JPH0230572B2 - - Google Patents
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- JPH0230572B2 JPH0230572B2 JP58052529A JP5252983A JPH0230572B2 JP H0230572 B2 JPH0230572 B2 JP H0230572B2 JP 58052529 A JP58052529 A JP 58052529A JP 5252983 A JP5252983 A JP 5252983A JP H0230572 B2 JPH0230572 B2 JP H0230572B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sio
- resin
- layer
- film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は多層構造体に係り、特に例えば半導体
装置、バブルメモリ装置などの微細パターンを有
する電子デバイスに関する。
装置、バブルメモリ装置などの微細パターンを有
する電子デバイスに関する。
(2) 技術の背景
電子回路の機能が増大しそれに用いられる電子
部品も次第に個別部品からIC及びLSIへと集積度
が増大するにつれて素子間の配線が複雑になり多
くの交差を必要とするようになつてきた。これに
より多層配線が必要になつた。我々は先に基板上
に一般式（H2-aRaSiO）o〔ＲはH3SiO，
H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiOもしくは（CH3）3SiO
であり、ａは０もしくは１で、分子中の平均値は
０と１の範囲にある。〕で表わされる樹脂を塗布
し、熱分解して酸化珪素膜を形成させる方法に関
する特許を出願しているが、本発明はこの樹脂を
配線構造体の絶縁層に適用したものである。
部品も次第に個別部品からIC及びLSIへと集積度
が増大するにつれて素子間の配線が複雑になり多
くの交差を必要とするようになつてきた。これに
より多層配線が必要になつた。我々は先に基板上
に一般式（H2-aRaSiO）o〔ＲはH3SiO，
H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiOもしくは（CH3）3SiO
であり、ａは０もしくは１で、分子中の平均値は
０と１の範囲にある。〕で表わされる樹脂を塗布
し、熱分解して酸化珪素膜を形成させる方法に関
する特許を出願しているが、本発明はこの樹脂を
配線構造体の絶縁層に適用したものである。
(3) 従来技術と問題点
従来、LSI、ジヨセフソン素子J.J及びバブルメ
モリーなど微細パターンを有するデバイスの層間
絶縁はシリコン基板の熱酸化による酸化珪素
（SiO2）膜、シラン系ガスを用いた気相成長によ
るSiO2系絶縁材料、あるいはポリイミド、シリ
コーン樹脂などの有機系絶縁材料などを用いて行
なわれているが、微細化、信頼性などに一長一短
がある。即ち層間絶縁において平担化機能、空気
中400〜1000℃に耐える耐熱性、及び例えば密着
性、耐電食性、厚膜形成性などの信頼性のすべて
を満足する材料が存在しないのが現状である。
モリーなど微細パターンを有するデバイスの層間
絶縁はシリコン基板の熱酸化による酸化珪素
（SiO2）膜、シラン系ガスを用いた気相成長によ
るSiO2系絶縁材料、あるいはポリイミド、シリ
コーン樹脂などの有機系絶縁材料などを用いて行
なわれているが、微細化、信頼性などに一長一短
がある。即ち層間絶縁において平担化機能、空気
中400〜1000℃に耐える耐熱性、及び例えば密着
性、耐電食性、厚膜形成性などの信頼性のすべて
を満足する材料が存在しないのが現状である。
今、平担化機能及び耐熱性という点で優れてい
るシリコーン樹脂の塗布及び熱処理によるSiOx
膜形成に着目すると、ポリジアルコキシシラン
RO〔―（RO）2SiO〕―oＲ〔式中、Ｒは一価の炭化水
素、例えばCH3，C2H5又は水素であり、ORの少
なくとも1/3はアルコキシ基である。〕を熱分解し
てSiO2にする方法が知られている。分子中にア
ルコキシ基を残す理由はすべてをOHにすると保
存安定性が非常に悪くなるからである。このポリ
ジアルコキシシランを塗布後熱分解するとアルコ
キシ基が飛散する際に塗膜に歪とピンホールを残
すので、材料の種類によるけれども、0.2〜0.5μ
ｍ以上の膜厚に塗布した場合は塗膜にクラツクが
