018-02-02 | 2023-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR20190108212A (ko) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
KR102583898B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2023-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102610254B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2023-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102608021B1 (ko) * | 2018-09-03 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102612036B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2023-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치 |
KR102717225B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2024-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 윈도우 부재 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102602670B1 (ko) * | 2018-10-05 | 2023-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치 |
KR102737768B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2024-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102642791B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치 |
KR20200082582A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치 |
KR102632916B1 (ko) * | 2019-02-19 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 통해 배치되는 전자 부품을 포함하는 전자 장치 |
-
2019
- 2019-08-14 CN CN201910750370.XA patent/CN110444576B/zh active Active
-
2020
- 2020-07-15 US US16/929,361 patent/US11587989B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11587989B2 (en) | 2023-02-21 |
CN110444576A (zh) | 2019-11-12 |
US20210050390A1 (en) | 2021-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110444576B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN110265471B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN110112317B (zh) | 显示装置、柔性显示面板及其制造方法 | |
US10978526B2 (en) | Display device, display panel and method of fabricating the same | |
CN111293148B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN110164916B (zh) | 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法 | |
CN109244039B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
CN104517999B (zh) | 显示装置和制造显示装置的方法 | |
CN111755627B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
CN108461525B (zh) | 显示母板、显示基板及显示装置 | |
CN111415958B (zh) | 具有防潮结构的有机发光二极管显示面板 | |
CN112531003B (zh) | 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 | |
US20190097179A1 (en) | Array substrate, method of preparing the same and display panel | |
WO2019218623A1 (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置 | |
JP7621981B2 (ja) | 表示装置、表示パネル及びその製造方法 | |
CN111146211A (zh) | 待切割基板、显示面板及微显示芯片 | |
CN212342660U (zh) | 显示装置及显示面板 | |
CN115529846B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN112466905B (zh) | 有机发光显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 | |
JP2006302860A (ja) | El素子及びその製造方法 | |
CN112885977B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 | |
US20240276832A1 (en) | Display panel and preparation method thereof and display device | |
CN112968136B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
CN119486502A (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | |
KR20250023931A (ko) | 표시 패널, 표시 장치 및 표시 패널의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |