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KR100232177B1 - 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법 - Google Patents

액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR100232177B1
KR100232177B1 KR1019960029587A KR19960029587A KR100232177B1 KR 100232177 B1 KR100232177 B1 KR 100232177B1 KR 1019960029587 A KR1019960029587 A KR 1019960029587A KR 19960029587 A KR19960029587 A KR 19960029587A KR 100232177 B1 KR100232177 B1 KR 100232177B1
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임병호
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구본준
엘지.필립스 엘시디주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치(TFT-LCD;Thin Film Transistor-Liquid Crystal Device)에 대한 것으로, 특히 even, odd 라인의 쇼팅바의 저항을 균일하게 하여 불량 패널 검사의 정확도를 높일 수 있는 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와, 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 형성되는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와, 상기 제2쇼팅바와 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법
본 발명은 액정 표시 장치(TFT-LCD;Thin Film Trasistor-Liquid Crystal Device)에 대한 것으로, 특히 이븐(even) 라인과 오드(odd) 라인의 쇼팅바의 저항을 균일하게 하여 불량 패널 검사의 정확도를 높이기에 적당한 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치(TFT-LCD)는 복수개의 픽셀 영역이 매트릭스 형태로 배열되고 각 픽셀 마다 하나의 TFT와 하나의 화소 전극이 배열되어 있는 하판(Bottom plate)이 있고, 색상을 나타내기 위한 칼라 필터와 공통 전극이 형성되어 있는 상판(Top plate)이 있다.
그리고 이 상판과 하판 사이는 액정으로 채워져 있으며, 상판과 하판의 양쪽면에는 가시광성(자연광)을 선편광시켜주는 편광판이 각각 부착되어 있다.
액정 표시 장치의 쇼팅바는 소자를 제조하는 동안 불량 패널의 검사를 위하여 쓰이며 소자의 제조가 끝나면 패드부만 남기고 제거해주게 된다.
종래는 액정 표시 장치를 제조할 때 쇼팅바가 차지하는 면적의 차이에 따라 저항의 차이가 심하여 화면의 전기적 특성 검사가 불균일했고 이와 같은 이유로 불량 패널을 정확하게 검출하기가 어려웠다.
이에 따라 개량된 액정 표시 장치의 쇼팅바가 요구되고 있는 추세이다.
이하, 도면을 참조하여 종래 액정표시장치와 쇼팅바 및 그의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도이고, 제2(a)도 내지 제2(e)도는 제1도의 A-A′선상의 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도이며, 제3(a)도 내지 제3(e)도는 제1도의 B-B′선상의 자른 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도이다.
먼저 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 제1도에 도시한 바와 같이 제1쇼팅바(1)에 오드(odd) 라인(4)과 이븐(even) 라인(5)이 각각 복수개 연결되었고 상기 이븐 라인(5)은 커트 영역(6)을 경계로 제1쇼팅바(1)와 분리되어 있다.
상기 제1쇼팅바(1)와 각 패드의 중간 영역에 반도체 라인(3)이 상기 오드 라인과 상기 이븐 라인과 수직으로 형성되어있고 상기 이븐 라인(5)의 소오스/드레인 영역과 크롬층으로 연결되도록 상기 반도체 라인(3) 상부 및 이븐 라인(5) 상에 제2쇼팅바(2)가 형성되었다.
이와 같은 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조 방법은 제2(a)도에 도시한 바와 같이 투명 절연 기판(10)에 알루미늄 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(11)을 형성한다.
그리고 제2(b)도에서와 같이 상기 게이트 라인(11) 상에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상 공정으로 패드 형성 부분만 감광막이 남도록 선택적으로 패터닝한다. 그리고 상기의 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(11)에 양극 산화막(12)을 형성한 후 감광막을 제거한다.
다음으로 제2(c)도에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(SiNx)(13)을 증착하고 차례로 감광막을 도포한 후 양극 산화막(12) 상에만 실리콘 질화막(SiNx)(13)이 형성되도록 감광막을 선택적으로 제거한다.
그리고 상기 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(13)을 식각 한다.
