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JPH11329648A - Ｉｃデバイスソケット - Google Patents

Ｉｃデバイスソケット

Info

Publication number
JPH11329648A
JPH11329648A JP10153866A JP15386698A JPH11329648A JP H11329648 A JPH11329648 A JP H11329648A JP 10153866 A JP10153866 A JP 10153866A JP 15386698 A JP15386698 A JP 15386698A JP H11329648 A JPH11329648 A JP H11329648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
conductive
insulating thin
conductive pad
socket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10153866A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsu Maeda
龍 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Molex LLC
Original Assignee
Molex LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Molex LLC filed Critical Molex LLC
Priority to JP10153866A priority Critical patent/JPH11329648A/ja
Priority to SG9902223A priority patent/SG81987A1/en
Priority to US09/310,721 priority patent/US6152744A/en
Priority to CN99108015A priority patent/CN1236185A/zh
Priority to KR1019990017928A priority patent/KR100325038B1/ko
Priority to EP99109804A priority patent/EP0965846A3/en
Priority to TW088207957U priority patent/TW454989U/zh
Publication of JPH11329648A publication Critical patent/JPH11329648A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits

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  • Connecting Device With Holders (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタンスが小さくでき、しかも、各回
路のインダクタンス及びインピーダンスを略一定にでき
るＩＣデバイスソケットを提供すること。 【解決手段】 絶縁性薄膜フィルム６の表面に、ＩＣデ
バイス１１に設けられた半田ボール１２と接続可能の導
電パッド１５を設け、この絶縁性薄膜フィルム６の表面
側にＩＣデバイス１１をセットするようにしたＩＣデバ
イスソケットである。絶縁性薄膜フィルム６の表面の中
心領域に、ＩＣデバイス１１の半田ボール１２と対応さ
せた複数の導電パッド１５が設けられ、各導電パッド１
５から周辺領域に向かって複数の導体パターンが形成し
てあると共に、絶縁性薄膜フィルム６の裏面の周辺領域
に、導電端子５と接続する為の導電パッド１６が形成し
てある。複数の導体パターンが略等長としてあり、か
つ、裏面の導電パッド１６と導体パターン１４が導電ス
ルーホールを介して導通させてある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）パッケージ、ＣＳＰ（チップスケール
パッケージ）などのパッケージ形態、更には、ベアチッ
プの形態のＩＣデバイスに使用するＩＣデバイスソケッ
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＢＧＡやＣＳＰのようなＩＣデバ
イスの下面に格子状の多数の端子（半田ボール等）を設
けたデバイスの使用が一般化しつつある。このようなパ
ッケージのＩＣデバイスの高周波信号による電気特性の
検査や、低周波信号によるバーンインテストなどのテス
トソケットとして、金属スプリングを内蔵したプローブ
