JP4541787B2 - 表示デバイス - Google Patents
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Description
成膜初期(条件A)…雰囲気ガス=アルゴン、圧力=3mTorr、スパッタパワー密度=1.9W/cm2、膜厚=20nm、
成膜後期(条件B)…雰囲気ガス=アルゴン/酸素混合ガス、圧力=3mTorr(アルゴン分圧;2.98Torr、酸素分圧:0.02mTorr)、スパッタパワー密度=1.9W/cm2、膜厚=180nm。
図24に示す様なケルビンパターンを作製し、4端子測定[ITO(またはIZO)−Al合金に電流を流し、別の端子でITO(またはIZO)−Al合金間の電圧降下を測定する方法]を行う。即ち、図24のI1−I2間に電流Iを流し、V1−V2間の電圧Vをモニターすることにより、コンタクト部Cのコンタクト抵抗Rを[R=(V2−V1)/I2]として求める。なお上記パターンの作製法は下記の通りとした。
2 対向電極
3 液晶層
4 薄膜トランジスタ(TFT)
5 透明導電膜
6 配線部
7 共通電極
8 カラーフィルタ
9 遮光膜
10 偏光板
11 配向膜
12 TABテープ
13 ドライバ回路
14 制御回路
15 スペーサー
16 シール材
17 保護膜
18 拡散板
19 プリズムシート
20 導光板
21 反射板
22 バックライト
23 保持フレーム
24 プリント基板
25 走査線
26 ゲート電極
27 ゲート絶縁膜
28 ソース電極
29 ドレイン電極
30 保護膜(窒化シリコン膜)
31 フォトレジスト
32 コンタクトホール
Claims (5)
- 基板上に配置された薄膜トランジスタと透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、
前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてNiを0.1〜6原子%含み、
該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が1〜10nmで、該酸化皮膜中の酸素含有量が44原子%以下であり、
前記アルミニウム合金膜と前記酸化皮膜の界面には、厚さ0.5〜10nmのNi濃化層が存在し、該Ni濃化層中の平均Ni濃度が、前記アルミニウム合金膜中の平均Ni濃度の2倍以上であることを特徴とする表示デバイス。 - 前記アルミニウム合金膜には、更に他の元素としてNd,Y,Fe,Co,Ti,Ta,Cr,Zr,Hfよりなる群から選択される少なくとも1種が0.1〜6原子%含まれている請求項1に記載の表示デバイス。
- 前記透明導電膜が、酸化インジウム錫(ITO)もしくは酸化インジウム亜鉛(IZO)である請求項1または2に記載の表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜が反射膜として機能する請求項1〜3のいずれかに記載の表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜に透明導電膜を積層しタブ接続電極として使用する請求項1〜4のいずれかに記載の表示デバイス。
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