JP5771275B2 - 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム - Google Patents
高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5771275B2 JP5771275B2 JP2013525710A JP2013525710A JP5771275B2 JP 5771275 B2 JP5771275 B2 JP 5771275B2 JP 2013525710 A JP2013525710 A JP 2013525710A JP 2013525710 A JP2013525710 A JP 2013525710A JP 5771275 B2 JP5771275 B2 JP 5771275B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- wave absorbing
- film
- carbon nanotube
- absorbing film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 151
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 114
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 108
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 108
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 81
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 18
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 6
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 77
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 43
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 37
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 36
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002060 Fe-Cr-Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
- H01Q17/002—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems using short elongated elements as dissipative material, e.g. metallic threads or flake-like particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24471—Crackled, crazed or slit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
本発明は、高い電磁波吸収能とともに高い放熱性を有する電磁波吸収フィルムに関する。
携帯電話、スマートフォン、無線LAN等の通信機器や、コンピュータ等の電子機器には、電磁波の漏洩及び進入を防止する電磁波吸収シートが使用されている。現在広く使用されている電磁波吸収シートは金属のシート又はネットからなるが、最近プラスチックシートに金属蒸着膜を形成した電磁波吸収シートも提案されている。例えば特開平9-148782号は、プラスチックフィルムと、その両面に形成した第一及び第二のアルミニウム蒸着膜とからなり、第一のアルミニウム蒸着膜は非導通の線状パターンにエッチングされており、第二のアルミニウム蒸着膜は網目状の導通パターンにエッチングされている電磁波吸収シートを提案している。しかし、特開平9-148782号の電磁波吸収シートの線状パターン及び網目状パターンはいずれも規則的であるので、広範囲の周波数の電磁波を効率良く吸収することができない上に、電磁波吸収能の異方性が大きい。
特開平11-40980号は、プラスチックフィルムの一面に順に銅蒸着層及びニッケル蒸着層を形成してなる電磁波シ-ルド材を提案している。しかし特開平11-40980号の電磁波シ-ルド材は電磁波吸収能が十分でないだけでなく、その異方性が大きい。
WO 2010/093027は、プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されている電磁波吸収フィルムを開示している。WO 2010/093027の電磁波吸収フィルムは、複数方向に形成された線状痕により高い電磁波吸収能を有するだけでなく、その異方性も低減されている。しかしながら、益々厳しくなる電磁波ノイズ問題を解決するために、より高い電磁波吸収能を有する電磁波吸収フィルムが望まれている。さらに、不規則な幅及び間隔で形成された線状痕のために、電磁波吸収フィルムのサイズを小さくすると、電磁波ノイズのバラツキの問題が生じることがある。
またノートパソコン、ウルトラブック、携帯電話、スマートフォン等の電子機器及び電子通信機器等の小型化に伴い、CPU、LSI等の電子部品も高集積化され、発熱量が大きくなってきた。これらの電子機器及び電子通信機器は携帯されるため、防水性も要求されるようになってきており、そのため放熱が益々困難になってきた。
このような事情下で、特開2006-135118号は、熱伝導率が0.7 W/mK以上の電磁波吸収層と、前記電磁波吸収層の片面に直接または他の少なくとも一層を介して設けられた遠赤外線放射層とを有する電磁波吸収性熱放射シートを提案した。電磁波吸収層は、カルボニル鉄、電解鉄、Fe-Cr系合金、Fe-Si系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Al-Si系合金、Fe-Cr-Si系合金、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Si-Ni系合金、Fe-Si-Cr-Ni系合金等の軟磁性金属粉が均一に分散した、シリコーン、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、塩素化ポリエチレン等の絶縁性ポリマーからなる。また、遠赤外線放射層は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、コージライト等の赤外線放射性酸化物セラミックスが分散したシリコーン樹脂等からなる。
しかしながら、特開2006-135118号の電磁波吸収性熱放射シートでは、電磁波吸収層及び遠赤外線放射層のいずれも樹脂ベースであるので、十分に薄くできないという問題がある。例えば実施例1では、電磁波吸収層の厚さは0.1 mmであり、遠赤外線放射層の厚さは80μmである。
最近、アルミニウムや銅より高熱伝導率のグラファイトシートが熱拡散シートとして使用されるようになってきた。例えば、カネカ株式会社のグラフィニティは、熱伝導率が1500 W/mKで厚さ25〜40μmである。しかし、グラファイトシートは高価であるという欠点を有する。
従って本発明の目的は、種々の周波数の電磁波に対して良好な吸収能を均一に有するとともに、高い熱拡散性（放熱性）を有し、かつ低コストで製造することができる薄型の電磁波吸収フィルムを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、プラスチックフィルムに形成した金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成してなる電磁波吸収フィルムの金属薄膜面にカーボンナノチューブ薄層を形成すると、(a) 電磁波吸収能が向上するとともに、小片化したときでも電磁波吸収能のバラツキが小さくなり、かつ(b) 熱拡散性（放熱性）が向上することを発見し、本発明に想到した。
すなわち、高い放熱性を有する本発明の電磁波吸収フィルムは、プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されているとともに、前記金属薄膜上にカーボンナノチューブ薄層が形成されており、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔は1〜500μmの範囲内にあって平均1〜200μmであり、前記カーボンナノチューブは2μm以上の平均長さを有することを特徴とする。
前記線状痕は二方向に配向しており、その交差角は30〜90°であるのが好ましい。
前記金属薄膜がアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなるのが好ましい。
前記カーボンナノチューブ薄層の厚さは、塗布量（単位面積当たりのカーボンナノチューブの質量）で表すと、0.01〜0.5 g/m2であるのが好ましい。
前記カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブであるのが好ましい。前記カーボンナノチューブは3μm以上の平均長さを有するのが好ましい。
前記カーボンナノチューブ薄層はバインダ樹脂を含有するのが好ましい。
前記カーボンナノチューブ薄層の上にプラスチックフィルムが熱ラミネートされているのが好ましい。
本発明の電磁波吸収フィルムは、金属薄膜に線状痕が複数方向に形成されおり、さらにその上にカーボンナノチューブ薄層が形成されているので、種々の周波数の電磁波に対して優れた吸収能を有し、電磁波吸収能の異方性が低く、かつ小片化しても電磁波吸収能のバラツキが小さい。その上、本発明の電磁波吸収フィルムは高価なグラファイトシートより高い熱拡散性（放熱性）を有する。このような特徴を有する本発明の電磁波吸収フィルムは、携帯電話、スマートフォン等の電子通信機器や、ノートパソコン、ウルトラブック等の電子機器の放熱性ノイズ抑制シートとして用いるのに適している。
本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。
[1] 電磁波吸収フィルム
本発明の電磁波吸収フィルム1は、図1(a) に示すように、プラスチックフィルム10の少なくとも一面に単層又は多層の金属薄膜11と、カーボンナノチューブ薄層14とが順に形成された構造を有する。図1(a)〜図1(d)は、プラスチックフィルム10の一面全体に形成された金属薄膜11に実質的に平行で断続的な多数の線状痕12が二方向に形成された例を示す。
本発明の電磁波吸収フィルム1は、図1(a) に示すように、プラスチックフィルム10の少なくとも一面に単層又は多層の金属薄膜11と、カーボンナノチューブ薄層14とが順に形成された構造を有する。図1(a)〜図1(d)は、プラスチックフィルム10の一面全体に形成された金属薄膜11に実質的に平行で断続的な多数の線状痕12が二方向に形成された例を示す。
(1) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
プラスチックフィルム10を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。プラスチックフィルム10の厚さは10〜100μm程度で良い。
(2) 金属薄膜
