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JPH09218424A - 薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法

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Publication number
JPH09218424A
JPH09218424A JP32636496A JP32636496A JPH09218424A JP H09218424 A JPH09218424 A JP H09218424A JP 32636496 A JP32636496 A JP 32636496A JP 32636496 A JP32636496 A JP 32636496A JP H09218424 A JPH09218424 A JP H09218424A
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JP
Japan
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electrode
data line
gate
thin film
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32636496A
Other languages
English (en)
Inventor
Oh-Kyong Kwon
クウォン オー−キュン
Koan-Yel Jeong
ジェオン コアン−イェル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
LG Semicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Semicon Co Ltd filed Critical LG Semicon Co Ltd
Publication of JPH09218424A publication Critical patent/JPH09218424A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】光透過率の低下なしに開口率を高めて画質を改
善し得る薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造
方法に関するものである。 【解決手段】光を遮蔽させる導電性物質により蓄積電極
１２１を形成し、該蓄積電極１２１によりデータライン
１１７と画素電極１２５間、及びゲートライン１０１と
画素電極１２５間を完全に遮蔽させて、開口率を増加さ
せると共に混信の発生を防止して液晶の偏角を無くし、
画質を改善し得る薄膜トランジスタの液晶表示素子を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
の液晶表示素子に係るもので、詳しくは、開口率（aper
ture ratio）を高めて画質を改善し得る薄膜トランジス
タの液晶表示素子及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜トランジスタの液晶表示素
子は、薄膜トランジスタ間のオン／オフを調節するため
用いられるゲートラインと、画像信号を印加するため用
いられるデータラインと、液晶印加電圧の維持特性を向
上させると共に階調表示を安定化し、ちらつき（flicke
r ）及び残像効果の減少のため用いられる蓄積キャパシ
タ（storage electrode ）と、光を遮断するため用いら
れるブラックマトリックスと、画素電極（pixel electr
ode ）と、を備えた下板と、共通電極、光を遮断するた
めのブラックマトリックス、及びＲＧＢフィルターを備
えた上板と、それら上板と下板間に封入された液晶と、
から構成されている。
【０００３】そして、薄膜トランジスタの液晶表示素子
の画素を設計するに際して、優秀な画質を具現するため
には、全体画素面積に対し光の通過する面積の比である
開口率を増加させ、前記データラインと画素電極間の容
量的結合（capacitivecoupling）に起因する混信（cros
s talk）発生による液晶電圧の変動分（ΔＶｐ）、活
性層の抵抗成分に起因する漏洩電流の発生による液晶電
圧の変動分、及びデータラインとゲートラインとによる