그리고 전면에 비정질 실리콘층(a-Si:H)(14)을 증착한후에 차례로 감광막을 도포한다. 그리고 감광막을 제1쇼팅바(1)와 오드 라인(4)이 연결되는 중간 영역(제1도 참조)만 남도록 노광 및 현상 공정으로 선택적으로 제거한다. 이후에 상기 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 상기 비정질 실리콘층(a-Si:H)(14)을 식각한다.
그리고 제2(d)도에서와 같이 전면에 크롬층을 증착한 후 차례로 감광막을 도포하고 소정 부분을 노광 및 현상 공정으로 선택적으로 제거한 뒤 제거되고 남은 감광막을 마스크로 상기 비정질 실리콘층(14)의 소정 영역 상부 및 패드 영역(15b)상만 남도록 크롬층을 식각한다. 상기에서 패드 영역(15b)상의 크롬층은 소오스/드레인 영역과 같은 크롬층이다.
다음으로 제2(e)도에서와 같이 전면에 패시베이션층(16)(Passivation)을 증착한 후 패드 영역(15b)상의 크롬층만 제외하고 선택적으로 패시베이션층(16)을 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO막을 증착한 후 패드 영역만 ITO막(17)이 남도록 선택적으로 패터닝한다.
다음으로 종래의 이븐 라인(5)과 제2쇼팅바와의 제조 방법을 설명하면 먼저 제3(a)도에 도시한 바와 같이 투명 절연 기판(10)에 알루미늄 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(11)을 형성한다.
그리고 제3(b)도에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(1)와 이븐 라인(5)을 연결하는 부분의 커트 영역(Cut)과 패드 형성 부분(제1도 참조)만 감광막이 남도록 선택적으로 패터닝한다.
그리고 상기의 패터닝 되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(11)에 양극 산화막(12)을 형성한다.
다음으로 제3(c)도에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(13)을 증착하고 그 위에 차례로 감광막을 도포한 후 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(12) 상에만 감광막이 남게되도록 선택적으로 감광막을 제거한다.
그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(13)을 제거한다.
그리고 전면에 비정질 실리콘층(14)을 증착하고 제1쇼팅바(1)와 패드 영역 사이의 질화막 상의 소정 영역에만 남도록 선택적으로 제거한다.
이어서 제2(d)도에서와 같이 전면에 크롬(Cr)층을 증착하고 패드 형성 부분 양측의 비정질 실리콘(14)과 실리콘 질화막(13)상의 소정 부분에 걸치도록 크롬층을 패턴하여 제2쇼팅바(15a)와 패드 영역(15b) 상에 크롬층을 형성한다.
그리고 제3(e)도에서와 같이 전면에 감광막을 도포하여 제1쇼팅바(1)(제1도 참조) 형성 부분과 비정질 실리콘층(14) 사이에 커트 영역(6)(제1도 참조)을 형성하기 위하여 제1쇼팅바(1)(제1도 참조)와 비정질 실리콘층(14) 형성 영역 사이의 게이트 라인(11) 상의 감광막만 선택적으로 제거한 후, 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(11)을 식각한다.
그리고 감광막을 제거하고 전면에 패시베이션층(16)을 증착한다. 그리고 패드 영역 상에 형성된 패시베이션층(16)만 제거한다.
이후에 전면에 도전층으로 ITO막을 증착한 후 패드 영역(15b)상의 ITO막만 남기고 선택적으로 제거하여 ITO층(17)을 형성한다.
종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
이븐 라인의 쇼팅바가 오드 라인의 쇼팅바에 비해서 훨씬 얇아짐에 따라 이븐 라인의 저항이 오드 라인의 저항을 무시할 정도로 커져서 화면의 전기적 특성을 검사하기 위한 IPT검사가 매우 불균일하다. 이에 따라 이븐 라인의 정확한 불량 검출이 매우 어렵다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써 불량 패널 검사를 원활히 할 수 있는 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
제1도는 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도.
제2(a)도 내지 제2(e)도는 제1도 A-A′선상의 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도.
제3(a)도 내지 제3(e)도는 제1도 B-B′선상의 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도.
제4도는 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도.
제5(a)도 내지 제5(e)도는 제4도 C-C′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도.
