JP2003292342A - シリカ系膜被覆物品 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 344
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 263
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 105
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 89
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 78
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 66
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 50
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 44
- 239000002585 base Substances 0.000 description 42
- -1 chlorosilyl group Chemical group 0.000 description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 35
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 31
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 29
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 23
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 14
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 11
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 11
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical group CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1Cl ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 3
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 2
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYRSGXAIHNMKOL-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-sulfanylethane Chemical compound CC[S] WYRSGXAIHNMKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]acetyl]-3,6-dihydro-2H-pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CCC(=CC1)C(=O)O DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFKABAMEQKYPLK-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutan-1-ol Chemical compound CCCCOC(O)CCC OFKABAMEQKYPLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUFQTNFCRMXOAE-UHFFFAOYSA-N 1-methylmethylene Chemical compound C[CH] UUFQTNFCRMXOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033007 Carbonic anhydrase 14 Human genes 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867862 Homo sapiens Carbonic anhydrase 14 Proteins 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100284369 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) has-1 gene Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N [SiH4].N=C=O Chemical compound [SiH4].N=C=O NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001339 silanediyl group Chemical group [H][Si]([H])(*)* 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- ZCVOUFBEEYGNOL-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZCVOUFBEEYGNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHVAUDREWWXPRW-UHFFFAOYSA-N triethoxy(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FHVAUDREWWXPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
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- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1254—Sol or sol-gel processing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
系膜被覆物品を提供する。 【解決手段】 透明なガラス板その他の基材と、その基
材表面にゾルゲル法により被覆された、酸化ケイ素を主
成分とするシリカ系被膜からなるシリカ系膜被覆物品で
あり、その被膜の表面が算術平均粗さ(Ra)=0.1
0nm以上、0.5nm以下でかつ十点平均粗さ(R
z)=1.0nm以上、5.0nm以下の粗さを有し、
そしてシリカ系被膜は好ましくは5〜300nmの厚み
を有する。
Description
ス、プラスチックスあるいは金属等の基材表面にシリカ
系膜を被覆したシリカ系膜被覆物品に関する。
を設ける際に、基材と機能性皮膜との結合強度を向上さ
せること、および基材がアルカリ成分を含む場合にアル
カリ成分の拡散を防止し、機能性皮膜の耐久性能を高め
ることを目的として、基材と機能性膜との間にシリカそ
の他の酸化物下地膜が設ける種々の技術が知られてい
る。
ゾル−ゲル法(特公平4−20781号、特開平2−3
11332号)、クロロシランを非水系溶媒に溶かした
溶液を塗布する方法(特開平5−86353号、日本特
許第2525536号(特開平5−238781
号))、CVD法、蒸着法等が知られている。