入り、それ以下の膜厚に塗布した場合は電食不良
の原因になる。従つて熱分解時に飛散する原子又
は原子団が極めて小さく、少ないシリコーン樹脂
が存在すれば、平担化機能、耐熱性に加えて前記
信頼性も優れた絶縁膜を形成することができるは
ずである。
るシリコーン樹脂の塗布及び熱処理によるSiOx
膜形成に着目すると、ポリジアルコキシシラン
RO〔―（RO）2SiO〕―oＲ〔式中、Ｒは一価の炭化水
素、例えばCH3，C2H5又は水素であり、ORの少
なくとも1/3はアルコキシ基である。〕を熱分解し
てSiO2にする方法が知られている。分子中にア
ルコキシ基を残す理由はすべてをOHにすると保
存安定性が非常に悪くなるからである。このポリ
ジアルコキシシランを塗布後熱分解するとアルコ
キシ基が飛散する際に塗膜に歪とピンホールを残
すので、材料の種類によるけれども、0.2〜0.5μ
ｍ以上の膜厚に塗布した場合は塗膜にクラツクが
入り、それ以下の膜厚に塗布した場合は電食不良
の原因になる。従つて熱分解時に飛散する原子又
は原子団が極めて小さく、少ないシリコーン樹脂
が存在すれば、平担化機能、耐熱性に加えて前記
信頼性も優れた絶縁膜を形成することができるは
ずである。
(4) 発明の目的
本発明の目的は多層配線構造体において、平担
化機能、耐熱性に加えて信頼性のある優れた絶縁
膜を提供することである。
化機能、耐熱性に加えて信頼性のある優れた絶縁
膜を提供することである。
(5) 発明の構成
本発明は一般式：
R2O（―R1 2SiO）―oＲ
〔式中、R1は全部がＨであるか又は少なくとも
半数がＨであり、かつ残りが−OSiH3，−
OSiH2CH3，−OSiH（CH3）、もしくは−OSi
（CH3）3であり；R2は−SiH3，−SiH2CH3，−SiH
（CH3）2もしくは−Si（CH3）3であり；ｎは１〜
100の整数である。〕 で表わされるシリコーン樹脂を、必要に応じて溶
剤を用いて、塗布し次いで加熱することによつ
て、前記良好な平担化機能、耐熱性、信頼性を有
する酸化珪素膜が形成されることを利用して、前
記膜を配線構造体における絶縁層として適用する
ようにしたものである。
半数がＨであり、かつ残りが−OSiH3，−
OSiH2CH3，−OSiH（CH3）、もしくは−OSi
（CH3）3であり；R2は−SiH3，−SiH2CH3，−SiH
（CH3）2もしくは−Si（CH3）3であり；ｎは１〜
100の整数である。〕 で表わされるシリコーン樹脂を、必要に応じて溶
剤を用いて、塗布し次いで加熱することによつ
て、前記良好な平担化機能、耐熱性、信頼性を有
する酸化珪素膜が形成されることを利用して、前
記膜を配線構造体における絶縁層として適用する
ようにしたものである。
即ち本発明は基板上に絶縁層及び導電性配線を
一層もしくはそれ以上に構成した配線構造体にお
いて、前記絶縁層の全部もしくは一部が一般式： （H2-aRaSiO）o 〔式中、ＲはH3SiO，H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiO
もしくは（CH3）3SiOであり、ａは０もしくは１
で、分子中の平均値は０と１の範囲にある。〕 で表わされるポリシロキサンの末端をH3SiO，
H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiOもしくは（CH3）3SiO
で封鎖してあるシリコーン樹脂を塗布し、300〜
500℃で熱処理してSiOx化した層で形成されてい
ることを特徴とする配線構造体を提供する。
一層もしくはそれ以上に構成した配線構造体にお
いて、前記絶縁層の全部もしくは一部が一般式： （H2-aRaSiO）o 〔式中、ＲはH3SiO，H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiO
もしくは（CH3）3SiOであり、ａは０もしくは１
で、分子中の平均値は０と１の範囲にある。〕 で表わされるポリシロキサンの末端をH3SiO，
H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiOもしくは（CH3）3SiO
で封鎖してあるシリコーン樹脂を塗布し、300〜
500℃で熱処理してSiOx化した層で形成されてい
ることを特徴とする配線構造体を提供する。
本発明の基本的な原理は式H3SiO（―H2SiO）―o
SiH3からなるシリコーン樹脂を用いてSiOxを形
成すれば、熱分解時にＨは容易に分解されるので
