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KR20200102431A - 전자파 흡수체, 전자파 흡수체 부착 물품 및 전자파 흡수체의 제조 방법 - Google Patents

전자파 흡수체, 전자파 흡수체 부착 물품 및 전자파 흡수체의 제조 방법 Download PDF

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KR20200102431A
KR20200102431A KR1020207016689A KR20207016689A KR20200102431A KR 20200102431 A KR20200102431 A KR 20200102431A KR 1020207016689 A KR1020207016689 A KR 1020207016689A KR 20207016689 A KR20207016689 A KR 20207016689A KR 20200102431 A KR20200102431 A KR 20200102431A
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KR
South Korea
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electromagnetic wave
layer
wave absorber
main surface
slit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020207016689A
Other languages
English (en)
Inventor
카즈토 야마가타
히로노부 마치나가
히로이치 우케이
타케히로 우이
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20200102431A publication Critical patent/KR20200102431A/ko
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Abstract

전자파 흡수체(1a)는 저항층(10)과 도전층(20)과 유전체층(30)을 구비한다. 도전층(20)은 저항층(10)의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 가진다. 유전체층(30)은 저항층(10)과 도전층(20)과의 사이에 배치되어 있다. 전자파 흡수체(1a)는 제1 슬릿(15)을 포함한다. 제1 슬릿(15)은 저항층(10)에서 유전체층(30)에 대하여 원위인 제1 주면(10a)으로부터 제1 주면(10a)에 수직인 방향으로 유전체층(30)을 향하여 연장되어 있음과 함께, 저항층(10)을 복수의 제1 블록(17)으로 구분하고 있다. 제1 블록(17)의 제1 주면(10a)에서의 최소 치수(D1)는 2mm 이상이다.

Description

전자파 흡수체, 전자파 흡수체 부착 물품 및 전자파 흡수체의 제조 방법
본 발명은 전자파 흡수체, 전자파 흡수체 부착 물품 및 전자파 흡수체의 제조 방법에 관한 것이다.
근래, 밀리미터파(파장이 1∼10mm 정도, 주파수가 30∼300GHz) 또는 준 밀리미터파 영역의 전자파의 정보 통신 매체로서의 이용이 진행되고 있다. 예컨대, 차량에서 장해물을 검지하여 자동으로 브레이크를 걸거나, 주변 차량의 속도나 차간 거리를 측정하여 자차의 속도나 차간 거리를 제어하거나 하는 충돌 예방 시스템에서의 이용이 진행되고 있다. 이와 같은 충돌 예방 시스템이 정상으로 동작하려면, 오인 방지를 위하여 불필요한 전자파를 가능한 한 수신하지 않도록 하는 것이 중요하다. 이 때문에, 이들 충돌 예방 시스템에는 통상적으로 불필요한 전자파를 흡수하는 전자파 흡수체가 이용되고 있다.
상기 전자파 흡수체에는, 그의 전자파 흡수의 원리에 따라 다양한 타입이 있다. 예컨대, 전자파 반사층(도전층)과, λ/4(λ는 흡수 대상으로 하는 전자파의 파장)에 상당하는 두께를 갖는 유전체층과, 저항 박막층(저항층)을 설치한 타입(이하, "λ/4형"이라고 한다)의 전자파 흡수체는, 재료가 비교적 저렴하고 설계가 용이하기 때문에, 저비용으로 제작할 수 있는 것이 알려져 있다. 이와 같은 λ/4형 전자파 흡수체로서, 예컨대 특허문헌 1에는, 입사 각도가 넓은 영역에 걸쳐 기능한다는 우수한 특성을 발휘하는 전자파 흡수체가 제안되고 있다.
또한, 특허문헌 2에는 굽힘 강성이 300MPa·mm4 이하로 설정되어 있는, λ/4형 전자파 흡수체가 기재되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 전자파 흡수체에 따르면, 굽힘 강성이 300MPa·mm4 이하로 설정되어 있기 때문에, 예컨대 전자파 흡수체를 곡면을 따라 장착하는 것이 가능하다.
일본 공개특허공보 제2003-198179호 일본 공개특허공보 제2017-163141호
특허문헌 2에 기재된 기술에 의하면, 전자파 흡수체를 곡면에 장착하기 쉽다. 한편, 곡면 등을 포함하는 물품에의 장착 용이성을 높이는 연구는 전자파 흡수체의 굽힘 강성을 300MPa·mm4 이하로 하는 것에 제한되지 않는다.
이에, 본 발명은 곡면 등을 포함하는 물품에 장착하는 데에 유리하고, 또한 양호한 전자파 흡수 성능을 발휘하는 데에 유리한 신규 전자파 흡수체를 제공한다. 또한, 본 발명은 그 전자파 흡수체를 구비한 물품 및 그 전자파 흡수체의 제조 방법을 제공한다.
본 개시는
저항층과,
상기 저항층의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 갖는 도전층과,
상기 저항층과 상기 도전층과의 사이에 배치된 유전체층을 구비하고,
제1 슬릿 및 제2 슬릿 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 제1 슬릿은, 상기 저항층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제1 주면으로부터 상기 제1 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 저항층을 복수의 제1 블록으로 구분하고,
상기 제2 슬릿은, 상기 도전층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제2 주면으로부터 상기 제2 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 도전층을 복수의 제2 블록으로 구분하며,
상기 제1 블록의 상기 제1 주면에서의 최소 치수는 2mm 이상이고,
상기 제2 블록의 상기 제2 주면에서의 최소 치수는 1mm 이상인
전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 본 발명은
곡면 또는 코너를 포함하는 물품과,
상기 곡면에 첩부(貼付)된, 또는 상기 코너를 넘어(across) 첩부된 상기 전자파 흡수체를 구비한
전자파 흡수체 부착 물품을 제공한다.
또한, 본 발명은
저항층을 제공하고,
상기 저항층의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 갖는 도전층을 제공하며,
상기 저항층과 상기 도전층과의 사이에 유전체층을 배치하고,
제1 슬릿 및 제2 슬릿 중 적어도 하나를 형성하며,
상기 제1 슬릿은, 상기 저항층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제1 주면으로부터 상기 제1 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 저항층을 복수의 제1 블록으로 구분하고,
상기 제2 슬릿은, 상기 도전층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제2 주면으로부터 상기 제2 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 도전층을 복수의 제2 블록으로 구분하며,
상기 제1 블록의 상기 제1 주면에서의 최소 치수는 2mm 이상이고,
상기 제2 블록의 상기 제2 주면에서의 최소 치수는 1mm 이상인
전자파 흡수체의 제조 방법을 제공한다.
상기의 전자파 흡수체는 곡면 등을 포함하는 물품에 장착하는 데에 유리하고, 또한 양호한 전자파 흡수 성능을 발휘하는 데에 유리하다.
도 1은 본 발명에 따른 전자파 흡수체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 전자파 흡수체의 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 전자파 흡수체의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 전자파 흡수체의 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 전자파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 전자파 흡수체 부착 물품의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 전자파 흡수체 부착 물품의 다른 일례를 나타내는 측면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 전자파 흡수체 부착 물품의 또 다른 일례를 나타내는 측면도이다.