は、機能性皮膜との結合強度を向上させるため下地膜の
表面に水酸基を増やすことが主眼となっている。しか
し、下地膜表面の水酸基は空気中に含まれる水を吸着し
易く、いったん水が吸着するとそれを容易に取り除くこ
とが困難で、機能性膜を塗布する際に100〜200℃
程度の加熱を行うか(前記特公平4−20781号、前
記特開平2−311332号、前記特開平5−2387
81号)、あるいは、加熱が必要でない場合にも長時間
の処理(上記特開平5−86353号)が必要であっ
た。
特開平2−311332号、前記日本特許第25255
36号)においては、常温で塗布するのみでは下地膜自
体の強度が低く、この強度を高めるために、塗布後に5
00〜600℃程度での焼成が不可欠であった。さら
に、基材がアルカリを含む場合には、焼成中でのアルカ
リの拡散を防止するためには、100nm以上の厚みの
酸化物下地膜を形成することが必要である。しかし、下
地膜の厚みが大きくなると、膜厚が不均一となりやす
く、反射ムラ等の外観不良が発生し易くなり、また、製
造コストが高くなるなどの問題があった。
カーボン、塩化メチレン、炭化水素のような非水系溶媒
に溶かした溶液を塗布する方法(前記日本特許第252
5536号)では、常温でシリカ下地膜が得られるもの
の、耐擦傷性が低い。クロロシリル基は極めて反応性が
高く、塗布液の調合、保存を水を含まない環境でおこな
う必要があり、製造コストの面から好ましくない。
て、焼成等の製造コストの上昇につながる処理を必要と
せずに、下地膜として優れたシリカ系膜被覆物品を提供
することを目的とする。
め、本発明においては、低濃度のシリコンアルコキシド
と高濃度の揮発性の酸からなるアルコール溶液を基材に
塗布し、常温で乾燥することにより、強固でしかも表面
にアルコキシル基を有するシリカ系膜を基材表面に被覆
し、さらに、このシリカ系膜の上に加水分解可能な基と
機能性官能基を有するオルガノシランを塗布することに
より、機能性膜を基材に強固に結合せしめた。
および酸を含むアルコール溶液からなるコーティング液
を基材に塗布するシリカ系膜被覆物品を製造する方法に
おいて、前記コーティング液は、 (A)シリコンアルコキシドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)の 少なくともいずれか1つ 0.010〜3重量%(シリカ換算)、 (B)酸 0.0010〜1.0規定、および (C)水 0〜10重量% を含有することを特徴とするシリカ系膜被覆物品を製造
する方法である。なお、(A)成分がシリコンアルコキ
シドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)の
両者を含む場合は(A)成分の重量%はその合計値であ
る。
いるシリコンアルコキシドは特に限定するものではない
が、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等を挙げ
ることができるが、比較的分子量の小さいシリコンアル
コキシド、例えば炭素数が3以下のアルコキシル基を有
するテトラアルコキシシランが、緻密な膜となり易いの
で好ましく用いられる。またこれらテトラアルコキシシ
ランの重合体であって、平均重合度が5以下のものも好
ましく用いられる。
としては、常温の乾燥で揮発して膜中に残らないという
観点から、塩酸、弗酸、硝酸、酢酸、ギ酸、トリフルオ
ロ酢酸等の揮発性の酸が好ましく、なかでも、高い揮発
性を有し、しかも取り扱いが比較的容易な塩酸が特に好
ましい。
ル溶媒についても特に限定するものではないが、例え
ば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−
プロパノール、ブチルアルコール、アミルアルコール等
を挙げることができるが、それらの中で、メタノール、
エタノール、1−プロパノール、2−プロパノールのよ
うな炭素数が3以下の鎖式飽和1価アルコールが、常温
における蒸発速度が大きいので好ましく用いられる。
を溶解するためのもの、溶媒中の不純物、雰囲気の湿度
から入るもの等)を含むアルコール溶液からなるコーテ
ィング液内部で、その調合中、貯蔵中および塗布後にお
いて、酸を触媒として、シリコンアルコキシドと水との
間で、式(1)に示す加水分解反応が行われる。また式
中、Rはアルキル基である。
Si−OH)同士が、式(2)に示すように脱水縮合反
応してシロキサン結合(−Si−O−Si−)を形成す
る。
むアルコール溶液からなるコーティング液中で、上記式
(1)のように、シリコンアルコキシドのアルコキシ基
が加水分解反応するかどうか、また、加水分解反応した
シラノール基(−Si−OH)同士が、上記コーティン
グ液中で上記式(2)に示すような脱水縮合反応をする
かどうかは、溶液の酸濃度、シリコンアルコキシドまた
はその加水分解物の濃度、水分量によって大きく左右さ
れる。シリコンアルコキシドの濃度および水分量が低い
ほど上記式(1)の反応が起こり難く、結果的に上記式
(2)の反応も起こり難くなる、また、溶液の酸濃度が
pHで0〜3の範囲にあるときは上記式(1)の反応は
速やかに起こるが、上記式(2)の反応が起こり難い。
コンアルコキシドは、塗布前においては、上記脱水縮合
反応を抑制して、極力低重合度のまま保持し、このコー
ティング液を基材表面に塗布、乾燥する時に、急激に上
記式(1)、式(2)の反応を起こしてシロキサン結合
を形成させるため、常温で緻密な被膜を形成することを
可能にした。従来技術のように溶液中でシリコンアルコ
キシドを加水分解、縮重合反応させた場合、溶液を基材
表面に塗布、乾燥する時に重合体同士の結合となるため
に、空隙が生じやすくなり、緻密な被膜にならず、緻密
な被膜にするために焼成硬化が必要であった。従って、
本発明において、コーティング液中のシリコンアルコキ
シドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)
は、単量体または20量体未満の重合体であることが好
ましい。しかし、単量体、および20量体未満の重合体
の合計がシリコンアルコキシドおよびその加水分解物
(部分加水分解物を含む)全体に対して80重量%以上
を占める場合には、20量体以上の重合体が含まれてい
ても差し支えない。
酸触媒の濃度を0.0010〜1.0規定に保つことに
より、コーティング液のpHが0〜3となり、特にpH
が約2のときに、上記式(1)の残りのアルコキシル基
の加水分解反応、および上記式(2)の脱水縮合反応が
塗布前のコーティング液中で起こりにくくなり、コーテ
ィング液が塗布された直後に急激にこれらの反応が進行
する。コーティング液中の酸の好ましい濃度は0.01
〜1.0規定である。
0.3倍以上の高い濃度を有することが、上記コーティ
ング液中の酸の濃度を維持するために好ましい。すなわ
ち、水溶液の状態の酸を使用するときは、23.1%以
上の濃度を有する高濃度の酸、例えば約6.3規定以上
の塩酸水溶液であることが好ましい。またエタノールに
溶解した状態の酸を触媒として添加するときには、この
エタノール溶液が例えば0.5重量%の水分を含有して
いるとすれば、エタノール溶液中の酸の濃度は0.15
重量%(0.5重量%の0.3倍)以上、例えば塩酸で
は0.04規定以上、であることが好ましい。
キシドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)
の合計の濃度は、できるだけ低い方が、上記コーティン
グ液のpHと相俟って、上記式(1)の残りのアルコキ
シル基の加水分解反応、および式(2)の脱水縮合反応
が塗布前のコーティング液中で起こりにくくなるので好
ましい。しかしこの濃度があまり低すぎるとシリカ膜の
厚みが小さくなり過ぎて、例えば膜厚が5nm未満にな
って、均一に基材を覆うことが困難となり、基材がアル
