JP4914614B2 - 薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。

液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極等、電界生成電極が形成されている二枚の表示板とその間に挿入されている液晶層で構成され、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を印加し、この電界により液晶層の液晶分子の配向を決めて入射光の偏光を制御することにより映像を表示する。
このうち、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直に配列した垂直配向モード液晶表示装置はコントラスト比が大きくて広視野角実現が容易であるので脚光を浴びている。

垂直配向モード液晶表示装置で広視野角を実現するための手段としては、電界生成電極に切開部を形成する方法と電界生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起で液晶分子が傾く方向を決めることができるので、これらを使用して液晶分子の傾斜方向を多様な方向に分散させることによって広視野角を確保することができる。
しかし、垂直配向方式の液晶表示装置は前面視認性に比べて側面視認性が低下する問題点がある。
また、このような液晶表示装置は画素の開口率を極大化し、製造原価を最少化するために製造工程で画素不良を防止することができる配線構造を備えることが好ましい。

そこで、本発明が解決しようとする技術的課題は、視認性を安定的に確保することができる薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置を提供することにある。
本発明の他の技術的課題は、開口率を高めて画素不良を防止することができる薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置を提供することにある。

このような課題を解決するために本発明では、画素電極を少なくとも二つ以上の副画素電極に分けて、副画素電極に互いに異なる電位を印加する。この時、副画素電極を電気的に連結する結合電極を利用して結合容量と維持容量を共に形成し、結合電極と維持電極を画素の中央に配置する。

本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板は基板と、基板上に形成されて第１方向に伸びるゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差するデータ線と、ゲート線と分離されて第２方向に伸びる容量電極、ゲート線及びデータ線と連結されて、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、容量電極と重なってドレイン電極と連結される結合電極、そしてドレイン電極と連結される少なくとも一つの第１副画素電極と容量電極と連結されている第２副画素電極を有する画素電極を含んで成る。前記容量電極または前記結合電極は前記少なくとも一つの第１副画素電極と前記第２副画素電極を分ける間隙と重なることを特徴とする。

このような薄膜トランジスタ表示板は画素電極と重なって維持電極を有する維持電極線をさらに含むことができ、ドレイン電極は間隙と重なる延長部を有し、維持電極は延長部と重なってもよい。
維持電極及び容量電極は同一線上に位置することができる。
維持電極、容量電極、結合電極及びドレイン電極の延長部はデータ線と平行に伸びており、ゲート線に平行な基準線に対して対称に配置されてもよい。
ドレイン電極は延長部及び結合電極と連結されており、データ線と離れている連結部をさらに含むことができる。
維持電極線は間隙と重なってもよい。

また、薄膜トランジスタ表示板は画素電極と容量電極及び前記結合電極の間に形成されている保護膜をさらに含むことができる。
結合電極は貫通穴を有し、保護膜は接触穴を有することができ、第２副画素電極と容量電極を連結し、結合電極の貫通穴内に位置することができる。
第１副画素電極は前記第２副画素電極を中心に反対側に位置した第３及び第４副画素を含むことができる。
第３副画素電極は前記ドレイン電極に連結されており、第４副画素電極は結合電極に連結されていてもよい。

また、薄膜トランジスタ表示板は画素電極と絶縁されており、ゲート線或いはデータ線と少なくとも一部重なっている遮蔽電極をさらに含むことができ、画素電極と遮蔽電極は同一層に形成することができ、遮蔽電極はゲート線またはデータ線に沿って伸びているが、遮蔽電極はデータ線を完全に覆うことができる。
画素電極は画素電極を複数の領域に区画する区画部材を有することができ、区画部材は間隙と平行な部分を有することができる。
間隙はゲート線に対して４５度傾くことができる。

本発明の一実施例による液晶表示装置は、ゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線と分離されて前記データ線と実質的に平行に伸びる容量電極、前記ゲート線及び前記データ線と連結されて、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ、前記容量電極と重なって前記ドレイン電極と連結されている結合電極、前記ドレイン電極と連結される第１副画素電極及び前記容量電極と連結されている第２副画素電極を有する画素電極、前記画素電極と対向する共通電極、そして前記画素電極と前記共通電極との間に挟持される液晶層を含み、前記容量電極または前記結合電極は前記第１副画素電極と前記第２副画素電極を分ける間隙と重なることを特徴とする。
液晶層は垂直配向モードであることが好ましい。

本発明によれば、画素電極を分割して互いに異なる電圧を印加することによって液晶表示装置の側面視認性を向上させ、その結果視野角を拡張することができる。
また、データ線と平行して隣接したドレイン電極部分を減らすことによって、製造工程でデータ線とドレイン電極が短絡して発生する画素不良を減らすことができる。
また、データ線と維持電極線が交差する部分を最小化することによってデータ線が断線することを減らすことができる。
また、維持容量と結合容量を形成するドレイン電極及び結合電極と維持電極及び容量電極を縦方向に同一線上に配置し、ドレイン電極上で副画素電極とドレイン電極連結することによって、開口率を高めることができる。

