JP2770639B2 - 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 - Google Patents
無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングレジストや
半田付け性等の向上を目的として電子部品の銅回路など
に錫又は錫・鉛合金層を形成するために好適に用いられ
る無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法に関する。
半田付け性等の向上を目的として電子部品の銅回路など
に錫又は錫・鉛合金層を形成するために好適に用いられ
る無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プリント配線板等の電子部品
の回路を形成する銅又は銅合金部分に半田付け性向上な
どの点から錫又は錫・鉛合金めっきを施すことが行われ
ているが、電子装置の小型化に伴って部品や回路等も微
小化又は複雑化し、電気めっき法ではめっきできない部
分も生じてきている。そこで、これら部分にもめっき可
能な無電解錫又は錫・鉛合金めっき法が検討されてい
る。例えば、特開平１−１８４２７９号公報には、有機
スルホン酸、有機スルホン酸の錫及び鉛塩、次亜リン酸
ナトリウム（還元剤）及びチオ尿素（錯化剤）を主成分
とする無電解錫・鉛合金めっき浴を用いる方法が提案さ
れている。
の回路を形成する銅又は銅合金部分に半田付け性向上な
どの点から錫又は錫・鉛合金めっきを施すことが行われ
ているが、電子装置の小型化に伴って部品や回路等も微
小化又は複雑化し、電気めっき法ではめっきできない部
分も生じてきている。そこで、これら部分にもめっき可
能な無電解錫又は錫・鉛合金めっき法が検討されてい
る。例えば、特開平１−１８４２７９号公報には、有機
スルホン酸、有機スルホン酸の錫及び鉛塩、次亜リン酸
ナトリウム（還元剤）及びチオ尿素（錯化剤）を主成分
とする無電解錫・鉛合金めっき浴を用いる方法が提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】その一方で、最近にお
いては、集積回路パッケージ等の電子部品の実装技術が
ＤＩＰタイプパッケージの挿入実装方式（ＶＭＴ）から
フラットパッケージの表面実装方式（ＳＭＴ）へと移行
しつつあり、このためプリント配線板としては集積回路
パッケージ等の被実装品との接触面が滑らかなもの、即
ち均一性の高い錫又は錫・鉛合金めっき皮膜が形成され
たものが望まれるようになってきている。
いては、集積回路パッケージ等の電子部品の実装技術が
ＤＩＰタイプパッケージの挿入実装方式（ＶＭＴ）から
フラットパッケージの表面実装方式（ＳＭＴ）へと移行
しつつあり、このためプリント配線板としては集積回路
パッケージ等の被実装品との接触面が滑らかなもの、即
ち均一性の高い錫又は錫・鉛合金めっき皮膜が形成され
たものが望まれるようになってきている。
【０００４】しかしながら、従来の無電解錫又は錫・鉛
合金めっき浴は、ランニング初期の浴安定性に劣り、得
られる皮膜は析出粒子が粗く、膜厚及び合金化の均一性
に劣るもので、このため従来のめっき浴より得られた錫
又は錫・鉛合金めっき皮膜は、外観不良やリフロー不良
が生じ易く、ファインピッチＳＭＴ対応プリント配線板
やチップ部品などの小部品へのめっきが困難なものであ
った。
合金めっき浴は、ランニング初期の浴安定性に劣り、得
られる皮膜は析出粒子が粗く、膜厚及び合金化の均一性
に劣るもので、このため従来のめっき浴より得られた錫
又は錫・鉛合金めっき皮膜は、外観不良やリフロー不良
が生じ易く、ファインピッチＳＭＴ対応プリント配線板
やチップ部品などの小部品へのめっきが困難なものであ
った。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、建浴時から長期使用後まで常に浴安定性に優れると
共に、均一なめっき皮膜が得られ、ＳＭＴ対応のファイ
ンピッチプリント配線板やチップ部品へのめっきにも良
好に対応し得る酸性タイプの無電解錫又は錫・鉛合金め
っき方法を提供することを目的とする。
で、建浴時から長期使用後まで常に浴安定性に優れると
共に、均一なめっき皮膜が得られ、ＳＭＴ対応のファイ
ンピッチプリント配線板やチップ部品へのめっきにも良
好に対応し得る酸性タイプの無電解錫又は錫・鉛合金め
っき方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため、無電解錫又は錫・鉛合金めっき
方法について鋭意検討を重ねた結果、第一錫塩又は第一
錫塩と鉛塩とからなる可溶性金属塩成分と、これらの可
溶性金属塩成分を溶解する酸と、チオ尿素又はその誘導
体と、還元剤とを含有する無電解錫又は錫・鉛合金めっ
き浴の建浴液に、予め可溶性の銅塩を添加しておくこと
により、建浴時から長期使用後まで浴安定性に優れた錫
又は錫・鉛合金めっき浴が得られ、このめっき浴から得
られた錫又は錫・鉛合金めっき膜は、析出粒子が細かく
均一で、リフロー性も良好であり、ファインピッチＳＭ
Ｔ対応プリント配線板へのめっきにも十分に対応し得る
ことを見出し、本発明を完成したものである。
記目的を達成するため、無電解錫又は錫・鉛合金めっき
方法について鋭意検討を重ねた結果、第一錫塩又は第一
錫塩と鉛塩とからなる可溶性金属塩成分と、これらの可
溶性金属塩成分を溶解する酸と、チオ尿素又はその誘導
体と、還元剤とを含有する無電解錫又は錫・鉛合金めっ
き浴の建浴液に、予め可溶性の銅塩を添加しておくこと
により、建浴時から長期使用後まで浴安定性に優れた錫
又は錫・鉛合金めっき浴が得られ、このめっき浴から得
られた錫又は錫・鉛合金めっき膜は、析出粒子が細かく
均一で、リフロー性も良好であり、ファインピッチＳＭ
Ｔ対応プリント配線板へのめっきにも十分に対応し得る
ことを見出し、本発明を完成したものである。
【０００７】従って、本発明は、第一錫塩又は第一錫塩
と鉛塩とからなる可溶性金属塩成分と、これらの可溶性
金属塩成分を溶解する酸と、チオ尿素又はその誘導体
と、還元剤とを含有してなる無電解錫又は錫・鉛合金め
っき浴に被めっき物を浸漬して、該被めっき物上に錫又
は錫・鉛合金めっき膜を形成するに際し、建浴時のめっ
き浴に予め可溶性の銅塩を添加したことを特徴とする無
電解錫又は錫・鉛合金めっき方法を提供する。
と鉛塩とからなる可溶性金属塩成分と、これらの可溶性
金属塩成分を溶解する酸と、チオ尿素又はその誘導体
と、還元剤とを含有してなる無電解錫又は錫・鉛合金め
っき浴に被めっき物を浸漬して、該被めっき物上に錫又
は錫・鉛合金めっき膜を形成するに際し、建浴時のめっ
き浴に予め可溶性の銅塩を添加したことを特徴とする無