カリ成分を含む場合にアルカリ成分の拡散を防止する能
力が低下して、耐久性能が劣る傾向があり、またその上
に機能性膜を被覆する場合、機能性膜を強固にシリカ膜
に結合することができなくなる。またシリコンアルコキ
シドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)の
合計濃度が3重量%を超えると、得られるシリカ膜の厚
みが300nmを超え、膜に傷がつき易く強固な膜とな
らない。従ってコーティング液中のシリコンアルコキシ
ドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)の合
計濃度(20量体未満の重合体も含む)の範囲は、シリ
カに換算して0.010〜3重量%であり、好ましい範
囲は、0.010〜0.6重量%である。
キシドおよびその加水分解物(部分加水分解物を含む)
の濃度が比較的に高く保たれる場合には、コーティング
液中の酸触媒の濃度も比較的に高く保つことが好まし
い。具体的には、コーティング液は、(A)シリカ換算
による、シリコンアルコキシドおよびその加水分解物
(部分加水分解物を含む)および(B)酸を、「(B)
成分(規定)/(A)成分(重量%)」が0.010以
上になるように含有することが好ましく、0.03以上
になるように含有することが更に好ましい。
と、液中でシリコンアルコキシドの加水分解反応が促進
され、かつ脱水縮合反応が起こりやすくなり、またコー
ティング液塗布後の乾燥の際に膜厚のムラが生じ易くな
るので、コーティング溶液中の水の濃度はできるだけ小
さい方が好ましい。従って、コーティング液中の水の濃
度は0〜10重量%であり、0〜2重量%であることが
好ましい。
を維持することにより、上記のコーティング液のpH維
持およびコーティング液中のシリコンアルコキシドおよ
びその加水分解物(部分加水分解物を含む)の合計濃度
維持と相俟って、上記式(1)の残りのアルコキシル基
の加水分解反応、および式(2)の脱水縮合反応が塗布
前のコーティング液中で起こりにくくなるので好まし
い。コーティング液中の水の濃度がゼロであっても、基
材に塗布された後の塗布膜には空気中の水分が吸収され
るので加水分解反応が阻害されることはない。しかし、
通常のアルコール溶媒には元々若干の水が含まれ、ま
た、酸は水溶液の形で添加することが多いので、コーテ
ィング液中の水の濃度は通常は0.1重量%以上とな
る。
比較的に低く保たれる場合には、コーティング液中の水
の含有量を比較的に高く保つことが好ましく、またコー
ティング液中の水の含有量が比較的に低く保たれる場合
には、コーティング液中の酸触媒の濃度を比較的に高く
保つことが好ましい。具体的には、コーティング液は、
(B)酸および(C)水を、[(B)成分(規定)×
(C)成分(重量%)]が0.0020以上になるよう
に含有することが好ましい。例えば、コーティング液中
の酸触媒の濃度が0.003規定未満で水の濃度がゼロ
またはあまり低い場合には、塗布膜への空気中からの水
分吸収だけでは加水分解反応が不十分となりやすい。従
って酸触媒の濃度が例えば0.0010規定のコーティ
ング液中には水が約2.0重量%以上含有されているこ
とが好ましい。
合でアルコール溶媒に溶解した溶液を攪拌すると、溶液
中では、上記式(1)の反応により主としてシリコンア
ルコキシドが加水分解物を形成し、かつ、前記式(2)
の反応によりその加水分解物の一部が脱水縮合反応す
る。このようにしてコーティング液が調製され、このコ
ーティング液中には、シリコンアルコキシドが単量体
(加水分解物を含む)または20量体未満の重合体の形
で存在する。
と、塗布されて膜状となった液の比表面積が増大するの
で、膜中のアルコール溶媒が急速に蒸発して、シリコン
アルコキシドおよびその加水分解物(部分加水分解物を
含む)の合計の塗膜中濃度が急に高くなり、それまで抑
制されていた加水分解反応および脱水縮合反応(上記2
0量体未満の重合体の更なる縮重合反応を含む)が急激
に起こってシロキサン結合(・・Si−O−Si・・)が塗布
膜内で多数生成され、その結果、基材表面と膜との間の
結合が強固な、膜厚が5〜300nmのシリカを主成分
とする緻密性の高い膜が形成される。このように、本発
明においては、成膜時の反応性が高く、室温で反応し
て、非常に緻密な膜が形成され、その後の焼成は必要で
はない。
に、すでに脱水縮合反応によるシロキサン結合が多数存
在して、20以上の重合度の重合体が含有され場合に
は、得られたシリカ膜中にシロキサン結合は存在する
が、基材表面とシリカ膜とをつなぐシロキサン結合はそ
れほど多く生成されないので、基材表面とシリカ膜との
間の結合はそれほど強固ではない。そしてこの結合を強
固にするために、従来は、更に高温度の焼成を必要とす
る。
グ液中でまだ完全には加水分解していなかったシリコン
アルコキシド部分加水分解物の加水分解反応および脱水
縮合反応が塗布膜中で同時に進行するので、形成された
シリカ膜表面にはアルコキシル基が加水分解されずに残
っており、後述のように、このシリカ膜を下地膜として
その上に機能性膜を被覆するときに、機能性膜の付着性
を向上させることができる。従来のゾル−ゲル法で緻密
なシリカ膜を形成するには、脱水縮合したシリカ膜を通
常500〜600℃で加熱する必要がある。
た後に、常温で、または150℃以下の温度で、30秒
間〜5分間、自然乾燥または強制乾燥するだけで緻密な
シリカ膜が形成される。もし上記塗布膜を150℃以上
の温度で加熱すれば、シリカ膜はそれ以上緻密にはなら
ないだけでなく、シリカ膜の上に被覆させる機能性膜の
付着性を向上させることができなくなる。
存しているかどうかは、シリカ膜表面の静的水滴接触角
を測定することによって知ることができる。後に実施例
で示すように本発明によるシリカ膜表面の静的水滴接触
角は20〜40度である。これに対して例えば従来のゾ
ル−ゲル法でシリカ膜を形成し、膜の緻密化のために5
00〜600℃で焼成した場合には、静的水滴接触角の
値は数度以下となる。このように静的水滴接触角が低く
なるのは、焼成の前のシリカ膜表面にはアルコキシル基
が残っているものの、上記焼成によりアルコキシル基が
分解されてシリカ膜表面の水酸基が増えて親水化するこ
とによるものと考えられる。
して、その上にオルガノシランを含む機能性膜用液を塗
布しても、通常の環境では、オルガノシランを塗布する
前に、シリカ下地膜表面の水酸基に空気中の水分が結合
して、水が下地膜表面に吸着してしまっているために、
常温でシリカ下地膜とオルガノシランの間の化学結合を
形成することが困難となるのである。
コキシル基が多く残っており、水酸基は少ないので、空
気中の水分が下地膜表面に吸着することが防止されると
考えられる。従って、このシリカ下地膜にオルガノシラ
ンを含む機能性膜用液を塗布した場合には、シリカ下地
膜のアルコキシル基とオルガノシランのシラノール基
(水酸基または加水分解した官能基)との反応により、
常温でシリカ下地膜とオルガノシランの間の化学結合を
形成することができ、機能性膜をシリカ下地膜に強固に
付着させることができる。
または、親水処理された金属やプラスチックスの基材の
表面に関しても、そのままでは上記と同様に、塗布した
オルガノシランの間の化学結合を形成することが困難で
あるが、本発明によってアルコキシル基が残存するシリ
カ下地膜をこれらの基材表面に形成させることにより、
機能性膜を基材に強固に付着させることができる。この
シリカ下地膜は高温に加熱されると、残存していたアル
コキシル基が消失し、それに代わって水酸基が形成され
るので、その上に被覆させる機能性膜を強固に付着させ
ようとするときには、シリカ下地膜を予め150℃を越
える温度で加熱すべきではない。
表面の平滑性が非常に優れている。従って、このシリカ
膜の下地の上に機能性オルガノシランを塗布することに
