KR102373440B1 - 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 - Google Patents
디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102373440B1 KR102373440B1 KR1020170033872A KR20170033872A KR102373440B1 KR 102373440 B1 KR102373440 B1 KR 102373440B1 KR 1020170033872 A KR1020170033872 A KR 1020170033872A KR 20170033872 A KR20170033872 A KR 20170033872A KR 102373440 B1 KR102373440 B1 KR 102373440B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- main
- protrusions
- conductive
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 641
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 38
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H01L27/3276—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
- H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
- H10D86/443—Interconnections, e.g. scanning lines adapted for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/82—Interconnections, e.g. terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층과 제2도전층을 개략적으로 도시하는 분해 사시도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제1도전층과 제2도전층을 개략적으로 도시하는 분해 사시도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 14는 도 13의 디스플레이 패널의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
BAX: 벤딩축 100: 기판
110: 버퍼층 120: 게이트절연막
130: 층간절연층 140: 평탄화층
150: 화소정의막 160: 유기물층
210: 박막트랜지스터 211: 반도체층
213: 게이트전극 213a, 213b: 추가연결배선층
215: 소스전극 217: 드레인전극
215c: 연결배선층 300: 디스플레이소자
310: 화소전극 320: 중간층
330: 대향전극 400: 봉지층
410: 제1무기봉지층 420: 유기봉지층
430: 제2무기봉지층 510: 투광성 접착제
520: 편광판 600: 벤딩보호층
700: 패드 710: 제1도전층
720: 제2도전층 800: 이방성 도전필름
810: 도전볼 900: 전자소자
910: 범프 920; 바디
Claims (36)
- 디스플레이영역과 상기 디스플레이영역 외측의 주변영역을 갖는 기판; 및
상기 주변영역에 위치하고, 상면 전체가 외부에 노출되며, 메인부 및 상기 메인부에서 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 돌출된 복수개의 돌출부들을 갖는, 제1도전층;
을 구비하는, 디스플레이 패널. - 제1항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 3층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 적어도 일부에서 2층구조만을 갖는, 디스플레이 패널. - 제2항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 하부메인층, 상기 하부메인층 상의 중부메인층 및 상기 중부메인층 상의 상부메인층을 포함하고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 일부에서 2층구조만을 갖는 것은 적어도 일부에서 하부돌출층과 상기 하부돌출층 상의 중부돌출층을 갖는, 디스플레이 패널. - 제3항에 있어서,
상기 하부메인층과 상기 하부돌출층은 일체(一體)이고, 상기 중부메인층과 상기 중부돌출층은 일체(一體)인, 디스플레이 패널. - 제3항에 있어서,
상기 중부돌출층의 외측면은, 상기 하부돌출층의 외측면보다 상기 메인부의 중앙에 더 인접한, 디스플레이 패널. - 제1항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 2층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 적어도 일부에서 1층구조만을 갖는, 디스플레이 패널. - 제6항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 하부메인층 및 상기 하부메인층 상의 상부메인층을 포함하고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 일부에서 1층구조만을 갖는 것은 적어도 일부에서 하부돌출층을 갖는, 디스플레이 패널. - 제7항에 있어서,
상기 하부메인층과 상기 하부돌출층은 일체(一體)인, 디스플레이 패널. - 제1항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들은 상기 메인부로부터 먼 방향의 원위부(distal portion)의 폭이 상기 메인부 방향의 근위부(proximal portion)의 폭보다 큰, 디스플레이 패널. - 제1항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들은 상기 메인부로부터 먼 방향의 원위부(distal portion)의 폭이 상기 메인부 방향의 근위부(proximal portion)의 폭보다 작은, 디스플레이 패널. - 제1항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 다층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 상기 메인부와 동일한 다층구조를 갖는, 디스플레이 패널. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1도전층 하부에 위치하며 상기 메인부에 대응하는 형상을 갖는 제2도전층을 더 구비하는, 디스플레이 패널. - 제12항에 있어서,
상기 메인부의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지는 상기 제2도전층의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지와 중첩되는, 디스플레이 패널. - 제12항에 있어서,
상기 제1도전층과 상기 제2도전층 사이에 개재되되 상기 제2도전층의 중앙부와 상기 메인부의 중앙부가 직접 컨택하도록 하는 개구를 갖는 절연층을 더 구비하는, 디스플레이 패널. - 제12항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지는 상기 제2도전층의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지 외측에 위치하는, 디스플레이 패널. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나의 폭이, 상기 제1도전층에 인접한 도전층과 상기 제1도전층 사이의 거리보다 작은, 디스플레이 패널. - 디스플레이영역과 상기 디스플레이영역 외측의 주변영역을 갖는 기판;
상기 주변영역에 위치하고, 상면의 가장자리가 절연층에 의해 덮이지 않으며, 메인부 및 상기 메인부에서 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 돌출된 복수개의 돌출부들을 갖는, 제1도전층; 및
상기 제1도전층의 상면에 직접 컨택하는 도전물질층;
을 구비하는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 3층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 적어도 일부에서 2층구조만을 갖는, 디스플레이 장치. - 제18항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 하부메인층, 상기 하부메인층 상의 중부메인층 및 상기 중부메인층 상의 상부메인층을 포함하고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 일부에서 2층구조만을 갖는 것은 적어도 일부에서 하부돌출층과 상기 하부돌출층 상의 중부돌출층을 갖는, 디스플레이 장치. - 제19항에 있어서,
상기 하부메인층과 상기 하부돌출층은 일체(一體)이고, 상기 중부메인층과 상기 중부돌출층은 일체(一體)인, 디스플레이 장치. - 제19항에 있어서,
상기 중부돌출층의 외측면은, 상기 하부돌출층의 외측면보다 상기 메인부의 중앙에 더 인접한, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 2층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 적어도 일부에서 1층구조만을 갖는, 디스플레이 장치. - 제22항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 하부메인층 및 상기 하부메인층 상의 상부메인층을 포함하고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 일부에서 1층구조만을 갖는 것은 적어도 일부에서 하부돌출층을 갖는, 디스플레이 장치. - 제23항에 있어서,