본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태로는 한정되지 않는다. 또한, 첨부의 도면에서 x축, y축 및 z축은 서로 직교하고 있고, z축은 전자파 흡수체의 두께 방향을 따라 연장되어 있다. 첨부의 도면에서 x축 정방향은 동일한 방향이고, y축 정방향은 동일한 방향이며, z축 정방향은 동일한 방향이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1a)는 저항층(10)과 도전층(20)과 유전체층(30)을 구비하고 있다. 도전층(20)은 저항층(10)의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 가진다. 유전체층(30)은 저항층(10)과 도전층(20)과의 사이에 배치되어 있다. 전자파 흡수체(1a)는 제1 슬릿(15)을 포함한다. 제1 슬릿(15)은 저항층(10)에서 유전체층(30)에 대하여 원위인 제1 주면(10a)으로부터 제1 주면(10a)에 수직인 방향으로 유전체층(30)을 향하여 연장되어 있음과 함께, 저항층(10)을 복수의 제1 블록(17)으로 구분하고 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 블록(17)의 제1 주면(10a)에서의 최소 치수 D1은 2mm 이상이다.
최소 치수 D1은 전형적으로는 제1 주면(10a)을 평면에서 볼 때에, 제1 블록(17)의 윤곽을 이루는 평면 도형에서, 정점 사이의 거리의 최소치 및 서로 교차하지 않는 선끼리의 최단 거리 중 작은 쪽을 의미한다. 이 경우, 정점은 모서리(角)의 정점을 의미한다. 정점은 직선끼리 교차하는 것, 곡선끼리 교차하는 것, 또는 직선과 곡선이 교차함으로써 형성될 수 있다. 한편, 제1 주면(10a)을 평면에서 볼 때에, 제1 블록(17)의 윤곽을 이루는 평면 도형의 윤곽이 호 등의 곡선을 포함하고, 또한 평면 도형의 정점의 수가 2 이하인 경우, 최소 치수 D1은 평면 도형의 윤곽 위의 2개의 점과, 그 평면 도형의 중심을 지나는 선분의 길이가 최소가 되는 방향에서의 치수이다.
전자파 흡수체(1a)가 제1 슬릿(15)을 포함함으로써, 제1 슬릿(15)의 개구가 넓어지도록 전자파 흡수체(1a)를 구부릴 수 있고, 전자파 흡수체(1a)가 구부러지기 쉽다. 또한, 제1 슬릿(15)에서 이웃하는 제1 블록(17)끼리 서로 밀도록 전자파 흡수체(1a)를 구부리는 것도 가능하다. 이 때문에, 전자파 흡수체(1a)는 곡면 등을 포함하는 물품에도 장착하기 쉽다.
전자파 흡수체(1a)는 λ/4형 전자파 흡수체이다. 전자파 흡수체(1a)에 흡수 대상으로 하는 파장(λ0)의 전자파가 입사하면, 저항층(10)의 표면에서의 반사(표면 반사)에 의한 전자파와, 도전층(20)에서의 반사(이면 반사)에 의한 전자파가 간섭하도록 설계되어 있다. 제1 슬릿(15)은 전자파의 표면 반사에 영향을 미친다고 생각된다. 본 발명자들은, 저항층에 형성한 슬릿이 전자파 흡수체의 전자파 흡수 성능에 미치는 영향에 대하여 밤낮으로 검토를 거듭하였다. 그 결과, 슬릿에 의해 구분된 저항층의 블록의 최소 치수가 2mm 이상이면, 전자파 흡수체가 양호한 전자파 흡수 성능을 발휘하기 쉬운 것을 새롭게 발견하였다. 본 발명자들은 이와 같은 새로운 지견에 근거하여 본 발명에 따른 전자파 흡수체를 안출하였다.
제1 블록(17)의 제1 주면(10a)에서의 최소 치수 D1은 바람직하게는 4mm 이상이고, 보다 바람직하게는 6mm 이상이며, 더욱 바람직하게는 10mm 이상이다. 이로 인해 전자파 흡수체(1a)의 전자파 흡수 성능을 보다 높일 수 있다.
전자파 흡수체(1a)의 두께 방향에서의 제1 슬릿(15)의 깊이는 특별히 제한되지 않지만, 제1 슬릿(15)은 저항층(10)의 내부에 바닥을 포함하고 있어도 되고, 전자파 흡수체(1a)의 두께 방향으로 저항층(10)을 관통하여도 된다. 제1 주면(10a)에 평행한 방향에서, 제1 슬릿(15)의 끝(端)은 제1 주면(10a)의 끝에 위치하고 있어도 되고, 제1 주면(10a)의 끝으로부터 떨어져 위치하고 있어도 된다. 또한, 제1 슬릿(15)은 이웃하는 제1 블록(17)끼리의 사이에 간격이 존재하도록 형성되어 있어도 되고, 이웃하는 제1 블록(17)끼리 접촉할 수 있도록 형성되어 있어도 된다. 제1 주면(10a)에 평행한 방향에서, 제1 슬릿(15)은 전형적으로는 직선상으로 연장되어 있다. 제1 슬릿(15)은 곡선상으로 연장되어 있어도 된다.
제1 주면(10a)이 수평일 때, 제1 주면(10a)에서의 복수의 제1 블록(17)의 면적은, 예컨대 복수의 제1 블록(17)의 면적과 제1 슬릿(15)의 개구 면적과의 합의 90% 이상이고, 바람직하게는 그 합의 97% 이상이며, 보다 바람직하게는 그 합의 99% 이상이다. 이로 인해, 보다 확실하게 전자파 흡수체(1a)가 양호한 전자파 흡수 성능을 가진다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1a)는 예컨대 복수의 제1 슬릿(15)을 포함한다. 복수의 제1 슬릿(15)은 예컨대 제1 슬릿군(15a)을 포함한다. 제1 슬릿군(15a)은 제1 주면(10a)에서 서로 평행한 복수의 제1 슬릿(15)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 블록(17)의 제1 주면(10a)에서의 최소 치수 D1은 바람직하게는 20mm 이하이다. 이 경우, 전자파 흡수체(1a)를 큰 곡률의 곡면을 포함하는 물품에 장착하기 쉽다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1a)에서의 복수의 제1 슬릿(15)은 예컨대 제2 슬릿군(15a)을 더 포함한다. 제2 슬릿군(15a)은 제1 주면(10a)에서 서로 평행하고, 또한 제1 슬릿군(15a)에 포함되는 복수의 제1 슬릿(15)과 교차하는 복수의 제1 슬릿(15)으로 이루어진다. 이 경우, 전자파 흡수체(1a)는 복수의 방향으로 구부릴 수 있기 때문에, 복잡한 형상을 포함하는 물품에 장착하기 쉽다.
제1 주면(10a)을 평면에서 볼 때에, 제1 블록(17)의 윤곽을 이루는 평면 도형은 삼각형, 사각형, 또는 기타 다각형이어도 되고, 그 윤곽의 일부 또는 전부가 곡선상인 도형이어도 된다.
λ/4형 전자파 흡수체에서는, 하기의 식 (1)에 나타내는 바와 같이, 유전체층(30)의 두께(t) 및 유전체층(30)의 비유전율(εr)에 의해 흡수 대상의 전자파의 파장(λ0)이 결정된다. 즉, 유전체층(30)의 재료 및 두께를 적절히 조절함으로써, 흡수 대상의 파장의 전자파를 설정할 수 있다. 식 (1)에서 sqrt(εr)는 비유전율(εr)의 제곱근을 의미한다. 유전체층(30)의 재료 및 두께는, 예컨대 76∼79GHz의 주파수를 포함하는 전자파를 효과적으로 흡수할 수 있도록 정해져 있다.
λO=4t×sqrt(εr) 식 (1)
JIS(일본공업규격) R 1679:2007에 따라 측정한 76.5GHz의 전자파를 전자파 흡수체(1a)에 수직 입사시켰을 때의 반사량의 절대값은 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이다.
λ/4형 전자파 흡수체의 설계에서, 전송 이론을 이용하여 저항층의 전면으로부터 예상하였던 임피던스가 특성 임피던스와 동등하게 되도록 저항층의 시트 저항이 정해진다. 저항층에 요구되는 시트 저항은, λ/4형 전자파 흡수체에 입사하는 전자파의 상정되는 입사 각도에 따라 변동될 수 있다.
저항층(10)은 예컨대 120∼800Ω/□의 시트 저항을 가진다. 전자파 흡수체(1a)에 대한 전자파의 입사 각도가 큰 것이 상정되어도, 저항층(10)의 시트 저항을 120∼800Ω/□의 특정 시트 저항으로 정함으로써, 전자파 흡수체(1a)가 예컨대 76∼79GHz의 전자파에 대하여 소망하는 흡수 성능을 나타낼 수 있다.
저항층(10)은 예컨대 인듐, 주석 및 아연을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 주성분으로 하는 금속 산화물, 도전성 고분자, 카본 나노 튜브, 금속 나노 와이어 및 금속 메쉬 중 어느 하나를 포함하는 층(이하, "기능층"이라고 한다)을 포함한다. 저항층(10)에서의 시트 저항의 안정성 및 저항층(10)의 내구성의 관점에서, 저항층(10)의 기능층은 바람직하게는 산화 인듐 주석(ITO)을 포함한다. 이 경우, 저항층(10)의 기능층을 형성하는 재료는 바람직하게는 20∼40중량%의 SnO2를 함유하는 ITO이고, 보다 바람직하게는 25∼35중량%의 SnO2를 함유하는 ITO이다. 이와 같은 범위에서 SnO2를 함유하는 ITO는 비정질 구조가 극히 안정적이고, 고온 다습의 환경에서도 저항층(10)의 시트 저항의 변동을 억제할 수 있다. 저항층(10)의 시트 저항은 예컨대 기능층에 대하여 측정된 값을 의미한다. 본 명세서에서 "주성분"이란, 그의 재료의 특성에 영향을 미치는 성분의 의미이며, 그 성분의 함유량은 통상적으로 재료 전체의 50중량% 이상이다.
저항층(10)의 기능층은 예컨대 10∼100nm의 두께를 포함하고, 바람직하게는 25∼50nm의 두께를 포함한다. 이로 인해, 전자파 흡수체(1a)가 경시적 변화 또는 환경적 변화를 받아도 저항층(10)의 시트 저항이 안정적이기 쉽다.
저항층(10)은 예컨대 기능층을 지지하는 지지체를 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 저항층(10)은 예컨대 지지체 위에 스퍼터링 또는 코팅(예컨대, 바 코팅) 등의 성막 방법에 의해 기능층을 형성함으로써 제작할 수 있다. 이 경우, 지지체는 기능층의 두께를 고 정밀도로 조절할 수 있는 보조재로서의 역할도 한다. 저항층(10)의 지지체의 재료는 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(PC), 폴리올레핀, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 시클로올레핀 폴리머(COP), 폴리우레탄, 우레탄아크릴 수지, 무축 연신 폴리프로필렌(CPP) 또는 염화비닐리덴 수지이다. 그 중에서도 양호한 내열성과 치수 안정성과 비용과의 밸런스의 관점에서, 저항층(10)의 지지체의 재료는 바람직하게는 PET 또는 PI이다. 경우에 따라서는, 저항층(10)에서 지지체를 생략 가능하다.
저항층(10)이 지지체를 포함하는 경우, 저항층(10)에서 기능층이 제1 주면(10a)을 이루고 있어도 되고, 지지체가 제1 주면(10a)을 이루고 있어도 된다.
저항층(10)이 지지체를 포함하는 경우, 저항층(10)의 지지체는 예컨대 10∼150㎛의 두께를 포함하고, 바람직하게는 20∼100㎛의 두께를 포함하며, 보다 바람직하게는 30∼80㎛의 두께를 포함한다. 이로 인해 저항층(10)의 굽힘 강성이 낮고, 또한 저항층(10)의 기능층을 형성하는 경우에서 주름의 발생 또는 변형을 억제할 수 있다.
저항층(10)은 예컨대 0.07∼5000MPa의 영률을 포함한다. 이로 인해 전자파 흡수체(1a)가 구부러지기 쉽다.
예컨대, 전자파 흡수체(1a)에서 전자파의 투과를 억제하는 관점에서, 도전층(20)의 시트 저항은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 도전층(20)은 예컨대 100Ω/□ 이하의 시트 저항을 갖고, 바람직하게는 20Ω/□ 이하의 시트 저항을 갖는다.
도전층(10)은 예컨대 금속을 포함한다. 이로 인해 도전층(10)이 낮은 시트 저항을 갖기 쉽다. 또한, 본 명세서에서 합금은 금속에 포함된다. 도전층(10)에 포함되는 금속은 예컨대 구리, 니켈, 아연 또는 이들의 합금, 알루미늄, 금 또는 스테인리스이다.
도전층(20)은 예컨대 금속박을 포함하고 있어도 되고, 도전층(20)은 단일의 금속박에 의해 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 금속박의 두께는 예컨대 0.1∼100㎛이고, 바람직하게는 0.1∼50㎛이다. 이로 인해, 전자파 흡수체(1a)에서 전자파의 투과를 보다 확실하게 억제할 수 있음과 함께, 곡면 등을 포함하는 물품에 전자파 흡수체(1a)를 장착하기 쉽다. 금속박은 예컨대 알루미늄박, 구리박, 금박, 티타늄박, 니켈박, 마그네슘박, 알루미늄 합금박, 구리 합금박, 금 합금박, 티타늄 합금박, 니켈 합금박, 마그네슘 합금박 또는 스테인레스박이다. 그 중에서도, 금속박으로서 알루미늄박이 바람직하게 사용된다. 왜냐하면, 알루미늄박은 저렴하게 입수할 수 있고, 전자파 흡수체(1a)의 제조 비용을 저감할 수 있기 때문이다.