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜を用いても良いが、高周波数の電磁波の吸収能はほとんど変わらない。金属薄膜の厚さは0.01〜5μmがより好ましく、0.01〜1μmが最も好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜11を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜を用いても良いが、高周波数の電磁波の吸収能はほとんど変わらない。金属薄膜の厚さは0.01〜5μmがより好ましく、0.01〜1μmが最も好ましい。金属薄膜11は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜11が単層の場合、金属薄膜11は導電性、耐食性及びコストの観点からアルミニウム又はニッケルからなるのが好ましい。また金属薄膜11が複層の場合、一方を非磁性金属により形成し、他方を磁性金属により形成しても良い。非磁性金属としてアルミニウム、銅、銀、錫又はこれらの合金が挙げられ、磁性金属としてニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。磁性金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましく、非磁性金属薄膜の厚さは0.1μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、両者とも実用的には10μm程度で良い。より好ましくは、磁性金属薄膜の厚さは0.01〜5μmであり、非磁性金属薄膜の厚さは0.1〜5μmである。図1(e) 及び図1(f) はプラスチックフィルム10に二層の金属薄膜11a，11bを形成した場合を示す。
(3) 線状痕
図1(b)及び図1(c) に示すように、金属薄膜11に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a，12bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c) では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。後述するように、線状痕12はランダムに付着した硬質微粒子（ダイヤモンド微粒子）を有するパターンロールの摺接により形成されるので、線状痕の間隔Iは横手方向及び長手方向で変わらない。以下横手方向間隔Iについて説明するが、その説明はそのまま長手方向間隔にも当てはまる。線状痕12の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求め、線状痕12の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さにおける線状痕12の間隔とする。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、本発明の電磁波吸収フィルム1は広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
図1(b)及び図1(c) に示すように、金属薄膜11に多数の実質的に平行で断続的な線状痕12a，12bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図1(c) では線状痕12の深さを誇張している。二方向に配向した線状痕12は種々の幅W及び間隔Iを有する。後述するように、線状痕12はランダムに付着した硬質微粒子（ダイヤモンド微粒子）を有するパターンロールの摺接により形成されるので、線状痕の間隔Iは横手方向及び長手方向で変わらない。以下横手方向間隔Iについて説明するが、その説明はそのまま長手方向間隔にも当てはまる。線状痕12の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求め、線状痕12の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さにおける線状痕12の間隔とする。線状痕12が種々の幅W及び間隔Iを有するので、本発明の電磁波吸収フィルム1は広範囲にわたる周波数の電磁波を効率良く吸収することができる。
線状痕12の幅Wの90％以上は0.1〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、0.5〜50μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.5〜20μmの範囲内にあるのが最も好ましい。線状痕12の平均幅Wavは1〜50μmであるのが好ましく、1〜10μmがより好ましく、1〜5μmが最も好ましい。
線状痕12の横手方向間隔Iは1〜500μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜100μmの範囲内にあるのがより好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのが最も好ましく、1〜30μmの範囲内にあるのが特に好ましい。また線状痕12の横手方向平均間隔Iavは1〜200μmが好ましく、5〜50μmがより好ましく、5〜30μmが最も好ましい。
線状痕12の長さLは、摺接条件（主としてロール及びフィルムの相対的な周速、及び複合フィルムのロールへの巻回角度）により決まるので、摺接条件を変えない限り大部分がほぼ同じである（ほぼ平均長さに等しい）。線状痕12の長さは特に限定的でなく、実用的には1〜100 mm程度で良く、好ましくは2〜10 mmである。
線状痕12a，12bの鋭角側の交差角（以下特に断りがなければ単に「交差角」とも言う）θsは10〜90°が好ましく、30〜90°がより好ましい。複合フィルムとパターンロールとの摺接条件（摺接方向、周速比等）を調整することにより、図2(a)〜図2(c) に示すように種々の交差角θsの線状痕12が得られる。図2(a) は三方向の線状痕12a，12b，12cを有する例を示し、図2(b) は四方向の線状痕12a，12b，12c，12dを有する例を示し、図2(c) は直交する線状痕12a’，12b’を有する例を示す。
(4) 微細穴
図3(a) 及び図3(b) に示すように、金属薄膜11に線状痕12の他に多数の微細貫通穴13をランダムに設けても良い。微細穴13は、表面に高硬度微粒子を有するロールを金属薄膜11に押圧することにより形成することができる。図3(b) に示すように、微細穴13の開口径Dは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求める。微細穴13の開口径Dは90％以上が0.1〜1000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜500μmの範囲内にあるのがより好ましい。また微細穴13の平均開口径Davは0.5〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましい。
図3(a) 及び図3(b) に示すように、金属薄膜11に線状痕12の他に多数の微細貫通穴13をランダムに設けても良い。微細穴13は、表面に高硬度微粒子を有するロールを金属薄膜11に押圧することにより形成することができる。図3(b) に示すように、微細穴13の開口径Dは線状痕形成前の金属薄膜11の表面Sに相当する高さで求める。微細穴13の開口径Dは90％以上が0.1〜1000μmの範囲内にあるのが好ましく、0.1〜500μmの範囲内にあるのがより好ましい。また微細穴13の平均開口径Davは0.5〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのがより好ましい。
(5) カーボンナノチューブ薄層
線状痕12を有する金属薄膜11の上に、カーボンナノチューブ薄層14が形成されている。カーボンナノチューブは単層構造でも多層構造でも良い。多層カーボンナノチューブは約10〜数10 nmの外径を有し、凝集なしに均一な薄い層に形成し易いだけでなく、導電性に優れているので好ましい。
線状痕12を有する金属薄膜11の上に、カーボンナノチューブ薄層14が形成されている。カーボンナノチューブは単層構造でも多層構造でも良い。多層カーボンナノチューブは約10〜数10 nmの外径を有し、凝集なしに均一な薄い層に形成し易いだけでなく、導電性に優れているので好ましい。
線状痕12を有する金属薄膜11の上に塗布するカーボンナノチューブは2μm以上の平均長さを有する必要がある。カーボンナノチューブは金属薄膜11の線状痕12内に入り込み、金属薄膜11と導通するだけでなく、カーボンナノチューブ同士の接触によっても導通すると考えられる。そのため、カーボンナノチューブが短過ぎると導通が不十分であり、電磁波吸収能が低いだけでなく、熱拡散性（放熱性）も低いと考えられる。カーボンナノチューブの平均長さは、カーボンナノチューブの希薄分散液を塗布したガラス板の顕微鏡写真から画像処理により求めることができる。カーボンナノチューブの平均長さの上限は特に限定的ではなく、カーボンナノチューブの分散性を考慮して決めれば良い。
カーボンナノチューブはCo，Ni，Fe等の金属触媒の存在下で形成されるので、未分離の触媒が残留している。特に金属薄膜11がアルミニウムからなる場合、アルミニウムと残留触媒との反応により、アルミニウムが腐食することが分った。そのため、アルミニウム薄膜11に触媒が残留したカーボンナノチューブの分散液を塗布すると、電磁波吸収能及び熱拡散性（放熱性）が経時劣化する。これを防止するために、カーボンナノチューブから金属触媒を除去するのが好ましい。金属触媒の除去は、カーボンナノチューブの水性分散液に硝酸、塩酸等の酸を添加することにより行うことができる。
カーボンナノチューブ薄層14は、カーボンナノチューブの質量基準で0.01〜0.5 g/m2の厚さ（塗布量）を有するのが好ましい。カーボンナノチューブ薄層14が0.01 g/m2より薄いと、電磁波吸収能の向上及び均一化効果が不十分でり、また0.5 g/m2より厚いと、カーボンナノチューブの凝集を防止するのが難しく、カーボンナノチューブ薄層14は不均一化する。カーボンナノチューブ薄層14の厚さは、カーボンナノチューブの質量基準でより好ましくは0.02〜0.2 g/m2であり、最も好ましくは0.04〜0.1 g/m2である。
カーボンナノチューブ薄層は、カーボンナノチューブの脱落を防止するために、バインダ樹脂を含有するのが好ましい。バインダ樹脂としては、エチルセルロース等のセルロース類、アクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン-ブタジエンランダム共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体等のスチレン系ポリマー、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルブチラール、ポリプロピレンカーボネート、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。これらのバインダ樹脂を単独で又は組合せて用いることができる。バインダ樹脂の含有量は特に限定されないが、例えば0.01〜10 g/m2の範囲内であるのが好ましい。なお、バインダ樹脂の他に公知の分散剤を含有しても良い。
線状痕12及びカーボンナノチューブはともにランダムなサイズ及び分布を有するので、ミクロ的には不均一な電磁波吸収構造を形成するが、異なる無数の電磁波吸収構造の存在によりマクロ的には均一な電磁波吸収能を発揮する。
(6) 保護層
カーボンナノチューブ薄層14を保護するために、図４に示すように、カーボンナノチューブ薄層14をプラスチック保護層15で覆うのが好ましい。プラスチック保護層15用のプラスチックフィルムはベースとなるプラスチックフィルム10と同じで良い。保護層15の厚さは10〜100μm程度が好ましい。
カーボンナノチューブ薄層14を保護するために、図４に示すように、カーボンナノチューブ薄層14をプラスチック保護層15で覆うのが好ましい。プラスチック保護層15用のプラスチックフィルムはベースとなるプラスチックフィルム10と同じで良い。保護層15の厚さは10〜100μm程度が好ましい。