液晶の偏角（decliantion ）を夫々最小化すべきであ
る。
【０００４】一層詳しく説明すると、前記開口率とは、
全体画素の面積に対し実際光が通過する面積比をいい、
前記開口率を増加させるためには、薄膜トランジスタの
液晶表示素子の構成要素中光を通過させない要素である
薄膜トランジスタ、ゲートライン、データライン、蓄積
キャパシタ、及びブラックマトリックス等の総面積を減
らすべきである。
【０００５】その方法としては、前記容量的結合による
混信及びアライメント許容誤差（alignment tolerance
）が減少されるように製造工程を設定して、前記開口
率を減少させる構成要素である線幅（line width）及び
離隔間隔（spacing ）を減らす方法と、前記開口率を減
少させる部分を重複して使用（例えば、ブラックマトリ
ックスを蓄積キャパシタの電極として用いる）するか、
又は、前記開口率を減少させる部分の物質自体に光を通
過させる物質を使用する方法とがある。
【０００６】また、容量的結合に起因する混信の発生に
よる液晶電圧の変動分、及びデータラインとゲートライ
ン間の偏角を減らすためには、各成分の離隔間隔を広く
する方法と、各成分を電気的に遮蔽させる方法と、があ
るが、前記各成分の離隔間隔を広くする方法は開口率を
減少させるので好ましくない。図５は、従来の薄膜トラ
ンジスタの液晶表示素子の画素構造を示し、図示したよ
うに、共通電極４１及び画素電極に接続される蓄積電極
４３からなる蓄積キャパシタが多くの面積を占めて、開
口率を減少させていた。尚、図中、４２はゲートの開口
部、４４は開口部、４６はゲートバスライン、４７はａ
−Ｓｉ薄膜トランジスタを示す。
【０００７】そこで、このような開口率の減少を解決
し、ブラックマトリックスにより蓄積キャパシタを形成
して、データラインと画素電極間の容量的結合を減少さ
せる従来の薄膜トランジスタの液晶表示素子の一例にお
いては、図６（Ａ）に示すように、Ａ’軸部分にはゲー
トライン５１のゲート電極領域と重なって位置した活性
層５６の両方側にドレイン電極６１及びソース電極６３
が夫々形成された薄膜トランジスタを構成し、Ａ軸部分
には前記ドレイン電極６１に接続されるデータライン６
５、及び前記ソース電極６３と所定領域が重なって位置
する画素電極５９が蓄積電極５３上方に相互に離間して
構成されていた。
【０００８】又、図６（Ｂ）は、前記図６（Ａ）のＡ−
Ａ’線矢視垂直断面図を示す。即ち、基板（図示され
ず）上に金属物質を蒸着した後パターニングしたゲート
電極領域を含むゲートライン５１と、該ゲートライン５
１から所定距離離隔された基板上に光を遮蔽する導電性
物質を蒸着した後パターニングした蓄積電極５３と、前
記ゲートライン５１及び蓄積電極５３を上部構造物と絶
縁させる第１絶縁膜５５と、前記ゲートライン５１のゲ
ート電極領域の第１絶縁膜５５上に非晶質シリコンａ−
Ｓｉを塗布した後パターニングした活性層５６と、該活
性層５６を形成した構造物上に第２絶縁膜を所定厚さに
蒸着した後、所定の写真食刻マスクを形成し前記第２絶
縁膜を食刻して、後述するドレイン電極及びソース電極
を形成するための食刻工程時前記活性層５６が食刻され
ることを防止するため形成された食刻阻止膜５７と、該
食刻阻止膜５７を形成した構造物上に不純物のドーピン
グされた非晶質シリコンを塗布し所定のマスクを用いて
食刻して、前記活性層５６両側に形成されたドレイン接
触部５８及びソース接触部５８’と、それら構造物上に
透明の導電物質のＩＴＯを所定厚さに蒸着した後パター
ニングして、前記蓄積電極５３と所定部分が重なるよう
に形成された画素電極５９と、前記活性層５６及び画素
電極５９の形成された構造物上に導電物質を蒸着した後
パターニングして、図において活性層５６の左側縁部の
ドレイン接触部５８と接触するように形成されたドレイ
ン電極６１と、前記活性層５６の右側縁部のソース接触
部５８’に接触すると共に前記画素電極５９に所定領域
が接触して形成されたソース電極６３と、前記蓄積電極
５３上の第１絶縁膜５５上に導電物質を蒸着した後パタ
ーニングして前記画素電極５９から所定間隔離隔される
ように形成されたデータライン６５と、から構成されて
いた。尚、図中、６７はブラックマトリックスである。
【０００９】前記蓄積電極５３は、図６（Ａ）に示すよ
うに、画素電極５９と重なってキャパシタンスを提供す
ると共に、前記画素電極５９及びデータライン６５を離
して、その間に発生する寄生キャパシタンスを減らすこ
