DE19650787C2 - Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Dünnfilmtransistor und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkri­ stall-Anzeigevorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor und auf ein Verfahren zum Herstellen derselben, die beide das Öffnungs­ verhältnis zu erhöhen und die Bildqualität zu verbessern vermö­ gen.

Gewöhnlich umfaßt eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor eine obere Platte und eine untere Platte, zwischen denen ein Flüssigkristall eingeschlossen ist. Die untere Platte umfaßt eine Gateleitung zum Steuern eines Ein/Ausbetriebes des Dünnfilmtransistors, eine Datenleitung zum Anlegen eines Bildsignales, eine Speicherelektrode zum Steigern einer Haltecharakteristik der Flüssigkristall-Versorgungsspan­ nung, Stabilisieren einer Grauanzeige und Verringern eines Flimmerns oder Flackerns und eines Nachbildeffektes, eine lichtundurchlässige Schwarzmatrix und eine Pixelelektrode. Die obere Platte hat eine gemeinsame Elektrode, eine lichtundurch­ lässige Schwarzmatrix und ein darauf gebildetes RGB-Filter.

Um eine hervorragende Bildqualität bei der Auslegung eines Pi­ xels der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung auszuführen, muß das Öffnungsverhältnis, das das Verhältnis einer Fläche, die Licht durchdringt, bezüglich einer Gesamtfläche des Pixels ist, erhöht werden, und eine Veränderung (ΔV_p) der Flüssigkristall­ spannung, die durch Übersprechen infolge einer kapazitiven Kopplung zwischen der Datenleitung und der Pixelelektrode ver­ ursacht ist, eine Veränderung der Flüssigkristallspannung in­ folge des Auftretens eines Leckstromes, der aufgrund einer Wi­ derstandseigenschaft einer aktiven Schicht erzeugt ist, und ei­ ne Abweichung oder Deklination des Flüssigkristalles infolge der Datenleitung und der Gateleitung müssen minimiert werden. Dies soll im folgenden näher erläutert werden.

Zunächst ist das Öffnungsverhältnis ein Verhältnis einer Flä­ che, die Licht durchdringt, zu einer Gesamtfläche des Pixels, und die Elemente, die Licht nicht übertragen können, umfassen unter den Elementen in der Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtung einen Dünnfilmtransistor, eine Gateleitung, eine Datenleitung, einen Speicherkondensator und eine Schwarzmatrix. Daher muß zum Erhöhen des Öffnungsverhältnisses die Gesamtfläche der Elemen­ te, die das Öffnungsverhältnis vermindert, herabgesetzt werden.

Die Methode zum Verringern der Fläche umfaßt ein Verfahren zum Vermindern der Leitungsbreite der Elemente, damit das Öffnungs­ verhältnis und der Abstand durch Auslegen des Herstellungspro­ zesses reduziert werden, indem ein Übersprechen infolge kapazi­ tiver Kopplung und Justiertoleranz vermindert wird, ein Verfah­ ren, bei dem Teile zum Vermindern des Öffnungsverhältnisses überlappend vermindert werden (beispielsweise die für eine Elektrode eines Speicherkondensators eingesetzte Schwarzmatrix) und ein Verfahren, bei dem ein Material für die Teile zum Ab­ senken des Öffnungsverhältnisses aus einem Material zusammenge­ setzt ist, das von Licht durchsetzt werden kann.

Sodann kann zum Vermindern einer Veränderung (ΔV_p) der Flüssig­ kristallspannung, die aufgrund eines Übersprechens infolge ei­ ner kapazitiven Kopplung und einer Abweichung oder Deklination des Flüssigkristalles infolge der Datenleitung und der Gatelei­ tung verursacht ist, ein Verfahren zum Erweitern eines Abstan­ des jedes Elementes und zum elektrischen Abschalten jedes Ele­ mentes vorgeschlagen werden; jedoch wird das zuerst genannte Verfahren nicht bevorzugt, da das Öffnungsverhältnis dadurch vermindert wird.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die einen Aufbau eines Pixels in einer herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit ei­ nem Dünnfilmtransistor gemäß dem Stand der Technik zeigt. In dem Pixel nimmt der Speicherkondensator einschließlich einer gemeinsamen Elektrode 41 und einer Speicherelektrode 43, die mit der Pixelelektrode verbunden sind, eine große Fläche ein, was zu einer Reduzierung des Öffnungsverhältnisses führt.