よって得られる機能性膜も、その表面の平滑性が非常に
優れている。すなわち、シリカ膜および機能性膜の表面
は算術平均粗さ(Ra)=0.5nm以下、特に0.1
0〜0.5nm、でかつ十点平均粗さ(Rz)=5.0
nm以下、特に1.0〜5.0nm、の粗さを有する。
この表面粗さRaおよびRzは、原子間力顕微鏡(AF
M)(セイコー電子工業(株)製、走査型プローブ顕微
鏡「SPI3700」、カンチレバー;シリコン製「S
I−DF20」)を用いて、二次元で定義されるJIS
B 0601を三次元に拡張した方法で測定することが
できる。この場合、試料の測定面積は1μm×1μmの
正方形であり、測定点数 512×256点、スキャン
速度1.02Hz、DFM(サイクリックコンタクトモ
ード)にて表面形状を測定し、ローパスフィルターによ
る補正と、測定データのレベリング補正(最小二乗近似
によって曲面を求めてフィッティングし、データの傾き
を補正し、更にZ軸方向の歪みを除去する)を行い、表
面粗さRaおよびRz値を算出した。
能性膜が優れた撥水性、優れた低摩擦抵抗性、優れた水
滴の転がり性、優れた防汚性、および優れた耐久性を示
す理由の一つは、平滑性の優れたシリカ膜の上に被覆し
た機能性膜表面の優れた平滑性によると推定される。そ
してこのシリカ膜の優れた平滑性が得られる理由は次の
ように推測される。すなわち、塗布前のコーティング液
中で、シリコンアルコキシドが単量体(加水分解物を含
む)または20量体未満の重合体の形で溶媒中に均一に
溶解しており、しかも塗布された後には高濃度の酸触媒
の存在およびシリコンアルコキシド(加水分解物を含
む)の濃度の急速上昇の効果で、室温で緻密なシリカ膜
を形成させるために優れた平滑性が得られると推測され
る。
コンアルコキシドに代えて、例えば、テトラクロロシラ
ンのようなクロロシリル基含有化合物を非水系溶媒に溶
解した液を塗布した場合は、クロロシリル基含有化合物
の反応性が非常に高いために、反応が不均一となり、得
られた膜の表面粗さは、例えば、算術平均粗さ(Ra)
=7.9nm、十点平均粗さ(Rz)=29.8nmで
あり、本発明に比して膜の平滑性が劣っている。
について説明したが、シリカを主成分とする膜の被覆物
品にも適用することができる。すなわち膜成分として、
アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、セリウム等
のシリコン以外の酸化物を添加し、酸化物換算で上記シ
リカの最大30重量%まで、通常は1〜30重量%を置
換してシリカ系の多成分酸化物膜とすることによって、
さらに耐久性を向上させることができる。なかでも、ア
ルミニウム、ジルコニウムは、下地膜自体を強固にし、
さらに機能性皮膜との結合を強固にするので好ましい。
シリコン以外の酸化物の添加量は1重量%より少ないと
添加効果が得られず、また、30重量%より多いと膜の
緻密性が損なわれ強固な膜とならない。
アルコキシドを、β−ジケトン、酢酸、トリフルオロ酢
酸、エタノールアミン等で化学修飾したキレート化物の
形で添加することが好ましい。特に、β−ジケトンの一
種であるアセチルアセトンで化学修飾して添加すると、
溶液の安定性が優れ、また、比較的強固な膜となるので
好ましい。
は、上記のアルコール溶液からなるコーティング液を、
常温常圧下で、ガラス、セラミックス、プラスチックス
あるいは金属等の基材表面に塗布し、常温常圧下で、ま
たは150℃以下の温度で、30秒間〜5分間、自然乾
燥または強制乾燥することによりおこなわれる。
表面には水酸基のような親水性基が存在するので、上記
コーティング液を塗布したときに基材上に塗膜が形成さ
れる。しかし、プラスチックス基材の種類によってはそ
の表面に親水性基が少なく、アルコールとの濡れが悪い
ために、コーティング液が基材表面ではじかれて塗膜が
形成され難いことがある。このように表面の親水性基が
少ない前記基材の場合には、その表面を、予め酸素を含
むプラズマまたはコロナ雰囲気で処理して親水性化した
り、あるいは、基材表面を酸素を含む雰囲気中で200
〜300nm付近の波長の紫外線を照射して、親水性化
処理を行った後に、シリカ系膜被覆処理を行うことが好
ましい。
塗布方法は、特に限定されるものではないが、例えばデ
ィップコート、フローコート、スピンコート、バーコー
ト、ロールコート、スプレーコート、手塗り法、刷毛塗
り法などが挙げられる。
金属、プラスチックスなどの基材の表面に、高温に加熱
することなく、緻密で硬いシリカ系皮膜を形成すること
ができる。また基材からのアルカリを遮断する性能を有
し、または基材と機能性膜との結合強度を向上させる下
地膜としても有用であり、上記シリカ系膜上に、例えば
加水分解可能な基および機能性官能基、を有するオルガ
ノシランまたはその加水分解物(部分加水分解物を含
む)を塗布したり、その他の被覆をおこなうことによっ
て、撥水、撥油、防曇、防汚、低摩擦抵抗、反射防止そ
の他の光学膜、導電膜、半導体膜、保護膜等の機能性膜
を形成することができる。
は、特に限定されるものではないが、ハロゲン、ハイド
ロジェン、アルコキシル、アシロキシ、イソシアネート
等が挙げられる。特に、アルコキシル基は、反応が極端
に激しくなく、保存等の取り扱いが比較的容易であるの
で好ましい。
としては、特に限定されないが、撥水性官能基としての
フロオロアルキル基、および加水分解可能な基を含有す
るオルガノシランを用いて処理する方法が好ましい。
ランとしては、CF3(CF2)11(CH2)2SiCl3、
CF3(CF2)10(CH2)2Si(Cl)3、CF3(C
F2)9(CH2)2SiCl3、CF3(CF2)8(CH2)
2SiCl 3、CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3、CF
3(CF2)6(CH2)2SiCl3、CF3(CF2)5(C
H2)2SiCl3、CF3(CF2)4(CH2)2SiC
l3、CF3(CF2)3(CH2)2SiCl3、CF3(C
F2)2(CH2)2SiCl3、CF3CF2(CH2)2Si
Cl3 、CF3(CH2)2SiCl3のようなパーフロオ
ロアルキル基含有トリクロロシラン;CF3(CF2)11
(CH2)2Si(OCH3)3、CF3(CF2)10(C
H2)2Si(OCH3)3、CF3(CF2)9(CH2)2S
i(OCH3)3、CF3(CF2)8(CH2)2Si(OC
H3)3、CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)3、
CF3(CF2)6(CH2)2Si(OCH3)3、CF
3(CF2)5(CH2)2Si(OCH3)3、CF3(C
F2)4(CH2)2Si(OCH3)3、CF3(CF2)
3(CH2)2Si(OCH3)3、CF3(CF2)2(C
H2)2Si(OCH3)3、CF3CF2(CH2)2Si(O
CH3)3、CF3(CH2)2Si(OCH3)3、CF
3(CF2)11(CH2)2Si(OC2H5)3、CF3(C
F2)10(CH2)2Si(OC2H5)3、CF3(CF2)9
(CH2)2Si(OC2H5)3、CF3(CF2)8(C
H 2)2Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7(CH2)2
Si(OC2H5)3、CF3(CF2)6(CH2)2Si(O
C2H5)3、CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC
2H5)3、CF3(CF2)4(CH2)2Si(OC
2H5)3、CF3(CF2)3(CH 2)2Si(OC
2H5)3、CF3(CF2)2(CH2)2Si(OC
2H5)3、CF3CF2(CH2)2Si(OC2H5)3、C
F3(CH2)2Si(OC2H5)3 のようなパーフロオロ