상기 하부메인층과 상기 하부돌출층은 일체(一體)인, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들은 상기 메인부로부터 먼 방향의 원위부(distal portion)의 폭이 상기 메인부 방향의 근위부(proximal portion)의 폭보다 큰, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들은 상기 메인부로부터 먼 방향의 원위부(distal portion)의 폭이 상기 메인부 방향의 근위부(proximal portion)의 폭보다 작은, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 메인부는 적어도 일부에서 다층구조를 갖고, 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나는 상기 메인부와 동일한 다층구조를 갖는, 디스플레이 장치. - 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1도전층 하부에 위치하며 상기 메인부에 대응하는 형상을 갖는 제2도전층을 더 구비하는, 디스플레이 장치. - 제28항에 있어서,
상기 메인부의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지는 상기 제2도전층의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지와 중첩되는, 디스플레이 장치. - 제28항에 있어서,
상기 제1도전층과 상기 제2도전층 사이에 개재되되 상기 제2도전층의 중앙부와 상기 메인부의 중앙부가 직접 컨택하도록 하는 개구를 갖는 절연층을 더 구비하는, 디스플레이 장치. - 제28항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지는 상기 제2도전층의 가장자리의 상기 기판 방향으로의 정사영 이미지 외측에 위치하는, 디스플레이 장치. - 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나의 폭이, 상기 제1도전층에 인접한 도전층과 상기 제1도전층 사이의 거리보다 작은, 디스플레이 장치. - 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전물질층은 도전성 접착층인, 디스플레이 장치. - 제33항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 상기 복수개의 돌출부들 중 적어도 하나의 상면 전면(全面)을 덮는, 디스플레이 장치. - 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전물질층은 전자소자의 범프 또는 인쇄회로기판의 패드인, 디스플레이 장치. - 제17항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전물질층은 집적회로소자의 일부인, 디스플레이 장치.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170033872A KR102373440B1 (ko) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
EP17197194.8A EP3376282B1 (en) | 2017-03-17 | 2017-10-19 | Display panel and display device including the same |
US15/827,212 US10470306B2 (en) | 2017-03-17 | 2017-11-30 | Display panel and display device including the same |
CN201810026344.8A CN108630710B (zh) | 2017-03-17 | 2018-01-11 | 显示板和包括其的显示设备 |
CN202311016493.3A CN116845071A (zh) | 2017-03-17 | 2018-01-11 | 显示板和包括其的显示设备 |
US16/583,680 US10917965B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-09-26 | Display panel and display device including the same |
US17/141,532 US11665821B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-01-05 | Display panel and display device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170033872A KR102373440B1 (ko) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180107371A KR20180107371A (ko) | 2018-10-02 |
KR102373440B1 true KR102373440B1 (ko) | 2022-03-14 |
Family
ID=60161975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170033872A Active KR102373440B1 (ko) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10470306B2 (ko) |
EP (1) | EP3376282B1 (ko) |
KR (1) | KR102373440B1 (ko) |
CN (2) | CN108630710B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101974086B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
KR102357392B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US11988925B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-05-21 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving backplate, a manufacturing method thereof and a display module |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4434434A (en) * | 1981-03-30 | 1984-02-28 | International Business Machines Corporation | Solder mound formation on substrates |
US5268072A (en) * | 1992-08-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Etching processes for avoiding edge stress in semiconductor chip solder bumps |
US5924622A (en) * | 1996-07-17 | 1999-07-20 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates |
US5801452A (en) * | 1996-10-25 | 1998-09-01 | Micron Technology, Inc. | Multi chip module including semiconductor wafer or dice, interconnect substrate, and alignment member |
US6297559B1 (en) * | 1997-07-10 | 2001-10-02 | International Business Machines Corporation | Structure, materials, and applications of ball grid array interconnections |
US6653216B1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-11-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate |
JP3700563B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2005-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
KR100813019B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
JP2003197663A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP4034107B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2008-01-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
KR20040050245A (ko) * | 2002-12-09 | 2004-06-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법, 이를 갖는액정표시장치 및 이의 제조방법 |
TWI230292B (en) * | 2002-12-09 | 2005-04-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
TW587325B (en) * | 2003-03-05 | 2004-05-11 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor chip package and method for manufacturing the same |