また、互いに異なる層の導電膜を連結する接触穴を不透明な部材内に配置することによって、段差によって液晶分子の配列歪曲で発生する光漏れを遮断しながら、開口率が低下することを防止することができる。
また、維持容量を形成する時にゲート絶縁膜のみを間において高維持電極とドレイン電極を重ね、結合容量を形成する時にゲート絶縁膜のみを間において容量電極と結合電極を重ねることによって、狭い重畳面積で維持容量と結合容量を十分に確保して画素の開口率を確保することができる。
また、画素電極と同一層に遮蔽電極を形成することによって画素の間で漏洩される光を遮断し、スティッチ不良が発生することを防止して液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。

添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の技術分野に属する通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。

図面では多様な層及び領域を明確に表現するために厚さ方向を拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分に対しては同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１乃至図６を参照して本発明の一実施例による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２は本発明の一実施例による液晶表示装置用共通電極表示板の構造を示した配置図であり、図３は図１の薄膜トランジスタ表示板と図２の共通電極表示板からなる液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図４及び図５は図３の液晶表示装置をＩＶ−ＩＶ’線及びＶ−Ｖ’線に沿って切断した断面図であり、図６は本発明の実施例による液晶表示装置で一つの画素の等価回路図である。

本実施例による液晶表示装置は薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含む。
まず、図１、図３乃至図５を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。

透明なガラス或いはプラスチック等絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１と複数の容量電極１３６を含む複数のゲート導電体が形成されている。
ゲート線１２１は主に横方向に伸びていて互いに分離されており、ゲート信号を伝達する。各ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４を構成する複数の突出部と他の層または外部装置の接続のための面積の広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が伸びてこれと直接連結される。

各々の維持電極線１３１は主に横方向に伸びており、互いに隣接するゲート線１２１の間に配置されている。維持電極線１３１は上側のゲート線より下側ゲート線に近く配置されるが、下側ゲート線ともある程度の距離を保って配置されており、維持電極１３７を構成する複数の突出部を各々含むが、維持電極１３７は縦方向に伸びている。維持電極線１３１には液晶表示装置の共通電極表示板２００の共通電極２７０に印加される共通電圧等の所定の電圧が印加される。
各々の容量電極１３６は維持電極線１３１と分離されており、縦方向に伸びた維持電極１３７と同一線上に位置する。

隣接した二つのゲート線１２１の間に位置する一対の容量電極１３６と維持電極１３７は二つのゲート線１２１と同じ距離にあり、ゲート線１２１に平行な基準線に対してほぼ対称に配置されている。さらに詳しく説明すれば、容量電極１３６の下端部は維持電極１３７の上端部と多少離れており、容量電極１３６の上端部は、二つのゲート線１２１のうちの下側ゲート線１２１と維持電極１３７の下側端の間の距離と同程度上側ゲート線１２１から離れている。

ゲート線導電体（ゲート線１２１、維持電極線１３１、容量電極１３６）はアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等アルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金等銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等モリブデン系金属、クロム（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などからなる。しかし、ゲート線導電体（ゲート線１２１、維持電極線１３１、容量電極１３６）は、例えば物理的性質の異なる二つの膜、つまり、下部膜とその上の上部膜を含む多層膜構造を有することができる。一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らせるように低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム系の金属、銀系の金属、銅系の金属からなることができる。これとは異なって、他の導電膜は物理的、化学的、電気的接触特性に優れている他の物質、特にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）及びＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）との接触特性に優れた物質、例えばクロム、モリブデン、モリブデン合金、タンタルまたはチタニウムなどかななることができる。二つの導電膜の良い組み合わせ例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線導電体（ゲート線１２１、維持電極線１３１、容量電極１３６）はその他にも多様な金属又は導電体で作ることができる。
また、ゲート線導電体（ゲート線１２１、維持電極線１３１、容量電極１３６）の側面は基板１１０の表面に対して傾いており、その傾斜角は約３０〜８０度であるのが好ましい。

ゲート線導電体（ゲート線１２１、維持電極線１３１、容量電極１３６）上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上部には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉとも言う）又は多結晶シリコンなどからなる複数の島形半導体１５４が形成されている。各々の島形半導体１５４は主にゲート電極１２４の上部に位置し、ゲート線１２１の境界を覆う拡張部を含む。維持電極線１３１の上部にも島形半導体（図示せず）が位置してもよい。

半導体１５４の上部にはシリサイドまたはリンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の島形抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。二つの島形抵抗性接触部材１６３、１６５は対をなして半導体１５４上に配置されているが、ゲート電極１２４を中心に互いに対向する。
島形の半導体１５４と抵抗性接触部材１６３、１６５の側面もまた基板１１０の表面に対して傾いており、その傾斜角は３０〜８０度であるのが好ましい。
抵抗接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１は主に縦方向に伸びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差し、データ電圧を伝達する。データ線１７１はゲート線１２１及び維持電極線とは電気的に絶縁されている。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって伸びた複数のソース電極１７３と他の層または外部装置との接続のための広い端部１７９を有している。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が伸びてこれと直接連結できる。