アルキル基含有トリアルコキシシラン;CF3(CF2)
11(CH2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)10
(CH2) 2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)9(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF 3(CF2)8(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)7(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)6(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)5(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)4(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2)3(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3(CF2) 2(C
H2)2Si(OCOCH3)3、CF3CF2(CH2)2Si
(OCOCH3)3、CF3(CH2)2Si(OCOC
H3)3 のようなパーフロオロアルキル基含有トリアシ
ロキシシラン;CF3(CF2)11(CH2)2Si(NC
O)3、CF3(CF2)10(CH2)2Si(NCO)3、
CF3(CF2)9(CH2)2Si(NCO)3、CF3(C
F2)8(CH2)2Si(NCO)3、CF3(CF2)
7(CH2)2Si(NCO)3、CF3(CF2)6(C
H2)2Si(NCO)3、CF3(CF2)5(CH2)2Si
(NCO) 3、CF3(CF2)4(CH2)2Si(NC
O)3、CF3(CF2)3(CH2)2Si(NCO)3、C
F3(CF2)2(CH2)2Si(NCO)3、CF3CF2
(CH2)2Si(NCO)3、CF3(CH2)2Si(NC
O)3のようなパーフロオロアルキル基含有トリイソシ
アネートシランを例示することができる。
ンを用いて処理することによって、撥水、あるいは、低
摩擦抵抗の機能性膜を得ることができる。特に限定され
るものではないが、炭素数1〜30の直鎖状のアルキル
基、および加水分解可能な基を含有するオルガノシラン
が好ましく利用できる。
ては、CH3(CH2)30SiCl3、CH3(CH2)20S
iCl3、CH3(CH2)18SiCl3、CH3(CH2)16
SiCl3、CH3(CH2)14SiCl3、CH3(CH2)
12SiCl3、CH3(CH2)10SiCl3、CH3(C
H2)9SiCl3、CH3(CH2)8SiCl3、CH3(C
H2)7SiCl3、CH3(CH2)6SiCl3、CH3(C
H2)5SiCl3、CH 3(CH2)4SiCl3、CH3(C
H2)3SiCl3、CH3(CH2)2SiCl3、CH3CH
2SiCl3、(CH3CH2)2SiCl2、(CH3CH2)
3SiCl、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2、(C
H3)3SiClのようなアルキル基含有クロロシラン;
CH3(CH2)30Si(OCH3)3、CH3(CH2)20
Si(OCH3)3、CH3(CH2)18Si(OCH3)3、
CH3(CH2)16Si(OCH3)3、CH3(CH 2)14
Si(OCH3)3、CH3(CH2)12Si(OCH3)3、
CH3(CH2)10Si(OCH3)3、CH3(CH2)9S
i(OCH3)3、CH3(CH2)8Si(OCH3)3、C
H3(CH2)7Si(OCH3)3、CH3(CH2)6Si
(OCH3)3、CH3(CH2)5Si(OCH3)3、CH
3(CH2)4Si(OCH3)3、CH3(CH2)3Si(O
CH3)3、CH3(CH2)2Si(OCH3)3、CH3C
H2Si(OCH3)3、(CH3CH2)2Si(OC
H3)2、(CH3CH2)3SiOCH3、CH3Si(OC
H3)3、(CH3)2Si(OCH3)2、(CH3)3SiO
CH3、CH3(CH2)30Si(OC2H5)3、CH3(C
H2)20Si(OC2H5)3、CH3(CH2)18Si(OC
2H5)3、CH3(CH2)16Si(OC2H5)3、CH
3(CH2)14Si(OC2H5)3、CH3(CH2)12Si
(OC2H5)3、CH3(CH2)10Si(OC2H5)3、
CH3(CH2)9Si(OC2H5)3、CH3(CH2) 8S
i(OC2H5)3、CH3(CH2)7Si(OC2H5)3、
CH3(CH2)6Si(OC2H5)3、CH3(CH2)5S
i(OC2H5)3、CH3(CH2)4Si(OC2H5)3、
CH3(CH2)3Si(OC2H5)3、CH3(CH2)2S
i(OC2H5)3、CH3CH2Si(OC2H5)3、(CH
3CH2)2Si(OC2H5)2、(CH3CH2)3SiOC2
H5、CH3Si(OC2H5)3、(CH3)2Si(OC2H
5)2、(CH3)3SiOC2H5 のようなアルキル基含
有アルコキシシラン;CH3(CH2)30Si(OCOC
H3)3、CH3(CH2)20Si(OCOCH3)3、CH3
(CH2)18Si(OCOCH3)3、CH3(CH2)16S
i(OCOCH3)3、CH3(CH2)14Si(OCOCH
3)3、CH3(CH2)12Si(OCOCH3)3、CH
3(CH2)10Si(OCOCH3)3、CH3(CH2)9S
i(OCOCH3)3、CH3(CH2)8Si(OCOC
H3)3、CH3(CH2)7Si(OCOCH3)3、CH3
(CH2)6Si(OCOCH3)3、CH3(CH2)5Si
(OCOCH3)3、CH3(CH2)4Si(OCOC
H3)3、CH3(CH2)3Si(OCOCH3)3、CH3
(CH2)2Si(OCOCH3)3、CH3CH2Si(OC
OCH3)3、(CH3CH2)2Si(OCOCH3)2、
(CH3CH2)3SiOCOCH3、CH3Si(OCOC
H3)3、(CH3)2Si(OCOCH3)2、(CH3)3
SiOCOCH3 のようなアルキル基含有アシロキシシ
ラン;CH3(CH2)30Si(NCO)3、CH3(C
H2)20Si(NCO)3、CH3(CH2)18Si(NC
O)3、CH3(CH2)16Si(NCO)3、CH3(CH
2)1 4Si(NCO)3、CH3(CH2)12Si(NCO)
3、CH3(CH2)10Si(NCO)3、CH3(CH2)9
Si(NCO)3、CH3(CH2)8Si(NCO)3、C
H3(CH2)7Si(NCO)3、CH3(CH2)6Si
(NCO)3、CH3(CH2)5Si(NCO)3、CH3
(CH2)4Si(NCO)3、CH3(CH2)3Si(NC
O)3、CH3(CH2)2Si(NCO)3、CH3CH2S
i(NCO)3、(CH3CH2)2Si(NCO)2、(C
H3CH2)3SiNCO、CH3Si(NCO)3、(C
H3)2Si(NCO)2、(CH3)3SiNCO のような
アルキル基含有イソシアネートシランを例示することが
できる。
び加水分解可能な基を分子内に有するオルガノシランを
用いて処理することによって、水滴の転がり始める臨界
傾斜角が低く、かつ、汚れが吸着あるいは付着しにくい
機能性膜を得ることができる。
ポリエチレンオキシド基、ポリプロピレンオキシド基な
どが主に使用される。これらの基を有するオルガノシラ
ンとして、例えば、[アルコキシ(ポリアルキレンオキ
シ)アルキル]トリアルコキシシラン、N−(トリエト
キシシリルプロピル)−O−ポリエチレンオキシドウレ
タン、[アルコキシ(ポリアルキレンオキシ)アルキ
ル]トリクロロシラン、N−(トリクロロシリルプロピ
