[go: up one dir, main page]

JP3427086B2 - Ｉｃソケット - Google Patents

Ｉｃソケット

Info

Publication number
JP3427086B2
JP3427086B2 JP2000045831A JP2000045831A JP3427086B2 JP 3427086 B2 JP3427086 B2 JP 3427086B2 JP 2000045831 A JP2000045831 A JP 2000045831A JP 2000045831 A JP2000045831 A JP 2000045831A JP 3427086 B2 JP3427086 B2 JP 3427086B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
socket
rubber
conductive particles
particles
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2000045831A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001237039A (ja
Inventor
卓磨 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18568361&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3427086(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2000045831A priority Critical patent/JP3427086B2/ja
Priority to US09/789,963 priority patent/US6422879B2/en
Priority to KR1020010008945A priority patent/KR20010085477A/ko
Publication of JP2001237039A publication Critical patent/JP2001237039A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3427086B2 publication Critical patent/JP3427086B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2414—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means conductive elastomers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/7076—Coupling devices for connection between PCB and component, e.g. display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00—Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/20—Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
検査用ＩＣソケットに係り、特にデバイス電極がエリア
アレイ状に配置された半導体デバイスの検査に用いられ
るＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス（特にＶＬＳＩ）は、多
機能化，高速化，低消費電力化等の市場の要求により、
従来のように半導体デバイスの周辺に電極のあるＱＦＰ
(quadflat array)型パッケージ等から、近年では半導体
デバイス自体の下面にエリアアレイ状に電極が配設され
たＢＧＡ（ball grid array）型パッケージやＬＧＡ（l
and grid array）型パッケージ等が増えてきている。こ
れらの半導体デバイスの内部に封止されたＶＬＳＩの検
査用のＩＣソケットも、従来の単に金属製の板を打ち抜
いて作ったコンタクトピンを埋設したＩＣソケットで
は、電気特性的にも十分とは言えなくなっている。特開
平７―２８７０４８号公報には、板状の弾性ゴムの表面
に二次元的にコンタクトピン（バネ）を配置したＢＧＡ
型パケージ用のＩＣソケットが開示されている。この種
のＩＣソケットでは使用時間の増加と共に、コンタクト
ピンが変形してＩＣとの接触性信頼性が低下する問題が
あった。
【０００３】この技術を改善する技術として、特開平９
―３５７８９号公報や特開平９―１６１８７０号公報に
は、板状の弾性ゴムに金属細線を上下で斜めになるよう
に埋設して異方導電性シートを形成し、これをＩＣソケ
ットに使用した技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この技術においては、
ＩＣとの接触性向上に効果を得ているが、金属配線が弾
性ゴム内に上下斜めに配置されており、接点間距離の低
減が難しく、ＩＣのパッドピッチの微細化への対応に問
題があった。
【０００５】上記問題を解決する技術として、特開平５
―６２７２７号公報には板状の弾性ゴム中にＩＣのパッ
ドと基板の接続端子に対応した位置にワイヤ集合体を局
在して鉛直に埋設異方導電性接続部材が開示されてい
る。この技術では、ワイヤが弾性ゴム中に局在化して鉛
直に配置されているために、微細化パッドピッチを有す
るＩＣの検査や接続用に使用され効果を得ているが、弾
性ゴム中の異方導電接続部材がワイヤ集合体からなるた
めに上下の変形が小さく、ＢＧＡ型パッケージ等の検査
では大きな押圧が必要であり、パッケージのボール端子
が損傷しやい問題があった。
【０００６】この問題を解決する方法として弾性ゴムシ
ートのＩＣパッドと基板の接続端子に対応した位置に導
電性粒子を局在化して配置した異方導電性シートを使用