제6(a)도 내지 제6(e)도는 제4도 D-D′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도.
제7(a)도 내지 제7(c)도는 제4도 E-E′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바와의 연결부분을 나타낸 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 제1쇼팅바 21a, 35a : 제2쇼팅바
21a, 35c : 제3쇼팅바 22 : 반도체 라인
23 : 오드 라인 24 : 이븐 라인
25 : 커트 영역 30 : 투명 절연 기판
31 : 게이트 라인 32 : 양극 산화막
33 : 실리콘 질화막 34 : 수소화 비정질 실리콘
35b : 패드 영역 35d : 쇼팅바 연결층
36 : 패시베이션층 37 : ITO막
본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와, 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 형성되는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와, 상기 제2쇼팅바와 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바의 제조 방법은 투명 절연 기판 상의 소정 영역에 게이트 라인 형성하는 단계, 상기 게이트 라인 상의 소정 영역에 커트 영역과 패드 영역을 제외한 부분에 양극 절연막과 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막의 소정 영역에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상의 소정 영역에 제2쇼팅바를 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 제2쇼팅바와 일측이 연결되는 제3쇼팅바 형성하는 단계, 상기 패드 영역을 제외한 부분에 패시베이션층을 형성하는 단계, 상기 패드 영역 상에 콘택되도록 전도층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조 방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제4도는 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도이고, 제5(a)도 내지 제5(e)도는 제4도의 C-C′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도이며, 제6(a)도 내지 제6(e)도는 제4도의 D-D′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도이다.
제7(a)도 내지 제7(c)도는 제4도의 E-E′를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바의 연결부분을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바는 제4도에 도시한 바와 같이 제1쇼팅바(20)와 서로 교차되어 연결된 오드 라인(23)과 이븐 라인(24)이 있고 상기 이븐 라인(24)은 커트 영역(25)에 의해서 제1쇼팅바(20)와 격리된다.
그리고 이븐 라인(24)은 제2쇼팅바(21a)와 연결되고 제2쇼팅바(21a)는 제3쇼팅바(21b)와 소정 부분에서 연결된다.
여기서 제2쇼팅바(21a)는 패드 영역과 같은 금속층으로 형성한다.
제4도 C-C′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인(23)의 제조방법은 먼저 제5(a)도에 도시한 바와 같이 투명 절연 기판(30)에 알루미늄 금속을 증착하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 제5(b)도에 도시한 바와 같이 전면에 감광막을 증착하여 노광 및 현상 공정으로 오드 라인의 패드 형성 부분의 감광막만 남도록 선택적으로 제거한다.
이후에 제5(c)도에서와 같이 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(31)상에 양극 산화막(32)을 형성한다. 그리고 감광막을 제거한다.
다음으로 전면에 실리콘 질화막(33)을 증착한 뒤 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(32) 상에만 감광막이 남도록 패턴한 후 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 패드를 형성할 영역 상의 실리콘 질화막(33)을 제거한다.
그리고 전면에 비정질 실리콘층(34)을 증착한 뒤 감광막을 도포한다. 이어서 제1쇼팅바(20)와 패드 영역 사이의 실리콘 질화막(33)의 소정 영역 상에만 감광막이 남도록 노광 및 현상 공정으로 선택적으로 패터닝한다. 그리고 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘(34)을 제거하여 소정 영역에 비정질 실리콘(34)을 형성한 후 감광막을 제거한다.
이어서 제5(d)도에서와 같이 전면에 크롬층(Cr)을 증착한 뒤 감광막을 차례로 도포한다. 그리고 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(20)상의(제4도 참고) 실리콘 질화막(33) 위와 비정질 실리콘(34) 상의 소정 영역과 패드를 형성시킬 영역의 감광막만 남도록 선택적으로 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 크롬층(Cr)을 제거 하므로써 제3쇼팅바(35c)와 제2쇼팅바(35a)와 패드 영역(35b)을 형성하고 감광막을 제거한다.
그리고 제5(e)도에서와 같이 전면에 패시베이션층(36)을 형성하고 패드 영역(35b)상의 패시베이션층(36)만 선택적으로 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO층을 증착한 뒤 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 패드 영역(35b)을 제외한 부분의 감광막을 선택적으로 제거하고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 ITO층을 제거하여 패드 영역(35b)상에 ITO막(37)을 형성한다.