SiOx膜中の不純物量は少なく、Ｈは体積が小さ
いのでＨ飛散後の体積収縮歪は小さく、ピンホー
ルも微細であり、かつSiOの酸化による体積増加
が歪を緩和し、ピンホールを埋めるので、最終的
に歪が小さくかつ緻密で純粋なSiOx（ｘ＝１〜
２）膜を有する配線構造体が得られるということ
にある。前記のようにHO（―H2SiO）―oＨは不安定
であるが、末端をシリル化すると安定であり、こ
れによつて本発明によつて得られる装置は実際的
なものになつた。そしてこの基本原理の利点は分
子中にSi，Ｏ，Ｈの他に多少のCH3が含まれても
失なわれることはない。但し本発明に用いる前記
シリコーン樹脂の分子中のR1は実質的に全部が
Ｈであることが好ましく、Ｈ以外の置換基の割合
は通常10％程度まで、多くても50％未満であるべ
きである。
SiH3からなるシリコーン樹脂を用いてSiOxを形
成すれば、熱分解時にＨは容易に分解されるので
SiOx膜中の不純物量は少なく、Ｈは体積が小さ
いのでＨ飛散後の体積収縮歪は小さく、ピンホー
ルも微細であり、かつSiOの酸化による体積増加
が歪を緩和し、ピンホールを埋めるので、最終的
に歪が小さくかつ緻密で純粋なSiOx（ｘ＝１〜
２）膜を有する配線構造体が得られるということ
にある。前記のようにHO（―H2SiO）―oＨは不安定
であるが、末端をシリル化すると安定であり、こ
れによつて本発明によつて得られる装置は実際的
なものになつた。そしてこの基本原理の利点は分
子中にSi，Ｏ，Ｈの他に多少のCH3が含まれても
失なわれることはない。但し本発明に用いる前記
シリコーン樹脂の分子中のR1は実質的に全部が
Ｈであることが好ましく、Ｈ以外の置換基の割合
は通常10％程度まで、多くても50％未満であるべ
きである。
本発明で用いるシリコーン樹脂R2O（―R1 2SiO）―
ｏR2は比重1.6〜1.7であり、常温でｎ＜３の場合
は液体であり、ｎ≧３の場合は粉末であり、液体
の場合はそのまま塗布可能であるが、粉末の場合
又は例えば回転塗布（スピンコート）で基板に塗
布する場合などはトルエンなどの有機溶剤に溶解
してから塗布する。回転塗布の場合の膜厚調整は
分子量、溶剤の種類、樹脂濃度、回転数によつて
行なうことができる。適当な膜厚は0.5μ〜1.5μの
範囲にあり、それより大きい場合は耐クラツク性
を低下させ、それより小さい場合は絶縁効果を低
下させるが他の絶縁材料と組合せることで使用可
能である。
ｏR2は比重1.6〜1.7であり、常温でｎ＜３の場合
は液体であり、ｎ≧３の場合は粉末であり、液体
の場合はそのまま塗布可能であるが、粉末の場合
又は例えば回転塗布（スピンコート）で基板に塗
布する場合などはトルエンなどの有機溶剤に溶解
してから塗布する。回転塗布の場合の膜厚調整は
分子量、溶剤の種類、樹脂濃度、回転数によつて
行なうことができる。適当な膜厚は0.5μ〜1.5μの
範囲にあり、それより大きい場合は耐クラツク性
を低下させ、それより小さい場合は絶縁効果を低
下させるが他の絶縁材料と組合せることで使用可
能である。
シリコーン樹脂R2O（―R1 2SiO）―oR2は回転塗布、
スプレーなどの方法によるコーテイングが可能で
あるので、凹凸のある基板に塗布し、その表面を
平担化する機能を持つている。従つて微細配線を
設けた半導体装置あるいはバブルメモリなどの配
線層間絶縁材料として、60〜300℃で予熱、そし
て300〜500℃で熱処理してSiOx化して用いるの
に好適である。尚末端にCH3基をもつものは400
℃以下あるいは場合によつて470℃以下では完全
なSiOxには変化しないのであるが、層間絶縁に
用いる場合には完全を期さなくても使用できる。
Si―CH3結合の熱分解は300〜350℃以上で起きる
が、例えば赤外吸収測定でCH3基あるいはSi―Ｃ
結合の含有量を追跡することによつて反応を確認
できる。塗布と熱処理によるSiOx化を繰り返す
ことによつて厚膜を得たり、深い穴や溝を埋める
ようにすれば平担化機能が強調され、かつ緻密な
膜を得ることができる。
スプレーなどの方法によるコーテイングが可能で
あるので、凹凸のある基板に塗布し、その表面を
平担化する機能を持つている。従つて微細配線を
設けた半導体装置あるいはバブルメモリなどの配
線層間絶縁材料として、60〜300℃で予熱、そし
て300〜500℃で熱処理してSiOx化して用いるの
に好適である。尚末端にCH3基をもつものは400
℃以下あるいは場合によつて470℃以下では完全
なSiOxには変化しないのであるが、層間絶縁に