した検査技術が、特開平１０―１９７５９９号公報や特
開平１１―２１４５９４号公報等に提案されている。
【０００７】図７は、この技術を使用したＩＣソケット
の主要部を示す断面図である。ＩＣソケット２００はシ
リコンゴム等の板状の弾性ゴム２０４中に直径が数十μ
ｍ（例えば４０μｍ）の導電性粒子２０３を基板２０５
の電極２０６と半導体デバス２０２の半田ボール２０１
と対応する位置に局在配置した構造をしている。半導体
デバイス２０２の上面から押厚して半田ボール２０１が
導電性粒子２０３部に押し込まれ接触する。半田ボール
２０１が上から押されてくることで、導電性粒子２０３
同士が接触し、基板２０５の電極２０６と半田ボール２
０１までが電気的に接続される状態となる。
【０００８】一般的に半田ボール１は、装置基板への実
装時、位置確認のために、センサーでボール先端をチェ
ックすることがある。そのために半田ボールの表面には
キズが少ないことやバリなどの半田屑が出ていないこと
が必要である。
【０００９】図７のような、ＩＣソケット２００の特徴
としては、半田ボール２０１にキズがつきにくいことが
挙げられるが、次のような問題点が挙げられる。 （１）導電性微粒子２０３部の電気抵抗が高く、電気的
に良好な特性を得られないため、良品を不良品と誤判定
してしまうことがあり、半導体デバイスの量産ではコス
トが高くなる傾向にあった。 （２）導電性粒子２０４が小さいため、弾性ゴム２０４
の圧力に対し強く押さないと、それぞれの粒子が十分接
触せず抵抗値が高くなる。そのために良好な導通を得る
ためには、かなり強めに半導体デバイス２０２を上から
押す必要があり、長期的には弾性ゴム２０４の塑性変形
を引き起こしやすく、更に半田ボール２０１との接触を
悪化させる。 （３）半導体デバイス２０２を上から強く押し付けるこ
とで、半田ボール２０１との接触面に半田屑が多く付着
し、これが酸化して電気的接触が悪くなるのを助長す
る。 （４）弾性ゴム２０４の劣化が進み、取り替えを早くす
る必要があり、検査コストが増加する。 （５）高温で検査する場合には、弾性ゴム０４にそりな
どの変形が生じやすい。本発明は、上記の従来例の問題
点を解決し、特に種々の半導体デバイスに対しても適切
に電気的特性検査をすることができるＩＣソケットを提
供することを、目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣソケット
は、金属板からなるソケットボデイーと、前記ソケット
ボデイーの所定の位置に設けられた貫通孔に充填された
異方導電性樹脂層と、前記ソケットボデイーの周囲に設
けられた半導体デバイス装着用のパッケージガイドとを
有し、金属板からなる前記ソケットボデイーと前記異方
導電性樹脂層が前記貫通孔壁に設けられた絶縁樹脂膜で
電気的に絶縁化され、前記異方導電性樹脂層が弾性ゴム
中に平均粒子径の異なる第１の導電性粒子および第２の
導電性粒子を分散させた構造からなることを特徴とす
る。
【００１１】上記の構成のＩＣソケットにおいて、前記
ソケットボデイーの両面を前記絶縁樹脂膜で被覆しても
よい。
【００１２】前記第１の導電性粒子および前記第２の導
電性粒子の好ましい大きさ（平均粒子直径）はそれぞれ
６０〜２００μｍおよび１〜３０μｍである。
【００１３】また、前記第１の導電性粒子として楕円球
形状の金属粒子を使用して該金属粒子を半導体デバイス
の電極等に略垂直に配向させることにより平板電極を有
するＬＧＡ型パッケージ検査用のＩＣソケットを構成で
きる。その楕円球形状の第１の導電性粒子の好ましい短
円方向および長円方向の平均粒子径はそれぞれ３０〜８
０μｍおよび３００〜１０００μｍである。なお、楕円
球形形状の第１の導電性粒子と混合して使用する第２の
導電性粒子の粒子径は、１〜３０μｍが好ましい。
【００１４】前記弾性ゴムとしては、スチレンブタジエ
ンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエン
ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴ
ム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム等を使
用できる。また、前記絶縁樹脂膜としては、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリ
ロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソプレ
ンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、シリコーンゴ
ム、フッ素ゴム、ウレタンゴム等を使用することができ
る。
【００１５】上記の楕円球形状の第１の導電性粒子を使
用したＩＣソケットにおいては、前記異方導電性樹脂層
を前記ソケットボデイーの上面から突き出して形成した
構造とすることでＬＧＡ型パッケージ等の平板電極との
電気的接触性を向上できる。また、上記の本発明の構成
のＩＣソケットにおいては、前記第１の導電性粒子およ
び前記第２の導電性粒子としては、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｗの金属粒子またはＮｉ粒子にＡｕ，Ａｇまたは
Ｃｕめっきした金属粒子等を使用できる。
【００１６】本発明では、ＢＧＡ、ＬＧＡ型パッケージ
等の半導体デバイスを検査する場合、異方導電性樹脂層
を使用するＩＣソケットにおいて、その導電性粒子して
大きさが異なる導電性金属物を２種類使用することによ
り、それぞれが大きさの導電性粒子が補い合って少しの
加重で接触しやすくなり、検査する半導体デバイスと導
通性が向上し、検査の信頼性を向上できる。また、少し
の加重で導通を得られるために、半導体デバイスの導電
性バンプ（半田ボール）を強くＩＣソケットの異方導電
性樹脂層表面に押し付ける必要がなくなる。その結果、
半田ボールとの接触面に対する半田屑付着が減り、その
付着した半田屑酸化による絶縁問題の影響が低減する。
【００１７】さらに本発明のＩＣソケットでは、異方導