[2] 電磁波吸収フィルムの製造方法
(1) 線状痕の形成
図5(a)〜図5(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜-プラスチック複合フィルム100を巻き出すリール21と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜11の側に配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側で金属薄膜11の反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向にかつ金属薄膜11の側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 第一及び第二のパターンロール2a，2bの間で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4aと、(g) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4bと、(h) 線状痕付き金属薄膜-プラスチック複合フィルム1を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。
(1) 線状痕の形成
図5(a)〜図5(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜-プラスチック複合フィルム100を巻き出すリール21と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜11の側に配置された第一のパターンロール2aと、(c) 第一のパターンロール2aの上流側で金属薄膜11の反対側に配置された第一の押えロール3aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール2aと逆方向にかつ金属薄膜11の側に配置された第二のパターンロール2bと、(e) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の反対側に配置された第二の押えロール3bと、(f) 第一及び第二のパターンロール2a，2bの間で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4aと、(g) 第二のパターンロール2bの下流側で金属薄膜11の側に配置された電気抵抗測定手段4bと、(h) 線状痕付き金属薄膜-プラスチック複合フィルム1を巻き取るリール24とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール22，23が配置されている。各パターンロール2a，2bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）5a，5bで支持されている。
図5(c) に示すように、各パターンロール2a，2bとの摺接位置より低い位置で各押えロール3a，3bが複合フィルム100に接するので、複合フィルム100の金属薄膜11は各パターンロール2a，2bに押圧される。この条件を満たしたまま各押えロール3a，3bの縦方向位置を調整することにより、各パターンロール2a，2bの金属薄膜11への押圧力を調整でき、また中心角θ1に比例する摺接距離も調整できる。
図5(d) は線状痕12aが複合フィルム100の進行方向に対して斜めに形成される原理を示す。複合フィルム100の進行方向に対してパターンロール2aは傾斜しているので、パターンロール2a上の硬質微粒子の移動方向（回転方向）aと複合フィルム100の進行方向bとは異なる。そこでXで示すように、任意の時点においてパターンロール2a上の点Aにおける硬質微粒子が金属薄膜11と接触して痕Bが形成されたとすると、所定の時間後に硬質微粒子は点A’まで移動し、痕Bは点B’まで移動する。点Aから点A’まで硬質微粒子が移動する間、痕は連続的に形成されるので、点B’から点A’まで延在する線状痕12aが形成されたことになる。
第一及び第二のパターンロール2a，2bで形成される第一及び第二の線状痕群12A，12Bの方向及び交差角θsは、各パターンロール2a，2bの複合フィルム100に対する角度、及び／又は複合フィルム100の走行速度に対する各パターンロール2a，2bの周速度を変更することにより調整することができる。例えば、複合フィルム100の走行速度bに対するパターンロール2aの周速度aを増大させると、図5(d) のYで示すように線状痕12aを線分C’D’のように複合フィルム100の進行方向に対して45°にすることができる。同様に、複合フィルム100の幅方向に対するパターンロール2aの傾斜角θ2を変えると、パターンロール2aの周速度aを変えることができる。これはパターンロール2bについても同様である。従って、両パターンロール2a，2bの調整により、線状痕12a，12bの方向を図1(b) 及び図2(c) に例示するように変更することができる。
各パターンロール2a，2bは複合フィルム100に対して傾斜しているので、各パターンロール2a，2bとの摺接により複合フィルム100は幅方向の力を受ける。従って、複合フィルム100の蛇行を防止するために、各パターンロール2a，2bに対する各押えロール3a，3bの縦方向位置及び／又は角度を調整するのが好ましい。例えば、パターンロール2aの軸線と押えロール3aの軸線との交差角θ3を適宜調節すると、幅方向の力をキャンセルするように押圧力の幅方向分布が得られ、もって蛇行を防止することができる。またパターンロール2aと押えロール3aとの間隔の調整も蛇行の防止に寄与する。複合フィルム100の蛇行及び破断を防止するために、複合フィルム100の幅方向に対して傾斜した第一及び第二のパターンロール2a，2bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じであるのが好ましい。
図5(b) に示すように、ロール形の各電気抵抗測定手段4a，4bは絶縁部40を介して一対の電極41，41を有し、それらの間で線状痕付き金属薄膜11の電気抵抗を測定する。電気抵抗測定手段4a，4bで測定した電気抵抗値をフィードバックして、複合フィルム100の走行速度、パターンロール2a，2bの回転速度及び傾斜角θ2、押えロール3a，3bの位置及び傾斜角θ3等の運転条件を調整する。
複合フィルム100に対するパターンロール2a，2bの押圧力を増大するために、図6に示すようにパターンロール2a，2bの間に第三の押えロール3cを設けても良い。第三の押えロール3cにより中心角θ1に比例する金属薄膜11の摺接距離も増大し、線状痕12a，12bは長くなる。第三の押えロール3cの位置及び傾斜角を調整すると、複合フィルム100の蛇行の防止にも寄与できる。
図7は、図2(a) に示すように三方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bの下流に複合フィルム100の幅方向と平行な第三のパターンロール2cを配置した点で図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる。第三のパターンロール2cの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良いが、線状痕を効率よく形成するために逆方向が好ましい。幅方向と平行に配置された第三のパターンロール2cは複合フィルム100の進行方向に延在する線状痕12cを形成する。第三の押えロール30bは第三のパターンロール2cの上流側に設けられているが、下流側でも良い。第三のパターンロール2cの下流側に電気抵抗測定ロール4cを設けても良い。なお図示の例に限定されず、第三のパターンロール2cを第一のパターンロール2aの上流側、又は第一及び第二のパターンロール2a、2bの間に設けても良い。
図8は、図2(b) に示すように四方向に配向した線状痕を形成する装置の一例を示す。この装置は、第二のパターンロール2bと第三のパターンロール2cとの間に第四のパターンロール2dを設け、第四のパターンロール2dの上流側に第四の押えロール3dを設けた点で図7に示す装置と異なる。第四のパターンロール2dの回転速度を遅くすることにより、図5(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向と平行にすることができる。
図9は、図2(c)に示すように直交する二方向に配向する線状痕を形成する装置の別の例を示す。この装置は、第二のパターンロール32bが複合フィルム100の幅方向と平行に配置されている点で図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる。従って、図5(a)〜図5(e) に示す装置と異なる部分のみ以下説明する。第二のパターンロール32bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良い。また第二の押えロール33bは第二のパターンロール32bの上流側でも下流側でも良い。この装置は、図5(d) においてZで示すように、線状痕12a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向にし、図2(c) に示す線状痕を形成するのに適している。
線状痕の傾斜角及び交差角だけでなく、それらの深さ、幅、長さ及び間隔を決める運転条件は、複合フィルム100の走行速度、パターンロールの回転速度及び傾斜角及び押圧力等である。複合フィルムの走行速度は5〜200 m/分が好ましく、パターンロールの周速は10〜2,000 m/分が好ましい。パターンロールの傾斜角θ2は20°〜60°が好ましく、特に約45°が好ましい。複合フィルム100の張力（押圧力に比例する）は0.05〜5 kgf/cm幅が好ましい。
線状痕形成装置に使用するパターンロールは、鋭い角部を有するモース硬度5以上の微粒子を表面に有するロール、例えば特開2002-59487号に記載されているダイヤモンドロールが好ましい。線状痕の幅は微粒子の粒径により決まるので、ダイヤモンド微粒子の90％以上は1〜1,000μmの範囲内の粒径を有するのが好ましく、10〜200μｍの範囲内の粒径がより好ましい。ダイヤモンド微粒子はロール面に50％以上の面積率で付着しているのが好ましい。
特許第2063411号に記載の方法により線状痕12を有する金属薄膜11に多数の微細穴13を形成することができる。微細穴13を形成するのに用いるロール自体は線状痕形成用ロールと同じで良い。微細穴13は、線状痕形成用ロールと同様に鋭い角部を有するモース硬度5以上の多数の微粒子が表面に付着したロールと平滑面のロールとの間隙に複合フィルム100を同じ周速で通過させることにより形成できる。
(2) カーボンナノチューブ薄層の形成
電磁波吸収フィルム1の少なくとも一面に形成された線状痕12を有する金属薄膜11にカーボンナノチューブ分散液を塗布し、自然乾燥することにより、カーボンナノチューブ薄層14を形成する。カーボンナノチューブ分散液は、(a) 有機溶媒にカーボンナノチューブ及び必要に応じて分散剤を配合したもの、又は(b) 有機溶媒にカーボンナノチューブ、バインダ樹脂、及び必要に応じて分散剤を配合したものである。分散液中のカーボンナノチューブの濃度は0.01〜2質量％が好ましい。カーボンナノチューブの濃度が0.1質量％未満であると十分な塗布量が得られず、また2質量％超であるとカーボンナノチューブが分散液中で凝集するおそれがあり、均一なカーボンナノチューブ薄層が得られない。カーボンナノチューブの濃度はより好ましくは0.01〜1質量％であり、最も好ましくは0.1〜0.5質量％である。