Die Fig. 2A und 2B sind Schnittdarstellungen der Flüssigkri­ stall-Anzeigevorrichtung mit dem Dünnfilmtransistor, der so ausgelegt ist, daß er die kapazitive Kopplung zwischen der Da­ tenleitung und der Pixelelektrode vermindern kann, indem eine Speicherkondensator unter Verwendung einer Schwarzmatrix gebil­ det wird, um die Probleme der Verringerung des Öffnungsverhält­ nisses zu lösen.

Wie in einem Layout in Fig. 2A gezeigt ist, werden auf einer A'-Seite eine Drainelektrode 61 und eine Sourceelektrode 63 ge­ bildet, um einen Dünnfilmtransistor an beiden Rändern einer ak­ tiven Schicht 56 zu umfassen, von der ein vorbestimmter Teil mit einer Gateleitung 51 überlappt ist, und auf einer A-Seite werden eine Datenleitung 65, die mit der Drainelektrode 61 ver­ bunden ist, und eine Pixelelektrode 59, von der ein vorbestimm­ ter Teil mit einem vorbestimmten Teil der Sourceelektrode über­ lappt ist, erzeugt, um durch eine Speicherelektrode 53 abge­ schnitten zu werden.

Fig. 2B ist ein Längsschnitt längs der Linie A-A' in Fig. 2A. Wie in dieser Zeichnung gezeigt ist, umfaßt die mit einem Dünn­ filmtransistor eine Gateleitung 51, die gemustert ist, nachdem metallisches Material auf ein Substrat (nicht gezeigt) aufge­ tragen wurde, eine Speicherelektrode 53, die gemustert ist, nachdem ein leitendes Material, das Licht abschirmen kann, auf das Substrat unter einem vorbestimmten Abstand von der Ga­ teelektrode 51 aufgetragen wurde, einen ersten Isolierfilm 55 zum Isolieren der Gateelektrode 51 und der Speicherelektrode 53 von einer oberen Struktur, eine aktive Schicht 56, die gemu­ stert ist, nachdem amorphes Silizium (a-Si) auf den ersten, auf der Gateelektrode ausgebildeten Isolierfilm aufgetragen wurde, einen Antiätzfilm 57, um zu verhindern, daß die aktive Schicht 56 in einem Ätzprozeß zum Bilden der Drainelektrode und der Sourceelektrode 63 in einem folgenden Prozeß geätzt wird, indem eine Photoätzmaske auf einem zweiten Isolierfilm erzeugt und der zweite Isolierfilm geätzt wird, nachdem der zweite Isolier­ film aufgetragen wurde, um eine vorbestimmte Dicke auf der sich ergebenden Oberfläche nach Bildung der aktiven Schicht 56 zu haben, Drain/Source-Kontaktteile 58, 58', die an beiden Rändern der aktiven Schichten 56 gebildet sind, indem amorphes Silizi­ um, in welches ein Fremdstoff dotiert ist, auf der gesamten, sich ergebenden Oberfläche nach Bildung des Antiätzfilmes 57 aufgetragen und die sich ergebende Oberfläche mittels eines Maske geätzt wird, eine Pixelelektrode 59, von der ein vorbe­ stimmter Teil durch die Speicherelektrode 53 überlappt ist, in­ dem eine Musterung vorgenommen wird, nachdem eine vorbestimmte Dicke eines transparenten leitenden Materials (beispielsweise ITO; Indiumzinnoxid) auf der gesamten sich ergebenden Oberflä­ che abgeschieden wurde, eine Drainelektrode 61, die gebildet ist, um mit dem Drainbereich 58 verbunden zu sein, der an dem linken Rand der aktiven Schicht 56 in der Zeichnung gelegen ist, indem eine Musterung ausgeführt wird, nachdem ein leiten­ des Material auf der gesamten, sich ergebenden Oberfläche mit der aktiven Schicht 56 und der darauf gebildeten Pixelelektrode abgeschieden wurde, eine Sourceelektrode 63, von der ein vorbe­ stimmter Teil mit dem Sourcekontaktteil 58', der an dem rechten Rand der aktiven Schicht 56 gelegen ist, und einem vorbestimm­ ten Teil der Pixelelektrode 59 verbunden ist, und eine Daten­ leitung 65, die so gebildet ist, daß sie von der Pixelelektrode 59 um einen vorbestimmten Abstand beabstandet ist, indem eine Musterbildung vorgenommen wird, nachdem ein leitendes Material auf dem ersten Isolierfilm 55 abgeschieden wird, der auf der Speicherelektrode 53 ausgebildet ist.