各々のドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４に対してソース電極１７３の反対側に位置した狭い端部を含み、この端部はＵ字型に曲がったソース電極１７３で一部囲まれている。
各々のドレイン電極１７５は横延長部１７７ａ、一対の下部及び上部縦延長部１７７ｂ、１７６及び連結部１７８を含む。延長部１７７ｂ、１７６はデータ線１７１と平行に伸びた長方形で、データ線１７１から十分に離れている。連結部１７８は下部延長部１７７ｂと上部延長部１７６を連結する。

横延長部１７７ａは維持電極線１３１と重なる。下部縦延長部１７７ｂは維持電極線１３１の維持電極１３７と重なって維持電極１３７とほとんど同一な形状である。上部縦の延長部１７６は容量電極１３６と重なって“結合電極”とも言う。結合電極１７６はゲート絶縁膜１４０の表面を露出する貫通穴１７６Ｈを有し、容量電極１３６とほとんど同様な形状である。連結部１７８は結合電極１７６と下部縦連結部１７７ｂをその左側で連結する。

一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成される。

データ線１７１及びドレイン電極１７５はクロムまたはモリブデン系の金属、タンタル及びチタニウム等、耐火性金属を含むことが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有するのが好ましい。多重膜構造の組み合わせ例としては、クロム或いはモリブデン（合金）、下部膜（図示せず）とアルミニウム合金上部膜（図示せず）の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体（データ線１７１、ドレイン電極１７５）はこの他にも多様な金属又は導電体で作ることができる。
データ線１７１及びドレイン電極１７５もゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様にその側面が約３０〜８０度の角度で各々傾いている。

抵抗性接触部材１６３、１６５はその下部の半導体１５４とその上部のデータ導電体１７１、１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を下げる役割を果たす。ゲート線１２１の境界上に位置した半導体１５４の延長部は表面のプロファイルをなだらかにすることでデータ線１７１が断線することが防止する。島形の半導体１５４はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ導電体１７１、１７５に覆われずに露出された部分を有している。
データ線１７１及びドレイン電極１７５と、これらで覆われずに露出された半導体１５４部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物或いは有機絶縁物などで作られ、表面が平坦であるのが好ましい。無機絶縁物の例としては窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ，その誘電定数は約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら，露出された半導体１５４部分に害にならなりように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造としてもよい。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触穴（スルーホール）１８２、ドレイン電極１７５の下側延長部１７７ｂの下側端部を露出する複数の接触穴１８５ａ１、そしれ結合電極１７６の上側端部を露出する複数の接触穴１８５ａ２が形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触穴１８１そして貫通穴１７６Ｈを貫通して結合電極を露出せずに容量電極の一部を露出する複数の接触穴１８６が形成されている。接触穴１８１、１８２、１８５ａ、１８５ａ２、１８６の側壁は傾いているか階段形状であり、これは有機物質を使用して容易に作ることができる。
保護膜１８０上には複数の画素電極１９０、遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯやＩＺＯ等透明な導電体又は銀、アルミニウム、クロム及びその合金等反射性金属で作られる。

各画素電極１９０は角部が面取りされている略長方形であり、面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５度の角度をなす。画素電極１９０はゲート線１２１と重なって開口率を高めることができる。
画素電極１９０は各々下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂによって分けられた下部、上部及び中央副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂを含む。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂはほぼ画素電極１９０の左側辺から右側辺へ斜めに伸びており、これによって中央副画素電極１９０ｂはゲート線１２１に対してほぼ直角だけ回転した二等辺台形になり、下部及び上部副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２はほぼ直角だけ回転した直角台形となる。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂはゲート線１２１に対して約４５度の角度を構成して互いに垂直である。

下部及び上部副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２は各々接触穴１８５ａ１、１８５ａ２を通じてドレイン電極１７５の下部及び上部延長部１７７ｂ、１７６と連結されている。
中央副画素電極１９０ｂは接触穴１８６を通じて容量電極１３６と連結されており、結合電極１７６と重なる。中央副画素電極１９０ｂと容量電極１３６は結合電極１７６と共に“結合キャパシタ”を構成する。

中央副画素電極１９０ｂには中央切開部９１、９２が形成されており、下部副画素電極１９０ａ１には下部切開部９４ａ、９５ａが形成されており、上部副画素電極１９０ａ２には上部切開部９４ｂ、９５ｂが形成されている。これら切開部９１、９２、９４ａ−９５ｂは副画素電極１９０ｂ、１９０ａ１、１９０ａ２を複数の領域に区画する。切開部９１、９２、９４ａ−９５ｂ及び間隙９３ａ、９３ｂ（以下、間隙も切開部と言う）を含む画素電極１９０は容量電極１３６に対して概ね反転対称をなす。

下部及び上部切開部９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂはほぼ副画素電極１９０の左側角部、左側辺或いは上側辺から右側辺に斜めに伸びている。下部及び上部切開部９４ａ−９５ｂはゲート線１２１に対して約４５度の角度で互いに垂直に伸びている。
中央切開部９１、９２は横部とこれに連結された一対の斜線部を含む。横部は容量電極１３６に沿って短く伸びており、一対の斜線部は横部から画素電極１９０の左側辺に向かって下部切開部９４ａ、９５ａ及び上部切開部９４ｂ、９４ｂと各々ほとんど平行に伸びている。
領域の数または切開部の数は画素の大きさ、画素電極の横辺と辺の長さ比、液晶層３の種類や特性など設計要素に応じて変わる。

