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JP3228331B2 - 固体撮像デバイス - Google Patents

固体撮像デバイス

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Publication number
JP3228331B2
JP3228331B2 JP08411298A JP8411298A JP3228331B2 JP 3228331 B2 JP3228331 B2 JP 3228331B2 JP 08411298 A JP08411298 A JP 08411298A JP 8411298 A JP8411298 A JP 8411298A JP 3228331 B2 JP3228331 B2 JP 3228331B2
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JP
Japan
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imaging device
solid
state imaging
memory transistor
peripheral circuit
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JP08411298A
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English (en)
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JPH11284165A (ja
Inventor
啓介 畑野
康隆 中柴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Priority to US09/272,574 priority patent/US6057570A/en
Priority to KR1019990010237A priority patent/KR100293050B1/ko
Publication of JPH11284165A publication Critical patent/JPH11284165A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/186—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors having arrangements for blooming suppression

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像デバイス
の周辺回路の配置に関し、特に、ＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯ
Ｓ型、フローティングゲート型などの、電荷をゲート電
極下の絶縁手段中に捕獲し、しきい値電圧を変化させる
構造の不揮発性メモリトランジスタを有する周辺回路部
を備える固体撮像デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像デバイスにおける周辺回
路の配置について説明する。
【０００３】図２は、従来からＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ
型、あるいはフローティングゲート型などの不揮発性メ
モリトランジスタを有する周辺回路部を備える固体撮像
デバイスの平面図を示す。
【０００４】このような構造のトランジスタを有する固
体撮像デバイスの周辺回路のひとつに、基板に加える電
圧を発生させる回路がある。この回路を基板電圧発生回
路と称する。通常、基板電圧は、固体撮像素子の光電変
換部での信号電荷のブルーミングを制御する電圧に設定
されるが、この値は撮像デバイスごとに異なっており、
カメラ側で撮像デバイスごとに電圧を設定する必要があ
った。基板電圧発生回路は外部から印加する定電圧をブ
ルーミングを制御するための設定値に変換するもので、
抵抗分割回路中に配置した不揮発性メモリトランジスタ
に電荷を蓄積し、しきい値電圧を換えることで、所望の
電圧を発生させるものである。なお、これらの不揮発性
メモリトランジスタへの電荷の捕獲は、撮像デバイスの
テスト工程で行われる。
【０００５】しかしながら、上述した従来の固体撮像デ
バイスにおいて、周辺回路部が有する不揮発性メモリト
ランジスタの配置については全体をコンパクトにまとめ
るために、イメージサークル内に相当する適当な場所に
配置されていた。
【０００６】ところで、固体撮像デバイスをカメラに使
用した場合、撮像レンズによって図２に示すような円形
の結像面（以下、イメージサークルと称する）２３が形
成される。このイメージサークル２３は、チップ（固体
撮像素子）２１の撮像領域（以下、イメージエリアと称
する）２２の全面を含むように形成されている。
【０００７】従来例においては、周辺回路部が有する不
揮発性メモリトランジスタ２４が、イメージエリア２２
には含まれないものの、イメージサークル２３中に含ま
れている。
【０００８】そのため、長時間にわたる使用中に、円形
のイメージサークル内にある不揮発性メモリトランジス
タ２４にレンズを通して光が当ると、ゲート電極下の絶
縁手段中に捕獲されている電荷がエネルギーを得ること
になり、このエネルギーが捕獲順位のエネルギー順位よ
りも大きくなると、電荷が捕獲順位から放出され、不揮
発メモリトンジスタ２４のしきい値電圧が次第に変動し
てしまうことになり、ひいては、周辺回路の特性が変化
するという問題点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の周辺回路部を備える固体撮像デバイスの問題点に