Hier liefert, wie in Fig. 2A gezeigt ist, die Speicherelektrode 53 eine Kapazität aufgrund einer Überlappung mit der Pixelelek­ trode 59 und schneidet die Pixelelektrode 59 und die Datenlei­ tung 65 um einen vorbestimmten Teil ab, um so zu einer Vermin­ derung einer dazwischen erzeugten parasitären Kapazität zu füh­ ren.

Da jedoch in dem Fall einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor mit dem obigen Aufbau ein vorbe­ stimmter Abstand 70 aufrechterhalten werden muß, so daß die Da­ tenleitung 65 und die Pixelelektrode 59 nicht kurzgeschlossen werden können, wird das Öffnungsverhältnis bei einem klein be­ messenen Pixel vermindert, und da, wie in Fig. 2A gezeigt ist, die Speicherelektrode 53 nicht vollständig die Datenleitung 65 und die Pixelelektrode 53 abschneiden kann, kann ein durch die parasitäre Kapazität zwischen der Datenleitung 65 und der Pixe­ lelektrode 59 verursachtes Übersprechen nicht vollständig aus­ geschlossen werden. Weiterhin wird ein Übersprechen aufgrund der parasitären Kapazität zwischen der Gateleitung 51 und der Pixelelektrode 59 erzeugt, was zu einer Verminderung der Bild­ qualität führt.

Fig. 3A ist eine Draufsicht, die eine andere Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor mit einem darin angeordneten ITO-Abschirmkondensator gemäß dem Stand der Tech­ nik zeigt. Das Öffnungsverhältnis ist viel stärker verbessert, indem eine Speicherelektrode und eine Pixelelektrode auf einem oberen Teil einer Datenleitung gestapelt sind und indem insbe­ sondere die Speicherelektrode mittels eines transparenten ITO gebildet wird.

Wie in Fig. 2A in Einzelheiten gezeigt ist, ist der Teil, in welchem die Pixelelektrode 59 und die Speicherelektrode 53 überlappt sind, nicht in einer Öffnungsfläche 69 enthalten, je­ doch kann in Fig. 3 gesehen werden, daß das Öffnungsverhältnis erhöht ist, da der Teil, in welchem eine Pixelelektrode 93 und eine Speicherelektrode 89 überlappt sind, auch als eine Öff­ nungsfläche 97 verwendet wird, die Licht durchdringen kann.