도전층(20)은 예컨대 표면 처리된 금속 입자를 포함하는 층을 구비하고 있어도 된다. 금속 입자에서 표면 처리된 금속은 예컨대 구리, 니켈, 아연 또는 이들의 합금이다. 금속 입자에서 표면 처리에 제공되는 재료는 은, 금, 니켈, 구리 또는 코발트이다. 그 중에서도 양호한 도전성을 갖는 은으로 표면 처리하는 것이 바람직하다. 예컨대, 금속 입자에서의 표면 처리제의 질량은 금속 입자의 전체 질량의 5∼30%이고, 바람직하게는 5∼20%이며, 보다 바람직하게는 10∼20%이다. 이 경우, 예컨대 은으로 표면 처리하는 경우에, 금속 입자의 표면이 양호한 도전성을 가짐과 함께, 금속 입자의 원료 비용을 억제할 수 있다.
예컨대, 금속 입자를 포함하는 층에서 금속 입자끼리 접촉하고 있다. 금속 입자를 포함하는 층은 바인더를 포함하고, 도전층(20)에서 금속 입자의 표면의 적어도 일부가 바인더에 접촉하며, 금속 입자가 바인더에 분산되어 있다. 바인더는 예컨대 아크릴 수지, 에틸렌 초산 비닐 공중합체(EVA), 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR), 니트릴 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔고무, 실리콘 고무 또는 폴리우레탄이다. 바인더는 유연성 및 신장성의 관점에서, 바람직하게는 아크릴 수지 또는 폴리우레탄이다.
금속 입자는 예컨대 1∼100㎛의 입자 지름을 포함하고, 보다 바람직하게는 1∼50㎛의 입자 지름을 포함하며, 더욱 바람직하게는 1∼20㎛의 입자 지름을 포함한다. 금속 입자가 1㎛ 이상인 입자 지름을 포함함으로써, 금속 입자의 첨가량을 억제하면서 금속 입자끼리 접촉시키기 쉽다. 또한, 금속 입자가 100㎛ 이하인 입자 지름을 포함함으로써, 도전층(20)의 두께를 저감할 수 있음과 함께 전자파 흡수체(1a)가 구부러져도 금속 입자끼리 접촉한 상태가 유지되기 쉽다. 금속 입자의 입자 지름은 예컨대 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의해 얻어지는 체적 기준의 누적 분포에서 50%에 상당하는 메디안 지름(D50)이다.
도전층(20)은 금속박 또는 금속 입자를 포함하는 층을 구비하는 경우, 이들 층을 지지하는 지지체를 더 구비하고 있어도 된다. 지지체는 예컨대 고분자 시트이다. 지지체의 재료는 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 아크릴 수지, 폴리카보네이트(PC), 폴리올레핀, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 시클로올레핀폴리머(COP), 폴리우레탄, 우레탄아크릴 수지, 무축 연신 폴리프로필렌(CPP) 또는 염화비닐리덴 수지이다. 도전층(20)이 금속박인 경우, 금속박이 PET 등의 폴리에스테르로 된 시트에 겹쳐 있는 것이 바람직하다. 또한, 도전층(20)이 지지체를 포함하는 경우, 도전층(20)의 시트 저항은 금속박 또는 금속 입자를 포함하는 층에 대하여 측정된 시트 저항을 의미한다.
도전층(20)이 금속박을 포함하는 경우, 금속박의 양 주면에 한 쌍의 고분자 시트가 겹쳐 있어도 된다. 이로 인해 도전층(20)이 높은 내구성을 갖는다. 한 쌍의 고분자 시트는 예컨대 지지체로서 예시한 상기의 재료로 되어 있지만, 바람직하게는 PET 등의 폴리에스테르로 되어 있다.
도전층(20)은 예컨대 4.8∼200GPa의 영률을 갖는다. 이로 인해 전자파 흡수체(1a)가 보다 확실하게 구부러지기 쉽다.
유전체층(30)은 예컨대 1∼20의 비유전율을 갖는 고분자 시트에 의해 형성되어 있다. 유전체층(30)은 바람직하게는 2∼20의 비유전율을 갖는 고분자 시트에 의해 형성되어 있다. 이로 인해 전자파 흡수체(1a)가 소망하는 전자파 흡수 성능을 발휘하기 쉽다. 유전체층(30)의 비유전율은 예컨대 자유 공간법에 의해 측정할 수 있다.
유전체층(30)의 고분자 시트의 재료는 예컨대 에틸렌 초산 비닐 공중합체(EVA), 폴리염화비닐, 폴리우레탄, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리올레핀, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 실리콘 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰 및 에폭시 수지 등의 합성 수지 또는 폴리이소프렌 고무, 폴리스티렌·부타디엔 고무, 폴리부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 부틸 고무, 아크릴 고무, 에틸렌프로필렌 고무 및 실리콘 고무 등의 합성 고무이다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 유전체층(30)의 고분자 시트로서 사용할 수 있다. 유전체층(30)의 두께를 저감하고, 전자파 흡수체(1a)의 두께를 저감하는 관점에서, 유전체층(30)의 고분자 시트의 재료로서 폴리우레탄, 아크릴 수지 또는 아크릴우레탄 수지가 바람직하게 사용된다. 또한, 성형성 및 비유전율의 관점에서, 유전체층(30)의 고분자 시트의 재료로서 EVA도 바람직하게 사용할 수 있다.
유전체층(30)은 단일층이어도 되고, 복수의 층의 적층체이어도 된다. 유전체층(30)이 복수의 층의 적층체인 경우, 유전체층(30)의 비유전율은 각 층의 비유전율을 측정하고, 얻어진 각 층의 비유전율에 유전체층(30) 전체의 두께에 대한 각 층의 두께의 비율을 곱하여, 이들을 가산함으로써 산출할 수 있다.
유전체층(30)은 예컨대 0.3∼6000MPa의 영률을 갖는다. 이로 인해 전자파 흡수체(1a)가 보다 확실하게 구부러지기 쉽다.
전자파 흡수체(1a)에서, 도전층(20)은 슬릿을 포함하지 않는다. 이 때문에, 흡수 대상의 전자파가 전자파 흡수체(1a)를 투과하는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
전자파 흡수체(1a)에서, 76.5GHz의 전자파를 수직 입사시켰을 때의 투과 감쇠량은 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이며, 보다 바람직하게는 30dB 이상이고, 더욱 바람직하게는 40dB 이상이다. 전자파 흡수체(1a)의 투과 감쇠량은, 예컨대 키콤사 제조의 측정 장치 LAF-26.5A를 이용하여, 일직선 위에 배치된 송신 안테나와 수신 안테나와의 사이에 전자파 흡수체(1a)를 배치하여 자유 공간법에 의해 측정할 수 있다.