ル)−O−ポリエチレンオキシドウレタンのようなオル
ガノシランが上げられるが、より具体的には[メトキシ
(ポリエチレンオキシ)プロピル]トリメトキシシラ
ン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)プロピル]トリ
エトキシシラン、[ブトキシ(ポリプロピレンオキシ)
プロピル]トリメトキシシラン等が好ましく用いられ
る。
に溶解し、酸触媒を用いて加水分解した溶液を前記シリ
カ系膜(下地膜)上に塗布することによって、特に熱処
理を施すことなく、下地膜表面のアルコキシル基とオル
ガノシランのシラノール基との脱アルコール反応が起こ
り、シロキサン結合を介して下地膜とオルガノシランが
結合される。また、上記オルガノシランの加水分解性官
能基の反応性が高い場合、例えば、上記オルガノシラン
がクロル基、イソシアネート基、アシロキシ基等を有す
る場合は、下地膜表面にアルコキシル基とともに存在す
るシラノールや微量の水と反応することにより、下地膜
とオルガノシランの結合が形成されるので、上記オルガ
ノシランを、希釈しないでそのままで塗布したり、また
はパーフロオロカーボン、塩化メチレン、炭化水素、シ
リコーンのような非水系溶媒で希釈しただけの液を塗布
してもよい。このようにアルコキシル基が表面に残存す
るシリカ系膜を下地膜とすることにより、機能性膜を基
材に強固に付着させることができる。
膜被覆処理の場合と同様に、特に限定されないが、フロ
ーコート、ロールコート、スプレーコート、手塗り法、
刷毛塗り法などが挙げられる。
る。
製)98.6gに、テトラエトキシシラン(信越シリコ
ーン製)0.4g、濃塩酸(35重量%、関東化学製)
1gを撹拌しながら添加し、シリカ膜処理液を得た。こ
の処理液中のテトラエトキシシラン(シリカ換算)、塩
酸および水の含有量は表1に示す通りである。
(OCH3)3(ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシ
シラン、東芝シリコーン製)1gをエタノール98gに
溶解し、更に0.1規定塩酸を1.0g添加し、1時間
撹拌し、撥水処理剤を得た。
00×300mm)上に、湿度30%、室温下で上記シ
リカ膜処理液をフローコート法にて塗布し、約1分で乾
燥し、ガラス基板表面に厚みが約40nmのシリカ膜を
被覆した。このシリカ膜の硬度を鉛筆硬度で測定したと
ころ、「H」の芯の鉛筆で膜を引っ掻いても膜は傷つか
なかった。なお、上記シリカ膜処理液は、室温で約10
日間そのまま置いた後に使用しても全く同じ結果が得ら
れた。
基板表面に、綿布に3mlの上記撥水処理剤をつけ塗り
込んだ後、過剰に付着した撥水処理剤を新しい綿布で拭
き取り、撥水処理ガラスを得た。
(CA−DT、協和界面科学製)を用いて、水滴重量2
mgとして初期の静的水滴接触角(以下、単に接触角と
いう)を測定した。得られた膜の平滑性は、原子間力顕
微鏡(SPI3700、セイコー電子(株)製)を用い
て、サイクリックコンタクトモードにて、表面形状を測
定し、表面粗さRa、及びRz値を算出した。摩擦試験
として、往復摩耗試験機(新東科学製)に乾布を取り付
けて、荷重0.3kg/cm2の条件で撥水膜表面を3
000回往復摺動させ、その後に接触角を測定した。ま
た撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角も、参考のため
に測定した。なお、清浄なガラス基材そのものの接触角
は約数度以下である。これらの測定結果を表2に示す。
して膜のムラの有無を測定し、表2に、膜ムラのない場
合を「OK」、膜ムラが生じた場合を「NG」とそれぞ
れ表した。表2に示すように、シリカ膜表面の接触角は
30度、撥水処理後の初期接触角は108度、摩擦試験
後の接触角は95度を示した。シリカ膜の表面粗さは、
Ra=0.4nm、Rz=2.9nmであり、撥水処理
後の膜表面の粗さは、Ra=0.3nm、Rz=2.8
nmであった。またシリカ膜を被覆する前の洗浄済みソ
ーダ石灰珪酸塩ガラス基板の膜表面の粗さは、Ra=
0.7nm、Rz=8.0nmであった。
の調合に用いたテトラエトキシシランをテトラメトキシ
シラン(東京化成製)に代えた以外は、実施例1と同様
にして撥水処理ガラスを得た。シリカ膜処理液の組成を
表1に、シリカ膜の厚み、各種接触角、表面粗さ等を表
2にそれぞれ示す。表2に示すように、撥水剤塗布前の
シリカ膜表面の接触角は31度、撥水処理後の初期接触
角は108度、摩擦試験後の接触角は97度を示した。
シリカ膜の表面粗さは、Ra=0.3nm、Rz=2.
8nmであり、撥水処理後の膜表面の粗さは、Ra=
0.3nm、Rz=2.7nmであった。
レー法に代えた以外は、実施例1と同様にして撥水処理
ガラスを得た。表2に示すように、撥水剤塗布前のシリ
カ膜表面の接触角は30度、撥水処理後の初期接触角は
108度、摩擦試験後の接触角は95度を示した。シリ
カ膜の表面粗さは、Ra=0.4nm、Rz=3.0n
mであり、撥水処理後の膜表面の粗さは、Ra=0.4
nm、Rz=2.9nmであった。
セチルアセトン9.8g、アルミニウム−トリ−sec
−ブトキシド(関東化学製)25.4gを溶解し、酸化
物換算で5重量%のアルミナ原料液を得た。
トキシシラン0.33g、濃塩酸1gとエタノール9
8.5gを混合して、シリカ系膜処理液とした。このシ
リカ系膜処理液の組成を表1に示す。
カ系膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜の厚み、
各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表2に
示すように、撥水剤塗布前のシリカ系膜表面の接触角は
31度、撥水処理後の初期接触角は106度、摩擦試験
後の接触角は104度を示した。シリカ膜の表面粗さ
は、Ra=0.4nm、Rz=3.3nmであり、撥水
処理後の膜表面の粗さは、Ra=0.4nm、Rz=
3.0nmであった。
セチルアセトン4.1g、ジルコニウム−テトラ−n−
ブトキシド(関東化学製)17.4gを溶解し、酸化物
換算で5重量%のジルコニア原料液を得た。
エトキシシラン0.33g、濃塩酸1gとエタノール9
8.5gを混合してシリカ系膜処理液とした。このシリ
カ系膜処理液の組成を表1に示す。
リカ系膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にし
て撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ系膜の厚
み、各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表
2に示すように、撥水剤塗布前のシリカ系膜表面の接触
角は29度、撥水処理後の初期接触角は107度、摩擦
試験後の接触角は103度を示した。シリカ膜の表面粗
さは、Ra=0.4nm、Rz=3.4nmであり、撥
水処理後の膜表面の粗さは、Ra=0.4nm、Rz=
3.2nmであった。
スク製)、テトラエトキシシラン(信越シリコーン製)
および濃塩酸(35重量%、関東化学製)を表3に示す
割合で調合してシリカ膜処理液を得た。このシリカ膜処
理液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜の厚み、
各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。
理液の調合に用いたCF3(CF2)7(CH2)2Si(O
CH3)3(ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラ
ン、東芝シリコーン(株)製)に代えて、実施例10で
はCF3(CF2)5(CH2)2Si(OCH3)3(トリデ