ピンを垂直に設けたソケットや、薄金属板を打ち抜き成
形した端子でＩＣデバイスの下面の端子と電気的に接続
できるようにしたソケットが一般に使用されている。
【０００３】また、狭ピッチの多ピン接続を可能とする
為のソケットとして、絶縁性のフレキシブルフィルムに
導体パターンを設け、この導体パターンに導通させてフ
レキシブルフィルムの表面に設けた金属バンプにＩＣパ
ッケージの端子を当接させて電気的な接続ができるよう
にしたソケットの構造も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のプローブピンや
成形端子を用いたソケットにおいては、ＩＣデバイス側
の端子との十分な接続信頼性を得る為に、接続ばね長を
比較的長く採らなければならず、例えば、接続長が１５
〜２０ｍｍと長くなっていた。その為プローブピンや成
形端子によるインダクタンス成分が１０ｎＨ以上と大き
く、数百ＭＨｚ程度の高周波信号を流した場合に、イン
ダクタンスが原因の電圧変動が大きく、低電圧化してい
る最近のＩＣデバイスの電気的特性に支障をもたらす原
因となっている。また、成形端子の場合、外部回路との
間でのインピーダンス不整合による信号の反射や隣接端
子間のクローストークの問題がある。また、前記フレキ
シブルフィルムを用いたソケットでは、導体パターン長
が長く、各パターンのパターン長が不均一である為に、
インダクタンス、インピーダンスの点で同様の問題があ
る。
【０００５】この発明は斯かる問題点に鑑みてなされた
もので、インダクタンスが小さくでき、しかも、各回路
のインダクタンス及びインピーダンスを略一定にできる
ＩＣデバイスソケットを提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的のもとになさ
れたこの発明のＩＣデバイスソケットは、フレキシブル
な絶縁性薄膜フィルムに多数の導体パターンを夫々略等
しい長さとなるように設け、この導体パターンの一端に
ＩＣデバイスの端子と接続できる導電パッドを設け、他
端には、外部回路と接続できる導電パッドを設けた構成
となっている。
【０００７】即ちこの発明は、絶縁性薄膜フィルムの表
面に、ＩＣデバイスに設けられた端子と接続可能の導電
パッドを設け、この絶縁性薄膜フィルムの表面側にＩＣ
デバイスをセットするようにしたＩＣデバイスソケット
において、前記絶縁性薄膜フィルムの表面の中心領域
に、前記ＩＣデバイスの端子と対応させた複数の導電パ
ッドが設けられ、各導電パッドから周辺領域に向かって
複数の導体パターンが形成してあると共に、絶縁性薄膜
フィルムの裏面の周辺領域に、外部回路と接続する為の
導電パッドが形成してあり、前記複数の導体パターンが
略等長としてあり、かつ、裏面の導電パッドと導体パタ
ーンが導電スルーホールを介して導通させてあることを
特徴とするＩＣデバイスソケットである。
【０００８】このように構成されたこの発明のＩＣデバ
イスソケットによると、表面の導電パッドと裏面の導電
パッドを導通している導体パターンを短くできるのでイ
ンダクタンスを小さくすることができる。また、各導体
パターンを略等長としたので、各導体パターンのインダ
クタンス及びインピーダンスを略一定にすることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
の図を参照して説明する。
【００１０】図１は第１の実施形態のＩＣデバイスソケ
ットの断面を表した図である。ソケット基板１の上側に
カバー体２がピン３の回りで回動可能に設けてある。ソ
ケット基板１は、中央にシリコーン弾性体でなるシリコ
ーンベッド４が設置してあると共に、周辺部に導電端子
５が多数設置してある。このソケット基板１の上側に、
絶縁性薄膜フィルム６が載置され、この絶縁性薄膜フィ
ルム６に重ねて位置合わせ用穴あきシート７が設けら
れ、絶縁性薄膜フィルム６と位置合わせ用穴あきシート
７が中央の枠部材８と周囲の固定枠９を介して固定ねじ
１０でソケット基板１に固定されている。
【００１１】図中の１１がＣＳＰ形態のＩＣデバイスで
あって、前記枠部材８はこのＩＣデバイス１１の周縁を
ガイドしておおよその位置合わせができるようになって
いる。ＩＣデバイス１１の下面には外部端子として半田
ボール１２が格子状に設けられている。前記位置合わせ
用穴あきシート７は、この半田ボール１２と１対１で対
応するように、格子状に穴７ａが中心領域に形成されて
いるもので、半田ボール１２を穴７ａに納まるようにガ
イドして、半田ボール１２が一定の位置に配置されるよ
うにしてある。位置合わせ用穴あきシート７は、更に、
周辺部下面に、ソケット基板１に設けた導電端子５と対
応させて、エラストマ突部１３が設けてある。
【００１２】前記絶縁性薄膜フィルム６が、ＩＣデバイ
ス１１の半田ボール１２とソケット基板１の導電端子５
を電気的に接続する為に設けられたもので、図２乃至図
５に示したような構造で表面に導電パターン１４と導電