다음으로 제4도 D-D′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인(24)의 제조방법은 제6(a)도에 도시한 바와 같이 투명 절연 기판(30)상에 알루미늄 금속층을 증착하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 제6(b)도에 도시한 바와 같이 전면에 감광막을 도포하고 제1쇼팅바(20)(제4도 참고)와 이븐 라인(24)(제4도 참고)의 연결 부분중 커트(Cut) 영역(25)(제4도 참고)과 패드 형성 영역에 감광막이 남도록 노광 및 현상 공정으로 선택적으로 제거 한다.
이후에 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(31)상에 양극 산화막(32)을 형성한다. 이후에 감광막을 제거한다.
다음으로 제6(c)도에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(33)을 증착한 뒤 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(32) 상부만 감광막을 남기고 선택적으로 패터닝한다. 그리고 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(33)을 제거한 후 감광막을 제거한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘층(34)을 증착하고 비정질 실리콘층(34) 상에 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 커트 영역(25)(제4도 참고)과 패드 영역 사이의 실리콘 질화막(33) 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거하여 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘(34)을 제거 한후 감광막을 제거한다.
이어서 제6(d)도에서와 같이 전면에 크롬층을 증착한 후에 크롬층 상에 차례로 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(20)(제4도 참고) 상부의 실리콘 질화막(33)상과 비정질 실리콘(34)과 패드 형성 영역 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 크롬층을 식각한 후 감광막을 제거하여 제2쇼팅바(35a)와 패드 영역(35b)에 크롬층을 형성한다.
그리고 제6(e)도에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고 드러난 투명 절연 기판(30)상만 감광막을 제거하여 남은 감광막을 마스크로 이용하여 투명 절연 기판(30)을 식각한 후 감광막을 제거한다. 이어서 전면에 패시베이션층(36)을 증착한후 패드 영역(35b) 상부의 패시베이션층(36)만 선택적으로 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO층을 증착한 후 패드 영역(35b) 상에만 ITO막(37)이 형성되도록 선택적으로 제거한다.
다음으로 제4도 E-E′선상의 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바와의 연결 관계를 설명하면 먼저, 제7(a)도에서와 같이 투명 절연 기판(30)에 알루미늄 금속층을 형성하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 제7(b)도에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고(도시하지 않았음) 드러난 게이트 라인(31)에 양극 산화막(32)을 형성한다. 그리고 양극 산화막(32) 상에 실리콘 질화막(33)을 증착한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘(34)을 증착한 후 감광막을 차례로 도포하여 노광 및 현상 공정으로 제2쇼팅바(35a) 형성 부분 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거하여 남은 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘(34)을 식각한다. 그리고 전면에 크롬층을 증착하여 제2쇼팅바(35a)와 제3쇼팅바(35c) 및 이 둘을 연결하는 연결층(35d)을 형성한다.
다음으로 제7(c)도에서와 같이 전면에 패시베이션층(36)을 형성한다. 패시베이션층(36)은 패드 영역만 제외하고 형성된다.(도면에는 도시하지 않았음)
여기서 제2쇼팅바(35a)와 이븐 라인의 패드 영역과 제3쇼팅바(35c)는 크롬층으로 같이 형성해주고 제2쇼팅바(35a)의 저항을 낮추기 위하여 제3쇼팅바(35c)를 제2쇼팅바의 일측과 서로 연결 시켰다.
본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
종래의 이븐 라인과 연결된 쇼팅바는 오드 라인에 연결된 쇼팅바에 비하여 상대적으로 두께가 얇아 저항이 커서 화면의 전기적인 특성 검사가 매우 불균일 했으며 이븐 라인의 불량 검출도 매우 어려웠는데 본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와 연결된 제3쇼팅바를 사용함으로써 이븐 라인에 연결된 제2쇼팅바의 저항을 낮추어 주므로써 오드 라인에 연결된 제1쇼팅바의 저항과 이븐 라인에 연결된 제2쇼팅바의 저항을 비슷하게 하여 화면의 전기적인 특성 검사를 불균일하게 할 수 있다.