KR100560401B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US6922294B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-07-26 | International Business Machines Corporation | Optical communication assembly |
KR100975521B1 (ko) * | 2003-10-04 | 2010-08-12 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 조립체 |
KR101116816B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101076426B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7097462B2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Patch substrate for external connection |
EP1648033A3 (en) * | 2004-10-14 | 2008-04-23 | LG Electronics Inc. | Organic Electro-Luminescence display device and method of fabricating the same |
KR101085142B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101096718B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-12-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101066492B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20060078549A (ko) | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101167304B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
KR20060079706A (ko) * | 2005-01-03 | 2006-07-06 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함한 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
WO2006105162A2 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Symbol Technologies, Inc. | Smart radio frequency identification (rfid) items |
US20070059481A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Lin Chien J | Floor pads |
US20070075122A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Singleton Laurence E | Method for fabricating a chip module and a device module fabricated therefrom |
KR101232549B1 (ko) | 2005-12-29 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI297953B (en) * | 2006-02-22 | 2008-06-11 | Au Optronics Corp | Method for manufacturing a bottom substrate of a liquid crystal display device |
KR20080008704A (ko) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치 |
TWI317164B (en) * | 2006-07-28 | 2009-11-11 | Taiwan Tft Lcd Ass | Contact structure having a compliant bump and a testing area and manufacturing method for the same |
WO2008108413A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Kyocera Corporation | 微小構造体装置および微小構造体装置の製造方法 |
KR101308534B1 (ko) * | 2007-07-18 | 2013-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
TWI377656B (en) * | 2007-09-19 | 2012-11-21 | Method for manufacturing packaging substrate | |
US8796691B2 (en) * | 2008-09-18 | 2014-08-05 | Innolux Corporation | System for displaying images and fabricating method thereof |
KR101392268B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2014-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 패드부 |
US9082806B2 (en) * | 2008-12-12 | 2015-07-14 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP |
US9064936B2 (en) * | 2008-12-12 | 2015-06-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP |
KR101593538B1 (ko) | 2009-04-09 | 2016-02-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판 |
KR101574600B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2015-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR101591476B1 (ko) * | 2009-10-19 | 2016-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US9029721B2 (en) * | 2010-08-30 | 2015-05-12 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Controller with transformable surface topology |
KR101780250B1 (ko) | 2010-09-24 | 2017-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101881462B1 (ko) * | 2011-02-10 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20130007053A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9184064B1 (en) * | 2011-11-01 | 2015-11-10 | Triton Microtechnologies | System and method for metallization and reinforcement of glass substrates |
KR101390991B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2014-05-02 | 주식회사 아이. 피. 에스시스템 | 터치스크린 패널 제조방법 |
CN102769040B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
WO2014039546A1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | Research Triangle Institute, International | Electronic devices utilizing contact pads with protrusions and methods for fabrication |
US8928134B2 (en) * | 2012-12-28 | 2015-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package on package bonding structure and method for forming the same |
KR102040812B1 (ko) * | 2013-02-12 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8969735B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-03-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Flexible metal interconnect structure |
CN103219284B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置 |
JP2014192176A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
TWM469845U (zh) * | 2013-07-19 | 2014-01-11 | Min-Chia Chang | 墊體構造 |
US9355927B2 (en) * | 2013-11-25 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor packaging and manufacturing method thereof |