パッド１５が、裏面に導電パッド１６が夫々複数設けら
れているものである。
【００１３】導電パッド１５は絶縁性薄膜フィルム６の
中央領域の表面に設けられたもので、前記ＩＣデバイス
１１の半田ボール１２と１対１で対応するようにしてあ
る。従って、位置合わせ用穴あきシート７の穴７ａとも
１対１で対応するようになっている。一方、絶縁性薄膜
フィルム６の裏面に設けられた導電パッド１６は、ソケ
ット基板１の導電端子５と１対１で対応する位置に設け
られている。これは、エラストマ突部１３の配置とも対
応している。
【００１４】導体パターン１４は図２に示したように、
中央領域の導電パッド１５と周辺領域の導電パッド１６
の間で放射状に設けられており、各導体パターン１４
が、互いに略等しい長さとなるようにパターン形成が工
夫されている。ストリップライン或はマイクロストリッ
プラインと一般に呼ばれている手段が用いられ、インダ
クタンスの低減が図られている。この導体パターン１４
は、表面の導電パッド１５と裏面の導電パッド１６を導
通させる為のもので、図３乃至図５に示したように構成
されている。即ち、表面の導電パッド１５が導体パター
ン１４の一端に連続するようにされている。また、導体
パターン１４の他端は、絶縁性薄膜フィルム６を貫通し
て形成された導電スルーホール１７を介して裏面の導電
パッド１６と導通している。導電パッド１６は導電スル
ーホール１７を形成する際に形成されるもので、絶縁性
薄膜フィルム６の表面側にも導電パッド１６と同じ形状
で導電パッド１６ａが形成され、この導電パッド１６ａ
と導体パターン１４の他端が導通しているものである。
【００１５】絶縁性薄膜フィルム６の表面は、前記導電
パッド１５と導電パッド１６ａの部分を除いて前面が絶
縁保護コート１８で覆われている。また、絶縁性薄膜フ
ィルム６の裏面は、前記導電パッド１６及びその周囲の
円形絶縁部１９を除いて前面にグランド層２０が層着さ
れ、このグランド層２０の外面が絶縁保護コート２１で
覆われている。
【００１６】前記グランド層２０は、蒸着、メッキなど
の手段によって形成した銅薄膜（１０μｍ以下）であ
る。この銅薄膜を更にエッチングによって網目構造とし
て、絶縁性薄膜フィルム６のフレキシビリティーが維持
できるようにしても良い。このグランド層２０は、蒸
着、メッキなどの手段に代えて、シリコーン樹脂、ポリ
イミド樹脂、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの合成樹
脂をバインダーとしてポリマータイプ導電ペーストを印
刷して形成しても良い。更には、蒸着、メッキなどによ
って形成した銅薄膜と印刷によって形成した導電性薄膜
を複合してグランド層２０とすることもできる。
【００１７】前記カバー体２には、中央に、コイルスプ
リング２２で弾持された半球状のプッシャー２３設けて
ある。また、ピン３と対向する側縁には、別のピン２４
で回動可能に支持されているフック２５が設けられ、こ
のフック２５は別のコイルスプリング２６で係合側に付
勢されている。従って、カバー体２をソケット基板１側
に回動して互いに略平行の状態とすると、フック２５の
係合部２７がソケット基板１側に設置した固定枠９の側
縁に係合して、カバー体２が開放するのを阻止できるよ
うにしてある。
【００１８】上記実施形態のＩＣデバイスソケットにＩ
Ｃデバイス１１をセットする際は、カバー体２を開放し
た状態で、枠部材８の開口部８ａにＩＣデバイス１１の
半田ボール１２が設けられた底面を下にしてセットし、
ＩＣデバイス１１の上側に弾性シート２８を重ねた後、
カバー体２を閉鎖方向に回動して、フック２５の係合部
２７が固定枠９に係合するようにする。
【００１９】ＩＣデバイス１１が半球状のプッシャー２
３を介してコイルスプリング２２で付勢される結果、半
田ボール１２は位置合わせ用穴あきシート７の穴７ａで
ガイドされて、絶縁性薄膜フィルム６の表面に形成した
導電パッド１５に当接し、シリコーンベッド４と弾性シ
ート２８に挟着されて電気的な接続が安定的に維持され
る。半田ボール１２のコプラナリティはＩＣデバイスの
製造段階で十分に考慮されているものであるが、弾性シ
ート２８とシリコーンベッド４の弾性と絶縁性薄膜フィ
ルム６の柔軟性が不十分なコプラナリティを吸収する。
また、シリコーンベッド４には、導電パッド１５に対し
て１対１で接触する凸状のエラストマー４ａが形成さ
れ、このため、半田ボール１２と導電パッド１５が、少
ない押し下げ力で電気的に接続できる。さらに、プッシ
ャー２３は半球状となっており、しかも、回転可能とな
っているので、プッシャー面（図示せず）が弾性シート
２８を介してＩＣデバイス１１の半田ボール１２を均等
かつ垂直に導電パッド１５に圧接する。
【００２０】一方、絶縁性薄膜フィルム６の周辺部裏面
に形成した導電パッド１６は、固定ねじ１０で固定枠９
をソケット基板１に固定した際に、エラストマ突部１３
