JPH02217478A - 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品における銅回路を形成するためのエ
ツチングレジスト、半田付け、金とのボンディングを行
なう場合などに好適に用いられる酸性の無電解錫めっき
浴及び無電解錫めっき方法に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来よ
り、電子部品等に半田付は性などの点から無電解錫めっ
きを施すことが行なわれているが、この場合電子部品等
のめっき不要箇所をマスキングし、必要箇所のみをめっ
きする部分めっきがなされることが多い。かかる部分め
っきを行なう場合、特に電子部品のめっきにおいてはマ
スキング精度が強く要求され、これに対応して種々のマ
スキング剤、マスキング方法が開発されているが。

一般にマスキング剤はアルカリ性に弱く、アルカリ性の
めっき浴でめっきを行なうとマスキング膜が剥離を起こ
すことがあり、また電子部品等の素材が多様化している
ことにより、耐アルカリ性の悪い素材も増え、このため
かかる部分めっき用のめっき浴として酸性タイプのもの
が望まれている。

従来、酸性の無電解錫めっき浴としては、錫イオンと、
錫を溶解するための酸と、チオ尿素から構成されるが、
錫は両性金属であるという性質から、不均化反応等によ
り金属錫、水酸化錫等の不溶性化合物が経時的に形成さ
れ、沈殿を生成する問題があり、浴の安定性が悪いとい
う欠点を有している。また、従来の酸性無電解錫めっき
浴は。

析出速度が遅いという問題もある。

本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、
経時による錫の不溶性化合物の生成が可及的に防止され
、かつ良好な析出速度を有する酸性の無電解錫めっき浴
及び該無電解錫めっき浴を用いた無電解錫めっき方法を
提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は、上
記目的を達成するため種々検討を行なった結果、２価の
錫イオンと、有機スルホン酸、有機カルボン酸及びホウ
フッ酸から選ばれる１種以上の酸と、チオ尿素とを含有
する無電解錫めっき浴に過塩素酸又は過塩素酸化合物を
添加することにより、浴が安定化され、経時により錫の
不溶性化合物が生成し、沈殿することが可及的に防止さ
れ、しかも析出速度も向上することを知見し、本発明を
なすに至った。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

本発明に係る無電解錫めっき浴は、２価の錫イオンと、
有機スルホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選
ばれる１種以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩
素酸化合物から選ばれる１種以上の化合物とを含有して
なるものである。

ここで、２価の錫イオンを供給する錫源としては種々選
択し得１例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、更に有機スル
ホン酸錫、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫などを挙げ
ることができる。なお、浴中の２価の錫イオン量は１０
〜５０　ｇ　／　Ｑ、特に１０〜３０　ｇ　／　Ｑとす
ることが好ましい。

また１本発明浴に用いる酸は、有機スルホン酸。

有機カルボン酸、ホウフッ酸であるが、有機スルホン酸
としては、アルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
やこれらの水素原子の一部が水酸基、ハロゲン原子、ア
ルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、メルカプト基、
アミノ基、スルホン酸基などで置換されたものが使用で
きる。具体的には、本発明で好適に使用し得る有機スル
ホン酸として、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、
プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、クロルプロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン
−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スル
ホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−
ヒドロキシペンタンスルホン酸、アリルスルホン酸、２
−スルホ酢酸、２−又は３−スルホプロピオン酸、スル
ホコハク酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベン
ゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホ
ン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ス
ルホサリチル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フ
ェノールスルホン酸などを挙げることができる。

また有機カルボン酸としては、酒石酸、リンゴ酸、クエ
ン酸、コハク酸、グルコン酸などが使用される。

なお、これら有機スルホン酸“、有機カルボン酸、ホウ
フッ酸はその１種を単独で用いてもよく、２種以上を併
用するようにしてもよい。

これら酸の使用量は、特に制限されないが。

２０〜３００ｇ／Ｑ、特に５０〜１．５０ｇ／Ｑとする
ことが好ましく、また酸と２価の錫イオンとの割合は１
〜１０：１．特に３〜７：１とすることが好適である。

更に、本発明浴にはチオ尿素が添加されるが、その使用
量はめっき浴ＩＱ当り３０〜１３０ｇ。

特に５０〜１１０ｇとすることが好ましい。

而して、本発明のめっき浴には、上記の成分に加え、過
塩素酸又は過塩素酸化合物を添加するもので、これによ
りめっき浴が安定化されると共に、析出速度がアップす
るものである。この場合、過塩素酸化合物としては、過
塩素酸アンモニウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カ
リウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラエチルアン
モニウム。

過塩素酸テトラブチルアンモニウム等が用いられる。こ
れら過塩素酸、過塩素酸化合物の使用量は１〜３００ｇ
／Ｒ１特に１０〜１８０ｇ／Ｑとすることが好ましい。

本発明浴には、必要に応じ更に他の添加剤を添加するこ
とができる９例えば水溶性ジルコニウム塩を添加するこ
とができ、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一で微
細な粒子の析出皮膜を形成することができる。この場合
、水溶性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム、ジ
ルコニウムアセチルアセトネート等を用いることができ
。

その使用量はジルコニウムイオンとして１０〜１０００
■／Ｑ、特に５０〜２００■／Ｑとすることができる。

なお、本発明のめっき浴は酸性であり、特にｐＨ０，１
〜１．５であることが好ましい。

上述しためっき浴を用いて無電解錫めっきを行なう場合
、その温度は４０〜７５℃、特に６５〜７０℃が好まし
い、この場合、被めっき物は適宜選定され、例えば銅、
銅合金などの無電解錫めっきに好適に用いられる。なお
、めっきに際し、必要により撹拌を行なうこともできる
。

次に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。

〔実施例〕

下記組成の無電解錫めっき浴を調製した。

ホウフッ化１ｉ（Ｓｎ”として）　　　２０ｇ／Ｑホウ
フッ酸　　　　　　　５Ｑ＋＋ チオ尿素　　　　　８０〃 過塩素酸アンモニウム　　　　　１０ＩｌｐＨ０・２ 次に、上記めっき浴を用いて銅板上に温度７０℃でめっ
きを施し、めっき時間と析出膜厚との関係を調べた。

また、過塩素酸アンモニウムを添加しない以外は上記と
同組成のめっき浴を調製し、同様にめっきを行なって析
出速度を評価した。

結果を図面に示す。

更に、上記過塩素酸アンモニウム添加浴及び無添加浴を
それぞれ室温下に放置し、沈殿の生成の有無を評価した
。

結果を下表に示す。

×：不溶性の白色沈殿発生。

Ｏ：不溶性の白色沈殿発生無し。

〔発明の効果〕

本発明の酸性無電解錫めっき浴は安定で、不溶性錫化合
物が生成し難く、また析出速度が大きいものである。

【図面の簡単な説明】

図面は過塩素酸アンモニウム添加無電解錫めっき浴と無
添加浴との析出速度を示すグラフである。 出願人　　上材　工業　株式会社 代理人　　弁理士　小　島　隆　司

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、２価の錫イオンと、有機スルホン酸、有機カルボン
   酸及びホウフッ酸から選ばれる１種以上の酸と、チオ尿
   素と、過塩素酸及び過塩素酸化合物から選ばれる１種以
   上の化合物とを含有してなることを特徴とする無電解錫
   めっき浴。 ２、請求項１記載の無電解錫めっき浴を用いて被めっき
   物を無電解錫めっきすることを特徴とする無電解錫めっ
   き方法。