とができる。また、他の従来例の薄膜トランジスタの液
晶表示素子においては、図７に示すように、データライ
ン８５上に蓄積電極８９と画素電極９３とを順次積層
し、前記蓄積電極８９を透明のＩＴＯで形成したもので
あって、図６（Ａ）では、前記画素電極５９と蓄積電極
５３との重なる部分は開口領域６９から除外されたが、
図７では前記画素電極９３と蓄積電極８９とが重なる部
分も光の通過できる開口領域９７として用いられて、開
口率が増加することがわかる。
【００１０】即ち、図７（Ａ）のＡ−Ａ’矢視垂直断面
を示す図７（Ｂ）を用いて説明すると、基板（図示され
ず）上に金属物質を蒸着した後パターニングしたゲート
電極領域を含むゲートライン７１と、該ゲートライン７
１を上部構造物と絶縁させる第１絶縁膜７３と、該第１
絶縁膜７３上に非晶質シリコンａ−Ｓｉを塗布した後パ
ターニングした活性層７５と、該活性層７５を形成した
構造物上に第２絶縁膜を所定厚さに蒸着した後食刻し
て、後続工程中ドレインーソース電極を形成するための
食刻工程時に前記活性層７５が食刻されることを防止す
るため形成された食刻阻止膜７７と、該食刻阻止膜７７
を形成した構造物上に不純物のドーピングされた非晶質
シリコンを塗布し、所定のマスクを用いて該非晶質シリ
コンを食刻して前記活性層７５両側に形成されたドレイ
ン接触部及びソース接触部７９、７９’と、それらドレ
イン接触部７９及びソース接触部７９’を形成した構造
物上に導電性物質を蒸着した後所定のマスクを用いてパ
ターニングして、図において前記活性層７５の左側縁部
のドレイン接触部７９に接触するように形成されたドレ
イン電極８１と、前記活性層７５の右側縁部のソース接
触部７９’に接触するように形成されたソース電極８３
と、該ソース電極８３から所定間隔離隔されるように
Ａ′軸部分に形成されたデータライン８５と、前記ドレ
イン電極８１、ソース電極８３、及びデータライン８５
と上部構造物を絶縁させるため形成された第３絶縁膜８
７と、該第３絶縁膜８７上にＩＴＯを所定厚さに蒸着さ
せた後パターニングして前記データライン８５の上部領
域に形成された蓄積電極８９と、該蓄積電極８９を上部
構造物と絶縁させる第４絶縁膜９１と、前記ソース電極
８３の所定部位が露出されるようにそれら第３及び第４
絶縁膜８７、９１を食刻した後ＩＴＯを所定厚さに蒸着
しパターニングして、前記ソース電極８３に接触すると
共に前記蓄積電極８９と重なるように形成された画素電
極９３と、から構成されていた。尚、図中、９５はブラ
ックマトリックスである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】然るに、図６に示す薄
膜トランジスタの液晶表示素子の一例の場合、データラ
イン６５と画素電極５９との間が短絡されないように恒
常所定間隔（例えば、７０）を維持すべきであるため、
大きさの小さい画素は、図６（Ａ）から分かるように、
前記蓄積電極５３が前記データライン６５と画素電極５
９間を完全に離間できなくて、データライン６５と画素
電極５９間の寄生キャパシタンスによる混信を完全に除
去することができない。よって、前記ゲートライン５１
と画素電極５９間も寄生キャパシタンスによる混信が発
生して画質を低下させるという問題点があった。
【００１２】又、図７に示す薄膜トランジスタの液晶表
示素子の場合、データライン８５上にＩＴＯ蓄積電極８
９を形成し、その上に再びＩＴＯを用いて画素電極９３
を積層させて、データライン８５と重なる部分を除外し
た画素電極９３の全ての部分を開口領域として使用する
ため、開口率は向上されるが、光の透過率が絶縁膜より
も低いＩＴＯが一層増加して積層されて、光の透過率が
低下するという問題点があった。
【００１３】本発明の目的は、光を遮蔽する導電性物質
により蓄積電極を形成し、該蓄積電極により前記データ
ラインと画素電極間、及びゲートラインと画素電極間を
完全に遮蔽させて、開口率を増加させると共に混信の発
生を防止して液晶の偏角を無くし、画質を改善し得る薄
膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法を提供
しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような本発明に係る
薄膜トランジスタの液晶表示素子は、ゲートラインから
駆動電圧を印加するゲート電極と、該ゲート電極に駆動
電圧が印加されるときチャネルを形成して導通されるソ