用いる場合には完全を期さなくても使用できる。
Si―CH3結合の熱分解は300〜350℃以上で起きる
が、例えば赤外吸収測定でCH3基あるいはSi―Ｃ
結合の含有量を追跡することによつて反応を確認
できる。塗布と熱処理によるSiOx化を繰り返す
ことによつて厚膜を得たり、深い穴や溝を埋める
ようにすれば平担化機能が強調され、かつ緻密な
膜を得ることができる。
本発明において体積収縮による膜厚の減少は通
常の50％程度に対してわずか３〜10％の減少であ
り、ほとんど収縮は見られない。
常の50％程度に対してわずか３〜10％の減少であ
り、ほとんど収縮は見られない。
本発明の多層配線構造体における絶縁樹脂硬化
層は気相成長法によるSiO2などと組合せられた
層であつてもよい。
層は気相成長法によるSiO2などと組合せられた
層であつてもよい。
(6) 発明の実施例
(1) 樹脂の調製
ジエトキシシランをメチルイソブチルケトン
（MIBK）に溶かし水を加えてシラノール化し、
35℃で20時間縮合重合させた後、ジメチルクロル
シランを加えて得た粉末状のポリシロキサン
（CH3）2HSiO（―H2SiO）―oSiH（CH3）2、〔ｎの平均
値は８であつた。〕を樹脂―とする。
（MIBK）に溶かし水を加えてシラノール化し、
35℃で20時間縮合重合させた後、ジメチルクロル
シランを加えて得た粉末状のポリシロキサン
（CH3）2HSiO（―H2SiO）―oSiH（CH3）2、〔ｎの平均
値は８であつた。〕を樹脂―とする。
水を２％含むMIBK中にジクロルシランガスを
導入しさらにクロルシランでシリル化して得た粉
末状のポリシロキサンH3SiO（―H2SiO）―oSiH3〔ｎ
の平均値は19であつた〕を樹脂とする。
導入しさらにクロルシランでシリル化して得た粉
末状のポリシロキサンH3SiO（―H2SiO）―oSiH3〔ｎ
の平均値は19であつた〕を樹脂とする。
樹脂―、樹脂―をトルエンに溶解した液を
それぞれ樹脂液―、樹脂液―とする。
それぞれ樹脂液―、樹脂液―とする。
(2) 実施例 １
前記のようにして25重量％の樹脂液を作成し
た。次にシリコン基板内にバイポーラ素子を形成
し、その上に１層目のアルミニウム配線を行なつ
た。前記アルミニウム配線の厚さは0.9μｍ、最小
線幅は3μｍ、最小線間隔は2μｍである。前記樹
脂液を6000rpm、20秒の条件で回転塗布し、80
℃、30分の溶剤乾燥及び450℃，60分の熱処理を
行なつた。同一条件で平板上に塗布して得られる
膜厚は0.8μｍであつたが、前記アルミニウム配線
上では0.4μｍ、スペース部では1.1μｍであり、段
差は0.2μｍであつた。次に1.0μｍのPSGを公知の
方法で形成し、スルーホールの形成、２層目のア
ルミニウム配線の形成、さらに保護層として1.3μ
ｍのPSG層を形成し、電極取出し用窓あけを行
なつてバイポーラ素子装置を得た。この装置は空
気中500℃、１時間の加熱試験、−65℃←→150℃の
10回の熱衝撃試験、85℃，90％RH下での6V印
加、1000時間の試験及びこれらの試験を組合せた
試験後においても異常及び不良は見られなかつ
た。
た。次にシリコン基板内にバイポーラ素子を形成
し、その上に１層目のアルミニウム配線を行なつ
た。前記アルミニウム配線の厚さは0.9μｍ、最小
線幅は3μｍ、最小線間隔は2μｍである。前記樹
脂液を6000rpm、20秒の条件で回転塗布し、80
℃、30分の溶剤乾燥及び450℃，60分の熱処理を
行なつた。同一条件で平板上に塗布して得られる
膜厚は0.8μｍであつたが、前記アルミニウム配線
上では0.4μｍ、スペース部では1.1μｍであり、段
差は0.2μｍであつた。次に1.0μｍのPSGを公知の
方法で形成し、スルーホールの形成、２層目のア
ルミニウム配線の形成、さらに保護層として1.3μ
ｍのPSG層を形成し、電極取出し用窓あけを行
なつてバイポーラ素子装置を得た。この装置は空
気中500℃、１時間の加熱試験、−65℃←→150℃の
10回の熱衝撃試験、85℃，90％RH下での6V印
加、1000時間の試験及びこれらの試験を組合せた
試験後においても異常及び不良は見られなかつ
た。
(3) 比較例 １
実施例１と同様に、但し前記樹脂液の代りに
ポリイミドを同一膜厚に塗布し、350℃、30分の
硬化を行なつて、バイポーラ素子装置を得ようと
したが、ポリイミド膜上にPSG膜を形成した段
階でPSG膜は剥離した。
ポリイミドを同一膜厚に塗布し、350℃、30分の
硬化を行なつて、バイポーラ素子装置を得ようと