전자파 흡수체(1a)는 다양한 관점에서 변경 가능하다. 예컨대, 전자파 흡수체(1a)는 도 3 및 도 4에 나타내는 전자파 흡수체(1b) 또는 도 5에 나타내는 전자파 흡수체(1c)와 같이 변경되어도 된다. 전자파 흡수체(1b) 및 전자파 흡수체(1c)는 특별히 설명하는 경우를 제외하고 전자파 흡수체(1a)와 마찬가지로 구성되어 있다. 전자파 흡수체(1a)의 구성 요소와 동일한 또는 대응하는 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 상세한 설명을 생략한다. 전자파 흡수체(1a)에 관한 설명은 기술적으로 모순되지 않는 한, 전자파 흡수체(1b) 및 전자파 흡수체(1c)에도 적합하다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1b)는 제1 슬릿(15)을 포함하지 않고, 제2 슬릿(25)을 포함하고 있다. 제2 슬릿(25)은 도전층(20)에서 유전체층(30)에 대하여 원위인 제2 주면(20a)으로부터 제2 주면(20a)에 수직인 방향으로 유전체층(30)을 향하여 연장되어 있음과 함께, 도전층(20)을 복수의 제2 블록(27)으로 구분하고 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 제2 블록(27)의 제2 주면(20a)에서의 최소 치수 D2는 1mm 이상이다. 도전층에 형성한 슬릿은 전자파의 이면 반사에 영향을 미친다고 생각된다. 본 발명자들은, 도전층에 형성한 슬릿이 전자파 흡수체의 전자파 흡수 성능에 미치는 영향에 대해서도 밤낮으로 검토하였다. 그 결과, 슬릿에 의해 구분된 도전층의 블록의 최소 치수가 1mm 이상이면, 전자파 흡수체가 양호한 전자파 흡수 성능을 발휘하기 쉬운 것을 새롭게 발견하였다. 본 발명자들은, 이와 같은 새로운 지견에 근거하여 본 발명에 따른 전자파 흡수체를 안출하였다.
최소 치수 D2는 전형적으로는 제2 주면(20a)을 평면에서 볼 때에, 제2 블록(27)의 윤곽을 이루는 평면 도형에서, 정점 사이의 거리의 최소치 및 서로 교차하지 않는 선끼리의 최단 거리 중 작은 쪽을 의미한다. 이 경우, 정점은 모서리의 정점을 의미한다. 정점은 직선끼리 교차하는 것, 곡선끼리 교차하는 것, 또는 직선과 곡선이 교차함으로써 형성될 수 있다. 한편, 제2 주면(20a)을 평면에서 볼 때에, 제2 블록(27)의 윤곽을 이루는 평면 도형의 윤곽이 호 등의 곡선을 포함하고, 또한 평면 도형의 정점의 수가 2 이하인 경우, 최소 치수 D2는 평면 도형의 윤곽 위의 2개의 점과, 그 평면 도형의 중심을 지나는 선분의 길이가 최소가 되는 방향에서의 치수이다.
제2 블록(27)의 제2 주면(20a)에서의 최소 치수 D2는 바람직하게는 2mm 이상이고, 보다 바람직하게는 6mm 이상이며, 더욱 바람직하게는 10mm 이상이다. 이로 인해, 보다 확실하게 전자파 흡수체가 양호한 전자파 흡수 성능을 발휘하기 쉽다.
전자파 흡수체(1b)의 두께 방향에서의, 제2 슬릿(25)의 깊이는 특별히 제한되지 않지만, 제2 슬릿(25)은 도전층(20)의 내부에 바닥을 포함하고 있어도 되고, 제2 슬릿(25)은 전자파 흡수체(1b)의 두께 방향으로 도전층(20)을 관통하여도 된다. 제2 주면(20a)에 평행한 방향에서, 제2 슬릿(25)의 끝은 제1 주면(20a)의 끝에 위치하고 있어도 되고, 제2 주면(20a)의 끝으로부터 떨어져 위치하고 있어도 된다. 또한, 제2 슬릿(25)은 이웃하는 제2 블록(27)끼리의 사이에 간격이 존재하도록 형성되어 있어도 되고, 이웃하는 제2 블록(27)끼리 접촉할 수 있도록 형성되어 있어도 된다. 제2 주면(20a)에 평행한 방향에서, 제2 슬릿(25)은 전형적으로는 직선상으로 연장되어 있다. 제2 슬릿(25)은 곡선상으로 연장되어 있어도 된다.
제2 주면(20a)이 수평일 때, 제2 주면(20a)에서의 복수의 제2 블록(27)의 면적은, 복수의 제2 블록(27)의 면적과 제2 슬릿(25)의 개구 면적과의 합의 90% 이상이다. 전자파 흡수체(1b)가 제2 슬릿(25)을 포함하고 있어도, 제2 주면(20a)에서의 복수의 제2 블록(27)의 면적이 넓을수록 도전층(20)에서 흡수 대상의 전자파의 이면 반사가 일어나기 쉽다. 그 결과, 흡수 대상의 전자파가 전자파 흡수체(1b)를 투과하는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있어, 전자파 흡수체(1b)가 양호한 전자파 흡수 성능을 갖기 쉽다. 제2 주면(20a)이 수평일 때에, 제2 주면(20a)에서의 복수의 제2 블록(27)의 면적은, 바람직하게는 복수의 제2 블록(27)의 면적과 제2 슬릿(25)의 개구 면적과의 합의 95% 이상이고, 보다 바람직하게는 그 합의 99% 이상이다. 이로 인해 보다 확실하게 전자파 흡수체(1b)가 양호한 전자파 흡수 성능을 가진다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1b)는 예컨대 복수의 제2 슬릿(25)을 포함한다. 복수의 제2 슬릿(25)은 예컨대 제3 슬릿군(25a)을 포함한다. 제3 슬릿군(25a)은 제2 주면(20a)에서 서로 평행한 복수의 제2 슬릿(25)으로 이루어진다. 이 경우, 제2 블록(27)의 제2 주면(20a)에서의 최소 치수는 바람직하게는 20mm 이하이다. 이 경우, 전자파 흡수체(1b)를 큰 곡률의 곡면을 포함하는 물품에도 장착하기 쉽다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1b)에서의 복수의 제2 슬릿(25)은, 예컨대 제4 슬릿군(25b)을 더 포함한다. 제4 슬릿군(25b)은 제2 주면(20a)에서 서로 평행이고, 또한 제3 슬릿군(25a)에 포함되는 복수의 제2 슬릿(25)과 교차하는 복수의 제2 슬릿(25)으로 이루어진다. 이 경우, 전자파 흡수체(1b)는 복수의 방향으로 구부릴 수 있기 때문에, 복잡한 형상을 포함하는 물품에도 장착하기 쉽다.
제2 주면(20a)을 평면에서 볼 때에, 제2 블록(27)의 윤곽을 이루는 평면 도형은 삼각형, 사각형, 또는 기타 다각형이어도 되고, 그의 윤곽의 일부 또는 전부가 곡선상인 도형이어도 된다.
전자파 흡수체(1b)에서, 76.5GHz의 전자파를 수직 입사시켰을 때의 투과 감쇠량은 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이다.