ース電極及びドレイン電極を有した薄膜トランジスタを
スイッチング素子にし、前記ソース電極と絶縁され前記
ドレイン電極に接触して形成されたデータラインと、前
記ドレイン電極と絶縁され前記ソース電極と接触して形
成された画素電極とを具備した薄膜トランジスタの液晶
表示素子において、前記データライン及びゲートライン
を被覆し、前記画素電極の下部に位置して、前記データ
ラインと画素電極間及びゲートラインと画素電極間で光
を遮断する蓄積電極を備えて構成されることを特徴とす
る。
【００１５】かかる構成では、前記ゲート電極領域を含
むゲートライン上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に形
成したソース電極とドレイン電極及びデータライン上に
絶縁膜を形成し、この絶縁膜上のゲートライン、データ
ライン、及び薄膜トランジスタに対応する部分に蓄積電
極を形成し、蓄積電極を絶縁膜で被覆した後に選択的に
食刻してＩＴＯ膜によりソース電極の所定領域及びデー
タラインに亙って画素電極を形成する。これにより、画
素電極とデータラインとの間に絶縁されて光を遮断する
蓄積電極が位置して、画素電極とデータライン間の寄生
キャパシタンスが低減する。また、蓄積キャパシタとな
る蓄積電極を、薄膜トランジスタを含むゲートライン領
域とデータライン領域でブラックマトリクスに使用でき
る。
【００１６】かかる構成では、画素電極とデータライン
及び画素電極と蓄積電極を完全に分離でき、容量的結合
に起因する混信を防止できると共に、光透過率を低下さ
せることなく開口率を増大できるようになる。そして、
本発明による上述の薄膜トランジスタの液晶表示素子の
製造方法は、ゲートラインから駆動電圧を印加するゲー
ト電極と、該ゲート電極に駆動電圧が印加されるときチ
ャネルを形成して導通されるソース電極及びドレイン電
極を有した薄膜トランジスタをスイッチング素子にし、
前記ソース電極と絶縁され前記ドレイン電極に接触して
形成されたデータラインと、前記ドレイン電極と絶縁さ
れ前記ソース電極と接触して形成された画素電極とを具
備した薄膜トランジスタの液晶表示素子の製造方法にお
いて、前記ゲート電極領域を含むゲートラインの形成さ
れた基板上に絶縁物質を蒸着させて第１絶縁膜を形成す
る工程と、該第１絶縁膜上で前記ソース電極とドレイン
電極及びデータラインの形成された構造物上に絶縁物質
を蒸着させて第２絶縁膜を形成する工程と、該第２絶縁
膜上に光を遮断する導電性物質を蒸着した後パターニン
グして前記ゲートライン、データライン、及び薄膜トラ
ンジスタに対応する部分の上部に蓄積電極を形成する工
程と、該蓄積電極を形成した構造物上に絶縁物質を蒸着
して第３絶縁膜を形成する工程と、該第３絶縁膜及び第
２絶縁膜を選択的に食刻して前記ソース電極の所定領域
が露出されるように接触部を形成し、該接触部を形成し
た構造物上にＩＴＯを蒸着した後該ＩＴＯをパターニン
グして前記ソース電極の所定領域及びデータラインに亙
って画素電極を形成する工程とを順次行うことを特徴と
する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図１〜図４に基づいて説明する。図１は、本発明の薄膜
トランジスタの液晶表示素子の一実施形態を示す。本実
施形態において、下板は、図１（Ａ）に示すように、蓄
積電極１２１を光の遮断されるブラックマトリックスに
構成し、該蓄積電極１２１により画素電極１２５とデー
タライン１１７間、及び画素電極１２５とゲートライン
１０１間を完全に遮蔽し分離して寄生キャパシタンスに
起因する混信の発生を防止すると共に、データラインと
ゲートラインによる液晶の偏角を無くし、上板は共通電
極及びカラーフィルターから構成する。
【００１８】即ち、図１（Ｂ）に示すように、下板の薄
膜トランジスタ部分においては、ゲート電極領域を含む
ゲートライン１０１と、該ゲートラインを絶縁させる第
１絶縁膜１０３と、前記ゲートライン１０１上の第１絶
縁膜１０３上に非晶質シリコン又は多結晶シリコンから
なる活性層１０５と、該活性層両方側のソース接触部と
ドレイン接触部１０９、１１１に形成されたドレイン電
極及びソース電極１１３、１１５と、該ドレイン電極１
１３を被覆しソース電極１１５の所定領域に形成された
第２絶縁膜１１９と、該第２絶縁膜１１９上に形成され
た蓄積電極１２１と、該蓄積電極１２１上に形成された
第３絶縁膜１２３と、から構成されている。
【００１９】そして、この薄膜トランジスタ部分を除外