対して、周辺回路部が有するＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ
型、フローティングゲート型などの電荷をゲート電極下
の絶縁手段中に捕獲し、しきい値電圧を変化させる構造
の不揮発性メモリトランジスタを固体撮像素子上のイメ
ージサークルの外に配置し、撮像デバイスの使用時に光
が当らないようにすることにより、不揮発性メモリトラ
ンジスタのしきい値電圧の変動を防止し、周辺回路の特
性を安定させた、信頼性の高い固体撮像デバイスを提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像デバイ
スは、上記の課題を解決するため、周辺回路部としてＭ
ＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ型、あるいはフローティングゲー
ト型などの電荷をゲート電極下の絶縁手段中に捕獲し、
しきい値電圧を変化させる構造の不揮発性メモリトラン
ジスタを有する固体撮像デバイスにおいて、前記不揮発
性メモリトランジスタを固体撮像素子上の結像面（イメ
ージサークル）の外に配置したことを特徴とするもので
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明について図面を参照して説
明する。
【００１２】図１は、本発明の実施の形態である固体撮
像デバイスの平面図である。
【００１３】図１に示すように、本発明の実施形態で
は、周辺回路部が有する不揮発性メモリトランジスタ４
は、チップ上でイメージサークル３の外に配置されてい
る。
【００１４】固体撮像デバイスをカメラに使用した場
合、周辺回路部が有する、ＭＮＯＳ（metal-nitride ox
ide semicondutor）型、ＭＯＮＯＳ（metal-oxide nitr
ide oxide semicondutor）型、フローティングゲート型
などの電荷をゲート電極下の絶縁手段中に捕獲し、しき
い値電圧を変化させる構造の不揮発性メモリトランジス
タ４は、チップ（固体撮像素子）１上の撮影レンズによ
る結像面（イメージサークル）３の外に配置されてい
る。また、このイメージサークル３内には、固体撮像素
子の撮像領域（以下、イメージエリアと称する）２の全
面を含むように形成されている。
【００１５】そのため、撮像デバイスの使用時に、周辺
回路部が有する不揮発性メモリトランジスタ４に光が入
射しないため、ゲート電極下の絶縁手段中に捕獲されて
いる電荷がエネルギーを得ることなく、電荷が捕獲順位
から放出されることがないので、しきい値電圧の変動の
ない安定した回路特性が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、周辺回
路部のＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ型、フローティングゲー
ト型などの電荷をゲート電極下の絶縁手段中に捕獲し、
しきい値電圧を変化させる構造の不揮発性メモリトラン
ジスタをイメージサークルの外に配置し、撮像デバイス
の使用時に光が当らないようにすることにより、しきい
値電圧の変動を防止し、信頼性を向上させることが可能
になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である固体撮像デバイスの平
面図
【図２】従来の固体撮像デバイスの平面図
【符号の説明】
１ チップ ２ イメージエリア ３ イメージサークル ４ 不揮発性メモリトランジスタ ２１ チップ ２２ イメージエリア ２３ イメージサークル ２４ 不揮発性メモリトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電荷をゲート電極下の絶縁手段中に捕獲
    し、しきい値電圧を変化させる構造の不揮発性メモリト
    ランジスタを有する周辺回路部を備える固体撮像デバイ
    スにおいて、前記トランジスタを固体撮像素子上の結像
    面（イメージサークル）の外に配置したことを特徴とす
    る固体撮像デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の不揮発性メモリトランジ
    スタが、ＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ型、あるいはフローテ
    ィングゲート型などの、電荷をゲート電極下の絶縁手段
    中に捕獲し、しきい値電圧を変化させる構造の不揮発性
    メモリトランジスタであることを特徴とする固体撮像デ
    バイス。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の周辺回路部が、
    基板に加える電圧を発生させる基板電圧発生回路である
    ことを特徴とする固体撮像デバイス。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の基板電圧発生回路が、ブ
    ルーミングを制御するためのしきい値を設定するもので
    あることを特徴とする固体撮像デバイス。
JP08411298A 1998-03-30 1998-03-30 固体撮像デバイス Expired - Fee Related JP3228331B2 (ja)

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KR102675948B1 (ko) * 2021-12-27 2024-06-18 쎈트랙이엔씨(주) 휴대 가능한 철도용품 거치대

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