したが、ポリイミド膜上にPSG膜を形成した段
階でPSG膜は剥離した。
(4) 比較例 ２
実施例１と同様に、但し層間絶縁層及び保護層
をポリイミドで形成してバイポーラ素子装置を得
た。これを窒素中500℃、１時間の耐熱試験をし
た所、ポリイミド層は茶褐色に変色した。さらに
85℃、90％RH下で6V印加試験を行なつた所、大
きなリーク電流が流れ、またポリイミド層が一部
剥離した。
をポリイミドで形成してバイポーラ素子装置を得
た。これを窒素中500℃、１時間の耐熱試験をし
た所、ポリイミド層は茶褐色に変色した。さらに
85℃、90％RH下で6V印加試験を行なつた所、大
きなリーク電流が流れ、またポリイミド層が一部
剥離した。
(5) 比較例 ３
実施例１と同様に、但し前記樹脂液の代りに
ラダー型のメチルポリシルセスキオキサンを塗布
し、窒素中450℃、１時間の硬化を行なつてバイ
ポーラ素子を得た。これを窒素中500℃、１時間
の耐熱試験及び、85℃、90％RH下での6V印加試
験をしたが、不良はなかつた。しかし空気中500
℃、１時間の耐熱試験をした所、電極窓あけ部の
一部にクラツクが発生した。
ラダー型のメチルポリシルセスキオキサンを塗布
し、窒素中450℃、１時間の硬化を行なつてバイ
ポーラ素子を得た。これを窒素中500℃、１時間
の耐熱試験及び、85℃、90％RH下での6V印加試
験をしたが、不良はなかつた。しかし空気中500
℃、１時間の耐熱試験をした所、電極窓あけ部の
一部にクラツクが発生した。
(6) 実施例 ２
実施例１と同様に、但し１層目のアルミニウム
配線上に18％の樹脂液を塗布し硬化した後、も
う一度樹脂液を塗布し硬化し、それからスルー
ホール形成後、２層目のアルミニウム配線を行な
つた。その上の保護層も樹脂液を用いて形成し、
電極取り出し窓を形成し、バイポーラ素子を得
た。この半導体装置を実施例１で述べた試験を行
なつたが異常及び不良は見られなかつた。
配線上に18％の樹脂液を塗布し硬化した後、も
う一度樹脂液を塗布し硬化し、それからスルー
ホール形成後、２層目のアルミニウム配線を行な
つた。その上の保護層も樹脂液を用いて形成し、
電極取り出し窓を形成し、バイポーラ素子を得
た。この半導体装置を実施例１で述べた試験を行
なつたが異常及び不良は見られなかつた。
(7) 実施例 ３
バブル発生のためのLPE（リキツドフエイズエ
ピタキシヤル）層の形成されたGGG（ガリウムガ
ドリニウムガーネツト）基板上に1000ÅのSiO2
層を形成した。その上に厚さ4000ÅのAl層から
なるコンダクタパターンを形成した。コンダクタ
パターンの線幅は１〜50μｍ、スペースは１〜
100μｍであつた。
ピタキシヤル）層の形成されたGGG（ガリウムガ
ドリニウムガーネツト）基板上に1000ÅのSiO2
層を形成した。その上に厚さ4000ÅのAl層から
なるコンダクタパターンを形成した。コンダクタ
パターンの線幅は１〜50μｍ、スペースは１〜
100μｍであつた。
次に濃度15％の樹脂液―を用い、4000rpm、
30秒の条件で回転塗布し、60℃、30分間の溶剤乾
燥を行なつた。この段階では樹脂は溶剤に可溶で
ある。次いで空気中350℃、60分の硬化を行なつ
た。平坦基板に同一条件塗布したとき樹脂膜の厚
さは0.35μｍであつた。さらに厚さ4000Åのパー
マロイパターンを形成し、その上に樹脂液―を
3000rpm、30秒の条件で回転塗布し、溶剤乾燥
後、窒素中300℃、180分の硬化を行なつた。平坦
基板上では厚さ0.4μｍとなる。その上にスパツタ
によつて厚さ0.4μｍのSiO2層を形成した。２層の
絶縁層の窓あけをCF4―O2（５％）の反応ガスを
用いたドライエツチングによつて行ないバブルメ
モリを得た。得られたバブルメモリを85℃、90％
RHの環境に置き、パーマロイパターンとコンダ
クタパターンの間に300Vの直流電圧を100時間印
加したが、絶縁不良は起きながつた。このバブル
メモリの正常の動作電圧は最大24Vであり、優れ
た信頼性があることがわかつた。
30秒の条件で回転塗布し、60℃、30分間の溶剤乾
燥を行なつた。この段階では樹脂は溶剤に可溶で
ある。次いで空気中350℃、60分の硬化を行なつ
た。平坦基板に同一条件塗布したとき樹脂膜の厚
さは0.35μｍであつた。さらに厚さ4000Åのパー
マロイパターンを形成し、その上に樹脂液―を
3000rpm、30秒の条件で回転塗布し、溶剤乾燥
後、窒素中300℃、180分の硬化を行なつた。平坦