を介して導電端子５側に押し付けられて、電気的な接続
が形成されている。ここでも、エラストマ突部１３の弾
性と絶縁性薄膜フィルム６の柔軟性が、導電端子５の不
十分なコプラナリティを吸収する。
【００２１】斯くして、ＩＣデバイス１１の半田ボール
１２とソケット基板１の導電端子５の電気的接続が完成
した。絶縁性薄膜フィルム６に設けた導体パターン１４
は、低インダクタンスとし、夫々を略等しい長さとした
ので、低インダクタンスで、しかも、夫々が略等しいイ
ンダクタンスとインピーダンスのもとに、半田ボール１
２と導電端子５の間を安定に接続することができる。ま
た、絶縁性薄膜フィルム６の裏面にはグランド層２０が
設けられているので、導体パターン１４の部分における
ＥＭＩ障害を低減することができる。
【００２２】図６及び図７は第２の実施形態のＩＣデバ
イスソケットである。この実施形態は、第１の実施形態
のソケット基板１に外部回路として設けた導電端子５に
代えて同軸線２９を使用したものである。同軸線２９以
外の部分は第１の実施形態と同じ構造となっているので
同じ符号を付して説明は省略する。
【００２３】同軸線２９は、中心導体３０がコンタクト
フィルム３１の導電スルーホール３２に半田付け３３さ
れている一方、外部シールド３４がコンタクトフィルム
３１に、導電スルーホール３２を包囲するように層着し
たグランド層３５に半田付け３６されている。コンタク
トフィルム３１の導電スルーホール３２は、絶縁性薄膜
フィルム６の裏面に形成した導電パッド１６と対応する
ように設けてある。
【００２４】この第２の実施形態では、前記位置合わせ
用穴あきシート７の表面若しくは裏面にも、半田ボール
１２と接触しないようにグランド層（図示していない）
を設けたり、絶縁性薄膜フィルム６のグランド層２０、
更には表面にもグランド層を設けることによって、導体
パターン１４をグランドで囲み、導体パターン１４のイ
ンピーダンスの低減と同軸線２９の特性インピーダンス
との整合を図ることが可能である。インピーダンスの整
合によって、高周波信号の反射やクロストーク雑音の少
ないＩＣデバイスソケットとすることができるものであ
る。
【００２５】なお、いずれの実施形態においても、導電
パッド１５のピッチが異なる絶縁性薄膜フィルム６を使
用する場合には、そのピッチに応じた凸状のエラストマ
ー４ａを有するシリコーンベッド４と取り替えることに
より、導電パッド１５とエラストマー４ａを１対１で接
触させることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明の通り、請求項１の発明によ
れば、ＩＣデバイスの端子と外部回路を絶縁性薄膜フィ
ルムに形成した複数の導体パターンを介して接続するよ
うにし、この複数の導体パターンを略等しい長さで設け
た構成であるので、低インダクタンスで、しかも、略等
しいインダクタンスとインピーダンスとしたＩＣデバイ
スソケットを提供することができる。
【００２７】請求項２の発明によれば、絶縁性薄膜フィ
ルムにグランド層を設けたので、ＥＭＩ障害の少ないＩ
Ｃデバイスソケットとすることができる。
【００２８】請求項３の発明によれば、位置合わせ用穴
あきシートの穴がＩＣデバイスの半田ボールなどの端子
を絶縁性薄膜フィルムの導電パッドにガイドするので、
ＩＣデバイスの端子と絶縁性薄膜フィルムの導電パッド
の当接を確実にして信頼性の高い接続を形成できる。
【００２９】請求項４の発明によれば、同軸線の中心導
体を絶縁性薄膜フィルムの裏面に形成した導電パッドに
コンタクトフィルムの導電スルーホールを介して接続し
た構成であるので、ＩＣデバイスソケットの低インピー
ダンス化と、高周波信号の反射やクロストーク雑音の低
減を可能とすることができる。
【００３０】請求項５の発明によれば、少ない押し下げ
力で半田ボールを導電パッドに電気的に接続することが
でき、また、請求項６の発明によれば、ＩＣデバイスの
半田ボールを均等かつ垂直に導電パッドに圧接すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態のＩＣデバイスソケ
ットの断面図である。
【図２】実施形態で用いた絶縁性薄膜フィルムに形成し
た導体パターンの図である。
【図３】同じく導体パターンに沿って示した拡大断面図
である。
【図４】同じく導体パターンに沿って示した拡大表面図
である。
【図５】同じく導体パターンに沿って示した拡大裏面図
である。
【図６】この発明の第２の実施形態のＩＣデバイスソケ
ットの断面図である。
【図７】図６のＡの部分の拡大図である。
【符号の説明】 ５ 導電端子 ６ 絶縁性薄膜フィルム ７ 位置合わせ用穴あきシート １１ ＩＣデバイス １２ 半田ボール（端子） １４ 導体パターン １５、１６ 導電パッド １７ 導電スルーホール ２０ グランド層 ２９ 同軸線 ３０ 中心導体 ３４ 外部シールド