Das heißt, die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung umfaßt, wie in Fig. 3B gezeigt ist, eine Gateelektrode 71, die gemustert ist, nachdem ein metallisches Material auf einem (nicht gezeig­ ten) Substrat aufgetragen bzw. abgeschieden wurde, einen ersten Isolierfilm 73 zum Isolieren der Gateelektrode 71 von einer oberen Struktur, eine aktive Schicht 75, die gemustert ist, nachdem amorphes Silizium (a-Si) auf den ersten Isolierfilm 73 angewandt wurde, der auf der Gateelektrode 71 ausgebildet ist, einen Antiätzfilm 77, um zu verhindern, daß die aktive Schicht 75 in einem Ätzprozeß zum Bilden der Drainelektrode und der Sourceelektrode 83 in einem folgenden Prozeß geätzt wird, indem eine Photoätzmaske auf einem zweiten Isolierfilm erzeugt und der zweite Isolierfilm mittels der Maske geätzt wird, nachdem der zweite Isolierfilm auf der gesamten sich ergebenden Ober­ fläche nach der Bildung der aktiven Schicht 75 abgeschieden oder aufgetragen wurde, um eine vorbestimmte Dicke anzunehmen, einen Drain/Source-Kontaktteil 79, 79', der an beiden Rändern der aktiven Schicht 75 gebildet ist, indem amorphes Silizium, in welchem ein Fremdstoff dotiert ist, auf die gesamte Oberflä­ che der sich ergebenden Struktur nach Bildung des Antiätzfilmes 77 angewandt und dieses mittels einer Maske geätzt wird, eine Drainelektrode 81, die gebildet ist, um mit dem Drainkontakt­ teil 79 verbunden zu sein, der an dem linken Rand der aktiven Schicht 75 in der Zeichnung gelegen ist, indem eine Musterbil­ dung mittels einer vorbestimmten Maske ausgeführt wird, nachdem ein leitendes Material auf die gesamte sich ergebende Oberflä­ che nach Bildung der Drain/Source-Kontaktteile 79, 79. ange­ wandt wird, eine Sourceelektrode 83, die gebildet wird, um mit dem Source-Kontaktteil 79' verbunden zu sein, der an dem rech­ ten Rand der aktiven Schicht 75 gelegen ist, eine Datenleitung 85, die auf einer A-Seite ausgebildet ist, um von der Sour­ ceelektrode 83 um einen vorbestimmten Abstand entfernt zu sein, einen dritten Isolierfilm 87 zum Isolieren der Drainelektrode 81, der Sourceelektrode 83 und der Datenleitung 85 von einer oberen Struktur, eine Speicherelektrode 89, die an einem oberen Teil der Datenleitung 85 ausgebildet ist, indem eine Musterbil­ dung ausgeführt wird, nachdem ein ITO auf dem dritten Isolier­ film 87 abgeschieden oder aufgetragen wurde, um eine vorbe­ stimmte Dicke anzunehmen, einen vierten Isolierfilm 91 zum Iso­ lieren der Speicherelektrode 89 von der oberen Struktur und ei­ ne Pixelelektrode 93, die gebildet ist, um mit der Sourceelek­ trode 83 verbunden und mit der Speicherelektrode 89 überlappt zu sein, indem eine vorbestimmte Dicke an ITO nach Ätzen der dritten und vierten Isolierfilme 87, 91 und Ausführen einer Mu­ sterbildung abgeschieden oder aufgetragen wird.

Im Fall der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem Dünn­ filmtransistor gemäß Fig. 3 werden durch Bilden der Speichere­ lektrode aus einem ITO auf der Datenleitung und Stapeln der aus einem ITO zusammengesetzten Pixelelektrode darauf alle Teile der Pixelelektrode mit Ausnahme der Teile, die mit der Daten­ leitung und der Sourceelektrode überlappt sind, als eine Öff­ nung verwendet, um ein Öffnungsverhältnis zu erhöhen; jedoch führt dies zu einer Verminderung im Durchlaßverhältnis von Licht, da zwei ITO-Schichten mit einem niedrigeren Durchlaßver­ hältnis von Licht als der Isolierfilm aufgetragen oder abge­ schieden werden.