電磁波吸収フィルム1の少なくとも一面に形成された線状痕12を有する金属薄膜11にカーボンナノチューブ分散液を塗布し、自然乾燥することにより、カーボンナノチューブ薄層14を形成する。カーボンナノチューブ分散液は、(a) 有機溶媒にカーボンナノチューブ及び必要に応じて分散剤を配合したもの、又は(b) 有機溶媒にカーボンナノチューブ、バインダ樹脂、及び必要に応じて分散剤を配合したものである。分散液中のカーボンナノチューブの濃度は0.01〜2質量％が好ましい。カーボンナノチューブの濃度が0.1質量％未満であると十分な塗布量が得られず、また2質量％超であるとカーボンナノチューブが分散液中で凝集するおそれがあり、均一なカーボンナノチューブ薄層が得られない。カーボンナノチューブの濃度はより好ましくは0.01〜1質量％であり、最も好ましくは0.1〜0.5質量％である。
バインダ樹脂を配合する場合、分散液の粘度及びカーボンナノチューブの均一分散性の観点から、カーボンナノチューブ分散液中のバインダ樹脂の濃度は0.1〜10質量％が好ましく、1〜5質量％がより好ましい。
カーボンナノチューブ分散液に用いる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、メチルエチルケトン等の低沸点溶媒の他に、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルキレングリコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールのアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールのアルキルエーテルアセテート類、ターピネオール等のテルペン類が挙げられる。
カーボンナノチューブ薄層14がカーボンナノチューブの質量基準で0.01〜0.5 g/m2の厚さを有するように、カーボンナノチューブ分散液の塗布量を濃度に応じて決める。カーボンナノチューブ分散液の塗布方法は限定的ではないが、均一な薄層14を得るためにインクジェット印刷法等が好ましい。カーボンナノチューブ分散液の塗布は一回でする必要がなく、できるだけ均一なカーボンナノチューブ薄層14を得るために複数回に分けて行っても良い。
(3) プラスチック保護層
カーボンナノチューブ薄層14を保護するためにプラスチックフィルムからなるプラスチック保護層15を熱ラミネートするのが好ましい。PETフィルムの場合、熱ラミネート温度は110〜150℃で良い。
カーボンナノチューブ薄層14を保護するためにプラスチックフィルムからなるプラスチック保護層15を熱ラミネートするのが好ましい。PETフィルムの場合、熱ラミネート温度は110〜150℃で良い。
[3] 電磁波吸収フィルムの性能
(1) 電磁波吸収能の評価
(a) 伝送減衰率
伝送減衰率Rtpは、図10(a) 及び図10(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板120と、絶縁基板120の下面に接合された接地グランド電極121と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン122，122と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン122，122に接続する同軸ケーブル123，123とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLにノイズ抑制フィルムの試験片TPを粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、下記式(1)：
Rtp＝-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]・・・(1)
により求める。
(1) 電磁波吸収能の評価
(a) 伝送減衰率
伝送減衰率Rtpは、図10(a) 及び図10(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板120と、絶縁基板120の下面に接合された接地グランド電極121と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン122，122と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン122，122に接続する同軸ケーブル123，123とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLにノイズ抑制フィルムの試験片TPを粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、下記式(1)：
Rtp＝-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]・・・(1)
により求める。
(b) ノイズ吸収率
図10(a) 及び図10(b) に示すシステムにおいて、入射した電力Pin＝反射波S11の電力＋透過波S12の電力＋吸収された電力（電力損失）Plossが成り立つ。従って、入射した電力Pinから反射波S11の電力及び透過波S21の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求める。
図10(a) 及び図10(b) に示すシステムにおいて、入射した電力Pin＝反射波S11の電力＋透過波S12の電力＋吸収された電力（電力損失）Plossが成り立つ。従って、入射した電力Pinから反射波S11の電力及び透過波S21の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求める。
(2) 放熱性の評価
電磁波吸収フィルム1の放熱性は、その一部に与えられた熱がフィルム全体に拡散する速度により評価する。具体的には、図11(a) に示すように、電磁波吸収フィルム1の長方形サンプル200（100 mm×50 mm）と、電磁波吸収フィルム1のサンプル200と同じ大きさの長方形開口部202を有するアクリル支持板201（200 mm×100 mm×2 mm）とを準備し、図11(b) 及び図11(c) に示すようにサンプル200をアクリル支持板201の開口部202に幅10 mmの接着テープ（セロハンテープ）203により固定する。図11(d) に示すように、サンプル200は電磁波吸収フィルム1のカーボンナノチューブ薄層14側に厚さ100μmのPETフィルム205を積層したものである。
電磁波吸収フィルム1の放熱性は、その一部に与えられた熱がフィルム全体に拡散する速度により評価する。具体的には、図11(a) に示すように、電磁波吸収フィルム1の長方形サンプル200（100 mm×50 mm）と、電磁波吸収フィルム1のサンプル200と同じ大きさの長方形開口部202を有するアクリル支持板201（200 mm×100 mm×2 mm）とを準備し、図11(b) 及び図11(c) に示すようにサンプル200をアクリル支持板201の開口部202に幅10 mmの接着テープ（セロハンテープ）203により固定する。図11(d) に示すように、サンプル200は電磁波吸収フィルム1のカーボンナノチューブ薄層14側に厚さ100μmのPETフィルム205を積層したものである。
図12に示すように、サンプル200が露出するようにアクリル支持板201を載置しえる開口部211を有する固定板210に、サンプル200を固定したアクリル支持板201を固定し、サンプル200の下方50 mmの位置に熱源としてニクロム線ヒータ220を載置し、サンプル200の上方350 mmの位置に赤外線サーモグラフィ装置230（NEC Avio赤外線テクノロジー株式会社製の「サーモギアG100」）を固定する。熱源230によるサンプル200の直径約10 mmの加熱領域（ホットスポット）251は中央に位置する。図13に示すように、中央の加熱領域251の中心点における温度（最高域温度）Tmax、及び各隅から対角線上20 mmの距離に位置する点252，253，254，255における温度t1，t2，t3，t4をそれぞれ赤外線サーモグラフィ装置230により自動計測する。温度t1，t2，t3，t4の平均を最低域温度Tminとし、それらの平均を平均温度Tavとする。最高域温度Tmax、最低域温度Tmin及び平均温度Tavの変化を比較し、熱拡散性（放熱性）を評価する。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
実施例1
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール32a，32bを有する図9に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11に、図2(c)に示すように直交する二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜11の光学顕微鏡写真から、線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール32a，32bを有する図9に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11に、図2(c)に示すように直交する二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜11の光学顕微鏡写真から、線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
外径が10〜15 nmで平均長さが3μmの多層カーボンナノチューブ（触媒除去済み）をメチルエチルケトンに分散させた濃度1質量％のカーボンナノチューブ分散液（1質量％の分散剤を含有）を、エアブラシにより線状痕付きアルミニウム薄膜11に塗布し、自然乾燥させた。形成されたカーボンナノチューブ薄層14の厚さ（塗布量）は0.064 g/m2であった。その後、アルミニウム薄膜11に120℃で厚さ16μmのPETフィルムを熱ラミネートし、電磁波吸収フィルム1のサンプルを得た。
上記電磁波吸収フィルムサンプルから切り出した試験片TP（55.2 mm×4.7 mm）の各々を図10(a) 及び図10(b) に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの周波数範囲の入射電力Pinに対する反射波の電力S11及び透過波の電力S12を測定した。段落[3] の(1) 及び(2) に記載の方法により、0.1〜6 GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果をそれぞれ図14及び図15に示す。
比較例1
実施例1と同様に作製した線状痕付きアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ分散液を塗布せずに作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果をそれぞれ図14及び図15に示す。
実施例1と同様に作製した線状痕付きアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ分散液を塗布せずに作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果をそれぞれ図14及び図15に示す。
図14及び図15から明らかなように、実施例1は比較例1より高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。これから、カーボンナノチューブ薄層14の形成により伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinが向上することが分かる。