KR102261761B1 (ko) | 2013-12-12 | 2021-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10020275B2 (en) * | 2013-12-26 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductive packaging device and manufacturing method thereof |
CN106105388B (zh) * | 2014-03-06 | 2018-07-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
US9553156B2 (en) * | 2014-07-16 | 2017-01-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR102341436B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2021-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널 |
KR102261128B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2021-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널의 제조 방법 |
KR20160027875A (ko) * | 2014-08-28 | 2016-03-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광소자 |
US20160093583A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Micron Technology, Inc. | Bond pad with micro-protrusions for direct metallic bonding |
KR102377531B1 (ko) | 2015-01-23 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102362188B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR102403001B1 (ko) | 2015-07-13 | 2022-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102385233B1 (ko) | 2015-08-06 | 2022-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102349281B1 (ko) * | 2015-10-28 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR101973427B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 패키지 및 이를 포함하는 전자기기 |
JP6430422B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-11-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR102514411B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2023-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102654925B1 (ko) * | 2016-06-21 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-03-17 KR KR1020170033872A patent/KR102373440B1/ko active Active
- 2017-10-19 EP EP17197194.8A patent/EP3376282B1/en active Active
- 2017-11-30 US US15/827,212 patent/US10470306B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-11 CN CN201810026344.8A patent/CN108630710B/zh active Active
- 2018-01-11 CN CN202311016493.3A patent/CN116845071A/zh active Pending
-
2019
- 2019-09-26 US US16/583,680 patent/US10917965B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-05 US US17/141,532 patent/US11665821B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180107371A (ko) | 2018-10-02 |
EP3376282A1 (en) | 2018-09-19 |
US20210161010A1 (en) | 2021-05-27 |
CN108630710B (zh) | 2023-09-01 |
EP3376282B1 (en) | 2020-05-06 |
CN116845071A (zh) | 2023-10-03 |
CN108630710A (zh) | 2018-10-09 |
US11665821B2 (en) | 2023-05-30 |
US10917965B2 (en) | 2021-02-09 |
US10470306B2 (en) | 2019-11-05 |
US20180270950A1 (en) | 2018-09-20 |
US20200029432A1 (en) | 2020-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102722045B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102557892B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR102696805B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR102514411B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
EP3288084B1 (en) | Display apparatus having reduced defects | |
KR102572720B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
CN107275508B (zh) | 显示设备 | |
KR102639568B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
EP3223324B1 (en) | Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects | |
KR102610025B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
EP3291320B1 (en) | Display apparatus | |
KR102536250B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR20180120310A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR102602192B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR20170116303A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR20180035982A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 | |
KR102692576B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR20170137260A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR20170113757A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR102568782B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
US11665821B2 (en) | Display panel and display device including the same | |
KR102806394B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN112864190A (zh) | 显示设备 | |
KR102550695B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
US20230180513A1 (en) | Display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20170317 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200317 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20170317 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210610 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20211207 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220307 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220308 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250224 Start annual number: 4 End annual number: 4 |