Aus DE 44 07 043 A1 ist eine Flüssigkristall-Anzeigevorrich­ tung, die ein hohes Öffnungsverhältnis aufweist, sowie ein Ver­ fahren zur Herstellung derselben bekannt. Hier wird ein hohes Öffnungsverhältnis erreicht, in dem eine Speicherelektrode auf einem transparenten Träger so gebildet wird, daß sie eine zuge­ hörige Pixelelektrode ringförmig umgibt, seitlich von entspre­ chenden, auf dem Träger gebildeten Gate-Elektroden beabstandet ist und von einer entsprechenden Signalleitung teilweise be­ deckt wird.

Die in EP 0 595 363 A1 offenbarte Flüssigkristall-Anzeige­ vorrichtung bietet neben einem hohen Öffnungsverhältnis auch einen verbesserten Schutz von lichtempfindlichen Schalteinrich­ tungen einer derartigen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. Um dies zu erreichen, wird hier eine lichtundurchlässige Spei­ cherelektrode auf einer Glasplatte gebildet, die vollständig von entsprechenden Gate- und Datenleitungen sowie teilweise von einer entsprechenden Pixelelektrode bedeckt wird.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbes­ serte LCD-Vorrichtung eines Dünnfilmtransistors zu schaffen, die ein Öffnungsverhältnis zu erhöhen, ein Übersprechen zu ver­ mindern und dadurch eine Abweichung oder Deklination eines Flüssigkristalles auszuschließen vermag, um so die Bildqualität zu verbessern. Außerdem soll ein verbessertes Herstellungsver­ fahren für eine LCD-Vorrichtung eines Dünnfilmtransistors ange­ geben werden, das die LCD-Vorrichtung des Dünnfilmtransistors wirksam zu erzeugen vermag.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit den Merkmalen des Pa­ tentanspruchs 1 bzw. ein Verfahren mit den Merkmalen des Pa­ tentanspruches 2 vor.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher er­ läutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht einer Flüssigkristall-Anzeige­ vorrichtung eines Dünnfilmtransistors gemäß dem Stand der Technik,

Fig. 2A eine Draufsicht einer Flüssigkristall-Anzeigevor­ richtung eines Dünnfilmtransistors mit einem gemäß dem Stand der Technik vorgesehenen Abschirmkondensa­ tor und

Fig. 2B einen Längsschnitt entlang einer Linie AA' in Fig. 2A,

Fig. 3A eine Draufsicht einer anderen Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung eines Dünnfilmtransistors mit ei­ nem ITO-Abschirmkondensator gemäß dem Stand der Tech­ nik und

Fig. 3B einen Längsschnitt entlang der Linie AA' in Fig. 3A,

Fig. 4A eine Draufsicht einer Flüssigkristall-Anzeigevor­ richtung eines Dünnfilmtransistors gemäß der vorlie­ genden Erfindung und

Fig. 4B einen Längsschnitt entlang der Linie AA' in Fig. 4A und

Fig. 5A bis 5J Längsschnitte, die ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung eines Dünn­ filmtransistors gemäß der vorliegenden Erfindung zei­ gen.

Anhand der beigefügten Zeichnungen wird die vorliegende Erfin­ dung nunmehr in Einzelheiten näher beschrieben.

Wie in der Fig. 4A gezeigt ist, umfaßt eine Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung eine Speicherelektrode 121 aus einem Materi­ al, das lichtundurchlässig ist und als Schwarzmatrix verwendet werden kann, und die Speicherelektrode 121 trennt eine Pixel­ elektrode 125 und eine Datenleitung 117 sowie die Pixelelektro­ de 125 und eine Gateleitung 101 vollständig, um die Erzeugung eines Übersprechens infolge einer parasitären Kapazität zu ver­ hindern und eine Abweichung oder Deklination eines Flüssigkri­ stalles infolge der Datenleitung 117 und der Gateleitung 101 auszuschließen. Eine obere Platte hiervon umfaßt eine gemeinsa­ me Elektrode und einen Farbfilter.