した部分においては、ドレイン電極１１３に接触して形
成されたデータライン１１７と、該データライン１１７
上に形成された第２絶縁膜１１９と、該第２絶縁膜１１
９のデータライン１１７上部、ゲートライン１０１、及
び薄膜トランジスタ上に形成された蓄積電極１２１と、
該蓄積電極１２１を形成した第２絶縁膜１１９上に形成
された第３絶縁膜１２３と、所定領域が前記ソース電極
１１５に接続し、データライン１１７の全面に形成され
た画素電極１２５と、から構成されている。このとき、
前記蓄積電極１２１はブラックマトリックスの役割をす
る。
【００２０】以下、本発明の製造方法を図２〜図４を参
照して説明する。先ず、図２（Ａ）に示すように、ガラ
ス又は石英等の基板１００上に導電物質を所定厚さに蒸
着した後、その上に感光膜をコーティングしパターニン
グして写真食刻マスクを形成し、該写真食刻マスクを用
いて前記導電物質を食刻してゲートライン１０１を形成
する。
【００２１】次いで、図２（Ｂ），（Ｃ）に示すよう
に、該ゲートライン１０１を形成した基板上に絶縁物質
を塗布して第１絶縁膜１０３を形成し、該第１絶縁膜１
０３上に多結晶シリコン又は非晶質シリコンを所定厚さ
に塗布してシリコン層を形成した後、該シリコン上に所
定の写真食刻マスクを形成し、それを用いて前記シリコ
ン層を食刻して、前記ゲートライン１０１のゲート電極
領域の第１絶縁膜１０３上に活性層１０５を形成する。
【００２２】次いで、図２（Ｄ）に示すように、該活性
層１０５を形成した第１絶縁膜１０３上に絶縁物質のシ
リコン窒化物（ＳｉＮ）を所定厚さに蒸着した後、該シ
リコン窒化物上に所定の写真食刻マスクを形成し、これ
を用いて前記シリコン窒化物を食刻して、後続工程であ
る前記ドレイン電極１１３及びソース電極１１５を形成
するための食刻工程時に前記活性層１０５が食刻される
ことを防止する食刻阻止膜１０７を形成する。
【００２３】次いで、図３（Ａ）に示すように、該食刻
阻止膜１０７を形成した構造物上に不純物のドーピング
されたシリコンを塗布した後、所定の写真食刻マスクを
形成し前記シリコンを食刻して、前記活性層１０５両方
側に接触するドレイン接触部１０９及びソース接触物１
１１を夫々形成する。次いで、図３（Ｂ）に示すよう
に、それらドレイン接触部１０９及びソース接触部１１
１を形成した構造物上に導電物質を蒸着し、所定の写真
食刻マスクを形成した後前記導電物質層をパターニング
して、前記活性層１０５の縁部及びドレイン接触部１０
９及びソース接触部１１１に夫々接触するドレイン電極
１１３及びソース電極１１５と、前記ソース電極１１５
から所定距離離隔されたデータライン１１７とを形成す
る。
【００２４】次いで、図３（Ｃ）（Ｄ）に示すように、
前記ドレイン電極１１３とソース電極１１５及びデータ
ライン１１７を形成した構造物上に所定厚さに絶縁物質
を蒸着して第２絶縁膜１１９を形成し、該第２絶縁膜１
１９上に光を遮断する導電性物質を蒸着した後、該導電
性物質層上に写真食刻マスクを形成し、これを用いて前
記蒸着された導電性物質層を食刻して、前記ゲートライ
ン１０１に対応する部分と、データライン１１７に対応
する部分及び薄膜トランジスタＴＦＴ上の第２絶縁膜１
１９に蓄積電極１２１を形成する。
【００２５】次いで、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、
該蓄積電極１２１を形成した構造物上に絶縁物質を所定
の厚さに蒸着して第３絶縁膜１２３を形成し、該第３絶
縁膜１２３上に所定の写真食刻マスクを形成した後、こ
れを用いて前記第３絶縁膜１２３及び第２絶縁膜１１９
を選択的に食刻して、前記ソース電極１１５の所定領域
が露出するように接触部を形成した後、構造物上にＩＴ
Ｏを蒸着させ、前記ソース電極１１５の所定領域及びデ
ータライン１１９に亙ってソース電極１１５と接触する
画素電極１２５を形成する。
【００２６】尚、本発明は、図１に示したようなＢＧ
（Bottom Gate ）型の以外に、ＴＧ（Top Gate）型にも
適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る薄膜
トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法において
は、データラインと画素電極間、及びゲートラインと画
素電極間に光を遮蔽させる導電性物質の蓄積電極を介在
し、前記蓄積電極により前記データラインと画素電極