JIS R 1679:2007에 따라 측정한 76.5GHz의 전자파를 전자파 흡수체(1a)에 수직 입사시켰을 때의 반사량의 절대값은, 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이며, 보다 바람직하게는 30dB 이상이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체(1c)는 제1 슬릿(15) 및 제2 슬릿(25)을 포함한다. 전자파 흡수체(1c)에서, 제1 슬릿(15)은 전자파 흡수체(1a)의 제1 슬릿(15)과 마찬가지로 형성할 수 있다. 또한, 제2 슬릿(25)은 전자파 흡수체(1b)의 제2 슬릿(25)과 마찬가지로 형성할 수 있다.
전자파 흡수체(1c)에 의하면, 제1 슬릿(15)의 개구가 넓어지도록 전자파 흡수체(1c)를 구부릴 수 있고, 제2 슬릿(25)의 개구가 넓어지도록 전자파 흡수체(1c)를 구부릴 수 있다. 이 때문에, 전자파 흡수체(1c)는 보다 복잡한 표면을 포함하는 물품에도 장착하기 쉽다.
전자파 흡수체(1c)에서, 76.5GHz의 전자파를 수직 입사시켰을 때의 투과 감쇠량은 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이다.
JIS R 1679:2007에 따라 측정한 76.5GHz의 전자파를 전자파 흡수체(1c)에 수직 입사시켰을 때의 반사량의 절대값은 예컨대 10dB 이상이고, 바람직하게는 20dB 이상이다.
전자파 흡수체(1a), 전자파 흡수체(1b) 및 전자파 흡수체(1c)를 이용하여 전자파 흡수체 부착 물품을 제조할 수 있다. 도 6∼8에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체 부착 물품은 곡면 또는 코너를 포함하는 물품과, 곡면에 첩부된 또는 코너를 넘어 첩부된 전자파 흡수체를 구비한다. 전자파 흡수체는 전형적으로는 저항층보다도 도전층이 물품의 근처에 위치하도록 첩부된다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체 부착 물품(90a)은 곡면(C1)을 포함하는 물품(70a)과 전자파 흡수체(1a)를 구비하고 있다. 전자파 흡수체(1a)는 예컨대 곡면(C1)에 점착층(50)에 의해 첩부되어 있다. 이 경우, 제1 슬릿(15)의 개구가 넓어지도록 전자파 흡수체(1a)가 곡면(C1)에 따라 변형된다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체 부착 물품(90b)은 곡면(C2)을 포함하는 물품(70b)과 전자파 흡수체(1b)를 구비하고 있다. 전자파 흡수체(1b)는 예컨대 곡면(C2)에 점착층(50)에 의해 첩부되어 있다. 이 경우, 제2 슬릿(25)의 개구가 넓어지도록 전자파 흡수체(1b)가 곡면(C2)에 따라 변형된다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 전자파 흡수체 부착 물품(90c)은 코너(C3) 및 코너(C4)를 포함하는 물품(70c)과 전자파 흡수체(1c)를 구비하고 있다. 전자파 흡수체(1c)는 점착층(50)에 의해 코너(C3) 및 코너(C4)를 넘어 첩부되어 있다. 이 경우, 제1 슬릿(15)의 개구가 넓어지도록 코너(C3)에 따라 전자파 흡수체(1c)가 변형되고, 제2 슬릿(25)의 개구가 넓어지도록 코너(C4)에 따라 전자파 흡수체(1c)가 변형된다.
전자파 흡수체(1a), 전자파 흡수체(1b) 및 전자파 흡수체(1c)는, 예컨대 이하의 (i)∼(iv) 단계를 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
(i) 저항층(10)을 제공한다.
(ii) 도전층(30)을 제공한다.
(iii) 저항층(10)과 도전층(20)과의 사이에 유전체층(30)을 배치한다.
(iv) 제1 슬릿(15) 및 제2 슬릿(25) 중 적어도 하나를 형성한다.
상기 (iii) 단계에서, 저항층(10) 및 유전체층(30)은 예컨대 점착제에 의해 첩합(貼合)되어도 된다. 유전체층(30)이 점착성을 갖는 경우에는, 저항층(10) 및 유전체층(30)은 점착제를 개재하지 않고 서로 겹쳐져도 된다. 도전층(20) 및 유전체층(30)은 예컨대 점착제에 의해 첩합되어도 된다. 유전체층(30)이 점착성을 갖는 경우에는, 도전층(20) 및 유전체층(30)은 점착제를 개재하지 않고 서로 겹쳐져도 된다.
상기 (iv)의 단계에서, 제1 슬릿(15)을 형성하는 경우, 예컨대 저항층(10)을 연속적으로 형성하고, 연속적으로 형성된 저항층(10)을 절입하여 제1 슬릿(15)을 형성한다. 저항층(10)의 절입은 예컨대 톰슨칼, 조각도 및 에칭 블레이드(etching blade) 등의 절삭 공구를 이용하여 이루어져도 되고, 레이저 가공기를 이용하여 이루어져도 된다. 저항층(10)의 절입은 저항층(10)과 유전체층(30)을 서로 겹친 후에 이루어져도 되고, 저항층(10)과 유전체층(30)을 서로 겹치기 전에 이루어져도 된다. 저항층(10)과 유전체층(30)을 서로 겹친 후에 저항층(10)을 절입하는 경우, 유전체층(30)이 점착성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 절입이 유전체층(30)에 이르러도 유전체층(30)의 특성에 영향이 미치기 어렵기 때문이다. 또한, 제1 주면(10a)에서 저항층(10)을 비연속적으로 형성하여 제1 슬릿(15)을 형성하여도 된다.