遮蔽電極８８は共通電圧の印加を受け、データ線１７１に沿って伸びた縦部とゲート線１２１に沿って伸びて隣接した縦部を連結する横部を含む。縦部はデータ線１７１を完全に覆うが、横部はゲート線１２１の境界内側に位置する。
遮蔽電極８８はデータ線１７１と画素電極１９０の間及びデータ線１７１と共通電極２７０の間の電磁気干渉を遮断して画素電極１９０の電圧歪曲及びデータ線１７１に沿って流れるデータ電圧の信号遅延を減らす。
接触補助部材８１、８２は接触穴１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と各々連結される。接触補助部材８１、８２はゲート線１２１の露出された端部１２９及びデータ線１７１の露出された端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割を果たす。

次に、図２乃至図５を参照して共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラス或いはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されており、遮光部材２２０は黒色層（ブラックマトリクス）とも言う。遮光部材２２０は薄膜トランジスタ表示板１００のデータ線１７１に対応する直線部と薄膜トランジスタに対応する拡張部からなっている。これとは異なって、遮光部材２２０は画素電極１９０と対向して画素電極１９０とほとんど同様な形状を有する複数の開口部を有することができる。

基板２１０上にはまた、複数の色フィルター２３０が形成されており、これらは遮光部材２２０に囲まれた領域内に概ね位置する。色フィルター２３０は画素電極１９０に沿って縦方向に長く伸びる。色フィルター２３０は赤色、緑色及び青色などの基本色のうちの一つを表示する。
色フィルター２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で作ることができ、色フィルター２３０を保護し、色フィルター２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。

蓋膜２５０の上にはＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。
共通電極２７０は複数対の切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ集合を有する。
一対の切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂは一つの画素電極１９０と対向して中央切開部７１、７２、７３、下部切開部７４ａ、７５ａ、７６ａ及び上部切開部７４ｂ、７５ｂ、７６ｂを含む。切開部７１は接触穴１８６付近に位置し、切開部７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの各々は隣接した画素電極１９０の隣接切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間或いは切開部９５ａ、９５ｂと画素電極１９０の面取られた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂは画素電極１９０の下部切開部９４ａ、９５ａ又は上部切開部９５ａ、９５ｂと平行に伸びた少なくとも一つの斜線部を含む。切開部７２−７５ｂの各斜線部には凹んだ切欠が形成されており、切開部７１−７６ｂは画素電極１９０を二等分する仮想の横線に対して概ね反転対称をなす。

下部及び上部切開部７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの各々は斜線部と一対の横部及び縦部又は一対の縦部を含む。斜線部はほぼ画素電極１９０の左側辺、下側辺又は上側辺から右側辺に向かって伸びる。横部及び縦部は斜線部の各端から画素電極１９０の辺に沿って辺と重なりながら伸びて斜線部と鈍角をなす。
中央切開部７１、７２各々は中央横部、一対の斜線部及び一対の終断縦部を含み、中央切開部は一対の斜線部と一対の終断縦部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９０の左側辺または中心付近に位置して容量電極１３６に沿って伸びる。斜線部は中央横部の端部またはほぼ画素電極１９０の中心から画素電極１９０の右側辺中央に向かって伸びる。切開部７１、７２の斜線部は中央横部と斜角をなす。終断縦部は斜線部の各端部から画素電極１９０の左側辺に沿って左側辺と重なりながら伸びて斜線部と鈍角をなす。
切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの数又は設計要素に応じて変わることがあり、遮光部材２２０が切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂと重なって切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ付近の光漏れを遮断することができる。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が各々塗布されており、これら配向膜１１、２１は垂直配向膜である。表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２が備えられている。二つの偏光子１２、２２の透過軸は直交しており、このうち一つの透過軸はゲート線１２１に対して平行している。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光子１２、２２のうちの一つを省略することができる。
表示板１００、２００と偏光子１２、２２との間には各々液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延フィルムを介在することができる。
液晶表示装置はまた、偏光子１２、２２、位相遅延フィルム、表示板１００、２００を通じて液晶層３に光を供給する照明部を含む。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１０は電界のない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。したがって、入射光は透過軸が直交している偏光子１２、２２を通過できずに遮断される。

このような液晶表示装置において、維持電極線１３１、容量電極１３６、ドレイン電極１７５の延長部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６などの不透明部材と切開部９１−９５ｂ、７１−７６ｂを有する画素電極１９０及び共通電極２７０などの透明部材が隣接した二つのゲート線１２１から等距離にある基準線を中心に対称に配置されている。縦に伸びた少なくとも一つの不透明部材、つまり、維持電極１３７、容量電極１３６及びドレイン電極１７５の縦部１７６、１７７ｂは副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂの間の間隙９３ａ、９３ｂと交差する。