間、及びゲートラインと画素電極間を完全に遮蔽させ
て、その間から発生する寄生キャパシタンスを最小化
し、該寄生キャパシタンスに起因する混信を防止すると
共に、光透過率の低下なしに開口率の増加を図って画質
を改善し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜トランジスタの液晶表示素子
の一実施形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）
図のＡ−Ａ’矢視垂直断面図である。
【図２】本発明に係る薄膜トランジスタ液晶表示素子の
製造方法を示した垂直断面図である。
【図３】図２に続く製造方法を示した垂直断面図であ
る。
【図４】図３に続く製造方法を示した垂直断面図であ
る。
【図５】従来の薄膜トランジスタの液晶表示素子を示し
た平面図である。
【図６】従来のシールドキャパシタを備えた薄膜トラン
ジスタの液晶表示素子の一例を示し、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）図のＡ−Ａ’矢視垂直断面図である。
【図７】従来のＩＴＯシールドキャパシタを備えた薄膜
トランジスタの液晶表示素子の他の例を示し、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＡ−Ａ’矢視垂直断面図で
ある。
【符号の説明】
１００ 基板 １０１ ゲートライン １０３ 第１絶縁膜 １０５ 活性層 １０７ 食刻阻止層 １０９ ドレイン接触部 １１１ ソース接触部 １１３ ドレイン電極 １１５ ソース電極 １１７ データライン １１９ 第２絶縁膜 １２１ 蓄積電極 １２３ 第３絶縁膜 １２５ 画素電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ゲートラインから駆動電圧を印加するゲー
    ト電極と、該ゲート電極に駆動電圧が印加されるときチ
    ャネルを形成して導通されるソース電極及びドレイン電
    極を有した薄膜トランジスタをスイッチング素子にし、
    前記ソース電極と絶縁され前記ドレイン電極に接触して
    形成されたデータラインと、前記ドレイン電極と絶縁さ
    れ前記ソース電極と接触して形成された画素電極とを具
    備した薄膜トランジスタの液晶表示素子において、 前記データライン及びゲートラインを被覆し、前記画素
    電極の下部に位置して、前記データラインと画素電極間
    及びゲートラインと画素電極間で光を遮断する蓄積電極
    を備えて構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ
    の液晶表示素子。
  2. 【請求項２】ゲートラインから駆動電圧を印加するゲー
    ト電極と、該ゲート電極に駆動電圧が印加されるときチ
    ャネルを形成して導通されるソース電極及びドレイン電
    極を有した薄膜トランジスタをスイッチング素子にし、
    前記ソース電極と絶縁され前記ドレイン電極に接触して
    形成されたデータラインと、前記ドレイン電極と絶縁さ
    れ前記ソース電極と接触して形成された画素電極とを具
    備した薄膜トランジスタの液晶表示素子の製造方法にお
    いて、 前記ゲート電極領域を含むゲートラインの形成された基
    板上に絶縁物質を蒸着させて第１絶縁膜を形成する工程
    と、 該第１絶縁膜上で該前記ソース電極とドレイン電極及び
    データラインの形成された構造物上に絶縁物質を蒸着さ
    せて第２絶縁膜を形成する工程と、 該第２絶縁膜上に光を遮断する導電性物質を蒸着した後
    パターニングして前記ゲートライン、データライン、及
    び薄膜トランジスタに対応する部分の上部に蓄積電極を
    形成する工程と、 該蓄積電極を形成した構造物上に絶縁物質を蒸着して第
    ３絶縁膜を形成する工程と、 該第３絶縁膜及び第２絶縁膜を選択的に食刻して前記ソ
    ース電極の所定領域が露出されるように接触部を形成
    し、該接触部を形成した構造物上にＩＴＯを蒸着した後
    該ＩＴＯをパターニングして前記ソース電極の所定領域
    及びデータラインに亙って画素電極を形成する工程と、 を順次行うことを特徴とする薄膜トランジスタの液晶表
    示素子の製造方法。
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