カフルオロオクチルトリメトキシシラン、東芝シリコー
ン(株)製)を、実施例11ではCF3(CF2)3(C
H2)2SiCl3(ノナフルオロヘキシルトリクロロシラ
ン、チッソ(株)製)を、実施例12ではCF3(C
H2)2Si(OCH3)3(トリフルオロプロピルトリメ
トキシシラン、チッソ製)を、実施例13ではCF
3(CH2)2Si(OCH3)3(トリフルオロプロピルト
リメトキシシラン、チッソ製)をそれぞれ用いた以外
は、実施例1と同様にして撥水処理ガラスを得た。各種
接触角等を表2にそれぞれ示す。表2に示すように、撥
水処理後の初期接触角は80〜107度、摩擦試験後の
接触角は75〜97度であり、耐摩耗性能の優れる撥水
膜が得られた。
理液の調合に用いたCF3(CF2)7(CH2)2Si(O
CH3)3(ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラ
ン、東芝シリコーン製)をアルキルシランに代えた以外
は、実施例1と同様にして撥水および低摩擦抵抗ガラス
を得た。この撥水および低摩擦抵抗膜処理液の組成を表
4に示す。
いて、初期および摩擦試験後の接触角を測定した。ま
た、摩耗係数測定器(新東科学製)に乾布を取り付け
て、膜表面と乾布との間の摩擦係数を測定した。これら
の測定結果を表5に示す。表5に示すように、撥水処理
後の初期接触角と摩擦試験後の接触角の差が非常に小さ
く、ほとんど撥水性能の劣化が見られなかった。また、
乾布との摩擦係数は、0.22〜0.25であり、実施
例1の様にフルオロアルキル基を有するオルガノシラン
で処理した場合の0.36、無処理の通常ガラスの0.
42に比較して、摩擦係数の小さいガラスが得られた。
摩擦試験後の摩擦係数は摩擦試験前とほとんど変化はな
かった。
調合に用いたCF3(CF2)7(CH2)2Si(OC
H3)3(ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラ
ン、東芝シリコーン製)を[メトキシ(ポリエチレンオ
キシ)プロピル]トリメトキシシラン(チッソ株式会社
製、含有率90%、分子量460〜590、エチレンオ
キシド単位数6〜9)に代えた以外は、実施例1と同様
にして、水滴の転がり始める臨界傾斜角が低く、かつ、
汚れが吸着あるいは付着しにくい機能性膜を得た。
た。また、水滴の転がりやすさの目安である臨界傾斜角
は、得られた上記機能性膜処理ガラスサンプルを水平に
配置し、その上に直径5mm水滴を置き、ガラス板を徐
々に傾斜させて、水滴が転がり始めるときの水平からの
傾斜角度を測定することによって求めたところ、4度で
あり、非常に水滴が転がりやすい表面が得られた。さら
に、摩擦試験後の接触角は38度であり、摩擦試験後の
臨界傾斜角は4度であって、摩擦試験前とほとんど同じ
性能を維持していた。
製)99gに、テトラエトキシシラン(信越シリコーン
製)0.05g、濃塩酸(35重量%、関東化学製)1
gを撹拌しながら添加し、シリカ膜処理液を得た。この
シリカ膜処理液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜の厚み、
各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表2に
示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角は2
9度、撥水処理後の初期接触角は105度、摩擦試験後
の接触角は60度を示し、摩擦試験後の撥水性能が低下
することがわかる。またシリカ膜の表面粗さは、Ra=
0.5nm、Rz=6.2nmであり、撥水処理後の膜
表面の粗さは、Ra=0.5nm、Rz=6.0nmで
あった。シリカ膜および撥水膜のRzがともに5.0n
mを超えており、膜の平滑性が劣っていることがわか
る。
製)95gに、テトラエトキシシラン(信越シリコーン
製)4g、濃塩酸(35重量%、関東化学製)1gを撹
拌しながら添加し、シリカ膜処理液を得た。このシリカ
膜処理液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜の厚み、
各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表2に
示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角は2
5度、撥水処理後の初期接触角は110度、摩擦試験後
の接触角は80度を示し、摩擦試験後の撥水性能が低下
することがわかる。またシリカ膜の表面粗さは、Ra=
0.9nm、Rz=8.8nmであり、撥水処理後の膜
表面の粗さは、Ra=0.8nm、Rz=9.0nmで
あった。シリカ膜および撥水膜のRa、Rzがともにそ
れぞれ0.5nmおよび5.0nmを超えており、膜の
平滑性が劣っていることがわかる。また、得られた撥水
膜にはムラが見られた。
製)99.1gに、テトラエトキシシラン(信越シリコ
ーン製)0.4g、0.1規定塩酸0.5gを撹拌しな
がら添加し、シリカ膜処理液を得た。このシリカ膜処理
液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜の厚み、
各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表2に
示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角は2
4度、撥水処理後の初期接触角は110度、摩擦試験後
の接触角は70度を示し、摩擦試験後の撥水性能が低下
することがわかる。またシリカ膜の表面粗さは、Ra=
0.8nm、Rz=11.0nmであり、撥水処理後の
膜表面の粗さは、Ra=0.8nm、Rz=10.5n
mであって、シリカ膜および撥水膜の表面粗さは、いず
れもRa=0.5nm、Rz=5.0nmを超えてお
り、膜表面の平滑性が劣った。
製)89.6gに、テトラエトキシシラン(信越シリコ
ーン製)0.4g、濃塩酸(35重量%、関東化学製)
20gを撹拌しながら添加し、シリカ膜処理液を得た。
このシリカ膜処理液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜膜の厚
み、各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表
2に示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角
は32度、撥水処理後の初期接触角は107度、摩擦試
験後の接触角は87度を示し、摩擦試験後の撥水性能が
低下することがわかる。また、得られた膜には膜厚ムラ
が見られた。シリカ膜の表面粗さは、Ra=0.7n
m、Rz=9.8nm、撥水処理後の膜表面の粗さは、
Ra=0.7nm、Rz=8.9nmであり、いずれも
Ra=0.5nm、Rz=5.0nmを超えており、膜
表面の平滑性が劣った。
製)29.6gに、テトラエトキシシラン(信越シリコ
ーン製)0.4g、塩酸メタノール溶液(10重量%、
東京化成製)70gを撹拌しながら添加し、シリカ膜処
理液を得た。このシリカ膜処理液の組成を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜膜の厚
み、各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表
2に示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角
は30度、撥水処理後の初期接触角は108度、摩擦試
験後の接触角は88度を示し、摩擦試験後の撥水性能が
低下することがわかる。また、得られた膜には膜厚ムラ
が見られた。シリカ膜の表面粗さは、Ra=0.7n