Das heißt, eine Dünnfilmtransistor-(TFT-)Seite umfaßt, wie in Fig. 4B gezeigt ist, in der unteren Platte eine Gateleitung 101, einen ersten Isolierfilm 103 zum Isolieren der Gateleitung 101 von einer oberen Struktur, eine aus amorphen Silizium oder polykristallinem Silizium gebildete aktive Schicht 105 auf der auf der Gateleitung 101 ausgebildeten ersten Isolierschicht 103, Source/Drainelektroden 115, 113, die auf Source/Drain­ kontaktteilen 111, 109' ausgebildet sind, welche an beiden Rän­ dern der aktiven Schicht 105 angeordnet sind, einen zweiten Isolierfilm 119, der so ausgebildet ist, daß er die gesamte Oberfläche der Drainelektrode 113 und einen vorbestimmten Teil der Sourceelektrode 115 bedeckt, wobei die Speicherelektrode 121 auf dem zweiten Isolierfilm 119 vorgesehen ist, und einen dritten Isolierfilm 123, der auf der Oberseite der Speichere­ lektrode 121 angeordnet ist. Die restlichen Teile mit Ausnahme des TFT umfassen die Datenleitung 117, die mit der Drainelek­ trode 113 verbunden ist, den zweiten Isolierfilm 119, der auf der Datenleitung 117 ausgebildet ist, die Speicherelektrode 121, die auf einem oberen Teil der Datenleitung 117 und einem oberen Teil der Gateleitung 101 und dem TFT ausgebildet ist, einen dritten Isolierfilm 123, der auf der gesamten Oberfläche der Struktur einschließlich des zweiten Isolierfilmes 119 und der Speicherelektrode 121 ausgebildet ist, und eine Pixelelek­ trode 125, von der ein vorbestimmter Teil mit der Sourceelek­ trode 115 verbunden und so ausgebildet ist, daß ein vorbestimm­ ter Teil der Gateleitung 101 und die gesamte Oberfläche der Da­ tenleitung 117 bedeckt sind. Hier dient die Speicherelektrode 121 auch als eine Schwarzmatrix.

Anhand der Fig. 5A bis 5J wird nunmehr ein Herstellungsverfah­ ren für die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung näher erläutert.

Zunächst wird, wie in Fig. 5A gezeigt ist, ein leitendes Mate­ rial bis zu einer vorbestimmten Dicke auf einem Halbleitersub­ strat 100 aus Glas oder Quarz aufgetragen, ein Photoresist wird darauf geschichtet, und sodann wird das Photoresist gemustert, um eine Photoätzmaske zu bilden. Sodann wird eine Gateleitung 101 durch Ätzen des leitenden Materials mittels der Photoätz­ maske erzeugt.

Wie in den Fig. 5B und 5C gezeigt ist, wird ein nicht leitendes Material auf die sich ergebende gesamte Oberfläche nach der Bildung der Gateleitung 101 aufgetragen, um den ersten Isolier­ film 103 zu bilden, und sodann wird polykristallines Silizium oder amorphes Silizium zur Anwendung gebracht, um auf dem er­ sten Isolierfilm 103 eine vorbestimmte Dicke anzunehmen. Dann wird mit dem gleichen Verfahren wie in Fig. 5A eine vorbestimm­ te Dicke der Photoätzmaske erzeugt und durch Ätzen des Silizi­ ums mittels der Maske wird eine aktive Schicht 105 auf dem er­ sten Isolierfilm 103 in einem Bereich der Gateleitung 101 ge­ bildet.

Wie in Fig. 5D gezeigt ist, wird nach der Bildung der aktiven Schicht 105 eine vorbestimmte Dicke eines Siliziumnitrits (SiN) als ein Isoliermaterial auf der gesamten sich ergebenden Ober­ fläche aufgetragen oder abgeschieden, und eine vorbestimmte Photoätzmaske wird auf der Siliziumnitritschicht gebildet. Durch Ätzen des Siliziumnitrits mittels der Maske in einem Ätz­ prozeß zur Bildung der Drainelektrode 113 und der Sourceelek­ trode 115 in einem folgenden Prozeß wird ein Antiätzfilm 107 erzeugt, um ein Ätzen der aktiven Schicht 105 zu verhindern.

