JP6532228B2 - 光学部材及び光学部材の製造方法 - Google Patents
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Description
防止膜に用いることが知られている。シリカやフッ化マグネシウムの層内に空隙を形成することによって屈折率を下げることが可能である。例えば、屈折率1.38のフッ化マグネシウムの薄膜内に30体積%の空隙を設けることによって屈折率を1.27まで下げることが可能となる。しかしながら、空隙を形成した低屈折率層は、耐摩耗性が低下するという課題があった。
図1は、本発明の光学部材の一実施形態を示す模式図である。
基材2は、ガラス、樹脂などを用いることが可能である。また、その形状は限定されることはなく、平面、曲面、凹面、凸面、フィルム状であっても良い。
酸化ケイ素粒子5は、平均粒子径が10nm以上80nm以下であることが好ましく、12nm以上60nm以下であることがより好ましい。酸化ケイ素粒子5の平均粒子径が10nm未満の場合には、粒子間、粒子内いずれの空隙も小さくなり過ぎて屈折率を下げることが難しい。また、平均粒径が80nmを超える場合には、粒子間の空隙の大きさが大きくなるため、大きなボイドが発生しやすく、また粒子の大きさに伴う散乱が発生するため好ましくない。
バインダー6は、膜の耐摩耗性、密着力、環境信頼性によって適宜選択することが可能であるが、酸化ケイ素粒子5との親和性が高く多孔質膜3の耐摩耗性を向上するので、酸化ケイ素バインダーを用いることが好ましい。酸化ケイ素バインダーの中で、シリケート加水分解縮合物を用いることが好ましい。
多孔質層3は、厚さが80nm以上200nm以下であることが好まく、100nm以上160nm以下であることがより好ましい。膜厚が80nm未満だと耐摩耗性が得られ難く、200nmを超えると散乱が大きくなり易い。
本発明の光学部材1の製造方法は、基材2上または基材2上に形成された1層以上の膜の表面に、酸化ケイ素粒子5がバインダー6で結合した多孔質層3を形成する形成工程を有する。
限り、以下の実施例により限定されるものではない。
(1)中空SiO2粒子塗工液1の調製
中空SiO2粒子のIPA分散液(日揮触媒化成株式会社製 スルーリア1110、平均粒径55nm・固形分濃度20.50質量%、)6.00gに1−メトキシ−2−プロパノール28.17gで希釈を行い、中空SiO2微粒子塗工液(固形分濃度3.60質量%)を調製した。
鎖状SiO2粒子のIPA分散液(日産化学工業株式会社製 IPA−ST−UP、平均粒径12nm・固形分濃度15質量%、)6.00gに1−メトキシ−2−プロパノール24.00gで希釈を行い、鎖状SiO2微粒子塗工液(固形分濃度3.00質量%)を調製した。
ケイ酸エチル4.17gとエタノール2.30gの溶液に、予め希釈しておいた硝酸水(濃度3.7質量%)1.7gとエタノール2.30gの溶液をゆっくり加えた。15時間室温で攪拌した後、計り取った反応溶液2.00gに2−エチル−1−ブタノール36.33gで希釈を行い、SiO2バインダー塗工液3(固形分濃度0.6質量%)を調製した。
ケイ酸エチル3.83g、メチルトリエトキシシラン0.29gとエタノール2.26gの溶液に、予め希釈しておいた硝酸水(濃度3.7質量%)1.56gとエタノール2.26gの溶液をゆっくり加えた。15時間室温で攪拌した後、計り取った反応溶液2.00gに2−エチル−1−ブタノール37.66gで希釈を行い、8mol%だけSi上にメチル基が置換したSiO2バインダー塗工液(固形分濃度0.6質量%)を調製した。
ケイ酸エチル3.63g、メチルトリエトキシシラン0.46gとエタノール2.23gの溶液に、予め希釈しておいた硝酸水(濃度3.7質量%)1.46gとエタノール2.23gの溶液をゆっくり加えた。15時間室温で攪拌した後、計り取った反応溶液2.00gに2−エチル−1−ブタノール38.66gで希釈を行い、13mol%だけSi上にメチル基が置換したSiO2バインダー塗工液(固形分濃度0.6質量%)を調製した。
(6)膜厚の測定
分光エリプソメータ(VASE、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン製)を用い、波長380nmから800nmまで測定し、解析から膜厚を求めた。
分光エリプソメータ(VASE、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン製)を用い、波長380nmから800nmまで測定した。屈折率は波長550nmの屈折率とした。
波長550nmの屈折率から膜全体に対する空隙部(粒子の中空部を含む)の体積比を求め空隙率とした。粒子(中空部を除く)およびSiO2バインダーの屈折率は1.45、空隙部(粒子の中空部を含む)は1.0とした。
ポリエステルワイパー(テックスワイプ社製 アルファワイパーTX1009)で300g/cm2の荷重をかけ、20回往復させた後、目視による傷や擦り痕の有無を観察した。以下の基準で評価した。
A:サンプルに変化がなかった。
B:サンプルに、傷が付かなかったが擦り痕が見える。
C:サンプルに傷が付いた。
全自動接触角計(共和界面科学株式会社製 DM−701)を用い、純水2μlの液滴を接触した時の接触角を測定した。作製直後と純水に10分間浸漬した後の接触角をそれぞれ3回測定した平均値を水の接触角とした。以下の基準で評価した。
A:110°以上のもの。
B:100°以上110°未満のもの。
C:100°未満のもの。
70℃/100%RHに設定した環境試験機(エスペック株式会社製 SH−241)中に72時間置いた後の屈折率と純水の接触角の変化を確認した。
A:屈折率変化が0.01未満で、屈折率変化がほとんどないもの。
B:屈折率変化が0.01以上であるもの。
赤外分光スペクトル測定装置(Spectrum One,パーキンエルマー製)と付属のダイヤモンドプローブ付きのユニバーサルATRを用いて3750cm−1のシラノール由来のピークを観察した。