このような本実施例による液晶表示装置では、ドレイン電極１７５の縦部１７６、１７７ｂ及び連結部１７８をデータ線１７１から遠く離すことによってデータ線１７１とドレイン電極１７５との間の短絡を減らすことができる。これと同様に、ゲート線１２１と維持電極線１３１との間の短絡も減らすことができる。
また、上下対称を維持しながらデータ線１７１及びドレイン電極１７５と維持電極線１３１及び結合電極１３６が交差する部分を最少化することによってデータ線１７１とドレイン電極１７５が断線することを減らすことができる。
また、ドレイン電極１７５の縦延長部１７６、１７７ｂと維持電極１３７及び容量電極１３６等、容量性部材を縦方向に同一線上に配置し、縦延長部１７６、１７７ｂ上で下部及び上部副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２とドレイン電極１７５を連結することによって開口率を高めることができる。

図１乃至図５に示した液晶表示装置は図６の等価回路で表現することができる。
図６に示すように、液晶表示装置の一つの画素は薄膜トランジスタＱ、第１液晶キャパシタＣｌｃａ及びストレージキャパシタＣｓｔａを含む第１副画素、第２液晶キャパシタＣｌｃｂを含む第２副画素、そして結合キャパシタＣｃｐを含む。
第１液晶キャパシタＣｌｃａは一つの電極として下部及び上部副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２を含み、他の一つの電極として共通電極２７０の当該部分を含み、二つの電極の間の液晶層３部分を誘電体として含む。これと同様に、第２液晶キャパシタＣｌｃｂは一つの電極として中央副画素電極１９０ｂを含み、他の一つの電極として共通電極２７０の当該部分を含み、二つの電極の間の液晶層３部分を誘電体として含む。

ストレージキャパシタＣｓｔａは一つの電極としてドレイン電極１７５の下部及び上部延長部１７７ａ、１７７ｂを含み、他の一つの電極として延長部１７７ａ、１７７ｂと重なる維持電極１３７を含み、二つの電極の間のゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。
結合キャパシタＣｃｐは一つの電極として中央副画素電極１９０ｂと容量電極１３６を含み、他の一つの電極として結合電極１７６を含み、二つの電極の間の保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。

第１液晶キャパシタＣｌｃａとストレージキャパシタＣｓｔａは薄膜トランジスタＱのドレインに並列に連結されており、結合キャパシタＣｃｐは薄膜トランジスタＱのドレインと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの間に連結されている。共通電極２７０には共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、維持電極線１３１にも共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
薄膜トランジスタＱはゲート線１２１からのゲート信号によってデータ線１７１からのデータ電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び結合キャパシタＣｃｐに印加し、結合キャパシタＣｃｐはこの電圧の大きさを変えて第２液晶キャパシタＣｌｃｂに伝達する。

維持電極線１３１に共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、キャパシタＣｌｃａ、Ｃｓｔ、Ｃｌｃｂ、Ｃｃｐとその静電容量を同一図面符号で示せば、第１液晶キャパシタＣｌｃａに充電された電圧Ｖａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧Ｖｂは次のような関係を有する。
Ｖｂ＝Ｖａ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）］
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）は常に１より大きくはならないため第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧Ｖｂは第１液晶キャパシタＣｌｃａに充電された電圧Ｖａに比べて常に小さい。この関係は維持電極線１３１の電圧が共通電圧Ｖｃｏｍでなくても同様に成立する。

このように、第１または第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の面にほとんど垂直である電場が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９０及び共通電極２７０を“電場生成電極”と言う）。その結果、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直に傾き、液晶分子が傾いた程度に応じて液晶層３に入射された光の偏光変化程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子１２、２２によって透過率変化として現れ、これを通じて液晶表示装置は映像を表示する。
液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧Ｖａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧Ｖｂが互いに異なるので、第１副画素と第２副画素で液晶分子が傾いた角度が異なり、そのために二つの副画素の輝度が異なる。したがって、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧Ｖａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧Ｖｂを適切に合せれば、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限に近くすることができ、このようにして側面視認性を向上することができる。

第１液晶キャパシタＣｌｃａ電圧Ｖａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂ電圧Ｖｂの比率は結合キャパシタＣｃｐの静電容量を変化することによって調整することができ、結合キャパシタＣｃｐの静電容量は中央副画素電極１９０ｂ及び容量電極１３６と結合電極１７６の重畳面積又は距離を調整することによって変えることができる。例えば、容量電極１３６をなくして結合電極１７６を容量電極のところに持っていけば、結合電極１７６と第２画素電極１９０ｂの間の距離を遠くすることができる。第２液晶キャパシタＣｌｃｂ電圧Ｖｂは第１液晶キャパシタＣｌｃａ電圧Ｖａの０．６乃至０．８倍であるのが好ましい。
これとは異なって、第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧Ｖｂを第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧Ｖａより高めることもできるが、これは第２液晶キャパシタＣｌｃｂを共通電圧などのような所定の電圧で事前充電することで可能である。

第１副画素の下部及び上部副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２と第２副画素の中央副画素電極１９０ｂの面積比は１：０．８５−１：１．１５範囲であるのが好ましく、各副画素の副画素電極数は変わることがある。
液晶分子が傾く方向は電場生成電極１９０、２７０の切開部９１−９５ｂ、７１−７６ｂと画素電極１９０の斜辺が電場を歪曲して作りだす水平成分によって決められ、このような電場の水平成分は切開部９１−９５ｂ、７１−７６ｂの辺と画素電極１９０の辺に垂直である。図３に示すように、一つの切開部集合９１−９５ｂ、７１−７６ｂは画素電極１９０を各々二つの傾いた周辺を有する複数の副領域に分ける。各副領域上の液晶分子は周辺に垂直な方向に傾くので、傾く方向を調査してみれば大よそ四つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