また図11〜図13に示す方法（段落[3] (2)）により、22℃及び34％の湿度の条件で実施例1及び比較例1の電磁波吸収フィルム1の熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果をそれぞれ図16及び図17に示す。図16及び図17から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14を形成した実施例1の電磁波吸収フィルムは、カーボンナノチューブ薄層14を形成していない比較例1の電磁波吸収フィルムより高い熱拡散性を有していた。
実施例2、比較例2
金属薄膜11をニッケルにより形成した以外実施例1及び比較例1と同様にして電磁波吸収フィルム1を作製し、各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果をそれぞれ図18及び図19に示す。図18及び図19から明らかなように、実施例2は比較例2より高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。これから、ニッケルからなる金属薄膜11の場合でも、カーボンナノチューブ薄層14の形成により伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinが向上することが分かる。
金属薄膜11をニッケルにより形成した以外実施例1及び比較例1と同様にして電磁波吸収フィルム1を作製し、各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果をそれぞれ図18及び図19に示す。図18及び図19から明らかなように、実施例2は比較例2より高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。これから、ニッケルからなる金属薄膜11の場合でも、カーボンナノチューブ薄層14の形成により伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinが向上することが分かる。
実施例3
線状痕の交差角θsをそれぞれ30°，60°及び90°とした以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルム1を作製し、各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。6 GHzの周波数の入射波に対する伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表1に示す。表1から明らかなように、30°〜90°の交差角θsのいずれでも高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
線状痕の交差角θsをそれぞれ30°，60°及び90°とした以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルム1を作製し、各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。6 GHzの周波数の入射波に対する伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表1に示す。表1から明らかなように、30°〜90°の交差角θsのいずれでも高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
実施例4
カーボンナノチューブ分散液の塗布量を下記表2に示すように変化させた以外実施例1と同様にして作製した各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。6 GHzの周波数の入射波に対する伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表2に示す。表2から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14の厚さが0.01〜0.1 g/m2の範囲内では、高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示すが、上記範囲外の厚さでは伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの向上効果は不十分であった。
カーボンナノチューブ分散液の塗布量を下記表2に示すように変化させた以外実施例1と同様にして作製した各電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。6 GHzの周波数の入射波に対する伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表2に示す。表2から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14の厚さが0.01〜0.1 g/m2の範囲内では、高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示すが、上記範囲外の厚さでは伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの向上効果は不十分であった。
実施例5
アルミニウム薄膜11の厚さを0.08μmとした以外実施例1と同じ方法で作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図20及び図21に示す。図20及び図21から明らかなように、実施例5の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinは実施例1とほぼ同レベルであった。これから、線状痕を有する金属薄膜とカーボンナノチューブ薄層14とを組合せた本発明の電磁波吸収フィルム1は、金属薄膜の厚さに関係なく優れた電磁波吸収能を有することが分かる。
アルミニウム薄膜11の厚さを0.08μmとした以外実施例1と同じ方法で作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図20及び図21に示す。図20及び図21から明らかなように、実施例5の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinは実施例1とほぼ同レベルであった。これから、線状痕を有する金属薄膜とカーボンナノチューブ薄層14とを組合せた本発明の電磁波吸収フィルム1は、金属薄膜の厚さに関係なく優れた電磁波吸収能を有することが分かる。
実施例6
下から順に厚さ50 nmのNi層及び厚さ100 nmのCu層からなる二層構造の金属薄膜を用いた以外実施例1と同じ方法で作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図22及び図23に示す。図22及び図23から明らかなように、金属薄膜が二層構造の場合も高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
下から順に厚さ50 nmのNi層及び厚さ100 nmのCu層からなる二層構造の金属薄膜を用いた以外実施例1と同じ方法で作製した電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図22及び図23に示す。図22及び図23から明らかなように、金属薄膜が二層構造の場合も高い伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを示した。
比較例3
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのニッケル薄膜11に、線状痕を形成することなく実施例1と同じ方法で厚さ0.060 g/m2のカーボンナノチューブ薄層14を形成した。得られたサンプルから切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図24及び図25に示す。図24及び図25から、線状痕のないニッケル薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成しただけでは、十分な電磁波吸収能が得られないことが分かる。
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのニッケル薄膜11に、線状痕を形成することなく実施例1と同じ方法で厚さ0.060 g/m2のカーボンナノチューブ薄層14を形成した。得られたサンプルから切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図24及び図25に示す。図24及び図25から、線状痕のないニッケル薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成しただけでは、十分な電磁波吸収能が得られないことが分かる。
比較例4
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに金属薄膜を形成することなく実施例1と同じ方法で厚さ0.061 g/m2のカーボンナノチューブ薄層14を形成した。得られたサンプルから切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図26及び図27に示す。図26及び図27から、線状痕付き金属薄膜なしにカーボンナノチューブ薄層14だけを形成した場合、十分な電磁波吸収能が得られないことが分かる。
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに金属薄膜を形成することなく実施例1と同じ方法で厚さ0.061 g/m2のカーボンナノチューブ薄層14を形成した。得られたサンプルから切り出した試験片TPに対して伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図26及び図27に示す。図26及び図27から、線状痕付き金属薄膜なしにカーボンナノチューブ薄層14だけを形成した場合、十分な電磁波吸収能が得られないことが分かる。
実施例7
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに実施例1と同じ方法で線状痕付きアルミニウム薄膜11及びカーボンナノチューブ薄層14を形成したサンプルから、下記表3に示すサイズの小片を10枚切り出し、各小片の6 GHzにおける伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ表3に示す。Rtp及びPloss/Pinの値が小さいのは、小片の面積が試験片TP（55.2 mm×4.7 mm）の面積より小さいからである。表3から明らかなように、本発明の電磁波吸収フィルム1は小片化しても伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの値のバラツキが小さかった。これは、ランダムに形成された線状痕のバラツキがカーボンナノチューブ薄層14により平均化されたためであると考えられる。
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに実施例1と同じ方法で線状痕付きアルミニウム薄膜11及びカーボンナノチューブ薄層14を形成したサンプルから、下記表3に示すサイズの小片を10枚切り出し、各小片の6 GHzにおける伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ表3に示す。Rtp及びPloss/Pinの値が小さいのは、小片の面積が試験片TP（55.2 mm×4.7 mm）の面積より小さいからである。表3から明らかなように、本発明の電磁波吸収フィルム1は小片化しても伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの値のバラツキが小さかった。これは、ランダムに形成された線状痕のバラツキがカーボンナノチューブ薄層14により平均化されたためであると考えられる。
比較例5