電性樹脂層が摩耗して交換する際に、ソケットボデイー
の貫通孔の磨耗した異方導電性樹脂層を部分的に交換す
ればよい。また、ソケットボデイーに金属板を使用する
ことにより、ＩＣソケットが熱による変形を受けにく
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施の形態のＩＣ
ソケットの構造を示す断面図である。図１のように、Ｉ
Ｃソケット８は、金属板からなるソケットボデイー５
と、ソケットボデイー５の所定の位置に設けられた貫通
孔１７に充填された異方導電性樹脂層７と、ソケットボ
デイー５の周囲に設けられた半導体デバイス装着用のパ
ッケージガイド１６とから構成されている。
【００２０】異方導電性樹脂層７は、弾性ゴム７ａとそ
の中に分散された粒子径の異なる第１の導電性粒子３と
第２の導電性粒子４とから構成されている。また、異方
導電性樹脂層７とソケットボデイー５は貫通孔１７壁に
設けられた絶縁樹脂膜６で電気的に絶縁化されている。
【００２１】ソケットボデイー５の金属板としては厚さ
０．１〜０．５ｍｍのアルミニウム板、アルミニウム合
金板、銅板、銅―亜鉛合金板またはステンレスステイー
ル板等を使用できる。異方導電性樹脂層７の弾性ゴム７
ａとしては、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリ
ルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、
クロロプレンゴム、ブチルゴム、シリコーンゴム、フッ
素ゴム、ウレタンゴム等の熱硬化性樹脂等から適宜選択
して使用できる。
【００２２】異方導電性樹脂層７の第１の導電性粒子３
および第２の導電性粒４としては、Ａｕ，Ｎｉ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｗ等の金属粒子やＮｉ粒子にＡｕめっきした金属
粒子が使用できる。第１の導電性粒子の大きさは平均粒
径（直径）６０〜２００μｍが適当であり、また、第２
の導電性粒子の大きさは平均粒径（直径）１〜３０μｍ
が適当である。
【００２３】第２の導電性粒子４と第１の導電性粒３の
混合比率は重量比で第２の導電性粒子が１に対して第１
の導電性粒子が１〜１０が適当である。また、これらの
導電性粒子は弾性ゴム７ａに対して体積分率で２０〜６
０％の割合で用いられる。
【００２４】貫通孔１７はドリル孔明け等により半導体
デバイスの導電性バンプのサイズに合わせて形成され
る。
【００２５】絶縁樹脂膜６としてはエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂等の熱硬化性樹脂やスチレンブタジエンゴ
ム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴ
ム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、
シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム等の熱硬化
性樹脂が使用できる。絶縁樹脂膜６の形成方法として
は、上記の熱硬化性樹脂を電着塗装法によって貫通孔１
７壁に薄膜状に形成する方法やスクリーン印刷法によっ
て上記の熱硬化性樹脂を貫通孔１７に充填して硬化後、
貫通孔１７中の硬化した樹脂にレーザ孔明け等により貫
通孔１７より小さい径で孔明けする方法等が使用するこ
とができる。
【００２６】次に図１のＩＣソケットの製造方法の具体
例について説明する。まず、ソケットボデイー５用に板
厚０．２ｍｍのＡｌ合金板を用意した。これにＮＣ孔明
けにて直径０．２５ｍｍの貫通孔１７を形成した。次い
で、熱硬化エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂を貫通孔に充
填して熱硬化後、表面を研磨して平坦化した。
【００２７】次に、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザを使用し
て貫通孔１７中の絶縁樹脂に直径約０．１５ｍｍの貫通
孔を形成した。貫通孔１７の壁には厚さが約５０μｍの
絶縁樹脂膜６が形成された。
【００２８】次に、熱硬化型液状シリコーンゴムにＮｉ
金属粒子に金めっきした第１の導電性粒子（平均粒径６
０μｍ）と第２の導電性粒子（平均粒径２μｍ）をシリ
コーンゴムに対して体積分率約５０％になるように添加
して混合し、異方導電性樹脂層７形成用ペーストを調整
した。各導電性粒子の混合割合（重量比）は、第２導電
粒子が１に対して第１の導電性粒子を５の割合とした。
このペーストを絶縁樹脂膜６の形成された貫通孔１７に
スクリーン印刷で充填して熱硬化した後、表面を研磨し
て平坦化した。このようにして、貫通孔１７には弾性ゴ
ム７ａと第１の導電性粒子３と第２の導電性粒子４から
構成される異方導電性樹脂層７を形成した。
【００２９】次に、ソケットボデイー５をパッケージガ
イド１６に装着して図１のＩＣソケット８を形成した。
【００３０】次に、図１のＩＣソケットの使用方法につ
いて図２を参照して説明する。図２は、図１のＩＣソケ
ットに半導体デバイスを装着して電気検査する方法を説
明するための要部の断面図である。図２では、半導体デ
バイス２にはボールグリッドアレイ（略記：ＢＧＡ）が
使用されており、導電性バンプ１には半田ボールが使用
されている。まず、ＩＣソケット８が取りつけられた基
板９をＬＳＩテスタ（表示していない）に装着し、検査
の対象となる半導体デバイス２をハンドラーと呼ばれる
半導体デバイス搬送装置により、パッケージガイド１６
からＩＣソケット８にセットする。ハンドラーなどの装
置により半導体デバイス２がパッケージガイド１６に沿
って上から押し込まれ、導電性バンプ１が下に下がりセ
ットされると、第１の導電性粒子３（粒径大）と第２の
導電性粒子４（粒径小）が弾性ゴム７ａ中で接触しあ
い、基板９の電極１０から第１の導電性粒子３および第
２の導電性粒子を介して、導電性バンプ１（半田ボー
ル）まで通電が可能な状態となり、電気的な評価や検査