また、四つの傾斜方向に対して光が通過できる領域の大きさを同一にすれば、多様な視野角で均一な視認性を得ることができる。前述したように、不透明な部材が上下対称に配列されているので、透過領域の大きさを調節することが容易である。
切開部７２−７５ｂの切欠は切開部７２−７５ｂ上に位置した液晶分子が傾く方向を決め、画素電極１９０の切開部９１−９５ｂに形成してもよく、多様な形態に多様に配置できる。
液晶分子の傾斜方向を決めるための切開部９１−９５ｂ、７１−７５ｂの形状と配置は変わることがあり、少なくとも一つの切開部９１−９５ｂ、７１−７６ｂは突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替することができる。突起は有機物または無機物で作ることができ、電場生成電極１９０、２７０の上または下に配置できる。

一方、共通電極２７０と遮蔽電極８８には同一な共通電圧が印加されるので、両者の間には電場がほとんどない。したがって、共通電極２７０と遮蔽電極８８との間に位置した液晶分子は初期垂直配向状態をそのまま維持するので、この部分に入射された光は透過できずに遮断される。

図１乃至図５に示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について詳細に説明する。
クロム、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウム系金属または銀系金属などからなる導電膜を絶縁基板１１０上にスパッタリング蒸着し、フォトエッチング技術を用いて湿式或いは乾式エッチングしてゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１と複数の維持電極線１３１と維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１と複数の容量電極１３６を形成する。
約１５００−５０００Å厚さのゲート絶縁膜１４０、約５００〜２０００Å厚さの真性非晶質シリコン層、約３００〜６００Å厚さの高濃度不純物ドーピング非晶質シリコン層の３層膜を連続して積層し、高濃度不純物ドーピング非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層をフォトエッチングしてゲート絶縁膜１４０上に複数の不純物半導体及び複数の真性半導体１５４を形成する。

次に、導電膜をスパッタリングなどの方法で１５００Å乃至３０００Åの厚さで蒸着した後、パターニングしてソース電極１７３と端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び延長部１７６、１７７ａ、１７７ｂ及び連結部１７８を含む複数の結合電極１７６を含む複数のドレイン電極１７５を形成する。結合電極である延長部１７６には貫通穴１７６Ｈがある。

引き続き、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体部分を除去することによって複数の島形抵抗性接触部材１６３、１６５を完成する一方、その下の真性半導体１５４部分を露出させる。露出された真性半導体１５４部分の表面を安定化させるために酸素プラズマ処理を引き続いて実施することが好ましい。

正の感光性有機絶縁物からなる保護膜１８０を塗布した後、光マスク（図示せず）を通じて露光及び現像してデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５の一部を露出させる複数の接触穴１８２、１８５ａ１、１８５ａ２を形成し、ゲート線１２１の端部１２９及び結合電極１７６の貫通穴１７６Ｈ内の容量電極１３６部分を露出する複数の接触穴１８１、１８６を形成する。この時、光の透過率を部分的に調節して接触穴１８１、１８２、１８５ａ１、１８５ａ２、１８６の側壁は階段型プロファイルを有することができる。
保護膜１８０をネガティブ感光膜で形成する場合には、ポジティブ感光膜を使用する場合と比較する時、マスクの遮光領域と透過領域とが入れ換わる。

多層膜のうちの上部のアルミニウムの導電膜が接触穴１８１、１８２、１８５ａ１、１８５ａ２、１８６を通じて露出される時、ゲート絶縁膜１４０の露出された部分を除去してその下に位置するゲート線１２１の端部１２９及び容量電極１３６部分を露出させた後、アルミニウムを含む上部膜を除去する工程を追加することができる。

最後に、約４００〜５００Å厚さのＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜をスパッタリングで積層しフォトエッチングして保護膜１８０とドレイン電極１７５、容量電極１３６、データ線１７１の端部１７９及びゲート線１２１の端部１２９の露出された部分上に副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂを含み、切開部９１−９５ｂを有する複数の副画素電極１９０、複数の接触補助部材８１、８２及び複数の遮蔽電極８８を形成する。

本発明の他の実施例による液晶表示装置について図７乃至図９を参照して詳細に説明する。
図７は本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図８及び図９は各々図７の液晶表示装置をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線及びＩＸ−ＩＸ’線に沿って切断した断面図である。
図７乃至図９に示されているように、本実施例による液晶表示装置も薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３、そして二つの表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施例による表示板１００、２００の層状構造は図１乃至図５とほとんど同一である。
薄膜トランジスタ表示板１００について説明すれば、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１、維持電極１３７を各々含む複数の維持電極線１３１及び複数の容量電極１３６が基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の半導体１５４及び複数の抵抗性接触部材１６３、１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数の延長部１７６、１７７ａ、１７７ｂ及び連結部１７８を含む複数のドレイン電極１７５が抵抗性接触部材１６３、１６５上に形成されており、保護膜１８０がその上に形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触穴１８１、１８２、１８５ａ１、１８５ａ２、１８６が形成されており、接触穴１８６はドレイン電極１７５の延長部１７６に備えられた貫通穴１７６Ｈを通過する。保護膜１８０上には副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂを含み、切開部９１−９５ｂを有する複数の画素電極１９０、遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されており、その上には配向膜１１が塗布されている。

共通電極表示板２００について説明すれば、遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、切開部７１−７６ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
図１乃至図５の液晶表示装置とは異なって、本実施例による薄膜トランジスタ表示板１００の半導体１５４及び抵抗性接触部材１６３はデータ線１７１に沿って伸びて線形半導体１５１及び線形の抵抗性接触部材１６５を構成する。また、線形の半導体１５１はデータ線１７１とドレイン電極１７５及びその下の抵抗性接触部材１６１、１６５とほとんど同一な形状を有する。しかし、線形の半導体１５１のうちの突出部１５４はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の部分のようにデータ線１７１とドレイン電極１７５で覆われない部分を有する。

このような薄膜トランジスタを本発明の一実施例によって製造する方法ではデータ線１７１及びドレイン電極１７５と半導体１５１及び抵抗性接触部材１６１、１６５を一回の写真（フォト）工程で形成する。
このような写真工程で使用する感光膜パターンは位置によって厚さが異なり、特に厚さが薄くなる順に第１部分と第２部分を含む。第１部分はデータ線及びドレイン電極が占める配線領域に位置し、第２部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。
位置によって感光膜パターンの厚さを異ならせる方法としては多様なものがあるが、例えば、光マスクに透明領域及び遮光領域の他に半透明領域をおく方法がある。半透明領域にはスリットパターン、格子パターンまたは透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを使用する時には、スリットの幅やスリットの間の間隔が写真工程に使用する露光器の分解能より小さいことが好ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を使用する方法がある。つまり、透明領域と遮光領域のみを持つ通常の露光マスクでリフロー可能な感光膜パターンを形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流すことによって薄い部分を形成することである。
このようにすれば、一回の写真工程を減らすことができるので、製造方法が簡単になる。
図１乃至図５に示した液晶表示装置の多くの特徴を図７乃至図９に示した液晶表示装置にも適用することができる。

本発明の他の実施例による液晶表示装置について図１０を参照して詳細に説明する。
図１０は本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示した断面図で、図３のＩＶ−ＩＶ’線を切断して示した図面である。
図１０に示したように、本実施例による液晶表示装置も薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挟持されている液晶層３及び二つの表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施例による表示板１００、２００の層状構造は図１乃至図５とほとんど同一である。
薄膜トランジスタ表示板１００について説明すれば、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１、維持電極１３７を各々含む複数の維持電極線１３１及び複数の容量電極１３６が基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の半導体１５４、複数の抵抗性接触部材１６３、１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３及び端部１２９を含む複数のデータ線１７１及び延長部１７６、１７７ａ、１７７ｂ及び連結部１７８を含む複数のドレイン電極１７５がゲート絶縁膜１４０及び抵抗性接触部材１６３、１６５上に形成されており、保護膜１８０がその上に形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触穴１８１、１８２、１８５ａ１、１８５ａ２、１８６が形成されており、接触穴１８６はドレイン電極１７５の延長部１７６に備えられた貫通穴１７６Ｈを通過する。保護膜１８０上には副画素電極１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂを含み、切開部９１−９５ｂを有する複数の画素電極１９０、遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されており、その上には配向膜１１が塗布されている。

共通電極表示板２００について説明すれば、遮光部材２２０、蓋膜２５０、切開部７１−７６ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
図１乃至図５の液晶表示装置とは異なって、薄膜トランジスタ表示板１００の保護膜１８０上に色フィルター２３０が形成されており、その代わりに共通電極表示板２００に色フィルターがない。この時、蓋膜２５０は省略できる。
各色フィルター２３０は隣接する二つのデータ線１７１の間に位置し、接触穴１８５ａ１、１８５ａ２、１８６が通過する複数の貫通穴２３５、２３６を有している。色フィルター２３０はゲート線１２１の端部１２９とデータ線１７１の端部１７９が備えられている周辺領域には配置されていない。

色フィルター２３０は縦方向に長く伸びて帯を形成され、隣接した二つの色フィルター２３０の境界はデータ線１７１上で正確に一致する。しかし、隣接する色フィルター２３０は互いに重なって画素電極１９０の間の光漏れを遮断したり、互いに離れていてもよい。色フィルター２３０が互いに重なる場合、遮光部材２２０の線形部分を省略することができ、この場合、遮蔽電極８８が色フィルター２３０の境界線を覆うことが好ましい。色フィルター２３０の重畳部の段差を減らすために重畳部で色フィルター２３０の厚さを薄くすることもできる。
色フィルター２３０は保護膜１８０上に位置してもよく、保護膜１８０を省略してもよい。

上述した図１乃至図５の液晶表示装置に関する多くの特徴を図１０の液晶表示装置にも適用することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、本発明の技術的思想の範囲で多様な変形及び改良形態が可能であることは言うまでもない。特に、画素電極と共通電極に形成する切開部の配置は多様な変形があり得る。

本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。 本発明の一実施例による液晶表示装置用共通電極表示板の構造を示した配置図である。 図１及び図２の二つの表示板を含む本発明の一実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図である。 図３の液晶表示装置をＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。 図３の液晶表示装置をＶ−Ｖ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の実施例による液晶表示装置の構造を示した回路図である。 本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図である。 図７の液晶表示装置をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 図７の液晶表示装置をＩＸ−ＩＸ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示した断面図である。

符号の説明

３ 液晶層
１１、２１ 配向膜
１２、２２ 偏光子
７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂ 切開部
８１、８２ 接触補助部材
８８ 遮蔽電極
１００、２００ 表示板
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１、１２９ ゲート線及びその端部
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３６ 容量電極
１３７ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ 半導体
１６１、１６３、１６５ 抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線及びその端部
１７３ ソース電極
１７５、１７７ａ、１７７ｂ、１７８ ドレイン電極及びその延長部、連結部
１７６ 結合電極（ドレイン電極の延長部）
１７６Ｈ、２３５、２３６ 貫通穴
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５ａ１、１８５ａ２、１８６ 接触穴
１９０、１９０ａ１、１９０ａ２、１９０ｂ 画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ 色フィルター
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極

Claims (21)

1. 基板と；
   前記基板上に形成されて、第１方向に伸びているゲート線と；
   前記ゲート線から分離されて、前記第２方向に伸びている容量電極と；
   前記ゲート線と絶縁されて交差するデータ線と；
   前記ゲート線及び前記データ線と連結されており、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと；
   前記容量電極と重なり、前記ドレイン電極と連結される結合電極と；
   前記ドレイン電極と連結される少なくとも一つの第１副画素電極及び前記容量電極と連結される第２副画素電極を有する画素電極とを含み、
   前記容量電極又は前記結合電極は前記少なくとも一つの第１副画素電極と前記第２副画素電極を分ける間隙と重なることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記画素電極と重なり、維持電極を有する維持電極線をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記ドレイン電極は前記間隙と重なる延長部を有し、前記維持電極は延長部と重なることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記維持電極と前記容量電極は同一線上に位置することを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記維持電極、前記容量電極、前記結合電極及び前記ドレイン電極の延長部は前記データ線と平行に伸びており、前記ゲート線に平行な基準線に対して対称に配置されていることを特徴とする、請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記ドレイン電極は前記延長部及び前記結合電極と連結されており、前記データ線と離れている連結部をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記維持電極線は前記間隙と重なることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記画素電極と容量電極及び前記結合電極の間に形成されている保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記結合電極は貫通穴を有し、前記保護膜は前記第２副画素電極と前記容量電極を連結し、前記結合電極の貫通穴内に位置する接触穴を有することを特徴とする、請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
10. 前記少なくとも一つの第１副画素電極は前記第２副画素電極を中心に反対側に位置した第３及び第４副画素電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
11. 前記第３副画素電極は前記ドレイン電極に連結され、前記第４副画素電極は前記結合電極に連結されることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
12. 前記画素電極と絶縁され、前記ゲート線または前記データ線と少なくとも一部分重なる遮蔽電極をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
13. 前記画素電極と前記遮蔽電極は同一層に形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板
14. 前記遮蔽電極は前記ゲート線または前記データ線に沿って伸びていることを特徴とする、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
15. 前記遮蔽電極は前記データ線を完全に覆うことを特徴とする、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
16. 前記画素電極は前記画素電極を複数の領域に区画する区画部材を有することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
17. 前記区画部材は前記間隙と平行な部分を有することを特徴とする、請求項１６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
18. 前記間隙は前記ゲート線に対して４５度傾いていることを特徴とする、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
19. ゲート線と；
    前記ゲート線と交差するデータ線と；
    前記ゲート線と分離され、前記データ線と実質的に平行に伸びている容量電極と；
    前記ゲート線及び前記データ線と連結され、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと；
    前記容量電極と重なり、前記ドレイン電極と連結される結合電極と；
    前記ドレイン電極と連結される第１副画素電極と前記容量電極と連結される第２副画素電極を有する画素電極と；
    前記画素電極と対向する共通電極と；
    前記画素電極と前記共通電極との間に挟持される液晶層とを含み、
    前記容量電極又は前記結合電極は前記第１副画素電極と前記第２副画素電極を分ける間隙と重なることを特徴とする液晶表示装置。
20. 前記液晶層は、垂直配向モードであることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
21. 互いに分離されていて、互いに異なる方向に伸びたゲート線及び容量電極を基板上に形成する段階と、
    前記ソース電極を含むデータ線、前記データ線と分離されているドレイン電極、そして前記容量電極と重なって前記ドレイン電極と連結される結合電極を形成する段階と、
    前記ドレイン電極と連結されている少なくとも一つの第１副画素電極及び前記容量電極と連結されている第２副画素電極を有する画素電極を形成する段階と、を含み、
    前記第２副画素電極は前記少なくとも一つの第１副画素電極と間隙をおいて離れており、前記間隙は前記容量電極又は前記結合電極と重なっていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
    

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