Wie in Fig. 5E gezeigt ist, werden nach der Bildung der An­ tiätzfilmes 107 durch Anwendung von Silizium, in welches ein Fremdstoff dotiert ist, auf die sich ergebende gesamte Oberflä­ che und Ätzen des Siliziums mittels einer vorbestimmten Photo­ ätzmaske die Drain/Source-Kontaktteile 109, 111 gebildet, um in Kontakt mit beiden Rändern der aktiven Schicht 105 zu sein.

Wie in Fig. 5F gezeigt ist, werden Drain/Source-Elektroden 113, 115, die jeweils in Kontakt mit den Rändern der aktiven Schicht 105 und den Drain/Source-Kontaktteilen 109, 111 sowie einer Da­ tenleitung 117 sind, die von der Source-Elektrode 115 durch ei­ nen vorbestimmten Abstand entfernt ist, erzeugt, indem leiten­ des Material auf der sich ergebenden gesamten Oberfläche zur Anwendung gebracht und die abgeschiedene leitende Material­ schicht mittels einer vorbestimmten Photoätzmaske einer Muster­ bildung unterworfen wird, nachdem die Drain/Source-Kontaktteile 109, 111 erzeugt wurden.

Wie in den Fig. 5G und 5H gezeigt ist, wird nach der Bildung der Datenleitung 117 der zweite Isolierfilm 119 durch Abschei­ den oder Auftragen eines Isoliermaterials auf die sich ergeben­ de gesamte Oberfläche bis zu einer vorbestimmten Dicke gebil­ det. Dann wird leitendes Material, das lichtundurchlässig ist, auf den zweiten Isolierfilm 119 aufgetragen, um eine Photoätz­ maske auf dem leitenden Material zu erzeugen. Die Speicherelek­ trode 121 wird auf einem Teil entsprechend der Gateleitung 101 und auf dem zweiten Isolierfilm 119 und dem entsprechend der Datenleitung 117 gelegenen TFT gebildet, indem die abgeschiede­ ne oder aufgetragene leitende Materialschicht mittels der Maske geätzt wird.

Wie in den Fig. 5I und 5J gezeigt ist, wird nach der Bildung der Speicherelektrode 121 das dritte Isoliermaterial 123 gebil­ det, indem Isoliermaterial bis zu einer vorbestimmten Dicke auf die sich ergebende gesamte Oberfläche aufgetragen wird, und ei­ ne vorbestimmte Dicke der Photoätzmaske wird auf dem dritten Isolierfilm 123 erzeugt. Durch selektives Ätzen des dritten oder zweiten Isoliermaterials 123 oder 119 mittels der Maske wird ein Kontaktteil gebildet, so daß ein vorbestimmter Teil des Sourcebereiches 115 freigelegt wird, und ITO wird auf der sich ergebenden Gesamtoberfläche abgeschieden, um die Pixele­ lektrode 125 in Berührung mit der Sourceelektrode 115 über dem Kontaktteil zu bilden, wobei ein vorbestimmter Teil der Gate­ leitung 101 und der Datenleitung 117 bedeckt wird.

Die vorliegende Erfindung kann auf einen Oberseiten-Gate-Typ (TG) sowie auf einen Boden-Gate-Typ (BG) angewandt werden, wie dieser in den Zeichnungen der vorliegenden Erfindung (vergl. Fig. 5A bis 5J) gezeigt ist.