基板上では厚さ0.4μｍとなる。その上にスパツタ
によつて厚さ0.4μｍのSiO2層を形成した。２層の
絶縁層の窓あけをCF4―O2（５％）の反応ガスを
用いたドライエツチングによつて行ないバブルメ
モリを得た。得られたバブルメモリを85℃、90％
RHの環境に置き、パーマロイパターンとコンダ
クタパターンの間に300Vの直流電圧を100時間印
加したが、絶縁不良は起きながつた。このバブル
メモリの正常の動作電圧は最大24Vであり、優れ
た信頼性があることがわかつた。
(8) 比較例 ４
実施例３と同様にして、但しコンダクタとパー
マロイの間の絶縁層としてポリジエトキシシロキ
サン溶液を塗布し、空気中350℃、60分処理して
厚さ3500Å（平坦基板上）のSiO2層を形成し、
パーマロイ層の上にはスパツタによる厚さ10000
ÅのSiO2層を形成した。このバブルメモリを実
施例３で行なつたのと同様の電食試験を行なつた
所、48時間で絶縁不良が発生した。
マロイの間の絶縁層としてポリジエトキシシロキ
サン溶液を塗布し、空気中350℃、60分処理して
厚さ3500Å（平坦基板上）のSiO2層を形成し、
パーマロイ層の上にはスパツタによる厚さ10000
ÅのSiO2層を形成した。このバブルメモリを実
施例３で行なつたのと同様の電食試験を行なつた
所、48時間で絶縁不良が発生した。
(7) 発明の効果
本発明によれば耐熱性、信頼性のあるコーテイ
ング樹脂を配線層間絶縁に用いることができるの
で高信頼性の多層構造体を得ることができる。
ング樹脂を配線層間絶縁に用いることができるの
で高信頼性の多層構造体を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に絶縁層及び導電性配線を一層もしく
はそれ以上に構成した配線構造体において、前記
絶縁層の全部もしくは一部が一般式： （H2-aRaSiO）o 〔式中、ＲはH3SiO，H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiO
もしくは（CH3）3SiOであり、ａは０もしくは１
で、分子中のａの平均値は０と１の範囲にある。〕
で表わされるポリシロキサンの末端をH3SiO，
H2CH3SiO，Ｈ（CH3）2SiOもしくは（CH3）3SiO
で封鎖してあるシリコーン樹脂を塗布し、300〜
500℃で熱処理してSiOx化した層で形成されてい
ることを特徴とする配線構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252983A JPS59178749A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 配線構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252983A JPS59178749A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 配線構造体 |
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| JPS59178749A JPS59178749A (ja) | 1984-10-11 |
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Family
ID=12917275
Family Applications (1)
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| JP5252983A Granted JPS59178749A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 配線構造体 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPS59178749A (ja) |
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1983
- 1983-03-30 JP JP5252983A patent/JPS59178749A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59178749A (ja) | 1984-10-11 |
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