実施例1は、直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に、中空SiO2微粒子塗工液1を適量滴下し、3000rpmで20秒スピンコートを行なうことで基材上に中空SiO2微粒子からなる多孔質層を形成した。さらに中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層上にSiO2バインダー塗工液3を適量滴下し、4500rpmで20秒スピンコートを行なった。その後、熱風循環オーブン中で140℃30分間加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。さらに、シラザン化合物として1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン0.1gを6mlのガラス製サンプル管に計り取って、前述の多孔質層付き基材と一緒に容量610mlのガラス製容器内に入れた。このガラス製容器をシリコン樹脂性のパッキンが付いたポリプロピレン製の蓋で密閉した状態で、23℃15時間静置した。その後、多孔質層付き基材を取り出し、30分間大気中に放置した。容器内に置いた全ての1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザンが15時間で揮発したことを確認した。揮発量から計算した容器内のシラザン化合物の濃度は167mg/Lであった。
1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン
トリメチルシリル基
実施例2は、直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に、鎖状SiO2微粒子塗工液2を適量滴下し、3500rpmで20秒スピンコートを行なうことで基材上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。さらに鎖状SiO2微粒子からなる多孔質層上にSiO2バインダー塗工液3を適量滴下し、4500rpmで20秒スピンコートを行なった。その後、熱風循環オーブン中で140℃30分間加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例3は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材上に形成した中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層上に、SiO2バインダー塗工液4を適量滴下し、4500rpmで20秒スピンコートを行なった。その後、熱風循環オーブン中で140℃30分間加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例4は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に形成した鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層上に、実施例2と同様の方法でSiO2バインダー塗工液4をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例5は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材上に形成した中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層上に、SiO2バインダー塗工液5を適量滴下し、4500rpmで20秒スピンコートを行なった。その後、熱風循環オーブン中で140℃30分間加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施襟6は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、実施例2と同様の方法でSiO2バインダー塗工液4をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例7は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
1,1,3,3−テトラメチルジシラザン
ジメチルシリル基
実施例8は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例9は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
1,3−ビス(3,3,3−トリフルオロプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシラザン
3,3,3−トリフルオロプロピルジメチルシリル基
実施例10は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例11は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
ジメチルアミノトリメチルシラン
トリメチルシリル基
実施例12は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例13は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン
ジメチルシリレン基
実施例14は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
実施例15は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
2,2,4,4,6,6−ヘキサメチルシクロトリシラザン
ジメチルシリレン基
実施例16は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
比較例1は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
比較例2は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液3をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
比較例3は、実施例3と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液4をコート、加熱することで中空SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