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに実施例1と同じ方法で線状痕付きアルミニウム薄膜11を形成したサンプル（カーボンナノチューブ薄層14は形成していない。）から、下記表4に示すサイズの小片を10枚切り出し、各小片の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ表4に示す。表4から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14を形成していない電磁波吸収フィルムを小片化すると、伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの値のバラツキは、カーボンナノチューブ薄層14を有する実施例7のものより大きくなった。
厚さ16μmの二軸延伸PETフィルムに実施例1と同じ方法で線状痕付きアルミニウム薄膜11を形成したサンプル（カーボンナノチューブ薄層14は形成していない。）から、下記表4に示すサイズの小片を10枚切り出し、各小片の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ表4に示す。表4から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14を形成していない電磁波吸収フィルムを小片化すると、伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinの値のバラツキは、カーボンナノチューブ薄層14を有する実施例7のものより大きくなった。
実施例8、比較例6
カーボンナノチューブ分散液として、キシレン／イソプロピルアルコール（IPA）＝6／4の混合溶媒98質量％に、外径10〜15 nmで平均長さ3μmの多層カーボンナノチューブ（触媒除去済み）0.5質量％を均一に分散させ、さらに1.5質量％のポリメチルメタクリレート（PMMA）を溶解したものを用いた以外、実施例1と同様にして実施例8の電磁波吸収フィルム1を作製した。この電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinを測定し、またこの電磁波吸収フィルム1から切り出したサンプルに対して実施例1と同じ方法で熱拡散性（放熱性）の評価を行った。ノイズ吸収率Ploss/Pinを図28に示し、熱拡散性（放熱性）の評価を図29に示す。また実施例8の同じ試験片TPに対して6カ月後にノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果を図30に示す。図29から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14がバインダ樹脂を含有する実施例8の電磁波吸収フィルム1も、良好な熱拡散性を有していた。
カーボンナノチューブ分散液として、キシレン／イソプロピルアルコール（IPA）＝6／4の混合溶媒98質量％に、外径10〜15 nmで平均長さ3μmの多層カーボンナノチューブ（触媒除去済み）0.5質量％を均一に分散させ、さらに1.5質量％のポリメチルメタクリレート（PMMA）を溶解したものを用いた以外、実施例1と同様にして実施例8の電磁波吸収フィルム1を作製した。この電磁波吸収フィルム1から切り出した試験片TPに対して実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinを測定し、またこの電磁波吸収フィルム1から切り出したサンプルに対して実施例1と同じ方法で熱拡散性（放熱性）の評価を行った。ノイズ吸収率Ploss/Pinを図28に示し、熱拡散性（放熱性）の評価を図29に示す。また実施例8の同じ試験片TPに対して6カ月後にノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果を図30に示す。図29から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14がバインダ樹脂を含有する実施例8の電磁波吸収フィルム1も、良好な熱拡散性を有していた。
触媒を除去していない以外実施例8と同じカーボンナノチューブの分散液を用いて、実施例8と同様にして比較例6の電磁波吸収フィルムのサンプルを作製し、同様にノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果を図31に示す。また同じサンプルに対して6カ月後に同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果を図32に示す。
図28及び図30から明らかなように、触媒除去済みのカーボンナノチューブを用いた実施例8の電磁波吸収フィルム1では電磁波吸収能の経時劣化はほとんど認められなかった。これに対して、図31及び図32から明らかなように、触媒を除去していないカーボンナノチューブを用いた比較例6の電磁波吸収フィルム1では電磁波吸収能の大きな経時劣化が認められた。
比較例7
平均長さ1μmの多層カーボンナノチューブ1.0質量％と、PMMA 1.0質量％とを含有するカーボンナノチューブ分散液を用いた以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルムを作製し、それから切り出した試験片TPに対して実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図33及び図34に示す。図33及び図34から明らかなように、比較例7の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinはいずれも比較例1と同程度であった。これから、カーボンナノチューブの平均長さが2μm未満であると、カーボンナノチューブ薄層14の効果がほとんど得られないことが分かる。
平均長さ1μmの多層カーボンナノチューブ1.0質量％と、PMMA 1.0質量％とを含有するカーボンナノチューブ分散液を用いた以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルムを作製し、それから切り出した試験片TPに対して実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。結果をそれぞれ図33及び図34に示す。図33及び図34から明らかなように、比較例7の伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinはいずれも比較例1と同程度であった。これから、カーボンナノチューブの平均長さが2μm未満であると、カーボンナノチューブ薄層14の効果がほとんど得られないことが分かる。
実施例9
カーボンナノチューブの濃度を1.3質量％に変更した以外実施例8と同様にして、電磁波吸収フィルム1を作製し、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pin及び熱拡散性（放熱性）を測定した。結果をそれぞれ図35及び図36に示す。図35及び図36から明らかなように、カーボンナノチューブの濃度を変更しても、得られる電磁波吸収フィルムの電磁波吸収能及び熱拡散性はほとんど変化しなかった。
カーボンナノチューブの濃度を1.3質量％に変更した以外実施例8と同様にして、電磁波吸収フィルム1を作製し、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pin及び熱拡散性（放熱性）を測定した。結果をそれぞれ図35及び図36に示す。図35及び図36から明らかなように、カーボンナノチューブの濃度を変更しても、得られる電磁波吸収フィルムの電磁波吸収能及び熱拡散性はほとんど変化しなかった。
比較例8
厚さ16μmのPETフィルムの一面にアルミニウム薄膜11を形成せずに、実施例8と同じカーボンナノチューブ分散液を塗布したサンプルに対して、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinの測定及び熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果をそれぞれ図37及び図38に示す。
厚さ16μmのPETフィルムの一面にアルミニウム薄膜11を形成せずに、実施例8と同じカーボンナノチューブ分散液を塗布したサンプルに対して、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinの測定及び熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果をそれぞれ図37及び図38に示す。
比較例9
厚さ16μmのPETフィルムの一面に形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11に線状痕を形成せずに、実施例8と同じカーボンナノチューブ分散液を塗布したサンプルに対して、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinの測定及び熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果をそれぞれ図39及び図40に示す。
厚さ16μmのPETフィルムの一面に形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11に線状痕を形成せずに、実施例8と同じカーボンナノチューブ分散液を塗布したサンプルに対して、実施例1と同じ方法でノイズ吸収率Ploss/Pinの測定及び熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果をそれぞれ図39及び図40に示す。
比較例10
厚さ16μmのPETフィルムの一面に厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11を形成しただけのサンプルに対して、実施例1と同じ方法で熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果を図41に示す。
厚さ16μmのPETフィルムの一面に厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜11を形成しただけのサンプルに対して、実施例1と同じ方法で熱拡散性（放熱性）の評価を行った。結果を図41に示す。
図39〜図41から明らかなように、線状痕を形成しないアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成した比較例9の電磁波吸収フィルム、及び線状痕を形成しないアルミニウム薄膜11を形成しただけの比較例10の電磁波吸収フィルムでは、ノイズ吸収率Ploss/Pinが低いだけでなく、熱拡散性（放熱性）も低かった。これから、(a) アルミニウム薄膜単独では十分な電磁波吸収能及び熱拡散性（放熱性）が得られないこと、及び(b) 線状痕のないアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成しても十分な電磁波吸収能及び熱拡散性（放熱性）が得られないことが分る。勿論、図37及び図38から明らかなように、カーボンナノチューブ薄層14だけを形成した比較例8の電磁波吸収フィルムも十分な電磁波吸収能及び熱拡散性（放熱性）を有していなかった。
線状痕を形成したアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成しない比較例1の電磁波吸収フィルムと、線状痕を形成したアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成した実施例8の電磁波吸収フィルム1とを比較すると、熱拡散性（放熱性）が著しく向上したことが分かる。これから、線状痕を形成したアルミニウム薄膜11とカーボンナノチューブ薄層14との組合せにより、それぞれ単独で用いた場合に比べて格段に向上した熱拡散性（放熱性）が得られることが分かる。