상기 (iv)의 단계에서, 제2 슬릿(25)을 형성하는 경우, 예컨대 도전층(20)을 연속적으로 형성하고, 연속적으로 형성된 도전층(20)을 절입하여 제2 슬릿(25)을 형성한다. 도전층(20)의 절입은 예컨대 톰슨칼, 조각도 및 에칭 블레이드 등의 절삭 공구를 이용하여 이루어져도 되고, 레이저 가공기를 이용하여 이루어져도 된다. 도전층(20)의 절입은 도전층(20)과 유전체층(30)을 서로 겹친 후에 이루어져도 되고, 도전층(20)과 유전체층(30)을 서로 겹치기 전에 이루어져도 된다. 도전층(20)과 유전체층(30)을 서로 겹친 후에 도전층(20)을 절입하는 경우, 유전체층(30)이 점착성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 절입이 유전체층(30)에 이르러도 유전체층(30)의 특성에 영향이 미치기 어렵기 때문이다. 또한, 제2 주면(20a)에서 도전층(20)을 비연속적으로 형성하여 제2 슬릿(25)을 형성하여도 된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
<실시예 1>
폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체(두께: 38㎛)에, 시트 저항이 390Ω/□가 되도록 30중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하여 기능층을 형성하고, 실시예 1에 따른 저항층을 제작하였다. 지지체의 영률은 4700MPa이었다. 25㎛의 두께를 갖는 PET 층, 7㎛의 알루미늄 층 및 9㎛의 두께를 갖는 PET 층이 이 순서대로 적층되어 있는 알루미늄박 부착 PET 필름을 실시예 1에 따른 도전층으로서 준비하였다. 도전층의 영률은 4880MPa이었다. 560㎛의 두께에 프레스 성형한 아크릴 수지를 실시예 1에 따른 유전체층으로서 준비하였다. 실시예 1에 따른 유전체층의 탄성률(영률)은 0.4MPa이었다. 유전체층의 비유전율은 2.55이었다. 실시예 1에 따른 도전층 위에 실시예 1에 따른 유전체층을 겹쳤다. 또한, 실시예 1에 따른 유전체층으로 실시예 1에 따른 저항층의 지지체에 의해 형성된 주면을 향하게 한 상태로, 실시예 1에 따른 유전체층에 실시예 1에 따른 저항층을 겹쳤다. 커터를 이용하여, 2mm 간격으로 기능층 측으로부터 실시예 1에 따른 저항층에 절입을 넣고, 실시예 1에 따른 저항층의 전체에 걸쳐 도 2에 나타내는 바와 같은 서로 직교하는 직선상의 2개의 슬릿군을 형성하였다. 이와 같이 하여 실시예 1에 따른 전자파 흡수체를 얻었다. 실시예 1에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에, 2mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 2>
저항층에 절입을 넣는 간격을 4mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 2에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 저항층의 기능층이 이루는 주면에서 4mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 3>
저항층에 절입을 넣는 간격을 6mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 3에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 저항층의 기능층이 이루는 주면에서 6mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 4>
저항층에 절입을 넣는 간격을 10mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 4에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 저항층의 기능층이 이루는 주면에서 10mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 5>
저항층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 5에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 6>
하기의 점 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 저항층의 제작에서, 23㎛의 두께를 갖는 폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체를 이용하였다. 저항층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 조정하였다. 실시예 6에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 7>
저항층의 지지체를 50㎛의 두께를 갖는 폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체로 변경하고, 또한 저항층에 절입을 넣는 간격을 4mm로 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7에 따른 전자파 흡수체를 얻었다. 실시예 7에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 4mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 8>
하기의 점 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 8에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 저항층의 제작에서, 125㎛의 두께를 갖는 폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체를 이용하였다. 저항층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 조정하였다. 실시예 8에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 9>
100㎛의 두께를 갖는 알루미늄박을 실시예 9에 따른 도전층으로서 준비하였다. 실시예 9에 따른 도전층의 영률은 69000MPa이었다. 실시예 1에 따른 도전층 대신에 실시예 9에 따른 도전층을 이용하여 저항층에 절입을 넣는 간격을 6mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 9에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 6mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 10>
저항층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 9에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 기능층이 이루는 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<실시예 11>
폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체(두께: 38㎛)에, 시트 저항이 390Ω/□가 되도록 30중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하여 기능층을 형성하고, 실시예 11에 따른 저항층을 제작하였다. 지지체의 영률은 4700MPa이었다. 25㎛의 두께를 갖는 PET 층, 7㎛의 알루미늄 층 및 9㎛의 두께를 갖는 PET 층이 이 순서대로 적층되어 있는 알루미늄박 부착 PET 필름을 실시예 11에 따른 도전층으로서 준비하였다. 도전층의 영률은 4880MPa이었다. 560㎛의 두께에 프레스 성형한 아크릴 수지를 실시예 11에 따른 유전체층으로서 준비하였다. 실시예 11에 따른 유전체층의 탄성률(영률)은 0.4MPa이었다. 유전체층의 비유전율은 2.55이었다. 실시예 11에 따른 도전층 위에 실시예 11에 따른 유전체층을 겹쳤다. 또한, 실시예 11에 따른 유전체층으로 실시예 11에 따른 저항층의 지지체에 의해 형성된 주면을 향하게 하는 상태로, 실시예 11에 따른 유전체에 실시예 11에 따른 저항층을 겹쳤다. 실시예 11에 따른 도전층의 유전체층으로부터 먼 PET 층의 측으로부터 커터를 이용하여 1mm 간격으로 실시예 11에 따른 도전층에 절입을 넣고, 실시예 11에 따른 도전층의 전체에 걸쳐 도 4에 나타내는 바와 같은 서로 직교하는 직선상의 2개의 슬릿군을 형성하였다. 이와 같이 하여 실시예 11에 따른 전자파 흡수체를 얻었다. 실시예 11에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 유전체층으로부터 먼 PET 층이 이루는 주면에서 1mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 12>
도전층에 절입을 넣는 간격을 2mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 12에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 12에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 유전체층으로부터 먼 PET 층이 이루는 주면에서 2mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 13>
도전층에 절입을 넣는 간격을 6mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 13에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 13에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 유전체층으로부터 먼 PET 층이 이루는 주면에서 6mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 14>
도전층에 절입을 넣는 간격을 10mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 14에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 14에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 유전체층으로부터 먼 PET 층이 이루는 주면에서 10mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 15>
도전층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 15에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 15에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 도전층의 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 16>
저항층의 지지체를, 50㎛의 두께를 갖는 폴리에스테르를 포함하는 필름상의 지지체로 변경하고, 또한 도전층에 절입을 넣는 간격을 2mm로 조정한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 16에 따른 전자파 흡수체를 얻었다. 실시예 16에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 도전층의 주면에서 2mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 17>
100㎛의 두께를 갖는 알루미늄박을 실시예 17에 따른 도전층으로서 준비하였다. 실시예 17에 따른 도전층의 영률은 69000MPa이었다. 실시예 11에 따른 도전층 대신에 실시예 17에 따른 도전층을 이용하고, 또한 도전층에 절입을 넣는 간격을 2mm로 조정한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 실시예 17에 따른 전자파 흡수체를 얻었다. 실시예 17에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 도전층의 주면에서 2mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<실시예 18>
도전층에 절입을 넣는 간격을 20mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 17과 마찬가지로 하여 실시예 18에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 실시예 18에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 도전층의 주면에서 20mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
<비교예 1>
저항층에 절입을 넣는 것을 생략한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다.
<비교예 2>
저항층에 절입을 넣는 간격을 1mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 비교예 1에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 저항층의 기능층이 이루는 주면에서 1mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 저항층이 구분되어 있었다.
<비교예 3>
도전층에 절입을 넣는 간격을 0.5mm로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 하여 비교예 3에 따른 전자파 흡수체를 제작하였다. 비교예 3에 따른 전자파 흡수체에서, 직선상의 2개의 슬릿군에 의해, 도전층의 주면에서 0.5mm의 최소 치수를 갖는 복수의 블록으로 도전층이 구분되어 있었다.