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性薄膜フィルム６の表面に、ＩＣ
    デバイス１１に設けられた端子１２と接続可能の導電パ
    ッドを設け、この絶縁性薄膜フィルム６の表面側にＩＣ
    デバイス１１をセットするようにしたＩＣデバイスソケ
    ットにおいて、 前記絶縁性薄膜フィルム６の表面の中心領域に、前記Ｉ
    Ｃデバイス１１の端子１２と対応させた複数の導電パッ
    ド１５が設けられ、各導電パッド１５から周辺領域に向
    かって複数の導体パターン１４が形成してあると共に、
    絶縁性薄膜フィルム６の裏面の周辺領域に、外部回路
    ５、２９と接続する為の導電パッド１６が形成してあ
    り、 前記複数の導体パターン１４が略等長としてあり、か
    つ、裏面の導電パッド１６と導体パターン１４が導電ス
    ルーホール１７を介して導通させてあることを特徴とす
    るＩＣデバイスソケット。
  2. 【請求項２】 前記絶縁性薄膜フィルム６の裏面は、
    裏面に設けた導電パッド１６の周囲を除いて、グランド
    層２０が形成してある請求項１に記載のＩＣデバイスソ
    ケット
  3. 【請求項３】 絶縁性薄膜フィルム６の中心領域に対
    応させて、ＩＣデバイス１１の端子１２の位置を設定す
    る為の位置合わせ用穴あきシート７を更に備えている請
    求項１に記載のＩＣデバイスソケット。
  4. 【請求項４】 絶縁性薄膜フィルム６の裏面に形成し
    た導電パッド１６に対し、外部回路の同軸線２９が接続
    されており、同軸線２９の中心導体３０が導電パッド１
    ６に接続され、外部シールド３４がグランドに接続され
    ている請求項２に記載のＩＣデバイスソケット。
  5. 【請求項５】 絶縁性薄膜フィルム６の表面に形成さ
    れた導電パッド１５とシリコーンベッド４の凸状エラス
    トマー４ａが、相対するようにシリコーンベッド４が設
    定してある請求項１に記載のＩＣデバイスソケット。
  6. 【請求項６】 ＩＣデバイス１１を押し下げるプッシ
    ャー２３が、半球状となっている請求項１に記載のＩＣ
    デバイスソケット。
JP10153866A 1998-05-19 1998-05-19 Ｉｃデバイスソケット Pending JPH11329648A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10153866A JPH11329648A (ja) 1998-05-19 1998-05-19 Ｉｃデバイスソケット
SG9902223A SG81987A1 (en) 1998-05-19 1999-05-11 Integrated circuit test socket
US09/310,721 US6152744A (en) 1998-05-19 1999-05-12 Integrated circuit test socket
CN99108015A CN1236185A (zh) 1998-05-19 1999-05-18 一种集成电路测试插座
KR1019990017928A KR100325038B1 (ko) 1998-05-19 1999-05-18 집적 회로 시험 소켓
EP99109804A EP0965846A3 (en) 1998-05-19 1999-05-19 Integrated circuit test socket
TW088207957U TW454989U (en) 1998-05-19 1999-06-02 Integrated circuit test socket

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10153866A JPH11329648A (ja) 1998-05-19 1998-05-19 Ｉｃデバイスソケット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11329648A true JPH11329648A (ja) 1999-11-30

Family

ID=15571825

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