比較例11
パナソニック株式会社製のPGSグラファイトシート（厚さ17μm）に対して、実施例1と同じ方法で熱拡散性の評価を行った。結果を図42に示す。図42から明らかなように、グラファイトシートの熱拡散性は本発明の放熱性電磁波吸収フィルムより劣っていた。
パナソニック株式会社製のPGSグラファイトシート（厚さ17μm）に対して、実施例1と同じ方法で熱拡散性の評価を行った。結果を図42に示す。図42から明らかなように、グラファイトシートの熱拡散性は本発明の放熱性電磁波吸収フィルムより劣っていた。
参考例1
線状痕を一方向（二軸延伸PETフィルムの長手方向）のみ形成した以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルムを形成し、それから第一の試験片TP（線状痕がその長手方向と一致する。）及び第二の試験片TP（線状痕がその横手方向と一致する。）をそれぞれ切り出し、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。6 GHzにおける伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表5に示す。表5から明らかなように、一方向の線状痕を有するアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成した電磁波吸収フィルムは、高い電磁波吸収能を有するものの、その異方性は大きかった。
線状痕を一方向（二軸延伸PETフィルムの長手方向）のみ形成した以外実施例1と同様にして電磁波吸収フィルムを形成し、それから第一の試験片TP（線状痕がその長手方向と一致する。）及び第二の試験片TP（線状痕がその横手方向と一致する。）をそれぞれ切り出し、実施例1と同じ方法で伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。6 GHzにおける伝送減衰率Rtp及びノイズ吸収率Ploss/Pinを表5に示す。表5から明らかなように、一方向の線状痕を有するアルミニウム薄膜11にカーボンナノチューブ薄層14を形成した電磁波吸収フィルムは、高い電磁波吸収能を有するものの、その異方性は大きかった。
Claims (8)
- プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されているとともに、前記金属薄膜上にカーボンナノチューブ薄層が形成されており、前記線状痕の幅は90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔は1〜500μmの範囲内にあって平均1〜200μmであり、前記カーボンナノチューブは2μm以上の平均長さを有することを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1に記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記線状痕が二方向に配向しており、その交差角が30〜90°であることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1又は2に記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記カーボンナノチューブは触媒が除去されていることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記金属薄膜がアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記カーボンナノチューブ薄層の塗布量で表した厚さがカーボンナノチューブの質量基準で0.01〜0.5 g/m2であることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記カーボンナノチューブが多層カーボンナノチューブであることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記カーボンナノチューブ薄層がバインダ樹脂を含有することを特徴とする電磁波吸収フィルム。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の電磁波吸収フィルムにおいて、前記カーボンナノチューブ薄層の上にプラスチックフィルムが熱ラミネートされていることを特徴とする電磁波吸収フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013525710A JP5771275B2 (ja) | 2011-07-26 | 2012-07-20 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011163755 | 2011-07-26 | ||
| JP2011163755 | 2011-07-26 | ||
| JP2011166020 | 2011-07-28 | ||
| JP2011166020 | 2011-07-28 | ||
| PCT/JP2012/068516 WO2013015226A1 (ja) | 2011-07-26 | 2012-07-20 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
| JP2013525710A JP5771275B2 (ja) | 2011-07-26 | 2012-07-20 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013015226A1 JPWO2013015226A1 (ja) | 2015-02-23 |
| JP5771275B2 true JP5771275B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=47601073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013525710A Expired - Fee Related JP5771275B2 (ja) | 2011-07-26 | 2012-07-20 | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140154469A1 (ja) |
| EP (1) | EP2741595B1 (ja) |
| JP (1) | JP5771275B2 (ja) |
| KR (1) | KR101953599B1 (ja) |
| CN (1) | CN103718664B (ja) |
| TW (1) | TWI605746B (ja) |
| WO (1) | WO2013015226A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101790684B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2017-10-26 | 세이지 까가와 | 복합 전자파 흡수 시트 |
| US9474660B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-10-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article with a fluid-entangled body facing material including a plurality of hollow projections |
| CN203353037U (zh) * | 2012-12-28 | 2013-12-18 | 中怡(苏州)科技有限公司 | 无线模块 |
| KR101707042B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2017-02-17 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 도전성 방열(放熱)시트, 이를 포함하는 전기부품 및 전자제품 |
| US20150245548A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-08-27 | Sparton Corporation | Control of electric field effects in a printed circuit board assembly using embedded nickel-metal composite materials |
| US10070547B2 (en) * | 2014-02-26 | 2018-09-04 | Sparton Corporation | Control of electric field effects in a printed circuit board assembly using embedded nickel-metal composite materials |
| WO2015137452A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 日立金属株式会社 | 圧粉磁心の製造方法および圧粉磁心 |
| CN104981138B (zh) * | 2014-04-10 | 2018-06-15 | 苏州驭奇材料科技有限公司 | 一种电磁屏蔽散热膜的制造方法 |
| KR101531630B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2015-06-26 | 최훈석 | 초박막 방열필름 및 이를 포함하는 열확산 시트 |
| CN104091796B (zh) * | 2014-07-23 | 2015-05-13 | 苏州日月新半导体有限公司 | 电子芯片屏蔽层结构 |
| US9525147B2 (en) * | 2014-09-25 | 2016-12-20 | International Business Machines Corporation | Fringing field assisted dielectrophoresis assembly of carbon nanotubes |
| KR101628755B1 (ko) | 2014-10-13 | 2016-06-10 | 혜전대학 산학협력단 | 고열전도성 방열 복합소재 제조방법 및 이로부터 제조된 복합소재를 이용한 고방열 필름 |
| KR101738886B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2017-05-23 | 강계수 | 그래핀을 함유한 전도성 열교환용 합성수지 파이프 및 그 파이프 제조방법 |
| WO2018182601A1 (en) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Incorporation of apertured area into an absorbent article |
| KR20200102431A (ko) * | 2017-12-28 | 2020-08-31 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 전자파 흡수체, 전자파 흡수체 부착 물품 및 전자파 흡수체의 제조 방법 |
| WO2019135192A1 (en) * | 2018-01-05 | 2019-07-11 | 3M Innovative Properties Company | Stray light absorbing film |