Wie oben in Einzelheiten erläutert ist, schaltet durch Zwi­ schenlegen einer Speicherelektrode aus einem leitenden Materi­ al, das eine Lichtausbreitung zwischen der Datenleitung und der Pixelelektrode und zwischen der Gateleitung und der Pixelelek­ trode verhindern kann, die Speicherelektrode die Datenleitung und die Pixelelektrode und die Gateleitung und die Pixelelek­ trode ab, um eine dazwischen erzeugte parasitäre Kapazität mög­ lichst klein zu machen, damit ein durch die parasitäre Kapazi­ tät erzeugtes Übersprechen verhindert wird, und durch Steigern eines Öffnungsverhältnisses ohne Absinken des Durchlässigkeits­ verhältnisses von Licht kann eine hervorragende Bildqualität erzielt werden.

Claims (2)

1. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, umfassend:

• 1. einen Dünnfilmtransistor mit einer Gateleitung (101), an der eine Ansteuerspannung liegt, und Source/Drainelektroden (115, 113), die über einem Kanal leitend verbunden sind, wenn der Ka­ nal in Abhängigkeit von der Ansteuerspannung in dem Dünnfilm­ transistor ausgebildet wird, und
• 2. eine Datenleitung (117), die von der Sourceelektrode (115) in einem vorbestimmten Abstand isoliert angebracht und mit der Drainelektrode (113) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß
• 3. eine aus einem lichtundurchlässigen Material bestehende Speicherelektrode (121) die Gateleitung (101) und die Datenlei­ tung (117) vollständig bedeckt, wobei die Speicherelektrode (121) in einem Bereich zwischen einer Pixelelektrode (125) und der Gateleitung (101) sowie in einem Bereich zwischen der Pixel­ elektrode (125) und der Datenleitung (117) angebracht ist, um eine Lichtausbreitung zwischen der Pixelelektrode (125) und der Gateleitung (101) sowie zwischen der Pixelelektrode (125) und der Datenleitung (117) zu verhindern.

2. Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristall-Anzeigevor­ richtung, die einen Dünnfilmtransistor mit einer Gateleitung (101), an der eine Ansteuerspannung liegt, und Source/Drainelek­ troden (115, 113), die über einen Kanal leitend verbunden sind, wenn der Kanal in Abhängigkeit von der Ansteuerspannung in dem Dünnfilmtransistor gebildet wird, und eine Datenleitung (117) aufweist, die von der Sourceelektrode (115) in einem vorbestimm­ ten Abstand isoliert angebracht und mit der Draineelektrode (113) verbunden ist, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:

• 1. Bilden einer Gateleitung (101) auf einem Halbleiter- Substrat (100),
• 2. Bilden eines ersten Isolierfilms (103) auf der Gateleitung (101) und dem Halbleitersubstrat (100),
• 3. Bilden einer aktiven Schicht (105) auf dem ersten Isolier- Film (103) in einem Bereich der Gateleitung (101),
• 4. Ausbilden der Source/Drainelektroden (115, 113) und der Datenleitung (117) auf dem ersten Isolierfilm (103),
• 5. Bilden eines zweiten Isolierfilms (119) durch Abscheiden ei­ nes Isoliermaterials auf der gesamten Oberfläche, die von dem ersten Isolierfilm (103), den Source/Draineelektroden (115, 113) und der Datenleitung (117) gebildet wird,
• 6. Ausbilden einer Speicherelektrode (121) auf dem zweiten Iso­ lierfilm (119) in Bereichen oberhalb der Gateleitung (101) und der Datenleitung (117),
• 7. Freilegen eines Teils der Sourceelektrode (115) durch selektives Ätzen,
• 8. Ausbilden einer Pixelelektrode (125) auf dem zweiten Iso­ lierfilm (119) in Bereichen oberhalb der Datenleitung (117) und lateral zwischen der Datenleitung (117) und der Sourceelektrode (115) sowie auf dem freigelegten Bereich der Sourceelektrode (115), um die Pixelelektrode (125) mit der Sourceelektrode (115) elektrisch zu verbinden,
• 9. Abscheiden eines transparenten leitenden Materials auf der Oberfläche, die von dem zweiten Isolierfilm (119) und der Pixel­ elektrode (125) gebildet wird, und
• 10. Mustern des transparenten leitenden Materials.