比較例4は、実施例4と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。この多孔質層に、SiO2バインダー塗工液4をコート、加熱することで鎖状SiO2微粒子がバインダーで結合した多孔質層を形成した。
比較例5は、実施例1と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に形成した中空SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。
比較例6は、実施例2と同様の方法で直径(φ)30mm厚さ1mmのガラス基材(nd=1.77、νd=50)上に形成した鎖状SiO2微粒子のみからなる多孔質層を形成した。
実施例1乃至16の光学部材は、多孔質層の屈折率が1.24〜1.25と低く、反射防止膜(多孔質層)の表面と水との接触角が112〜127と撥水性を有しており、耐摩耗性に優れている。また、実施例1乃至16の光学部材は、酸化ケイ素粒子およびバインダーの表面アルキルシリル化されているので、高温高湿試験前後の屈折率変化が少ない。これに対して、アルキルシリル化されていない比較例1乃至4の光学部材は、実施例1乃至16の光学部材と比較して、撥水性を有さず、耐摩耗性に劣り、高温高湿試験前後の屈折率変化が大きい。バインダーを有さない比較例5および6の光学部材は、実施例1乃至16の光学部材と比較して、耐摩耗性に劣っていた。
2 基材
3 多孔質層
4 反射防止膜
5 酸化ケイ素粒子
6 バインダー
7 酸化物層
Claims (14)
- 基材と、前記基材上に反射防止膜とを有する光学部材であって、
前記反射防止膜は、表面に多孔質層を有し、
前記多孔質層は、複数の酸化ケイ素粒子と、バインダーと、前記複数の酸化ケイ素粒子間に形成される空隙とを有し、
前記多孔質層は、屈折率が1.22以上1.27以下であり、
前記酸化ケイ素粒子および前記バインダーの前記空隙に面する表面に、下記一般式(2)及び/または下記式(3)で表されるアルキルシリル基を有していることを特徴とする光学部材。
(式中、R2は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基である。)
(式中、R3は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基である。) - 前記多孔質層は、空隙率が30%以上50%以下であることを特徴とする請求項1に記載の光学部材。
- 前記酸化ケイ素粒子は、平均粒子径が10nm以上80nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学部材。
- 前記酸化ケイ素粒子は、50質量%以上が中空粒子であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光学部材。
- 前記酸化ケイ素粒子は、50質量%以上が鎖状の粒子であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光学部材。
- 前記多孔質層は、前記多孔質層の表面と水との接触角が110°以上140°以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光学部材。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学部材を有する撮像機器。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学部材を有する投影機器。
- 基材と、前記基材上に表面が多孔質層の反射防止膜を有する光学部材の製造方法であって、
前記基材上に、複数の酸化ケイ素粒子をバインダーで結合することにより、前記複数の酸化ケイ素粒子間に空隙を有する多孔質層を形成する形成工程と、
前記多孔質層を、シラザン化合物を含む雰囲気に暴露することで、前記酸化ケイ素粒子及びバインダーの前記空隙に面する表面をアルキルシリル化する表面処理工程と、を有することを特徴とする光学部材の製造方法。 - 前記形成工程は、前記多孔質層を湿式法で形成した後に、乾燥および/または硬化する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の光学部材の製造方法。
- 前記シラザン化合物は、下記一般式(4)又は(5)のいずれかの化合物を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載の光学部材の製造方法。
(式中、R4は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基であり、R5およびR6はそれぞれ独立して水素または炭素数1〜3のアルキル基である。)
(式中、R7は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基であり、R8は水素または炭素数1〜3のアルキル基である。) - 前記シラザン化合物は、下記一般式(6)又は(7)のいずれかの化合物を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載の光学部材の製造方法。
(式中、R9は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基であり、R10およびR11はそれぞれ独立して水素または炭素数1〜3のアルキル基である。)
(式中、R12は1価の有機基であって、炭素数1〜3の直鎖または分岐したアルキル基、アルケニル基、フッ素アルキル基であり、R13は水素または炭素数1〜3のアルキル基である。) - 前記表面処理工程は、前記シラザン化合物の濃度が5mg/L以上200mg/L以下の雰囲気で行うことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の光学部材の製造方法。
- 前記形成工程は、前記酸化ケイ素粒子の分散液を塗布した後に、前記バインダー又はバインダーを生成するための成分を有する溶液を塗布する工程を有することを特徴とする請求項9乃至13のいずれか一項に記載の光学部材の製造方法。
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