| CN109121376A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-01 | 深圳市友华通信技术有限公司 | 电子设备防干扰方法及防干扰电子设备 |
| GB2594399B (en) * | 2018-11-30 | 2023-08-16 | Kimberly Clark Co | Three-dimensional nonwoven materials and methods of manufacturing thereof |
| KR102220560B1 (ko) * | 2019-02-22 | 2021-02-25 | 엘지전자 주식회사 | 자기장 차폐시트 및 이의 제조 방법 |
| KR102047831B1 (ko) | 2019-07-09 | 2019-11-22 | 한국생산기술연구원 | 전자파 차폐 기능 및 방열 기능을 갖는 액체 금속 입자 코팅 시트 부재 및 그 제조 방법 |
| KR20210007103A (ko) | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 한국생산기술연구원 | 액체 금속 입자를 포함하는 필름 부재 |
| TW202204552A (zh) * | 2020-07-23 | 2022-02-01 | 位元奈米科技股份有限公司 | 抗電磁干擾薄膜及其製作方法 |
| USD1006771S1 (en) | 2020-12-02 | 2023-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Television receiver |
| USD990480S1 (en) | 2020-12-02 | 2023-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Television receiver |
| TWI826240B (zh) * | 2023-01-16 | 2023-12-11 | 蘇憲強 | 可絕緣及抑制電磁波之無線電路模組及製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT214086Z2 (it) | 1988-03-03 | 1990-04-02 | Salvarani Ind Spa | Modulo di cucina componibile |
| JPH09148782A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nippon Paint Co Ltd | 透明電磁波吸収シールド材 |
| JP4122541B2 (ja) | 1997-07-23 | 2008-07-23 | 松下電器産業株式会社 | シ−ルド材 |
| US6413487B1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-07-02 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Method and apparatus for producing carbon nanotubes |
| JP2002059487A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-26 | Seiji Kagawa | 多孔質フィルムの製造装置 |
| CN1170766C (zh) * | 2002-10-14 | 2004-10-13 | 北京大学 | 纳米碳管/纳米铁磁性金属线复合材料及其制法 |
| JP2005191384A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nichias Corp | 電磁波遮蔽性材料およびその製造方法 |
| US20060233692A1 (en) * | 2004-04-26 | 2006-10-19 | Mainstream Engineering Corp. | Nanotube/metal substrate composites and methods for producing such composites |
| JP2005327853A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 |
| CN100438739C (zh) * | 2004-06-10 | 2008-11-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 抗磨损的防电磁干扰层 |
| JP2006114877A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-04-27 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 電磁波吸収シート、電磁波吸収シート積層体及びそれらを用いた電磁波吸収性ハウジング |
| JP2006135118A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電磁波吸収性熱放射シート |
| JP4811712B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2011-11-09 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブ・バルク構造体及びその製造方法 |
| JP5140348B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-02-06 | ニッタ株式会社 | 電波吸収体、電波吸収パネル構造体、無線通信改善システム |
| KR101601988B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2016-03-09 | 유겐카이샤 스미타 카가쿠 기주쯔 켄큐쇼 | 탄소나노튜브가 포함된 전도체의 제조 방법 |
| CN101466252B (zh) * | 2007-12-21 | 2011-11-30 | 清华大学 | 电磁屏蔽层及其制备方法 |
| CN101578009B (zh) * | 2008-05-06 | 2010-12-29 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板基膜、电路板基板及电路板 |
| JP5038497B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2012-10-03 | 清二 加川 | 電磁波吸収フィルム及びそれを用いた電磁波吸収体 |
| US8351220B2 (en) * | 2009-01-28 | 2013-01-08 | Florida State University Research Foundation | Electromagnetic interference shielding structure including carbon nanotube or nanofiber films and methods |
| CN102046370B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-05-14 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
-
2012
- 2012-07-20 US US14/234,971 patent/US20140154469A1/en not_active Abandoned
- 2012-07-20 EP EP12817221.0A patent/EP2741595B1/en not_active Not-in-force
- 2012-07-20 KR KR1020147004947A patent/KR101953599B1/ko active Active
- 2012-07-20 JP JP2013525710A patent/JP5771275B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-20 WO PCT/JP2012/068516 patent/WO2013015226A1/ja active Application Filing
- 2012-07-20 CN CN201280036105.1A patent/CN103718664B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-25 TW TW101126712A patent/TWI605746B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140058578A (ko) | 2014-05-14 |
| EP2741595B1 (en) | 2018-05-30 |
| EP2741595A4 (en) | 2015-12-09 |
| EP2741595A1 (en) | 2014-06-11 |
| WO2013015226A1 (ja) | 2013-01-31 |
| CN103718664A (zh) | 2014-04-09 |
| JPWO2013015226A1 (ja) | 2015-02-23 |
| CN103718664B (zh) | 2017-03-08 |
| TW201313114A (zh) | 2013-03-16 |
| US20140154469A1 (en) | 2014-06-05 |
| KR101953599B1 (ko) | 2019-03-04 |
| TWI605746B (zh) | 2017-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5771275B2 (ja) | 高い放熱性を有する電磁波吸収フィルム | |
| CN103959927B (zh) | 复合电磁波吸收片 | |
| Sheokand et al. | Transparent broadband metamaterial absorber based on resistive films | |
| JP4685977B2 (ja) | 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム及びその製造装置 | |
| JP5542139B2 (ja) | 複合電磁波吸収フィルム | |
| JP5726903B2 (ja) | 近傍界電磁波吸収体 | |
| JP5302287B2 (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JP2013084864A (ja) | 電磁波吸収フレキシブル回路基板及びそれに用いる電磁波吸収フレキシブル基板シート | |
| JP6461416B1 (ja) | 電磁波吸収複合シート | |
| JP5559668B2 (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JP5186535B2 (ja) | 透明電磁波吸収フィルム | |
| JP2013175691A (ja) | 電磁波吸収筐体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150114 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150623 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5771275 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |