JP4885779B2 - 静電容量型トランスデューサ装置及び体腔内超音波診断システム - Google Patents
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Description
UTを構成する電極に、直流バイアス電圧によって電荷Qを蓄積しておいて、超音波受信による電極間距離の変化に伴う静電容量変化ΔCから計算される電圧ΔV=Q/ΔCをチ
ャージアンプによって検出していた。そして、その検出した電圧をプリアンプで増幅して、インピーダンス変換を行って、その電圧出力信号を超音波信号とみなし、信号処理及び画像処理を経て超音波診断画像を得ていた。
前記静電容量型超音波トランスデューサ装置において、前記発振回路は、CR発振回路であることを特徴とする。
前記静電容量型超音波トランスデューサ装置において、前記発振回路は、ウィーンブリッジ発振回路であることを特徴とする。
トと前記発振回路とは同一の半導体基板に形成されていることを特徴とする。
本発明にかかる体腔内超音波診断システムは、受信した超音波の信号の電圧を増幅させるものであり、シリコンマイクロマシーニング技術を用いてシリコン基板を加工した静電容量型超音波トランスデューサ(cMUT)と、キャパシタとして前記cMUTを構成要素とし、該cMUTの静電容量の変化に基づいて、出力する発振信号の周波数を変調させることにより、該出力する発振信号の電圧を増幅させた信号である周波数変調信号を出力する発振回路と、前記発振回路から出力された前記周波数変調信号から、前記受信した超音波の非線形成分を抽出して送信する送信回路と、を備えることを特徴とする。
前記体腔内超音波診断システムにおいて、前記発振回路は、CR発振回路であることを特徴とする。
前記体腔内超音波診断システムにおいて、前記発振回路は、ウィーンブリッジ発振回路であることを特徴とする。
前記体腔内超音波診断システムにおいて、前記cMUTの振動子エレメントと前記発振回路とは同一の半導体基板に形成されていることを特徴とする。
前記体腔内超音波診断システムにおいて、前記復調手段は、前記周波数変調信号に基づいて、中間周波数信号を発生させることを特徴とする。
前記体腔内超音波診断システムにおいて、前記復調手段は、局部発振回路、ミキシング回路、及び帯域フィルターを含むことを特徴とする。
信号処理部31は、超音波内視鏡スコープ1または超音波観測装置30、もしくは超音波内視鏡スコープ1と超音波観測装置30とに亘って設けられた各種の信号処理を行う装置である。なお、パルサー34もこの信号処理部の1つに含まれる。信号処理部31はその1つの機能として、発振回路41から出力されたFM変調信号を復調して振幅変調信号(AM信号)即ち受信超音波信号に変換する。
<第1の実施形態>
本実施形態では、発振回路41として、シュミットトリガー発振回路を用いた例について説明する。なお、上述した構成要素のうち、本実施形態にかかる構成要素については、上述した符号に“a”を付与して表す。
図5は、本実施形態におけるシュミットトリガー発振回路41aを用いた体腔内超音波診断システムの動作原理の概要を示す。同図において、発振回路41aは、図4のシュミットトリガーインバータ51の出力側にバッファ回路52を追加したものである。
本実施形態では、発振回路41として、コルピッツ発振回路を用いた例について説明する。なお、上述した構成要素のうち、本実施形態にかかる構成要素については、上述した符号に“b”を付与して表す。
図7は、本実施形態におけるコルピッツ発振回路41bを用いた体腔内超音波診断システムの動作原理の概要を示す。図7では、FETの代わりにトランジスタTrを用いている。
本実施形態では、発振回路41として、ウィーンブリッジ発振回路を用いた例について説明する。なお、上述した構成要素のうち、本実施形態にかかる構成要素については、上述した符号に“c”を付与して表す。
本実施形態では、アレイ型cMUTに発振回路41を適用した場合について説明する。なお、本実施形態で用いる発振回路41は、第1〜第3の実施形態にかかる発振回路41a,41b,41cのみならず、発振周波数を決定する主要な要素とするCR発振回路やLC発振回路を用いることができる。
送信ビームフォーミング部86は、cMUTから放射される超音波送信ビーム走査を制御する信号をパルサー34に出力する。このとき、送信ビームフォーミング部86からNチャンネル分の信号が対応するパルサー34にそれぞれ出力される。Nチャンネル分というのはcMUTアレイを構成しているcMUTエレメントの個数に相当する。したがって、パルサー34、発振回路41、局部発振回路81、ミキサー82、フィルター83、復調回路84の組がNチャネル分(cMUTエレメント分)存在する。
2 cMUT
11 振動子エレメント
12 シリコン基板
13 裏面絶縁膜
14,16 信号電極パッド
15 下部電極
17 ウェハ貫通配線
18 キャビティ
19 メンブレン支持部
20 メンブレン
20a 保護膜
20b 上部電極
20c 第2絶縁膜
21 下部電極配線
22 振動子セル
23a,23b オーミックコンタクト領域
24 第1絶縁膜
25 ビア配線
26 上部電極配線
27 プラグ
28 エレメント境界溝
29 送受信回路
30 超音波観測装置
31 信号処理部
32 画像処理部
33 ディスプレイ
34 パルサー
40 cMUT装置
41,41a,41b,41c 発振回路
42 cMUT
45 SW
52,72 バッファ回路
61 送信回路
62 アンテナ
71 オペアンプ
81 局部発振回路
82 ミキサー
83 フィルター回路
84 復調回路
85 送信ビームフォーミング部
86 受信ビームフォーミング部
87 スキャンコンバータ
Claims (21)
- 受信した超音波の信号の電圧を増幅させる静電容量型トランスデューサ装置において、
シリコンマイクロマシーニング技術を用いてシリコン基板を加工した静電容量型超音波トランスデューサ(cMUT)と、
キャパシタとして前記cMUTを構成要素とし、該cMUTの静電容量の変化に基づいて、出力する発振信号の周波数を変調させることにより、該出力する発振信号の電圧を増幅させた信号である周波数変調信号を出力する発振回路と、
前記発振回路から出力された前記周波数変調信号から、前記受信した超音波の非線形成分を抽出して送信する送信回路と、
を備えることを特徴とする静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 前記発振回路は、コルピッツ発振回路である
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 前記発振回路は、CR発振回路である
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 前記発振回路は、シュミットトリガー発振回路である
ことを特徴とする請求項3に記載の静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 前記発振回路は、ウィーンブリッジ発振回路である
ことを特徴とする請求項3に記載の静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 前記cMUTの振動子エレメントと前記発振回路とは同一の半導体基板に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型超音波トランスデューサ装置。 - 受信した超音波の信号の電圧を増幅させる静電容量型トランスデューサ装置において、
シリコンマイクロマシーニング技術を用いてシリコン基板を加工した静電容量型超音波トランスデューサ(cMUT)と、
キャパシタとして前記cMUTを構成要素とし、該cMUTの静電容量の変化に基づいて、出力する発振信号の周波数を変調させることにより、該出力する発振信号の電圧を増幅させた信号である周波数変調信号を出力する発振回路と、
前記発振回路から出力された前記周波数変調信号から、前記受信した超音波の非線形成分を抽出して送信する送信回路と、
を備えることを特徴とする体腔内超音波診断システム。 - 前記発振回路は、コルピッツ発振回路である
ことを特徴とする請求項7に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記発振回路は、CR発振回路である
ことを特徴とする請求項7に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記発振回路は、シュミットトリガー発振回路である
ことを特徴とする請求項9に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記発振回路は、ウィーンブリッジ発振回路である
ことを特徴とする請求項9に記載の体腔内超音波診断システム。 - 体腔内超音波診断システムは、さらに、
前記発振回路から出力された前記周波数変調信号を無線で送信する送信手段
を備えることを特徴とする請求項7に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記cMUTの振動子エレメントと前記発振回路とは同一の半導体基板に形成されている
ことを特徴とする請求項7に記載の体腔内超音波診断システム。 - 体腔内超音波診断システムは、さらに、
前記発振回路から出力された前記周波数変調信号を復調する復調手段
を備えることを特徴とする請求項7に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記復調手段は、前記周波数変調信号に基づいて、中間周波数信号を発生させる
ことを特徴とする請求項14に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記中間周波数信号は、10.7MHzである
ことを特徴とする請求項15に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記復調手段は、局部発振回路、ミキシング回路、及び帯域フィルターを含む
ことを特徴とする請求項14に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記局部発振回路、ミキシング回路、及び帯域フィルターのうち少なくともいずれか1つと、前記cMUTの振動子エレメントと、前記発振回路とが、同一の半導体基板に形成されている
ことを特徴とする請求項17に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記体腔内超音波診断システムは、さらに、
前記cMUTに対して直流バイアス電圧に重畳した高周波パルス信号を供給するパルス発生手段と、
前記cMUTと前記パルス発生手段との間の電気的な接続と、前記cMUTと前記発振回路との間の電気的な接続と、を切り換える切り替え手段と、
を備えることを特徴とする請求項14に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記cMUTは、複数のcMUTエレメントをアレイ状に形成したものであり、
体腔内超音波診断システムは、さらに、
前記各cMUTエレメントに対応する前記発振回路から出力された前記周波数変調信号を前記復調手段により復調されたそれぞれの信号を合成する受信ビームフォーミング手段と、
前記受信ビームフォーミング手段により合成された信号を画像信号に変換する画像処理手段と、
前記画像信号に基づいて、超音波診断画像を表示させる表示手段と、
を備えることを特徴とする請求項14に記載の体腔内超音波診断システム。 - 前記体腔内超音波診断システムは、さらに、
前記各cMUTエレメントから放射する超音波送信ビームの走査を制御する信号を出力する送信ビームフォーミング手段と、
前記送信ビームフォーミング手段からの出力に基づいて、前記各cMUTエレメントに対して直流パルス信号に重畳した高周波パルス信号を供給するパルス発生手段と、
前記各cMUTエレメントと該各cMUTエレメントに対応する前記パルス発生手段との間の電気的な接続と、前記各cMUTエレメントと該各cMUTエレメントに対応する前記発振回路との間の電気的な接続と、を切り換える切り替え手段と、
を備えることを特徴とする請求項20に記載の体腔内超音波診断システム。
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