JPH0261073A - 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸性の無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方
法に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来よ
り、電子部品等に半田付は性などの点から無電解錫めっ
きを施すことが行われているが、この場合電子部品等の
めっき不要箇所をマスキングし、必要箇所のみをめっき
する部分めっきがなされることが多い。かかる部分めっ
きを行なう場合、特に電子部品のめっきにおいてはマス
キング精度が強く要求され、これに対応して種々のマス
キング剤、マスキング方法が開発されているが、一般に
マスキング剤はアルカリ性に弱く、アルカリ性のめっき
浴でめっきを行なうとマスキング膜が剥離を起こすこと
があり、また電子部品等の素材が多様化していることに
より、耐アルカリ性の悪い素材も増え、このためかかる
部分めっき用のめっき浴として酸性タイプのものが望ま
れている。

従来、酸性の無電解錫めっき浴としては、塩化浴、硫酸
浴などが知られているが、これらの浴から得られる錫析
出物はその粒子が比較的粗く、また析出速度も遅いとい
う問題があり、従って微細で緻密な粒子の無電解錫めっ
き皮膜を与える酸性タイプのめっき浴が要求される。

なお従来、アルカリ性の無電解錫めっき浴として、有機
スルホン酸類を３価のチタンイオンと共に用いた浴が知
られている（特公昭５９−３４２２９号公報）が、この
ようなアルカリ性の無電解錫めっき浴は上述したように
耐アルカリ性の弱いマスキング剤を用いた部分めっき、
耐アルカリ性の弱い素材に対しては適用し難い。

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、均一で微細
な粒子の錫析出物を与え、かつ良好な析出速度を有する
酸性の無電解錫めっき浴及び該無電解錫めっき浴を用い
た無電解錫めっき方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者らは、
上記目的を達成するため種々検討を行なった結果、酸と
して置換又は未置換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシ
アルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びナフタレ
ンスルホン酸から選ばれる１種以上の有機スルホン酸を
使用すると共に、２価−の錫塩としてこれら有機スルホ
ン酸の塩を使用し、かつチオ尿素を添加し、更にこれら
の成分を含む浴に水溶性ジルコニウム塩を添加すること
により、この浴から析出した錫皮膜は粒子が均一かつ微
細で、外観の良好な緻密な析出状態を有し、しかも析出
速度も比較的良好であることを見い出し、本発明をなす
に至ったものである。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

本発明に係る無電解錫めっき浴は、置換又は未置換のア
ルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸及びナフタレンスルホン酸から選ばれ
る１種以上の有機スルホン酸、これらスルホン酸の２価
の錫塩、チオ尿素、水溶性ジルコニラ・ム塩を含有して
なるものである。

ここで、未置換のアルカンスルホン酸としてはＣｎ　Ｈ
２ｎ　＋　ｘ　Ｓ　Ｏ３Ｈ （但し、ｎは１〜５、好ましくは１又は２である）で示
されるものが使用でき、未置換のヒドロキシアルカンス
ルホン酸としては ○Ｈ Ｃ，ｌ、Ｈ，、ヤ１−ＣＨ−Ｃ，Ｈ，，＋、−５ｏ３Ｈ
（但し、ｍは０〜２、Ｑは１〜３である）で示されるも
のが使用できる。また、置換アルカンスルホン酸、ヒド
ロキシアルカンスルホン酸としてはそのアルキル基の水
素原子の一部がハロゲン原子、アリール基、アルキルア
リール基、カルボキシル基、スルホン酸基などで置換さ
れたものが使用できる。一方、ベンゼンスルホン酸、ナ
フタレンスルホン酸は、下記式 で示されるものであるが、置換ベンゼンスルホン徴、ナ
フタレンスルホン酸としては、ベンゼン環、ナフタレン
環の水素原子の一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、カルボキシル基、ニトロ基。

メルカプト基、アミノ基、スルホン酸基などで置換され
たものが使用できる。

具体的には、本発明で好適に使用し得る有機カルボン酸
として、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパ
ンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホ
ン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ク
ロルプロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−
スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸
、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロ
キシペンタンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スル
ホ酢酸、２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホこは
く酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンス
ルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、
ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサ
ルチル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノー
ルスルホン酸などが例示され、これらの１種又は２種以
上を組み合せて用いることができる。

本発明のめっき浴は上述した有機スルホン酸とこれら有
機スルホン酸の２価の錫塩とを含むものであり、この場
合酸と錫塩とで有機スルホン酸の種類が相違していても
よいが、同じである方が好ましい。なお、有機スルホン
酸の２価の錫塩は、過剰の有機スルホン酸を用い、これ
に他の２価の錫塩を添加して、めっき浴中で有機スルホ
ン酸の２価の錫塩を形成するようにしてもよい。

上記有機スルホン酸の使用量は、めっき浴１１２当り２
０〜３０ｏｇ、特に５０〜１５０ｇとすることが好まし
く、また２価の錫塩は錫イオンとして１０〜５０ｇ、特
に１０〜３０ｇとすることが好ましい。この場合、有機
スルホン酸と２価の錫イオンとの割合は１〜１０：１、
特に３〜７：１程度とすることが好適である。

本発明で用いるチオ尿素は錯化剤といった作用を有する
もので、その使舟量はめっき浴ＩＱ当り３０〜１３０ｇ
、特に５０〜１１０ｇとすルコトが好ましい。

本発明のめっき浴には、更に水溶性ジルコニウム塩を添
加するもので、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一
で微細な粒子の析出皮膜を形成することができる。この
場合、水溶性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム
、ジルコニウムアセチルアセトネート等を用いることが
でき、その使用量はジルコニウムイオンとして１０〜１
０００■／Ｑ、特に５０〜２００■／Ｑとすることが有
効である。ジルコニウム量が少なすぎると無電解錫めっ
き皮膜粒子の微細化効果が十分発揮されない場合があり
、多すぎると析出スピードが低下する場合が生じる。

なお、本発明のめっき浴は酸性であり、特にｐＨ０，２
〜１．５、より望ましくは０．５〜０．９であることが
好ましい。

上述しためづき浴を用いて無電解錫めっきを行なう場合
、その温度は６０〜９０℃、特に６５〜８０”Ｃが好ま
しい。この場合、被めっき物は適宜選定され、例えば銅
、銅合金などの無電解錫めっきに好適に用いられる。な
お、めっきに際し、必要により撹拌を行なうこともでき
る。

次に、実施例により本発明を具体的に説明するが１本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。

〔実施例〕

下記組成の無電解錫めっき浴を調製した。

メタンスルホン酸　　　　　　１００　ｇ　／　Ｑチオ
尿素　　　　　　　　　　　８０　ｇ　／　Ｑ硝酸ジル
コニウム　　　　　　１００■／ＱｐＨ０，８ 次に、常法により前処理した銅板に上記めっき浴を用い
て７０℃でめっきを行なった。

得られた無電解錫めっき皮膜の外観は均一な銀白色を示
し、顕微鏡でａ察したところ、参考写真１に示すように
粒子は微細で均一であった。

また、析出速度は３分で０．５声、３０分で１．３ｐで
あった。

比較のため、硝酸ジルコニウムを添加しない以外は上記
と同様の組成のめっき浴を用いてめっきを行なった。得
られた無電解錫めっき皮膜は参考写真２に示すような粗
大な粒子を含むものであった。

なお、参考写真１，２はいずれも倍率４０倍の顕微鏡写
真である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば均一で微細な粒子
からなる緻密な無電解錫めっき皮膜を酸性浴から形成す
ることができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、置換又は未置換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシ
   アルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びナフタレ
   ンスルホン酸から選ばれる１種以上の有機スルホン酸、
   これらスルホン酸の２価の錫塩、チオ尿素、水溶性ジル
   コニウム塩を含有してなることを特徴とする無電解錫め
   っき浴。 ２、請求項１記載の無電解錫めっき浴を用いて被めっき
   物を無電解錫めっきすることを特徴とする無電解錫めっ
   き方法。