(전자파 흡수 성능의 평가)
키콤사 제조의 측정 장치 LAF-26.5A를 이용하여, JIS R 1679:2007에 따라 각 실시예에 따른 전자파 흡수체 및 각 비교예에 따른 전자파 흡수체에, 76.5GHz의 전자파를 수직 입사시켰을 때의 반사량을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 키콤사 제조의 측정 장치 LAF-26.5A를 이용하여, 각 실시예에 따른 전자파 흡수체 및 각 비교예에 따른 전자파 흡수체에 76.5GHz의 전자파를 수직 입사시켰을 때의 투과 감쇠량을 측정하였다. 투과 감쇠량의 측정은, 일직선 위에 배치된 송신 안테나와 수신 안테나와의 사이에 전자파 흡수체를 배치하여 자유 공간법에 따라 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 각 실시예에 따른 전자파 흡수체에서, 흡수량의 절대값이 10dB 이상이고, 또한 투과 감쇠량이 10dB 이상이었다. 한편, 비교예 2에 따른 전자파 흡수체에서는 흡수량의 절대값이 10dB을 하회하고 있고, 비교예 3에 따른 전자파 흡수체에서는 투과 감쇠량이 10dB을 하회하고 있었다.
(굽힘성의 평가)
50mm의 외경 및 100mm의 길이를 갖는 금속제 원주 A 및 100mm의 외경 및 100mm의 길이를 갖는 금속제 원주 B를 준비하였다. 각 실시예 및 각 비교예에 따른 전자파 흡수체를 원주 A 또는 원주 B를 넘도록 원주의 측면을 따라 배치하여 전자파 흡수체의 하나의 단을 고정하고, 전자파 흡수체의 다른 단에 5N의 힘을 가하였다. 전자파 흡수체의 원주 A 또는 원주 B의 축선에 평행한 방향에서의 길이는 100mm이었다. 이 때, 전자파 흡수체가 원주 A 또는 원주 B에 밀착되어 있는지를 확인하였다. 전자파 흡수체가 원주 A에 밀착된 경우를 "a"로 평가하였다. 전자파 흡수체가 원주 A에는 밀착되지 않았지만 원주 B에는 밀착된 경우를 "b"로 평가하였다. 전자파 흡수체가 원주 A에도 원주 B에도 밀착되지 않은 경우를 "c"로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 각 실시예에 따른 전자파 흡수체는 적어도 원주 B에는 밀착되고, 양호한 굽힘성을 갖고 있었다. 한편, 비교예 1에 따른 전자파 흡수체는 원주 A에도 원주 B에도 밀착되지 못하고, 양호한 굽힘성을 포함한다고는 말하기 어려웠다.
[표 1]
Figure pct00001
1a, 1b, 1c: 전자파 흡수체
10: 저항층
10a: 제1 주면
15: 제1 슬릿
15a: 제1 슬릿군
15b: 제2 슬릿군
17: 제1 블록
20: 도전층
20a: 제2 주면
25: 제2 슬릿
25a: 제3 슬릿군
25b: 제4 슬릿군
27: 제2 블록
30: 유전체층

Claims (11)

  1. 저항층과,
    상기 저항층의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 갖는 도전층과,
    상기 저항층과 상기 도전층과의 사이에 배치된 유전체층을 구비하고,
    제1 슬릿 및 제2 슬릿 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 제1 슬릿은, 상기 저항층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제1 주면으로부터 상기 제1 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 저항층을 복수의 제1 블록으로 구분하고,
    상기 제2 슬릿은, 상기 도전층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제2 주면으로부터 상기 제2 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 도전층을 복수의 제2 블록으로 구분하며,
    상기 제1 블록의 상기 제1 주면에서의 최소 치수는 2mm 이상이고,
    상기 제2 블록의 상기 제2 주면에서의 최소 치수는 1mm 이상인
    전자파 흡수체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 슬릿을 포함하고,
    상기 제2 주면이 수평일 때에, 상기 제2 주면에서의 상기 복수의 제2 블록의 면적은, 상기 복수의 제2 블록의 상기 면적과 상기 제2 슬릿의 개구 면적과의 합의 90% 이상인 전자파 흡수체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 상기 제1 슬릿을 포함하고,
    상기 복수의 상기 제1 슬릿은, 상기 제1 주면에서 서로 평행한 복수의 상기 제1 슬릿으로 이루어진 제1 슬릿군을 포함하며,
    상기 제1 블록의 상기 제1 주면에서의 상기 최소 치수는 20mm 이하인 전자파 흡수체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 상기 제1 슬릿은, 상기 제1 주면에서 서로 평행이고, 또한 상기 제1 슬릿군에 포함되는 상기 복수의 제1 슬릿과 교차하는 복수의 상기 제1 슬릿으로 이루어진 제2 슬릿군을 더 포함하는 전자파 흡수체.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 제2 슬릿을 포함하고,
    상기 복수의 상기 제2 슬릿은 상기 제2 주면에서 서로 평행한 복수의 상기 제2 슬릿으로 이루어진 제3 슬릿군을 포함하며,
    상기 제2 블록의 상기 제2 주면에서의 상기 최소 치수는 20mm 이하인 전자파 흡수체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 상기 제2 슬릿은 상기 제2 주면에서 서로 평행이고, 또한 상기 제3 슬릿군에 포함되는 상기 복수의 상기 제2 슬릿과 교차하는 복수의 상기 제2 슬릿으로 이루어진 제4 슬릿군을 더 포함하는 전자파 흡수체.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저항층은 120∼800Ω/□의 시트 저항을 갖는 전자파 흡수체.
  8. 곡면 또는 코너를 포함하는 물품과,
    상기 곡면에 첩부된, 또는 상기 코너를 넘어(across) 첩부된 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수체를 구비한
    전자파 흡수체 부착 물품.
  9. 저항층을 제공하고,
    상기 저항층의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 갖는 도전층을 제공하며,
    상기 저항층과 상기 도전층과의 사이에 유전체층을 배치하고,
    제1 슬릿 및 제2 슬릿 중 적어도 하나를 형성하며,
    상기 제1 슬릿은 상기 저항층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제1 주면으로부터 상기 제1 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 저항층을 복수의 제1 블록으로 구분하고,
    상기 제2 슬릿은 상기 도전층에서 상기 유전체층에 대하여 원위인 제2 주면으로부터 상기 제2 주면에 수직인 방향으로 상기 유전체층을 향하여 연장되어 있음과 함께, 상기 도전층을 복수의 제2 블록으로 구분하며,
    상기 제1 블록의 상기 제1 주면에서의 최소 치수는 2mm 이상이고,
    상기 제2 블록의 상기 제2 주면에서의 최소 치수는 1mm 이상인
    전자파 흡수체의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 저항층을 연속적으로 형성하고, 연속적으로 형성된 상기 저항층을 절입하여 상기 제1 슬릿을 형성하거나, 또는 상기 제1 주면에서 상기 저항층을 비연속적으로 형성하여 상기 제1 슬릿을 형성하는 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 도전층을 연속적으로 형성하고, 연속적으로 형성된 상기 도전층을 절입하여 상기 제2 슬릿을 형성하거나, 또는 상기 제2 주면에서 상기 도전층을 비연속적으로 형성하여 상기 제2 슬릿을 형성하는 제조 방법.
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