電解錫又は錫・鉛合金めっき方法を提供する。
【０００８】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき浴は、上述
したように、可溶性の第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩とを
含むが、この場合めっき浴中に第一錫イオン（２価の錫
イオン）を提供する錫源としては、特に制限はなく種々
選択し得、例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホ
ン酸錫、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げるこ
とができる。なお、めっき浴中の第一錫イオン量は０．
５〜５０ｇ／Ｌ、特に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好ま
しい。
と、本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき浴は、上述
したように、可溶性の第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩とを
含むが、この場合めっき浴中に第一錫イオン（２価の錫
イオン）を提供する錫源としては、特に制限はなく種々
選択し得、例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホ
ン酸錫、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げるこ
とができる。なお、めっき浴中の第一錫イオン量は０．
５〜５０ｇ／Ｌ、特に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好ま
しい。
【０００９】また、錫・鉛合金めっき浴とする場合の鉛
イオン源としては、塩化鉛、硫酸鉛、有機スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用いることができる。こ
れらの鉛イオンの量は合金比率等に応じて適宜選定され
るが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特に０．５〜１０ｇ
／Ｌ程度とすることができる。
イオン源としては、塩化鉛、硫酸鉛、有機スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用いることができる。こ
れらの鉛イオンの量は合金比率等に応じて適宜選定され
るが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特に０．５〜１０ｇ
／Ｌ程度とすることができる。
【００１０】これら金属塩を溶解する酸成分としては、
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は１：１〜１：２０、特に１：３
〜１：１０とすることが好ましい。
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は１：１〜１：２０、特に１：３
〜１：１０とすることが好ましい。
【００１１】本発明のめっき浴にはチオ尿素又はその誘
導体が配合され、この成分により錫又は錫・鉛合金の析
出が可能になる。このチオ尿素又はチオ尿素誘導体の配
合量は特に制限されるものではないが、通常めっき浴１
リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜１５０ｇ程度
とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘導体として
は、チオホルムアミド，チオアセトアミド等のチオアミ
ド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又はチオ尿素誘
導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、ＥＤＴＡなど
を錯化剤として併用することもできる。
導体が配合され、この成分により錫又は錫・鉛合金の析
出が可能になる。このチオ尿素又はチオ尿素誘導体の配
合量は特に制限されるものではないが、通常めっき浴１
リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜１５０ｇ程度
とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘導体として
は、チオホルムアミド，チオアセトアミド等のチオアミ
ド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又はチオ尿素誘
導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、ＥＤＴＡなど
を錯化剤として併用することもできる。
【００１２】また、本発明めっき浴には還元剤が配合さ
れるが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン酸
ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩など
が好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量と
することができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特に
５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
れるが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン酸
ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩など
が好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量と
することができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特に
５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
【００１３】本発明のめっき方法は、上記各成分を適宜
混合して無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴を建浴する際
に、可溶性銅塩を添加しておくもので、この可溶性銅塩
の添加により、めっき浴の安定化及び析出めっき皮膜の
均一化が図られたものである。この可溶性銅塩として
は、硫酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、ホウフッ化銅、
酸化第一銅、酸化第二銅、酢酸銅、有機スルホン酸銅、
有機カルボン酸銅などが挙げられ、その添加量は特に制
限されるものではないが、通常０．０１〜５ｇ／Ｌ、特
に０．１〜３ｇ／Ｌとすることができる。
混合して無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴を建浴する際
に、可溶性銅塩を添加しておくもので、この可溶性銅塩
の添加により、めっき浴の安定化及び析出めっき皮膜の
均一化が図られたものである。この可溶性銅塩として
は、硫酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、ホウフッ化銅、
酸化第一銅、酸化第二銅、酢酸銅、有機スルホン酸銅、
有機カルボン酸銅などが挙げられ、その添加量は特に制
限されるものではないが、通常０．０１〜５ｇ／Ｌ、特
に０．１〜３ｇ／Ｌとすることができる。
【００１４】なお、上記各成分からなる錫又は錫・鉛合
金めっき浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが
好ましい。また、上記成分の他、通常使用される界面活
性剤等の添加剤を通常量添加することができる。
金めっき浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが
好ましい。また、上記成分の他、通常使用される界面活
性剤等の添加剤を通常量添加することができる。
【００１５】上記めっき浴を用いて無電解錫又は錫・鉛
合金めっきを行う場合、このめっき浴に銅又は銅合金等
の被めっき物を浸漬することにより行われるが、その際
の温度は５０〜９０℃、特に６０〜９０℃とすることが
好ましい。また、必要により撹拌を行うこともできる。
なお、本発明のめっき方法は、プリント配線板等の電子
部品のめっきに好適に使用されるものであるが、その他
の銅、銅合金などの無電解めっきにも好適に使用し得る
ものである。
合金めっきを行う場合、このめっき浴に銅又は銅合金等
の被めっき物を浸漬することにより行われるが、その際
の温度は５０〜９０℃、特に６０〜９０℃とすることが
好ましい。また、必要により撹拌を行うこともできる。
なお、本発明のめっき方法は、プリント配線板等の電子
部品のめっきに好適に使用されるものであるが、その他
の銅、銅合金などの無電解めっきにも好適に使用し得る
ものである。
【００１６】
【実施例】以下、実施例，比較例を示して本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。
【００１７】下記組成（１）〜（７）のめっき浴（実施
例）及び（Ａ）〜（Ｃ）のめっき浴（比較例）にそれぞ
れ銅回路が形成されたプリント配線テスト基板を浸漬し
て、めっき温度７０℃で該基板の銅回路上に錫又は錫・
鉛合金めっき層を形成した。この操作を繰返し、そのつ
ど得られためっき皮膜の膜厚と合金組成を調べた。
例）及び（Ａ）〜（Ｃ）のめっき浴（比較例）にそれぞ
れ銅回路が形成されたプリント配線テスト基板を浸漬し
て、めっき温度７０℃で該基板の銅回路上に錫又は錫・
鉛合金めっき層を形成した。この操作を繰返し、そのつ
ど得られためっき皮膜の膜厚と合金組成を調べた。
【００１８】 めっき浴（１） メタンスルホン酸 ３０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸アンモニウム塩 ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ 硫酸銅 ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０
【００１９】 めっき浴（２） メタンスルホン酸 ５０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸テトラブチルアンモニウム塩 ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅 ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．５
【００２０】 めっき浴（３） ホウフッ化モノメチルアミン塩 ６０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 ５０ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ｇ／Ｌ ピロリン酸 ２００ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ５０ｇ／Ｌ ホウフッ化銅 ５ｇ／Ｌ ｐＨ ０．８
【００２１】 めっき浴（４） ホウフッ化水素酸 ６０ｇ／Ｌ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 ５０ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ｇ／Ｌ ピロリン酸ジエタノールアミン塩 ２００ｇ／Ｌ 次亜リン酸 ５０ｇ／Ｌ 塩化第一銅 １ｇ／Ｌ ｐＨ １．８
【００２２】 めっき浴（５） ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ 酸化第一銅 ２ｇ／Ｌ ｐＨ １．８
【００２３】 めっき浴（６） ホウフッ化第一錫 ５０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ８０ｇ／Ｌ 塩化第二銅 ０．１ｇ／Ｌ ｐＨ ０．８
【００２４】 めっき浴（７） メタンスルホン酸プロピレンジアミン塩 ９０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ チオ尿素 １２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム塩 ８０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 ４０ｇ／Ｌ 酢酸銅 ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ １．１
【００２５】 めっき浴（Ａ） メタンスルホン酸 ７０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０
【００２６】 めっき浴（Ｂ） ホウフッ化水素酸 ２００ｇ／Ｌ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム ３０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９
【００２７】 めっき浴（Ｃ） ホウフッ化水素酸 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸ナトリウム １０ｇ／Ｌ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 ５０ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ｇ／Ｌ ピロリン酸 ２００ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ５０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９
【００２８】上記各めっき浴により得られためっき皮膜
の膜厚さと、合金組成を調べたところ、本発明の実施例
にかかる（１）〜（７）のめっき浴から得られためっき
皮膜は、建浴直後から長期使用後まで従来のめっき浴
（Ａ）〜（Ｃ）から得られためっき皮膜に比べて膜厚及
び合金組成がより均一なものであった。なお、上記めっ
き浴（５）（実施例）及びめっき浴（Ｂ）（比較例）を
用いたときのめっき処理量とめっき膜の合金組成との関
係を図１に、めっき処理量とめっき膜の膜厚との関係を
図２にそれぞれ示す。
の膜厚さと、合金組成を調べたところ、本発明の実施例
にかかる（１）〜（７）のめっき浴から得られためっき
皮膜は、建浴直後から長期使用後まで従来のめっき浴
（Ａ）〜（Ｃ）から得られためっき皮膜に比べて膜厚及
び合金組成がより均一なものであった。なお、上記めっ
き浴（５）（実施例）及びめっき浴（Ｂ）（比較例）を
用いたときのめっき処理量とめっき膜の合金組成との関
係を図１に、めっき処理量とめっき膜の膜厚との関係を
図２にそれぞれ示す。
【００２９】上記結果から明らかなように、本発明の無
電解錫又は錫・鉛合金めっき方法は建浴時から長期使用
後まで浴の安定性に優れ、膜厚及び合金化率の均一なめ
っき皮膜を形成することができ、ファインピッチＳＭＴ
にも十分に対応し得ることが確認された。
電解錫又は錫・鉛合金めっき方法は建浴時から長期使用
後まで浴の安定性に優れ、膜厚及び合金化率の均一なめ
っき皮膜を形成することができ、ファインピッチＳＭＴ
にも十分に対応し得ることが確認された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の錫又は錫
・鉛合金めっき方法は、建浴時から長期使用後まで常に
浴安定性に優れると共に、均一なめっき皮膜が得られ、
該めっき浴により形成した錫又は錫・鉛合金めっき膜は
ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線板やチップ部
品にも良好に対応し得る。
・鉛合金めっき方法は、建浴時から長期使用後まで常に
浴安定性に優れると共に、均一なめっき皮膜が得られ、
該めっき浴により形成した錫又は錫・鉛合金めっき膜は
ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線板やチップ部
品にも良好に対応し得る。
【図１】実施例，比較例のめっき浴を用いて錫・鉛合金
めっきを行ったときの処理量と得られた皮膜の合金組成
との関係を示すグラフである。
めっきを行ったときの処理量と得られた皮膜の合金組成
との関係を示すグラフである。
【図２】実施例，比較例のめっき浴を用いて錫・鉛合金
めっきを行ったときの処理量と得られた皮膜の膜厚との
関係を示すグラフである。
めっきを行ったときの処理量と得られた皮膜の膜厚との
関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 18/31 C23C 18/52
Claims (1)
- 【請求項１】 第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩とからなる
可溶性金属塩成分と、これらの可溶性金属塩成分を溶解
する酸と、チオ尿素又はその誘導体と、還元剤とを含有
してなる無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴に被めっき物
を浸漬して、該被めっき物上に錫又は錫・鉛合金めっき
膜を形成するに際し、建浴時のめっき浴に予め可溶性の
銅塩を添加したことを特徴とする無電解錫又は錫・鉛合
金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7295292A JP2770639B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7295292A JP2770639B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230665A JPH05230665A (ja) | 1993-09-07 |
| JP2770639B2 true JP2770639B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=13504234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7295292A Expired - Lifetime JP2770639B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770639B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2005245853B2 (en) * | 2004-05-12 | 2010-06-17 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method for removing sulfur-containing end groups |
| JP4621293B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2011-01-26 | 日本ペイント株式会社 | 銅の表面処理剤および表面処理方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP7295292A patent/JP2770639B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05230665A (ja) | 1993-09-07 |
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