などが実施出来る。
【００３１】その後、電気的な信号をＬＳＩテスタから
送り、半導体デバイス２の電気的特性を評価する。
【００３２】特に粒径が小さい第２の導電性粒子４だけ
であれば、それぞれがかなり移動し、接触しないと導通
が取れないが、粒径が大きい第１の導電性粒子３が混合
されており、その密度が大きい為、わずかな移動量でも
弾性ゴム７ａ内では電気的な接触が可能となる。
【００３３】また金属などの硬い材質で出来たソケット
ボディー５に導通が必要とされる部分のみ穴をあけて、
異方導電性樹脂層７を挿入している為、高温時でもソケ
ットボデイーの反りが抑制できるために異方導電性樹脂
層７部の変形が少なく、高温でも安定した電気的測定が
できる。
【００３４】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】図３は、本発明の第２の実施の形態のＩＣ
ソケットの構造を示す断面図である。図３のように、本
実施の形態は、上記の第1の実施の形態のＩＣソケット
の金属板からなるソケットボデイーの貫通孔１７および
その板表面を絶縁樹脂膜６で被覆した場合である。異方
導電性樹脂層７の組成およびその形成方法は上記の第1
の実施の形態と同様である。
【００３６】本実施の形態ではソケットボデイー５と検
査する半導体デバイス２と基板９との絶縁性を向上で
き、上記の第１の実施の形態のＩＣソケットよりも半導
体デバイスの検査信頼性を向上できる。
【００３７】次に図３のＩＣソケットの製造方法の具体
例について説明する。まず、ソケットボデイー５用に板
厚０．２ｍｍのＡｌ合金板を用意した。これにＮＣ孔明
けにて直径０．２５ｍｍの貫通孔１７を形成した。次い
で、熱硬化エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂を貫通孔１７
およびソケットボデイー５表面に約４０μｍ厚さに電着
塗装した後、熱硬化した。
【００３８】次に、熱硬化型液状シリコーンゴムにＮｉ
金属粒子に金めっきした第１の導電性粒子（平均粒径３
０μｍ）と第２の導電性粒子（平均粒径２μｍ）をシリ
コーンゴムに対して体積分率約５０％になるように添加
して混合し、異方導電性樹脂層７形成用ペーストを調整
した。各導電性粒子の混合割合（重量比）は第２導電粒
子が１に対して第１の導電性粒子を５の割合とした。こ
のペーストを絶縁樹脂膜６の形成された貫通孔１７にス
クリーン印刷で充填して熱硬化した後、表面を研磨して
平坦化した。このようにして、貫通孔１７には弾性ゴム
７ａと第１の導電性粒子３と第２の導電性粒子４から構
成される異方導電性樹脂層７を形成した。
【００３９】次に、ソケットボデイー５をパッケージガ
イド１６に装着して図３のＩＣソケット８を形成した。
【００４０】次に、図３のＩＣソケットの使用方法につ
いて図４を参照して説明する。図４は、図３のＩＣソケ
ットに半導体デバイスを装着して電気検査する方法を説
明するための要部の断面図である。図４では、半導体デ
バイス２には図２と同様に、ボールグリッドアレイ（略
記：ＢＧＡ）が使用され、導電性バンプ１には半田ボー
ルが使用されている。まず、ＩＣソケット８が取りつけ
られた基板９をＬＳＩテスタ（表示していない）に装着
し、検査の対象となる半導体デバイス２をハンドラーと
呼ばれる半導体デバイス搬送装置により、パッケージガ
イド１６からＩＣソケット８にセットする。ハンドラー
などの装置により半導体デバイス２がパッケージガイド
１６に沿って上から押し込まれ、導電性バンプ１が下に
下がりセットされると、第１の導電性粒子３（粒径大）
と第２の導電性粒子４（粒径小）が弾性ゴム７ａ中で接
触しあい、基板９の電極１０から第１の導電性粒子３お
よび第２の導電性粒子を介して、導電性バンプ１（半田
ボール）まで通電が可能な状態となり、電気的な評価や
検査などが実施出来る。
【００４１】その後、電気的な信号をＬＳＩテスタから
送り、半導体デバイス２の電気的特性を評価する。
【００４２】次に、本発明の第３の実施の形態のＩＣソ
ケットについて図面を参照して説明する。図５は、本発
明の第３の実施の形態のＩＣソケットの構造を示す断面
図である。上記の第１および第２の実施の形態では、Ｂ
ＧＡ型パッケージ用のＩＣソケットについて説明した
が、本実施の形態のＩＣソケットは、ＬＧＡ型パッケー
ジに使用される。
【００４３】図５のように、ＩＣソケット１３は、金属
板からなるソケットボデイー５と、ソケットボデイー５
の所定の位置に設けられた貫通孔１７に充填され、且つ
ソケットボデイー５の上面より突き出すように形成され
た異方導電性樹脂層７と、ソケットボデイー５の周囲に
設けられた半導体デバイス装着用のパッケージガイド１
６とから構成されている。異方導電性樹脂層７は図５の
ようにソケットボデイー５の上面から突き出すように形
成することがより好ましく、ＬＧＡ型パッケージの半導
体デバイス電極との接触性が向上する。
【００４４】異方導電性樹脂層７は、弾性ゴム７ａとそ
の中に分散された粒子径の異なる第１の導電性粒子３ａ
と第２の導電性粒子４ａとから構成されている。また、
異方導電性樹脂層７とソケットボデイー５は貫通孔１７
壁に設けられた絶縁樹脂膜６で電気的に絶縁化されてい
る。第１の導電性粒子３ａは第２の導電性粒子４ａより
も平均粒径は大きく、且つ楕円球形状で細長の形状をし
ており、この細長方向（長円方向）が半導体デバイス電
極および基板の電極表面に略垂直になるように配向する
ようにしている。このように第１の導電性粒子を配向さ
せることにより、半田ボールが無いＬＧＡ型パッケージ
でも十分コンタクト圧力を得て、導通することが可能と
なる。
【００４５】ソケットボデイー５の金属板の材質や異方
導電性樹脂層７の材質は上記の第１の実施の形態と同様
である。
【００４６】異方導電性樹脂層７の第１の導電性粒子３
ａおよび第２の導電性粒子４ａとしては、上記の第１お
よび第２の実施の形態と同様なＡｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｗ等の金属粒子やＮｉ粒子にＡｕ，ＡｇまたはＣｕ
めっきした金属粒子が使用できる。楕円球形状の第１の
導電性粒子３ａの大きさは短円方向平均粒子径３０〜８
０μｍで長円方向粒子径が３００〜１０００μｍであ
る。また、第２の導電性粒子４ａの大きさは平均粒径
（直径）１〜３０μｍが適当である。
【００４７】第２の導電性粒子４ａと第１の導電性粒３
ａの混合比率は重量比で第２の導電性粒子４ａが１に対
して第１の導電性粒子３ａが１０〜１００が適当であ
る。また、これらの導電性粒子は弾性ゴム７ａに対して
体積分率で２０〜６０％の割合で用いられる。
【００４８】次に図５のＩＣソケットの製造方法の具体
例について説明する。まず、ソケットボデイー５用に板
厚０．２ｍｍのＡｌ合金板を用意した。これにＮＣ孔明
けにて直径０．２５ｍｍの貫通孔１７を形成した。次い
で、熱硬化エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂を貫通孔に充
填して熱硬化後、表面を研磨して平坦化した。
【００４９】次に、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザを使用し
て貫通孔１７中の絶縁樹脂に直径約０．１５ｍｍの貫通
孔を形成した。貫通孔１７の壁には厚さが約５０μｍの
絶縁樹脂膜６が形成された。
【００５０】次に、ソケットボデイー５の表面に厚さ約
４０μｍのポリスチレン樹脂シート（表示していない）
を圧着して貫通孔１７が露出するように、ポリスチレン
樹脂シートに開口を設けた後スクリーン印刷で熱硬化型
液状シリコーンゴムにＮｉ金属粒子に金めっきした第１
の導電性粒子３ａと第２の導電性粒子４ａをシリコーン
ゴムに対して体積分率約５０％になるように添加して混
合し、異方導電性樹脂層７を貫通孔１７に充填して硬化
した。
【００５１】次いで、表面を研磨して平坦化した後、ポ
リスチレン樹脂シートを機械的に剥離して図５のよう
に、ソケットボデイー５の上面から突出した形状の異方
導電性樹脂層７を形成した。
【００５２】次に、ソケットボデイー５をパッケージガ
イド１６に装着して図１のＩＣソケット１３を形成し
た。
【００５３】次に、図５のＩＣソケットの使用方法につ
いて図６を参照して説明する。図６は、図５のＩＣソケ
ットに半導体デバイスを装着して電気検査する方法を説
明するための要部の断面図である。図６では、半導体デ
バイス１２にはＬＧＡ型パッケージが使用されており、
半導体デバイス１２のＩＣソケット１３の異方導電性樹
脂層７との接触面には電極（半導体デバイス電極１５と
いう）が形成されている。まず、ＩＣソケット１３が取
りつけられた基板９をＬＳＩテスタ（表示していない）
に装着し、検査の対象となる半導体デバイス１２をハン
ドラーと呼ばれる半導体デバイス搬送装置により、パッ
ケージガイド１６からＩＣソケット１３にセットする。
ハンドラーなどの装置により半導体デバイス１２がパッ
ケージガイド１６に沿って上から押し込まれ、半導体デ
バイス電極１５が下に下がりセットされると、第１の導
電性粒子３ａ（楕円形状）と第２の導電性粒子４ａが弾
性ゴム７ａ中で接触しあい、基板９の電極１０から第１
の導電性粒子３ａおよび第２の導電性粒子４ａを介し
て、半導体デバイス電極１５まで通電が可能な状態とな
り、電気的な評価や検査などが実施出来る。
【００５４】その後、電気的な信号をＬＳＩテスタから
送り、半導体デバイス１２の電気的特性を評価する。
【００５５】なお、上記の第３の実施の形態では、ソケ
ットボデイー５の表面は露出したままであるが、上記の
第２の実施の形態のＩＣソケットのように絶縁樹脂膜で
被覆してもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では平均粒
子径が２種類の導電性粒子を弾性ゴム中に分散させて形
成した異方導電性樹脂層を半導体デバイスの導電性バン
プ（電極）と対応する金属板からなるソケットボデイー
の位置に設けた貫通孔に選択的充填してＩＣソケットを
構成した。この構成により、次の効果を得ることができ
る。 （１）異方導電性樹脂層の導電性が向上し、半導体デバ
イス検査の接触不良の問題が解消できる。 （２）軽いコンタクトでも十分導通が得られるために、
半田ボールの半田屑付着による接触不良が減り、ＩＣソ
ケットの耐久性が向上する。 （３）ＩＣソケットの部分的な修理ができるために交換
費用が低減できる。 （４）ソケットボデイーに金属板を使用するために、Ｉ
Ｃソケットの熱的寸法安定性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のＩＣソケットの構
造を示す断面図である。
【図２】図１のＩＣソケットの使用方法を説明するため
の要部の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のＩＣソケットの構
造を示す断面図である。
【図４】図３のＩＣソケットの使用方法を説明するため
の要部の断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態のＩＣソケットの構
造を示す断面図である。
【図６】図５のＩＣソケットの使用方法を説明するため
の要部の断面図である。
【図７】従来のＩＣソケットの主要部を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１，２０１ 導電性バンプ ２，２０２ 半導体デバイス ３，３ａ 第１の導電性粒子 ４，４ａ 第２の導電性粒子 ５ ソケットボデイー ６ 絶縁樹脂膜 ７ 異方導電性樹脂層 ７ａ，２０４ 弾性ゴム ８，１３，２００ ＩＣソケット ９，２０５ 基板 １０，２０６ 電極 １５ 半導体デバイス電極 １６ パッケージガイド １７ 貫通孔 ２０３ 導電性粒子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｈ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01R 33/76 G01R 1/073 G01R 31/26 H01R 11/01 H01R 43/00

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板からなるソケットボデイーと、前
    記ソケットボデイーの所定の位置に設けられた貫通孔に
    充填された異方導電性樹脂層と、前記ソケットボデイー
    の周囲に設けられた半導体デバイス装着用のパッケージ
    ガイドとを有し、金属板からなる前記ソケットボデイー
    と前記異方導電性樹脂層が前記貫通孔壁に設けられた絶
    縁樹脂膜で電気的に絶縁化され、前記異方導電性樹脂層
    が弾性ゴム中に平均粒子径の異なる第１の導電性粒子お
    よび第２の導電性粒子を分散させた構造からなることを
    特徴とするＩＣソケット。
  2. 【請求項２】 前記ソケットボデイーの両面が前記絶縁
    樹脂膜で被覆されていることを特徴とする請求項１記載
    のＩＣソケット。
  3. 【請求項３】 前記第１の導電性粒子および前記第２の
    導電性粒子の大きさ（平均粒子直径）がそれぞれ６０〜
    ２００μｍおよび１〜３０μｍである請求項１記載のＩ
    Ｃソケット。
  4. 【請求項４】 前記第１の導電性粒子が楕円球形状であ
    り、その短円方向および長円方向の平均粒子径がそれぞ
    れ３０〜８０μｍおよび３００〜１０００μｍであるこ
    とを特徴とする請求項１記載のＩＣソケット。
  5. 【請求項５】 前記弾性ゴムがスチレンブタジエンゴ
    ム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴ
    ム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、
    シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴムの中から選
    択された一つである請求項１記載のＩＣソケット。
  6. 【請求項６】 前記絶縁樹脂膜がエポキシ樹脂、ポリイ
    ミド樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリル
    ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、ク
    ロロプレンゴム、ブチルゴム、シリコーンゴム、フッ素
    ゴム、ウレタンゴムの中から選択された一つである請求
    項１または２記載のＩＣソケット。
  7. 【請求項７】 前記異方導電性樹脂層が前記ソケットボ
    デイーの上面から突き出していることを特徴とする請求
    項４記載のＩＣソケット。
  8. 【請求項８】 前記第１の導電性粒子および前記第２の
    導電性粒子がＡｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｗの金属粒子の
    いずれか一つまたはＮｉ粒子にＡｕ，ＡｇまたはＣｕめ
    っきした金属粒子のいずれか一つである請求項１、３ま
    たは４記載のＩＣソケット。
JP2000045831A 2000-02-23 2000-02-23 Ｉｃソケット Ceased JP3427086B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000045831A JP3427086B2 (ja) 2000-02-23 2000-02-23 Ｉｃソケット
US09/789,963 US6422879B2 (en) 2000-02-23 2001-02-22 IC socket for surface-mounting semiconductor device
KR1020010008945A KR20010085477A (ko) 2000-02-23 2001-02-22 반도체 디바이스 표면 장착용 집적회로 소켓

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000045831A JP3427086B2 (ja) 2000-02-23 2000-02-23 Ｉｃソケット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001237039A JP2001237039A (ja) 2001-08-31
JP3427086B2 true JP3427086B2 (ja) 2003-07-14

Family

ID=18568361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000045831A Ceased JP3427086B2 (ja) 2000-02-23 2000-02-23 Ｉｃソケット

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6422879B2 (ja)
JP (1) JP3427086B2 (ja)
KR (1) KR20010085477A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11340291B2 (en) * 2013-03-14 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Testing holders for chip unit and die package

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3616031B2 (ja) * 2001-05-10 2005-02-02 富士通株式会社 異方導電性シート、その製造方法、電子装置及び動作試験用検査装置
CN100355112C (zh) * 2001-11-05 2007-12-12 信越聚合物株式会社 电路部件连接器、其连接结构和垫圈
KR20030067401A (ko) * 2002-02-08 2003-08-14 정운영 테스트 소켓
TWI239684B (en) * 2003-04-16 2005-09-11 Jsr Corp Anisotropic conductive connector and electric inspection device for circuit device
US7446545B2 (en) * 2003-05-08 2008-11-04 Unitechno Inc. Anisotropically conductive sheet
JP2005019393A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Sharp Corp 異方性導電物、表示装置、表示装置の製造方法および導電部材
CN100437838C (zh) * 2003-07-07 2008-11-26 积水化学工业株式会社 包覆导电性粒子、各向异性导电材料以及导电连接结构体
EP1696241A4 (en) * 2003-12-18 2012-04-04 Jsr Corp ANISOTROPIC CONDUCTIVE CONNECTOR AND METHOD OF CONTROLLING A CIRCUIT DEVICE
DE102004006457A1 (de) * 2004-02-04 2005-08-25 Bielomatik Leuze Gmbh + Co Kg Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Herstellen elektronischer Folienbauteile
US7549958B2 (en) * 2004-02-09 2009-06-23 Olympus Corporation Endoscope apparatus
JP4503309B2 (ja) * 2004-02-13 2010-07-14 リコーマイクロエレクトロニクス株式会社 中継基板を用いた電子部品固定方法、中継基板の製造方法および中継基板を備えた部品実装基板
US7790987B2 (en) * 2005-04-27 2010-09-07 Sony Computer Entertainment Inc. Methods and apparatus for interconnecting a ball grid array to a printed circuit board
JP4632318B2 (ja) * 2007-04-27 2011-02-16 日本航空電子工業株式会社 コネクタ
KR100886712B1 (ko) * 2007-07-27 2009-03-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP2009099708A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Osaka Univ 端子の接続方法、端子の接合構造、及び接続用樹脂
US7851255B2 (en) * 2008-08-21 2010-12-14 Czeslaw Andrzej Ruszowski Placement of an integrated circuit
WO2009079179A2 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Czeslaw Andrzej Ruszowski Placement of an integrated circuit
KR100952712B1 (ko) * 2007-12-27 2010-04-13 주식회사 아이에스시테크놀러지 판형 도전입자를 포함한 실리콘 콘택터
WO2009128619A1 (ko) * 2008-04-15 2009-10-22 Jung Young Seok 판형 도전입자를 포함한 실리콘 콘택터
KR100972662B1 (ko) * 2008-03-27 2010-07-27 주식회사 아이에스시테크놀러지 눌림방지부재를 가진 테스트소켓
KR100929645B1 (ko) 2008-03-31 2009-12-03 리노공업주식회사 반도체 칩 검사용 소켓
KR100911892B1 (ko) * 2008-04-08 2009-08-11 리노공업주식회사 반도체 칩 검사용 소켓
KR101019721B1 (ko) * 2008-11-11 2011-03-07 주식회사 아이에스시테크놀러지 기둥형 입자를 가지는 테스트 소켓
KR101697951B1 (ko) * 2009-03-10 2017-01-19 에이케이이노텍주식회사 도전성 인터커넥터
JP5714294B2 (ja) * 2010-10-25 2015-05-07 矢崎総業株式会社 機器接続用コネクタ構造
US20120228768A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Reza Argenty Pagaila Integrated circuit packaging system using b-stage polymer and method of manufacture thereof
US8641428B2 (en) * 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
KR101266124B1 (ko) 2012-04-03 2013-05-27 주식회사 아이에스시 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓 및 그 제조방법
KR101204941B1 (ko) * 2012-04-27 2012-11-27 주식회사 아이에스시 전극지지부를 가지는 테스트용 소켓 및 그 테스트용 소켓의 제조방법
KR101339166B1 (ko) * 2012-06-18 2013-12-09 주식회사 아이에스시 관통공이 형성된 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓 및 그 제조방법
KR101353481B1 (ko) 2013-02-28 2014-01-20 주식회사 아이에스시 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
KR101522624B1 (ko) * 2013-12-12 2015-05-22 주식회사 아이에스시 전기적 검사소켓
KR20160046621A (ko) * 2014-10-21 2016-04-29 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓 및 이의 제조 방법
KR101525520B1 (ko) * 2015-02-03 2015-06-03 (주)티에스이 결합 형상의 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓
KR102329801B1 (ko) 2015-10-21 2021-11-22 삼성전자주식회사 테스트 소켓의 제조 방법 및 반도체 패키지의 테스트 방법
KR101735520B1 (ko) 2016-03-17 2017-05-24 주식회사 오킨스전자 탑 메탈 플레이트 범프를 포함하는 테스트 소켓 및 그 제조 방법
KR101739536B1 (ko) 2016-05-11 2017-05-24 주식회사 아이에스시 검사용 소켓 및 도전성 입자
US9923293B2 (en) * 2016-06-02 2018-03-20 Raytheon Company Radially compliant, axially free-running connector
US11092620B2 (en) * 2016-08-08 2021-08-17 Sekisui Chemical Co., Ltd. Conduction inspection device member and conduction inspection device
JP6918518B2 (ja) * 2017-02-27 2021-08-11 デクセリアルズ株式会社 電気特性の検査冶具
JP6581620B2 (ja) * 2017-06-09 2019-09-25 矢崎総業株式会社 機器接続用コネクタ構造
WO2019039628A1 (ko) * 2017-08-22 2019-02-28 주식회사 이노글로벌 레이저 가공 기술이 적용된 양방향 도전성 모듈 및 그 제조방법
JPWO2019107572A1 (ja) * 2017-12-01 2020-10-08 積水化学工業株式会社 導電性組成物及びその硬化物、導通検査装置用部材並びに導通検査装置
KR102030511B1 (ko) * 2018-07-13 2019-11-08 주식회사 이엘피 완충 범프를 구비한 프로브 유닛 및 제조방법
KR102079213B1 (ko) * 2018-11-28 2020-02-19 (주)티에스이 신호 전송 커넥터
KR102153221B1 (ko) * 2019-05-21 2020-09-07 주식회사 새한마이크로텍 이방 전도성 시트
KR102158507B1 (ko) * 2019-07-09 2020-09-22 주식회사 이노글로벌 테스트 소켓 및 그 제조방법
WO2021020501A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04 積水化学工業株式会社 導電性粒子及び接続構造体
KR102179457B1 (ko) * 2020-03-25 2020-11-16 (주)티에스이 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치와, 테스트 소켓의 제조방법
CN113900004A (zh) * 2020-06-22 2022-01-07 株式会社友华 检查装置
US12009339B2 (en) * 2020-08-18 2024-06-11 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment
KR102359547B1 (ko) * 2020-09-25 2022-02-08 (주)티에스이 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치
KR102615617B1 (ko) * 2021-01-08 2023-12-20 리노공업주식회사 검사소켓 및 그의 제조방법
KR102278672B1 (ko) * 2021-03-29 2021-07-15 배명철 반도체 패키지 테스트용 소켓 제조 방법 및 반도체 패키지 테스트용 소켓
KR102339014B1 (ko) * 2021-03-29 2021-12-13 배명철 반도체 패키지 테스트용 소켓 제조 방법 및 반도체 패키지 테스트용 소켓

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4729809A (en) * 1985-03-14 1988-03-08 Amp Incorporated Anisotropically conductive adhesive composition
EP0854506A3 (en) * 1987-03-04 1999-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Electrically connecting member and electric circuit member
JPH0291360U (ja) * 1988-12-29 1990-07-19
JP3087294B2 (ja) * 1989-09-29 2000-09-11 ジェイエスアール株式会社 異方導電性シートの製造方法
JPH0562727A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Fujitsu Ltd 異方導電性接続部材とその製造方法
JPH0754868B2 (ja) * 1991-09-30 1995-06-07 松下電器産業株式会社 高周波モジュール基板
JP2737647B2 (ja) * 1994-03-10 1998-04-08 カシオ計算機株式会社 異方導電性接着剤およびそれを用いた導電接続構造
JPH07287048A (ja) 1994-04-19 1995-10-31 Amp Japan Ltd Ｉｃソケット及びその電気コンタクト
DE4427124A1 (de) * 1994-07-30 1996-02-01 Philips Patentverwaltung Anordnung zur Kommunikation mit einem Teilnehmer
US5618188A (en) * 1994-10-24 1997-04-08 Honeywell Inc. Connector for a self contained laser gyro
JPH0935789A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電性シートおよびその製造方法
JPH09161870A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Shin Etsu Polymer Co Ltd エラストマーコネクタ及びその製造方法
JPH1010191A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Hitachi Ltd コネクタおよびそれを用いる半導体検査方法ならびに装置
JP3420435B2 (ja) * 1996-07-09 2003-06-23 松下電器産業株式会社 基板の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR100478060B1 (ko) * 1996-08-08 2005-03-23 니토 덴코 가부시키가이샤 이방 도전성 필름 및 그 제조 방법
JPH10197599A (ja) 1997-01-14 1998-07-31 Jsr Corp 半導体素子検査装置
JPH10256701A (ja) * 1997-03-07 1998-09-25 Jsr Corp 異方導電性ゴムシート
TW404084B (en) * 1997-04-15 2000-09-01 Everett Charles Tech Test socket
JPH11214594A (ja) 1998-01-20 1999-08-06 Jsr Corp 異方性導電ゴムシート
JPH11329648A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Molex Inc Ｉｃデバイスソケット
JP3447569B2 (ja) * 1998-07-23 2003-09-16 シャープ株式会社 異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造
KR100314135B1 (ko) * 1999-03-08 2001-11-16 윤종용 Ｂｇａ 패키지의 전기적 검사를 위한 소켓 및 이를 이용한검사방법
US6270363B1 (en) * 1999-05-18 2001-08-07 International Business Machines Corporation Z-axis compressible polymer with fine metal matrix suspension

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11340291B2 (en) * 2013-03-14 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Testing holders for chip unit and die package
US20220283221A1 (en) * 2013-03-14 2022-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Testing holders for chip unit and die package
US11579190B2 (en) 2013-03-14 2023-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Testing holders for chip unit and die package

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010085477A (ko) 2001-09-07
US20010016435A1 (en) 2001-08-23
US6422879B2 (en) 2002-07-23
JP2001237039A (ja) 2001-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3427086B2 (ja) Ｉｃソケット
US6989681B2 (en) Socket for testing a semiconductor device and a connecting sheet used for the same
JP4467721B2 (ja) コンタクタ及びコンタクタを使用した試験方法
JP2914308B2 (ja) インターポーザー及び半導体デバイスの試験方法
EP0856889A2 (en) Semiconductor device mount structure and semiconductor device mounting method
JP6918518B2 (ja) 電気特性の検査冶具
JP2000180506A (ja) 半導体装置検査用コンタクト装置
JP2017102073A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013138214A (ja) コンプライアンスを有する超小型電子アセンブリ
JP2003037135A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2796070B2 (ja) プローブカードの製造方法
US5677203A (en) Method for providing known good bare semiconductor die
JP2000241498A (ja) 半導体素子接続装置、半導体素子検査装置および検査方法
JP2001307851A (ja) 半導体装置のテストソケット
US6846735B1 (en) Compliant test probe with jagged contact surface
US6404214B1 (en) Substrate for inspecting electronic device, method of manufacturing substrate, and method of inspecting electronic device
JP4085186B2 (ja) Ｂｇａソケット
JP2904193B2 (ja) Ｉｃソケット
JP3246841B2 (ja) プローブ構造
CN100508111C (zh) 封装装置及其形成方法
US6433565B1 (en) Test fixture for flip chip ball grid array circuits
JP2000292484A (ja) 半導体素子接続装置、半導体素子検査装置および検査方法
JP2842416B2 (ja) 半導体装置用ソケット
KR200328984Y1 (ko) 고주파수용 테스트소켓
JPH0822875A (ja) Ｉｃソケット

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030204

RVOP Cancellation by post-grant opposition