m、Rz=8.8nm、撥水処理後の膜表面の粗さは、
Ra=0.7nm、Rz=7.8nmであり、いずれも
Ra=0.5nm、Rz=5.0nmを超えており、膜
表面の平滑性が劣った。
製)86.25gに、テトラエトキシシラン(信越シリ
コーン製)0.4g、濃塩酸(35重量%、関東化学
製)1g、さらに、水12.35gを撹拌しながら添加
し、シリカ膜処理液を得た。このシリカ膜処理液の組成
を表1に示す。
リカ膜処理液を使用する以外は、実施例1と同様にして
撥水処理ガラスを得て測定を行った。シリカ膜膜の厚
み、各種接触角、表面粗さ等を表2にそれぞれ示す。表
2に示すように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角
は32度、撥水処理後の初期接触角は109度、摩擦試
験後の接触角は86度を示し、摩擦試験後の撥水性能が
低下することがわかる。また、得られた膜には膜厚ムラ
が見られた。シリカ膜の表面粗さは、Ra=0.6n
m、Rz=9.8nm、撥水処理後の膜表面の粗さは、
Ra=0.7nm、Rz=10.8nmであり、いずれ
もRa=0.5nm、Rz=5.0nmを超えており、
膜表面の平滑性が劣った。
製)96gに、エチルシリケート(平均重合度約5)の
加水分解物(平均分子量408.5、「HAS−1
0」、コルコート社製、シリカ分10重量%)4gを混
合しシリカ膜処理液とした。このシリカ膜処理液の組成
を表1に示す。このシリカ膜処理液を、洗浄したガラス
基板(300×300mm)上に、湿度30%、室温下で
フローコートして塗布、約1分で乾燥した。その後、基
板を600℃で1時間焼成しシリカ膜を得た。なお上記
焼成前のシリカ膜の硬度を鉛筆硬度で測定したところ、
「B」の芯の鉛筆で膜を引っ掻くと膜は傷ついた。そし
て上記焼成後のシリカ膜は、「H」の芯の鉛筆で膜を引
っ掻いても膜は傷つかなかった。
で10分間超音波洗浄を行い、乾燥した後、実施例1と
同様にして、撥水処理し撥水ガラスを得た。表2に示す
ように、撥水剤塗布前のシリカ膜表面の接触角は2度、
撥水処理後の初期接触角は106度、摩擦試験後の接触
角は50度を示し、摩擦試験後の撥水性能が著しく低下
することがわかる。またシリカ膜の表面粗さは、Ra=
0.9nm、Rz=12.1nm、撥水処理後の膜表面
の粗さは、Ra=0.8nm、Rz=10.3nmであ
り、ともにRa=0.5nm、Rz=5.0nmを超え
ており、膜表面の平滑性が劣った。
工程を行わなかった以外は、実施例15と同様にして撥
水および低摩擦抵抗ガラスを得た。各種接触角等を表5
にそれぞれ示す。表5に示すように、撥水処理後の初期
接触角は95度であり実施例15のガラスについての値
と等しかったが、摩擦試験後の接触角は55度であり実
施例15のガラスについての値(90度)に比して著し
く低く、耐摩耗性能に劣る膜となった。また、摩擦試験
後の摩擦係数は0.45であり、摩擦により低摩擦抵抗
機能も失われた。
工程を行わなかった以外は、実施例19と同様にして撥
水および低摩擦抵抗ガラスガラスを得た。この機能性膜
の接触角は、38度であり、臨界傾斜角は4度であり、
ともに実施例19での測定値に等しかった。しかし、摩
擦試験後の接触角は22度であり、臨界傾斜角は25度
であって、接触角の減少および臨界傾斜角の増加が著し
く、耐摩耗性が劣っていた。
低濃度のシリコンアルコキシドと高濃度の揮発性の酸か
らなるアルコール溶液を基材に塗布し、常温で乾燥する
ことにより、緻密で強固なシリカ膜が被覆された物品が
得られる。またさらに、このシリカ膜を下地膜とし、こ
れに加水分解可能な基と機能性官能基を有するオルガノ
シランを塗布することにより、常温における処理で、耐
久性に優れる機能性被覆物品が得られる。
Claims (3)
- 【請求項1】 基材と、その基材表面にゾルゲル法によ
り被覆された、酸化ケイ素を主成分とするシリカ系被膜
からなり、その被膜の表面が算術平均粗さ(Ra)=
0.10nm以上、0.5nm以下でかつ十点平均粗さ
(Rz)=1.0nm以上、5.0nm以下の粗さを有
するシリカ系膜被覆物品。 - 【請求項2】 前記シリカ系被膜は5〜300nmの厚
みを有する請求項1に記載のシリカ系膜被覆物品。 - 【請求項3】 前記基材は透明なガラス板である請求項
1または2に記載のシリカ系膜被覆物品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003034681A JP3982426B2 (ja) | 1997-12-04 | 2003-02-13 | シリカ系膜被覆物品 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-334160 | 1997-12-04 | ||
JP33416097 | 1997-12-04 | ||
JP2003034681A JP3982426B2 (ja) | 1997-12-04 | 2003-02-13 | シリカ系膜被覆物品 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34243998A Division JP3427755B2 (ja) | 1997-12-04 | 1998-12-02 | シリカ系膜被覆物品を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003292342A true JP2003292342A (ja) | 2003-10-15 |
JP3982426B2 JP3982426B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=29252710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003034681A Expired - Fee Related JP3982426B2 (ja) | 1997-12-04 | 2003-02-13 | シリカ系膜被覆物品 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3982426B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102481807A (zh) * | 2009-08-25 | 2012-05-30 | Ngf欧洲公司 | 用于橡胶制品的增强结构体及其制备方法 |
WO2015125498A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | キヤノンオプトロン株式会社 | 防汚膜付光学部材およびタッチパネル式ディスプレイ |
JPWO2014199991A1 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-02-23 | 日本電気硝子株式会社 | カバー部材、表示装置及びカバー部材の製造方法 |
JP2019520289A (ja) * | 2016-04-26 | 2019-07-18 | ピルキントン グループ リミテッド | 耐腐食性コーティングガラス基板 |
CN110606670A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-12-24 | 浙江师范大学 | 一种宽光谱抗反射超疏水光伏玻璃的制备方法 |
-
2003
- 2003-02-13 JP JP2003034681A patent/JP3982426B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP3982426B2 (ja) | 2007-09-26 |
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