이에 따라 정확한 불량 패널 검사를 할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와, 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 형성되는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와, 상기 제2쇼팅바와 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오드 라인의 패드 영역과 상기 제2쇼팅바와 제3쇼팅바는 크롬층으로 구성됨을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  3. 투명 절연 기판 상의 소정 영역에 게이트 라인 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 상의 소정 영역에 커트 영역과 패드 영역을 제외한 부분에 양극 절연막과 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 소정 영역에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상의 소정 영역에 제2쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 제2쇼팅바와 일측이 연결되는 제3쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 패드 영역을 제외한 부분에 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 패드 영역 상에 콘택되도록 전도층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 질화막을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 전도층은 ITO층을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 패드 영역과 상기 제2쇼팅바와 상기 제3쇼팅바는 크롬으로 같이 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101375845B1 (ko) 2009-09-15 2014-03-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
JPH10268794A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Sharp Corp 表示パネル
USRE41873E1 (en) * 1997-05-12 2010-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof
KR100490040B1 (ko) * 1997-12-05 2005-09-06 삼성전자주식회사 두개이상의쇼팅바를갖는액정표시장치및그제조방법
US6734925B1 (en) * 1998-12-07 2004-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof
KR100271038B1 (ko) * 1997-09-12 2000-11-01 구본준, 론 위라하디락사 전기적 특성 검사를 위한 단락 배선의 제조 방법 및 그 단락 배선을 포함하는 액티브 기판의 구조(a method for manufacturing a shorting bar probing an electrical state and a structure of an lcd comprising the shorting bar)
US8310262B2 (en) * 1997-12-05 2012-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof
JP2000019556A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4156115B2 (ja) * 1998-12-25 2008-09-24 シャープ株式会社 マトリクス配線基板及び液晶表示装置用基板
KR100333271B1 (ko) * 1999-07-05 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 배선의 단락 및 단선 테스트를 위한 박막트랜지스터-액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법.
KR100346045B1 (ko) * 1999-10-25 2002-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100646784B1 (ko) * 1999-12-09 2006-11-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP3956572B2 (ja) * 2000-03-13 2007-08-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置用基板の製造方法
KR100658525B1 (ko) * 2000-06-05 2006-12-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 테스트용 검사 패드 및 이를 이용한 저항차 보상방법
KR100503128B1 (ko) * 2000-09-04 2005-07-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100769160B1 (ko) * 2000-12-29 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 테스트 패드
KR100391155B1 (ko) * 2001-10-30 2003-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100443835B1 (ko) * 2002-04-17 2004-08-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 정전기 방지를 위한 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100900537B1 (ko) * 2002-08-23 2009-06-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치, 그 검사 방법 및 제조 방법
US20060056267A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving unit and display apparatus having the same
KR101100883B1 (ko) 2004-11-08 2012-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
WO2012161072A1 (ja) 2011-05-24 2012-11-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、及び表示装置
US9720295B2 (en) * 2011-09-27 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN103135268B (zh) * 2013-03-20 2015-06-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的检测装置
KR102272789B1 (ko) 2014-01-15 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10121843B2 (en) * 2015-09-30 2018-11-06 Apple Inc. Corrosion resistant test lines

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233448A (en) * 1992-05-04 1993-08-03 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection
NL194873C (nl) * 1992-08-13 2003-05-06 Oki Electric Ind Co Ltd Dunnefilmtransistorenreeks en daarvan gebruikmakende vloeibare kristalweergeefinrichting.
JP3089448B2 (ja) * 1993-11-17 2000-09-18 松下電器産業株式会社 液晶表示用パネルの製造方法
JPH0822024A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリクス基板およびその製法
JPH0876141A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Hitachi Ltd 液晶表示基板
US5657139A (en) * 1994-09-30 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate for a flat-display device including surge protection circuits and short circuit line or lines
US5668032A (en) * 1995-07-31 1997-09-16 Holmberg; Scott H. Active matrix ESD protection and testing scheme
JP3007025B2 (ja) * 1995-08-25 2000-02-07 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101375845B1 (ko) 2009-09-15 2014-03-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

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